Osnove Elektronike

Sveuilite u Splitu
Vladan Papi
PREDAVANJA
IZ
OSNOVA ELEKTRONIKE
Split, 2005
Manualia Universitatis studiorum Spalatensis
Autor:
Doc. dr. sc. Vladan Papi
Recenzenti:
Prof. dr. sc. Sven Gotovac
Prof. dr. sc. Dragan Poljak
Doc. dr. sc. Hrvoje Dujmi
Objavljivanje ove sveuiline skripte odobreno je na 28. sjednici Senata Sveuilita u Splitu
odranoj 20. sijenja 2005. godine, odlukom br: 01-12/21-2-2004.
CIP-Katalogizacija u publikaciji
Sveuilina knjinica u Splitu
UDK
628.38(075.8)
PAPI, Vladan
Predavanja iz osnova elektronike / Vladan Papi. Split : Fakultet
prirodoslovno- matematikih znanosti i odgojnih podruja, 2005. 163 str. :
graf. prikazi ; 24 cm. (Manualia Universitatis studiorum Spalatensis)
Bibliografija.
ISBN
ISBN
953-7155-02-1
953-7155-02-1
Split, veljaa 2005.
Sadraj
I. Fizikalna elektronika
1. Nabijene estice u elektrinom i magnetskom polju
1.1. Uvod i osnovni pojmovi ---------------------------------------------------------------------------1
1.2. Nabijena estica u elektrostatskom polju --------------------------------------------------------2
1.2.1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju --------------------------------------------5
1.2.2. Otklon elektrona u katodnoj cijevi ----------------------------------------------------------8
1.3. Nabijena estica u magnetostatskom polju ---------------------------------------------------- 11
1.3.1. Elektron u homogenom magnetostatskom polju ---------------------------------------- 14
1.3.2. Katodna cijev s otklanjanjem pomou magnetostatskog polja ------------------------ 15
1.4. Gibanje nabijene estice pod istovremenim djelovanjem elektrostatskog i
magnetostatskog homogenog polja-------------------------------------------------------------- 18
1.5. Elektrostatske lee -------------------------------------------------------------------------------- 21
1.6. Primjene ------------------------------------------------------------------------------------------- 23
1.6.1. Maseni spektrometar ----------------------------------------------------------------------- 23
1.6.2. Linearni akcelerator ------------------------------------------------------------------------ 26
1.6.3. Ciklotron------------------------------------------------------------------------------------- 27
2. Svojstva metala i poluvodia
2.1. Klasifikacija vrstih tijela------------------------------------------------------------------------ 31
2.2. Energetske vrpce u vodiima -------------------------------------------------------------------- 31
2.3. Emisija elektrona iz metala ---------------------------------------------------------------------- 35
2.3.1. Termionska emisija ------------------------------------------------------------------------- 35
2.3.2. Sekundarna emisija ------------------------------------------------------------------------- 36
2.3.3. Fotoemisija ---------------------------------------------------------------------------------- 37
2.4. Poluvodii i energetske vrpce u poluvodiima ------------------------------------------------ 39
2.5. Primjese u poluvodiima------------------------------------------------------------------------- 41
2.6. Generacija i rekombinacija nositelja naboja --------------------------------------------------- 45
2.7. Koncentracija nositelja naboja ------------------------------------------------------------------ 47
2.8. Fermijeva razina ---------------------------------------------------------------------------------- 49
2.9. Pokretljivost nositelja naboja-------------------------------------------------------------------- 42
2.10. Vodljivost poluvodia -------------------------------------------------------------------------- 44
2.11. Difuzija u poluvodiima ------------------------------------------------------------------------ 45
II. Elektroniki elementi i sklopovi

3. Elektroniki elementi
3.1. Poluvodiki P-N spoj----------------------------------------------------------------------------- 59
3.1.1. P-N spoj pod djelovanjem napona -------------------------------------------------------- 62
3.2. Poluvodike diode -------------------------------------------------------------------------------- 64
3.2.1. Strujno-naponska karakteristika P-N dioda ---------------------------------------------- 65
3.2.2. Neke vrste P-N dioda ---------------------------------------------------------------------- 68
3.3. Dovoenje diode u radnu toku i nadomjesni sklop ------------------------------------------ 70
3.3.1. Nadomjesni sklop (ekvivalentna shema) ------------------------------------------------- 72
3.4. Ogranienje snage u poluvodikim diodama -------------------------------------------------- 76

3.5. Usporedba poluvodike i vakuumske diode --------------------------------------------------- 76
3.6. Bipolarni tranzistori ------------------------------------------------------------------------------ 78
3.6.1. Osnovni principi rada tranzistora --------------------------------------------------------- 79
3.7. Statike karakteristike tranzistora--------------------------------------------------------------- 83
3.7.1. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednike baze ------------------- 84
3.7.2. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednikog emitera -------------- 84
3.8. Ogranienja u radu tranzistora ------------------------------------------------------------------ 85
3.9. Dinamika svojstva bipolarnih tranzistora----------------------------------------------------- 86
3.10. Tranzistor kao etveropol ---------------------------------------------------------------------- 87
3.11. Nadomjesni sklopovi bipolarnih tranzistora-------------------------------------------------- 90
3.12. Vakuumska trioda ------------------------------------------------------------------------------- 92
3.13. Unipolarni tranzistori --------------------------------------------------------------------------- 93
3.14. JFET ---------------------------------------------------------------------------------------------- 94
3.15. Statike karakteristike N kanalnog JFET-a ------------------------------------------------ 96
3.16. Nadomjesni sklop JFET-a---------------------------------------------------------------------- 98
3.17. MOSFET ----------------------------------------------------------------------------------------- 99
3.18. Statike karakteristike MOSFET-a-----------------------------------------------------------101
3.19. Nadomjesni sklop MOSFET-a----------------------------------------------------------------102
3.20. Ogranienja rada i prednosti unipolarnih tranzistora---------------------------------------103
4. Elektroniki sklopovi
4.1. Pojaala -------------------------------------------------------------------------------------------105
4.1.1. Raunanje u decibelima -------------------------------------------------------------------107
4.1.2. Strujni i naponski izvori-------------------------------------------------------------------107
4.1.3. Ulazni otpor --------------------------------------------------------------------------------114
4.1.4. Naponsko pojaanje i frekvencijski odziv ----------------------------------------------115
4.2. Pojaala s bipolarnim tranzistorima -----------------------------------------------------------118
4.2.1. Strujno pojaalo u spoju ZE --------------------------------------------------------------118
4.2.2. Naponsko pojaalo u spoju ZB-----------------------------------------------------------120
4.2.3. Pojaalo u spoju ZC transformator impedancije (emitersko sljedilo) -------------121
4.3. Pojaala s unipolarnim tranzistorima ----------------------------------------------------------122
4.3.1. Pojaalo u spoju zajednikog uvoda (ZS)-----------------------------------------------122
4.3.2. Pojaalo u spoju zajednikog odvoda (ZD)---------------------------------------------123
4.3.3. Pojaalo u spoju zajednike upravljake elektrode (ZG)------------------------------124
4.4. Kaskadna pojaala -------------------------------------------------------------------------------125
4.4.1. Darlingtonov spoj--------------------------------------------------------------------------127
4.5. Diferencijalno pojaalo -------------------------------------------------------------------------128
4.6. Strujno zrcalo ------------------------------------------------------------------------------------129
4.7. Povratna veza ------------------------------------------------------------------------------------131
4.7.1. Oscilatori------------------------------------------------------------------------------------132
4.8. Operacijska pojaala ----------------------------------------------------------------------------134
4.8.1. Neinvertirajue pojaalo ------------------------------------------------------------------136
4.8.2. Invertirajue pojaalo ---------------------------------------------------------------------137
4.8.3. Diferencijalno pojaalo -------------------------------------------------------------------138
4.8.4. Sumator (zbrajalo) -------------------------------------------------------------------------139
4.8.5. Naponsko sljedilo --------------------------------------------------------------------------140
4.8.6. Strujno-naponski pretvornik --------------------------------------------------------------140
4.8.7. Integrator------------------------------------------------------------------------------------141
4.8.8. Derivator ------------------------------------------------------------------------------------142

4.8.9. RC oscilator realiziran pomou operacijskog pojaala --------------------------------143
5. Digitalna elektronika
5.1. Logiki sklopovi ---------------------------------------------------------------------------------145
5.2. Tehnike realizacije logikih sklopova ---------------------------------------------------------147
5.2.1. Otpornik tranzistor logika (RTL) ------------------------------------------------------150
5.2.2. Diodna logika (DL) ------------------------------------------------------------------------151
5.2.3. Diodno-tranzistorska logika (DTL) ------------------------------------------------------152
5.2.4. Tranzistor-tranzistor logika (TTL)-------------------------------------------------------152
5.2.5. Logika zajednikog emitera (ECL) ------------------------------------------------------153
5.2.6. MOSFET (MOS) --------------------------------------------------------------------------154
5.2.7. Komplementarni MOSFET (CMOS) ----------------------------------------------------155
5.3. Sekvencijalna logika ----------------------------------------------------------------------------155
5.3.1. Razinom okidani bistabili-----------------------------------------------------------------157
5.3.2. Bridom okidani bistabili ------------------------------------------------------------------160
Literatura
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike
1. Nabijene estice u elektrinom i magnetskom polju

1.1. Uvod i osnovni pojmovi
U ovom poglavlju, promatrat emo gibanje nabijenih estica u elektrinim i magnetskim
poljima. Elektronska balistika je pojam koji vezujemo uz ovakva razmatranja i njena zadaa
je odreivanje trajektorija nabijenih estica u tim poljima. Osim trajektorija, potrebno je
poznavati i brzine te akceleracije promatranih estica, najee elektrona.
Ubrzanje je mogue jedino djelovanjem sila. Ako elektron promatramo kao nabijenu
materijalnu esticu, onda na njega mogu djelovati elektrine i magnetske sile. Elektron iz
stanja mirovanja moe pokrenuti elektrina sila, a ako se giba, onda promjenu njegovog stanja
moe izazvati i magnetska sila.
Za razliku od gibanja u prostoru, a naroito pod dinamikim promjenama elektrinog i
magnetskog polja, analitiko odreivanje putanje elektrona u jednodimenzionalnim
elektrostatskim i magnetskim poljima je razmjerno jednostavno. Putanje nabijenih estica u
elektrostatskim poljima su sline putanjama predmeta u gravitacijskom polju, odatle je i
porijeklo termina elektronska balistika. Slinost gibanja elektrona u elektrostatskim poljima i
gibanja zrake svjetlosti kroz optika sredstva koristi se za analizu gibanja u elektronskoj
optici.
ESTICA
elektron
neutron
proton
NABOJ
qe = -1.6 x 10-19 C [As]
0
qp = -qe = 1.6 x 10-19 C [As]
MASA
me = 9.1 x 10-31 kg
mn = 1839 x me = 1.67 x 10-27 kg
mp = 1839 x me = 1.67 x 10-27 kg
Naboj protona je, dakle, iznosom jednak, a predznakom suprotan naboju elektrona, dok je
masa protona i neutrona za 1839 puta vea od mase elektrona. Masa iona nekog elementa
dana je izrazom:
mI = a mP
(1.1.)
gdje je a atomska teina promatranog elementa.

Kod velikih brzina kretanja estica, tj. kada brzina gibanja vie nije zanemariva u odnosu na
brzinu svjetlosti, gore napisane vrijednosti za masu pojedine estice ne vrijede. Tada treba
uzeti u obzir relativistiku korekciju za masu pa dobivamo slijedei izraz:
m=
m0
v
1
c
(1.2)
gdje je m0 masa mirovanja promatrane estice, v je brzina estice, a c = 3108 m/s je brzina
svjetlosti. U veini primjena se uzima nekorigirana vrijednost mase jer su brzine gibanja
estica relativno male.
1.2. Nabijena estica u elektrostatikom polju
Promotrimo gibanje elektrona ili neke druge estice u vakuumu. estica moe biti u stanju
1
mirovanja ili gibanja odreenom brzinom, dakle ima kinetiku energiju E K = mv 2 . Da bi
2
estica dobila brzinu, mora biti ubrzana, tj. na nju mora djelovati neka sila. esticu moemo
ubrzati na dva naina:
-
djelovanjem fizike sile na masu

djelovanjem elektrine sile na naboj
qe
C
= 1.76 1011
, tj. sila na naboj je 1011 puta manja od sile na
me0
kg
masu (ona sila koja e pokrenuti elektron). Utjecaj gravitacijske sile na gibanje
zanemarujemo.
Kada se nabijena estica mase m i naboja q nalazi u elektrinom polju, na nju djeluje sila koja
je proporcionalna jakosti elektrinog polja:
Za elektron vrijedi omjer
r
r
F = qE
(1.3)
r
Zamislimo esticu mase m i naboja q. Na nju djeluje sila F . Poto je ova estica promijenila
stanje gibanja (pokrenuli smo je iz stanja mirovanja), mora se javiti Newtonova sila reakcije
r
r
ma gdje je a akceleracija (Slika 1.1).
r
ma
r
r
F = qE
m
q
Slika 1.1.
Nabijena estica u elektrinom polju
U stanju ravnotee je
r
r
ma = qE
r q r
a= E
m
r q
r
r
r
r
r
axi + a y j + az k =
Exi + E y j + Ez k
m
(1.4)
r r r
gdje su i , j , k jedinini vektori.
Temeljem relacija (1.4) moemo napisati sustav od 3 skalarne jednadbe

q
ax Ex
m
q
ay Ey
m
q
az Ez
m
d2
q
d
q
x Ex
vx Ex
2
m
dt
dt
m
2
d
q
d
q
vy Ey
y Ey
2
dt
m
m
dt
2
d
q
d
q
vz Ez
z Ez
2
dt
m
m
dt
(1.5)
Temeljem sustava jednadbi (1.5) moemo odrediti putanju estice u parametarskom obliku, s
vremenom t kao parametrom.
Poto se promatra estica u elektrostatskom polju tj. polje se ne mijenja u vremenu, polje je
odreeno gradijentom elektrinog potencijala U (usmjereno je od toaka veeg ka tokama
manjeg potencijala, tj. u smijeru negativne derivacije potencijala):
U U U
j
k
E gradU ( x, y, z )
i
y
z
x
U
Ex
x
U
Ey
y
U
Ez
z
(1.6)
odakle slijedi
d 2x
q U
2
m x
dt
2
d y
q U
2
m y
dt
(1.7)
d 2z
q U
2
m z
dt
Ponovimo jo jednom, ove jednadbe vrijede za sluaj gibanja estice u elektrostatskom

polju.
T1
v1
m, q
t1 , U1
T2
m, q
t2 , U2
Slika 1.2.
estica u konzervativnom polju
v2
Imamo jo jednu mogunost promatranja ovog fenomena. Ako je polje konzervativno, onda je
u tome polju zbroj energija u vremenskom trenutku t1 jednak zbroju energija u vremenskom
trenutku t2, ukoliko se obje promatrane toke nalaze na trajektoriji kojom se giba nabijena
estica (Slika 1.2). Zbroj energija je suma kinetike i potencijalne energije estice pa moemo
pisati:
1 2
1
mv1 qU 1 mv 22 qU 2
2
2
kinetika
energija
(1.8)
potencijalna energija
(naboj x potencijal)
Temeljem gornje jednadbe, moemo dobiti izraz za krajnju brzinu, v2.

1 2
1
mv 2 qU 2 U 1 mv12
2
2
2q
U 2 U 1
v 2 v12
m
(1.9)
Ako u t1 = 0 vrijedi: v1 = 0 i U1 = 0, onda je

v2 2
q
U2
m
(1.10)
Temeljem jednadbe (1.10) slijedi da, ako elimo esticu iz stanja mirovanja i toke nultog
potencijala dovesti u toku T2, onda u toki T2 potencijal U2 mora biti pozitivan (tj. U2 > 0)
ako je estica negativno nabijena, dok je za pozitivno nabijene estice potrebno U2 < 0.
Za situaciju kad pokreemo elektron iz stanja mirovanja:
1 2
mv 2 qU 2
2
(EK EP )
(1.11)
Zbog openito vrlo malih iznosa energija elektrona, za jedinicu energije se obino uzima
elektronvolt (eV). Jedan eV predstavlja kinetiku energiju elektrona koji je iz stanja
mirovanja ubrzan potencijalnom razlikom od 1 V. Dakle:
1eV 1.6 10 19 J .
Nadalje emo promatrati iskljuivo gibanje elektrona, a opi oblici jednadbi vrijede i za ione
pa se numerike vrijednosti za njih mogu dobiti uvrtavanjem njihovog iznosa za masu i
naboj.
1.2.1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju

U homogenom polju nema prostorne promjene jakosti polja, dakle nema promjene jakosti
polja ni na putanji kojom se giba elektron. Takva polja se formiraju u prostoru izmeu dvije
bliske ploaste elektrode (Slika 1.3). Elektron moe biti u mirovanju, pa ga polje ubrzava, ili
moe ulijetati u polje razliitim brzinama (razni smjerovi i iznosi).
a)
b)
Slika 1.3.
Elektrostatsko polje izmeu ploastih elektroda
a)
Konfiguracija elektroda
(k katoda, a anoda, d udaljenost izmeu elektroda, Ua napon baterije)
b)
Raspodjela potencijala izmeu dvije ravne i paralelne elektrode
Baterija s naponom Ua omoguava stvaranje elektrostatskog polja izmeu ploastih elektroda.
Elektrino polje je usmjereno od toaka veeg potencijala (anodi) prema tokama manjeg
potencijala (katodi) i moe se opisati slijedeom jednadbom:
E Ex i ;
Ex
U
U
Ex hogomogeno derivacija konstantna a
x
d
(1.12)
Ukoliko je elektron u trenutku t = 0 emitiran iz katode iji je potencijal odabran kao

referentan, tj. jednak nuli, s brzinom vk u smijeru elektrinog polja, diferencijalna jednadba
gibanja (vidi jednadbu 1.7) je:
q U
d 2x
0 a
2
dt
m0 d
(1.13)
q U
dx
v 0 a t C1
dt
m0 d
(1.14)
Nakon integriranja dobijemo
Budui da je u trenutku t = 0 poetna brzina v = vk , slijedi C1=vk , pa je brzina elektrona:

q U
dx
v 0 a t vk
dt
m0 d
(1.15)
a integriranjem (1.15) dobivamo i poloaj elektrona u trenutku t (konstanta C2 = 0):

q0 U a t 2
x
vk t
m0 d 2
(1.16)
Konstanta integracije C2 u ovom sluaju iezava, jer se za t = 0 elektron nalazi na katodi

gdje je x = 0. Iz jednadbi (1.15) i (1.16) proizlazi da brzina raste linearno s vremenom, a
prijeeni put (x) raste kvadratino s vremenom. Ovakvo gibanje je uzrokovano konstantnom
silom uslijed elektrinog polja i moemo rei da je gibanje analogno gibanju predmeta u
gravitacijskom polju.
Ukoliko je poetna brzina vk = 0, moemo napisati slijedee jednadbe gibanja
q U
dx
0 a t
dt
m0 d
(1.17)
q0 U a t 2
m0 d 2
(1.18)
pa kombiniranjem posljednje dvije jednadbe dobijemo poznati (vidi 1.10) izraz za brzinu
neovisan o vremenu, a ovisan o potencijalu unutar ploa:
v
2q0
U ( x)
m0
(1.19)
gdje je U(x) potencijal na bilo kojem mjestu unutar ploa, a koji je u sluaju homogenog polja
odreen relacijom
U ( x)
Ua
x
d
(1.20)
Za promatrani sluaj nema brzine u y i z smjeru, pa tako ni promjena poloaja u tim

smjerovima, jer je poetna brzina u smjeru polja. U ovom sluaju je trajektorija pravac. Kada
je poetna brzina proizvoljno orijentirana, trajektorija elektrona e biti parabola.
Primjer: Neka elektron s brzinom va va i ue u homogeno elektrostatsko polje. Smijer

kretanja elektrona (paralelno s osi x) je okomit na homogeno elektrostatsko polje paralelno s
osi y. Potrebno je pronai jednadbu putanje elektrona.

E E y ( E ) j ;
E E konst.
U
E gradU
j
y
U
E
y
2
d x qe
0
dt 2 me 0
q
d 2 y qe
E y e ( E )
2
dt
me 0
me 0
d 2 z qe
0
dt 2 me 0
x C1' t C 2'
qe t 2
E C1'' t C 2''
2
me 0
z C1''' t C 2'''
U poetnom trenutku (t = 0) vrijedi x = y = z = 0 ; vx = va ; vy = vz = 0.

Za x komponentu moemo pisati:
x C1' t C 2' u t = 0, x = 0 C 2' 0, v X v a C1' x v a t
Za y komponentu moemo pisati:

qe t 2
qe t 2
''
''
''
''
E
y
E C1 t C 2 u t = 0, y = 0 C 2 0, C1 0 (jer je vy = 0) y
me 0
me 0
2
2
Za z komponentu moemo pisati:
z C1''' t C 2''' u t = 0, z = 0 C 2''' 0, v Z 0 C1''' z 0
Dobili smo sustav:
x va t
qe
x
1
y
E 2 x 2 (parabola okrenuta prema gore) (1.21)
qe t t
y
E
va
m e 0 2v a
me 0
2
2
Dakle, do izlaska iz polja elektron se giba po paraboli, a dalje se giba tangencijalnom brzinom
v 2 po pravcu.
Na elektron u gibanju se moe djelovati elektrostatskim poljem, elektron se otklanja, a otklon
je po vertikali. Ako otklonske ploice zarotiramo oko osi x za 90 imamo otklon po
horizontali u z smjeru. Rezultantno gibanje, sastavljeno od vertikalnog i horizontalnog
otklona daje neku rezultantnu krivulju. Promjenom napona izmeu otklonskih ploica
mijenjamo i veliinu otklona elektrona. Elektrino polje izmeu otklonskih ploica je u
stvarnosti promjenjivo u vremenu, ali ako su zadovoljeni odreeni uvjeti moemo
aproksimativno uzeti da se elektron giba u elektrostatskom polju. Na primjer, za mreu
frekvencije 50 Hz osnovni period iznosi T = 20 ms. Vrijeme preleta (tp) kroz polje (Slika 1.4)
trebalo bi biti toliko malo (tp << T) da nam elektrino polje bude praktino konstantno za
trajanja tp, odnosno, da je promjena napona (pa tim i polja) zanemarivo mala za trajanja tp u
odnosu na promjenu tijekom perioda T. to je manje zadovoljen uvjet tp << T, greka u
mjerenju e biti vea. to je vea frekvencija, greka je sve vea, pa osciloskopi imaju neku
graninu frekvenciju iznad koje vie ne mogu mjeriti.
Slika 1.4.
Utjecaj vremena preleta elektrona na mjerenje
Dodatak : Elektronski top
Potreban nam je neki metal koji e davati elektrone. Elektroni se otputaju zagrijavanjem. Taj
proces nazivamo termionska emisija elektrona iz metala. Katoda nam daje elektrone (anoda ih
ubrzava). Prije su se katode izraivale od volframa. Najbolje je kad se rade od metalnih
oksida jer je tada potrebna nia temperatura za izbijanje elektrona. Krug s izvorom napona Uf
zagrijava icu katode (Slika 1.5). Oko katode se stvara oblak elektrona koji biva povuen od
anode. Kroz rupu na anodi prolazi uski snop elektrona ubrzanih pozitivnim naponom anode.
Fokusiranje elektrona se obavlja elektronskim leama. To su specijalno strukturirana
elektrostatska polja sa svrhom fokusiranja elektronskog snopa.
Uf
vA
+
K
bokocrt
+
Ua
Slika 1.5.
Elektronski top
1.2.2. Otklon elektrona u katodnoj cijevi

U prethodnom poglavlju, primjeru i dodatku opisano je djelovanje elemenata koji su osnova
katodne cijevi. Na slici 1.6 prikazani su bitni sastavni dijelovi katodne cijevi, a to su: 1.
elektronski top, 2. otklonske ploice i 3. zaslon sa slojem fosfora.
Slika 1.6.
Otklon elektrona u katodnoj cijevi
Katoda je napravljena od metalnog oksida koji ima veliku izdanost pri termionskoj emisiji.
Graena je kao cijev unutar koje se nalazi arna nit (Uf). Izmeu katode i anode stvara se
elektrostatiko polje uslijed kojeg se elektron privlai ka pozitivnoj anodi. Otklonske ploice
imaju svoj izvor napajanja (UD). Izvor elektrona (A) moramo dovesti na isti potencijal koji
pretpostavljamo da vlada po sredini sustava otklonskih ploica. Kad ne bi bilo otpornika, onda
bi polje izmeu ploica bilo potpuno neovisno o polju izmeu A i K.
Kod izvora napajanja struja (po dogovoru) ide od plusa prema minusu. Kroz otpornik se
stvara pad napona. Po dogovoru je + tamo gdje struja ulazi u otpornik. Pad napona je u naem
sluaju isti na oba otpornika. Na taj nain smo postigli da je potencijal anode isti kao
potencijal na sredini polja izmeu naponskih ploica. Ua je napon kojim ubrzavamo elektrone,
a UD je napon kojim otklanjamo elektrone, tj. mijenjamo izgled slike na ekranu. Za zatitu
djelovanja vanjskih polja na tok elektrona, esto se ekran spaja s anodom (daje mu se
pozitivni potencijal +Ua). To izgleda kao metalni prsten oko ekrana (metalizacija).
Odredimo toke T1 i T2. Iz (1.19) i (1.21) proizlazi
y=
qe U D 2
x
me 0 2dv a2
q
va = 2 e U a
me 0
y=
UD 2
x
4dU a
Sa slike 1.6 moemo oitati koordinate toke T1(l, y1) i T2 L + , d s

2
(1.22)
10
y1 =
UD 2
l
4dU a
pa je koeficijent smjera u T1
y1 =
U Dl
2dU a
tangenta: y t = y1 x + b
U Dl 2
U l
U l2
U l
U l2
= D l + b b = D yt = D x D
4dU a 2dU a
4dU a
2dU a
4dU a
l
poto je i T2 na tangenti, uvrstimo T2 L + , d s u jednadbu:

2
U Dl
l U Dl 2
dS =
L +
2dU a
2 4dU a
dakle apsolutna vrijednost vertikalnog otklona rauna se iz izraza
dS =
U D lL
2dU a
(1.23)
Kao to slijedi iz jednadbe (1.23), otklon e biti to vei to su otklonski napon, duina
ploica i udaljenost ploica od zaslona vei, a napon ubrzanja i razmak ploica manji.
Osjetljivost katodne cijevi S definira se kao omjer otklona i otklonskog napona:
S=
dS
lL
=
U D 2dU A
(1.24)
r
to je vei anodni napon, manja je osjetljivost (vei Ua vea v a manji utjecaj
elektrinog polja manji otklon).
Na kraju, objasnimo pojavu svijetle toke na ekranu do koje dolazi uslijed sudara elektrona s
povrinom ekrana.
Kada elektron pogodi atom fosfora ili nekog materijala, predaje mu dio svoje energije. Ovaj
viak energije akumulira se u atomu tako to elektroni iz elektronskih ljuski prelaze u via
energetska stanja tj. u elektronske ljuske s veom energijom. Ovakvo stanje elektrona je
nestabilno i on se tei vratiti na nii energetski nivo, pri emu se oslobaa kvant energije foton. Neka stanja elektrona su nestabilnija od drugih. Pojava emitiranja svjetlosti koja nastaje
kao posljedica vraanja jako nestabilnih elektrona u svoje ljuske naziva se fluorescencija, za
razliku od fosforescencije koju izaziva vraanje neto stabilnijih elektrona na nie energetske
nivoe.
Vana veliina koja opisuje ovu pojavu je perzistencija materijala, a definira se kao vrijeme
koje protekne od prestanka pobude do pada intenziteta emitirane svjetlosti na 10% poetne tj.
maksimalne vrijednosti.
11
1.3. Nabijena estica u magnetostatskom polju
Sila kojom magnetsko polje djeluje na nabijenu esticu je

r
r r
F = qv B
(1.25)
r r
gdje je v B vektorski produkt brzine elektrona i magnetske indukcije. Sila je u njutnima ako
su i ostale jedinice dane u MKS sustavu: q (As), v (m/s) i B (T). Dakle, sila koja djeluje na
nabijenu esticu okomita je na smjer gibanja estice i na magnetsko polje.
Uslijed djelovanja sile estica dobije ubrzanje

r
r
F = ma
r q r r
a = vB
m
(1.26)
Iz jednadbe (1.26), uslijed prirode vektorskog produkta, proizlazi da sila na nabijenu esticu
iezava ukoliko se estica giba u smjeru polja.
r
i
r r
v B = vx
Bx
r
j
vy
By
a=
r
k
r
r
r
v z = i (v y B z v z B y ) + j (v z B x v x B z ) + k (v x B y v y B x )
Bz
r
r
q r
i (v y B z v z B y ) + j ( v z B x v x B z ) + k ( v x B y v y B x )
m
(1.27)
(1.28)
Ukoliko se jednadba (1.28) rastavi na komponente, dobivaju se slijedee jednadbe za

gibanje elektrona u magnetskom polju, u pravokutnom koordinatnom sustavu:
d 2x q
= (v y B z v z B y )
2
m
dt
d y q
= (v z B x v x B z )
2
m
dt
d z q
(
)
v
B
v
B
=
x
y
y
x
dt 2 m
(1.29)
Budui da je smjer sile uvijek okomit na smjer brzine i polja, energija nabijene estice se
prolaskom kroz magnetostatsko polje ne mijenja.
12
Primjer: Kruna putanja

r
Na slici 1.7 je prikazana nabijena estica koja s brzinom v ue u homogeno magnetsko polje.
z
F
v
y
B
X
Slika 1.7.
Primjer ponaanja estice u magnetostatskom polju poetni uvjeti
r
r
r
r
r
Openito znamo da je v = v x i + v y j jer je B = Bk .
r
r
r
r
Za primjer na slici imamo da u trenutku t = 0 vrijedi v = v x i tj. F = Fj .
Uvrstimo poznate vrijednosti u jednadbu (1.29):
d 2x q
= ( v y B )
2
m
dt
d y q
= (v x B )
2
m
dt
d z q
=
0
=
0
dt 2 m
d 2x
q
= v y B
2
dt
m
d y q
= vx B
2
dt
m
d z
=
0
dt 2
r q r r
r q
a = v B a = vB = a
m
m
(1.30)
(1.31)
U gornjim jednadbama q, m, v i B su konstantne veliine. Ovo je jednoliko gibanje. To

vrijedi ako se mijenja samo smjer akceleracije. Obodna brzina e biti konstantna. Nabijena
estica u magnetskom polju ne dobiva dodatnu kinetiku energiju. Magnetsko polje samo
krivi putanju estice, a kinetika energija je odreena iskljuivo poetnom brzinom v.
Gornje tvrdnje dokaimo integriranjem izraza (1.30):
vx =
13
q
yB + C1
m
q
xB + C2
m
v z = C3
vy =
(1.32)
Uvrtavanjem poetnih uvjeta u t = 0 x = y = z = 0, v x = v , v y = v z = 0 C1 = v ,

C 2 = 0 , C3 = 0 .
vx =
q
yB + v
m
q
xB
m
vz = 0
vy =
(1.33)
Poto se ukupna brzina (kinetika energija) ne mijenja, moemo pisati

v = v x2 + v y2
dakle,
2
q
q
2
xB + yB v = v
m m
2
mv
mv
=
x + y
qB
qB
(1.34)
Jednadba (1.34) je zapravo jednadba krunice po kojoj se estica giba, iji je radijus
r=
mv
= konst.
qB
(1.35)
(0,r)
F
B
Slika 1.8.
Rezultantna putanja estice
14
Prethodne zakljuke (1.34) i (1.35) mogli smo dobiti i postavljanjem samo osnovnih
jednadbi
F = qBv = ma
te uzimajui u obzir da je sila magnetskog polja ustvari centripetalna sila koja zakrivljuje
putanju estice:
mv 2
= qBv
r
Iz jednadbe (1.35) moemo zakljuiti da e radijus zakrivljenosti putanje ovisiti o masi
estice. Na ovaj nain moemo odrediti da li se neki element nalazi sam, ili je prisutan i neki
njegov izotop.
v qB
= =
r m
f (v) - kutna brzina ne ovisi o brzini
Period rotacije moemo pisati kao
T=
1
2
2 2m
=
=
=
f (v )
f 2f
qB
Prethodna razmatranja o ponaanju nabijene estice u magnetskom polju moemo saeti u

etiri tvrdnje:
1) Nabijena estica u magnetskom polju ne dobiva dodatnu kinetiku energiju. Magnetsko
polje samo krivi putanju estice.
2) Nabijena estica se u magnetskom polju kree jednolikim krunim gibanjem ija ravnina
se nalazi okomito na magnetsku indukciju.
3) Radijus je konstantan, ali je funkcija brzine.
4) Kutna brzina, odnosno vrijeme ophoda, nije ovisna o brzini v.
1.3.1. Elektron u homogenom magnetostatskom polju
S obzirom na prethodno dobivene izraze za ponaanje estice u homogenom magnetostatskom
polju moemo pisati slijedee izraze
v
r = 5.68 10 12
B
11
= 1.76 10 B
T = 3.57 10 11
1
B
f = 2.8 1010 B
Uobiajene vrijednosti indukcije su oko 10 T, a za vrlo jake magnete 15-20 T.
15
1.3.2. Katodna cijev s otklanjanjem pomou magnetostatskog polja

Jedna od vanih primjena krunog gibanja je magnetski otklon elektrona u katodnoj cijevi
(Slika 1.9)
homogeno
magnetostat.polje
qE
mE0
va
b
x
T1(l,y1)
ds
dio kruznice
l
L
T2(l/2+L,ds)
EKRAN
Slika 1.9.
Otklon elektrona pomou magnetostatskog polja
I u ovom sluaju vrijeme preleta mora biti vrlo malo, inae ne moemo govoriti o
magnetostatskom polju (magnetsko polje se, kao i elektrino, sinusno mijenja). Za sluaj
prikazan slikom, pretpostavljamo da se radi o strogo ogranienom magnetskom polju (to inae
nije tono).
Za trajektoriju estice u homogenom magnetskom polju openito moemo pisati:
x2 + (y r) = r 2
(1.36)
x2 + (y + r) = r 2
(1.37)
Za elektron moemo pisati:

2
me 0 v a
, a znamo da je q e < 0 . Poto elimo odrediti otklon elektrona ds,
qe B
potrebno je odrediti jednadbu pravca koji prolazi tokama T1(l,y1) i T2(l/2+L,ds). Derivirajmo
(1.37) po x u:
jer je iz (1.35) r =
2 x + 2( y + r ) y ' = 0
y =
x
y+r
yT1 =
y = y1 ; x =l
l
y1 + r
Takoer, ako iz (1.37) eksplicitno napiemo y:
16
y = r r 2 x 2
(1.38)
Dva mogua rjeenja predstavljaju gornju i donju toku presjeka krunice (u naem sluaju
ona predstavlja krunicu po kojoj se elektron otklanja u magnetostatikom polju) s pravcem
paralelnim s osi y (u naem sluaju pravac odgovara desnom rubu polja). Kako
pretpostavljamo (a tako je prikazano i na slici 1.9) da je r > l, za rjeenje uzimamo gornju
toku presjeka krunice s pravcem, dakle onu u kojoj je y vrijednost manje negativna.
Uvrstimo li vrijednosti koordinata toke T1 dobijemo:
m v
m v
y1 = r + r l = e 0 a + e 0 a
qe B
qe B
2
l 2
(1.39)
Uvijek je r >> y1 , pa vrijedi
yT
l
r
(1.40)
l2 l2
l2 l2
l2
l2
l
y = x + b b = y1 + = r + r 2 l 2 + = r + r 1 2 + r + r + =
r
r
r
r
r
r
r
dakle
l2
l
l2
y x+
r
r
r
(1.41)
pa, kad uvrstimo koordinate toke T2, vrijedi:

l
l l 2 l 2 lL
dS L + + =
r
2 r 2r r
l 2 << lL d S
lL
r
lL
r
lLq e B
dS =
me 0 v a
(1.42)
dS
Poznavajui ovisnost poetne brzine elektrona i anodnog napona (1.19) moemo pisati
(1.43)
va = 2
qe
Ua
me 0
lLBq e
dS =
me 0
q
q
me 0
1
1
= lLB e
= lLB e
2q eU a
2me 0 U a
2me 0
Ua
17
(1.44)
Osjetljivost je jednaka omjeru otklona i indukcije
S=
dakle, S ~
Ua
q
dS
1
= lL e
2 me 0
B
Ua
(1.45)
Osjetljivost nam govori o tome kolika je veliina amplitude na ekranu. Ako naponi nisu jako
veliki, osjetljivost ne opada mnogo ni ako koristimo katodnu cijev s elektrostatskim otklonom
1
), a za vee napone koristimo katodnu cijev s magnetostatskim
(za koju vrijedi S ~
Ua
otklonom zbog manjeg utjecaja Ua. U osciloskopu se koriste katodne cijevi s elektrostatskim
otklonom, dok se u TV i radarskim ureajima koji zahtijevaju znatno vee napone Ua koriste
katodne cijevi s magnetskim otklonom.
Napomena: gornji izvod mogao se pojednostavniti polazei od pretpostavke da za male

l d
kutove otklona vrijedi tg = = S (slini trokuti).
r
L
r
Ako smjer poetne brzine elektrona v a prilikom ulaska u magnetostatsko polje nije okomit na
r
smjer magnetske indukcije B , tada e rezultantna putanja elektrona imati oblik zavojnice.
Ukupna putanja biti e superpozicija krunog gibanja elektrona uslijed komponente brzine
r
r
okomite na B i gibanja uslijed komponente brzine paralelne s B koja se nee mijenjati s
vremenom.
18
1.4. Gibanje nabijene estice pod istovremenim djelovanjem elektrostatskog i

magnetostatskog homogenog polja
Dosadanja razmatranja temeljila su se na pretpostavci da nabijena estica u polji ima neku

brzinu. Da bi mogli ubrzati esticu moramo imati elektrostatsko polje. Primjer koritenja
elektrostatskog i magnetostatskog polja su akceleratori ija je osnovna svrha ubrzavanje
estica tj. davanje kinetike energije. Ubrzavanje se vri elektrostatskim, a zakretanje putanje
magnetostatskim poljem.
Putanja estice koja se giba u takvim kombiniranim poljima esto je komplicirana jer ovisi o
smjerovima elektrinog i magnetskog polja te o kutu to ga zatvaraju brzina estice i ravnina
u kojoj djeluju oba polja. Za specijalni sluaj kad su oba polja paralelna, a brzina prema njima
proizvoljno orijentirana, putanja estice je zavojnica s promjenljivim korakom. Ovakva
putanja rezultat je toga to magnetsko polje djeluje samo na onu komponentu brzine koja je na
njega okomita, pa projekcija putanje na ravninu okomitu na smjer polja ima oblik krunice.
Elektrino polje e u pravcu svog djelovanja jednoliko ubrzavati nabijenu esticu to rezultira
promjenljivim korakom zavojnice.
Openito moemo pisati
r
r
r
r r
F = ma = qE + qv B
(1.46)
pa slijedi
r q r r r
a=
E+vB
m
(1.47)
to dalje moemo napisati posebno za svaku komponentu

d 2x q
= (E x + v y B z v z B y )
dt 2 m
d2y q
= (E y + v z B x v x B z )
m
dt 2
2
d z q
= (E z + v x B y v y B x )
dt 2 m
(1.48)
Primjer: Putanja elektrona u obliku cikloide

Promatrajmo putanju elektrona ako su elektrino i magnetsko polje meusobno okomiti kao
to je prikazano na slici 1.10. Brzina estice u trenutku ulaska u polje jednaka je nuli.
Homogeno magnetsko polje indukcije B djeluje u smjeru negativne osi z, dok homogeno
elektrino polje ploastog kondenzatora ije su elektrode razmaknute za d, a izmeu kojih je
prikljuen napon U, djeluje u smjeru negativne osi y.
19
z
B
E
0
x0
ym
x
Slika 1.10.
Primjer putanje elektrona u elektrostatskom i magnetostatskom polju
Za na sluaj moemo pisati
r r
r
r
E = jE y E = jE
r
r r
r
B = k B z B = k B
Ex = Ez = 0
Bx = B y = 0
odnosno
E y = E
Bz = B
(1.49)
Uvrtavanjem jednadbe (1.49) u (1.48) dobijemo

q
q dy
d 2x
= e vy B = e
B
2
me
me dt
dt
(1.50)
q
dx
d 2 y qe
=
( Bv x E ) = e ( B E )
2
me
me
dt
dt
(1.51)
d 2z
=0
dt 2
(1.52)
U prethodnim razmatranjima smo ve zakljuili da e trajektorija biti u XY ravnini (okomito

na B i u ravnini s E) pa z komponentu iz jednadbe (1.52) dalje neemo razmatrati.
20
Uvrtavanjem jednadbe (1.53) u (1.51) i rjeavanjem te diferencijalne jednadbe dobije se

rjeenje za y, a nakon toga uvrtavanjem dy/dt u jednadbu (1.50) i rjeenje za x.
Dakle, integriranjem (1.50), uz poznate poetne uvjete t = 0; dx/dt = 0; dy/dt = 0; dz/dt = 0;
x = y = z = 0 dobijemo
q
dx
= e By
dt
me
(1.53)
pa uvrtavanjem u (1.51) moemo napisati

2
q U
d 2 y qe
+
ili &y& + a 2 y = b
B y = e
2
me d
dt
me
to je nehomogena diferencijalna jednadba drugog reda s konstantnim koeficijentima.

Konani izraz, uzimajui u obzir poetne uvjete glasi:
qe B
q B
t sin e t
me
me
mU
q B
y = e 2 cos e t 1
me
q e dB
x=
meU
q e dB 2
(1.54)
z=0
gibanja u smjeru osi z nema, jer nema poetne brzine ni elektrinog polja u tom smjeru.
Gibanje opisano jednadbom (1.54) predstavlja cikloidu u ravnini XY. Koordinata x stalno
raste s vremenom i srednja brzina kojom se elektron du te osi giba jednaka je U/(dB).
Koordinata y se kree stalno izmeu nule i maksimalne vrijednosti.
Zanima nas maksimalna vrijednost:
qe B
t = +1 y = 0
me
mU
q B
za cos e t = 1 y = 2 e 2 = y max
me
q e dB
za cos
Ako elimo da elektron dira elektrodu (kritina magnetska indukcija):

y max = d
2meU
m
1
=dd =
2 eU
2
B
qe
q e dB
Ako nas zanima na kojem mjestu (x) e elektron dodirnuti anodu (ili imati maksimum), onda
je
cos(2k + 1) = 1
qe B
t = (2k + 1)
me
k = 0,1,2,...

za k = 0 je t =
me
qe B
x=
21
vrijeme nastupanja prvog maksimuma pa je

meU
qe dB 2
q e B me
q B m m U
sin e e = e 2 ( 0 )
me q e B q e dB
me q e B
x=
me
U
q e dB 2
1.5. Elektrostatske lee
Promatrajui ponaanje zrake svjetlosti i njenog loma prilikom prolaska kroz optiki razliita
sredstva moe se primijetiti slinost s gibanjem elektrona u podruju promjenljivog
potencijala u elektrostatskim poljima. Ovakva analogija omoguava nam pojednostavnjenje
odreenih problema u elektronici.
Prisjetimo se Snellovog zakona (Slika 1.11):
sin 1 n 2
=
sin 2 n1
(1.55)
gdje su 1 i 2 kutovi koje tvori zraka svjetlosti s normalom na graninu plohu, dok su n1 i n2
pripadajui indeksi loma.
Slika 1.11.
Ilustracija Snellovog zakona
Sada promotrimo to se dogaa s elektronom koji dolazi do granine plohe koja razdvaja dva
podruja razliitih potencijala (Slika 1.12).
v1n
22
v1t
v1
T1
d
T2
2 v 2t
v2n v2
U1
U 2 U1
U2
Slika 1.12.
Promjena smijera kretanja elektrona prilikom prelaska iz podruja nieg potencijala U1
u podruje vieg potencijala U2.
Plohe razliitih potencijala (U1 i U2) nalaze se vrlo blizu (d je vrlo mali). Izmeu njih je
elektrostatsko polje E . Polje uzrokuje promjenu kinetike energije elektrona, i to samo one
komponente brzine koja je paralelna s tim poljem (normalne). Tangencijalne komponente e
ostati nepromijenjene prolazom iz toke T1 u toku T2. Iz slike 1.12 moemo izraziti iznose
tangencijalnih komponenata brzine preko iznosa ukupnih brzina i kutova 1 i 2 , pa vrijedi:
v1t v2t v1 sin 1 v2 sin 2
(1.56)
ili analogno Snellovom zakonu iz jednadbe (1.55)

sin 1 v 2
sin 2 v1
(1.57)
Brzina elektrona moe se, kako je ve pokazano, iskazati relacijom
v1
2qe
U1
me
2q
v2 e U 2
me
(1.58)
pa kombiniranjem jednadbi (1.58) i (1.57) dobijemo

sin 1
U2
sin 2
U1
tj. ako je U 2 U 1 1 2 .
(1.59)
23
U1
U2
U1 U 2 U 3
U3
Slika 1.13.
Ilustracija elektronsko-optikog zakona loma
Moemo zakljuiti da e negativno nabijena estica koja se kree s plohe nieg potencijala na
plohu vieg potencijala skretati prema okomici (Slika 1.13). Dakle, radi se o fokusirajuoj
lei.
Primjenom elektronsko-optikog zakona loma u velikoj se mjeri olakava odreivanje
trajektorija elektrona u elektrostatskim poljima. Dodajmo da se, za razliku od diskontinuirane
promjene indeksa loma u svjetlosnoj optici, potencijal u elektrostatskom polju mijenja
kontinuirano.
1.6. Primjene
1.6.1. Maseni spektrometar
Rad masenog spektrometra zasniva se na injenici da se radijusi krivljenja putanja estica
ubrzanih potencijalom U, koje se nau u magetostatskom polju B, razlikuju ovisno o omjeru
mase i naboja tih estica m/q (prisjetimo se relacija 1.35 i 1.10):
r
mv
2qU
, v
qB
m
r2
2U m
B2 q
Drugim rijeima, ovisno o veliini radijusa r, moemo razlikovati mase razliitih estica (pod
uvjetom da imaju isti naboj). Npr. moemo saznati dali je estica osnovni element ili izotop
(vie atoma koji imaju isti atomski broj tj. broj protona, ali razliiti maseni broj). Slino, uz
pomo masenog spektrometra moemo saznati relativne udjele razliitih elemenata u
promatranom uzorku.
Rad masenog spektrometra moe se podijeliti u etiri koraka:
Korak 1: Ionizacija
Atom se ionizira izbacivanjem jednog ili vie elektrona kako bi dobili pozitivni ion. Maseni
spektrometri uvijek rade s pozitivnim ionima.
24
Korak 2: Ubrzanje
Ioni se ubrzavaju kako bi imali neku kinetiku energiju.
Korak 3: Otklanjanje
Ioni se otklanjaju magnetskim poljem ovisno o njihovoj masi. to su laki, vie se otklanjaju.
Koliina otklanjaja takoer ovisi i o broju pozitivnih naboja u ionu drugim rijeima, o tome
koliko smo elektrona izbacili u prvom koraku. to je ion vie nabijen, vie e se otklanjati.
Korak 4: Detekcija
Zraka iona koji prolaze kroz stroj elektrino se detektira.
Akceleracija
Ionizacija
Elektromagnet
U vakuumsku
pumpu
Vaporizirani
uzorak
Ogibanje
Detekcija
Pojacalo
Prikaz
Slika 1.14.
Osnovni elementi masenog spektrometra
Ionizacija (Slika 1.15.a):
Vakuuum u cijevi je nuan kako bi se omoguilo da ioni dobiveni u ionizacijskoj komori
u svom kretanju kroz stroj nigdje ne udaraju u molekule zraka.
Vaporizirani uzorak prolazi kroz ionizacijsku komoru, a grija koji je napravljen od
metalne zavojnice na koju je narinut napon, isijava elektrone koje privlai elektronski
hvata tj. pozitivno nabijena ploa.
estice u uzorku (atomi ili molekule) se bombardiraju tokom elektrona i neki sudari imaju
dovoljnu energiju da izbiju jedan ili vie elektrona iz nekih estica to za posljedicu ima
stvaranje pozitivnih iona. Najvei broj pozitivnih iona ima naboj +1 jer je mnogo tee
izbiti elektrone iz ve pozitivnog iona. Dobijeni pozitivni ioni usmjeravaju se u drugi dio
masenog spektrometra pomou odbojnika iona koji je lagano pozitivno nabijen.
Ubrzanje (Slika 1.15.b):
Pozitivni ioni su odbijeni van iz vrlo pozitivne ionizacijske komore (+10000 V) i prolaze
kroz tri otvora, od kojih je posljednji na 0 V. Srednji otvor je na nekom meunaponu. Svi
ioni su ubrzani u fino fokusiranu zraku.
Otklanjanje (Slika 1.15.c):
Razliite ione magnetsko polje razliito otklanja. Koliko e otklanjanje biti zavisi o:
- Masi iona (to su laki to e biti vie otklonjeni)

-
25
Naboju iona (Ioni s 2 ili vie pozitivnih naboja vie se otklanjaju od onih s jednim
pozitivnim nabojem)
Ovi faktori kombinirani su u omjer masa/naboj q/m. Na primjer, ako neki ion ima masu 28
i naboj 1+, omjer masa/naboj je 28. Ion s masom 56 i nabojem 2+ e takoer imati omjer
mase i naboja 28. Na slici 1.15.c. tok iona A se najvie otklanja on sadri ione s
najmanjim omjerom masa/naboj. Tok iona C se najmanje otklanja pa to znai da on ima
najvei omjer masa/naboj. Prouavanje iona je jednostavnije ako pretpostavimo da je
naboj svih iona 1+. Ova pretpostavka je opravdana, s obzirom da je energija potrebna za
ionizaciju atoma na nain da vie od jednog elektrona bude izbijeno daleko vea nego ona
koja je potrebna za izbijanje samo jednog elektrona. Najvei broj iona u spektrometru
stoga zaista i ima jedinini naboj pa je omjer masa/naboj isti kao i masa iona.
b)
a)
Tok iona B
Pozitivni ion
Elektromagnet
Ulazni
tok iona
Tok iona C
Tok iona A
Tok iona B
elektroni
Metalna kutija
Vod do pojacala
c)
d)
Slika 1.15.
Pojedine faze rada masenog spektrometra
a) Ionizacija; b) Ubrzanje; c) Otklanjanje; d) Detekcija
Detekcija (Slika 1.15.d):
Na slici je prikazano da samo tok iona B prolazi skroz kroz spektrometar i stie u detektor
iona. Preostali ioni se sudaraju sa stijenkama gdje dobijaju elektrone i postaju neutralni.
Na kraju, otklanjaju se iz masenog spektrometra pomou vakuumske pumpe. Kad ion
pogodi metalnu kutiju, njegov naboj se neutralizira s jednim elektronom koji preskae iz
metala na ion. To ostavlja prazninu u metalu i elektroni se pomiu kako bi je popunili.
Tok elektrona u metalnoj ici detektira se kao elektrina struja koja se moe pojaati i
snimiti. Struja je dakle, proporcionalna s brojem pristiglih iona.
Promjenom magnetskog polja moemo postii promjenu veliine otklanjanja pojedinih
tokova iona pa stoga moemo postii da nam do detektora stiu upravo eljeni ioni.
Magnetsko polje moe se lako mijenjati mijenjanjem jakosti struje elektromagneta.
Moderni spektrometri imaju raunalo koje kontrolirano poveava jakost magnetskog polja
26
od neke minimalne do maksimalne vrijednosti. Pri tome za svaku postavljenu jakost

magn. polja B mjeri struju iona sa odgovarajuom masom (onih koji za definirano B
uspijevaju doi do detektora). Jakost struje proporcionalna je koliini iona sa
odgovarajuom masom. Nakon to se B promijeni od nekog minimuma do maksimuma,
mjerenjem struja se moe histogramom prikazati relativni udio pojedinih masa (ili,
tonije, m/q) u odnosu na neki maksimum. Npr. na slici 1.14. u uzorku je najvie
zastupljen element sa m/q=106, pa mu se pridjeljuje maksimalni relativni intenzitet 100%.
Slika 1.16.
Prikaz rezultata na masenom spektrometru
1.6.2. Linearni akcelerator
Linearni akceleratori su ureaji kod kojih se primjenjuju elektrostatska polja kao osnovna, a
magnetostatska kao pomona (ako su potrebna). Cilj ovih ureaja je postizanje velikih
ubrzanja nabijenih estica (npr. pozitivni ioni ili elektroni).
Slika 1.17.
Linearni akcelerator
Snop nabijenih estica postupno se ubrzava u nizu cilindrinih cijevi prikljuenih na
visokonaponski generator koji radi na visokoj frekvenciji (Slika 1.15). Tijekom svake
poluperiode estice se ubrzavaju u meuprostorima, ime se postupno poveava brzina
estice. Npr. ako se promatra pozitivna estica upravo izala iz cijevi A (koja je pozitivno
polarizirana), elektrino polje koje se formira izmeu cijevi A i B ubrzava esticu. Nakon
ulaska u cijev B, elektrino polje je nula, s obzirom da je unutranjost cijevi na istom
potencijalu (predstavlja tzv. Faraday-ev kavez), tako da se estica unutar cijevi nastavlja
kretati istom brzinom, "zatiena" od djelovanja elektrinog polja. Frekvencija generatora je
takva da je, po izlasku estice iz cijevi B, polaritet napona okrenut, tako da je sada cijev B
pozitivno polarizirana, a cijevi A i C negativno polarizirane. Drugim rijeima, elektrino polje
27
opet ubrzava esticu i u prostoru izmeu cijevi B i C. Kada bi frekvencija generatora bila
takva da se, po izlasku iz B polaritet napona jo nije okrenuo, cijev B bi poela privlaiti
esticu, te je usporavati (oduzimati joj energiju umjesto dodavanja!). Postupak se ponavlja i
za sve sljedee cijevi, sve do postizanja eljene kinetike energije.
Kako se vidi sa slike, cijevi imaju progresivno vee duine, kako bi se osigurala
sinkronizacija izmeu promjene polariteta izmjeninog generatora (koji ima konstantnu
frekvenciju, tj. period) i pozicije estice (koja putuje sve bre, pa u istom vremenu prevaljuje
sve vei put). Kod dovoljno velikih brzina poveanje mase (relacija 1.2) postaje
nezanemarivo, te ga valja uzeti u obzir pri dimenzioniranju cijevi.
Da bi se postigla velika kinetika energija, cijevi moraju biti vrlo duge (npr. Stanford 64 m
Ek = 660 MeV; CERN Ek = 400 GeV; npr. Hamburg 33 km - 800 GeV). Zbog velike duine
cijevi, do utjecaja dolazi i zakrivljenost Zemlje pa se korekcija putanje vri pomou
magnetskog polja.
1.6.3. Ciklotron
Polovi elektromagneta
Ciklotroni se takoer, kao i linearni akceleratori, koriste za ubrzavanje estica. Na slici 1.16
prikazani su tzv. D-ovi (D1 i D2) koji zapravo predstavljaju tanki uplji vodljivi valjak
presjeen po pola i razmaknut (slika 1.16. b)). D-ovi su spojeni na visokofrekvencijski
generator (VF) frekvencije f=1/T i nalaze se u elinoj komori iz koje je istisnut zrak. U
sredini, izmeu D-ova, nalazi se izvor nabijenih estica. D-ovi se, kao i procjep, nalaze u
homogenom magnetostatskom polju jakosti B, koje stvaraju jaki elektromagneti izmeu kojih
su D-ovi smjeteni, kako pokazuje slika 1.16. b).
Slika 1.18.
a) nabijena estica se postupno ubrzava pri svakom prolazu kroz el.polje u procjepu izmeu
D-ova, sve do konane brzine, kada udara u metu; b) D-ovi se nalaze u magn.polju B
Rad ciklotrona e se objasniti uz pomo ilustracije sa slike 1.16. a), tj. pretpostavit e se
pozitivan naboj estice i smijer magnetskog polja kako prikazuje slika.
Na poetku (u t0=0) se pozitivno nabijena estica ubaci u procjep izmeu D-ova. VF
generator izmeu D1 i D2 stvara napon (razliku potencijala) na nain da je D1 negativniji od
D2 za napon U. U uskom procjepu izmeu D-ova se stvara jako el. polje usmjereno prema D1.
Ovo polje ubrzava pozitivno nabijenu esticu od D2 prema D1. Pri ovome djeluje i magnetsko
polje koje e kriviti putanju, meutim put koji estica prevali prilikom ubrzanja (u uskom
procjepu) toliko je kratak da se ovo krivljenje putanje moe zanemariti i uzeti da se u
procjepu izmeu D-ova giba pravocrtno. Nakon to estica doe do D1, ima brzinu
2q
v
U (relacija 1.10), te uleti u uplji poluvaljak D1. Unutar D1 nema vie djelovanja
m
28
elektr.polja (Faradayev kavez), te se estica nastavlja gibati brzinom v0=v. Meutim, jo

djeluje magnetsko polje, te dolazi do krivljenja putanje, kako je pokazano na slici (razmisliti
to bi bilo ako bi se obrnuo smijer magn. polja i/ili polaritet naboja estice). U trenutku
t1=T/2, estica izae iz D1 i opet upada u procjep, te je opet izloena djelovanju el.polja.
Meutim, sada VF generator okree polaritet napona (jer mu je frekvencija f=1/T, kako
pokazuje slika 1.16 a)), to znai da D2 postaje negativniji od D1 i el. polje je sada usmjereno
od D1 ka D2. Ovo znai da e se estica opet poeti ubrzavati, ali ovaj put prema D2. Nakon
to dosegne D2, brzina joj se opet povea za v, te sada iznosi v1= v0 +v= 2v. Unutar D2
ne djeluje el. polje, ve samo magnetsko, te se putanja estice opet krivi, ali ovaj put po
veem radijusu nego prije, jer se brzina estice poveala. Po izlasku iz D2 (u trenutku t2=T)
VF generator opet okree polaritet napona D-ova, te se cijeli ciklus ponavlja.
Pri svakom prolasku kroz procjep (tj. pri svakom djelovanju el. polja), brzina estice se
povea za v, pa je radijus sve vei, tj. estica se giba spiralno prema rubovima D-ova. No
vrijeme ophoda, tj. vrijeme potrebno estici da napravi puni krug (koje mora biti podeeno
tako da je isto kao period VF generatora T), uvijek ostaje isto (prisjetimo se: vrijeme ophoda
estice u magnetskom polju ne zavisi o brzini).
1
VF generator ima fiksnu frekvenciju ( f konst.; 2 f konst. ) i mijenja polaritet
T
napona, tj. D-ova, u tono odreenim trenutcima (svako T/2). Ovo se lako moe dokazati:
v

B
v
r v
(1.60)
q konst. konst. f
konst.
mv r
2
m
r
r
qB
Meutim, ako je potrebno postii vrlo velike energije (velike brzine), moramo uzeti u obzir i
poveanje mase estice sa brzinom, definirano relacijom (1.2). Ovo znai da e se vrijeme
ophoda poveavati, pa je, kako bi pravovremeno dolo do okretanja polariteta D-ova,
potrebno smanjivati frekvenciju generatora. Ciklotroni koji poveanje mase estice
kompenziraju smanjenjem frekvencije nazivaju se sinkrociklotroni.
Danas se u pravilu koristi drugi nain kompenzacije relativistikog poveanja mase:
poveanje jakosti magnetskog polja B - npr. ako se masa estice poveala 2 puta, potrebno je
i B poveati 2 puta, kako bi vrijeme ophoda ostalo isto, pa generator zadrava fiksnu
frekvenciju. Ovakav tip ciklotrona naziva se izokroni ciklotron.
Prednosti ciklotrona u odnosu na linearni akcelerator su slijedee:

-
potrebni su manji naponi
zauzimaju manje prostora
Nedostatci ciklotrona u odnosu na linearni akcelerator su slijedei:

-
konstantno krivljenje putanje estice znai da postoji konstantna promjena komponenti

brzine u ravnini zakrivljenja, to izaziva elektromagnetsko zraenje - tzv. ciklotronsko
zraenje, koje kod velikih brzina izaziva znaajne gubitke energije koja se predaje
estici
za postizanje velikih energija, znaajno se poveaju dimenzije D-ova, pa dimenzije

elektromagneta mogu postati nepraktino velike
29
Pitanja:
1. Koja je razlika u djelovanju magnetskih i elektrinih sila na elektron?

2. Koja se sila javlja kao posljedica promjene stanja gibanja nabijene estice uslijed
djelovanja elektrinog polja?
3. Kada za neko polje kaemo da je elektrostatsko?
4. Izvedi izraz za brzinu nabijene estice u konzervativnom polju.
5. Koju jedinicu energije uobiajeno koristimo pri promatranju ponaanja nabijenih
estica u elektrinim i magnetskim poljima?
6. Koje su karakteristike homogenog elektrostatskog polja?
7. Izvedi izraz za brzinu i trajektoriju elektrona izmeu dvije ploaste elektrode poznatog
razmaka i napona meu njima.
8. to je vrijeme preleta i zato je ono vano?
9. Navedite osnovne dijelove katodne cijevi i njihovu funkciju.
10. to je osjetljivost i o kojim veliinama ona ovisi?
11. Zbog ega nabijena estica u magnetskom polju ne dobija kinetiku energiju?
12. Napiite izraz za ubrzanje nabijene estice nastalo uslijed djelovanja magnetskog
polja.
13. Opii trajektoriju nabijene estice u magnetskom polju odgovarajuom jednadbom.
14. O emu ovisi osjetljivost kod katodne cijevi s magnetskim otklonom?
15. Za koje primjene koristimo katodne cijevi s otklonom pomou elektrostatskog polja, a
za koje one s magnetostatskim poljem i zato?
16. Navedite primjer putanje elektrona koji se istovremeno nalazi u elektrostatskom i
magnetostatskom polju.
17. Kako glasi Snellov zakon?
18. Objasnite promjenu smjera elektrona prilikom prelaska iz podruja vieg potencijala u
podruje nieg potencijala i obratno.
19. Na emu se temelji rad masenog spektrometra?
20. Koji su osnovni dijelovi masenog spektrometra?
21. Koja je razlika izmeu linearnog akceleratora i ciklotrona?
22. Zato sinkrociklotroni imaju promjenjivu frekvenciju oscilatora?
30
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike
31
6YRMVWYD PHWDOD L SROXYRGLD

.ODVLILNDFLMD YUVWLK WLMHOD
YUVWD WLMHOD PRHPR GLMHOLWL SR QMLKRYLP VYRMVWYLPD QD YLH QDLQD, na primjer po strukturi,
IL]LNDOQLP VYRMVWYLPD WHPSHUDWXUQD RSWLND PDJQHWVND HOHNWULND LWG (OHNWURQL NRML Ve
QDOD]H X YDQMVNRM OMXVFL DWRPD WM YDOHQWQL HOHNWURQL NOMXQL VX ]D UD]XPLMHYDQMH NDNR WLK
VYRMVWDYD WDNR L NDUDNWHUD VLOD NRMH GUH DWRPH QD RNXSX
$NR SURPDWUDPR VWUXNWXUX WM UDVSRUHG DWRPD L PROHNXOD YUVWD WLMHOD GLMHOLPR QD
- amorfna (raspored atoma ili grupa atoma je nepravilan)
- NULVWDOLQD SUDYLODQ SRUHGDN DWRPD RGQRVQR PROHNXOD
6 RE]LURP QD NDUDNWHU VLOD NRMH GUH DWRPH NULVWDOD QD RNXSX PRJXH MH NULVWDOH YUVWLK WLMHOD
podijeliti na ionske, metalne, kovalentne i molekularne.
Ionski kristali. Kod ovog tipa kristala pojedini elektroni vanjske ljuske jednog elementa
SUHOD]H QD DWRPH GUXJRJ HOHPHQWD QD WDM QDLQ GD RED WYRUH ]DWYRUHQH OMXVNH 7LSLDQ SULPMHU
takvog kristala je NaCl. Natrij, koji ima jedan valentni elektron, predaje taj elektron kloru, to
]QDL GD VH RED DWRPD LRQL]LUDMX L VYDNL ]D VHEH LPD SRSXQMHQH OMXVNH 1D&O-). Sila kristalne
veze je elektrostatske prirode i rezultat je ionizacije. Ionski kristali vrlo slabo vode struju,
SRJRWRYR QD QLLP WHPSHUDWXUDPD
Metalni kristali. Ioni kristalne reetke nastali su otputanjem valentnih elektrona. Ti elektroni
QLVX YH]DQL X] VYRMH PDWLQH DWRPH L NUHX VH VORERGQR NUR] LWDY NULVWDO 6ORERGQL HOHNWURQL
VX X]URN YHOLNH VSHFLILQH YRGOMLYRVWL PHWDOQLK NULVWDOD 6LOH NULVWDOQLK YH]D L]PH X LRQD
kristalne reetke su elektrostatske prirode i ostvaruju ih slobodni elektroni.
Kovalentni kristali 8 RYRP VOXDMX VH VLOH NULVWDOQH YH]H RVWYDUXMX GLMHOMHQMHP YDOHQWQLK
HOHNWURQD L]PH X VXVMHGQLK DWRPD SDURYL HOHNWURQD ]DMHGQLNL NUXH RNR REMH jezgre). Sile
NULVWDOQLK YH]D VX L RYGMH HOHNWURVWDWVNH SULURGH DOL VH QH PRJX REMDVQLWL NODVLQRP
&RXORPERYRP VLORP YH YDOQRP SULURGRP HOHNWURQD 8GUXLYDQMH YDOHQWQLK HOHNWURQD X
kovalentne veze ima za posljedicu da kovalentni kristali slabo vode struju, a na temperaturi
DSVROXWQH QXOH XRSH QH YRGH
Sa stajalita elektronike osnovna podjela jest na:
- YRGLH
- SROXYRGLH
- izolatore
2YD SRVOMHGQMD SRGMHOD ]DVQLYD VH QD UD]OLNDPD X YULMHGQRVWL VSHFLILQRJ RPVNRJ RWSRUD
PDWHULMDOD $NR MH VSHFLILQL RWSRU R SP 10 3 cm WDGD VH UDGL R YRGLX ]D YULMHGQRVW
VSHFLILQRJ RWSRUD 10 3 cm < RSP < 10 6 cm JRYRULPR R SROXYRGLX D ]D YULMHGQRVWL
R SP > 10 6 cm ULMH MH R L]RODWRULPD 6SHFLILDQ RWSRU YRGLD UDVWH V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH

dok specifiDQ RWSRU SROXYRGLD RSDGD V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH LDNR PRH XQXWDU RGUH HQRJ
LQWHUYDOD WHPSHUDWXUQH VNDOH L UDVWL 3RGMHOX YUVWLK WLMHOD QD YRGLH SROXYRGLH L L]RODWRUH
PRJXH je L]YULWL XJODYQRP QD RVQRYX YUVWH VLOD NULVWDOQH YH]H =D QDMYHL EURM YRGLD WLSLQL
VX PHWDOQL NULVWDOL D ]D SROXYRGLH L L]RODWRUH LRQVNL L NRYDOHQWQL NULVWDOL
(QHUJHWVNH YUSFH X YRGLLPD

9RGL MH HOHPHQW VXVWDYD NRML VDPR XVPMHUDYD HOHNWULQX HQHUJLMX RQD SXWXMH RNR YRGLD 8
supravodljivom stanju metali su skoro LGHDOQL YRGLL WM JXELFL HQHUJLMH NRML VX WRSOLQVNRJ
NDUDNWHUD VX ]DQHPDULYL 6XSUDYRGOMLYRVW VH SRVWLH QD YUOR QLVNLP WHPSHUDWXUDPD
32
1D VOLFL SULND]DQD MH YH SR]QDWD VOLND NDWRGH L HOHNWURQVNRJ REODND NRML QDVWDMH X QMHQRM
okolini.
Ovaj put nas zanima kako dolazi do stvaranja
elektronskog oblaka. U samom metalu postoje
HQHUJHWVNH UD]LQH SD PRHPR JRYRULWL R WRPH GD
H MHGDQ GLR HOHNWURQD X YDQMVNRP RPRWDX DWRPD
QHNRJ RGUH HQRJ PHWDOD LPDWL VSRVREQRVW JLEDQMD
SRG GMHORYDQMHP YDQMVNRJ HOHNWULQRJ polja. To je
YR HQMH VWUXMH NUR] PHWDO 0H XWLP DNR VH WLP
VORERGQLP SRNUHWOMLYLP HOHNWURQLPD GDMX YHH
energije od energije koja je potrebna da elektron
napusti metal, dolazi do pojave emisije elektrona.
-HGDQ RG QDLQD GRELYDQMD HOHNWURQD MH vrlo jakim
Slika 2.1.
HOHNWULQLP SROMLPD 'UXJL QDLQ MH termionska
Stvaranje elektronskog oblaka
emisija ]DJULMDYDQMH PHWDOD 7UHL QDLQ MH
djelovanjem elektromagnetskog polja (svjetlosni
zagrijavanjem metala
spektar). To je fotoemisija HWYUWL MH QDLQ
bombardiranjem povrine metala (metalnih oksida) vanjskim elektronima ili nekim drugim
HVWLFDPD sekundarna emisija.
Energije elektrona u metalu su VWDWLVWLNL UDVSRUH HQe tj. nemaju svi elektroni unutar nekog
pojasa energija jednake energije. 8]LPDMXL X RE]LU VWDWLVWLNX UDVSRGMHOX HQHUJLMD HOHNWURQD
PL HPR dakle promatrati FLMHOL HOHNWURQVNL REODN D QH MHGQX LOL GYLMH HVWLFH
Elektroni, da bi se gibali, moraju imati neku energiju. Za razliku od fizike koja se zasniva na
NODVLQoj statistici, kvantna fizika je pokazala da pri temperaturi od 0 K moraju postojati
kvantna gibanja elektrona 2YR MH RVQRYD UD]PDWUDQMD NRMLP HPR REMDVQLWL SRQDDQMH
slobodnih elektrona u metalima (Slika 2.2).
E E
za T >0
T1 >T2
T2
T1>0
T1 >T2
T1
T2 EF EF
T=0
f(E,T)dN
dn
=
dE
dE
0 0
0.5
f(E,T)
Slika 2.2.
Raspodjela energija slobodnih elektrona u metalu (desno)
Zaposjednutost energetskih razina od strane elektrona u ovisnosti o temperaturi (lijevo)
33
Objasnimo prvo desnu stranu slike 2.2:

Na slici je zapravo prikazana Fermi-Diracova raspodjela tj. IXQNFLMD NRMD RGUH XMH
YMHURMDWQRVW GD MH QHNR HQHUJHWVNR VWDQMH ]DSRVMHGQXWR HOHNWURQRP L NRMD VH PRH PDWHPDWLNL
napisati nD VOLMHGHL QDLQ
1
f (E,T ) =
(2.1)
E EF
1+ e
kT
gdje su:
EF Fermijeva razina
E NLQHWLND HQHUJLMD
T apsolutna temperatura
k Boltzmannova konstanta 1.38 10 23 J / K
2YD MHGQDGED L]YHGHQD MH QD RVQRYX 3DXOLMHYRJ SULQFLSD LVNOMXLYRVWL na jednom
HQHUJHWVNRP QLYRX PRH ELWL VDPR MHGDQ HOHNWURQ L +HLVHQEHUJRYRJ XYMHWD QHRGUH HQRVWL
WR MH WHPSHUDWXUD QLD QMHQD NULYXOMD MH EOLD SUDYRNXWQRM NULYXOML 6YH NULYXOMH VLJXUQR
SUROD]H NUR] WRNX 0.5; EF $NR LPDPR YRGL QD DSVROXWQRM QXOL QH PRH SRVWRMDWL QL MHGQD
razina iznad EF. Na toj temperaturi svi dozvoljeni energetski nivoi (do EF) su stvarno
zaposjednuti. $OL YH PDOR L]QDG 0 K (npr. 10 - 15 K PRHPR LPDWL HQHUJLMH L]QDG EF.
Dovoljna je minimalna temperatura iznad apsolutne nule pa da postoji neka vjerojatnost (vrlo
PDOD GD H i energetske razine iznad EF ipak biti zaposjednute. 0RHPR ND]DWL GD MH )HUPLMHY
QLYR RQDM HQHUJHWVNL QLYR LMD MH YMHURMDWQRVW ]DSRVMHGQXD MHGQDND ]D QHNX NRQDQX
temperaturu) D RGUH HQ MH UDVSRGMelom energetskih razina i ukupnim brojem elektrona.
/LMHYD VWUDQD VOLNH SUHGVWDYOMD UDVSRGMHOX JXVWRH HOHNWURQD SR HQHUJHWVNLP UD]LQDPD L
PRH VH RSLVDWL L]UD]RP
f ( E , T )dN
dn
= S ( E ) f (E , T ) =
(2.2)
dE
dE
gdje je n NRQFHQWUDFLMD HOHNWURQD X MHGLQLQRP YROXPHQX, a dN/dE tj. S(E) JXVWRD
GR]YROMHQLK NYDQWQLK VWDQMD LOL EURM GR]YROMHQLK HQHUJLMD HOHNWURQD X MHGLQLQRP LQWHUYDOX
energija u jedinici volumena.
Od nulte energetske razine do Fermijeve energetske razine raste broj elektrona koji
]DSRVMHGDMX RGUH HQH UDzine. Na temperaturi apsolutne nule iznad Fermijeve razine nema ni
MHGQRJ HOHNWURQD $NR VH WHPSHUDWXUD SRYHD LPDW HPR DVLPSWRWVNL UHS WM L QDMPDQMH
SRYHDQMH WHPSHUDWXUH X RGQRVX QD DSVROXWQX QXOX X]URNRYDW H SRVWRMDQMH HOHNWURQD X
energetskim stanjiPD L]QDG )HUPLMHYH UD]LQH 'R QHNH HQHUJLMH H VH HOHNWURQL NRML VX L]QDG
EF VDPR JLEDWL XQXWDU PHWDOD VWYDUDMX VWUXMX D L]QDG WH QRYH UD]LQH H HOHNWURQL L]OLMHWDWL L]
metala (za to je potrebno savladati barijeru izlaza).
3URPRWULPR VDGD MHGQDGEX )
f (E,T ) =
1
1+ e
E EF
kT
Krivulja prikazana na slici 2.2 L JRUQML L]UD] VH VDPR DSURNVLPDWLYQR VODX $NR MH
1
E E F 3kT RQGD PRHPR SUHWSRVWDYLWL GD MH f ( E , T ) =
1 . Ako je E E F + 3kT
1 + e 3

onda imamo f ( E , T ) =
vjerojatnost).
34
1
e 3 f ( E , T ) = e
3
1+ e
E EF
kT
NODVLQD 0D[ZHOO-Boltzmannova
f(E,T)
0.5
T=0 K
T=2500 K
EF
Slika 2.3.
Dijagram Fermijeve vjerojatnosti na temperaturi 2500 K
(radna temperatura volframa)
2.2.1. Izlaz elektrona iz metala
9MHURMDWQRVW GD QHNL HOHNWURQ L]D H L] PHWDOD L HQHUJLMH NRMH VX SRWUHEQH GD EL XRSH PRJDR
L]DL L] PHWDOD REMDVQLW HPR SRPRX VOLNH
Slika 2.4.
Dijagram energija slobodnih elektrona u metalu
35
Na slici 2.4. EB je energija barijere, EW je izlazni rad (energija koja je potrebna da bi elektron
izaao iz metala). X predstavlja dubinu prodora u metal, odnosno povrinu metala, odnosno
YDQMVNL SURVWRU 'HVQD VWUDQD VOLNH SUHGVWDYOMD YH SR]QDWX NULYXOMX NRMD QDP JRYRUL R
SRWHQFLMDOQRM HQHUJLML HOHNWURQD X PHWDOX WM R HQHUJLML NRMX HOHNWURQ PRUD LPDWL GD EL XRSH
PRJDR L]DL iz metala. Ako je temperatura 0 K, svi elektroni nalaze se do energetske razine
EF 7DGD QL MHGDQ HOHNWURQ QHPD HQHUJHWVNX UD]LQX YHX RG )HUPLMHYH D EF nije dovoljna da
HOHNWURQ L]D H L] PHWDOD EB>EF , EB=EF+EW .DNR WHPSHUDWXUD UDVWH WDNR VH SRYHDva
HQHUJLMD HOHNWURQD DOL VH PLMHQMD L UDVSRGMHOD JXVWRH SR HQHUJHWVNLP UD]LQDPD -HGDQ GLR
HOHNWURQD PDOL EURM H LPDWL HQHUJLMH YHH RG EB 7DM GLR HOHNWURQD PRH L]DL L] PHWDOD
GDNOH GROD]L GR HPLVLMH HOHNWURQD 8 QHNLP VOXDMHYLPD GRYROMQH VX L Panje temperature da
GR H GR HPLVLMH QSU NRG RNVLGQLK PDWHULMDOD 0RHPR ]DNOMXLWL GD MH SRVWL]DQMH HPLVLMH
ovisno o Fermijevoj razini EF L HQHUJHWVNRM EDULMHUL ]D RGUH HQL PHWDO
Svi metali nemaju jednaku krivulju koncentracije elektrona. to je koncentracija elektrona
YHD YLD MH SR YULMHGQRVWL L )HUPLMHYD UD]LQD 7D YULMHGQRVW VH NUHH RG -9 H9 9HOLLQD
L]OD]QRJ UDGD ]D PHWDOH VH NUHH RG -5 H9 %DULMHUD VH PRH VPDQMLWL MDNLP HOHNWURVWDWVNLP
SROMHP 7LPH VH SRVWLH XSDQMH HOHNWURQD L] PHWDOD WM QD WDM QDLQ VPDQMXMHPR EW.
.DUDNWHULVWLQH HQHUJHWVNH YUSFH ]D PHWDO SULND]DQH VX QD VOLFL
Slika 2.5.
Energetske vrpce za metal
Za stanje T = 0 K VYL HOHNWURQL VH QDOD]H X RVMHQDQRP SRGUXMX L QH SRVWRML QLNDNYD
PRJXQRVW HPLVLMH 8 VOXDMX SRYHDQMD WHPSHUDWXUH MHGDQ GLR HOHNWURQD SUHOD]L X W]Y
YRGOMLYX YUSFX L SRG XWMHFDMHP YDQMVNRJ SROMD WL HOHNWURQL PRJX YRGLWL HOHNWULQL QDERM $NR
energija naraste iznad EB, dolazi do emisije, ali tada vie ne govorimo o metalu.
2.3. Emisija elektrona iz metala
2.3.1. Termionska emisija
7HUPLRQVND HPLVLMD QDVWDMH ]DJULMDYDQMHP PHWDOD 0HWDO H QDSXVWLWL VDPR RQL HOHNWURQL LMD MH
HQHUJLMD X VPMHUX JUDQLQH SRYULQH PHWDOD YHD RG SRWHQFLMDOQH EDULMHUH EB) na granici
katoda-vakuum. Potrebnu energiju elektroni dobivaju zagrijavanjem metala. Na primjer, za
katodu od volframa je radna temperatura 2500 K, pa je kod te temperature energija
36
SRMHGLQDQRJ HOHNWURQD ET = 0.22 eV. Ta energija je znatno manja od potrebnog izlaznog rada
NRML MH RNR SXWD YHL 7XPDHQMH SRMDYH HPLVLMH HOHNWURQD SUL WLP WHPSHUDWXUDPD ]DVQLYD
VH QD LQMHQLFL VWDWLVWLNLK UD]GLRED DVLPSWRWVNL UHS SULND]DQ X SUHWKRGQLP SRJODYOMLPD
LQMHQLFD GD VH HOHNWURQL SRQDDMX SR VWDWLVWLNLP UD]GLREDPD RPRJXDYD REMDQMHQMH HPLVLMH
elektronD L] PHWDOD =D RELQH NDWRGH L]OD]QL UDG VH NUHH RNR EW H9 (OHNWURQ PRH
QDSXVWLWL PHWDO NDGD MH X VPMHUX JUDQLQH SRYULQH QSU VPMHU x NRRUGLQDWH NLQHWLND
energija barem jednaka EB SD PRHPR SLVDWL
2E B
vX
(2.3)
me
Komponente brzina u drugim smjerovima mogu biti proizvoljne. Sumiranjem svih elektrona
NRML PRJX ELWL HPLWLUDQL X VPMHUX RNRPLWRP QD JUDQLQX SRYULQX PRHPR GRELWL L]UD] ]D
JXVWRX VWUXMH WHUPLRQVNH HPLVLMH
J e = AT 2 e
EW
kT
(2.4)
gdje je A konstanta. Empirijska vrijednost konstante A iznosi A = 60 10 4 A / m 2 K 2 . Odatle

PRHPR QDSLVDWL ]D MDNRVW VWUXMH VOLMHGHL L]UD]
I e = S J e = SAT 2 e
EW
kT
(2.5)
gdje je S povrina katode i ima dimenziju m2.

2.3.2. Sekundarna emisija
8NROLNR HVWLFH QSU HOHNWURQL LRQL LWG XGDUDMX X QHNL YUVWL PDWHULMDO PRH VH SULPLMHWLWL
GD H WDM PDWHULMDO HPLWLUDWL HOHNWURQH 2YLVQR R YUVWL PDWHULMDOD L HQHUJLML HVWLFD NRMH XGDUDMX
X PDWHULMDO YDULUDW H L NROLLQD HPLWLUDQLK HOHNWURQD HVWLFH NRMH XGDUDMX X YUVWL PDWHULMDO
QD]LYDMX VH SULPDUQH HVWLFH D HPLWLUDQL HOHNWURQL L] PHWDOD VHNXQGDUQH HVWLFH 7HKQLNL MH
QDMYDQLMD VHNXQGDUQD HPLVLMD L]D]YDQD HOHNWURQLPD 6OLND
Te
Te
Te
Slika 2.6.
Sekundarna emisija
Omjer emitiranih sekundarnih elektrona na jedDQ SULPDUQL HOHNWURQ R]QDLPR V . Taj
NYRFLMHQW MR VH QD]LYD L IDNWRU VHNXQGDUQH HPLVLMH 'DNOH PRHPR SLVDWL
37
sek
prim
(2.6)
gdje su Isek i Iprim struje sekundarnih, odnosno primarnih elektrona.

Za primjer priND]DQ QD VOLFL WDM RPMHU L]QRVL ,QDH ]D PHWDOH MH oko 2, a za okside
do 10. Da bi elektron mogao izbiti druge elektrone mora imati energiju od barem 15-20 eV, a
PDNVLPXP HPLVLMH VH SRVWLH HQHUJLMRP RG QHNROLNR VWRWLQD H9 Kompozitne povrine
OHJXUH VX XYLMHN L]GDQLMH RG LVWLK PDWHULMDOD SD L RG ]EURMD L]GDQRVWL SRMHGLQLK VDVWDYQLK
dijelova legura.
2.3.3. Fotoemisija
Kod fotoemisije izboj (emisija elektrona) nastaje zbog svjetlosnog udara na povrinu metala
(Slika 2.7)
T
VYMHWORVW (0 YDO
Te
Te
Te
PHWDO
Slika 2.7.
Fotoemisija
)RWRHPLVLMD RYLVL R MDNRVWL VYMHWORVWL 9H RGDYQR MH GRND]DQD SURSRUFLRQDOQRVW L]PH X EURMD
emitiranih elektrona (struje fotoemisije) i jakosti radijacije koja pada na katodu.
0H XWLP RVLP RYH YH]H SULPLMHHQR MH L GD ]a neke vrste svjetlosti ne dolazi do emisije
elektrona bez obzira na jakost radijacije. Ova pojava razjanjena je tek 1905. godine. Naime,
SR]QDWR MH GD VH VYMHWORVW VDVWRML RG QL]D NRPSRQHQDWD RG LQIUDFUYHQH GR XOWUDOMXELDVWH
Svaka boja ima svoju valnu duljinu tj. frekvenciju. Ako je frekvencija svjetlosne komponente
LVSRG QHNH JUDQLQH YULMHGQRVWL WDNDY VYMHWORVQL YDO QH PRH SURL]YHVWL IRWRHPLVLMX EH] RE]LUD
QD QMHJRYX MDNRVW .DG VH SULEOLLPR LQIUDFUYHQRP GLMHOX VSHNWUD QHPD HPLVLMH (LQVWHLQ MH
dokazao da mora vrijediti relacija
h EW
(2.7)
gdje je h Planckova konstanta ( h = 6,626 10 34 Js ), frekvencija radijacije, a EW potreban

E
izlazni rad. Dakle, za sve frekvencije ispod = W nema emisije.
h
Poznata relacija koja povezuje valnu duljinu () i frekvenciju svjetlosne zrake je
38
c
c
=
(2.8)
gdje je c EU]LQD VYMHWORVWL 8YUWDYDQMHP RYH MHGQDGEH X MHGQDGEX GRELMHPR
c EW
ch
h
EW
(2.9)
1,986 10 15 0
A
EW
(2.10)
ili
gdje je 1 A = 10 10 m .
Dodatak: Spektralna osjetljivost fotoemisije.
Gornja vrijednost valne duOMLQH NRG NRMH GROD]L GR IRWRHPLVLMH RGUH HQD MH NYDQWQLP XYMHWRP
L]UDHQLP UHODFLMRP 6YDND IRWRNDWRGD LPD UD]OLLWX RVMHWOMLYRVW ]D SRMHGLQH YDOQH
GXOMLQH UDGLMDFLMH D WD VSHNWUDOQD RVMHWOMLYRVW MH NDUDNWHULVWLQD ]D RGUH HQL PDWHULMDO .ULYXOMH
spektralne ovisnosti prikazane su na slici 2.8.
%
relativna osjetljivost
150
Li
Na
K
100
Cs - cezij
ljudsko oko
50
Cs
0
4000
4460
modro
5350 5500
vidljiva svjetlost
7600
(A)
crveno
Slika 2.8.
)RWRHOHNWULND VSHNWUDOQD RVMHWOMLYRVW QHNLK PHWDOD L OMXGVNRJ RND
Iz slike je vidljivo da H DNR HOLPR SRVWLL RVMHWOMLYRVW EOLVNX OMXGVNRP RNX QDMEROMH
rezultate dati fotokatoda od cezijD ELMHOD VYMHWORVW $NR HOLPR YUOR VHOHNWLYQX RVMHWOMLYRVW
SRJRGQL VX NDOLM . QDWULM 1D LOL OLWLM /L 1MLKRYH YDOQH GXOMLQH VH NUHX RNR PRGUH QLMDQVH
svjetlosti.
39
3ROXYRGLL L HQHUJHWVNH YUSFH X SROXYRGLLPD

Kada smo u poglavlju 2.1. vrLOL SRGMHOX YUVWLK WLMHOD V RE]LURP QD VSHFLILQL RPVNL RWSRU
QDYHOL VPR GD SROXYRGLL LPDMX YULMHGQRVWL VSHFLILQRJ RPVNRJ RWSRUD PDWHULMDOD L]PH X
10 3 cm i 10 6 cm . Nadalje, na slici 2.5. prikazan je izgled energetskih vUSFL X YRGLX JGMH
je vidljivo da se valentna i vodljiva energetska zona dodiruju. Razlika u rasporedu
HQHUJHWVNLK YUSFL YRGLD L SROXYRGLD MH NOMXQD ]D UD]XPLMHYDQMH QMLKRYRJ UD]OLLWRJ
SRQDDQMD SD HPR VDGD GHWDOMQLMH REMDVQLWL HQHUJHWVNH YUSFH NULVtala.
'D EL VH QDERML X SROXYRGLLPD PRJOL NUHWDWL WUHEDMX LPDWL RGUH HQH HQHUJLMH 1DV QDMYLH
zanimaju germanij (Ge) i silicij (Si). Atom germanija ima 4 glavne ljuske:
K
L
M
N
2
8
18
4
.DNR X YDQMVNRM YDOHQWQRM OMXVFL LPDPR HOHNWURQD NDHPR GD je germanij 4-valentni

element. Silicij ima 3 glavne ljuske:
K
L
M
2
8
4
3D NDHPR GD MH L VLOLFLM -valentni element. Oba ova elementa se nalaze u kristalnom stanju.
U takvom se stanju (Slika 2.9) 4-YDOHQWQL HOHPHQWL NULVWDOL]LUDMX QD QDLQ YDOHQWQRJ YHzivanja
DWRPL VH VSDMDMX WDNR GD VYDNL DWRP VYRP VXVMHGX SRVXGL HOHNWURQ
Slika 2.9.
Shematski prikaz modela kristalne reetke za Ge ili Si
1D DSVROXWQRM QXOL QHPD QLNDNYRJ NUHWDQMD HOHNWURQD SD MH LWDYD XQXWUDQMRVW NULVWDOD
(promatramo je kao mikrostrukturu) u stanju mirovanja. Kako temperatura raste, dolazi do
vibracije HOHNWURQL YDQMVNH OMXVNH SRVWLX YHH HQHUJLMH L SRVWRML PRJXQRVW GD VH RWNLQX RG
svojih valentnih veza i postoje kao slobodni elektroni unutar kristala. Razlog zbog kojega se
40
SROXYRGLLPD GRGDMX UD]OLLWH SULPMHVH RQHLHQMD MHVW X WRPH WR LVWL SROXYRGLL QH YRGH
struju ni pri sobnoj temperaturi.
Objasnimo sada energetske razine unutar pojedinih ljusaka atoma. Zbog valne prirode,
elektron u atomu ima diskretne vrijednRVWL HQHUJLMH 9H X GYRDWRPQRM PROHNXOL DWRPL
PH XVREQR XWLX MHGDQ QD GUXJRJ SD VH RYH GLVNUHWQH YULMHGQRVWL FLMHSDMX 8 NULVWDOQRM UHHWFL
postoji utjecaj i ostalih atoma na kretanje elektrona oko jezgre, pa se svaki diskretni
energetski nivo cijepa u RQROLNR QLYRD NROLNR LPD DWRPD 0RHPR ND]DWL GD HQHUJHWVNH UD]LQH
elektrona po ljuskama postaju intervalne (Slika 2.10). Elektroni vanjske ljuske su najslabije
vezani elektroni u atomu pa nas njihove energetske razine ponajvie zanimaju.
Ge
Si
E
EC
EC
EG
N
EV
EG
EV
Slika 2.10.
Energetske razine za silicij i germanij
Zapravo, zanima nas samo maksimalna energetska razina koju imaju elektroni vanjske ljuske
- energija EV je granica valentne vrpce. Da bi neki materijal postigao slobodne elektrone,
potrebno im je dodati energiju kojD H LP RPRJXLWL RWNLGDQMH RG YDOHQWQLK YH]D L GDWL VORERGX
NUHWDQMD XQXWDU NULVWDOD 7R MH ELWQD UD]OLND RG PHWDOD (OHNWURQL NRG SROXYRGLD QH SUHOD]H
direktno u vodljivu vrpcu, nego postoji zabranjena vrpca (Slika 2.11).
E
vodljiva vrpca
EC
EG
Pri razini EC pocinje

vodljiva vrpca (C-conductivity)
zabranjena vrpca
EV
za T=0
valentna vrpca

Slika 2.11.
Energetske vrpce SROXYRGLD
ovdje su elektroni
vezani valentnim vezama
41
=D LULQX ]DEUDQMHQH YUSFH PRHPR SLVDWL

EG = EC EV
(2.11)
gdje EG SUHGVWDYOMD UDG RG VWDQMD YDOHQWQLK YH]D GR RVORER HQMD HOHNWURQD

1D VREQRM WHPSHUDWXUL QL MHGDQ HOHNWURQ QH PRH SUHVNRLWL ]DEUDQMHQX YUSFX
Ge:
300 K
290 K
EG = 0.785 eV
EG = 0.72 eV
Si:
300 K
290 K
EG = 1.21 eV
EG = 1.1 eV
=D SROXYRGLH LULQD ]DEUDQMHQH YUSFH QH SUHOD]L H9 (QHUJLMD ET koju elektron dobije na
temperaturi T iznosi za T = 300 K (sobna temperatura) ET = 0.026 eV. Ali, u praksi se ipak
GRELMH VWUXMD L QD VREQRM WHPSHUDWXUL ]ERJ VWDWLVWLNH UDVSRGMHOH
3ULPMHVH X SROXYRGLLPD
3ROXYRGLL X NRMLPD QHPD QLNDNYLK SULPMHVD D NDNYH VPR RSLVLYDOL X SUHWKRGQRP SRJODYOMX
su tzv. LQWULQVLQL LOL LVWL SROXYRGLL LVWL SROXYRGLL SROXYRGLL X LVWRP NULVWDOQRP VWDQMX
na sobnoj temperaturi imaju jedan mali broj slobodnih elektrona (Slika 2.12).
E
n slobodnih elektrona
-qe
EC
T>0
EV
EC - EV = EG
+qe
Slika 2.12.
LVWL SROXYRGL SUL VREQRM WHPSHUDWXUL
8 SULPMHUX SULND]DQRP QD VOLFL HOHNWURQD LPD HQHUJLMX YHX RG EC 7R ]QDL GD VX se
SUHNLQXOH NRYDOHQWQH YH]H PH X DWRPLPD NRMH VX LK GUDOH SD MH VWRJD DWRPD RVWDOR EH]
valentnih elektrona. Kao posljedica otkidanja elektrona i njihovog prelaska u vodljivu vrpcu,
DWRPL NRML VX LK VDGUDYDOL VX VDGD SR]LWLYQR QDELMHQL 1HGRVWDMXL HOektroni u valentnoj vrpci
QDVWRMH VH SRSXQLWL SUHX]LPDQMHP HOHNWURQD L] VXVMHGQLK NRYDOHQWQLK YH]D LPH VH QHXWUDOL]LUD
pozitivan naboj. Taj proces se potom nastavlja jer sada susjedni atom postaje pozitivno
42
nabijen i nastoji preuzeti neki elektron od susjednih atoma. Dakle, uz gibanje elektrona u
vodljivoj vrpci postoji i gibanje u nekompletno popunjenoj valentnoj vrpci. Prema tome, u
LQWULQVLQRP SROXYRGLX WUDQVSRUW QDERMD VH RGYLMD X GYLMH HQHUJHWVNH YUSFH LOL SRMDVD 8
vodljivoj vrpci gibaju se slobodni elektroni, dok u valentnoj vrpci gibanje valentnih elektrona
opisujemo gibanjem pozitivnog naboja tzv. upljina (Slika 2.13). Iako prividno putuju
XSOMLQH ]DSUDYR X VXSURWQRP VPMHUX SXWXMX HOHNWURQL SRSXQMDYDMXL XSOMLQH
smjer gibanja elektrona

1. stanje
2. stanje
3. stanje
4. stanje
5. stanje
prividni smjer
gibanja supljina
Slika 2.13.
Privid gibanja upljina
U primjeru prikazanom na slici 2.12. nastaje 5 upljina u valentnoj vrpci. Elektron je nositelj
negativnog naboja qe, a upljina je nositelj pozitivnog naboja +qe 8 LQWULQVLQLP
SROXYRGLLPD QRVLWHOML VH GDNOH VWYDUDMX UD]ELMDQMHP YDOHQWQLh veza pa se nosioci uvijek
stvaraju u parovima, a za njihove koncentracije vrijedi:
n = p = ni = p i
(2.12)
gdje je
n koncentracija slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci
p koncentracija upljina u valentnoj vrpci
ni, pi LQWULQVLQH NRQFentracije elektrona i upljina
'RELYHQD VWUXMD MH SUHPDOD GD EL ]DGRYROMLOD QDH ]DKWMHYH WRND VWUXMH X SROXYRGLX NRML VH
QDOD]L X HOHNWULQRP SROMX =DWR SULOLNRP NULVWDOL]DFLMH NULVWDOX UDYQRPMHUQR GRGDMHPR
SRJRGQH SULPMHVH 1D WDM QDLQ GRELMH VH GDOHNR YHL EURM VORERGQLK HOHNWURQD L XSOMLQD QD
VREQRM WHPSHUDWXUL D WDNYH SROXYRGLH X NRMLPD SULPMHVH LPDMX ELWDQ XWMHFDM QD HOHNWULND
svojstva nazivamo HNVWULQVLQL SROXYRGLL 2QHLHQMD VH REDYOMDMX GRGDYDQMHP
peterovalentnih i trovalentnih primjesa 3HWHURYDOHQWQH SULPMHVH H SRVWLL YHOLNR SRYHDQMH
VORERGQLK HOHNWURQD GRQRU D WURYDOHQWQH H SRVWLL YHOLNR SRYHDQMH EURMD XSOMLQD
(akceptor).
.DGD VH SROXYRGL RQHLVWL V SHWHURYDOHQWQLP QHLVWRDPD GRELMH VH SROXYRGL N-tipa ili
donor (Slika 2.1D D GRGDYDQMHP WURYDOHQWQLK SULPMHVD GRELYDPR SROXYRGL P-tipa ili
akceptor 6OLND D 6LOLFLMX VH QDMHH GRGDMH WURYDOHQWQL DOXPLQLM $O WH ERU % LOL
peterovalentni fosfor (P), a germaniju trovalentni aluminij (Al) ili galij (Ga), odnosno
43
peWHURYDOHQWQL DUVHQ $V LOL DQWLPRQ 6E 2QHLHQMD VH NUHX RG 3 do 1:109 tj. na 103
(109) atoma kristala imamo 1 atom primjese. N-WLS LPD YHOLNX NROLLQX VORERGQLK HOHNWURQD D
P-WLS YHOLNX NROLLQX SR]LWLYQLK XSOMLQD , NRG YUOR QLVNLK WHPSHUDWXUa (-150 C) se svi
VORERGQL HOHNWURQL XSOMLQH QHLVWRD SRMDYH X YRGOMLYRP RGQRVQR YDOHQWQRP SRMDVX YUSFL
+4
+4
+4
vodljiva vrpca
+4
+5
+4
ED
EG
valentna vrpca
+4
+4
a)
+4
b)
Slika 2.14.
a) Donorska primjesa ima 5 valentnih elektrona. Sa 4 je kovalentno vezana za susjedne
DWRPH D SHWL HOHNWURQ YHH VDPR &RXORPERYD sila
b) Energetski nivo donora je blizu vodljive vrpce
8 GLMDJUDPX HQHUJHWVNLK YUSFL ]D SROXYRGL 1-tipa (Slika 2.14.b.), prisustvo donorskih
QHLVWRD LPD ]D SRVOMHGLFX QDVWDMDQMH GRGDWQRJ HQHUJHWVNRJ QLYRD XQXWDU ]DEUDQMHQH YUSFH L
to pri njegovom vrhu. Taj nivo se naziva donorski nivo (ED 'RQRUVNL QLYR OHL X] YUK
zabranjene vrpce jer je za prebacivanje elektrona vezanih uz donorske atome u vodljivu vrpcu
potreban vrlo mali iznos energije.
Kod visokih koncentracija donora diskretni donorski nivo se iri u vrlo uzak pojas energija.
Kad je koncentracija donora (ND YHD RG 5 1015 cm 3 HQHUJLMD LRQL]DFLMH GRQRUD LH]DYD D
XVNL SRMDV HQHUJLMD GRQRUVNLK SULPMHVD XOD]L X YRGOMLYX YUSFX 7DNDY VH SROXYRGL NRML LPD
HNVWUHPQR YLVRNX NRQFHQWUDFLMX SULPMHVD SRQDD VOLQR PHWDOX SD JD VH QD]LYD SVHXGRPHWDO
LOL GHJHQHULUDQL SROXYRGL
Akceptorske primjese uvode u dijagram energetskih vrpci (Slika 2.15.b.) dodatni akceptorski
nivo (EA NRML OHL XQXWDU ]DEUDQMHQH YUSFH $NFHSWRUVNL nivo OHL SUL GQX ]DEUDQMHQH YUSFH
MHU VH DNFHSWRUVNH SULPMHVH ODNR LRQL]LUDMX SULPDMXL HOHNWURQH L] YDOHQWQH vrpce. Akceptorski
DWRP SULPDMXL HOHNWURQ SRVWDMH QHJDWLYDQ LRQ D NDR SRVOMHGLFD WRJD MH VWYDUDQMH XSOMLQH X
YDOHQWQRM YUSFL 'DNOH PRH VH UHL GD DWRP YH]XMH XSOMLQX D LRQL]DFLMRP MH GDMH X YDOHQWQX
vrpcu.
+4
44
+4
+4
vodljiva vrpca
+4
+3
+4
EG
EA
valentna vrpca
+4
+4
+4
b)
a)
Slika 2.15.
a) Akceptorska primjesa ima tri valentna elektrona
b) Energetski nivo akceptora je blizu valentne vrpce
N-tip poluvodia (donorski)
P-tip poluvodia (akceptorski)

EG
EG
ED
T=0K
ED
EG
EA
0
+
EA
0
4
EG
T>0K
++
Slika 2.16.
Energetske vrpce poluvodia N i P tipa pri temperaturi apsolutne nule i sobnoj temperaturi
EG energija barijere zabranjene vrpce; ED energija donora; EA energija akceptora
Pretpostavili smo da je, za T>0, od etiri atoma istog kristala (npr. Silicij) samo jedan
razbio kovalentnu vezu, a svi atomi primjesa daju slobodne nositelje.
Objasnimo sada sliku 2.16.:
45
N-tip: Na temperaturi apsolutne nule nemamo slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci. Malim
zagrijavanjem svi elektroni donora (4 atoma na slici) prebacuju se u vodljivi pojas. Njihovi
matini atomi se pozitivno ioniziraju. Takoer, moe doi i do razbijanja kovalentne veze
atoma silicija (potpuno isti mehanizam kao kod istog poluvodia). Kao posljedica razbijanja
te veze atom silicija se pozitivno ionizira (jer je izgubio elektron), nastaje upljina ispod nulte
razine (valentna vrpca) i slobodan elektron u vodljivoj vrpci. Moemo uoiti da je broj
slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci (5 elektrona na slici) vei od broja upljina u valentnoj
vrpci (1 upljina na slici) pa kaemo da su u sluaju poluvodia N tipa veinski nositelji
naboja elektroni, a manjinski upljine.
P-tip: Ni u uvom sluaju nemamo slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci niti upljina u
valentnoj vrpci pri temperaturi apsolutne nule. Ve malim poveanjem temperature atomi
trovalentnih primjesa privlae elektrone susjednih etverovalentnih atoma to izaziva
negativnu ionizaciju akceptora i stvaranje upljina ispod nulte razine. Drugim rijeima, moe
se rei da su akceptorski atomi predali upljinu (manjak elektrona) vika atomima silicija.
Takoer, i u ovom sluaju moe doi do pucanja kovalentne veze izmeu etverovalentnih
atoma to za posljedicu opet ima slobodni elektron u vodljivoj vrpci, upljinu u valentnoj, kao
i pozitivnu ionizaciju atoma silicija. Moemo uoiti da je broj slobodnih elektrona u vodljivoj
vrpci (1 elektron na slici) manji od broja upljina u valentnoj vrpci (5 upljina na slici) pa
kaemo da su u sluaju poluvodia P tipa veinski nositelji naboja upljine, a manjinski
elektroni.
Zakljuak: N-tip poluvodia posjeduje veliki broj slobodnih elektrona ije se energije nalaze u
vodljivoj vrpci. P-tip poluvodia ima veliki broj slobodnih upljina ije se energije nalaze u
valentnoj vrpci. U N-tipu struju ine gotovo iskljuivo slobodni elektroni pod djelovanjem
vanjskog polja, a u P-tipu struju slobodne upljine pod djelovanjem vanjskog polja. U N-tipu
poluvodia slobodni elektroni su veinski ili majoritetni nositelji naboja, a slobodne upljine
su manjinski ili minoritetni nositelji naboja. U P-tipu poluvodia slobodne upljine su
veinski ili majoritetni, a slobodni elektroni su manjinski ili minoritetni nositelji naboja.
2.6. Generacija i rekombinacija nositelja naboja
Nositelji naboja se tijekom vremena generiraju (stvaraju) i rekombiniraju (spajaju). Pri
temperaturi veoj od 0 K (za naa razmatranja je najvanija temperatura od 290 300 K),
neprestano se stvaraju novi nositelji naboja i isto tako neprestano nestaju postojei nositelji
naboja (vezuju se za vrste strukture).
Ako slovom g oznaimo generaciju (broj nositelja naboja /cm3s), a slovom r rekombinaciju
(takoer broj nositelja naboja /cm3s), moemo napisati
gr
(2.13)
Dakle, u kristalu postoji stroga ravnotea generacije i rekombinacije. Znai, pri odreenoj
temperaturi je broj nositelja naboja konstantan. Vijek trajanja (ivot) jednog nositelja se kree
od 10 3 10 9 s. Kristal je prema vani elektriki neutralan tj. ima jednak broj slobodnih
elektrona i upljina te slobodne nositelje moe pokrenuti elektrino polje.
Ako pretpostavimo da se generacija i rekombinacija odigravaju direktno, tj. kompletiranjem i
razbijanjem valentnih veza, moemo uoiti da je vjerojatnost rekombinacije jednog elektrona
sa upljinom proporcionalna koncentraciji upljina i jednaka k p , gdje je k faktor
proporcionalnosti ovisan o temperaturi. Ukupan broj rekombinacija je proporcionalan i
koncentraciji elektrona, pa moemo napisati:
r k n p g
(2.14)
46
Generacija je neovisna o broju elektrona u vodljivoj vrpci i upljina u valentnoj vrpci (osim za
vrlo visoke koncentracije nositelja), jer je ona rezultat razbijanja valentnih veza. Prema tome,
X] NRQVWDQWDQ XPQRDN NRQFHQWUDFLMH HOHNWURQD L XSOMLQD JHQHUDFLMD MH SURSRUFLRQDOQD
QMLKRYRP XPQRNX EH] RE]LUD QD QMLKRY PH XVREQL RPMHU p1:n1, p2:n2). Vrijedi jednakost:
r = k n1 p1 = k n 2 p 2 = k ni2 = g
(2.15)
odnosno:
n0 p 0 = ni2
(2.16)
=DNRQ R WHUPRGLQDPLNRM UDYQRWHL MHGQDGED 3URGXNW UDYQRWHQLK NRQFHQWUDFLMD

elektrona u vodljivoj vrpci n0 i upljina u valentnoj vrpci p 0 X QHNRP SROXYRGLX QD GDQRM
temperaturi, konstantan je i MHGQDN NYDGUDWX LQWULQVLQH NRQFHQWUDFLMH
,] ]DNRQD R WHUPRGLQDPLNRM UDYQRWHL SURL]OD]L GD H PLQRULWHWQLK QRVLtelja biti manje to je
majoritetnih nositelja YLH ,QWULQVLQD NRQFHQWUDFLMD PRH VH L]UDXQDWL L] MHGQDGEH
n = C T e
2
i
EG
ET
(2.17)
gdje je
C konstanta u maloj mjeri ovisna o materijalu
EG irina zabranjene vrpce u eV
k - Boltzmannova konstanta (1.38 10 23 JK 1 )
ET NDUDNWHULVWLQD WHPSHUDWXUQD HQHUJLMD HOHNWURQD NRMD VH UDXQD L]
ET = kT / q = T / 11605 (eV).
Ni MHGDQ HOHNWURQ X SROXYRGLX QH PRH LPDWL HQHUJLMX YHX RG EV, a manju od EC (zabranjena
vrpca). to je energija EG YHD ]D RGUH HQX WHPSHUDWXUX H ELWL PDQML EURM QRVLWHOMD QDERMD
to je ET YHD LPDPR YLH VORERGQLK QRVLWHOMD 1D RVQRYX MHGQDGEH PRHPR
L]UDXQDWL LQWULQVLQH NRQFHQWUDFLMH ]D VLOLFLM L JHUPDQLM
Ge:
Pri T = 300 K:
n0 p 0 = ni2 = 3.1 10 32 T 3 e
Si:
n0 p 0 = ni2 = 1.5 10 33 T 3 e
Ge:
ni = 2.5 1013 cm 3
Si:
ni = 1.5 1010 cm 3
9100
T
14030
Silicij je temperaturno otporniji od germanija i zato se vie koristi u primjeni.
(2.18)
(2.19)
47
2.7. Koncentracija nositelja naboja

6YDNL SROXYRGL NRML QLMH XNOMXHQ X HOHNWULQL NUXJ L QLMH SRG GMHORYDQMHP YDQMVNH UDGLMDFLMH
SUHPD YDQL MH HOHNWULNL QHXWUDODQ =ERJ WRJD EH] RE]LUD GD OL VH UDGL R LVWRP LOL SULPMHVQRP
SROXYRGLX NRQDQD VXPD QRVLWHOMD PRUD LPDWL MHGQDNX NROLLQX SR]LWLYQRJ L QHJDWLYQRJ
QDERMD 3R]LWLYQL QDERM LQH XSOMLQH L SR]LWLYQL LRQL D QHJDWLYQL QDERM LQH VORERGQL HOHNWURQL
i negativni ioni. Slobodni elektroni se slRERGQR NUHX XQXWDU NULVWDOD XSOMLQH VX VORERGQL
SURVWRUL NRML PRJX SULPLWL VORERGQH HOHNWURQH 3R]LWLYQL L QHJDWLYQL LRQL VX DWRPL QHLVWRD
NRML LPDMX YLDN LOL PDQMDN HOHNWURQD X RGQRVX QD DWRPH LVWRJ NULVWDOD 'DNOH PRHPR SLVDWL
N D + p 0 = N A + n0
(2.20)
3UHWSRVWDYOMD VH GD VX VYL GRQRUL L DNFHSWRUL LRQL]LUDQL GDNOH VYL HOHNWURQL NRML SRWMHX RG
GRQRUD VX X YRGOMLYRP SRMDVX D VYH XSOMLQH NRMH SRWMHX RG DNFHSWRUD VX X YDOHQWQRM YUSFL
=D SUHWSRVWDYOMHQL VOXDM D NRML MH UHDODQ SUL VRbnoj temperaturi, svi donori i akceptori su
ionizirani tj. ND i NA R]QDDYDMX NRQFHQWUDFLMH LRQD NRMH VX MHGQDNH NRQFHQWUDFLMDPD QMLKRYLK
DWRPD 8 JRUQMRM MHGQDGEL p0 i n0 SUHGVWDYOMDMX EURM VORERGQLK XSOMLQD SROXYRGLD RGQRVQR
broj slobodnih elektrona SROXYRGLD 3R]LWLYQL LRQ MH SR]LWLYDQ MHU MH LPDR YLDN HOHNWURQD
koje je pustio u slobodni tok (vodljivu vrpcu), npr. bio je peterovalentan, a osnovno stanje je
HWYHURYDOHQWQR 7R QLMH XSOMLQD MHU QHPD WHQGHQFLMX SULYODHQMD HOHNWURQD VWDELODQ MH VD
HWYHURYDOHQWQRP YH]RP L QH WUHED PX MR MHGDQ HOHNWURQ
a) NRQFHQWUDFLMH LQWULQVLQLK SROXYRGLD
=D LQWULQVLQH SROXYRGLH ]ERJ ]DQHPDULYH NRQFHQWUDFLMH QHLVWRD YULMHGL
n 0 = p 0 = ni = p i
(2.21)
,QWULQVLQH NRQFHQWUDFLMH ]D VLOLFLM L JHUPDQLM PRHPR RGUHGLWL L] MHGQDGEL L

b) NRQFHQWUDFLMH HNVWULQVLQLK YRGLD 1-tipa
=D SROXYRGLH 1-WLSD SULQFLS R HOHNWULNRM QHXWUDOQRVWL JODVL
N D + p 0 = n0
(2.22)
ODQ V NRQFHQWUDFLMRP DNFHSWRUVNLK LRQD MH L]RVWDYOMHQ MHr je koncentracija akceptorskih iona

NRG SROXYRGLD RYRJ WLSD PQRJR PDQMD RG NRQFHQWUDFLMH GRQRUVNLK LRQD
N D >> N A
N D = N D N A N D N D + p 0 n0 n0
.DNR X UDYQRWHQRP VWDQMX YULMHGL ]DNRQ R WHUPRGLQDPLNRM UDYQRWHL MHGQDGED
PRHPR SLVDWL
48
N D n0 + p 0 n0 n02
N D n0 + ni2 n02
n02 N D n0 ni2 0
5MHHQMHP JRUQMH NYDGUDWQH MHGQDGEH GRELMHPR ]D NRQFHQWUDFLMX PDMRULWHWQLK QRVLtelja n0

n0 =
N D + N D2 + 4ni2
2
(2.23)
Dakle, poznavanjem koncentracije donora (ND PRJXH MH QD VYDNRM WHPSHUDWXUL X]

LVNOMXHQMH YUOR QLVNLK WHPSHUDWXUD RGUHGLWL UDYQRWHQX NRQFHQWUDFLMX VORERGQLK HOHNWURQD
Koncentraciju minoritetnih upljina p0 dobijemo iz izraza
p0 =
ni2
n0
c) NRQFHQWUDFLMH HNVWULQVLQLK YRGLD 3-tipa

$QDORJQR ]DNOMXLYDQMX SURYHGHQRP ]D 1-WLS SROXYRGLD PRHPR ]DNOMXLWL
N A >> N D
N A = N A N D N A p 0 N A + n0
SD NRQFHQWUDFLMH L]UDXQDPR L]
p0
N A + N A2 + 4ni2
2
n0 =
(2.24)
ni2
p0
.RG YHOLNLK WHPSHUDWXUD GROD]L GR EU]RJ SRUDVWD LQWULQVLQLK NRQFHQWUDFLMD ni). Koncentracije
donorskih (ND) i akceptorskih iona (NA) rastom ni, poVWDMX ]DQHPDULYH 8 WRP VOXDMX
PRHPR SLVDWL
Za T>>:
4ni2 >> N D2
4ni2 >> N A2
1
(N D + 2ni )
2
1
p 0 (N A + 2ni )
2
n0
i dalje
P tip
N tip
49
n 0 ni p 0 ni
p 0 ni n0 ni
WR VX L]UD]L NRMH VPR YH YLGMHOL NDGD VPR UD]PDWUDOL LVWH SROXYRGLH 0RHPR ]DNOMXLWL GD
VH SULPMHVQL SROXYRGL NRG UHODWLYQR YLVRNLK WHPSHUDWXUD SRQDD NDR LVWL SROXYRGL
2.8. Fermijeva razina
=D LVWH SROXYRGLH )HUPLMHYD UD]LQD VH QDOD]L X VUHGLQL ]DEUDQMHQH YUSFH .RG SROXYRGLD 3WLSD )HUPLMHYD UD]LQD MH EOLD GRQMRM UD]LQL ]DEUDQMHQH YUSFH D ]D SROXYRGLH 1-tipa gornjoj
razini zabranjene vrpce (Slika 2.17).
E
EG
EG
P - tip
N - tip
EG
EF
EF=EG/2
EF
EF
0
0
a)
c)
b)
Slika 2.17.
)HUPLMHYH UD]LQH ]D LQWULQVLQHD L HNVWULQVLQH SROXYRGLH E F
'HJHQHULUDQL SROXYRGL SVHXGRPHWDO LPD ]QDWQR YHX NRQFHQWUDFLMX QHLVWRD RG XRELDMHQH
(1017/cm3 LQDH RNR 03-106 8 WRP VOXDMX GROD]L GR SRUHPHDMD )HUPLMHYH UD]LQH 6OLND
2YL SROXYRGLL LPDMX WROLNR VORERGQLK QRVLWHOMD GD GMHOXMX NDR YRGLL
E
EG
0
EF
P - tip
E
EF
EG
N - tip
Slika 2.18.
Fermijeva razina za pseudometale
,] MHGQDGEH VH PRH SRND]DWL GD MH XNXSDQ EURM HOHNWUona (koncentracija) u vodljivoj
vrpci jednak
50
n0 = N C e
E F EG
kT
(2.25)
gdje je
2 mc kT
N C = 2
h2
3/ 2
(2.26)
HIHNWLYQD JXVWRD NYDQWQLK VWDQMD X YRGOMLYRM YUSFL D mc efektivna masa elektrona.

7DNR HU PRH VH GRND]DWL GD MH UDYQRWHQD NRncentracija upljina u valentnoj vrpci
p0 = N V e
EF
kT
(2.27)
gdje je
2 mv kT
N V = 2
h2
3/ 2
(2.28)
HIHNWLYQD JXVWRD NYDQWQLK VWDQMD X YDOHQWQRP SRMDVX D mv efektivna masa upljine.

$NR ]DQHPDULPR UD]OLNX L]PH X HIHNWLYQLK PDVD HOHNWURQD L XSOMLQD L L]MHGQDLPR LK V
PDVRP VORERGQRJ HOHNWURQD PRHPR SLVDWL
N C = N V = 4.82 1015 T 3 / 2
(cm 3 )
(2.29)
=D LQWULQVLDQ SROXYRGL YULMHGL

n0 = p 0 N C e
E F EG
kT
= NV e
EF
kT
(2.30)
RGDNOH PRHPR SLVDWL

E F EG = E F E F = EG / 2
/RJDULWPLUDQMHP MHGQDGEL L PRHPR SRND]DWL GD YULMHGH L RHNLYDQH YULMHGQRVWL
)HUPLMHYH UD]LQH ]D SROXYRGLH 1-tipa i P-tipa prikazane na slici 2.17.
Iz (2.25) za SROXYRGL 1-tipa slijedi
E F = EG kT ln
NC
n0
(2.31)
8YMHW HOHNWULNH QHXWUDOQRVWL ]D SROXYRGL N-tipa glasi: N D + p 0 = n0 D ]D LWDYR HNVWULQVLQR

SRGUXMH YULMHGL N D n0 . Iz navedenog slijedi
E F = EG kT ln
NC
ND
(2.32)
51
ili u elektronvoltima (eV)

E F = EG
N
kT N C
T
ln
= EG
ln C
q
ND
11605 N D
(eV )
(2.33)
)HUPLMHY QLYR ELWL H EOLH YUKu zabranjenog pojasa to je koncentracija donora (ND) via i to
MH WHPSHUDWXUD QLD
,] MHGQDGEH ]D SROXYRGL 3-tipa slijedi
E F = kT ln
NV
p
(2.34)
.DNR XYMHW HOHNWULNH QHXWUDOQRVWL ]D RYDM WLS SROXYRGLD JODVL N A + n0 = p 0 D ]D LWDYR

HNVWULQVLQR SRGUXMH MH p 0 N A , slijedi
E F = kT ln
NV
NA
(2.35)
ili u elektronvoltima (eV)

EF =
N
kT N V
T
ln
=
ln V
q
N A 11605 N A
(eV )
(2.36)
8 SROXYRGLX 3-WLSD )HUPLMHY QLYR OHL LVSRG VUHGLQH ]DEUDQMHQH YUSFH L WR EOLH QMHQom dnu
WR MH NRQFHQWUDFLMD DNFHSWRUD YLD L WHPSHUDWXUD QLD
E
E
n
EC
EG
EV
EC
EC
EC
EF
EF
EF
EV
EV
EV
p
dN/dE
a)
b)
f(E,T)
c)
dn/dE (dp/dE)
d)
Slika 2.19.
,OXVWUDFLMD RGUH LYDQMD UDVSRGMHOH JXVWRH HOHNWURQD L XSOMLQD SR HQHUJLML ]D LVWL SROXYRGL
D(QHUJHWVNL VSHNWDU LVWRJ SROXYRGLD E 5DVSRGMHOD JXVWRH HQHUJHWVNLK QLYRD c)
)HUPLMHYD VWDWLVWLND UDVSRGMHOD G 5DVSRGMHOD JXVWRH HOHNWURQD L XSOMLQD SR HQHUJLML
52
1D VOLFL SULND]DQ MH QDLQ RGUH LYDQMD UDVSRGMHOH JXVWRH HOHNWURQD L XSOMLQD SR HQHUJLML
]D LVWL SROXYRGL 5DVSRGMHOD JXVWRH HOHNWURQD L XSOMLQD SR HQergiji (d) dobije se umnokom
UDVSRGMHOH JXVWRH HQHUJHWVNLK QLYRD E L )HUPLMHYRP VWDWLVWLNRP UDVSRGMHORP F
Dodatak: S obzirom na Paulijevo QDHOR NRMH RJUDQLDYD EURM PRJXLK HOHNWURQD QD QHNRM
energetskoj razini te SROD]HL RG +HLVHQEHUJRYLK XYMHWD QHRGUH HQRVWL PRH VH L]YHVWL ]DNRQ
UDVSRGMHOH JXVWRH HQHUJHWVNLK QLYRD SR HQHUJLML
dN 4
3/ 2
= 3 (2m ) E 1 / 2
dE h
(QHUJLMD ( MH HQHUJLMD HOHNWURQD L]UDXQDWD RG GQD SURPDWUDQH ]RQH *RUQMD MHGQDGED
vrijedi za metale i elektrone u vodljivoj vrpci poluvodiD UDXQDMXL SUL WRPH HQHUJLMX RG GQD
YRGOMLYH ]RQH 6WDYOMDMXL ( EC umjesto E, dobijemo:
dN 4
(2m )3 / 2 ( E EC )1 / 2
=
dE h 3
1D LVWL QDLQ VH GRELMH L UDVSRGMHOD HQHUJHWVNLK QLYRD ]D XSOMLQH
dN 4
(2m )3 / 2 ( EV E )1 / 2
=
dE h 3
2.9. Pokretljivost nositelja naboja
KadD QD YUVWR WLMHOR QLMH SULNOMXHQ QDSRQ QRVLWHOML HOHNWULFLWHWD VH JLEDMX NDRWLQR (OHNWURQL
VH PH XVREQR VXGDUDMX L SULOLNRP VXGDUD PLMHQMDMX VPMHU NUHWDQMD =D RYX YUVWX JLEDQMD MH
NDUDNWHULVWLQR GD VX VYL VPMHURYL JLEDQMD SRGMHGQDNR YMHURMDWQL SD PRHPR UHL GD MH XNXSQL
]EURM NUHWDQMD QRVLWHOMD MHGQDN QXOL WM NUR] SURPDWUDQR YUVWR WLMHOR QH WHH VWUXMD
Uslijed djelovanja YDQMVNRJ HOHNWULQRJ SROMD MHGDQ RG VPMHURYD JLEDQMD SRVWDMH IDYRUL]LUDQ
tako da u cjelini dolazi do usmjerenog gibanja nabojD GDNOH HOHNWULQH VWUXMH 6OLND
E
E=0
E <> 0
Slika 2.20.
6YDNL SXW L]PH X VXGDUD HOHNWURQ VH SRPLH X SUDYFX HOHNWULQRJ SROMD
53
Sila koja djeluje na elektron jednaka je
&
&
F = qe E
(2.37)
.DNR VPR YH QDYHOL VLOD MH VXSURWQRJ VPMHUD RG VPMHUD HOHNWULQRJ SROMD MHU MH QDERM
HOHNWURQD QHJDWLYDQ $NFHOHUDFLMD NRMX HOHNWURQ GRELMH ]ERJ GMHORYDQMD VLOH PRH VH L]UD]LWL
VOLMHGHRP MHGQDGERP
&
& qe E
a=
me
(2.38)
Ubrzavanje se vri od jednog do drugog sudara. Prilikom sudara elektron mijenja smjer
NUHWDQMD SD PRHPR VPDWUDWL GD MH QHVWDOR NRPSRQHQWH EU]LQH X VPMHUX SROMD 1DNRQ VXGDUD
SRQRYR SRLQMH XEU]DYDQMH SD EU]LQD X VPMHUX SROMD SRQRYR UDVWH RG QXOH %U]LQD HOHNWURQD X
SUDYFX SROMD ]DYLVL R YUHPHQX L]PH X VXGDUD ,]QRV srednje brzine X SUDYFX SROMD PRHPR
L]UDXQDWL L]
v=
q
1
a i = e i E = n E
2
2 me
(2.39)
q e i
2me
(2.40)
gdje je
n =
m2
V s
D QD]LYD VH SRNUHWOMLYRVW HOHNWURQD 3RNUHWOMLYRVW RYLVL R WHPSHUDWXUL L VYRMVWYLPD SROXYRGLD

To je vidljivo i iz jednadEH MHU YULMHPH L]PH X VXGDUD HOHNWURQD i) ovisi o
WHPSHUDWXUL L YUVWL SROXYRGLD 1DLPH, ]DJULMDYDQMHP SROXYRGLD HOHNWURQL GRELYDMX YHH
HQHUJLMH GROD]L GR VWYDUDQMD YHHJ EURMD VORERGQLK HOHNWURQD NRML VH EUH VH NUHX SD MH L EURM
sudara elekWURQD V GUXJLP HOHNWURQLPD L UHHWNRP YHL 3RVOMHGLFD YHHJ EURMD VXGDUD MH PDQMH
YULMHPH L]PH X VXGDUD HOHNWURQD
Za upljine vrijedi
p =
q e i
2m p
m2
V s
(2.41)
GDNOH RSHQLWR
vd = E
(2.42)
gdje je vd brzina drifta ili poPDND L NDH QDP NRMRP H VH EU]LQRP SRPLFDWL VORERGQL QRVLWHOM
QDERMD DNR VH SROXYRGL QDOD]L X HOHNWULQRP SROMX MDNRVWL E.
Na 300 K:
Ge:
n = 3800
p = 1800
Si:
n = 1300
p = 500
54
9RGOMLYRVW SROXYRGLD

=ERJ SRVWRMDQMD HOHNWULQRJ SROMD NUR] SUHVMHN SROXYRGLD H VH MDYLWL VWUXMD I (Slika 2.21). Po
GRJRYRUX VPMHU VWUXMH MH VPMHU NUHWDQMD SR]LWLYQRJ QDERMD *XVWRD VWUXMH MH NROLLQD QDERMD
NRMD SURWMHH NUR] RGUH HQL SUHVMHN SROXYRGLD X MHGQRM VHNXQGL
y
E
IP
IN
I = IN + IP
Slika 2.21.
(OHNWULQD VWUXMD X SROXYRGLX
Kako koncentracija nositelja ovisi o temperaturi (raste porastom temperature), a pokretljivost
WDNR HU RYLVL R WHPSHUDWXUL SDGD SRUDVWRP WHPSHUDWXUH L YRGOMLYRVW RYLVL R WHPSHUDWXUL
Ovisnost vodljivosti o temperaturi prikazana je na slici 2.22.
OR J
5$'12
32'58-(
7
&
7
7 UDVWH
7
Slika 2.22.
=DYLVQRVW YRGOMLYRVWL RG UHFLSURQH YULMHGQRVWL WHPSHUDWXUH
*XVWRD VWUXMH GULIWD SR]LWLYQLK L QHJDWLYQLK QRVLWHOMD QDERMD QDSLVDQD MH VOLMHGHLP L]UD]RP

J dP = q e p v dP = q e p P E = P E
J dN = q e n v dN = q e n N E = N E
55
(2.43)
gdje je P vodljivost pozitivnog naboja, a N vodljivost negativnog naboja. Na osnovu

JRUQMH MHGQDGEH PRHPR QDSLVDWL RSX UHODFLMX ]D JXVWRX VWUXMH GULIWD
Jd = E
(2.44)
SD ]DNOMXXMHPR GD MH
J d = J dP + J dN = ( P + N )E = E = P + N = q e (p P + n N )
(2.45)
PUL QLVNLP WHPSHUDWXUDPD SRGUXMH & QD VOLFL V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH UDVWH YRGOMLYRVW
zbog porasta koncentracije nositelja koji nastaje ionizacijom primjesa. Na temperaturi T1 su
VYH SULPMHVH LRQL]LUDQH SD VH GDOMLP SRUDVWRP WHPSHUDWXUH SRGUXMH % vodljivost malo
smanjuje zbog smanjenja pokretljivosti, a promjena koncentracije je mala. Sve primjese su
LRQL]LUDQH D WHPSHUDWXUD MH MR XYLMHN SUHQLVND ]D LRQL]DFLMX DWRPD SROXYRGLD 3RUDVWRP
temperature iznad T2 SRGUXMH $ SROXYRGL VH SRLQMH SRQDDWL NDR LVWL SROXYRGL
(vodljivost uglavnom ovisi od stvorenih parova upljina-HOHNWURQ 5DGQR SRGUXMH MH
SRGUXMH %
*XVWRD MH GHILQLUDQD MDNRX SROMD L YRGOMLYRX NRMD MH NDUDNWHULVWLND EURMD MHGQLK L GUXJLK
naboja i njihove pokretljivosti. Ako sH UDGL R LVWRP SROXYRGLX QHPDPR NRQFHQWUDFLMH n i p,
nego ni (n = p = ni):
Za N-WLS SROXYRGLD YULMHGL
a za P-tip:
= q e ni ( P + N )
(2.46)
n ND
= qe N D N
p << n
(2.47)
n << p
= qe N A P
p NA
(2.48)
.RG RQHLHQLK SROXYRGLD Yodljivost, osim o konstanti qe RYLVL R NROLLQL SULPMHVQLK
naboja.
'LIX]LMD X SROXYRGLLPD
2VLP HOHNWULQRJ SROMD SURWMHFDQMH HOHNWULQH VWUXMH NUR] YUVWD WLMHOD PRH ELWL X]URNRYDQR L
difuzijom. Difuzija je kretanje nositelja naboja kroz neki SUHVMHN X SROXYRGLX XVOLMHG UD]OLLWH
JXVWRH QDERMD V MHGQH LOL GUXJH VWUDQH SUHVMHND NRML SURPDWUDPR 1DERML VH NUHX V PMHVWD
YHH NRQFHQWUDFLMH QD PMHVWR PDQMH NRQFHQWUDFLMH X] WHQGHQFLMX L]MHGQDDYDQMD NRQFHQWUDFLMD
Ako pretpostavimo da se koncentracija mijenja samo u smjeru osi x JXVWRD VWUXMH ]ERJ
difuzije je proporcionalna gradijentu koncentracije upljina u smjeru osi x 'LIX]LMVND VWUXMD H
56
X VOXDMX LVWLK JUDGLMHQDWD NRQFHQWUDFLMH ]D UD]OLLWH HVWLFH ELWL SURSRUFLRQDOQD VSRVREQRVWL

HVWLFH da difudira tj. konstanti difuzije D.
Ako se radi o koncentraciji elektrona imamo
n
n
J DN = q e D N E = q e D N ( grad n ) = q e D N = q e D N
x
x
(2.49)
i analogno tome, za upljine
J DP = q e DP E = q e D P (grad p ) = q e DP
p
x
(2.50)
6WUXMD X JRUQMLP MHGQDGEDPD MH NDNR MH WR XRELDMHQR X]HWD V NRQYHQFLRQDlnim smjerom, tj.
VPMHURP X NRMHP EL VH JLEDOL SR]LWLYQL QDERML ,] MHGQDGEL L PRHPR GDOMH SLVDWL
n
p
J D = qe DN
DP
x
x
(2.51)
8NXSQD JXVWRD VWUXMH XSOMLQD XVOLMHG VWUXMD GLIX]LMH L HOHNWULQRJ SROMD MHGQDND MH QMLKRYRP
zbroju
J = Jd + JD
(2.52)
J P = P E q e DP
p
p
p
= q e p P E q e D P
= q e p P E D P
x
x
x
(2.53)
J N = N E + qe D N
n
n
n
= q e n N E + q e D N
= q e n N E + D N
x
x
x
(2.54)
a za elektrone
=D SR]LWLYQH QDERMH VH JXVWRH VWUXMH PH XVREQR RGELMDMX D ]D QHJDWLYQH QDERMH ]EUDMDMX

(dogovor).
9H]D L]PH X NRQVWDQWH GLIX]LMH L SRNUHWOMLYRVWL LVWRYUVQLK HVWLFD PRH VH L]UD]LWL VOLMHGHRP
MHGQDGERP
D kT
=
qe
[V ]
(2.55)
Gornja relacija, koju nazivamo i Einsteinova relacija, YULMHGL ]D QHGHJHQHULUDQH SROXYRGLH L

plinove.
kT = ET q e
U T = ET =
- energija nositelja nabRMD ]D RGUH HQX WHPSHUDWXUX
[J ]
kT
qe
[eV ]
- potencijalna energija (UT NRMD PRH ]DXVWDYLWL QDHOHNWUL]LUDQX
HVWLFX V SURVMHQRP WHUPLNRP NLQHWLNRP HQHUJLMRP
57
Pitanja:
1. 1DYHGLWH YUVWH NULVWDOD YUVWLK WLMHOD V RE]LURP QD NDUDNWHU VLOD NRMH GUH atome kristala
na okupu.
2. .RML VX RVQRYQL QDLQL GRELYDQMD HOHNWURQD L] PHWDOD"
3. Nacrtaj i objasni grafove raspodjele energija slobodnih elektrona u metalu te
zaposjednutosti energetskih razina u ovisnosti o temperaturi.
4. Koja je maksimalna energija koju elektroni u metalu mogu imati na temperaturi od 0
K?
5. .ROLNR L]QRVH WLSLQH YULMHGQRVWL L]OD]QRJ UDGD ]D PHWDOH"
6. .DNR REMDQMDYDWH SRMDYX GD LDNR SUL WHPSHUDWXUL RG . HQHUJLMD SRMHGLQDQRJ
elektrona u katodi od volframa iznosi 0.22 eV, ipak dolazi do pojave termionske
emisije?
7. to je faktor sekundarne emisije?
8. Zato za neke vrste svjetlosti ne dolazi do emisije elektrona bez obzira na jakost
radijacije?
9. WR VH GRJD D ]DJULMDYDQMHP NULVWDOQH UHHWNH"
10. Zato dolazi do pojave energetskih vrpci elektrona po ljuskama atoma, a ne do
diskretnih vrijednosti energija elektrona u atomu?
11. Koja energetska vrpca nam je najzanimljivija i zato?
12. 8 NRMLP HQHUJHWVNLP YUSFDPD GROD]L GR WUDQVSRUWD QDERMD L R NRMLP MH JLEDQMLPD ULMH"
13. =DWR VH GRGDMX SULPMHVH X SROXYRGLH"
14. NaYHGLWH UD]OLNH L]PH X DNFHSWRUVNLK L GRQRUVNLK SULPMHVD
15. .DNR JODVL ]DNRQ R WHUPRGLQDPLNRM UDYQRWHL"
16. WR LQL SR]LWLYDQ D WR QHJDWLYDQ QDERM SROXYRGLD L X NDNYRP VX RQL RGQRVX"
17. =DWR VH SULPMHVQL YRGL SUL YHOLNLP WHPSHUDWXUDPD SRQDD NDR LVWL SROXYRGL"
18. .YDOLWDWLYQR RSLLWH SRORDM )HUPLMHYH HQHUJLMH V RE]LURP QD YUVWX L NROLLQX SULPMHVD
X SROXYRGLLPD
19. 2EMDVQLWH R HPX RYLVL SRNUHWOMLYRVW QRVLWHOMD QDERMD
20. =ERJ HJD ]DYLVQRVW YRGOMLYRVWL RG UHFLSURQH YULMHGQRVWL WHPSHUDWXUH QLMH PRQRWRQD
UDVWXD LOL SDGDMXD IXQNFLMD"
21. 1D RVQRYX NRMHJ L]UD]D L]UDXQDYDPR YRGOMLYRVW"
22. .DNR GROD]L GR GLIX]LMH X SROXYRGLLPD"
23. .RMD MH YH]D L]PH X NRQVWDQWH GLIX]LMH L SRNUHWOMLYRVWL LVWRYUVQLK HVWLFD"
58
59
3. Elektroniki elementi
3.1. Poluvodiki P-N spoj
Poluvodi s neravnomjernom raspodjelom primjesa ima i neravnomjernu raspodjelu nositelja
naboja. Zbog razliitih koncentracija nositelja dolazi do struje difuzije, kako je ve opisano u
prethodnim poglavlju. Odlaskom pokretnih nositelja s mjesta vee koncentracije poremetit e
se elektrina ravnotea izmeu pokretnih nositelja i primjesnih iona, a posljedica ovog
poremeaja je stvaranje elektrinog polja koje e se suprotstavljati difuznom kretanju
nositelja. Posljedica elektrinog polja je struja drifta. U ravnotenom stanju su struje drifta i
difuzije jednake po veliini a suprotnih smjerova.
Kao primjer velike neravnomjernosti koncentracija primjesa je spoj dva suprotna tipa
poluvodia.
E
*
manjinski
n-nositelji
N
vecinski
n-nositelji
EG
EFN
EFI
EFP
0
+
vecinski
p-nositelji
+I
-I
manjinski
p-nositelji
Slika 3.1.
Energetski dijagram P-N spoja prije uspostavljanja ravnotee
* - pomone energetske osi prikazuju razdiobu naboja (p i n) u dva razliita tipa poluvodia.
E + EC
Za isti poluvodi vrijedi E FI = V
. Gornja energija valentne vrpce EV na slici je
2
oznaena s 0.
Na slici 3.1 prikazan je dodir P i N tipa poluvodia. Uspostavljen je kontakt, ali bez
uspostavljanja ravnotee nositelja naboja.
Ako pretpostavimo da na P-N spoj nije prikljuen napon, uz konstantnu temperaturu i bez
djelovanja dodatne radijacije, moemo zakljuiti da kroz spoj ne moe tei struja tj. spoj se
nalazi u ravnotei. Oigledno, razlike u koncentracijama nositelja na P strani (p0P i n0P) i N
strani (n0N i p0N) prouzrokovati e difuzijsko kretanje nositelja s mjesta vie koncentracije
prema mjestu nie koncentracije. Dakle, elektroni prelaze na P-stranu, a upljine na N-stranu.
Elektroni koji prijeu u P-stranu rekombiniraju se sa upljinama iz P-strane, to izaziva
gubitak upljina uz odgovarajue akceptore. Podruje P strane najblie kontaktu prvo "izgubi"
60
upljine kroz rekombinaciju, to izaziva da sada u ovom podruju nema slobodnih nositelja
naboja, te ostaju samo negativno nabijeni akceptorski ioni. Na isti nain upljine iz P-strane
difundiraju u N-stranu, gdje se rekombiniraju sa elektronima. Podruje N-strane neposredno
uz kontakt gubi slobodne elektrone, te ostaju samo pozitivno nabijeni donorski ioni. Podruje
oko kontakta u kojem nema slobodnih nositelja naboja naziva se podruje osiromaenja ili
podruje prostornog naboja (s obzirom da ovdje postoje samo nepokretni naboji
akceptorski tj. donorski ioni). Posljedica prostornog naboja je stvaranje unutranjeg
elektrinog polja u zoni kontakta P i N strane (Slika 3.2).
dE K
q
=
dx
EK =
q( x)dx
; permitivno st
Slika 3.2.
Elektrino polje kontakta koje nastaje kao posljedica difuzije naboja.
Unutranje polje ili polje kontakta je orijentirano prema negativnom naboju. Polje EK e
postupno sprjeavati difuziju pozitivnog naboja kao i negativnog naboja. Prostorni naboj koji
se sve vie gomila difuzijom oko kontaktne povrine konano potpuno zaustavi proces
difuzije pa kaemo da je uspostavljeno ravnoteno stanje (Slika 3.3) tj. ukupna struja
elektrona i upljina jednaka je nuli. Ravnotea nastupa kada se meusobno izjednae
Fermijeve razine. Energetska razina N-strane se spustila za EB. Prijelaz nije skokovit, ve
postepen. irina barijere na P-strani (dBP) ne mora biti jednaka irini barijere na N-strani
(dBN). Energetsku razliku nazivamo barijerom jer ta energetska razlika koja je nastala,
sprjeava dalji proces difuzije.
Nakon uspostavljanja barijere, u P-poluvodiu imamo slobodne sve minoritetne nositelje
naboja (jer su svi u vodljivoj vrpci), a samo mali broj slobodnih majoritetnih nositelja naboja
(ispod iscrtane linije tj. E < EV EB). Napomenimo da je na slikama 3.1. i 3.3. energija EV
oznaena s 0 jer ostale energije promatramo upravo u odnosu na gornju energiju valentnog
pojasa. Isto tako, u N-tipu imamo slobodne sve minoritetne nositelje naboja, a samo mali broj
slobodnih negativnih majoritetnih nositelja naboja (E > EG). Neto struja kroz barijeru mora u
ravnotenim uvjetima biti jednaka nuli, posebno za elektrone i posebno za upljine. To se
postie na taj nain da visina barijere (EB) koja postoji samo za veinske nosioce naboja,
dozvoljava difuziju samo u onoj maloj mjeri kolika je potrebna da bi se ponitile struje
manjinskih nositelja za koje barijera ne postoji.
Za stanje ravnotee moemo dakle napisati sljedee relacije:
I DN + I SN = 0 ;
I DP + I SP = 0
(3.1)
61
gdje su IDN i IDP struje veinskih nositelja koji se injektiraju u svoja manjinska podruja
(elektroni i upljine respektivno), a ISP i ISN struje manjinskih nositelja (upljine i elektroni
respektivno).
P
EG
-
EFP
EB (energija barijere)
EFN
dB
-
dBP dBN
Slika 3.3.
Energetski dijagram P-N spoja u ravnotei.
dB irina barijere (obuhvaa prostorni naboj)
Potencijalna razlika izmeu P i N strane koja postoji pod ravnotenim prilikama naziva se
kontaktni potencijal UK i iznosi
U K = E K ( x)dx
(3.2)
Kontaktni potencijal raste s porastom koncentracija veinskih nositelja u poluvodiu tj., to su

koncentracije neistoa s obje strane barijere vee, to e i kontaktni potencijal biti vei.
Tipine vrijednosti kontaktnog potencijala za nedegenerirane germanijeve P-N spojeve kree
se u granicama od 0.2 0.6 V (najee 0.2 V), a za silicijeve P-N spojeve ove vrijednosti se
kreu od 0.4 0.9 V (najee 0.7 V). Takoer, to je kristal vie oneien, debljina barijere
je manja:
d BN
N
= A
d BP N D
(3.3)
62
Kontaktni potencijal polagano opada s porastom temperature jer porastom temperature P i Nstrana tee intrinsinom stanju (Fermijev nivo se pribliava sredini zabranjene vrpce). Za
ekstrinsino temperaturno podruje vrijedi izraz
UK
kT N A N D
ln
q
ni2
(3.4)
3.1.1. P-N spoj pod djelovanjem napona

Ako P-N spoj smjestimo u elektrino polje, slobodni nositelji naboja e se moi, pod
djelovanjem vanjskog polja, kretati, odnosno prelaziti dodirnu povrinu. To znai da e
vanjsko polje utjecati na polje stvoreno kontaktom P-N, tako ga pojaati i na taj nain stvoriti
veu barijeru ili ga smanjiti i stvoriti manju barijeru. Drugim rijeima, vanjsko polje
kontrolira prijelaz nositelja naboja s jedne na drugu stranu dodirne povrine. Ispravljako
djelovanje P-N spoja sastoji se u tome to e struja uz isti napon kod promjene polariteta
(smjera narinutog polja) biti razliita.
Slika 3.4.
Energetski dijagram P-N spoja za propusnu i nepropusnu polarizaciju
Djelovanje vanjskog elektrinog polja zapravo znai da smo na P-N spoj prikljuili neki
naponski izvor. Energetski dijagrami prikazani na slici 3.4. odgovaraju spajanju P-N spoja na
naponski izvor kako je prikazano na slici 3.5.
I = - IS
I = ID - IS
+
Nepropusna polarizacija
63
Propusna polarizacija
Slika 3.5.
Nepropusna i propusna polarizacija P-N spoja
Ako na P-stranu P-N spoja spojimo pozitivni pol vanjskog napona, potencijalna barijera se
smanjuje, a ako spojimo negativni pol, potencijalna barijera se poveava. U prvom sluaju
difuzija veinskih nositelja se olakava, pa dolazi do pojaane injekcije elektrona na P-stranu i
upljina na N-stranu tj. P-N spoj je propusno polariziran. Za sluaj poveavanja potencijalne
barijere (minus pol na P-stranu), postoji samo struja manjinskih nositelja koja je vrlo mala i
ne ovisi o naponu. Ovakva polarizacija se naziva reverzna ili nepropusna polarizacija.
Dakle, s obzirom na postojanje majoritetnih i minoritetnih nositelja imamo dvije mogue
struje:
- ID : struja koja je rezultat kretanja veinskih (majoritetnih) naboja ili struja difuzije
- IS : struja koja je rezultat kretanja manjinskih (minoritetnih) naboja ili struja saturacije
tj. zasienja
U propusnom sluaju ukupna struja je jednaka razlici struje difuzije i zasienja (Slika 3.6.a.):
I = ID IS
(3.5)
Minoritetni naboji uglavnom miruju ( I D [mA] >> I S [A] ), a ako se gibaju, onda je to u
suprotnom smjeru od majoritetnih.
U nepropusnom sluaju ukupna struja jednaka je struji saturacije (Slika 3.6.b.):
I = I S
P
(3.6)
P
ID
IS
IS
a)
b)
Slika 3.6.
Struje difuzije i saturacije za a) propusnu i b) nepropusnu polarizaciju
64
3.2. Poluvodike diode

P-N spoj koji ima izvode na N-strani i P-strani moe se ukljuiti u elektrini krug kao njegov
element. Taj element nazivamo poluvodika dioda ili krae dioda.
Osnovna osobina diode je nelinearnost karakteristike, tj. u jednom smjeru proputa veliku
struju, a pad napona na njoj je mali. U drugom smjeru i pod velikim naponom struja je
zanemariva. Pozitivan kraj pri proticanju struje zove se anoda, a negativan katoda.
Slika 3.7.
Simboliki prikaz diode
Ako na diodu spojimo izmjeninu struju, ona e je ispravljati. To je tzv. poluvalno
ispravljanje (Slika 3.8.a).
Slika 3.8.
Napon na otporniku R ako je napon izvora
a) Izmjenini
b) Istosmjerni (dioda propusno polarizirana)
c) Istosmjerni (dioda nepropusno polarizirana)
65
Bitni sastavni dijelovi neke P-N diode dobivene postupkom difuzije neistoa prikazani su na
slici 3.9.
0.2 mm
metalni
prikljucak
metalizirani
film
metalni
prikljucak
N
1 mm
Slika 3.9.
Sastavni dijelovi P-N diode
Da bi se izradila dioda, uzima se blok kristala, u prikazanom primjeru N-tipa. Jedan dio se
tehnoloki obradi u P poluvodi i tako dobijemo diodu. Da bi se dioda mogla koristiti,
potrebno ju je spojiti s ostalim elementima. Na povrini se nalaze metalni spojevi s izvodima.
Na mjestima gdje je metal nanesen na diodu imamo jo jednu granicu tj. spoj metalpoluvodi. Taj spoj ima neki otpor koji je omski (neispravljaki) ako je energija rada izlaza
metala manja od energije rada izlaza N poluvodia (EWM < EWN), odnosno za P-tip poluvodia
energija rada izlaza metala treba biti vea od energije rada izlaza poluvodia (EWM > EWP). to
je manji otpor, dioda e se manje zagrijavati. Ako elimo prenositi velike energije tankim
icama, treba sniziti temperaturu (supravodljivo stanje).
3.2.1. Strujno-naponska karakteristika P-N dioda
Pomou statike karakteristike diode moemo zakljuiti o stvarnim odnosima izmeu struje
koja protjee diodom i napona na koji je ona prikljuena.
Na slici 3.10. pozitivna i negativna strujna os nisu u istom mjerilu, jer bi inae struja IS bila
premala da bi je primijetili na grafu. Ako poveavamo nepropusni napon, poveava se
barijera. Izgleda kao da se nita ne dogaa. Ali, nije tako: poveavanjem negativnog napona
ubrzavaju se minoritetni nositelji koji postiu tolike brzine da dolazi do proboja granice i
unitenja P-N spoja. Taj napon zove se napon proboja (UPR). U propusnom podruju struja
vrlo lagano raste do tzv. napona koljena ( U ), poslije ega nastupa vrlo strm rast (kaemo da
dioda "vodi"). U propusnom podruju za struju kroz P-N diodu vrijedi jednadba do koje je
doao Shockley:
qU
I = I S e kT 1
(3.7)
Na sobnoj temperaturi, T = 290 K (17C) vrijedi

kT
q
= 0.025
= 40 I I S e 40U
q
kT
66
Slika 3.10.
Statika karakteristika diode
Dakle, s obzirom na radne temperature i napone, izraz (3.7) u praksi moemo pojednostavniti
i koristiti jednadbu
qU
I I S e kT
(3.8)
Moe se pokazati da struja zasienja ili reverzna struja IS ovisi o temperaturi i irini
zabranjene vrpce
I S = KT 3 e
EG
kT
(3.9)
odakle moemo dobiti izraz za struju diode

I = KT 3 e
EG qU
kT
(3.10)
Kako je ve napisano, naponi kod kojih dolazi do naglog porasta struje variraju u irokim
granicama i kreu se od nekoliko volti do nekoliko kilovolti, ovisno o vrsti diode i
tehnolokom postupku pri izradi, nazivaju se naponi proboja. Proboj nastupa zbog dva
uzroka:
a) tuneliranje (Zenerov proboj)
b) lavinski proboj
67
Kod tuneliranja dolazi do prelaza valentnih elektrona iz P-poluvodia u vodljivu vrpcu Npoluvodia. Ovakav proboj nastaje u sluaju vrlo uskih barijera, odnosno za velika
oneienja primjesnog poluvodia i objanjava se valnom prirodom elektrona. Iz fizike je
poznato da elektroni uslijed svoje valne prirode mogu prolaziti kroz potencijalnu barijeru.
Prolaenje elektrona kroz barijeru mogue je ako on moe zadrati svoju energiju i na drugoj
strani barijere. Vjerojatnoa prolaenja je to vea to je barijera ua, a takoer i to vie ima
elektrona s jedne strane barijere i vie slobodnih mjesta (nepopunjenih energetskih nivoa) s
druge strane (Slika 3.11).
ECP
EB
EVP
E0
ECN
EVN
dB
dB
a)
b)
Slika 3.11.
Tunelski proboj.
a) Elektron moe proi kroz potencijalnu barijeru ako na suprotnoj strani postoji prazno
mjesto (slobodan energetski nivo) i ako moe zadrati svoju energiju
b) U P-N spoju elektroni iz valentne vrpce poluvodia P tipa mogu prei u vodljivu vrpcu
poluvodia N tipa ako je dno vodljive zone ECN ispod nivoa valentne vrpce EVP i ako je
pri tome irina barijere dB mala.
Lavinski proboj je uvjetovan manjinskim nositeljima koji slobodno prolaze barijeru, razbijaju
valentne veze unutar barijere, zbog ega dolazi do stvaranja dodatnih parova elektron-upljina
pa naglo raste ukupna struja. Ova pojava je mnogo ea i do nje dolazi kod irih barijera.
Openito moemo pretpostavljati da za napon proboja UPR < 5 V dominira Zenerov efekt, za
UPR > 8 V dominira lavinski efekt, a izmeu tih vrijednosti imamo simultano djelovanje oba
mehanizma.
68
3.2.2. Neke vrste P-N dioda

Osim ve opisanih dioda iji se rad temelji na nelinearnosti opisane statike karakteristike,
postoje i druge vrste dioda koje imaju neke specifinosti koje se u primjenama mogu
iskoristiti. Najee su:
-
Zener diode
Tunel diode (Esaki diode)
Diode s povrinskom barijerom (Schottky dioda)
Varikap (kapacitivne) diode
LED diode
Zener diode rade u zapornom (nepropusnom) podruju. Po svojoj konstrukciji i vanjskom

izgledu Zenerova dioda je ista kao i ve opisane usmjerivake (ispravljake) diode. Razlikuju
se po koncentraciji primjesa u poetnom poluvodiu. Naime kod Zenerovih dioda se mora
tono odrediti koncentracija primjesa u poluvodiu, kako bi se dobio eljeni napon proboja.
Ove diode koriste probojno svojstvo diode za stabilizaciju napona. Dobra Zenerova dioda ima
malu struju zasienja sve do proboja, a probojni napon (koji nije destruktivan) je gotovo
neovisan o struji. Za stabilizaciju napona najee se primjenjuju diode s probojnim naponima
do 30 V.
Uul
Uiz = Uz
RE
Slika 3.12.
Jednostavni regulator napona
Tunel (Esaki) diode. Za dobivanje tunel diode koristi se poluvodiki materijal velikog
oneienja, tj. degenerirani poluvodi. Tunel dioda ima karakteristiku koja je u velikoj mjeri
razliita od standardne karakteristike (Slika 3.13). Koristi se iskljuivo u propusnom
podruju. Struja u nepropusnom smjeru i u poetnom dijelu propusnog smjera je rezultat
tuneliranja elektrona kroz barijeru.
I
g=0
g<0
g>0
g>0
g=0
1.
2.
3.
Slika 3.13.
Strujno-naponska karakteristika tunel-diode
69
U podruju 1. i 3. prikazanim na slici 3.13. vodljivost normalno raste s poveanjem napona, a

u podruju 2. vodljivost opada (negativan otpor ili vodljivost). Statika vodljivost (Slika 3.14)
moe se izraziti kao:
I
G0 = 0 = tg 0
(3.11)
U0
Slika 3.14.
Grafiko odreivanje statike i dinamike vodljivosti
Dinamika vodljivost je omjer struje i napona u radnoj toki, ali za male promjene napona i
struje, tj. u okoliu radne toke. Sa slike 3.14. moemo oitati dinamiku vodljivost:
g0 =
dI
I
2I
=
g0 =
= tg 0
dU
2U U
(g = 1 / r )
(3.12)
gdje je r dinamiki otpor.

Statika vodljivost je odreena kutom sekante, a dinamika kutom tangente. Kod tunel diode
je u prvom podruju kut tangente pozitivan, na maksimumu je nula, a u drugom dijelu
negativan. Zato kaemo da tunel dioda ima negativnu dinamiku vodljivost izmeu dva
ekstrema. U tom podruju statika vodljivost opada poveanjem napona.
P
ECP
ECP
EVP
malo tuneliranje
EVP
EF
ECN
EFP
ECN
EVN
EVN
a) Nema vanjskog polja (U=0)
P
ECP
EVP
maksimalno tuneliranje
EFP
b) Mala propusna polarizacija (U1>0)
ECP
EFN
ECN
EVN
c) Vea propusna polariz. (U2>U1)
EFN
EVP
EFP
N
malo tuneliranje
EFN
ECN
EVN
d) Jo vea propusna polariz. (U3>U2)
Slika 3.15.
Struja zbog tuneliranja kod propusne polarizacije tunel diode
70
Ono to razlikuje tunel diode od dioda kod kojih postoji samo Zenerovo tuneliranje jest
dodatno tuneliranje elektrona iz vodljivog pojasa N-tipa u valentni pojas P-tipa i u podruju
propusne polarizacije. To tuneliranje jo se zove i Esakijevo tuneliranje. Ovo tuneliranje
mogue je ako je vrh valentnog pojasa P-tipa (EVP) iznad dna vodljivog pojasa N-tipa (ECN)
to je mogue samo kod degeneriranih poluvodia, kao to prikazuje slika 3.15.
Energetski dijagrami za razliite propusne polarizacije na slici 3.15. objanjavaju izgled UI
karakteristike sa slike 3.13. Radi jednostavnosti, dijagrami su prikazani za T=0 K, dakle sva
stanja ispod EF su popunjena, a sva stanja iznad EF su prazna. Temeljni princip rada je
naravno isti i za vie temperature, no onda se mora voditi rauna da podjela izmeu praznih i
popunjenih energetskih stanja nije "otra" kao za T=0 K. Slika 3.15.a) prikazuje energetski
dijagram u ravnotenom stanju, kada nema nikakvog vanjskog polja. Tuneliranje elektrona,
unato vrlo uskoj barijeri, nije mogue jer na suprotnoj strani nema dostupnih slobodnih
energetskih stanja u koja bi elektroni doli. Meutim, ako se dioda propusno polarizira nekim
malim naponom, dolazi do smanjenja polja kontakta, odnosno smanjenja barijere. Ovo je
prikazano na slici 3.15.b) kao malo podizanje energija na N strani. Sada postoji mali broj
elektrona u vodljivom pojasu na N strani za koje postoje odgovarajua (na istim energijama)
slobodna energetska stanja na P strani. Ovo je na slici 3.15.b) prikazano kao malo osjenano
podruje na energetskom dijagramu. Svi uvjeti za tuneliranje su za te elektrone ispunjeni, te
oni tuneliraju iz vodljivog pojasa N strane u valentni pojas P strane. Drugim rijeima, uz vrlo
malu difuznu struju veinskih nositelja (kao kod ispravljake diode), sada u propusnoj
polarizaciji poinje tei i struja uslijed tuneliranja.
Kako se napon propusne polarizacije poveava, ovo "preklapanje" energetskih stanja u P i N
strani je sve vee, tj. broj elektrona koji tuneliraju je sve vei, tj. struja tuneliranja poinje
naglo rasti (znatno bre nego difuzna struja, koja je jo uvijek vrlo mala). Upravo opisani
proces porasta struje primarno uslijed tuneliranja odnosi se na podruje 1. na slici 3.13.
Kada napon propusne polarizacije poraste do razine da postoji maksimalno "preklapanje"
izmeu zauzetih energetskih stanja vodljivog pojasa na N strani i slobodnih energetskih stanja
valentnog pojasa na P strani, struja tuneliranja je maksimalna, to prikazuje slika 3.15.c). Ova
situacija odgovara granici izmeu podruja 1. i 2. na slici 3.13.
Ako se napon propusne polarizacije nastavi i dalje poveavati, tj. ako se energetske razine na
N strani nastave i dalje podizati, "preklapanje" zauzetih i dostupnih slobodnih energetskih
razina na N, odnosno P strani poinje se smanjivati, kako prikazuje slika 3.15.d). Ovi naponi
propusne polarizacije odgovaraju podruju 2. na slici 3.13. Javlja se situacija da sa
poveanjem napona struja pada, to odgovara negativnom dinamikom otporu (vodljivosti), i
upravo ovo podruje je ono gdje se tunel dioda u pravilu koristi.
Daljnje poveanje napona propusne polarizacije nastavlja smanjivati broj elektrona koji mogu
tunelirati, odnosno struju tuneliranja. Istovremeno, difuzna struja se nastavlja monotono
poveavati. U podruju 3. na slici 3.13. difuzna struja se toliko povea da dominira u odnosu
na struju tuneliranja, koja sa daljnjim poveanjem napona propusne polarizacije potpuno
iezava - tunel dioda ponaa se sada kao obina ispravljaka dioda.
Diode s povrinskom barijerom (Schottky diode). Za razliku od konvencionalnih dioda s P-N
spojem koje se formiraju na spoju dva razliita tipa poluvodia, Schottky diode se formiraju
na spoju izmeu metala (npr. Al) i poluvodia. Ispravljaki kontakt zavisi samo o veinskim
nositeljima naboja i mnogo je bri od P-N spojeva ija je brzina rada ograniena relativno
sporom rekombinacijom manjinskih nositelja naboja. Ova vrsta dioda takoer ima relativno
mali pad napona (tj. mali napon koljena) od oko 0.25 V pa se esto koriste pri izradi brzih
logikih vrata.
71
Varikap (Varaktor) diode. Varikap diode koriste kapacitet reverzno polariziranog P-N spoja.
Ovaj kapacitet ovisi o reverznom naponu na P-N spoju, odnosno diodi. Prema tome, moe se
koristiti kao promjenljivi kondenzator kod kojeg se kapacitet mijenja inverzno naponu
reverzne polarizacije. Razlika u odnosu na obine ispravljake diode je to je proizvodnim
procesom realiziran znatno vei kapacitet barijere. Tipina varikap dioda ima kapacitet od 160
pF pri naponu od 1 V, za razliku od kapaciteta od 9 pF pri naponu 10 V.
LED (Light Emitting Diode). Prilikom rekombinacije elektrona sa upljinom, potencijalna
elektrina energija se pretvara u elektromagnetsku energiju. Svakom rekombinacijom kvant
elektromagnetske energije se emitira u formi fotona s frekvencijom (bojom) ovisnom o vrsti
poluvodikog materijala, tonije o energetskom razmaku izmeu vodljive i valentne vrpce PN
spoja. Npr. dioda od galij-fosfida (GaP) daje zelenu ili crvenu boju, a dioda od galij-arsenidfosfora (GaAsP) daje crvenu ili utu boju. Ova vrste diode radi na naponima od 1-4 V (napon
koljena vei od 1V) i strujama od 2-40 mA.
3.3. Dovoenje diode u radnu toku i nadomjesni sklop
Na poluvodike diode obino se prikljuuju izmjenini naponi. Tim naponima je esto

superponirana i istosmjerna komponenta napona. Ovisno o veliini amplitude izmjeninog
napona razlikujemo rad u reimu malih signala kod kojeg se ne mora uzeti u obzir
nelinearnost strujno-naponske karakteristike diode te rad s velikim amplitudama izmjeninog
napona. Kod ovog reima rada mora se uzeti u obzir nelinearnost karakteristike.
Diodu u radnu toku (I0, U0) dovodimo pomou istosmjernog napona U0. Izmjenini napon
u(t) diodu dovodi u dinamiko stanje.
+
u(t)
+
U0
Slika 3.16.
Dioda u radnoj toki
1*
I0 + i(t)
-
I0
2*
u(t)
+
U0
U0
a)
b)
Slika 3.17.
Dovoenje diode u radnu toku
a) Statiko stanje; b) Statiko i dinamiko stanje
72
Na slici 3.17.a prikazano je statiko stanje diode. U ovom sluaju u elektrinom krugu imamo
istosmjerni napon. Pretpostavka je da dioda nee djelovati kao kratki spoj. Sama dioda
predstavlja neki otpor u strujnom krugu, a taj otpor moemo odrediti iz
R=
U0
1
=
= ctg
I 0 tg
(3.13)
R je omski otpor diode ili statiki otpor diode u radnoj toki. Drugi dio jednadbe (3.13)
odgovara ve napisanom izrazu (3.11) u prethodnom poglavlju.
Izmjenini napon (Slika 3.17.b) je znatno manji od U0. Izmjenini napon dovodi do promjene
napona izmeu toaka 1 i 2 pa imamo izraz za dinamiki otpor
r=
1
= ctg
tg
(3.14)
3.3.1. Nadomjesni sklop (ekvivalentna shema)

Nadomjesni sklop diode za istosmjerni napon prikazan je na slici 3.18.a) i zapravo odgovara
slici 3.17.a), dok je nadomjesni sklop za izmjenini napon (dinamiko stanje) prikazan na slici
3.18.b).
I0
1*
i(t)
2*
1**
2**
u(t)
a)
b)
Slika 3.18.
a) Nadomjesni sklop diode za istosmjerni napon
b) Nadomjesni sklop diode za izmjenini napon
Za reim malih signala moemo pomou Shockleyeve jednadbe izraziti dinamiku
vodljivost:
qU
I = I S e kT 1
I S = KT e
3
EG
kT
dI
dU
qU
q
I S e kT
g=
kT
g=
(3.15.a)
73
Dinamiku vodljivost moemo odrediti i na drugi nain pomou izraza
I = ISe
qU
kT
IS I + IS = ISe
g=
q
(I + I S )
kT
qU
kT
(3.15.b)
Za podruje propusnih polariteta vrijedi I >> I S pa drugi lan moemo zanemariti:
g=
q
I
kT
(3.16)
Ako kaemo da je struja kroz diodu
I ISe
qU
kT
onda je dinamika vodljivost diode

qU
q
q
I=
I S e kT
kT
kT
(3.17)
i dalje
q
KT 3 e ( EG qU ) / kT
kT
qK 2 ( EG qU ) / kT
g
T e
k
(3.18)
Za podruje nepropusnih polariteta vrijedi I = I S odakle uvrtavanjem u izraz (3.15.b)

za vodljivost dobijemo
g=0
(3.19)
Na viim frekvencijama ponueni nadomjesni sklop nije dovoljno toan. Potrebno je u

ekvivalentnu shemu uvesti i kapacitivnosti do kojih dolazi zbog difuzije naboja (Cdif) te
parazitne kapacitivnosti dovoda (Cpar). Takoer, zbog tonosti uzet emo u obzir i omski
otpor dovodnih spojeva (rs).
dQ
.
Kapacitet difuzije moe se objasniti pomou poznate relacije za kapacitet C =
dU
Promjenom napona koji prolazi kroz diodu, promijenit e se i naboj (upljine difudiraju od
barijere) i struja nakon uspostavljanja novog stacionarnog stanja. Omjer promjene ukupne
vrijednosti injektiranog naboja upljina i promjene napona narinutog na diodu daje nam
veliinu difuzijskog kapaciteta:
Cdif =
dQ
dU
(3.20)
74
Nastojimo da otpor dovodnih spojeva bude to manji. To postiemo smanjivanjem dovoda

(skraivanjem iica). Na taj nain smanjujemo i parazitni kapacitet (kapacitet dovoda).
Dioda e biti idealnija to su joj vodljivost (g) i kapacitet difuzije vei.
Nadomjesni sklop dinamikog stanja diode u uvjetima propusne polarizacije prikazan je
na slici 3.19.
rs <<
g >>
Cdif >>
Cpar <<
Slika 3.19.
Nadomjesni sklop dinamikog stanja u
uvjetima propusne polarizacije
Za nepropusno polariziranu diodu imamo iskljuivo reverznu struju diode (Slika 3.20).
IS0
IS0
R >>
U0
a)
b)
IS
U
c)
Slika 3.20.
Nepropusna polarizacija diode
a) Statino stanje ; b) Reverzna struja diode ; c) Nadomjesna shema za statino stanje
Otpor R je vrlo velik jer je struja ISO vrlo mala. Dioda zatvara prolaz struje.
Ukoliko imamo izmjenini napon na diodi u nepropusnom podruju vrijedi slika 3.21. Na
slici 3.21.b) nije nacrtan istosmjerni izvor napona. Kod dinamikih pojava se izostavljaju
istosmjerni izvori, ali se pretpostavlja da se dioda nalazi u nekoj unaprijed odreenoj
statikoj radnoj toki.
75
IS0
r >>
u(t)
u(t)
+
U0
a)
b)
Slika 3.21.
Pojednostavnjeni nadomjesni sklop diode
u dinamikom stanju u nepropusnom podruju
Za promjenu napona nema promjene struje. Izmjenina struja i(t) je toliko mala da se
moe zanemariti. To znai da je dinamiki otpor diode r vrlo velik. Za nepropusnu
polarizaciju pri viim frekvencijama (dinamiko stanje) nadomjesni sklop prikazan na
slici 3.21. nije dovoljno toan. U ovoj nadomjesnoj shemi, za razliku od sheme propusne
polarizacije, nema difuzije (radi obrnute polarizacije) pa nemamo kapaciteta difuzije.
Umjesto njega, prisutan je kapacitet barijere (Cbar). Kapacitet barijere ovisi o promjeni
naboja u barijeri (irina barijere se mijenja promjenom napona) dok kapacitet difuzije
ovisi o promjeni naboja van barijere.
rs <<
g <<
Cbar
Cpar
Slika 3.22.
Nadomjesni sklop dinamikog stanja u
uvjetima nepropusne polarizacije
Dakle, da zakljuimo: ako se dioda postavi pomou istosmjernog izvora baterije u odreenu
statinu radnu toku propusno polariziranog stanja, onda se elektriki moe prikazati za
dinamino stanje malih signala nadomjesnim sklopom na slici 3.19., a za nepropusnu
polarizaciju nadomjesnim sklopom sa slike 3.22.
76
3.4. Ogranienje snage u poluvodikim diodama
Protok struje I kroz poluvodiki kristal uzrokuje pad napona U, pa je snaga koja se razvija:
P
U I
(3.21)
Ta se snaga (zbog omskog optereenja) oituje kao toplina, odnosno kao porast temperature u
poluvodiu u odnosu na temperaturu okoline. Ako temperatura poluvodia TS prijee neku
maksimalnu vrijednost TSmax, dolazi do unitenja poluvodikog elementa (u ovom
razmatranju, diode). Npr. za Ge-diode ova maksimalna temperatura je (grubo) oko 100 C,
dok je za Si-diode oko 200 C. Stoga je oito da je u radu diode (kao uostalom i bilo kojeg
drugog poluvodikog elementa) potrebno voditi rauna da snaga koja se razvija (disipira) na
elementu ne izazove porast temperature iznad neke (od proizvoaa navedene) maksimalne
vrijednosti TSmax.
Porast temperature u poluvodiu ovisi o dva temeljna mehanizma. S jedne strane, snaga,
zadana relacijom (3.21), koja se disipira kao posljedica protoka struje, "gomila" toplinu u
materijalu i tako nastoji povisiti temperaturu poluvodia. No, s druge strane, poluvodi je
smjeten u okoli koji je u pravilu na nioj temperaturi. Toplina stoga prelazi prvo na kuite
u kojem je poluvodi smjeten a onda sa kuita na okoli u kojem element radi (tipino zrak),
ime se temperatura poluvodia nastoji sniziti (tj. izjednaiti sa temperaturom okolia). Prvi
mehanizam oito zavisi o elektrinim parametrima (tj. struji kroz poluvodi i padu napona),
dok drugi zavisi o mehanikoj izvedbi i okoliu. Radna temperatura poluvodia TS dosegne se
kada se ova dva mehanizma generiranja i odvoenja topline uravnotee (tj. kad je "priljev"
topline uslijed disipirane snage P jednak "odljevu" topline prema tokama na nioj
temperaturi, tj. okoliu).
Ako je sa TA zadana konstantna temperatura okolia (ambijenta) onda e poluvodi biti na
vioj temperaturi TS za veu disipiranu snagu P (tj. vei "priljev" toplinske energije). Drugim
rijeima, razlika temperatura izmeu poluvodia i okolia, proporcionalna je snazi P koja se
disipira uslijed protoka struje I:
TS T A
K P
(3.22)
Konstanta proporcionalnosti K [C/W] se zove ukupni toplinski otpor kristal-okolina i esto

se oznaava sa RT. ili RTH . to je toplinski otpor K manji (uz konstantnu P i TA), toplina lake
odlazi sa kristala u okoli (vei "odljev", tj. bolje hlaenje), pa e i TS biti nia. Stoga je
maksimalna doputena snaga P koja se smije disipirati na diodi
Pmax
TS max T A
K
(3.23)
Vidimo da se maksimalna doputena snaga na diodi (i samim tim maksimalna struja I, uz

pretpostavku da je pad napona na diodi U konstantan) moe poveati na dva naina. Prvi je da
se snizi temperatura okolia TA , a drugi (koji se u pravilu koristi) je da se snizi K, tipino
dodavanjem vanjskog hladila.
Konano, potrebno je napomenuti da se upravo izloeno razmatranje analogno moe
primijeniti i na ogranienja snage bilo kojeg drugog poluvodikog elementa.
77
3.5. Usporedba poluvodike i vakuumske diode
Elektronska cijev je izala iz upotrebe jer je za njenu upotrebu potrebna vea energija. Ta
energija se odnosi na zagrijavanje katode zbog emisije elektrona (elektronski oblak).
Vakuumska dioda je graena od staklenog balona koji sadri katodu i anodu (Slika 3.24).
Katoda je metalni cilindar graen od metalnog oksida iji je izlazni rad elektrona dosta mali.
Grije se arnom niti koja se napaja iz baterije (Uff). Vakuumska dioda djeluje kao ispravljaka
elektronska cijev.
IA
A
Smjer
kretanja
elektrona
(dogovorni smjer struje)
Uizl(t)
UIZL(t) = R * iIZL(t)
iIZL
Uizl(t)
K
t
Uul(t)
+
UFF
UA
+
t
b)
a)
Slika 3.24.
a) Vakuumska dioda b) Poluvalno ispravljanje
Dok je anodni napon pozitivan, tee struja i dobivamo izlazni napon, a za negativni anodni
napon nema privlaenja elektrona pa struja ne tee (poluvalno ispravljanje).
Karakteristika vakuumske diode razlikuje se od poluvodike (Slika 3.25). Anoda vakuumske
diode porastom napona privlai sve vie elektrona, ali za odreenu vrijednost anodne struje
dolazi do zasienja polja. Struja e porasti jedino ako jo vie zagrijemo katodu. Znai,
vakuumska dioda ne moe pregoriti poveanjem napona. Ipak, kad napon toliko poraste da
prostor izmeu anode i katode nije dovoljna izolacija, skoit e iskra, odnosno dolazi do
proboja. Probojni napon za vakuum je 2.5 kV/cm.
VAKUUMSKA DIODA
POLUVODICKA DIODA
I
Ia
povecanjem napona
termicki sagori
IS
Ua
u negativnom podrucju
se ne dogada nista
napon proboja
Slika 3.25.
Usporedba karakteristike vakuumske i poluvodike diode
78
3.6. Bipolarni tranzistori
Bipolarni tranzistori (transfer resistor otpornik prijenosa) su aktivni poluvodiki elementi

koji u pravilu imaju tri elektrode. Za razliku od unipolarnih tranzistora, kod bipolarnih
tranzistora korisnu struju kroz tranzistor ine veinski i manjinski nositelji naboja. Koriste se
kao pojaala i elektronike sklopke.
Bipolarne tranzistore moemo zamisliti kao spoj dva poluvodika spoja, pa mogu biti PNP i
NPN tipa. Zbog toga se ovi tranzistori jo nazivaju i spojni (junction). Osnovna razlika
izmeu ova dva tipa su obrnuti polariteti baterija. Osnovna ideja prilikom istraivanja koja su
rezultirala prvim tranzistorom (1948. Barden i Brattain, 1949. Shockley) je bila pokuaj da se
naponom i strujom (veliki napon i struja) u jednom elektrinom krugu upravlja pomou struje
(male) iz drugog kruga.
B
E
N
B
B
a)
b)
Slika 3.26.
Shematski i simboliki prikaz a) P-N-P i b) N-P-N tipa tranzistora
Tri elektrode koje tranzistor ima su: E emiter (emitira nositelje naboja), C- kolektor
(sakuplja nositelje naboja), B baza.
E
B
P
P
N
P
C
a)
N
P
b)
Slika 3.27.
a) Legirani tranzistor b) Difuzno-planarni tranzistor
79
Baza je poluvodiki dio kroz koji prolaze nositelji naboja na putu iz emitera prema kolektoru.
Ovisno o primijenjenom tehnolokom postupku proizvodnje tranzistora, irina baze varira.
Ukoliko je koriten postupak legiranja (Slika 3.27.a), baza je fiziki ira (do 10-3 cm) nego to
je irina baze dobivena difuzno-planarnim postupkom (Slika 3.27.b) gdje je irina baze manja
od 10-4 cm. Legirani tranzistori imaju homogenu bazu i prikladni su za rad na niim
frekvencijama, a difuzno-planarni tranzistori imaju nehomogenu bazu i rade na viim
frekvencijama.
3.6.1. Osnovni principi rada tranzistora
Normalno polarizirani P-N-P tranzistor prikazan je na slici 3.28. Openito imamo dva kruga
ulazni i izlazni i dvije baterije koje osiguravaju potrebne napone tj. polarizacije. Mogua je i
izvedba s jednom baterijom kojom se realiziraju dva napona.
Ovisno o vrstama spoja (zajednikoj elektrodi) tranzistora moemo imati:
-
spoj sa zajednikom bazom (ZB)

spoj sa zajednikim emiterom (ZE)
spoj sa zajednikim kolektorom (ZC)
Za tranzistor na slici ulazni krug je krug emiter-baza, a krug kolektor-baza je izlazni. Baza je
zajednika za ulazni i izlazni krug pa kaemo da se radi o spoju sa zajednikom bazom. Za
upoznavanje osnovnih svojstava i rada tranzistora spoj sa zajednikom bazom je najprikladniji
pa emo njega objasniti iako se spoj sa zajednikim emiterom najee koristi. Kod
uobiajenog rada tranzistora, bez obzira na vrstu spoja, dioda emiter-baza polarizirana je
propusno, a dioda kolektor-baza nepropusno.
IE
UEB
IC
IB
+
PNP
UCB
IE
IB
+
UEB
IC
UCB
Slika 3.28.
P-N-P tranzistor u spoju sa zajednikom bazom
Kirchoffov zakon: IE + IB +IC = 0
(dogovor je da sve struje ulaze u tranzistor)
Za razliku od prikazanih polarizacija P-N-P tranzistora, za N-P-N tip tranzistora eljene
polarizacije spojeva emiter-baza i kolektor-baza postiu se suprotnim polaritetom napona
napajanja.
Osnova rada tranzistora: Potrebno je omoguiti upljinama, koje su iz emitera injektirane u
bazu, to potpuniji transport kroz bazu u kolektor. Nepoeljna rekombinacija upljina s
elektronima u bazi e, kako je ve spomenuto, ovisiti o irini baze.
80
P
E
IPC
IPE
-INE
IE
-IR
ICB0
IC
IB
+
UEB
UCB
Slika 3.29.
Unutranja kretanja nositelja naboja u normalno polariziranom P-N-P tranzistoru u spoju sa
zajednikom bazom (ZB)
Objasnimo sada unutranja kretanja naboja u normalno polariziranom P-N-P tranzistoru u
spoju sa zajednikom bazom (Slika 3.29). U emiteru su majoritetni nositelji naboja upljine, a
minoritetni elektroni, a u bazi je obratno. Kod spoja emiter-baza, vanjsko polje je orijentirano
tako da smanjuje barijeru tj. imamo propusnu polarizaciju spoja emiter-baza. Javlja se
kretanje i majoritetnih i minoritetnih nositelja naboja. Ta dva kretanja predstavljaju struju
unutar emitera IE, gdje je IPE struja pozitivnih nositelja, a INE struja negativnih nositelja u
emiteru. Po dogovoru je kretanje pozitivnih nositelja smjer struje, a kretanje negativnih
nositelja je u suprotnom smjeru, pa tu struju oznaavamo s INE:
I E = I PE + I NE
(3.24)
upljine koje iz emitera stignu u bazu preko propusno polariziranog PN spoja emiter-baza
sada u bazi predstavljaju manjinske nositelje, koji bi se, da je rije o normalnoj diodi,
rekombinirali sa veinskim nositeljima u bazi (elektronima). Meutim, rekombinacija se ne
dogaa trenutno, ve je potrebno neko konano vrijeme dok upljina ne "naie" na slobodni
elektron. Zbog ovoga upljine koje iz emitera dou u bazu prou neki konaan put (difuzijsku
duljinu) prije nego ieznu u procesu rekombinacije. Baza je fiziki izvedena na nain da je
znatno ua od difuzijske duljine, pa se veina upljina koji su doli iz emitera ne stigne
rekombinirati u bazi prije nego dou do spoja kolektor-baza. S obzirom da je ovaj spoj
zaporno polariziran, el. polje du PN spoja kolektor-baza zahvaa pristigle upljine (koje su u
bazi manjinski nositelji) i transportira ih u podruje emitera. Ovo predstavlja struju upljina u
kolektoru, IPC. Dakle, moemo rei da emiter "emitira" upljine, i, zahvaljujui vrlo uskom
podruju baze, veinu ovih upljina (tipino oko 99%) "pokupi" kolektor. Preostalih 1%
upljina u bazi se uspijeva rekombinirati sa elektronima iz baze formirajui struju IR.
Struja kolektora IC sastoji se gotovo iskljuivo od ovih upljina pristiglih preko baze iz
emitera, IPC, a manjim dijelom i od struje zasienja ICB0 koja predstavlja vrlo malu struju
zaporno polariziranog spoja kolektor-baza:
I C = I PC + I CB 0
(3.25)
81
Struja baze IB ima tri komponente struja veinskih elektrona INE iz baze koji difuzno odlaze
u emiter kroz propusno polariziran spoj, struja elektrona IR koji se uspiju rekombinirati sa
manjim djelom upljina injektiranih iz emitera, te ve spomenuta struja zasienja ICB0:
I B = I NE I R I CB 0
(3.26)
S obzirom da se tek oko 1% upljina koji iz emitera pristiu u bazu (IPE) rekombinira sa
elektronima u bazi (formirajui IR), moe se rei da na svaki elektron u bazi koji se
rekombinira emiter mora poslati oko 100 upljina, od kojih oko 99 "pokupi" kolektor. Drugim
rijeima, struja IPC je oko 100 puta vea od struje IR, to predstavlja osnovu pojaivakog
efekta tranzistora: mala promjena struje IB izaziva malu promjenu struje IR, ali to izaziva
znatno veu promjenu IPE, samim tim i IPC, te konano struje IC.
Oito je da, ako se eli postii to vei efekt pojaanja, potrebno je ostale komponente struja
(koje ne doprinose opisanom efektu) minimizirati. Struja zasienja ICB0 je, kako je pokazano u
razmatranju PN spoja, zanemarivo mala, pa je njen utjecaj malen. Meutim, struja INE se
sastoji od veinskih nosilaca koji ne doprinose efektu pojaanja, pa se baza tipino vrlo slabo
oneisti u odnosu na emiter. Na ovaj nain postie se da je difuzija elektrona iz slabo
oneiene baze znatno manja nego upljina iz jako oneienog emitera, tj. |INE |<<| IPE|.
Izraz za strujno pojaanje tranzistora u spoju sa zajednikom bazom je
I PC
I
= {I C = I PC + I CB 0 , I CB 0 << I PC } C
IE
IE
(3.27)
Iz opisanog principa rada tranzistora oito je uvijek IC < IE. U praksi je [0.95,0.995] .
Faktor pojaanja je definiran pomou istosmjernih struja pa ga, strogo uzevi, nazivamo
istosmjernim faktorom strujnog pojaanja spoja zajednike baze. Izmjenini faktor strujnog
pojaanja raunamo iz omjera promjene struje kolektora i promjene struje emitera uz
konstantni napon UCB (struja ICB0 ostaje konstantna):
' = (iC / i E )U
CB
(3.28)
Statika i dinamika vrijednost strujnog pojaanja se moe aproksimirati na istu vrijednost,

ako promjene struje emitera i kolektora shvatimo kao amplitude izmjeninih vrijednosti tih
struja uz dovoljno malu frekvenciju signala na kojoj moemo zanemariti reaktivne uinke.
Moemo zakljuiti da tranzistor u spoju zajednike baze ne pojaava struju, odnosno koristi
se kao naponsko pojaalo jer je redovito U CB >> U EB . Naponsko pojaanje posljedica je
razlike dinamikih otpora ulaznog i izlaznog kruga. U ulaznom krugu propusno polarizirani
spoj emiter-baza ima mali dinamiki otpor, a u izlaznom krugu nepropusno polarizirani spoj
kolektor-baza ima veliki dinamiki otpor. Izlazna struja u dinamikim uvjetima je praktino
neovisna o otporu potroaa u izlaznom krugu jer je taj otpor redovito puno manji od otpora
baza-kolektor. Uz priblino jednake struje emitera (ulazna) i kolektora (izlazna) i vrlo veliku
razliku u dinamikim otporima ulaznog i izlaznog kruga, na potroau iji je otpor vei od
ulaznog dinamikog otpora, dobit emo vei izmjenini napon od ulaznog.
Spoj zajednikog emitera (ZE) je najee koriten spoj tranzistora. Kod ovog spoja, baza je
ulazna elektroda, a izlazna elektroda je kolektor (Slika 3.30). U normalnom radnom podruju
spoj emiter baza je propusno polariziran, a spoj kolektor-baza nepropusno. Za P-N-P
tranzistore vrijedi UCE = UBE + UCB, pa za nepropusnu polarizaciju spoja kolektor-baza mora
takoer biti ispunjen uvjet U CE > U BE .
82
Faktor strujnog pojaanja spoja zajednikog emitera definiran je sa :
IC
IB
(3.29)
Temeljem prvog Kirchhoffovog zakona IB + IC + IE = 0, te relacije (3.27) slijedi:
I E
I E
=
=
( I E + I C ) I E I E 1
(3.30)
obino ima vrijednosti od 20 do 200. Dakle, tranzistor u spoju zajednikog emitera ima
veliko strujno pojaanje pa se koristi kao strujno pojaalo.
C
PNP
B
IB
IC
E
IE
+ UBE
UCE
Slika 3.30. - P-N-P tranzistor u spoju zajednikog emitera. U CE > U BE .
Spoj zajednikog emitera zbog U CE > U BE raspolae i s naponskim pojaanjem zbog ega
imamo znatno pojaanje snage. Kao i kod spoja s zajednikom bazom, mogue je faktor
strujnog pojaanja definirati omjerom promjene struje kolektora i baze:
= (iC / i B )U
(3.31)
CE
Spoj zajednikog kolektora (ZC) je spoj kod kojeg je kolektor zajedniki za ulazni i izlazni
krug (Slika 3.31). Ovaj spoj nazivamo jo i emitersko slijedilo. Naime, kod ovakvog spajanja
elektroda tranzistora, svaka promjena napona na bazi izaziva praktiki jednaku promjenu
napona na emiteru pa moemo kazati da emiterski napon slijedi bazni. Naponskog pojaanja
nema, ali ovaj spoj ima znaajno strujno pojaanje.
E
PNP
B
IB
IE
C
IC
UBC
UEC
Slika 3.31. - P-N-P tranzistor u spoju zajednikog kolektora. U EC > U BC .
Vie o koritenju tranzistora za pojaanje signala

elektronikim sklopovima.
biti e objanjeno u poglavlju o
83
Prema polarizaciji emiterskog i kolektorskog spoja, razlikujemo rad tranzistora u etiri

podruja:
1. Normalno aktivno podruje. Spoj emiter-baza je polariziran propusno (PNP: UEB > 0),
a kolektor-baza nepropusno (PNP: UCB < 0). Rad tranzistora u ovom podruju smo
prethodno analizirali i ovo je uobiajeni nain rada kad tranzistor koristimo kao
pojaalo.
2. Inverzno aktivno podruje. Kod ovog naina rada uloge emitera i kolektora su
izmijenjene pa je spoj kolektor-baza propusno polariziran (PNP: UCB > 0), a spoj
emiter-baza nepropusno (PNP: UEB < 0). Zbog konstrukcije tranzistora, faktor
pojaanja je povoljniji ako se za emiter upotrebi elektroda predviena od strane
proizvoaa iako nema bitnih razlika prema radu u normalnom aktivnom podruju.
3. Podruje zasienja. Oba spoja su propusno polarizirana (PNP: UEB > 0, UCB > 0).
Naponi propusnih polarizacija su mali to uzrokuje mali otpor izmeu bilo kojih
elektroda tranzistora. Rad tranzistora u podruju zasienja moe se prikazati kao
superpozicija rada u normalnom i inverznom aktivnom podruju.
4. Zaporno podruje. Oba spoja su nepropusno polarizirana (PNP: UEB < 0, UCB < 0).
Kao rezultat polarizacije imamo veliki otpor spoja emiter-baza kao i spoja kolektorbaza te malu struju (minoritetnih nositelja).
Prebacivanje tranzistora iz zapornog podruja u podruje zasienja i obratno, koristi se u
impulsnim elektronikim sklopovima za rad tranzistora kao sklopke.
3.7. Statike karakteristike tranzistora
Grafiki prikazane zavisnosti izmeu ulaznog napona, ulazne struje, izlaznog napona i izlazne
struje nazivaju se statikim karakteristikama. Ovisno o vrsti spoja i promatranim veliinama,
imamo dvanaest familija karakteristika.
Moemo ih podijeliti u etiri grupe:
-
Ulazne karakteristike (npr. za spoj ZB: I E = f (U EB )U CB = konst . )
Izlazne karakteristike (npr. za spoj ZB: I C = f (U CB )I E = konst . )
Prijenosne karakteristike (npr. za spoj ZB: I C = f (I E )U CB = konst . )
Karakteristike povratne veze (npr. za spoj ZB: U EB = f (U CB )I E = konst . )
Pri tome je jedna od veliina, izlaznih odnosno ulaznih, konstantna. Za konstantnu veliinu
odabiremo onu veliinu koju je najlake odravati konstantnom tijekom mjerenja. Najee se
daju ulazne i izlazne karakteristike i s njima su statika svojstva tranzistora na odreenoj
temperaturi odreena u potpunosti.
Takoer je potrebno napomenuti konvenciju oznaavanja predznaka napona. Kako znamo,
napon je razlika potencijala izmeu 2 toke. Obino se ove dvije toke oznae u indeksu
napona. Npr. UCB predstavlja razliku potencijala izmeu kolektora (C) i baze (B).
Pretpostavlja se da je potencijal toke prvog indeksa u oznaci napona vei od potencijala. Ako
ovo nije tono, napon je negativan. Npr. UBE = -1V znai da je potencijal baze 1 V nii od
potencijala emitera. Umjesto ovoga moglo se napisati i UEB = 1V. (isto kao UBE = -1V).
84
3.7.1. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednike baze

I UL = I E
U UL = U EB
I IZ = I C
U IZ = U CB
Ulazna karakteristika: I E = f (U EB )U CB = konst .
Izlazna karakteristika: I C = f (U CB )I E = konst .
Slika 3.32
PNP tranzistor u spoju zajednike baze (ZB)
a) Ulazne karakteristike; b) Izlazne karakteristike
Iz ulaznih karakteristika prikazanih na slici 3.32.a) vidljivo je da porast napona propusne
polarizacije UEB uzrokuje eksponencijalni porast struje emitera IE. Vea reverzna polarizacija
spoja kolektor-baza uzrokuje neto veu struju emitera. Ulazne karakteristike imaju poznati
oblik propusno polariziranog PN spoja, to je, s obzirom na opisani princip rada bipolarnog
tranzistora, i oekivano. Izlazna karakteristika prikazana na slici 3.32.b). Za napon UCB < 0
tranzistor radi u normalnom aktivnom podruju, a za UCB > 0 tranzistor je u podruju
zasienja. Vrlo mali porast struje IC s porastom iznosa napona UCB je posljedica Earlyevog
efekta (efekt promjene irine baze kod promjene napona reverzne polarizacije). Mala ovisnost
ulaznih karakteristika o izlaznom naponu UCB je takoer posljedica Earlyevog efekta. esto se
ova ovisnost ulazne struje o izlaznom naponu zanemaruje i uzima kao jedna UI-karakteristika
propusno polariziranog PN spoja emiter-baza, bez obzira na iznos izlaznog napona UCB.
Napomena: primjeri su za P-N-P tranzistor.
3.7.2. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednikog emitera
I UL = I B
U UL = U BE
I IZ = I C
U IZ = U CE
Ulazna karakteristika: I B = f (U BE )U CE = konst .
Izlazna karakteristika: I C = f (U CE )I B = konst .
IB [ A]
85
IC [mA]
UCE =-2V
-120
IB = -300 A
-12
IB = -250 A
-100
-10
IB = -200 A
UCE =-8V
-80
-8
I = -150 A
-60
-6
UCE =0V
I = -100 A
-40
-4
-20
-2
I = -50 A
IC =ICE0
-0.3
-0.6
-0.9
UBE [V]
-2
IB = 0 A
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
UCE [V]
Slika 3.33.
PNP tranzistor u spoju zajednikog emitera (ZE)
a) Ulazne karakteristike; b) Izlazne karakteristike
Porastom napona UBE = -UEB struja IB raste eksponencijalno (Slika 3.33.a). Promatrajui
izlaznu karakteristiku (Slika 3.33.b) moemo primijetiti znaajniji porast struje kolektora u
ovisnosti o naponu UCE., dakle Earlyev efekt je u znaajnije izraen u izlaznim
karakteristikama tranzistora u spoju ZE. Lijevo od koljena karakteristike tranzistor je u
podruju zasienja jer vie nije U CE > U BE , to znai da je napon UCB>0 (propusna
polarizacija). Isto tako, ako ne tee ulazna struja (IB=0) ulazni spoj baza-emiter nije propusno
polariziran (po apsolutnom iznosu je manji od napona koljena PN spoja baza-emiter). U ovom
sluaju tranzistor je u podruju zapiranja.
3.8. Ogranienja u radu tranzistora
Ogranienja u radu tranzistora mogu se podijeliti u tri grupe:
-
naponska ogranienja
strujna ogranienja
ogranienja snage
Za svaki tranzistor bi trebalo biti zadano polje izlazne karakteristike podruja unutar kojega je
dozvoljeno da se nalazi radna toka tranzistora. To znai da moramo ograniiti struju, napon i
snagu.
PC = I IZ U IZ
(3.32)
Naponska ogranienja su povezana s dozvoljenim vrijednostima napona spojeva kod kojih

dolazi do proboja. Maksimalna dozvoljena toplina rada tranzistora izravno utie na tzv.
ogranienja snage, a maksimalna dozvoljena snaga utie i na ogranienje struje. Postoje jo i
frekvencijska ogranienja, ali ona su vezana uz dinamika svojstva tranzistora koja e biti
izloena u narednim poglavljima.
IIZ
86
PCMAX
IIZMAX
UIZMAX UIZ
Slika 3.34.
Ogranienja rada tranzistora radna toka se nalazi unutar osjenanog podruja
3.9. Dinamika svojstva bipolarnih tranzistora
ube(t)
Istosmjerni naponi UBE, UCE, itd. (ovisno o vrsti spoja tranzistora) odreuju statiku radnu
toku tranzistora. Osim ovih napona, djeluju i izmjenini (vremenski promjenjivi) naponi koji
se superponiraju (zbrajaju) na istosmjerne pa kaemo da tranzistori rade pod dinamikim
uvjetima. S obzirom da se bilo kakav izmjenini signal moe prikazati kao suma signala
sinusoida razliitih amplituda i frekvencija, pravilu se analiza u izmjeninim uvjetima
sprovodi nad signalom sinusoidalnog oblika. Kao posljedica ove izmjenine komponente je
pomicanje radne toke po karakteristici oko statike radne toke Q (Slika 3.35). To je
dinamiko stanje tranzistora. Sad i struja postaje promjenljiva vremenska veliina. Moemo
primijetiti da e do veih promjena struje, zbog promjene napona, doi ako je karakteristika
strmija.
Slika 3.35.
Rad tranzistora pod dinamikim uvjetima (PNP tranzistor u spoju zajednikog emitera)
a) Dovoenje tranzistora u radnu toku; b) Izmjenina ulazna struja kao posljedica
izmjeninog napona na ulazu Q je statika radna toka na ulazu
Nelinearnost karakteristike uzrokovat e izoblienje u obliku izmjenine struje (u odnosu na
ulazni napon), tj. struja nee biti potpuno sinusoidalnog oblika. Reim malih signala
predstavlja linearnu aproksimaciju strujno-naponske ovisnosti. Ova aproksimacija vrijedi za
87
male ulazne izmjenine napone, kod kojih se moe uzeti da je oblik struje isti kao oblik
napona (jer se nelinearna krivulja na malom segmentu oko statike radne toke tretira kao
pravac, tj. kao da je linearna)
3.10. Tranzistor kao etveropol
Ako nam sva svojstva tranzistora i nisu u potpunosti poznata, moemo ga prikazati kao
etveropol (Slika 3.36). Openito, za neki element kojeg prikazujemo kao etveropol nije
nuno znati na kojem principu radi i od kojih se elemenata sastoji. Dovoljno je znati zavisnost
izmeu napona na njegovim krajevima i struja koje protjeu kroz te krajeve. Ukoliko su
zavisnosti izmeu struja i napona linearne, potrebno je poznavati parametre etveropola.
Osnovni razlog prikazivanja tranzistora kao etveropola je to se tranzistor aproksimira samo
linearnim elementima (otpornik, te naponski i strujni izvori), to omoguava znaajno
jednostavniju analizu itavog sklopa, nego da se u obzir uzimaju sve nelinearnosti u
ponaanju tranzistora.
Ovisno o vrsti jednadbi kojim opisujemo povezanost izmeu ulaznih i izlaznih napona i
struja, postoji tri tipa etveropola: Z, Y i H.
PNP
C
B
+ i1=IUL
u1=UUL
h11
h12u2
i2=IIZ
C
u2=UIZ
1/h22
- h21i1
E
crna kutija
(cetveropol)
Slika 3.36.
Tranzistor kao etveropol
U Z-tipu su koeficijenti u sistemu jednadbi otpori (impedancije), u Y-tipu koeficijenti su
vodljivosti (admitancija), a u H-tipu koeficijenti u sustavu jednadbi su mijeani
(impedancija, vodljivost i bezdimenzionalne veliine). H-tip etveropola ili hibridni tip se vrlo
esto koristi, njegovi parametri lako se odreuju iz statikih karakteristika tranzistora, pa
emo njega i detaljnije objasniti.
Dodatak: pojam efektivne vrijednosti
u (t ) = U max cos(t + ) ; i (t ) = I max cos(t + )
Efektivna vrijednost izmjenine struje jednaka je onoj vrijednosti konstantne istosmjerne
struje Ief koja na otporu R za vrijeme T proizvede istu koliinu topline kao i promatrana
izmjenina struja i na istom otporu za isto vrijeme. Napiimo izraz za toplinu:

T
Q = i (t ) 2 Rdt = I ef2 RT I ef =
0
88
1
i (t ) 2 dt
T 0
i dalje
T
T
T
2
2
2
I max
I max
I max
1 2
1 2
1
1
I
2
i
t
dt
I
t
l
dt
[
t
l
]
dt
T
(
)
=
cos
(
+
)
=
1
+
cos(
+
)
=
=
= max
max
T 0
T 0
T 20
T 2
2
2
Napomena: Ako se sustavi jednadbi piu malim slovima, radi se o dinamikim (izmjeninim)
veliinama, a ako se piu velikim slovima, to nije statika (istosmjerna) vrijednost, nego
efektivna.
Napiimo sada jednadbe H-tipa etveropola:
u1 = h11i1 + h12 u 2
(3.33)
i2 = h21i1 + h22 u 2
ili u matrinom obliku
u1 h11
i = h
2 21
h12 i1
h22 u 2
Hibridne parametre definiramo na slijedei nain:

u
u
h11 = hi = 1
; h12 = hr = 1
i1 u =0
u2
2
i
h21 = h f = 2
i1
;
u2 =0
i
h22 = ho = 2
u2
(3.34)
;
i1 = 0
(3.35)
i1 = 0
Fizikalno znaenje hibridnih parametara:

- hi je ulazna (eng. input) impedancija uz kratko spojeni izlaz za izmjenini napon ()
- hr je faktor naponske povratne (eng. reverse) veze uz otvoren ulaz za izmjeninu struju
(broj bez dimenzije)
- hf je faktor prijenosa struja sa ulaza na izlaz (eng. forward) uz kratko spojen izlaz za
izmjenini napon (broj bez dimenzije)
- ho je izlazna admitancija (eng. output) uz otvoren ulaz za izmjeninu struju (1/ = S Siemens)
Na desnoj strani slike 3.36. prikazan je nadomjesni sklop za dinamiko stanje bipolarnog
tranzistora u spoju zajednikog emitera.
3.10.1. Grafiko odreivanje hibridnih parametara na temelju ulaznih i izlaznih statikih
karakteristika
Parametre moemo izraunati iz statikih karakteristika uzimajui umjesto izmjeninih
veliina prirataje odgovarajuih istosmjernih veliina (Slika 3.37).
Prvo definirajmo parametre za tranzistor u spoju zajednikog emitera (ZE).
89
Ulazni h-parametar za spoj zajednikog emitera moemo definirati na slijedei nain:

h11 = hie =
U BE
I B
(3.36)
U CE = konst .
Povratni h-parametar za spoj zajednikog emitera definiramo kao:

h12 = hre =
U BE
U CE
(3.37)
I B = konst .
Prijenosni h-parametar za spoj zajednikog emitera definiramo kao:

h21 = h fe =
I C
I B
(3.38)
U CE = konst .
Izlazni h-parametar za spoj zajednikog emitera definiramo kao:

h22 = hoe =
IB
I C
U CE
(3.39)
I B = konst .
IB
UCE=konst.
UCE=UCE2-UCE1
UCE1
UCE2
IB=konst.
IB
U BE
hie =
I B
UBE
U BE
hre =
U CE
UBE
U CE = konst .
a)
UBE UBE
I B = konst .
b)
IC
IC
IB2
IB=IB2-IB1
IC
B1
h fe =
I C
I B
UCE=konst.
U CE = konst .
c)
IB=konst.
IC
UCE
hoe =
I C
U CE
UCE
UCE
I B = konst .
d)
Slika 3.37.
Definiranje h parametara iz statikih karakteristika.
a) Ulazni parametar; b) Povratni parametar; c) Prijenosni parametar; d) Izlazni parametar
Parametri za tranzistor u spoju zajednike baze (ZB) izraunavaju se na isti nain. Potrebno je
samo uzeti odgovarajue karakteristike.
90
Ako su zadani hibridni parametri, oni vrijede za odreenu radnu toku. Obratno, ako su
zadane statike karakteristike, moemo izraunati hibridne parametre za bilo koju radnu
toku.
Konano, treba napomenuti kako se esto koristi pojednostavljeni model u kojem se povratni i
izlazni parametar (hre i hoe) zanemaruju, s obzirom na njihove vrlo male vrijednosti (jasno
vidljivo iz slika 3.37 b) i d) ).
3.11. Nadomjesni sklopovi bipolarnih tranzistora
Nadomjesni sklopovi su sklopovi koji nam pokazuju zamiljenu unutranjost etveropola, te

na taj nain omoguavaju proraun sklopova.
Za idealni tranzistor u spoju zajednike baze, kod kojeg nemamo dodatnih otpora, kapaciteta i
induktiviteta, oznaimo hibridne parametre na slijedei nain:
h11 b = re
h12 b = ec
b =
h21
b = g c
h22
- dinamiki ulazni otpor idealnog tranzistora

- faktor naponske povratne veze idealnog tranzistora
- faktor strujnog pojaanja idealnog tranzistora
- izlazna vodljivost idealnog tranzistora
Ako tranzistor nije idealan, onda realni hibridni parametri imaju neto izmijenjene oblike:
h11b = h11 b + rb 'b (1 ' )
h12b = h12 b + rb 'b g c'

b
h21b = h21
b
h22b = h22
b
b
rbb
Slika 3.38.
Idealni (iscrtano) i realni tranzistor (crta-toka) prikazan kao etveropol
a)
ZB (Earlyjev nadomjesni sklop)
.
Sklop koristi jedan strujni i jedan naponski izvor. Naponski izvor ima vrijednost ec u cb
je napon na idealnim stezaljkama.
Napon u cb
Ce kondenzator na emiterskom otporu
91
Cc kondenzator na kolektorskoj vodljivosti. Ovo su parazitski kapaciteti koji se javljaju pri

visokim frekvencijama, tj. za niske frekvencije kondenzatori na slici 3.39. mogu se
zanemariti.
ic +
+ ie
c
e
re
+
-
Ce
-ie
ecucb
Cc
1/gc
ucb
ueb
rbb
ib
b
b
Slika 3.39.
Earlyjev nadomjesni sklop
b)
ZE (Giacolettov nadomjesni sklop)
Ovaj nadomjesni sklop sadri samo jedan izvor (strujni). Hibridni nadomjesni sklop
(shema ima oblik ) spoja zajednikog emitera je openito jedan od najee upotrebljavanih.
Za niske frekvencije se kondenzatori na slici 3.40. mogu zanemariti.
'
gm strmina tranzistora g m
re
Cbc
+ ib
rbb
ic
1/gbc
gmube
ube
ube
1/gbe
1/gce
Cbe
uce
e
Slika 3.40.
Giacolettov nadomjesni sklop
92
3.12. Vakuumska trioda
Trioda (Slika 3.41.b) je elektronska cijev koja se sastoji od tri elektrode: katode, reetke i
anode. One su smjetene u vakumiranoj posudi od stakla ili metala.
Katoda je graena kao i kod katodne cijevi: metalni cilindar je prekriven metalnim oksidom, a
unutar cilindra se nalazi grijae tijelo koje se napaja istosmjernim izvorom (Slika 3.41.a).
IA
+
Uff
K
-
UG G
a)
UAA
b)
Slika 3.41.
a) Katoda
b) Vakuumska trioda
G reetka (mreica)
Emitirani elektroni bivaju privueni pozitivnim naponom anode. Ako elimo smanjiti anodnu
struju, mreica mora biti takvog naboja da koi elektrone i tako se regulira struja. Kad je
mreica na nultom naponu imamo maksimalnu anodnu struju i svi elektroni s katode dou na
anodu. Anodni napon UAA moe biti i oko 200-300 V, dok je napon mreice UGG oko 5-6 V.
Ipak, djelovanje reetke je jae jer je ona blie katodi.
Za vakuumsku triodu (kao i za sve druge elektronske cijevi) vrijedi Barkhausenova relacija:
= S ru
(3.40)
gdje je pojaanje diode, S strmina, a ru unutranji otpor.

Iz karakteristike triode prikazane na slici 3.42. moemo primijetiti da negativniji napon
reetke UG ima za posljedicu manju anodnu struju.
Strmina S je omjer vrlo male promjene anodne struje i vrlo male promjene napona reetke pri
konstantnom anodnom naponu. Drugim rijeima, kae nam koliko je jak utjecaj negativnog
napona reetke na anodnu struju:
di
i
S = A
= A
du G U A = konst . u G
(3.41)
UA1 UA2 UA3
93
IA (mA)
-UG3
-UG (V)
-UG2
-UG1
UA (V)
U G1
Slika 3.42.
> U G 3 ; U A1 > U A3
Unutarnji otpor ru je omjer vrlo male promjene anodnog napona i odgovarajue promjene
anodne struje pri konstantnom naponu reetke:
du
u
ru = A
= A
di A U G = konst . i A
(3.42)
Faktor pojaanja je omjer vrlo male promjene anodnog napona i odgovarajue promjene
napona reetke pri konstantnoj anodnoj struji:
du
= A
du G I
=
A = konst .
u A
u G
(3.43)
3.13. Unipolarni tranzistori
Ideja o upravljanju prolaza struje (i njenom pojaanju) kroz poluvodie pomou vanjskog
elektrikog polja, iako starija od one koja je dovela do konstrukcije bipolarnih tranzistora,
zbog tehnolokih problema uspjeno je realizirana tek 1953. godine.
Kod unipolarnih tranzistora, izlazna struja je struja veinskih nositelja koja nastaje uz
zanemarivo malo djelovanje manjinskih nositelja. Oni se lake proizvode od bipolarnih
tranzistora i zauzimaju manje prostora pa se intenzivno koriste u proizvodnji integriranih
krugova. Imaju vrlo veliku ulaznu impedanciju, tako da ih se moe usporediti s elektronikim
cijevima. Openito troe manje snage, ali imaju i manje pojaanje.
Unipolarni tranzistor je, kao i elektronska cijev, naponsko upravljani elektroniki element,
dok je bipolarni tranzistor strujno upravljani elektroniki element.
Moe se kazati da se bipolarni tranzistori vie koriste u analognim, a unipolarni u digitalnim
sklopovima.
94
Unipolarni tranzistori se jo nazivaju i tranzistori s efektom polja (Field Effect Transistor

FET), a postoje dva osnovna konstrukcijska oblika:
-
spojni tranzistori s efektom polja (Junction Field Effect Transistor JFET)

metal oksidni poluvodiki tranzistor s efektom polja (Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor MOSFET) ili tranzistor s efektom polja s izoliranom
upravljakom elektrodom
3.14. JFET
Spojni tranzistori s efektom polja (JFET), kao i MOSFET tranzistori imaju tri elektrode:
-
upravljaka elektroda ili vrata (G gait)

odvod ili ponor (D drain)
uvod ili izvor (S- source)
Odvod (D) i uvod (S) su osnovne elektrode, a vrata (G) upravljaka elektroda. Ovi tranzistori
se proizvode s kanalom N i P tipa, a tehnoloki postupci koji se koriste pri proizvodnji su
legiranje i difuzija (noviji).
ID
SiO2
metal
UGS
D
P
G
+
G P
P
-
UDS
N
osiromaseni
sloj
P
osiromaseni
sloj
(barijera)
metal
S
+
-
UGS
+
UDS
a)
b)
Slika 3.43.
Prikaz spojnog FET-a s izvorima napajanja (zajedniki uvod ZS)
a) N-kanalni JFET dobiven procesom legiranja ; b) N-kanalni JFET dobiven procesom
difuzije
Iako su prvi tranzistori bili izraeni od germanija, uglavnom se koriste silicijevi kristali zbog
boljih svojstava silicija pri visokim temperaturama. Simboli spojnog FET tranzistora
prikazani su na slici 3.44.
Objasnimo sada rad JFET-a prikazanog na slici 3.43.a). Slabo dopirani N tip poluvodia
koji ima oblik tapa predstavlja kanal s odvodom ili ponorom (D-drain) na jednom kraju i
uvodom (S-source) na drugom. Dva jako dopirana P podruja nalaze se sa strane glavne osi
kanala i meusobno su povezana. Ova dva jako dopirana podruja (3-valentne neistoe) i
95
slabo dopirano N podruje (5-valentne neistoe) zajedno tvore PN spoj, a cijelo to

podruje se naziva upravljaka elektroda ili vrata (G gate).
D
S
b)
a)
Slika 3.44.
Simboli JFET-a
a) N kanalni JFET; b) P kanalni JFET
Izmeu elektroda D i S prikljuen je napon UDS (UDS > 0), a izmeu prikljuaka P
podruja oznaenih s G i elektrode S prikljuen je napon UGS. Napon UGS osigurava
reverznu polarizaciju PN spoja (UGS = - USG < 0). Napon izmeu elektrode D i G je
pozitivan (UDG > 0 ).
D
ID
ID
-
+
UDS
UDS
G
UGS
+
G
+
UGS
S
S
a)
b)
Slika 3.45.
Ispravna polarizacija FET-a: a) N kanalni; b) P kanalni
S obzirom na mnogo vee oneienje P podruja, barijera (osiromaeno podruje) koje
nastaje uslijed reverzne polarizacije PN spoja, kako je i vidljivo sa slike 3.43.a), iri se
gotovo iskljuivo na N stranu. Najiri dio barijere je u podruju prikljuka odvoda (D) jer
su na tom podruju PN spojevi najvie inverzno polarizirani (UDS > 0 za N - kanalni
JFET). Struja koja tee kroz preostali dio kanala ovisi o naponu UDS, ali i o naponu UGS.
96
Naime, uz neki konstantni iznos napona UDS, struja e biti sve manja kako poveavamo
napon reverzne polarizacije UGS. to je napon reverzne polarizacije vii, ui je kanal (iri
se barijera). Kako otpor direktno ovisi o irini presjeka kanala, ui kanal ujedno znai i
vei otpor. Iz Ohmovog zakona znamo da uz konstantni napon i vei otpor dobijemo
manju struju. Za dovoljno veliku vrijednost inverznog napona UGS (tzv. napon dodira, UP)
kanal cijelom irinom postaje nevodljiv i struja kroz njega pada na nulu.
Za sluaj N kanalnog FET-a, nosioci naboja su elektroni (veinski nosioci u kanalu), a
kod P kanalnog FET-a nosioci su upljine. Manjinski nosioci nemaju nikakvu ulogu u
radu tranzistora. Drugim rijeima, rad tranzistora ovisi samo o nosiocima jednog
polariteta. Stoga se ova vrsta tranzistora naziva i unipolarni. Efekt polja se oituje u
injenici da su osiromaena podruja u kanalu rezultat djelovanja elektrinog polja na
inverzno polariziranim PN spojevima (upravljaka elektroda kanal).
Osim prikazanog sluaja zajednikog uvoda (ZS), kao i kod bipolarnih tranzistora
moemo imati spojeve sa zajednikom upravljakom elektrodom (ZG) i zajednikim
odvodom (ZD).
3.15. Statike karakteristike N kanalnog JFET-a
Ponaanje JFET-a bitno je odreeno osiromaenim PN spojem. Uobiajeno je promatrati
ponaanje struje ID u ovisnosti o naponu UDS za neku konstantnu vrijednost napona UGS
(izlazna karakteristika JFET-a). Objasnimo ovu karakteristiku uz UGS = 0 (Slika 3.46).
ID (mA)
triodno p.
pod. zasicenja
pod.
proboja
IDSS
UP
UPR
UDS (V)
Slika 3.46.
ID = f(UDS); UGS = 0
Razlikujemo tri podruja rada: triodno podruje (ili ohmsko podruje), podruje zasienja
i podruje proboja. Normalni rad JFET tranzistora je u podruju zasienja.
Struja ID koja prolazi kanalom, stvara pad napona zbog otpora kanala. Kao posljedica
ovog pada napona, napon izmeu upravljake elektrode (G) i neke toke na kanalu nije
konstantan. To dovodi do razliitog irenja osiromaenog sloja du kanala. Najvea
inverzna polarizacija PN spoja je u podruju odvoda (D) pa je i osiromaeni sloj upravo tu
najiri. Promotrimo sada ponaanje struje ID u ovisnosti o naponu UDS ako su upravljaka
dioda (G) i uvod (S) kratko spojeni (UGS = 0). Za manje napone UDS porast struje ID je
priblino linearan. Zbog sve vee inverzne polarizacije PN spoja poveavanjem napona
UDS, kanal se suava i otpor raste. Kada napon toliko naraste da dolazi do prekida kanala,
97
dolazi do struje zasienja IDSS. Ovo je maksimalna struja koja se moe postii. Ovaj napon
(UP) naziva se napon prekida ili dodira (pinch off voltage). Podruje napona do napona
dodira naziva se triodno podruje jer je karakteristika slina karakteristici triode. Za
napone vee od napona dodira (UDS > UP) daljnjim poveanjem napona UDS dolazi do
neznatnog poveanja struje ID. Ovo podruje naziva se podruje zasienja. Za vrijednost
napona UDS = UPR dolazi do proboja i vjerojatnog unitenja tranzistora.
Spajanjem UGS < 0 (N kanalni tranzistor), jo vie se inverzno polarizira PN spoj pa i
pri UDS = 0 postoji osiromaeno podruje u kanalu. Posljedica ovog napona je ua poetna
irina kanala, dakle vei otpor pa stoga krivulja ID = f(UDS) ima manji nagib. Za
negativnije napone UGS dovoljni su nii naponi UDS kako bi uli u podruje zasienja.
Izlazna karakteristika N kanalnog tranzistora prikazana je na slici 3.47.
ID (mA)
triodno p.
pod. zasicenja
UDS= UGS+ UP
UGS= 0
10
8
UGS= -1.5 V
6
UGS= -2.5 V
4
UGS= -3.5 V
2
0
10
15
UDS (V)
Slika 3.47.
Izlazna karakteristika realnog N kanalnog JFET-a.
U podruju zasienja ovisnost ID o ulaznom naponu UGS moe se priblino izraziti
pomou jednostavne relacije:
U
I D (U GS ) = I DSS 1 + GS
UP
(3.44)
odnosno
I D (U GS ) = K (U GS + U P ) ;
2
K=
I DSS
U P2
(3.45)
gdje je K konstanta ovisna o fizikim parametrima i geometriji tranzistora (za N kanalni

tranzistor napon UP > 0, a UGS < 0). Prikaz ovisnosti struje ID o naponu UGS uz konstantan
UDS, predstavlja prijenosnu karakteristiku (lijeva strana slike 3.48).
Faktor naponskog pojaanja tranzistora moemo izraunati iz:
=
U DS
U GS
(3.46)
I D = konst .
98
a dinamiki otpor pomou izraza

rd =
U DS
I D
(3.47)
U GS = konst .
Strmina, tj. parametar gm, govori koliko e promjena ulaznog napona promijeniti izlaznu
struju tranzistora uz konstantan izlazni napon:
gm =
ID (mA)
triodno p.
I D
U GS
(3.48)
U DS = konst .
pod. zasicenja
IDSS
UGS= 0
10
8
UGS= -1.5 V
6
UGS= -2.5 V
UDS= 10 V
4
UGS= -3.5 V
UGS= -UP
UGS (V)
-3.5
-1.5
10
15
UDS (V)
Slika 3.48.
Prijenosna karakteristika N kanalnog JFET-a.
ID = f(UGS); UDS = konst.
3.16. Nadomjesni sklop JFET-a
Na slici 3.49. prikazana je nadomjesna shema JFET-a. Na niskim frekvencijama mogu se
zanemariti kapaciteti Cgd i Cgs.
Cgd
Ugs
Cgs
gmUgs
rd
Uds
Slika 3.49.
Nadomjesni sklop JFET-a.
99
3.17. MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ili tranzistor s efektom
polja s izoliranom upravljakom elektrodom se kao i JFET proizvodi u dva podtipa: N
kanalni na podlozi Ptipa (Slika 3.50) i P kanalni na podlozi N - tipa. Takoer se mogu
proizvesti kao osiromaeni i obogaeni tip. Kod ove vrste tranzistora ne postoji vodljivi
kontakt izmeu upravljake elektrode (G) i poluvodikog materijala pa zbog toga ne moe
doi ni do struje u krugu upravljake elektrode ak i u sluaju kad je napon UGS > 0
(propusna polarizacija PN spoja). Osnovna karakteristika MOSFET tranzistora je vrlo
veliki ulazni otpor (~1015 ).
S
D
metal
SiO2
N+
N+
P (podloga)
Slika 3.50.
N kanalni MOSFET
Za primjer MOSFET-a obogaenog tipa sa slike 3.50, na podlozi od visokootpornog
poluvodikog materijala P-tipa (Si) difuzijom su oformljena dva podruja jako dopiranog
materijala N-tipa. Jedno N podruje predstavlja izvor ili uvod (S), a drugo odvod (D).
Cijela povrina je prekrivena tankim slojem silicijevog oksida koji slui kao dielektrik s
otvorima za metalne prikljuke uvoda i odvoda na odgovarajue N podruje. Upravljaka
elektroda (G) nalazi se na povrini izmeu odvoda i uvoda. Zbog ove slojevitosti metaloksid-poluvodi i nastao je naziv MOSFET.
Sada razmotrimo ponaanje N-kanalnog MOSFET-a. P-kanalni MOSFET ponaa se na
isti nain, ali uz obrnute polarizacije napona. U normalnom radu N-kanalnog MOSFET-a,
napon izmeu odvoda (D) i uvoda (S) prikljuen je tako da je UDS > 0 (Slika 3.51). Ako
na upravljakoj elektrodi nije prikljuen nikakav napon, podloga P-tipa i dva N podruja
predstavljaju dvije PN diode od kojih je jedna propusno, a druga nepropusno polarizirana.
Kako obje diode nisu propusno polarizirane, cijeli spoj se ponaa kao veliki otpor izmeu
uvoda i odvoda. Prikljuivanjem pozitivnog napona (s obzirom na uvod) na upravljakoj
elektrodi, u P-tipu poluvodia e se inducirati negativni naboj, tj. elektroni e biti
privueni u blizinu metalne ploe upravljake elektrode, ali zbog sloja SiO2, nee prei na
nju. Ovi elektroni, koji za podlogu predstavljaju manjinske nosioce, skupljajui se ispod
ploe u podruju od uvoda do odvoda. Ulazni napon UGS pri kojemu koncentracija
elektrona postaje jednaka koncentraciji upljina u podlozi P-tipa naziva se napon praga UP
(ili UT, eng. treshold). Pri ovome naponu izmeu izlaznih elektroda uvoda i odvoda
formira se kanal N-tipa, pa potee izlazna struja ID. S obzirom da se u podlozi (poluvodiu
P-tipa) formira kanal (poluvodi N-tipa) ovaj efekt naziva se inverzija kanala. Promjenom
potencijala na upravljakoj diodi mijenja se i "dubina" kanala ("dublji" kanal manji
otpor) pa se na taj nain upravlja strujom odvoda. Poveanjem pozitivnog napona
upravljake elektrode (G) sve vie elektrona je privueno kanalu te se poveava
100
koncentracija elektrona (kanal postaje "dublji"), pa je i ID.vea. Obrnuto, smanjenjem UGS

smanjuje se i ID.. Ovo je osnovni princip kontrole ID pomou UGS.
Kanal prikazan na slici 3.51 zapravo nije ravnomjerno "dubok" (tonije, nema
ravnomjernu koncentraciju elektrona) cijelom duljinom. Ravnomjerna "dubina" kanala
bila bi za napon UDS = 0, ali zbog postojanja napona, to nije sluaj. Kako smo ve vidjeli,
kod N-kanalnog MOSFET-a odvod (D) je pozitivniji od uvoda (S). Zbog toga je u blizini
odvoda kanal znatno pozitivniji prema upravljakoj diodi (G) nego to je to sluaj na
drugom kraju, odnosno uvodu (S). Manja razlika potencijala izmeu odvoda i upravljake
diode u usporedbi s razlikom potencijala izmeu upravljake diode i uvoda kao posljedica
ima mnogo "plii" kanal uz odvod (D), a "dublji" uz uvod (S). Porast potencijala odvoda
(kao posljedica porasta ID) uzrokuje smanjenje koncentracije elektrona u podruju oko
odvoda, odnosno smanjenje vodljivosti kanala tj. jo "plii" kanal u blizini odvoda zbog
smanjenja razlike potencijala izmeu upravljake elektrode (G) i odvoda (D). Ovaj efekt
je sve izraeniji sa rastom UDS , zbog ega je porast ID sve sporiji.
.
-
UGS
+
G
D
kanal N-tipa
ID
G2
-
+
UDS
Slika 3.51.
Ispravna polarizacija napona N-kanalnog MOSFET-a
Kada napon UDS poraste dovoljno da razlika potencijala izmeu odvoda i upravljake
elektrode (UGS-UDS) dosegne napon praga, tj. kada UDS=UGS-UP, kanal iezava u
podruju odvoda, no struja se odrava na konstantnoj razini zbog velikog elektrinog polja
koje "prebacuje" elektrone preko osiromaenog podruja. Daljnje poveanje napona
odvoda ima vrlo mali utjecaj na struju odvoda ID. Za tranzistor u ovom stanju kaemo da
je u zasienju.
Slika 3.52.
Simboli MOSFET-a
101
Tvorniki se moe oformiti kanal s istim tipom primjesa kao uvod i odvod. Na ovaj nain
postie se proticanje struje ID i kad je napon UGS = 0, ukoliko postoji napon izmeu uvoda
i odvoda, a ovakav tip MOSFET-a naziva se osiromaeni tip. Kod ovog tipa, mogue je i
smanjivati UGS (i samim tim smanjivati ID) "osiromaiti" kanal - tako da UGS <0 i to sve
dok UGS.= UP. Nakon ovoga kanal vie ne postoji i struja ID =0.
Simboli za obogaeni i osiromaeni tip MOSFET-a prikazani su slikom 3.52.
3.18. Statike karakteristike MOSFET-a
MOSFET, kao i JFET, ima dva osnovna podruja rada s prijelaznim podrujem izmeu
njih. Za male napone UDS, tranzistor je u triodnom podruju kod kojeg je struja odvoda
priblino proporcionalna naponu UDS. Vie vrijednosti napona UDS dovode do zasienja, a
tada je struja odvoda gotovo neovisna o naponu UDS. U ovom drugom podruju rada,
struja odvoda odreena je naponom upravljake diode. Tipine izlazne i prijenosne
karakteristike prikazane su na slikama 3.53. i 3.54.
Slika 3.53.
Izlazne karakteristike N-kanalnog MOSFET-a.
Slika 3.54.
Prijenosne karakteristike N-kanalnog MOSFET-a.
Kao to se vidi, osiromaeni tip vodi struju ID i za negativne (do UP) i za pozitivne
polarizacije napona UGS. Takoer, za razliku od JFET-a, kod MOSFET-a nema
102
maksimalne struje IDSS. Struja ID moe rasti sve dok se poveava UGS (naravno, uz
ogranienja snage koje navede proizvoa).
MOSFET, (kao i JFET) kada radi kao pojaalo, uobiajeno radi u podruju zasienja gdje
je izlazna struja odreena prvenstveno ulaznim naponom, a utjecaj izlaznog napona (na
odvodu) nije velik. U triodnom podruju moe se koristiti kao naponski upravljan
promjenjiv otpornik.
U podruju zasienja veza izmeu struje ID i napona UGS moe se opisati jednostavnim
izrazom
I D = K (U GS U P )
(3.49)
gdje je K konstanta koja ovisi o fizikalnim parametrima i geometriji tranzistora. Granica

izmeu triodnog podruja i podruja zasienja ovisna je o naponu dodira UP prema izrazu
U DS (dodira ) = U GS U P
(3.50)
Iz nagiba prijenosne karakteristike moe se odrediti parametar gm (strmina) i rd (otpor

odvoda). Vrijede isti izrazi kao i za JFET:
gm =
I D
U GS
;
U DS = konst .
rd =
U DS
I D
(3.51)
U GS = konst .
Ulazni otpor je praktino beskonaan (jer je upravljaka elektroda potpuno izolirana).

3.19. Nadomjesni sklop MOSFET-a
Nadomjesni sklop MOSFET-a gotovo je u potpunosti jednak onom JFET-a. Na malim
frekvencijama nema nikakve razlike dok kod viih frekvencija u razmatranje uvodimo
osim parazitnih kapaciteta Cgd i Cgs i parazitni kapacitet Cds.
Cgd
Ugs
Cgs
gmUgs
rd
Cds
Uds
S
Slika 3.55.
Nadomjesni sklop MOSFET-a
103
3.20. Ogranienja rada i prednosti unipolarnih tranzistora
Ako iz nekog razloga raste temperatura u okolini tranzistora, i kod JFET-a i kod
MOSFET-a dolazi do linearnog pada struje. Kod MOSFET-a je pad manje izraen (Slika
3.56). Ovo svojstvo je prednost nad bipolarnim tranzistorima kod kojih porastom
temperature dolazi do porasta struje, to dovodi do veeg pada napona koji uzrokuje
poveanje snage. Poveanje snage uzrokuje poveanje temperature... sve do termikog
bijega (proboja). Kod unipolarnih tranzistora ne moe doi do termikog bijega.
ID(T)
ID(T=250C)
2
1.5
1
JFE
T
MOSFET
0.5
0
-50 -25
25
50
75
100 T(0C)
Slika 3.56.
Ovisnost struje ID o temperaturi
Proboj kod JFET tranzistora je u osnovi proboj izmeu kanala i upravljake elektrode. to
je apsolutni napon upravljake elektrode vei, probojni napon odvoda je manji. Proboj
MOSFET-a nastupa zbog poveanja napona odvoda i poveanja napona upravljake
elektrode. Na odvodu zapravo dolazi do proboja PN-spoja odvoda. Proboj je lavinski i
ovisi o otpornosti poluvodia. ei je proboj upravljake elektrode. Izmeu nje i kanala,
odnosno uvoda, nalazi se vrlo tanak dielektrik. Ve pri naponima od 40-50 V polje u
dielektriku je toliko veliko da nastaje proboj dielektrika. Posljedica proboja je nagli porast
struje ID.
Moemo kazati da su najvee prednosti unipolarnih tranzistora:
-
vrlo veliki ulazni otpor tj. nulta ulazna struja (upravljanje bez snage)
opadanje struje poveanjem temperature
jednostavnost izrade
brzina
dok bipolarni tranzistori imaju linearniju karakteristiku i vee pojaanje.
104
Pitanja:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
to je posljedica razlike koncentracija nositelja naboja na P i N strani P-N spoja?

Kada nastupa ravnoteno stanje?
Kako izgleda energetski dijagram P-N spoja u ravnotei?
O emu ovisi kontaktni potencijal i koje su njegove tipine vrijednosti?
to se dogaa sa irinom barijere ako poveavamo koncentraciju primjesa?
Objasnite razliku izmeu energetskih dijagrama za propusnu i nepropusnu polarizaciju
P-N spoja.
7. O kojim strujama ovisi ukupna struja u P-N spoju?
8. Navedite sastavne dijelove P-N diode.
9. Kojom jednadbom moemo opisati struju kroz P-N diodu u propusnom podruju?
10. Koja je razlika izmeu Zenerovog i lavinskog proboja?
11. U kojem podruju rada koristimo Zener diode i zato?
12. Po emu je specifina strujno-naponska karakteristika tunel-diode?
13. Izvedite izraz za dinamiku vodljivost diode.
14. Nacrtajte nadomjesni sklop dinamikog stanja u uvjetima propusne polarizacije.
15. Koje su donje i gornje temperaturne granice silicijevih i germanijevih dioda?
16. Koja je razlika U-I karakteristike vakuumske i poluvodike diode?
17. Kakvu polarizaciju spojeva treba osigurati da bi tranzistor radio u normalnom
aktivnom podruju?
18. Objasnite unutranja kretanja naboja normalno polariziranog P-N-P tranzistora u spoju
ZB.
19. Koja je razlika izmeu istosmjernog i izmjeninog faktora strujnog pojaanja?
20. Kako izraunavamo strujno pojaanje u spoju ZB, a kako u spoju ZE i o kolikim se
iznosima tipino radi?
21. Koja je specifinost spoja zajednikog kolektora?
22. Navedite podruja rada tranzistora prema polarizaciji emiterskog i kolektorskog spoja.
23. U koje etiri grupe moemo podijeliti karakteristike tranzistora?
24. Nacrtajte ulazne i izlazne karakteristike P-N-P tranzistora za spoj ZE i ZB.
25. Koja su ogranienja na koja moramo paziti prilikom izbora radne toke tranzistora?
26. Objasnite pojam "reim malih signala".
27. Kakvo je fizikalno znaenje pojedinog hibridnog parametra?
28. Kako moemo odrediti vrijednosti hibridnih parametara?
29. Kako izraunavamo naponsko pojaanje vakuumske triode?
30. Navedite osnovne prednosti i nedostatke unipolarnih tranzistora u odnosu na bipolarne
tranzistore.
31. Objasnite princip rada spojnih tranzistora s efektom polja.
32. Zbog ega dolazi do razlike u irini kanala uz uvod i odvod kod JFET-a?
33. Koja podruja rada JFET-a poznajete?
34. Objasnite princip rada MOSFET-a.
35. Zbog ega dolazi do razlike u irini kanala uz uvod i odvod kod MOSFET-a?
36. Nacrtajte i objasnite tipinu izlaznu karakteristiku MOSFET-a.
37. U emu je razlika izmeu nadomjesne sheme JFET-a i MOSFET-a?
38. Zbog ega kod unipolarnih tranzistora ne dolazi do termikog bijega?
105
4. Elektroniki sklopovi
4.1. Pojaala
Pojaala su linearni elektroniki sklopovi (zapravo su linearni samo onda kada se promatraju
pod djelovanjem malih signala) sastavljeni od aktivnih i pasivnih elektronikih elemenata.
Pod aktivnim elementima ubrajamo poluvodike diode, bipolarne i unipolarne tranzistore dok
su otpornici, zavojnice i kondenzatori pasivni elementi. Elektrini signal koji se pojaava
moe biti strujni ili naponski, a izlazni signal (pojaani) takoer moe biti strujni ili naponski.
Aktiviranje tranzistora znai njegovo dovoenje u neku statiku radnu toku. O statikoj
radnoj toki ovise hibridni parametri tranzistora, a tako i sve veliine koje ovise o njima.
Princip rada: 1) uzeti aktivni elektroniki element
2) aktivirati ga tj. prikljuiti istosmjerni napon
3) dovesti signal na ulaz
4) na izlazu dobiti pojaani signal
Pojaalo moemo prikazati kao etveropol (Slika 4.1). Pojaalu pomou generatora dovodimo
signal na ulaz. Da bi na izlazu dobili napon, moramo staviti otpornik (Rp) koji zapravo
predstavlja otpor nekog potroaa.
Iul
Pojaalo
Ic
Iiz
Uul
AiIul
Rul
Riz
RP
RP
UP = IcRP
+ a)
b)
Slika 4.1.
a) Pojaalo kao etveropol; b) Otpor potroaa na izlazu pojaala sa zajednikim emiterom
Rp otpor potroaa, Iiz = Ip struja potroaa.
Izlazni otpor pojaala Riz rauna se uz iskljueni generator G tj. uz UG = 0 ili IG = 0 (ovisno o
tome radi li se o naponskom ili strujnom generatoru).
Veliine Uul i Iul su efektivne vrijednosti ulaznog napona i ulazne struje, a Uiz i Iiz su efektivne
vrijednosti izlaznog napona i struje.
Ukoliko promatramo odnose snaga, openito vrijedi (Slika 4.2):
Pul + Pnap = Piz + Ptop
(4.1)
tj. suma snage ulaznog signala (snaga iz generatora G) i napajanja (izvor istosmjernog
napona) jednake su sumi snage pojaanog signala i toplinskih gubitaka.
Izlazna snaga pojaanog signala tada je
Piz = Pul + Pnap Ptop
(4.2)
106
pa uz
K=
Ptop
Pnap
tj. Ptop = K Pnap
dobijemo izraz za ukupnu izmjeninu snagu na izlazu koja se preda potroau
Piz = Pul + (1 K ) Pnap
(4.3)
gdje je 0 < K < 1.

Iz relacije (4.3) moemo zakljuiti da se ulazni signal pojaava zbog pretvaranja dijela snage
istosmjernog izvora u snagu izlaznog signala.
Ptop
Pul
toplinski
gubici
Piz
POJACALO
ulazni
signal
pojacani
signal
Pnap
napajanje
Slika 4.2.
Odnosi snaga
Za idealno pojaalo vrijedio bi izraz

Ptop = 0 K = 0
Piz = Pul + Pnap
(4.4)
Izlazna i ulazna snaga moe se opisati pomou odgovarajuih struja, napona i otpora
Piz = I iz U iz = I iz2 R p =
U iz2
Rp
U2
Pul = I ul U ul = I ul2 Rul = ul
Rul
(4.5)
Ulazna struja i ulazni napon doivljavaju pojaalo kao izlazni otpor. Na izlazu se snaga
razvija na otporu potroaa Rp, a ne na Riz.
Elektroniki element je u neku ruku pretvornik istosmjerne u izmjeninu snagu ako se radi o
pojaanju izmjeninog signala. Meutim, postoje i pojaala istosmjernog signala. U tom
sluaju elektroniki element ne djeluje kao pretvornik, nego jednostavno crpei istosmjernu
snagu iz napajanja, pojaava istosmjerni signal na izlazu.
107
4.1.1. Raunanje u decibelima

Dobitak snage (G Gain dobitak) moemo definirati kao omjer snage izmjeninog signala
predanog potroau i snage signala predanom ulaznom krugu pojaala
G=
Piz
Pul
(4.6)
Kod snage ne govorimo o pojaanju, nego o dobitku. Uobiajeno se ovaj dobitak izraava u
decibelima:
G[dB ] = 10 log
Piz
Pul
G[dB ] = 10 log
I iz2 R p
I ul2 Rul
= 10 log
U iz2 / R p
(4.7)
U ul2 / Rul
nadalje, iz (4.7) moemo pisati

G[dB ] = 20 log
Rp
Rp
I iz
+ 10 log
= AI [dB ] + 10 log
Rul
Rul
I ul
U
R
R
G[dB ] = 20 log iz + 10 log ul = AV [dB ] + 10 log ul
Rp
Rp
U ul
(4.8)
gdje su AV i AI naponsko i strujno pojaanje (A Amplification pojaanje).

Ukoliko je otpor potroaa jednak ulaznom otporu pojaala (Rp = Rul), dobitak snage je jednak
naponskom ili strujnom pojaanju:
R p = Rul G[dB ] = AI [dB ] = AV [dB ]
G[dB ] = 10 log
I iz U iz
I
U
1
= 10 log iz + 10 log iz = ( AI + AV )
I ul U ul
I ul
U ul 2
4.1.2. Strujni i naponski izvori

Realni strujni izvor prikazan je na slici 4.3. Krug sa strujom IG je idealni strujni izvor, a
zajedno s RG (npr. otpor elektrolita) to je realni strujni izvor. Sa slike vidimo da je
I G = I '+ I p
I p = IG I '
(4.9)
Uz
I'=
Up
RG
(4.10)
108
struja na potroau
I p = IG
I p = IG
Up
(4.11)
RG
I p Rp
(4.12)
RG
i dalje
Rp
= I G
I p 1 +
R
G
RG + R p
Ip
= IG
RG
(4.13)
odakle dobijemo ovisnost struje potroaa o generatoru IG, vrijednosti otpora potroaa Rp i
otpora generatora RG:
Ip =
RG
IG
RG + R p
(4.14)
Ip
IG
I
IG
RG
Rp
Up = Ip Rp
realni strujni izvor
Slika 4.3.
Realni strujni izvor: IG struja generatora, RG otpor generatora, Rp otpor potroaa
Idealni strujni izvor je izvor koji bi na izlaznim stezaljkama imao uvijek istu veliinu izlazne
struje. Stoga Ip mora biti konstantna, tj. ne bi smjela ovisiti o Rp.
Za
R p << RG I p I G = konst.
Idealni strujni izvor postie se, ne stavljanjem Rp = 0, nego RG . Tada je Ip = IG. Idealni
strujni izvor prikazan je na slici 4.4.
Kada elimo odrediti statiku radnu toku, moemo je odrediti grafiki, i to presjecitem
karakteristike s radnim pravcem (Slika 4.5). Nagib radnog pravca ovisi o otporu potroaa.
109
IG = Ip
IG
IG
Rp
Up = IG Rp
idealni strujni izvor
Slika 4.4.
Idealni strujni izvor
Strujni izvor je prikazan pomou odsjeka na ordinatnoj osi (IG) i odsjeka na apsolutnoj osi
( I G RG ). Spajanjem ove dvije toke dobili smo pravac koji ovisi iskljuivo o izvoru
(karakteristika izvora - vidi jednadbu 4.11) i pravac koji ovisi iskljuivo o potroau (radni
pravac vidi sliku 4.3. U p = I p R p ). U njihovom sjecitu je statika radna toka.
Ip
idealni strujni izvor
IG
T1
Ip1
r ad
ka
ra
kte
r
ist
ik
p
ni
ai
zv
Up1
ac
r av
ora
IGRG
Up
Slika 4.5.
Grafiko odreivanje statike radne toke strujnog izvora
tg = 1 / R p ; tg = 1 / RG
Realni naponski izvor prikazan je na slici 4.6. vor je mjesto grananja struja. Za vor uvijek
kaemo da je suma ulaznih i izlaznih struja jednaka nuli. Za razliku od realnog strujnog
izvora, ovdje umjesto grananja struja u voru imamo petlju. Za petlju kaemo da je suma
napona petlje jednaka nuli. Jedan napon je UG, drugi je onaj zamiljeni U' (na RG), a trei je
napon na potroau Up.
Struja izlazi iz pozitivnog pola izvora, a pozitivni pol pada napona na pasivnim elementima je
mjesto ulaska struje. Izvori imaju napone, a pasivni elementi pad napona.
Promatrajmo petlju sa slike 4.6. u jednoj rotaciji, najee u smjeru kazaljke na satu.
Pretpostavimo da je, kad struja izlazi na plusu, napon pozitivan.
Moemo pisati
U G U 'U p = 0
(4.15)
110
Karakteristika izvora je
U G = I p RG + U p
(4.16)
U G = I p RG + I p R p
(4.17)
i dalje iz
dobili smo izraz za struju na potroau

Ip =
1
UG
RG + R p
(4.18)
a takoer i za napon na potroau
Up =
Rp
R p + RG
UG
(4.19)
Ip
RG
+
UG
U=IpRG
+
Rp
Up = Ip Rp
-
realni naponski izvor
Slika 4.6.
Realni naponski izvor
U idealnom sluaju napon potroaa jednak je naponu generatora.
Ip
+
+
UG
Rp
Up = UG
-
idealni naponski izvor
Slika 4.7.
Idealni naponski izvor
111
Ako je otpor generatora mnogo manji od otpora potroaa onda vrijedi:
RG << R p U p U G
tj. za idealni naponski izvor (Slika 4.7) vrijedi RG 0 U p = U G
Slino kao kod strujnog izvora, iz jednadbi 4.16. i IP = Up/RP mogue je grafiki odrediti
radnu toku naponskog izvora (Slika 4.8).
Ip
idealni
naponski
izvor
UG
RG
ra
T1
Ip1
Up1
ka
r av
ip
dn
r ak
ac
ter
ist
ika
izv
or a
UG
Up
Slika 4.8.
Grafiko odreivanje radne toke naponskog izvora
tg = 1 / R p ; tg = 1 / RG
Svaki izvor koji daje na prikljunim stezaljkama neki napon moe se prikazati modelom
strujnog i naponskog izvora. (Nortonov i Theveninov teorem).
Theveninov teorem: Bilo koji dio aktivne linearne mree moe se nadomjestiti s obzirom na
dvije stezaljke (a i b) realnim naponskim izvorom, iji unutarnji napon ET (Theveninov
napon) i unutarnju impedanciju ZT (Theveninovu impedanciju) odreujemo iz zadane mree.
Theveninov napon ET odreujemo tako da izraunamo ili izmjerimo napon Uab0 na otvorenim
stezaljkama a-b linearne mree (Uab0 > 0 ET ima plus prema a; Uab0 < 0 ET ima plus
prema b.
Theveninovu impedanciju ZT odredimo tako da kratko spojimo sve naponske izvore i
iskljuimo sve strujne izvore te onda izraunamo ili izmjerimo ukupnu impedanciju izmeu
toaka a i b.
Nortonov teorem: Bilo koji dio aktivne linearne mree moe se nadomjestiti s obzirom na
dvije stezaljke (a i b) realnim strujnim izvorom iju struju IN (Nortonovu struju) i unutarnju
impedanciju ZN (Nortonovu impedanciju) odreujemo iz zadane mree.
Nortonovu struju IN odreujemo tako da izraunamo struju koja tee od a prema b kada su
stezaljke a-b kratko spojene.
Nortonovu impedanciju ZN odredimo tako da kratko spojimo sve naponske izvore i iskljuimo
sve strujne izvore te onda izraunamo ukupnu impedanciju izmeu a i b.
112
Pretpostavimo da u kuitu imamo nepoznati sklop (Slika 4.9) koji se moe sastojati od veeg
broja nezavisnih strujnih i naponskih izvora te otpornika. Sklop ima dvije vanjske stezaljke.
Cilj nam je odrediti ekvivalentni sklop za ovaj sluaj.
nepoznato
Slika 4.9.
Nepoznati sklop (izvor)
Ekvivalentni sklop odreujemo u tri koraka:
1) Odredimo (izmjerimo) napon otvorene petlje UOP (ET)
2) Odredimo (izmjerimo) struju kratkog spoja IKS (IN)izmeu stezaljki sklopa
3) Izraunamo unutranji otpor iz R = UOP/IKS (=RN = RT).
Napomena: Nortonova struja zapravo je jednaka struji kratkog spoja, odnosno struji strujnog
generatora. (IN = IKS =IG). Theveninov napon zapravo je jednak naponu otvorene petlje
odnosno naponu generatora (ET = UOP = UG).
Nepoznati sklop sada moemo zamijeniti realnim naponskim ili strujnim izvorom (Slika
4.10).
Slika 4.10.
Zamjena nepoznatog sklopa realnim naponskim ili strujnim izvorom
Iako se napon otvorene petlje UOP uobiajeno mjeri voltmetrom koji ima veliki unutranji
otpor, esto nije prikladno mjeriti struju kratkog spoja kratko povezujui stezaljke zbog
moguih oteenja sklopa. Postoji vie metoda indirektnog mjerenja struje kratkog spoja.
- Metoda I: Na izlazne stezaljke izvora spojimo varijabilni otpornik i mjerimo izlazni napon i
struju za razliite vrijednosti postavljenog otpora varijabilnog otpornika (potroaa).
Nacrtamo graf ovisnosti napona o struji kako bi iz dobivenog pravca odreivanjem
presjecita pravca s apscisom odredili struju kratkog spoja IKS (Slika 4.11).
- Metoda II: Izmjerimo napon otvorene petlje UOP pomou voltmetra s velikim unutranjim
otporom. Nakon toga prikljuimo vanjski otpor r izmeu stezaljki sklopa i mjerimo napon U
113
na otporniku r (Slika 4.12). Unutranji otpor R moemo izraunati iz relacije

a zatim i struju kratkog spoja I KS =
U
r
,
=
U OP r + R
U OP
.
R
UOP
0
0
IKS
Slika 4.11.
Mjerenje struje kratkog spoja : Metoda I
R
UOP
Slika 4.12.
Mjerenje struje kratkog spoja : Metoda II
- Metoda III: Ova metoda je kombinacija prethodne dvije metode. Izmjerimo napon otvorene
petlje prije nego to smo spojili varijabilni otpornik izmeu stezaljki sklopa. Mjerimo
izlazni napon i podeavamo otpor dok napon na otporniku ne padne na polovicu vrijednosti
1
napona otvorene petlje U = U OP . U tom trenutku je vanjski otpor jednak unutranjem
2
otporu R i struja kratkog spoja IKS se ponovo moe izraunati iz omjera napona otvorene
petlje i otpora R kako je pokazano ranije.
114
4.1.3. Ulazni otpor

Kad na ulazne stezaljke neke realne elektrine mree prikljuimo napon, potei e elektrina
struja. Jakost struje ovisit e o ulaznoj impedanciji Zul sklopa ili mree (Slika 4.13.a). U
velikom broju sluajeva ulazni krug moemo prikazati samo kao otpor, pa u tom sluaju
govorimo o ulaznom otporu Rul sklopa ili mree (Slika 4.13.b).
Zul
Rul
a)
b)
Slika 4.13.
a) Nadomjesna shema ulaza; b) Pojednostavnjena nadomjesna shema ulaza
esto se vrijednost ulaznog otpora sklopa moe odrediti na osnovu poznavanja sklopa.
Ukoliko nae poznavanje sklopa nije dovoljno, ulazni otpor odreujemo mjerenjem (Slika
4.14).
R
RG
UOP
Ui
Uul
Rul
Slika 4.14
Mjerenje ulaznog otpora sklopa
Mjerenje ulaznog otpora nepoznatog sklopa:
1) Sklop koji ispitujemo spojimo u seriju s varijabilnim otpornikom i naponskim
izvorom.
2) Mjerimo izlazni napon izvora Ui i napon na stezaljkama sklopa (Uul) kojeg ispitujemo.
1
3) Mijenjanjem vrijednosti varijabilnog otpornika R namjestimo da bude U ul = U i .
2
Sada je vanjski otpor R jednak ulaznom otporu Rul.
4) Izmjerimo R i odredili smo Rul (R = Rul).
Unutranji otpor izvora RG ne utie na ovu metodu jer je za mjerenje koriten izlazni napon
izvora Ui, a ne napon otvorene petlje UOP.
115
4.1.4. Naponsko pojaanje i frekvencijski odziv

Kako je ranije definirano (4.6), naponsko pojaanje pojaala je omjer izlaznog napona i
ulaznog napona u pojaalo. Niti jedno pojaalo nema jednako pojaanje na svim
frekvencijama ulaznog signala. Uobiajeno se za iznos pojaanja zapravo daje pojaanje u
sredini frekvencijskog opsega normalnog rada pojaala. Promjene pojaanja u ovisnosti o
frekvenciji nazivamo frekvencijskim odzivom pojaala.
Poetak i kraj podruja normalnog rada pojaala odreeni su donjom i gornjom graninom
frekvencijom. To su frekvencije na kojima pojaanje pada za 3 dB u odnosu na pojaanje u
sredinjem pojasu. Ovaj iznos odgovara padu dobitka snage na polovicu od maksimalne snage
(snage u sredinjem pojasu). Kako je snaga na izlazu proporcionalna kvadratu izlaznog
napona (4.5) proizlazi da na gornjoj i donjoj graninoj frekvenciji naponsko pojaanje pada na
1 / 2 ili 0.707 od maksimalne vrijednosti. Na slici 4.15 prikazan je tipini frekvencijski
odziv pojaala. Zbog irokog opsega frekvencija uobiajeno je crtanje frekvencija
logaritamskom skalom.
AV
(dB)
sirina
frekvencijskog
pojasa
3 dB
fd
fg
f(Hz)
Slika 4.15.
Tipian frekvencijski odziv pojaala
Niskofrekvencijski odziv pojaanja najee je odreen utjecajem veznog kondenzatora CV
(Slika 4.16) koji slui za proputanje samo izmjeninog dijela ulaznog signala i postizanje
neovisnosti istosmjernih uvjeta mree ispred i iza kondenzatora.
Visokofrekvencijski odziv ovisi o neeljenoj pojavi kapaciteta CP (difuzijski i barijerni
kapacitet).
Pri malim frekvencijama vrijedi
1
>> R pa u ukupnom otporu zanemarujemo kapacitet CP jer e sva struja
j 2fC P
prolaziti preko otpornika R.
Otpor generatora RG zanemarujemo jer je RG << R pa vrijedi UG =Uul (idealni naponski
generator). Kapacitet veznog kondenzatora pri ovim frekvencijama ne moemo zanemariti jer
je ovaj kapacitet vezan u seriji s otporom R. Stoga za ukupnu impedanciju pri malim
frekvencijama vrijedi:
f << f g
116
1
j 2fCV
odakle moemo izraziti i naponsko pojaanje za male frekvencije:
f <<
AV =
Zd = R +
U0
=
U ul
1
R+
j 2fCV
(4.20)
(4.21)
1
1+
j 2fCR
Amplituda naponskog pojaanja dobije se iz jednadbe

AV =
Ovo pojaanje ima iznos jednak
1
2
1
1
1 +
CV R
(4.22)
pri donjoj graninoj frekvenciji koja iznosi
1
1
1
= 1 2f d =
fd =
d CV R
CV R
2CV R
RG
(4.23)
CV
UG
Uul
CP R
U0
Slika 4.16.
Kapaciteti koji utjeu na rad pojaala na niskim i visokim frekvencijama
Ukljuivanjem otpora RG u jednadbu (4.21) dobijemo

AV =
U0
=
UG
R
RG + R +
1
j 2fCV
R + RG
1
1+
1
jCV ( R + RG )
(4.24)
ili na drugi nain

AV =
A'
1+ d
j
A'
f
1 j d
f
(4.25)

gdje je A' =
R
;
R + RG
d =
1
;
CV ( R + RG )
117
fd =
d
2
1
0 za
jCV R
. Zbog paralelnog spoja otpornika R i kondenzatora CP, u ovom sluaju za izraun
gornje granine frekvencije uzimamo vrijednost ovog kondenzatora. Ukupna ulazna
impedancija pojaala sada je:
Pri visokim frekvencijama zanemarujemo kapacitet veznog kondenzatora jer
Zg =
1
1
+ j C P
R
R
1 + jC P R
(4.26)
Unutranji otpor generatora ne moemo zanemariti jer, kako smo vidjeli, ulazna impedancija
porastom frekvencije pada. Uz konstantan napon generatora UG, dolazi do pada napona na
otporu R jer dio napona ostane na otporu RG. Moemo napisati izraz za naponsko pojaanje
pri visokim frekvencijama:
R
R
R + RG
1 + jC P R
=
AV =
R
RRG
RG +
1 + jC P
1 + jC P R
R + RG
gdje je pojaanje A' =

otpor Reff =
fg =
A'
=
1 + jC P Reff
A'
f
1+ j
fg
(4.27)
R
koje bi mrea imala bez kapaciteta CP,
R + RG
RRG
je efektivni otpor paralelnog spoja otpornika R i RG,
R + RG
1
je gornja granina frekvencija
2C P Reff
Idealno strujno pojaalo ima ulazni otpor jednak nuli to uzrokuje da nema gubitaka struje
dobivene iz strujnog generatora. U izlaznom strujnom krugu nalazi se idealni strujni izvor koji
daje struju
I iz = AI I ul = AI I G
(4.28.a)
Struja na izlazu iz takvog pojaala ne ovisi o otporu potroaa prikljuenog na izlazne
stezaljke pojaala.
Kod idealnog naponskog pojaala AV ne ovisi o otporu potroaa i frekvenciji pojaavanog
naponskog signala. Idealno naponsko pojaalo ima ulazni otpor beskonano velik. Vrijedi
U iz = AV U ul = AV U G
(4.28.b)
Napon na izlazu iz takvog pojaala ne ovisi o otporu potroaa prikljuenog na izlazne

stezaljke pojaala.
118
4.2. Pojaala s bipolarnim tranzistorima
4.2.1. Pojaalo u spoju ZE

Pojaalo zamiljamo kao realni strujni izvor. Potroa (RP) spajamo na kolektor. Pomou
otpora RB smo izbjegli jo jednu bateriju i osigurali da postoji neka struja baze IB ak i ako je
ulazna struja Iul nula (eng. bias). Bitno je napomenuti da spoj na slici 4.17. predstavlja jedan
od najjednostavnijih spojeva pojaala u spoju ZE, koji se praktino ne koristi esto zbog
termike nestabilnosti, a ovdje je obraen prvenstveno radi jednostavnosti.
ip
RP
RB
B
iul
I0
ib
UCC
RG
Slika 4.17.
Pojaalo u spoju ZE
AI i AV su pojaanja koja se postiu kad se tranzistor realizira u jednom od spojeva i ona ne
zavise iskljuivo o svojstvima tranzistora ve i o pasivnim elementima koji se nalaze u
konkretnom sklopu. i su koeficijenti pojaanja koji se odnose iskljuivo na sami
tranzistor.
Iul
G
Uul
Rul
Iizl
hie
iul
ib
ic
Uizl
RP
RB
iizl
1
hoe
hreuce
hfeib
Rizl
Slika 4.18.
Pojaalo kao etveropol
Za sklop ZE bitno je strujno pojaanje , pa kako je = h fe biramo tranzistor iji je
parametar h fe velik.
Tipino se otpornik RB bira na nain da je znatno vei od ulaznog otpora tranzistora u spoju
ZE, tj RB >> hie. U tom sluaju, moe se uzeti Rul hie iul ib . Nadalje, s obzirom da je
RP
119
tipino hre << 1, utjecaj izlaznog napona na ulaz etveropola moe se zanemariti. Uvaavajui
ove aproksimacije, slijedi jednostavan izraz za strujno pojaanje:
AI =
Riz
iiz iiz
Riz
h fe =
=
Riz + R p
iul ib Riz + R p
(4.29)
Ako je
R p << Riz AI
(4.30)
U drugom sluaju, ako je

R p >> Riz AI
Riz
Rp
(4.31)
Za sluaj iz jednadbe 4.31. moemo primijetiti da je pojaanje AI manje nego to nam sam
tranzistor to omoguuje ( ). Kod strujnog pojaala najei je sluaj R p << Riz . Iz slike
etveropola prikazanog u spoju ZE (4.18) proizlazi
Riz
1
;
hoe
Rul hie
(4.32)
pa nam je u interesu da parametar hoe bude to manji tj. izlazni otpor Riz to vei. Primjer
vrijednosti h parametara tranzistora za strujno pojaalo: hie = 0.51.5 k, hfe = 50-500; hre =
10-4; hoe = 10-510-4 S.
Naponsko pojaanje se, uz aproksimaciju (4.30), izraunati iz strujnog na nain:
AV =
Rp
Rp
Rp
u izl R p iizl
,
h fe =
AI
=
=
Rul
Rul
u ul
Rul iul
Rul
(4.33)
a pojaanje snage:
G = AI AV =
Rp
Rul
(4.34)
Naponsko pojaanje izaziva obrtanje faze. Da bi dobili to vee naponsko pojaanje,

parametar tranzistora hie mora biti to manji. Dakle, traimo tranzistor za kojeg e pojaalo
imati dovoljno veliki izlazni otpor Riz (radi to veeg strujnog pojaanja) i dovoljno mali
ulazni otpor Rul (radi to veeg naponskog pojaanja). Da bi se tranzistor doveo u
odgovarajuu radnu toku Q (u aktivnom podruju) u kojoj postoji eljeni iznos faktora
strujnog pojaanja, potrebno je osigurati istosmjerne napone i struje kolektora i baze u radnoj
toki (Slika 4.19). Iz slike 4.17. moe se odrediti tzv. radni pravac (ovisan o naponu napajanja
Ucc, te otpornika u kolektoru RP):
U CC I C R p U ce = 0 I C =
U
1
U ce + CC
Rp
Rp
(4.35)
120
Napon izmeu baze i emitera se tipino kree oko 0.7 V, pa, uvaavajui ovu aproksimaciju,
moemo odrediti i struju baze koja presijeca radni pravac: I BQ = (U CC 0.7) / RB .
IC
PODRUJE ZASIENJA (UCE0.2V)
UCC
RP
IB6
AK
T
ICQ
IB5
IV
N
O
PO
DR
IB4=IBQ
JE
IB3
IB2
IB1
UCEQ
PODRUJE
ZAPIRANJA (IB=0)
UCC
UCE
Slika 4.19.
Postavljanje tranzistora u radnu toku
4.2.2. Naponsko pojaalo u spoju ZB

Spoj bipolarnog tranzistora sa zajednikom bazom (Slika 4.20) ne koristimo za strujno
pojaanje nego samo za naponsko pojaanje. Ulazna struja (struja emitera) uvijek je za iznos
struje baze vea od struje kolektora pa je faktor strujnog pojaanja uvijek malo manji od
jedan. Izborom otpora potroaa Rp utjeemo na veliinu naponskog pojaanja. Kako smo ve
mogli vidjeti u poglavlju 3.6.1., naponsko pojaanje posljedica je razlike dinamikih otpora
ulaznog i izlaznog kruga (ulazni krug propusno polariziran, a izlazni nepropusno).
iC
RG
RP
RB
uG
UEE
UCC
Slika 4.20.
Pojaalo s tranzistorom u spoju zajednike baze

Za strujno pojaanje vrijedi
121
AI h fb 1
(4.36)
dok je naponsko pojaanje

AV
Rp
Rul
>> 1
(4.37)
Veliko naponsko pojaanje posljedica je tipino znatno manjeg ulaznog otpora Rul (propusno
polariziranog PN spoja) u odnosu na otpor potroaa Rp. Otpor RB sa slike 4.20 je vrlo velik.
On zanemarivo utjee na struju IE, ali je potreban za odravanje statike radne toke ako se
odspoji izvor izmjeninog signala.
4.2.3. Pojaalo u spoju ZC transformator impedancije (emitersko sljedilo)
Tipino pojaalo s bipolarnim tranzistorom prikazano je na slici 4.21. Potroa je spojen u
krugu emitera, a kolektor je spojen direktno na bateriju (UCC). Naponsko djelilo sastavljeno
od serijskog spoja R1 i R2 osigurava statike uvjete (struju baze u statikim uvjetima) iz
baterije izlaznog kruga, ime je izbjegnuto koritenje jo jedne baterije (u ulaznom krugu).
R1
UCC
izlaz
RG
R2
RP
Slika 4.21.
Pojaalo s tranzistorom u spoju zajednikog kolektora
Strujno pojaanje je veliko, a naponsko vrlo blizu jedinici izmjenini izlazni napon je
praktino isti kao ulazni (slijedi ga), stoga i ime emitersko sljedilo. Razlog ovome lei u
injenici to propusno polarizirani ulazni PN spoj baza-emiter ima vrlo mali dinamiki otpor,
tako da se praktino kompletna promjena napona na ulazu "preslikava" na izlaznom otporniku
Rp.
AI >> 1
(4.38)
(4.39)
AV 1
Ulazni otpor je vrlo velik, a izlazni mali
Rul = R p
Riz <<
Rul >>
(4.40)
(4.41)
Ovaj sklop tipino se koristi za transformiranje velike na malu impedanciju (kada je

RG>>RP).
122
4.3. Pojaala s unipolarnim tranzistorima
4.3.1. Pojaalo u spoju zajednikog uvoda (ZS)

MOSFET tranzistori ovisno o tipu (obogaeni ili osiromaeni tip) mogu raditi s razliitim
naponima na upravljakoj elektrodi (G). MOSFET osiromaenog tipa moe raditi s oba
predznaka napona na upravljakoj elektrodi (u osiromaenom i obogaenom modu), dok
MOSFET obogaenog tipa moe raditi samo s jednim predznakom tog napona (samo u
obogaenom modu). JFET-ovi su uvijek osiromaenog tipa, no mogu raditi samo u
osiromaenom modu. Kad bi sklop prikazan na slici 4.22 radio u osiromaenom modu, onda
bi napon UGG imao obrnuti polaritet. Polaritet UGG prikazan na slici "obogauje" kanal pa
MOSFET radi u obogaenom modu.
Slika 4.22.
Pojaalo u spoju zajednikog uvoda (ZS) rad u obogaenom modu
Na osnovu ve prikazanih statikih karakteristika unipolarnih tranzistora, moemo zakljuiti

da u je podruju zasienja struja odvoda (ID) konstantna uz konstantni napon izmeu
upravljake elektrode i uvoda (UGS) pa se u tom podruju rada MOSFET ponaa kao strujni
izvor. Kako struja ne ovisi o naponu UDS ona, uz U DS U GS U P (zasienje), gotovo ne ovisi
ni o otporu potroaa RP. Dakle, ulazna veliina je napon, a izlazna struja (upravljana ulaznim
naponom), pa se ovdje radi o strminskom pojaalu. Izraz za strminu zadan je jednadbom
(3.51). Nadomjesni sklop za pojaalo u spoju zajednikog uvoda prikazan je na slici 4.23. Iz
sheme je vidljivo da Rul . Izlazni otpor je takoer velik (Riz >>), a iz izraza za naponsko
pojaanje primjeujemo da ovo pojaalo obre fazu
AV =
uizl id
i
RD rd
R r
( RD rd ) = d
=
= gm D d
uul u gs
u gs RD + rd
RD + rd
(4.42)
Dinamiki otpor rd je velik (u podruju zasienja izlazna struja MOSFET-a je gotovo

konstantna), najee znatno vei od RD, tako da se struja kroz rd moe zanemariti u odnosu
na struju kroz RD. Ovo implicira Riz RD., kao i pojednostavljenje relacije (4.42):

AV = g m
123
RD rd
RD
= gm
= { RD << rd } g m RD
RD
RD + rd
+1
rd
(4.43)
U sluaju prikljuenja potroaa RP, struja protjee ne samo kroz RD, ve i kroz RP, pa slijedi:
AV g m ( RD RP ) = g m
RD RP
= {ako RP << RD } g m RP
RD + RP
RG
uG
rd
uGSgm
(4.44)
uizl
RD
Slika 4.23.
Nadomjesni sklop pojaala u spoju zajednikog uvoda (ZS)
4.3.2. Pojaalo u spoju zajednikog odvoda (ZD)

Pojaalo u spoju zajednikog odvoda prikazano je na slici 4.24.a. Koritenjem dva otpornika
kao djelitelja napona (R1 i R2), dovoljna nam je samo jedna baterija (UDD), a suvina je
posebna baterija za postavljanje napona upravljake diode (UGG). Potroa RP je spojen u krug
uvoda (S), a odvod (D) je spojen na bateriju UDD to znai da je za izmjenini signal odvod
(D) zapravo uzemljen.
R1
UDD
uG
RG
R2
RP
Slika 4.24.a
Pojaalo u spoju zajednikog odvoda (ZD) rad u obogaenom modu
124
I ovaj sklop prikazan na slici radi u obogaenom modu jer je upravljaka elektroda (G)
pozitivno polarizirana u odnosu na uvod (S) (R1 i R2 se biraju tako da je potencijal na G vei
od potencijala na S). Sklop ima svojstva slina spoju zajednikog kolektora (emitersko
sljedilo). Nema naponskog pojaanja, ne obre fazu i prilagoava impedanciju sa velike
ulazne na malu izlaznu impedanciju (tj. otpor).
Rul >>
Riz <<
AV 1
AI > 0
Izraz za naponsko pojaanje moemo dobiti iz slike nadomjesnog sklopa

r R
uizl = g m u gs d P = { RP << rd } g m RP u gs
rd + RP
uizl / u gs
uizl
g m RP
=
=
=
u gs + uizl 1 + uizl / u gs 1 + g m RP
u gs = uul uizl ;
u
AV = izl
uul
(4.45)
a uz g m RP >> 1 dobijemo AV 1 .
Koristi se kao jedna vrsta meusklopa tj. sklopa za sueljavanje (transformatora impedancije).
U sluaju da je unutranji otpor RG naponskog generatora (tj. sklopa iji se napon eli
pojaati) velik, a otpor potroaa RP malen, direktno spajanje potroaa na naponski generator
bi izazvalo znatno naruavanje napona na potroau (bio bi znatno manji od UG). Drugim
rijeima, spajanje potroaa bi znatnije poremetilo stvarni iznos napona koji se eli dovesti na
potroa. U ovakvim sluajevima se stoga potroa spaja preko sklopa transformatora
impedancije. Ovakav sklop ima vrlo veliki ulazni otpor (tipino znatno vei od RG), ime je
osigurano da se praktino kompletan UG dovodi na ulaz sklopa.
Ovim se osigurava da napon na potroau malog otpora RP stvarno slijedi UG, bez obzira na
veliki unutranji otpor RG. Iz dosadanjeg izlaganja moe se zakljuiti da spoj FET-a sa
zajednikim odvodom ima istu funkciju kao spoj bipolarnog tranzistora sa zajednikim
kolektorom (emitersko sljedilo).
Slika 4.24.b.
Nadomjesni sklop pojaala u spoju zajednikog uvoda (ZD)
4.3.3. Pojaalo u spoju zajednike upravljake elektrode (ZG)

Izvedba pojaala u spoju zajednike upravljake elektrode prikazana je na slici 4.25.a.
125
D
G
RS
RG
ID
RP
R1
R2
UG
-
UDD
Slika 4.25.a.
Pojaalo u spoju zajednike upravljake elektrode (ZG) rad u obogaenom modu
Ulazni signal se dovodi u krug uvoda (S), a izlazni signal (pojaan) se predaje potroau u
krugu odvoda (D). Otpor RS je dodan da bi pol bio spojen na uvod (S) ak i ako odspojimo
generator. Naponsko djelilo realizirano preko R1, R2 osigurava statiku radnu toku.
Kondenzator C slui za uzemljenje izmjeninog signala na upravljakoj elektrodi (G)
(kondenzator se aproksimira kao kratki spoj za izmjenini signal). Nadomjesni sklop prikazan
je na slici 4.25.b.
RG
gmUgs
Ugs
+
UG
Us
ID
rd
RS
UP
RP
ID`
G
Rul
Rul`
Slika 4.25.b.
Nadomjesni sklop pojaala u spoju zajednike upravljake elektrode (ZG)
Izlazni i ulazni napon su u fazi (AV > 0), a porastom otpora potroaa raste i naponsko
pojaanje. Pojaalo u spoju zajednike upravljake diode ima mali ulazni i veliki izlazni
otpor. Ulazna struja (u dovod) ista je kao izlazna struja (struja odvoda), jer struja kroz
upravljaku elektrodu ne postoji. Stoga se ovaj spoj moe takoer koristiti kao transformator
impedancije, no za strujne generatore - kako bi "preslikao" ulaznu struju strujnog generatora
sa malim unutranjim otporom na potroa velikog otpora.
4.4. Kaskadna pojaala
Kaskadna pojaala predstavljaju niz od dva ili vie pojaala meusobno spojenih tako da bi se
postiglo vee pojaanje nego to ga moemo postii samo s jednim tranzistorom. Stupnjevi u
kaskadi karakterizirani su odgovarajuim iznosima naponskog i strujnog pojaanja (AV1, AI1,
126
AV2, AI2,...), a takoer i odgovarajuim iznosima ulaznih i izlaznih otpora. Izlaz prvog stupnja
pojaala, predstavlja ulaz drugog stupnja itd. Potrebno je napomenuti da je svaki stupanj u
kaskadi prikljuen na istosmjerni izvor kako bi se osigurale potrebne radne toke tranzistora u
kaskadi. Izraunajmo ukupno pojaanje napona i struje u kaskadi prikazanoj na slici 4.26:
AV =
U3 U3 U2
=
= AV 2 AV 1
U1 U 2 U1
(4.46)
Openito vrijedi
n
AV = AVi
(4.47)
i =1
ili ako pojaanje izrazimo u decibelima

n
AV [dB ] = AVi [dB ]
(4.48)
i =1
Za strujno pojaanje moemo napisati

AI =
I3 I3 I 2
= = AI 2 AI 1
I1 I 2 I1
(4.49)
i openito
n
AI = AIi
(4.50)
i =1
ili u decibelima
n
AI [dB ] = AIi [dB ]
(4.51)
i =1
I1
RG
U1
I3
Av2
Av1
+
UG
I2
U2
U3
AI2
AI1
RP
Slika 4.26.
Kaskadna pojaala
Veza meu stupnjevima moe se izvesti kao izmjenina ili istosmjerna. Kod izmjenine veze
s izlaza jednog stupnja na ulaz drugog stupnja se prenosi samo izmjenina komponenta
signala, a istosmjerna je blokirana (obino koristimo vezni kondenzator).
127
4.4.1. Darlingtonov spoj

esto koriteni spoj kaskadnog pojaala s istosmjernom vezom je Darlingtonov spoj (Slika
4.27). Izmjenina struja dovodi se na ulaz (bazu) prvog tranzistora. U krugu kolektora prvog
tranzistora tee struja hfe1Ib1 gdje je hfe1 faktor strujnog pojaanja u spoju zajednikog emitera.
Struja baze drugog tranzistora ujedno je i struja emitera prvog, pa vrijedi
I b 2 = I e1 = (1 + h fe1 )I b1 h fe1 I b1
(4.52)
I c 2 = h fe 2 I b 2 I b1 h fe1 h fe 2
(4.53)
I c = I c1 + I c 2 h fe1 I b1 + h fe1 h fe 2 I b1
(4.54)
nadalje,
pa je ukupna struja kolektora
odakle je ukupni faktor strujnog pojaanja

h fe =
Ic
= h fe1 (1 + h fe 2 ) h fe1 h fe 2
I b1
(4.55)
Tranzistori T1 i T2 na slici su tzv. upareni tranzistori. Oni imaju potpuno iste karakteristike
(svi parametri su im isti) T1 T2 . Strujno pojaanje prvog tranzistora pomnoeno je strujnim
pojaanjem drugoga da bi postigli kombinaciju koja se ponaa kao jedan tranzistor s faktorom
strujnog pojaanja h21 (hfe = IC / IB) jednakim umnoku pojaanja dva tranzistora.
ic
ib1
UCC
T1
ulaz
Rul
ib2
ic2
T2
izlaz
RP
Rul2
Slika 4.27.
Darlingtonov spoj
Darlingtonov par se esto koristi zbog poveanja ulaznog otpora bipolarnih sklopova. S
obzirom da su tranzistori spojeni u spoju zajednikog kolektora, kako je opisano u poglavlju
4.2.3., ulazni otpor e biti velik. Vodei rauna o relaciji (4.40), za sklop na slici 4.27.
moemo napisati
128
Rul 2 h fe 2 RP
Rul h fe1 Rul 2
(4.56)
h fe1 = h fe 2 = h fe Rul h 2fe RP
Npr. za Rp =1K te hfe = 100 ulazni otpor Darlingtonovog para je 10M.

4.5. Diferencijalno pojaalo
Naziv ovog pojaala proizlazi iz injenice da na izlaznim stezaljkama imamo napon koji ovisi
o razlici U1 U2. Tranzistori T1 i T2 sa slike 4.28 su identini: T1 T2 . Otpori RB slue za
dovoenje istosmjerne struje u baze tranzistora ime osiguravamo rad tranzistora u
normalnom aktivnom podruju. Dva ulaza su na bazama tranzistora, a izlazi su na
kolektorima. Emiteri su spojeni u zajedniku toku. Kada na ulazima pojaala nema signala,
struja IE se zbog istih tranzistora i simetrinosti sklopa, podjednako dijeli na oba tranzistora.
UCC
RB
RC
RC
RB
Uizl
T1
T2
U1
U2
IE
Slika 4.28.
Diferencijalno pojaalo
T1 T2
Dovoenjem razliitih signala na ulaze, poremetit e se stanje ravnotee pa e struja jednog
emitera porasti, no s obzirom da, zbog strujnog izvora, suma emiterskih struja mora uvijek biti
konstantna, struja drugog emitera mora se smanjiti za isti iznos. Posljedica razliitih
emiterskih struja su i razliite kolektorske struje, pa su i padovi napona na kolektorskim
129
otpornicima RC razliiti, to konano izaziva odgovarajue promjene potencijala na

kolektorima oba tranzistora i samim tim izlaznog napona.
Pojaanje ne ovisi o tome da li se signal dovodi simetrino (koristei oba ulaza) ili
asimetrino (samo na jedan ulaz). Pojaalo pojaava razliku napona na ulazima. Pojaanje za
simetrini diferencijalni izlaz (potroa se spaja na oba kolektora) dvostruko je vee nego
pojaanje za asimetrini izlaz (kada se potroa spaja samo na jedan kolektor i uzemljenje).
Pojaanje razlike signala na ulazu naziva se diferencijalno pojaanje. Idealno, ako se naponi
na ulazima mijenjaju, no ostaje U1 = U2, izlazi (potencijali kolektora) se ne mijenjaju bez
obzira na iznose U1, U2. No, kod realnog diferencijalnog pojaala ipak dolazi do male
promjene izlaza i u ovom sluaju (iako nema razlike napona izmeu ulaza). Ova promjena
reflektira se kroz faktor zajednikog pojaanja. Omjer diferencijalnog i zajednikog pojaanja
zove se faktor potiskivanja diferencijalnog pojaala. Ovaj parametar diferencijalnog pojaala
tipino ima vrlo visoke iznose (diferencijalno pojaanje je znatno vee od zajednikog).
4.6. Strujno zrcalo
Strujno zrcalo je jedan od naina realizacije konstantnog strujnog izvora, gdje je proizvedena
struja jednaka nekoj ulaznoj struji. Ovaj princip ilustriran je slikom 4.29. Dva tranzistora T1 i
T2, imaju povezane baze i emitere pa stoga imaju jednake napone izmeu emitera i baze.
Ukoliko su tranzistori T1 i T2 identini, kolektorska struja e im takoer biti jednaka. Struja I0
koja preko otpornika R dolazi na tranzistor T1 (ulazni tranzistor), biti e jednaka struji koja
prolazi potroaem RP spojenim na kolektoru tranzistora T2 (izlazni tranzistor).
UCC
I0
I0
T1
T2
RP
Slika 4.29.
Osnovni princip rada strujnog zrcala
Ovakav nain preslikavanja eljene struje moe se koristiti i za realizaciju strujnog izvora
kakvo je bilo potrebno za realizaciju diferencijalnog pojaala prikazanog na slici 4.28.
Objasnimo sada rad sklopa prikazanog na slici 4.30. (ovaj put radi se o NPN tranzistorima).
eljena struja I0 se generira u grani: masa, otpor R1, tranzistor T4, napon UEE. Ova grana
nema nita zajednikog sa sklopom diferencijalnog pojaala, ali ta grana omoguava da se
preko tranzistora T3 preslika njena struja I0 u kolektor tranzistora T3. Struju koja prolazi kroz
otpor R1 oznaimo s I0'', a kolektorsku struju tranzistora T3 oznaimo s I0'. Te dvije struje
zapravo i nisu potpuno jednake, ali moemo pokazati da je razlika vrlo mala. Struje baze su,
130
zbog identinih tranzistora T3 i T4 te zajednikog emiterskog napona UEE, jednake. Tada je

struja I0' jednaka
I0 '= 0 I B
(4.57)
a struja kroz otpor R1 je jednaka

I 0 ' ' = 0 I B + 2 I B = ( + 2 ) I B
(4.58)
Odatle moemo dobiti i vezu izmeu struja I0' i I0'' :
0
0
I0 '
=
I0 '=
I0 ''
0 + 2
I0 '' 0 + 2
(4.59)
Iz jednadbe (4.59) vidimo da razlika meu zrcalnim strujama postoji, ali nije velika, jer se 0
kree od 50 200. Iznos struje I0'' je odreena iz pada napona na otporu R1 kao
I0 ''=
U EE U BE
R1
(4.60)
to znai da promjenom otpora R1 podeavamo iznos struje I0'', a time i struju I0'.
RB
T1
T2
RB
U2
I0 = 0IB
U1
R1
I0 = 0IB + 2IB
0IB
2IB
T3
T4
IB
IB
- UEE
Slika 4.30.
Strujno zrcalo kao strujni izvor diferencijalnog pojaala
131
Tehnika strujnog zrcala esto se koristi za dobivanje veeg broja istih struja u sklopu. To se
postie spajanjem veeg broja izlaznih tranzistora na jedan ulazni tranzistor. Strujna zrcala
iroko se primjenjuju u integriranim sklopovima gdje je mogue postii gotovo identine
tranzistore. Male udaljenosti izmeu tranzistora u sklopu takoer osiguravaju i zanemarive
razlike u temperaturi to je povoljno zbog varijacije strujno-naponskih karakteristika
tranzistora kao funkcije temperature.
4.7. Povratna veza
Sustavi s povratnom vezom na osnovu informacije o izlaznom signalu iz sustava modificiraju

ulazni signal kako bi dobili eljeni rezultat. Povratna veza koristi se u gotovo svim biolokim
i umjetnim sustavima, ali emo mi nae razmatranje suziti na elektronike sklopove.
Postoje dvije vrste povratne veze: negativna i pozitivna povratna veza. Negativna povratna
veza izaziva smanjenje iznosa pojaanja signala. Iako zbog toga ova vrsta povratne veze na
prvi pogled djeluje nepoeljno, postoji vie razloga njena koritenja. Navedimo osnovne:
- stabiliziranje iznosa pojaanja s obzirom na promjene parametara aktivnih
komponenata sklopa zbog promjene temperature, napona napajanja, starenja
komponenata itd.
- prilagoenje ulazne i izlazne impedancije sklopa na eljeni iznos
- reduciranje nelinearnih izoblienja (linearizacija prijenosne funkcije)
- poveanje irine pojasa pojaala
Pozitivna povratna veza izaziva poveanje iznosa pojaanja. Ova vrsta povratne veze koristi
se pri izradi oscilatora.
ulaz
xa
K
xul
xf
xp
izlaz
A
-
xp
Slika 4.31.
Tok signala u sklopu s povratnom vezom
Objasnimo princip negativne povratne veze prikazan na slici 4.31. Generator G nam daje
signal xul koji se dovodi na komparator. Iz komparatora K izlazi signal xa koji ulazi u pojaalo
A (A Amplification - pojaanje) koje na izlazu ima signal xp. Na izlaz dolazi signal xp, ali se
taj signal takoer dovodi i na B mreu koja je sastavljena iskljuivo od pasivnih elemenata
(otpornik, kondenzator, zavojnica). Na izlazu dobivamo signal xf (f feedback - povratna
veza). Dakle, signal prolazi kroz pojaalo, zatim se prolazom kroz mreu smanjuje x f < x p
i tako smanjen se vraa na komparator. Razlika ulaznog i povratnog signala djeluje kao ulazni
signal xa u pojaalo A itd...
132
xul x f = x a
(4.61)
xul = x a + x f
Pojaanje pojaala je jednako omjeru izlaznog i ulaznog signala pojaala
A=
xp
(4.62)
xa
dok je pojaanje, odnosno smanjenje B mree
B=
xf
(4.63)
xp
odakle dobijemo izraz za pojaanje s povratnom vezom
xp
Af =
xp
xul
xa
xf
xa
+1
xp
=
xf
xa
xp
+1
x p xa
A
A
=
BA + 1 F
(4.64)
gdje je F faktor povratne veze (F = BA + 1) .

Ovisno o faktoru povratne veze imamo tri mogua sluaja:
-
F > 1 tj. pojaanje s povratnom vezom je manje od pojaanja pojaala BA > 0 . Za

ovaj sluaj kaemo da se radi o negativnoj povratnoj vezi.
F < 1 tj. pojaanje s povratnom vezom je vee od pojaanja pojaala BA < 0 . Za ovaj
sluaj kaemo da se radi o pozitivnoj povratnoj vezi jer su A i B razliitih predznaka
pa se signal na komparatoru ne oduzima nego zbraja to uzrokuje poveanje signala.
F = 0, tj. BA = 1 . U ovom sluaju pojaanje s povratnom vezom A f = tj. uz xul =
0 dobivamo x p 0 . Sklop bez djelovanja vanjskog generatora na ulazu, sam generira

izmjenini signal xp na izlazu, pretvarajui istosmjerni napon napajanja u izmjenini
izlazni napon. Takav sklop nazivamo oscilator i on se koristi za generiranje
izmjeninih signala.
4.7.1. Oscilatori
Za oscilatore mora, kako je ve navedeno, biti zadovoljen Barkhausenov uvjet osciliranja:
BA + 1 = 0 . Openito, B i A su kompleksni brojevi pa moemo pisati
Re(BA) + i Im(BA) = 1
odakle je
Re(BA) = 1
Im(BA) = 0
(4.65)
(4.66)
133
- UCC
R1
RP
C
R
R2
RE
R3
CE
Slika 4.32.
RC oscilator
*
R3 + h11e = R
Odavde dobivamo uvjete koji nam kau da li odreeni sklop moe oscilirati ili ne. Najee iz
uvjeta Im(BA) = 0 dobijemo frekvenciju osciliranja, a iz Re(BA) = -1 dobijemo meusobne
odnose elemenata sklopa koji moraju biti zadovoljeni da bi sklop oscilirao.
Primjer jednog RC oscilatora prikazan je na slici 4.32. Ovo je najjednostavniji tip oscilatora.
Kad bi uklonili kondenzator CE, dobili bi laganu negativnu povratnu vezu na otporniku RE.
Ali, to bi imalo smisla jedino u sluaju kad bi imali samo pojaalo. Na ovo pojaalo su
spojene tri RC elije (*). S tree RC elije vuemo napon i vraamo ga na ulaz oscilatora. Ove
elije moraju smanjiti amplitudu izlaznog signala na zahtijevanu veliinu radi odravanja
titraja (oscilacija), a takoer moraju i zakrenuti fazu izlaznog signala za onoliko za koliko je
pojaalo zakrenulo fazu u odnosu na ulazni signal. Dakle, signal povratne veze mora biti
istofazan s ulaznim signalom, inae dolazi do guenja. Nae pojaalo sainjeno je od jednog
tranzistora u spoju zajednikog emitera pa ono zakree fazu za . Ove tri RC elije moraju
ponovo zakrenuti fazu za , tj. svaka elija je mora zakrenuti za / 3 . Kondenzatorima smo
sprijeili da istosmjerni napon UCC doe na izlaz. Tako smo dobili oscilator s frekvencijom
titranja
f =
1
2RC 6 + 4
koja prvenstveno ovisi o vrijednosti RC.
RP
R
134
4.8. Operacijska pojaala
Najvei dio pojaala realizira se izradom svih potrebnih komponenti na jednom silicijskom
ipu koji tako formiraju monolitni integrirani sklop koji se sastoji od vie tranzistora, dioda,
otpornika, kondenzatora, zavojnica,... Takva pojaala, izvedena u monolitnoj, tehnici
nazivamo operacijska pojaala. Openito, operacijska pojaala mogu izvesti razliite
operacije kao to su zbrajanje, oduzimanje, integriranje, deriviranje i pojaanje ulaznog
signala.
Operacijsko pojaalo se, u pravilu, sastoji od tri stupnja:
-
I stupanj: diferencijalno pojaalo koje omoguava dva ulazna signala, osigurava veliki
ulazni otpor i pojaanje signala
II stupanj: vrlo veliko pojaanje
III stupanj: osigurava mali izlazni otpor i veliki hod izlaznog signala
Na primjer, pojaalo LM741 koje je u najiroj primjeni, sastoji se od 20 tranzistora i zauzima

povrinu od 1 mm2. Ukupno pojaanje iznosi oko 110 dB (300000 puta).
Idealno operacijsko pojaalo trebalo bi imati ove osobine:
-
beskonano veliko pojaanje ( AV = )

beskonano velik ulazni otpor (Rul = )
izlazni otpor jednak nuli (Riz = 0 )
prijenos svih frekvencija
Ovo su, to se tie ulaza i izlaza, karakteristike sline emiterskom sljedilu. Realni ulazni otpor
varira u velikom rasponu (LM741 2 M, moe od 300 k 100 M), za vrlo velike ulazne
otpore koristimo operacijska pojaala bazirana na FET-ovima (1012 ). Izlazni otpor je
obino 75 za operacijska pojaala bazirana na bipolarnim tranzistorima. Ulazne struje su od
10-20 mA, a postoje i posebno dizajnirani sklopovi koji rade s veim strujama. S obzirom na
jako veliko naponsko pojaanje, moglo bi se zakljuiti da za npr. ulazni napon od 1 V na
izlazu tipinog 741 pojaala dobijemo 300000 V. To, naravno, nije tako: uobiajeno je
maksimalni izlazni napon neznatno nii od napona istosmjernog napajanja. Pojaalo
prikljueno na pozitivni istosmjerni napon od + 15 V i negativni -15 V, moi e na izlazu
proizvesti napon u naponskom opsegu od npr. 13 V.
Slika 4.33.
Operacijsko pojaalo.
B1 invertirajui ulaz, B2 neinvertirajui ulaz
135
Potrebno je napomenuti jo jednu karakteristiku operacijskog pojaala. Ukoliko je ulazni

napon u pojaalo nula (npr. tako da kratko spojimo ulaze), izlazni napon, iako to oekujemo,
kod realnih operacijskih pojaala nikad nije nula. Ovo odstupanje (pomak) izlaza od nule
posljedica je nesavrenosti realnih tranzistora i ostalih komponenti i naziva se offset. Ovaj
efekt se moe shvatiti kao postojanje vrlo malog naponskog izvora unutar operacijskog
pojaala koji se zbraja na ulazni napon, tako da, ak i kada je ulazni napon nula, na ulazima
diferencijalnog pojaala postoji ovaj mali napon, koji se onda pojaa i izaziva postojanje
nekog esto nezanemarivog napona na izlazu. Ovaj "virtualni" mali napon na ulazima
operacijskog pojaala naziva se napon offseta (Uoff). Ako se na ulaze dovede napon koji je po
predznaku suprotan, a po iznosu jednak Uoff, izlaz operacijskog pojaala biti e nula.
Za operacijsko pojaalo prikazano na slici 4.33, moemo rei da je diferencijalnog tipa. Ulaz
B1 je invertirajui, a B2 neinvertirajui ulaz. Razlika ova dva ulaza je ulazni napon (Uul =U1
U2), pa je u ovom sluaju. pojaanje negativno (obrtanje faze). Izlazni napon Uiz se dobije kao
umnoak naponskog pojaanja i ulaznog napona. Nadomjesni sklop operacijskog pojaala
(koji uzima u obzir Uoff) prikazan je na slici 4.34.
Slika 4.34.
Nadomjesni sklop operacijskog pojaala
V-
Slika 4.35.
Tipine izvedbe operacijskih pojaala
136
Najvei broj operacijskih pojaala pojavljuje se u obliku integriranih sklopova (IC) koji
obino sadre jedan, dva ili etiri pojaala. Slika 4.35. prikazuje primjere sklopova s pinovima
(prikljucima). Pinovi integriranih sklopova oznaeni su brojkama u smjeru obratnom od
kazaljke na satu. Oznaka orijentacije je zarez na jednom kraju kuita ili krui na pinu broj
jedan. Oznaka NC uz pin oznaava da nema veze (no connection), V- je negativni napon
napajanja, V+ pozitivni napon napajanja. Neki sklopovi imaju ulaz za nulti offset (offset null)
koji se moe koristiti za uklanjanje efekata napona offseta.
4.8.1. Neinvertirajue pojaalo
Objasnimo neinvertirajue pojaalo prikazano na slici 4.36. U+ oznaava neinvertirajui, a s
U- invertirajui ulaz operacijskog pojaala. Kako pojaanje A tei beskonano velikoj
vrijednosti, za konane vrijednosti izlaznog napona Uiz, ulazni napon operacijskog pojaala
(Uul = U+ - U-) mora teiti nuli. Stoga moemo napisati:
U = U + = U ul
(4.67)
Uz vrlo veliki ulazni otpor (Rul ) moemo zanemariti ulaznu struju u pojaalo. Stoga
vrijedi
U = U iz
R2
R1 + R2
(4.68)
U ul = U iz
R2
R1 + R2
(4.69)
odakle je ukupno pojaanje

Af =
U iz R1 + R2
=
U ul
R2
Slika 4.36.
Neinvertirajue pojaalo
(4.70)
137
4.8.2. Invertirajue pojaalo

Negativna povratna veza ovog sklopa (Slika 4.37) nastoji odrati napon na invertirajuem
ulazu U- jednak naponu na neinvertirajuem ulazu U+, koji je uzemljen (0 V). Naime, to Upostaje pozitivniji, izlaz postaje negativniji, pa preko otpornika R2 ulaz U- postaje negativniji.
Slino, to je U- negativniji, izlaz postaje pozitivniji to za posljedicu ima poveanje
pozitivnosti U-. Za idealno pojaalo, pojaanje je beskonano, stabilizacija je savrena i ulaz
U- je stalno na 0 V. Stoga je ulazni napon operacijskog pojaala U+ - U- jednak nuli tj. vrijedi
U = U+ = 0
(4.71)
Kako je ulazna struja u operacijsko pojaalo zanemariva, struje I1 i I2 moraju biti jednake po
iznosu i suprotnog smjera. Za struju I1 moemo napisati
I1 =
U ul U U ul 0 U ul
=
=
R1
R1
R1
(4.72)
I2 =
U iz U U iz 0 U iz
=
=
R2
R2
R2
(4.73)
a za struju I2
Iz relacije
I1 = I 2
(4.74)
U ul
U
= iz
R1
R2
(4.75)
slijedi
pa je ukupno pojaanje
Af =
U iz
R
= 2
U ul
R1
(4.76)
Slika 4.37.
Invertirajue pojaalo
U ovom sklopu invertirajui ulaz (-) se nalazi na nultom potencijalu iako nije direktno
uzemljen. Zbog toga se ova toka esto naziva virtualno uzemljenje, a itav sklop pojaalo s
virtualnim uzemljenjem.
138
4.8.3. Diferencijalno pojaalo

Za sklop sa slike 4.38. vrijede slijedee relacije
U + = U ul1
R2
R1 + R2
U = U ul 2 + (U iz U ul 2 )
(4.77)
R1
R1 + R2
(4.78)
Kao i u sluaju invertirajueg pojaala, kao posljedica negativne povratne veze naponi U+ i Use nastoje izjednaiti pa je stoga
U ul1
odakle dobijemo
R2
R1
= U ul 2 + (U iz U ul 2 )
R1 + R2
R1 + R2
(4.79)
U ul1 R2 = U ul 2 R1 + U ul 2 R2 + U iz R1 U ul 2 R1
U iz =
U ul1 R2 U ul 2 R2
R1
Dakle, izlazni napon moemo izraunati iz

U iz = (U ul1 U ul 2 )
R2
R1
(4.80)
Izlazni napon je jednak razlici ulaznih napona pomnoenih s omjerom otpora R2 i R1.
Moemo primijetiti da za jednake otpore R2 i R1, izlazni napon je jednak Uul1 Uul2 pa imamo
jednostavno oduzimanje napona.
Slika 4.38.
Diferencijalno pojaalo
139
4.8.4. Sumator (zbrajalo)

Toka U- na slici 4.39 je toka virtualnog uzemljenja. Stoga moemo rei da je na nultom
potencijalu (0 V) i struje koje ulaze u toku se mogu izraunati:
I1 =
U ul1
;
R1
I2 =
U ul 2
;
R1
I3 =
U iz
R2
(4.81)
S obzirom na zanemarivo malu ulaznu struju operacijskog pojaala, suma struja u

invertirajui ulaz (U-) je nula.
I 3 = ( I 1 + I 2 )
(4.82)
U
U iz
U
= ul1 + ul 2
R2
R1
R1
(4.83)
Odakle za izlazni napon dobijemo

U iz = (U ul1 + U ul 2 )
R2
R1
(4.84)
Izlazni napon je odreen sumom ulaznih napona i omjerom otpornika R1 i R2. Negativni
predznak pokazuje da sklop obre fazu. Za jednake otpore R1 i R2, izlazni napon bi bio jednak
(U ul1 + U ul 2 ) . Ovaj sklop se moe jednostavno modificirati dodavanjem vie ulaznih
signala. Neogranieni broj ulaznih otpornika mogu se paralelno spojiti, i ukoliko su svi s
istom vrijednou R1, izlazni napon e biti:
U iz = (U ul1 + U ul 2 + U ul 3 + ...)
Slika 4.39.
Sumator
R2
R1
(4.85)
140
4.8.5. Naponsko sljedilo

Ovo pojaalo je zapravo specijalni sluaj neinverirajueg pojaala kojemu je otpor R1 nula, a
otpor R2 beskonaan. Jednadba (4.70) moe se napisati i na sljedei nain
Af =
R1
+1
R2
(4.86)
Zamjenom odgovarajuih vrijednosti otpora dobijemo

Af =
0
+1 = 1
(4.87)
to je pojaalo s jedininim pojaanjem. Kao i emiterska sljedila koja realiziramo s

tranzistorima, i ovaj sklop se esto koristi kad imamo izvor napona s velikom unutranjom
impedancijom, a elimo povui veu struju nego izvor moe proizvesti. Rjeenje je u
preslikavanju ulaznog napona Uul na izlaz operacijskog pojaala Uiz koje moe proizvesti
veu struju bez smanjenja izlaznog napona jer je unutranji otpor operacijskog pojaala manji
od unutranjeg otpora originalnog izvora.
Slika 4.40.
Naponsko sljedilo
4.8.6. Strujno-naponski pretvornik

Zbroj struja koje ulaze u toku virtualne nule (U-) jednak je nuli (Slika 4.41).
I ul + I R = 0
(4.88)
Kako je napon U- = 0, struju IR moemo napisati kao

IR =
U iz
R
(4.89)
odakle vrijedi
I ul = I R =
U iz
R
(4.90)
i nadalje
U iz = I ul R
(4.91)
Iz jednadbe (4.91) moemo zakljuiti da je izlazni napon direktno proporcionalan ulaznoj

struji. Negativni predznak znai da se faza signala okree.
141
Slika 4.41.
Strujno-naponski pretvornik
4.8.7. Integrator
Sklop koji se ponaa kao integrator dobit emo zamjenom otpornika R2 invertirajueg
pojaala s kondenzatorom C (Slika 4.42).
Slika 4.42.
Integrator
Sa slike moemo zakljuiti da vrijedi

IC + I R = 0
I C = I R =
U ul
R
Kako je napon U- = 0, izlazni napon Uiz je jednak naponu na kondenzatoru
(4.92)
142
t
q 1
U iz = = I C dt + B1 .
C C0
(4.93)
gdje je B1 konstanta jednaka poetnom naboju na kondenzatoru u trenutku t = 0. Ako

pretpostavimo da u poetnom trenutku nije bilo naboja na kondenzatoru, supstitucijom izraza
(4.92) u (4.93) dobijemo
t
t
1 U
1
U iz = ul dt =
U ul dt
(4.94)
C0 R
RC 0
Izlazni napon je proporcionalan integralu ulaznog napona, a konstanta proporcionalnosti
odreena je vremenskom konstantom koja je jednaka umnoku RC.
4.8.8. Derivator
Derivator moemo realizirati zamjenom pozicija otpornika i kondenzatora u integratoru (Slika
4.43). Kao i ranije, U- je virtualna toka uzemljenja i zbroj ulaznih struja u ovu toku mora
biti jednak nuli.
U
(4.95)
I C + I R = 0 I C = I R = iz
R
Kako je napon U- = 0, napon na kondenzatoru jednak je ulaznom naponu Uul
t
1
U ul = I C dt + B1
C0
(4.96)
Deriviranjem lijeve i desne strane po t dobijemo

dU ul I C
=
dt
C
(4.97)
dU ul
U
= iz
dt
RC
(4.98)
Iz jednadbe (4.95) nadalje slijedi
odakle smo dobili ovisnost izlaznog o ulaznom naponu

U iz = RC
dU ul
dt
(4.99)
Dakle, izlazni napon proporcionalan je derivaciji ulaznog napona po vremenu. U praksi se

ovaj sklop rijetko koristi u ovom obliku jer znaajno pojaava um visokih frekvencija i
neeljene iljke signala pa je stoga nestabilan. Obino se u seriju s kondenzatorom doda
otpornik koji smanjuje neeljeno pojaanje uma.
143
Slika 4.43.
Derivator
4.8.9. RC oscilator realiziran pomou operacijskog pojaala

RC oscilator prikazan na slici 4.32. moe se, umjesto pomou tranzistora, realizirati
operacijskim pojaalom. Ovakav sklop prikazan je na slici 4.44. Osnovno pojaanje (A)
prikazanog operacijskog pojaala iznosi R2/R1.
R2
R1
UU+
R*
B
Slika 4.44.
RC oscilator (R1 R * = R ) .
144
Princip rada je jednak kao i kod sklopa koji koristi tranzistor za pojaanje, dakle B mrea se
sastoji od tri RC sekcije su odgovorne za zakretanje faze povratnog signala za 180. Moe se
dokazati da je frekvencija titranja ovakvog oscilatora
f 0 = 2 6 RC
Pitanja:
1. Koje su ulazne, a koje izlazne vrste snaga koje se javljaju kad govorimo o pojaalima?
2. Kada i zato moemo kazati da je pojaalo pretvornik istosmjerne u izmjeninu
snagu?
3. Koja je razlika izmeu realnog i idealnog strujnog odnosno naponskog izvora?
4. Koji su koraci pri grafikom odreivanju statike radne toke strujnog izvora?
5. Koje metode indirektnog mjerenja struje kratkog spoja poznajete?
6. Kako mjerimo ulazni otpor nepoznatog sklopa?
7. Kako odreujemo donju i gornju granicu frekvencijskog pojasa pojaala?
8. emu je jednako strujno pojaanje pojaala u spoju ZE?
9. Za koju vrstu pojaanja koristimo spoj tranzistora sa ZB i o emu to pojaanje ovisi?
10. Nacrtajte pojaalo u spoju ZC i navedite koje su njegove specifinosti.
11. Zato u podruju zasienja, za tranzistore s efektom polja, kaemo da rade kao
strminska pojaala?
12. Koje su karakteristike rada pojaala u spoju zajednikog odvoda?
13. Kakve su prednosti rada pojaala s unipolarnim tranzistorom u obogaenom modu?
14. Koje su osnovne karakteristike kaskadnih pojaala?
15. Objasnite rad Darlingtonovog spoja.
16. Zato koristimo uparene tranzistore u diferencijalnom pojaalu?
17. Kada koristimo tehniku strujnog zrcala?
18. Koji su razlozi koritenja negativne povratne veze?
19. Navedite osnovne stupnjeve operacijskog pojaala.
20. Koje bi trebale biti osobine idealnog operacijskog pojaala?
21. to ograniava maksimalni izlazni napon operacijskog pojaala?
22. Objasnite rad invertirajueg pojaala.
23. Izvedite izraz za izlazni napon diferencijalnog operacijskog pojaala.
24. Kako koristimo operacijsko pojaalo za zbrajanje vie ulaznih napona?
25. Koja je razlika izmeu strujno-naponskog pretvornika i obinog inverirajueg
pojaala?
26. Na koji nain koristimo operacijsko pojaalo za integriranje ulaznog signala?
27. Nacrtajte derivator realiziran pomou operacijskog pojaala.
28. Kako moemo realizirati RC oscilator?
145
5. Digitalna elektronika
5.1. Logiki sklopovi
Napredak tehnologije omoguio je izradu mikroprocesora koji sadri do nekoliko milijuna
tranzistora ukomponiranih na silicijskoj ploici upakiranoj u plastino kuite. Sklopovlje
jednog mikroprocesora se bazira na manjim elementima koje nazivamo logiki sklopovi ili
logika vrata (eng. gate) koja su jednostavni sklopovi sastavljeni od manjeg broja tranzistora i
pasivnih komponenti. Elektronike sklopove moemo klasificirati ovisno o broju standardnih
logikih vrata koja sadre, tj. klasificiramo ih ovisno o njihovu stupnju integracije (Tablica
5.1).
Stupanj
integracije
Niski stupanj integracije
(SSI)
Srednji stupanj integracije
(MSI)
Visoki stupanj integracije
(LSI)
Vrlo visoki stupanj integracije
(VLSI)
Ultra visoki stupanj integracije
(ULSI)
Integracija na ploici waferu
(WSI)
Broj logikih
vrata (red veliine)
Primjena
100
Osnovna vrata i bistabili
101
Brojai, registri, male

memorije
Memorije i jednostavni
mikroprocesori
Velike memorije,
mikroprocesori
Kompletni sustavi
(SCC, DSP)
103
104
105
107
Mikroprocesorski sustavi
Tablica 5.1.
Stupnjevi integracije digitalnih sklopova
Osnovni logiki sklopovi zajedno s njihovim tablicama istine, prikazani su na slici 5.1. U ovu
skupinu logikih sklopova ubrajamo NE, I, ILI logike sklopove. Iako se kombiniranjem
navedenih sklopova moe realizirati bilo koja logika funkcija, vrlo esto se koriste i neto
sloeniji sklopovi (NI, NILI, iskljuivo ILI) koji su takoer prikazani na slici 5.1, a njihove
nadomjesne sheme su prikazane na slici 5.2.
Primjer: zbrajanje dva binarna broja pomou logikih sklopova
Pravila zbrajanja dva jednoznamenkasta binarna broja su sljedea:
0+0=0
0+1=1
1+0=1
1 + 1 = 10
Sklop kojim realiziramo ovu logiku funkciju nazivamo polusumator. Blok dijagram sklopa i
pripadajua tablica istine prikazani su na slici 5.3.

Sklop
146
I sklop
ILI - sklop
Simbol
A B
Z
1
1
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
Iskljuivi ILI sklop
Tablica
istine
Sklop
A
1
0
1
0
B
Z
1
1
1
1
0
1
0
0
NE - sklop
Simbol
A
1
0
1
0
Tablica
istine
B
Z
1
0
1
1
0
1
0
0
NILI - sklop
Sklop
Simbol
A
1
0
Z
0
1
NI - sklop
A
Z=A+ B
A
1
0
1
0
Tablica
istine
Z=A B
B
B
1
1
0
0
Z
0
0
0
1
A
1
0
1
0
B
1
1
0
0
Z
0
1
1
1
Slika 5.1.
Logiki sklopovi simboli i tablice istine
A
Z
B
a)
Z
B
b)
Slika 5.2.
Nadomjesne sheme
a) NI; b) NILI; c) Iskljuivo ILI
c)
147
A
0
0
1
1
B
0
1
0
1
C
0
0
0
1
S
0
1
1
0
b)
a)
Slika 5.3.
Polusumator: a) Blok dijagram; b) Tablica istine
Blok dijagram na slici 5.3 sadri dva ulaza (A i B) te dva izlaza (C prijenos i S suma). Na
osnovu tablice istine moemo napisati dva Boolova izraza za izlaze polusumatora u ovisnosti
o stanjima na ulazu:
C = A B
(5.1)
S = ( A + B ) AB = A B + AB
Izraz za izlaz S moemo napisati i na drugi nain
S = A B
(5.2)
Polusumator moemo realizirati na razliite naine, a jedan od moguih naina prikazan je na

slici 5.4.
Slika 5.4.
Polusumator realizacija jednim I i iskljuivo ILI logikim sklopom
Polusumator na slici 5.4 obavlja samo operaciju zbrajanja. Da bi se prijenos obuhvatio pri
zbrajanju bit-ova vee teine potrebna su tri ulaza. To znai da se potpuni sumator sastoji od
dva polusumatora od kojih jedan vri binarno zbrajanje, a drugi pribraja prijenos koji dobiva
od prethodnog sumatora.
5.2. Tehnike realizacije logikih sklopova

Postoji vie tehnika realizacija logikih sklopova tzv. logikih familija. Svaka od ovih tehnika
ima prednosti i nedostatke tako da ne postoji idealna tehnika koja bi ispunila sve zahtjeve:
neke rade na velikim brzinama, druge imaju mali utroak snage a tree su vrlo otporne na
um. Logike familije integriranih sklopova mogu se podijeliti u dvije osnovne grupe:
sklopove koji se temelje na radu bipolarnih tranzistora i one koji koriste MOSFET tranzistore.
148
Navedimo tehnike koje su se tijekom godina pokazale najuspjenijima, a kojima emo neto
kasnije vie biti napisano:
otpornik-tranzistor logika (RTL)

diodna logika (DL)
diodno-tranzistorska logika (DTL)
tranzistor-tranzistor logika (TTL)
logika zajednikog emitera (ECL)
MOSFET (MOS)
komplementarni MOSFET (CMOS)
Od navedenih tehnika, diodna logika se ne koristi u integriranim sklopovima dok se RTL i

DTL tehnike vie ne primjenjuju. Prije upoznavanja s ovim tehnikama, upoznat emo se s
radom bipolarnog i MOSFET tranzistora kao logike sklopke, a takoer i s logikim
invertorom.
Logiki sklopovi mogu biti realizirani u pozitivnoj i negativnoj logici. Pozitivna logika je ona
kod koje je nivo '1' pozitivniji od nivoa '0' tj. U(1) > U(0), a negativna logika je ona kod koje
je nivo '1' negativniji od nivoa '0' tj. U(1) < U(0). Drugim rijeima, negativna logika
predstavlja inverziju pozitivne logike (Slika 5.5).
Slika 5.5.
Pozitivna i negativna logika
Svako realno linearno pojaalo ima ogranieni opseg izlaznih napona koji je odreen
naponom napajanja. Karakteristika tipinog invertirajueg linearnog pojaala prikazana je na
slici 5.6.
Slika 5.6.
Invertirajue linearno pojaalo
Ako takav sklop elimo koristiti kao linearno pojaalo, moramo osigurati da ulazni napon
bude unutar linearnog podruja rada sklopa. Sklop moemo koristiti i kao logiki sklop. Ako
je ulazni signal uvijek izvan linearnog podruja rada pojaala, dva preostala ulazna podruja
napona moemo predstaviti s '0' (podruje niih ulaznih napona) i '1' (podruje viih ulaznih
149
napona) to je prikazano na slici 5.7. Izlazni napon moe imati samo dvije mogue vrijednosti
maksimalna izlazna vrijednost ('1') i minimalna izlazna vrijednost napona ('0').
Slika 5.7.
Prijenosna karakteristika logikog invertora (pozitivna logika)
Prilikom odabiranja komponenti i podeavanja njihovih parametara namjetamo maksimalne i
minimalne izlazne vrijednosti napona tako da njihove vrijednosti odgovaraju vrijednostima '0'
i '1' ulaznog napona. Sa slike 5.7 vidimo da za vrijednost na ulazu '0', na izlazu imamo '1', i
obratno. Dakle sklop ima karakteristiku logikog invertora ili NE sklopa. Kako su ulazni i
izlazni naponi kompatibilni, izlaz iz ovakvog sklopa moe se dovesti na ulaz nekog slinog
logikog sklopa. Potrebno je napomenuti da se pri izradi logikih invertora nastoji linearno
podruje tj. podruje prelaza iz jednog stanja u drugo to vie smanjiti odnosno postii to
bri prelaz iz jednog stanja u drugo.
Slika 5.8.
Bipolarni tranzistor kao logika sklopka
Logiki inverter (NE sklop) moemo realizirati koritenjem bipolarnog i MOSFET
tranzistora. Prvo emo ukratko objasniti rad bipolarnog tranzistora kao logike sklopke (Slika
150
5.8). Kad je ulazni napon Uul blizu nule, tranzistor je iskljuen i kroz kolektor protie
zanemariva struja. Izlazni napon Uiz je zbog toga po iznosu gotovo jednak naponu napajanja
UCC (mali pad napona na otporniku RC). Kad je ulazni napon visok, tranzistor je ukljuen i
izlazni napon je jednak naponu zasienja sklopa, koji openito iznosi oko 0.1 V. Dakle, sklop
radi kao logiki invertor, napon blizu UCC predstavlja logiku jedinicu, napon blizu 0 V
logiku nulu. Na slici 5.8.b. prikazan je odnos izmeu ulaznog signala invertora i
odgovarajue struje kolektora i izlaznog napona. Moemo primijetiti da postoji kanjenje
izmeu promjene ulaznog napona i odziva na izlazu tranzistora. Vrijeme iskljuenja je
znaajno dulje od vremena ukljuenja. Osnovni razlog je u duljem vremenu potrebnom
minoritetnim nositeljima da napuste bazu prilikom iskljuenja.
MOSFET je dominantan oblik koritenja FET-ova za primjenu u digitalnoj tehnici. Dok za
analogne primjene ove sklopove najee nazivamo FET-ovi, u digitalnim sustavima ee se
koristi izraz MOS sklopovi koji opisuje nain izrade umjesto naina rada. Kako je ve
navedeno, glavne prednosti MOS tranzistora u odnosu na bipolarne tranzistore su njihova
jednostavnost i jeftinija izrada. MOS logiki sklopovi zauzimaju manju povrinu na siliciju pa
time omoguavaju smjetanje veeg broja elemenata na ipu. Takoer je manja i potronja
snage to uvelike umanjuje probleme zagrijavanja. Nedostatak MOS tranzistora je sporiji rad.
Primjer MOS tranzistora kao logike sklopke prikazan je na slici 5.9.
Slika 5.9.
MOS tranzistor kao logika sklopka
Kad je ulazni napon Uul (UGS) blizu 0 V, n-kanalni MOSFET je iskljuen jer je tranzistoru
potreban pozitivan napon na upravljakoj elektrodi za formiranje kanala izmeu uvoda (S) i
izvoda (D). Struja izvoda je stoga zanemariva pa na otporniku R nemamo gotovo nikakav pad
napona. Izlazni napon je blizu napona napajanja UDD (logika '1'). Kad je veliina ulaznog
napona blizu napona napajanja, MOSFET je ukljuen i struja tee kroz otpornik R, to za
posljedicu ima da je izlazni napon blizu 0 V (logika '0').
5.2.1. Otpornik tranzistor logika (RTL)
Jednostavni invertor prikazan na slici 5.8. moe biti osnova za cijelu grupu logikih
sklopova. Dodavanjem drugog tranzistora dobili smo NILI sklop s dva ulaza (Slika 5.10).
Dodavanjem vie tranzistora moemo realizirati sklop s vie ulaza.
151
Slika 5.10.
NILI sklop u RTL logici
Prednosti RTL tehnike su jednostavnost i kompaktnost. Nedostatci su u relativno niskom
imunitetu na utjecaj uma i maloj brzini rada.
5.2.2. Diodna logika (DL)
I i ILI logiki sklop moemo izraditi koristei samo diode i otpornike (Slika 5.11). Moemo
primijetiti da za I sklop sa slike 5.11.a) napon koji odgovara logikoj '0' na izlazu nije jednak
ulazu jer je uvean za napon na diodi, uobiajeno oko 0.7 V. Na izlazu I sklopa pojavit e se
pozitivan impuls samo onda, ako je pozitivni impuls (logika '1') prisutan na oba ulaza. U
mirnom stanju vode obe diode i na izlazu je napon 0.7 V. Naie li pozitivni impuls na diodu,
ona prestaje voditi. Ako pozitivni impuls dovedemo na obje diode, na izlazu emo dobiti
napon UCC jer struja sada prolazi samo kroz otpornik R. Za ILI sklop na slici 5.11.b. izlazni
napon koji odgovara logikoj '0' jednak je ulazu, dok je logika '1' smanjena za napon na
diodi. Diodna logika je jednostavna, ali je pasivna pa signal prolaskom kroz niz sklopova
postupno erodira tj. napon koji predstavlja logiku '0' se poveava, a napon koji predstavlja
logiku '1' se smanjuje sve dok razlika ne postane nedovoljno velika da bi se mogla
prepoznati. Zbog toga diodnu logiku koristimo samo za jednostavne logike operacije.
Slika 5.11.
Diodna logika: a) I sklop i b) ILI sklop
152
5.2.3. Diodno-tranzistorska logika (DTL)

Veina problema diodne logike moe se rijeiti dodavanjem pojaala na izlazu sklopa kako bi
se korigirali logiki nivoi. Sklop na slici 5.12. predstavlja modificirani I sklop sa slike 5.11.a).
Kako je dodano invertirajue pojaalo, dobili smo NI sklop. Dodatna dioda D3 spojena je u
seriju s tranzistorom kako bi snizili napon baze tranzistora s 0.7 V na 0 V u sluaju logike '0'
na jednom od ulaza. Napon u toki E treba biti vei od zbroja napona ukljuenja tranzistora i
diode D3. S obzirom da je napon ukljuenja za diodu i tranzistor oko 0.5 V, samo e mala
struja prolaziti otpornikom RC, dokle god napon u toki E ne dosegne 1 V. Kad na bilo koji
ulaz dovedemo logiku '0', napon u toki E pada na otprilike 0.7 V, tranzistor se iskljuuje i
na izlazu dobijemo logiku '1'.
UCC
U0 = UCEZAS = 0.1 V
U1 = UCC
RC
Z
E
D3
A B
0
0
1
1
1
1
1
0
0
1
0
1
0V
Slika 5.12.
Diodno-tranzistorska logika: NI sklop
5.2.4. Tranzistor-tranzistor logika (TTL)
Promatrajui sklop sa slike 5.12. moemo primijetiti da svaki ulaz vidi kombinaciju dvije
obrnuto orijentirane diode. Zapravo se radi o NP PN spoju kojeg moemo zamijeniti NPN
tranzistorom (Slika 5.13). Umjesto dioda, sada imamo tranzistor pa kaemo da imamo sklop
realiziran u tranzistor-tranzistor logici (TTL). TTL logika je jedna od najrairenijih tehnika
realizacije logikih sklopova, naroito za sklopove niskog i srednjeg stupnja integracije.
Slika 5.13.
Tranzistor-tranzistor logika: NI sklop
153
5.2.5. Logika zajednikog emitera (ECL)

Prednost ECL tehnike je vrlo velika brzina rada jer tranzistori u radu ne ulaze u podruje
zasienja. Nedostatci su velika osjetljivost na um i velika potronja snage zbog toga to su
tranzistori stalno u aktivnom podruju. Primjer logikog sklopa koji radi s tranzistorima koji
ne ulaze u podruje zasienja prikazan je na slici 5.14.
UCC
RC
RC
Z
T1
T2
UE
T3
UBB
A B
Z Z
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
RE
Slika 5.14.
Logika zajednikog emitera: I - NILI sklop
Ako su ulazi A i B sa slike 5.14. u logikoj '0', oba napona su manja od napona UBB. Logiki
naponi U0 i U1 se odabiru tako da U0 bude malo manji od UBB, a U1 malo vei od UBB.
Tranzistor T3 je ukljuen, a napon na emiterima tranzistora UE jednak je
U E = U BB U BE U BB 0.7V
Kako su naponi na A i B nii od UBB, napon izme u baze i emitera tranzistora T1 i T2 e biti
nii od 0.7 V, dakle tranzistori su iskljueni. Struja IE jednaka je
IE =
U E U BB 0.7
RE
RE
i ona protie iskljuivo kroz T3 jer su T1 i T2 iskljueni. Napon u toki Z je

U Z = U CC RC I E = U CC RC
(U BB 0.7 )
RE
a napon u toki Z' je priblino jednak UCC. Uz odabir odgovarajuih UBB, RC i RE, moe se
podesiti da tranzistor T3 ostane u aktivnom podruju. Ako se A ili B postavi u logiku '1',
napon UE se povisi na U1 0.7 V smanjujui napon baza-emiter tranzistora T3 ispod 0.7 V.
Zbog toga se ukljuuje odgovarajui tranzistor i iskljuuje T3. U ovom sluaju je struja
emitera
IE =
154
U E U 1 0.7
=
RE
RE
Ova struja e tei iskljuivo kroz odgovarajui tranzistor tako da je napon u toci Z' jednak
U Z ' = U CC RC I E = U CC RC
(U 1 0.7)
RE
dok je napon UZ priblino jednak UCC. Uz odgovarajui odabir komponenti, tranzistor nee
biti u podruju zasienja.
5.2.6. MOSFET (MOS)

Na poetku ovog poglavlja ve je prikazan primjer koritenja MOSFET-a kao logikog
invertora. Koritenje otpornika u integriranim sklopovima nije ekonomino pa se kao aktivna
optereenja koriste MOSFET tranzistori. Prikaz realizacije invertora i NI sklopa koritenjem
n-kanalnih MOSFET tranzistora (NMOS) dan je na slici 5.15. Slini sklopovi se mogu
realizirati i koritenjem p-kanalnih tranzistora (PMOS). Jedna od velikih prednosti MOS
tehnologije je njena jednostavnost. Tranzistori-sklopke ponaaju se kao gotovo savrene
sklopke i sklopovi su otporni na um.
Slika 5.15.
NMOS: a) NE sklop; b) NI sklop
155
5.2.7. Komplementarni MOSFET (CMOS)

Komplementarna MOSFET tehnika odlikuje se vrlo velikom brzinom rada i vrlo malom
potronjom. Ovi sklopovi koriste po jedan n-kanalni i p-kanalni sklop, pa odatle i naziv
komplementarni MOSFET. Kao i kod NMOS sklopova, napon UDD predstavlja logiku '1', a 0
V predstavlja logiku '0'. Kako su razliito polarizirani, tranzistori se razliito ponaaju s
obzirom na napon na upravljakoj elektrodi. Dok napon UDD na upravljakoj elektrodi
ukljuuje n-kanalni tranzistor, istovremeno iskljuuje p-kanalni. Obratno vrijedi za nulti
napon na upravljakoj elektrodi. Primjer realizacije NE i NI sklopa u CMOS tehnologiji
prikazan je na slici 5.16.
Slika 5.16.
CMOS: a) NE sklop; b) NI sklop
Iako je CMOS sklopove tee proizvesti nego NMOS ili PMOS sklopove jer je potrebno
izraditi istovremeno oba tipa sklopova, velika brzina, mala potronja i velika otpornost na um
imaju za posljedicu da je ova tehnologija, najrairenija tehnologija koja se koristi pri izradi
novih integriranih sklopova.
5.3. Sekvencijalna logika
Za razliku od kombinacijske logike predstavljene u prethodnim poglavljima kod koje su

stanja na izlazu odreena iskljuivo trenutnim ulaznim stanjima, kod sekvencijalne logike
izlazi nisu odreeni samo ulazima ve i sekvencom ili slijedom ulaza koji su doveli do
trenutnog stanja. Drugim rijeima, sklopovi koji koriste ovu logiku imaju svojstva memorije.
Na slici 5.17 prikazan je openiti sekvencijalni sustav koji se sastoji od kombinacijske logike,
memorije i povratne veze. Memorijski elementi su sklopovi koji mogu pohraniti binarnu
informaciju tj. izlaz je u bilo kojem trenutku odreen trenutnim ulazima i podacima
pohranjenim u memorijskim elementima. Informacija pohranjena u memoriji odreuje stanje
sklopa u bilo kojem trenutku, dok je slijedee stanje sustava odreeno trenutnim stanjem i
ulazima.
156
Sekvencijalni sklopovi mogu se podijeliti na sinkrone i asinkrone. Kod sinkronih sustava

ulazi, izlazi i unutranja stanja su uzorkovana u odreenim vremenskim trenucima, a
vremenski slijed se upravlja signalom takta (clock). Sklopovlje asinkronih sustava u bilo
kojem trenutku moe promijeniti stanje s obzirom na promjenu stanja na ulazima.
Slika 5.17.
Openiti sekvencijalni sustav
Iako je veliki broj elektronikih sklopova sekvencijalan, najee koriteni su razliiti tipovi
multivibratora. Multivibratori su openito sklopovi koji imaju dva izlaza koji su meusobno
komplementarni te nijedan, jedan ili vie ulaza. Izlaze najee oznaavamo s Q i Q .
Razlikujemo tri osnovne grupe multivibratora:
-
Bistabilni multivibrator: Oba izlazna stanja su stabilna-sklop ostaje u jednom od

mogua dva stanja sve dok ulazni signal ne prouzrokuje promjenu.
Monostabilni multivibrator: Jedno stanje je stabilno, a drugo kvazistabilno. Sklop
ostaje u stabilnom stanju dok ulaznim signalom ne prouzrokujemo dovoenje sklopa u
kvazistabilno stanje. U takvom stanju ostaje odreeno vrijeme, a potom se automatski
vraa u stabilno stanje.
Astabilni multivibrator: Oba stanja su kvazistabilna. Sklop ostaje u svakom od nih
odreeni vremenski period, a potom automatski prelazi u drugo kvazistabilno stanje.
Na osnovu navedenog, oito je da se multivibratori mogu koristiti za generiranje impulsnih

signala (bistabilni multivibrator- naponski skok, monostabilni multivibrator- pravokutni
impuls, astabilni multivibrator-pravokutni val). Takoer, monostabili se mogu koristiti kao
sklopovi za kanjenje, a bistabilni multivibratori ili bistabili se koriste i kao temeljni
memorijski sklopovi koriteni u digitalnim sustavima. Zbog toga emo posebnu panju
posvetiti bistabilima.
Bistabil ima dva izlaza, pri emu jedan uvijek pokazuje komplementarnu vrijednost od
drugoga. Bistabil ima dva stabilna stanja i sve dok je prikljuen na izvor napajanja ne mijenja
stanja na svojim izlazima. Iako se u literaturi moe pronai da se za sve bistabile koristi izraz
flip-flopovi, tonije ih je podijeliti u dvije skupine:
-
Razinom okidani bistabil (latch): Bistabil koji daje odziv na svojim izlazima kod
promjene ulazne razine.

-
157
Bridom okidani bistabil (flip-flop): Ovaj bistabil daje odziv na ulazne promjene samo
u vremenskim trenucima promjene ulaznog signala, signala takta.
5.3.1. Razinom okidani bistabili

U ovu grupu bistabila pripada SR bistabil (SET-RESET) prikazan na slici 5.18. Dva ulaza
oznaena su s S i R, a izlazi s Q i Q . Blok shema i pripadna tablica istinitosti prikazani su na
slici 5.19.
R
Slika 5.18.
SR bistabil realiziran pomou dva NILI sklopa
Ako na ulazu imamo S = 0 i R = 0, sklop ne mijenja stanje na izlazima pa ovo stanje
nazivamo i memorijskim modom sklopa. Nadalje uz R = 1, i S = 0, izlaz Q postavlja se u 0
bez obzira na njegovo prethodno stanje. Takoer, izlaz Q postavlja se u 1. Zbog simetrinosti
sklopa, lako moemo zakljuiti da e se za stanje na ulazima R = 0, i S = 1, izlaz Q postaviti
u 1 bez obzira na njegovo prethodno stanje, a izlaz Q u 0. Dakle R = 1 postavlja izlaz Q u 0
(RESET), a S = 1 postavlja izlaz Q u 1 (SET). Moemo primijetiti da uz stanja na ulazima S
= 1 i R = 1, oba izlaza imaju vrijednost 0 i vie ne vrijedi komplementarnost izlaza. Stoga je
ovakva kombinacija na ulazu zabranjena.
a)
Qn
Qn
Qn-1 Qn-1 Nema promjene
RESET
SET
Neodredeno
b)
Slika 5.19.
a) Blok shema SR bistabila; b) Tablica istine SR bistabila
Primjer vremenskog dijagrama za razinom okidan SR bistabil prikazan je na slici 5.20. Ovu
vrstu bistabila moemo smatrati za jednostavan oblik elektrine memorije jer sklop pamti
koji je od dva ulaza posljednji postao aktivan (1).
158
R
Q
Slika 5.20.
Vremenski dijagram SR bistabila
esto je korisno omoguiti upravljanje radom bistabila na nain da signal s ulaza bude
omoguen u nekim trenucima, a onemoguen u drugim. Neto sloeniji sklop SR bistabila s
tri ulaza omoguava takvo upravljanje (Slika 5.21).
S
Q
R
a)
b)
Slika 5.21.
a) SR bistabil s E ulazom; b) Simbol sklopa
D
E
Q
R
a)
Slika 5.22.
a) Jedna od moguih izvedbi D bistabila; b) Simbol sklopa
b)
159
Ulaz E (Enable) koristi se za omoguavanje ili zabranu djelovanja preostala dva ulaza na
izlazna stanja. Kad je ulaz E = 0, S ' i R ' su u 0, bez obzira na stanja ulaza S i R. Zbog toga je
bistabil u memorijskom modu rada, dakle onemoguena je promjena stanja na izlazu. Kada je
ulaz E = 1, stanja se postavljaju ovisno o ulazima S i R na ve opisani nain za SR bistabil.
Nepoeljno stanje SR bistabila (S = R = 1) izbjegava se zabranom istovremenog postavljanja
ulaza u 1. To se postie D (Data) bistabilom koji je zapravo modificirani SR bistabil (Slika
5.22). D bistabil ima dva ulaza D i E. Za E = 1, izlaz Q postaje jednak trenutnoj vrijednosti D,
a za E = 0, Q zadrava vrijednost koju je imao (Slika 5.23).
Q
Slika 5.23.
Vremenski dijagram D bistabila
Na ovaj nain zapravo nam je omogueno pohranjivanje jednog bita informacije pa se D
bistabili uglavnom koriste u grupama kako bi se pohranile itave rijei (Slika 5.24). Za
primjer prikazan na slici izlazi Y0 Y7 su identini ulazima X0 X7 ukoliko je ulaz E = 1.
Postavljanjem ulaza E u 0, izlazi su zamrznuti u stanjima kakva su bila u trenutku kada je E
postavljen u 0, dakle pohranjuje se neka odreena vrijednost. Ova tehnika se iroko koristi u
radu mikroraunala i drugim podrujima digitalne elektronike.
X7
Y7
X6
Y6
X5
Y5
X4
X3
8
D bistabila
Y4
Y3
X2
Y2
X1
Y1
X0
Y0
Slika 5.24.
Pohranjivanje 8-bitnog podatka pomou 8 D bistabila
160
5.3.2. Bridom okidani bistabili

esto puta se kod digitalnih sklopova pojavljuje potreba za sinkronizacijom rada veeg broja
razliitih sklopova i korisno je precizno upravljati trenucima kada sklop moe mijenjati stanja.
Bridom okidani bistabili su sastavljeni od osnovnih razinom upravljanih bistabila, a upravljani
su signalom takta kao ulaznim signalom. Takt, CK, je signal pravokutnog valnog oblika
prikazan na slici 5.25. S obzirom na takt, razlikujemo dvije vrste bridom okidanih bistabila:
oni koji mijenjaju stanja izlaza na rastuem ili padajuem, odnosno pozitivnom ili negativnom
bridu takt impulsa. Primjer simbola SR bistabila okidanog pozitivnim i negativnim bridom
dan je na slici 5.26.
CK
a)
CK
b)
CK
c)
Slika 5.25.
a) Signal takta; b) Pozitivni brid; c) Negativni brid
S
CK
Q
CK
a)
Q
b)
Slika 5.26.
a) Simbol SR bistabila okidanog pozitivnim bridom; b) Simbol SR bistabila okidanog
negativnim bridom
Bridom okinuti bistabil uzima uzorke signala s ulaza samo na bridovima signala takta i izlazi
se mijenjaju samo kao rezultat pojave brida signala takta.
E
R
E
Q
CK
a)
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
CK
Qn Qn
Qn-1 Qn-1
0
1
0
1
0
0
Nema promjene
RESET
SET
Zabranjeno
b)
Slika 5.27.
Primjer SR bistabila okidanog pozitivnim bridom (tzv. master-slave konfiguracija)
a) Sklop; b) Tablica istine
161
Bridom okidan SR bistabil razlikuje se od razinom okidanog SR bistabila po tome to ulazi

djeluju na ovaj sklop samo za vrijeme pozitivnog, odnosno negativnog brida takta (ovisno o
vrsti sklopa). Jedna od moguih izvedbi ovog sklopa, zajedno s tablicom istinitosti, prikazana
je na slici 5.27. Primjer vremenskog dijagrama sklopa prikazan je na slici 5.28.
CK
S=1
R=0
SET
S=0
R=1
RESET
S=1
R=0
SET
S=0
R=0
bez promjene
S=0
R=1
RESET
Slika 5.28.
Vremenski dijagram SR bistabila okidanog pozitivnim bridom
Bridom okidani D bistabil prikazan je na slikama 5.29. i 5.30.
Qn
Qn
RESET
SET
D
D
CK
Q
CK
D
CK
a)
Q
CK
b)
CK
c)
Slika 5.29.
D bistabil okidan pozitivnim bridom: a) Simbol; b) Nadomjesna shema; c) Tablica istinitosti
Ve navedeni nedostatak SR bistabila zbog zabranjenog stanja koje nastupa kada su oba ulaza
u 1 (S = 1, R = 1) osim koritenja D bistabila moe se izbjei i koritenjem JK bistabila. Ako
pogledamo tablicu istinitosti SR bistabila, moemo primijetiti da imamo tri definirana izlaza:
- Nema promjene; Q = Qn-1 ako su oba ulaza jednaka 0
- RESET (brii); Q = 0 ako je S = 0, R = 1
- SET (postavi); Q = 1 ako je S = 1, R = 0
Neodreeno stanje JK bistabil nema, ve umjesto njega ima stanje prebacivanja (TOGGLE).
Dakle, ako su oba ulaza u 1, onda izlaz mijenja stanje. Ovaj sklop u osnovi koristi SR bistabil
s dva I vrata u povratnoj vezi. Simbol i tablica istinitosti JK bistabila prikazani su na slici
5.31.
162
CK
D=1
Q=1
D=0
Q=0
D=0
Q=0
D=1
Q=1
D=1
Q=1
Slika 5.30.
Vremenski dijagram D bistabila okidanog pozitivnim bridom
Q
CK
Qn
CK
Qn
Qn-1 Qn-1 Nema promjene
RESET
SET
Qn-1 Qn-1 Prebaci

b)
a)
Slika 5.31.
JK bistabil okidan negativnim bridom: a) Simbol; b) Tablica istinitosti
JK bistabil moe se iskoristiti za realizaciju drugih bistabila kao to su SR, D i T bridom
okidani bistabili. Navedimo znaajke T bistabila (Slika 5.32). J i K ulazi JK bistabila su
spojeni kako bi dobili samo jedan ulaz kojeg oznaavamo s T (Toggle - prebaci). Ako je ulaz
T u 0, sklop je u memorijskom modu i zadrava trenutno stanje. Ako je ulaz T = 1, oba ulaza
J i K su jednaka 1 i sklop mijenja stanje svakim taktom.
CK
Q
CK
Q
a)
Qn
CK
Qn
Qn-1 Qn-1
Qn-1 Qn-1
b)
Slika 5.32.
T bistabil okidan pozitivnim bridom: a) Izvedba pomou JK bistabila; b) Tablica istinitosti
163
Pitanja:
1. Klasificirajte elektronike sklopove s obzirom na stupanj integracije.

2. Koji su osnovni, a koji izvedeni logiki sklopovi koje poznajete?
3. Prikaite realizaciju izvedenih logikih sklopova pomou osnovnih logikih sklopova.
4. Nacrtajte jednu od moguih realizacija polusumatora.
5. Od kojih elemenata bi se trebao sastojati sumator?
6. Koja je razlika izmeu pozitivne i negativne logike kod realizacije logikih sklopova?
7. Objasnite rad tranzistora kao logike sklopke.
8. Prikaite realizaciju NILI sklopa s tri ulaza u RTL tehnici.
9. Prikaite realizaciju NI sklopa s dvije razliite tehnike.
10. Koje su osnovne prednosti CMOS tehnologije u realizaciji logikih sklopova?
11. Objasnite rad NE sklopa realiziranog CMOS tehnikom.
12. to su multivibratori i kako ih moemo podijeliti?
13. Koje su modifikacije potrebne da od SR bistabila s E ulazom dobijemo D bistabil?
14. Koja je primjena D bistabila?
15. to je preduvjet za promjenu izlaza kod bistabila okidanih bridom?
16. Nacrtajte tablicu istinitosti JK bistabila.
17. Koje su znaajke T bistabila?
164
Literatura:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
-X]EDL (OHNWURQLNL HOHPHQWL NROVND NQMLJD =DJUHE

%LOMDQRYL (OHNWURQLNL VNORSRYL NROVND NQMLJD =DJUHE
Peruko, Digitalna elektronika, kolska knjiga, Zagreb, 1996.
6ODSQLDU ,PSXOVQD L GLJLWDOQD WHKQLND )(6% 6YHXLOLWH X 6SOLWX
Storey, Electronics: A Systems Approach, Prentice Hall, 1998.
6ODSQLDU *RWRYDF (OHNWURQLNL VNORSRYL 6YHXLOLWH X 6SOLWX

Osnove Elektronike

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Osnove Elektronike

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Sveuilite u Splitu

Manualia Universitatis studiorum Spalatensis

Split, veljaa 2005.

II. Elektroniki elementi i sklopovi

3.4. Ogranienje snage u poluvodikim diodama -------------------------------------------------- 76

4.8.8. Derivator ------------------------------------------------------------------------------------142

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

1. Nabijene estice u elektrinom i magnetskom polju

gdje je a atomska teina promatranog elementa.

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

1.2. Nabijena estica u elektrostatikom polju

djelovanjem fizike sile na masu

Za elektron vrijedi omjer

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Ponovimo jo jednom, ove jednadbe vrijede za sluaj gibanja estice u elektrostatskom

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Temeljem gornje jednadbe, moemo dobiti izraz za krajnju brzinu, v2.

Ako u t1 = 0 vrijedi: v1 = 0 i U1 = 0, onda je

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

1.2.1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju

Ukoliko je elektron u trenutku t = 0 emitiran iz katode iji je potencijal odabran kao

Nakon integriranja dobijemo

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Budui da je u trenutku t = 0 poetna brzina v = vk , slijedi C1=vk , pa je brzina elektrona:

a integriranjem (1.15) dobivamo i poloaj elektrona u trenutku t (konstanta C2 = 0):

Konstanta integracije C2 u ovom sluaju iezava, jer se za t = 0 elektron nalazi na katodi

Za promatrani sluaj nema brzine u y i z smjeru, pa tako ni promjena poloaja u tim

Primjer: Neka elektron s brzinom va va i ue u homogeno elektrostatsko polje. Smijer

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

U poetnom trenutku (t = 0) vrijedi x = y = z = 0 ; vx = va ; vy = vz = 0.

Za y komponentu moemo pisati:

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

1.2.2. Otklon elektrona u katodnoj cijevi

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Sa slike 1.6 moemo oitati koordinate toke T1(l, y1) i T2 L + , d s

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

poto je i T2 na tangenti, uvrstimo T2 L + , d s u jednadbu:

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

1.3. Nabijena estica u magnetostatskom polju

Sila kojom magnetsko polje djeluje na nabijenu esticu je

Uslijed djelovanja sile estica dobije ubrzanje

Ukoliko se jednadba (1.28) rastavi na komponente, dobivaju se slijedee jednadbe za

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Primjer: Kruna putanja

U gornjim jednadbama q, m, v i B su konstantne veliine. Ovo je jednoliko gibanje. To

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Uvrtavanjem poetnih uvjeta u t = 0 x = y = z = 0, v x = v , v y = v z = 0 C1 = v ,

Poto se ukupna brzina (kinetika energija) ne mijenja, moemo pisati

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Prethodna razmatranja o ponaanju nabijene estice u magnetskom polju moemo saeti u

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

1.3.2. Katodna cijev s otklanjanjem pomou magnetostatskog polja

Za elektron moemo pisati:

Takoer, ako iz (1.37) eksplicitno napiemo y:

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Uvijek je r >> y1 , pa vrijedi

pa, kad uvrstimo koordinate toke T2, vrijedi:

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Osjetljivost je jednaka omjeru otklona i indukcije

Napomena: gornji izvod mogao se pojednostavniti polazei od pretpostavke da za male

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

1.4. Gibanje nabijene estice pod istovremenim djelovanjem elektrostatskog i

Dosadanja razmatranja temeljila su se na pretpostavci da nabijena estica u polji ima neku

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

6YRMVWYD PHWDOD L SROXYRGLD

R SP > 10 6 cm ULMH MH R L]RODWRULPD 6SHFLILDQ RWSRU YRGLD UDVWH V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH

(QHUJHWVNH YUSFH X YRGLLPD

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

gdje je c EU]LQD VYMHWORVWL 8YUWDYDQMHP RYH MHGQDGEH X MHGQDGEX GRELMHPR

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

3ROXYRGLL L HQHUJHWVNH YUSFH X SROXYRGLLPD

.DNR X YDQMVNRM YDOHQWQRM OMXVFL LPDPR HOHNWURQD NDHPR GD je germanij 4-valentni

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

=D LULQX ]DEUDQMHQH YUSFH PRHPR SLVDWL

gdje EG SUHGVWDYOMD UDG RG VWDQMD YDOHQWQLK YH]D GR RVORER HQMD HOHNWURQD

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

=DNRQ R WHUPRGLQDPLNRM UDYQRWHL MHGQDGED 3URGXNW UDYQRWHQLK NRQFHQWUDFLMD