FOTOVOLTAK SSTEMLER N MKRODENETLEYCL EN

YKSEK G NOKTASINI ZLEYEN BR KONVERTRN

GEREKLETRLMES




aban ZDEMR



YKSEK LSANS TEZ
ELEKTRK ETM






GAZ NVERSTES
FEN BLMLER ENSTTS



ARALIK 2007
ANKARA
aban ZDEMR tarafndan hazrlanan FOTOVOLTAK SSTEMLER N
MKRODENETLEYCL EN YKSEK G NOKTASINI ZLEYEN BR
KONVERTRN GEREKLETRLMES adl bu tezin Yksek Lisans tezi
olarak uygun olduunu onaylarm.

Yrd. Do. Dr. brahim SEFA ..
Tez Danman, Elektrik Makinalar Eitimi Anabilim Dal

Bu alma, jrimiz tarafndan oy birlii ile Elektrik Eitimi Anabilim Dalnda
Yksek Lisans tezi olarak kabul edilmitir.

Prof. Dr. Gngr BAL .
Elektrik Makinalar Eitimi Anabilim Dal, Gazi niversitesi
Yrd. Do. Dr. brahim SEFA .
Elektrik Makinalar Eitimi Anabilim Dal, Gazi niversitesi
Prof. Dr. mer Faruk BAY .....
Kontrol Eitimi Anabilim Dal, Gazi niversitesi




Tarih: 18/12/2007

Bu tez ile G.. Fen Bilimleri Enstits Ynetim Kurulu Yksek Lisans
derecesini onamtr.

Prof. Dr. Nermin ERTAN .
Fen Bilimleri Enstits Mdr
TEZ BLDRM

Tez iindeki btn bilgilerin etik davran ve akademik kurallar erevesinde
elde edilerek sunulduunu, ayrca tez yazm kurallarna uygun olarak
hazrlanan bu almada orijinal olmayan her trl kaynaa eksiksiz atf
yapldn bildiririm.




aban ZDEMR

iv
FOTOVOLTAK SSTEMLER N MKRODENETLEYCL EN YKSEK
G NOKTASINI ZLEYEN BR KONVERTRN GEREKLETRLMES
(Yksek Lisans Tezi)

aban ZDEMR

GAZ NVERSTES
FEN BLMLER ENSTTS
Aralk 2007

ZET

Fotovoltaik kaynakl enerji retim sistemlerinden mmkn olabilecek en
yksek gc elde edebilmek ancak en yksek g noktas takibi (MPPT)
yntemleri ile mmkn olabilmektedir. Yksek frekansl anahtarlama
elemanlar ile manyetik malzemelerdeki g snrlar ise, MPPT ileminin
gerekletirildii g dntrc kat tasarmna nemli snrlamalar
getirmektedir. Ayrca, eviricinin g blgesinin tamamnda sabit
frekans deerinde altrlmas, verim dklnn yannda evresel
bozucu etkiler de oluturmaktadr.
Yaplan bu almada, faz kaydrma etkisiyle toplam anahtarlama
frekansn doal olarak ikiye katlayan ve gerekli olduu kadar paralel
alabilen faz kaydrmal sral-artran (interleaved-boost) evirici yaps
MPPT teknii ile birlikte uygulanmtr. Bylece, dk maliyetli
manyetik devre elemanlar ile g anahtarlarnn kullanlabilmesiyle
yksek g uygulamalarnda maliyetin drlmesi de mmkn
olabilmitir. Denetleyici olarak yine dk maliyetli ve ihtiyalar
karlayan PIC18F452 mikro denetleyicisi kullanlmtr. Tasarlanan
devre, DA baraya bal ve mikro denetleyici tarafndan denetlenen ikinci
bir bamsz anahtar yardm ile ak grubunu nceden ayarlanan bir
akm deerinde arj edebilecek yapdadr. Benzetim ve uygulamadan

v
elde edilen sonular geleneksel artran yaps ile karlatrlarak
nerilen yap ve denetim tekniinin stnlkleri aklanmtr.






































Bilim Kodu : 703.3.016
Anahtar Kelimeler : MPPT, PV evirici, Sral Artran evirici,
Sayfa Adedi : 79
Tez Yneticisi : Yrd. Do. Dr. brahim SEFA

vi
DESIGN AND IMPLEMANTATION OF MICROCONTROLLER BASED
MAXSIMUM POWER POINT TRACKER CONVERTER FOR
PHOTOVOLTAIC SYSTEMS
(M.Sc. Thesis)

aban ZDEMR

GAZI UNIVERSITY
INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
December 2007

ABSTRACT

Obtainable maximum power generation from PV based energy
production systems is only possible with Maximum Power Point
Tracker (MPPT) methods. Magnetic components and the high frequency
switches limit the power rate of the MPPT converters. In addition,
working with constant frequency in all power range causes
environmental noise effect and low efficiency.
In this study, interleaved boost converter structure that doubles the
switching frequency naturally by phase shifting and can operate
parallel when necessary has been applied with a MPPT method. Thus
the cost reduction in high power application can be possible with using
low cost magnetic components and power switches. PIC18F452 low
cost microcontroller is used as a controller. The designed circuit has
also been able to charge the battery group with desired current value
with a second independent switch that is connected to DC bus and
controlled by microcontroller. The advantages of the proposed
converter structure and control technique have been explained by
comparing the simulation and experimental results with a traditional
boost converter.

vii











































Science Code :703.3.016
Key Words :MPPT, PV Converter, Interleaved Boost Converter,
Page Number :79
Adviser :Assist. Prof. Dr. brahim SEFA

viii
TEEKKR

almalarm boyunca deerli yardm ve katklaryla beni ynlendiren,
tecrbelerinden faydalandm danmanm Yrd. Do. Dr. brahim SEFA ya
ve Necmi ALTINa katklarndan dolay sonsuz teekkr bir bor bilirim.


ix
NDEKLER

Sayfa
ZET .............................................................................................................iv
ABSTRACT....................................................................................................vi
TEEKKR.................................................................................................. viii
NDEKLER ................................................................................................ix
ZELGELERN LSTES.............................................................................. xii
EKLLERN LSTES .................................................................................. xiii
RESMLERN LSTES................................................................................. xvi
SMGELER VE KISALTMALAR.................................................................. xvii
1. GR..................................................................................................... 1
2. GNE PLLER ................................................................................... 5
2.1. Fiziksel Yaplar............................................................................. 5
2.2. alma lkesi................................................................................ 6
2.3. PV Panel Verimi............................................................................ 6
2.3.1. PV yap maliyeti................................................................. 6
2.4. Inm iddeti ................................................................................ 8
2.5. PV Sistem Kullanm Alanlar ve Trkiyeki Durum........................10
2.6. PV Hcre Elektriksel Modeli.........................................................11
2.7. PV Sistem Verimini Etkileyen Faktrler........................................15
2.8. PV Modl Performansnn Yllara Gre Deiimi .........................16
2.9. Sonu...........................................................................................17
3. MPPT TEKNKLERNN KARILATIRILMASI....................................18

x
Sayfa
3.1. Dolayl denetim............................................................................19
3.1.1. Sabit gerilim metodu.........................................................19
3.1.2. Sabit akm metodu...........................................................21
3.2. Dorudan denetim........................................................................22
3.2.1. Deitir-gzle metodu......................................................22
3.2.2. Artan iletkenlik metodu.....................................................23
3.3. Dier metotlar ..............................................................................25
3.4. Denetim Metodlarnn Karlatrlmas ........................................26
3.5. Sonu...........................................................................................28
4. DA-DA EVRCLER...........................................................................30
4.1. zolesiz eviriciler ........................................................................30
4.1.1. Azaltan eviriciler .............................................................30
4.1.2. Artran eviriciler...............................................................33
4.1.3. Azaltan-artran eviriciler..................................................36
4.1.4. SEPIC eviriciler...............................................................38
4.1.5. Cuk eviriciler...................................................................40
4.2. zoleli eviriciler...........................................................................42
4.2.1. apraz (flyback) eviriciler ...............................................42
4.2.2. tme-ekme (push/pull) eviriciler.....................................43
4.2.3. Yarm kpr (half bridge) eviriciler..................................44
4.2.4. Tam kpr (full bridge) eviriciler .....................................45
4.3. Dier eviriciler............................................................................45

xi
Sayfa
4.4. eviricilerin Karlatrlmas ........................................................46
4.4.1. zoleli eviriciler................................................................46
4.4.2. zolesiz eviriciler .............................................................47
4.4.3. Azaltan ve artran eviriciler .............................................48
5. SIRALI EVRCLER...........................................................................50
5.1. Sral-Artran eviriciler................................................................52
5.2. Artran ve Sral-Artran eviricilerin Karlatrlmas ..................53
6. TASARIM VE UYGULAMA...................................................................55
6.1. Benzetim......................................................................................55
6.2. Uygulama.....................................................................................57
6.2.1. Ak emas......................................................................59
6.2.2. Devre elemanlarnn seimi..............................................60
6.2.3. Akm ve gerilim alglama devreleri....................................61
6.2.4. apraz evirici tasarm ....................................................62
6.2.5. Uygulama sonular..........................................................63
6.2.6. evirici verimlerinin karlatrlmas ................................71
6.2.7. Uygulama sonularnn deerlendirilmesi.........................72
7. SONU VE NERLER .......................................................................74
KAYNAKLAR ................................................................................................75
ZGEM...................................................................................................79

xii
ZELGELERN LSTES

izelge Sayfa

izelge 2.1. Trkiye'nin aylk ortalama gne enerjisi potansiyeli.................. 9
izelge 2.2. Trkiye gne enerjisi potansiyelinin blgelere gre dalm ...10
izelge 2.3. PV modl deikenlerinin yllara gre deiimi.........................16
izelge 3.1. Deitir-gzle deiim verileri ...................................................23
izelge 3.2. MPPT verimleri .........................................................................27
izelge 3.3. MPPT tekniklerinin temel zellikleri...........................................28
izelge 4.1. evirici seimi ...........................................................................47
izelge 4.2. evirici zeti..............................................................................48


xiii
EKLLERN LSTES

ekil Sayfa

ekil 2.1. Gne pili iyaps .......................................................................... 5
ekil 2.2. Gne pili temel elektriksel modeli ................................................. 6
ekil 2.3. PV yap maliyet oranlar ................................................................. 7
ekil 2.4. PV yap maliyetinin yllara gre deiimi........................................ 7
ekil 2.5. Gne pili elektriksel edeer modeli............................................12
ekil 2.6. En yksek g noktasndaki edeer devre modeli ......................12
ekil 2.7. Modl akm geriliminin deiiminin A katsays ile deiimi..........13
ekil 2.8. Modl akm ile geriliminin Rs direnci ile deiimi .........................14
ekil 2.9. Modl akm ve geriliminin nm iddeti ile deiimi ....................14
ekil 2.10. Modl akm ile geriliminin scaklkla deiimi .............................15
ekil 2.11. Modl en fazla g erisi.............................................................15
ekil 2.12. PV modl deikenlerinin ka etkisi ........................................16
ekil 3.1. MPPT ve MPPT olmadan retilen enerjilerin karlatrmas ........18
ekil 3.2. Sabit gerilim metodu ak diyagram .............................................21
ekil 3.3. Deitir-gzle yntemi ile denetlenen evirici................................22
ekil 3.4. Artan letkenlik algoritmas alma erisi. ....................................24
ekil 4.1. Azaltan evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri .........31
ekil 4.2. Azaltan evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi ...............32
ekil 4.3. Artran evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri...........34
ekil 4.4. Artran evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi ................35
ekil 4.5. Azaltan-Artran evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi ...36

xiv
ekil Sayfa

ekil 4.6. Azaltan-Artran evirici yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri .......37
ekil 4.7. SEPIC evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri...........39
ekil 4.8. CUK evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri..............41
ekil 4.9. Fly-back evirici.............................................................................42
ekil 4.10. tme-ekme evirici......................................................................43
ekil 4.11. Yarm kpr evirici.....................................................................44
ekil 4.12. Tam kpr evirici .......................................................................45
ekil 4.13. PV uygulamalar iin azaltan ve artran eviricilerin verimi..........49
ekil 5.1. Sral evirici giriindeki enerji ak...............................................50
ekil 5.2. letim yolu ile yaylan EMI seviyelerinin benzetimi (f
S
=100 kHz)....51
ekil 5.3. PV ile beslenen giriik artran evirici............................................52
ekil 5.4. Artran evirici...............................................................................53
ekil 5.5. Giriik ve sradan evirici verimlerinin karlatrlmas .................54
ekil 6.1. Tm sistem modeli ........................................................................55
ekil 6.2. G kat modeli .............................................................................56
ekil 6.3. MPPT yaps..................................................................................56
ekil 6.4. Anahtarlara uygulanan kap darbeleri ...........................................57
ekil 6.5. Benzetim sonular........................................................................57
ekil 6.6. Uygulama devresi prensip emas ................................................58
ekil 6.7. Sistem ak diyagram ...................................................................59
ekil 6.8. Akm okuma devresi......................................................................61
ekil 6.9. Gerilim okuma devresi...................................................................61

xv
ekil Sayfa

ekil 6.10. Uygulama devresi SMPS prensip emas. ..................................63
ekil 6.11. evirici kap darbelerine gre k gerilimi. ................................64
ekil 6.12. Sral artran evirici giri akm ve gerilimi ...................................66
ekil 6.13. Sral artran evirici k akm ve gerilimi. .................................68
ekil 6.14. Ak eviricisi kap darbesi ve akm.............................................69
ekil 6.15. Sral artran evirici ak ile k akm ve gerilimleri ..................70
ekil 6.16. Tm anahtarlama iaretlerinin e zamanl gsterimi ...................71
ekil 6.17. evirici verimlerinin karlatrlmas ...........................................72


xvi
RESMLERN LSTES

Resim Sayfa

Resim 1.1. Byk lekli PV santralleri.......................................................... 2
Resim 2.1. Dnya gnelenme haritas ......................................................... 8
Resim 6.1. Uygulama devresi .......................................................................71


xvii
SMGELER VE KISALTMALAR

Bu almada kullanlm baz simgeler ve ksaltmalar, aklamalar ile birlikte
aada sunulmutur.

Simgeler Aklama

A PV idealletirme katsays
Ar PV panel alan (m
2
)
C
N
Giri Kondansatr (Farad)
C
O
k Kondansatr (Farad)
D Darbe genilik oran
dB Grlt seviyesi (Desibel)

GA
Inm iddeti verimi
e e sabiti =2.71828
ekt Karaktesistik eri eimi (V
-1
)
E
L
Ykn ihtiya duyduu enerji (kWh)
E
P
PV sistem tarafndan retilen enerji (kWh)
E
PA
PV hcre enerjisi (kWh)
E
PA
Uygulamaya bal olarak hcreden kan enerji (kWh)

m
Manyetik ak (Weber)
fs Anahtarlama Frekans (Hertz)
G Inm iddeti (Sun=W.m
-2
)
H
A
PV panel yzeyine den nm iddeti (kWh.m
-2
)
H
G
Gne nm gc (kWh.m
-2
)
I
C
Kondansatr Akm (Amper)
I
D
Diyot akm (Amper)
I
H
Gne pili k akm (Amper)
I
IN
Giri Akm (Amper)
I
L
Endktans Akm (Amper)
I
MPP
En yksek g noktas akm (Amper)
I
O
k akm (Amper)

xviii
Simgeler Aklama

I
PH
Gne tarafndan retilen akm (Amper)
I
REF
Referans akm (Amper)
I
SC
Ksadevre akm (Amper)
k Sabit deer
K Boltzman sabiti (8,65x10
-5
eV/K)
K
B
Ak ve ak devre kayb katsays
K
C
G dntrc kayplar katsays
K
H
Glgelenme ve kir katsays
K
PA
Hcre devre kayb katsays
K
PH
Inm dme as katsays
K
PM
Yanl ykleme metodu katsays
K
PT
Hcre scaklk katsays

MPPT
En fazla g noktas verimi

PS
Standart koullarda PV verimi
P
MAX
En fazla g (W)
R
L
Yk direnci (Ohm)
R
MPP
En fazla g noktas direnci (Ohm)
R
P
Gne pili edeer paralel direnci (ohm)
R
PM
En fazla g noktas PV edeer paralel direnci (ohm)
R
S
Gne pili edeer seri direnci (ohm)
R
SM
En fazla g noktas PV edeer seri direnci (ohm)
T Pil scakl (Kelvin)
T
S
Periyot Sresi (s)
V Gerilim (Volt)
V
A
k gerilimi (Volt)
V
D
Diyot gerilimi (Volt)
V
IN
Giri gerilimi (Volt)
V
L
Endktans gerilimi (Volt)
V
MPP
En fazla g noktas gerilimi (Volt)
V
MPPT
En fazla g noktas izleme gerilimi (Volt)

xix
V
O
k gerilimi (Volt)
V
OC
Ak devre gerilimi (Volt)


Ksaltmalar Aklama

CC Sabit Akm (Constant Current)
CV Sabit Gerilim (Constant Voltage)
D Diyot
DM Devlet Meteoroloji leri
e Elektron
EE Elektrik leri Ett daresi
EMI Elektro Manyetik Giriim
IC Artan letkenlik (Incremental Conductance)
kcal kilo kalori
MC Mikrodenetleyici (Microcontroller)
MP En Fazla G
MPP En Fazla G Noktas
MPPT En Fazla G Noktas zleme
MW Mega Watt
P&O Deitir ve Gzle (Perturb and Observe)
PV Foto Voltaik
PWM Darbe Genilik Modlasyonu
RFI Radyo Frekansl Giriim
SMPS Anahtar Kipli G Kayna (Switch Mode Power Supp.)
TS Trk Standard

1
1. GR
Gnmzde ihtiya duyulan enerjinin byk bir ounluu fosil ve nkleer
yaktlardan elde edilmektedir. Bu yaktlarn gerek evreye verdikleri zararlar
ve gerekse birikilerinin snrl oluu, alternatif enerji kaynaklar arayna
sebep olmutur. evrenin korunmas, gelecekte insan yaam ve evre
dengeleri zerinde oluabilecek tehditlerin nlenmesi, ulusal kaynaklardan en
st dzeyde yararlanlarak lkelerin enerji kaynaklar arz gvenliinin
salanmas, alternatif enerji kaynaklarnn gelitirilmesini ve kullanlmasn
gerekli hale getirmektedir. Bylece, enerjinin karlanma ihtiyacna bal
olarak gne, rzgr, jeotermal, bioktle, hidrojen gibi alternatif enerji
kaynaklar zerine aratrma gelitirme almalar younlamtr.
almalar nceleri rzgr ve daha sonra ise gneten elektrik enerjisi
retmek eklinde balam ve farkl glerde santraller kurulmutur. Gne
enerjisinden elektrik enerjisi reten sistemlerin verimi %18, rzgar
retelerinin ise %55 civarndadr. Bu oranlar nm izleme, nm odaklama
veya rzgar yn denetimi gibi ilemlerle verim %50lere varan oranlarda
artrlabilmektedir [1].
Alternatif enerji kaynaklarndan gne enerjisi, sonsuz ve yaygn bir kaynak
olmas, dorudan elektrik enerjisine dntrlebilmesi gibi avantajlar
sebebiyle hzla yaygnlamaktadr. Gneten elektrik enerjisi reten
sistemlerin bir dier nemli zellii de modler yaps ile birka watttan
MegaWatt deerine kadar kolaylkla tasarlanp uygulanabilmesidir. Devlet
Meteoroloji leri Genel Mdrl (DM) ile Elektrik leri Ett daresi
(EE)nin yapt aratrmalar bata Gney Dou Anadolu ve Akdeniz
Blgeleri olmak zere lkemizin fotovolatik (PV) uygulamalarna elverili
olduunu gstermektedir [2].
PV paneller DA gerilim retmektedir. Bu sebeple, elektrikle alan uygun
g ve gerilimdeki her trl alc dorudan beslenebilir. Ancak, kW bana
yatrm maliyeti yaygn kullanlan enerji kaynaklarndan daha yksek olduu
iin, nceleri elektrik enerjisinin iletilemedii ya da iletilmesinde glk

2
ekilen yerlerde ve belli glere kadar dier kaynaklardan daha avantajl
olduu belirtilmekteydi. Bu sebeple gemite otoyollarn aydnlatlmas ve
sinyalizasyonu, park bahe aydnlatmas, uzay uygulamalar, su pompalar ile
ev ve kk iyerleri gibi uygulamalarda tercih edilmitir. Sistem, gn
boyunca alclar besleyerek ihtiya fazlas enerjiyi ak gruplarnda
depolayacak ve gerektiinde alclara aktaracak ekilde tasarlanrd.
Gnmzde bu uygulamalarn yan sra yatrmdan en yksek fayday
salama dncesi ne km ve ebeke ile paralel alan veya ebekeye
dorudan enerji aktarabilen sistemler nem kazanmtr. Bu tip uygulama
rnekleri gn getike oalmaktadr. G kapasiteleri ise MW deerlerine
ulam olup, birok lkede ebeke etkileimli PV enerji retim merkezleri
kurulmaya balanlmtr.

(a) (b)

(c) (d)

Resim 1.1. Byk lekli PV santralleri
a) Gwangju City Power Plant, Gney Kore, 1 MW b) Nellis Air
Force Base, NV - 15 MW c) Bavaria Solarpark, Germany - 10
MW d) Isla Mayor Power Plant, Spain - 8.4 MW

3
Bunlarn dnda otomobil, sera stlmas gibi farkl alanlarda aratrmalar
devam etmektedir. lkemizde halen Telekom istasyonlar, Orman Genel
Mdrl yangn gzetleme istasyonlar, deniz fenerleri ve otoyollarn
aydnlatma ve trafik iaretlerinde kullanlan PV kurulu gc 300 kW
civarndadr [2].
Yatrm bedeli dikkate alndnda PV sistemlerden elde edilen enerjinin kW
bana maliyeti su, petrol ve kmr gibi allm kaynaklara gre daha
yksektir. Ancak, PV panellerin retim teknolojisi ile eviricilerdeki gelimeler
gn getike bu fark azaltmaktadr. PV sistemlerde yatrm bana maliyeti
drmeye ve yatrmdan en fazla yarar salamaya ynelik olarak iki konu
zerinde youn aratrmalar devam etmektedir. Bunlardan birincisi modl
veriminin dieri ise toplam verimi etkileyen en nemli etken olan evirici
veriminin ykseltilmesidir. eitli retim tekniklerinde ve deiik maddelerden
retilen PV panellerin verimleri her geen gn daha da artarak gnmzde
%21e optik younlatrclar kullanldnda ise %35e kadar ulamtr [3, 4].
Gne pillerinden elde edilen enerjinin maliyet/kW deerinin su, petrol ve
kmrden elde edilen enerjiden 3-5 kat daha yksek olduu gerei enerji
dnm ileminde verimin en nemli faktrlerden biri olmas sonucunu
dourmaktadr. Bu amala gneten alnan enerjiyi alc sisteme aktaracak
evirici yapsnn seimi ile evirici denetim tekniinin pil verim zelliine gre
dzenlenmesi gerekmektedir.
PV panellerin karakteristiine gre alc sistem tarafndan ekilen gcn akm
gerilim oran dzenlenmedii ve/veya kullanlan eviricilerin PV sisteme
uygun olmamas yada iyi tasarlanamamas gneten faydalanma miktar
azalmaktadr. Bu amala MPPT ilemi yapan eviriciler gelitirilmitir.
Gnmzde birok MPPT denetim teknii kullanlmaktadr. Bu teknikler
dolayl denetim ve dorudan denetim olarak iki grupta ele alnabilir.
Dolayl denetim tekniinde PV k gerek gc srekli olarak hesaplanmaz.
Burada referans denetim sinyalinin oluturulmas ilemi PV hcre zelliine

4
bal olarak belirli aralklarla yada rnekleme hcresi yardm ile modl ak
devre gerilimi, modl ksa devre akm, nm iddeti, modl scakl gibi
deerlerinin okunmas ile yaplr. Dorudan denetim teknii ile oluturulan
sistemler srekli olarak PV k gcn okuyarak gerek MPPT noktasna
ulamay salayacak dntrc referans sinyalini oluturur. Dolay denetim
yntemleri hzl olmalarna karn PV panel bamldrlar ve gerek MPPT
yapamazlar. Dorudan yntemler ise daha yava ancak PV panellerden
bamszdrlar. Bu almada dorudan ve dolayl yntem birlikte kullanlarak
sistem hz ve verimi artrlmtr.
MPPT ve gerilimin uygun seviyelere getirilmesi iin kullanlan g
dntrcleri, zorlamal anahtarlama ve akm ile gerilimdeki ani deiimler
nedeniyle elektromanyetik giriim (EMI) ve radyo frekansl giriim (RFI)
oluumuna neden olurlar. Bu durumu nlemek amacyla birok EMI azaltma
yntemleri gelitirilmitir. Grlt yaltm ve bastrma yntemleri ile yumuak
anahtarlama tekniklerinin kullanlmas bunlardan bir kadr. Yumuak
anahtarlama tekniklerinin uygulanmas kontrol ve g devresinin
gerekletirilmesini zorlatrd gibi gcn ykseltilmesine fazla bir katk da
salamazlar. Ayrca bu yntemler devre yapsnda deiiklik
gerektirmektedirler. Saylan bu olumsuzluklar amak amacyla faz kaydrmal
sral eviriciler gelitirilmitir. Sral eviriciler ile devre yapsnda deiiklik
yapmadan EMI seviyesi azaltlmakta ve srekli iletim kipinde bir enerji ak
salayabilmektedir. Ancak bu yaplar ile ykn az olduu durumlarda verim
dklne neden olmaktadrlar. Bu almada verimin ykseltilmesi amac
ile dk yklerde tek evirici yksek yklerde ise ikili sral evirici ile
allarak verimin ykseltilmesi salanmtr. Ayrca frekans dengelemesi
yaplarak giri ve k frekans etkisinden taviz verilmemitir.
Bu yaz, ikinci blm PV yaplarn yapsal zellikleri ile gnelenme bilgileri,
nc blm MPPT yaplar, drdnc blm DA-DA eviriciler, beinci
blm sral eviriciler, altnc blm tasarm ve uygulama, yedinci blm
sonu ve neriler olarak dzenlenmitir.

5
2. GNE PLLER
Fotovoltaik (PV) yaplar gneten aldklar enerjiyi elektrik enerjisine
dntren elemanlardr. Temelde aldklar enerjinin kk bir ksmn
elektrik enerjisine evirebilirler. Sonsuz saylabilecek bir kaynaktan
beslenmeleri, atk madde oluturmamalar en nemli tercih sebeplerindendir.
2.1. Fiziksel Yaplar
Gnmzde farkl maddelerden ve farkl teknolojilerde birok tipte PV panel
retilmektedir. Pahal yar iletkenlerden retilirler. Genelde en yaygn tipi
yap vardr. Bunlar,
Tekli Kristal Silikon (Mono-Crystalline Silicon)
oklu Kristal Silikon (Poly-Crystalline Silicon)
nce Film (Thin-Film)
Kristal Silisyum, Galyum Arsenit (GaAs), Amorf Silisyum, Kadmiyum Tellurid
(CdTe), Bakr ndiyum Diselenid (CuInSe2) gibi retim maddeleri yaygn
olarak kullanlmaktadr.


ekil 2.1. Gne pili iyaps

6
2.2. alma lkesi
PV hcreleri pozitif ve negatif taraf olmak zere iki ksmmdan oluur. Her iki
tarafta da son yrngelerinde 4 elektron bulunduran (genelde germanyum ya
da silisyum) atomlar bulunur. Ayrca pozitif tarafta 3 elektron, negatif tarafta
ise 5 elektron bulunduran atomlar vardr. 5 elektron bulunduran atom elektron
vermeye 3 elektron bulunduran atom ise elektron almaya elverilidir.


ekil 2.2. Gne pili temel elektriksel modeli
Inm etkisi ile fotonlar PV hcresine arparak elektronlarn hareketini salar,
hareketlenen elektron yk zerinden devresini tamamlar.
2.3. PV Panel Verimi
PV hcreler gneten aldklar enerjinin tamamn elektrik enerjisine
dntremezler. Birim alanda retilen elektrik enerjisinin nm yolu ile
gelen enerjiye oran verimi vermektedir. eitli retim tekniklerinde ve deiik
maddelerle retilen PV panellerin verimleri her geen gn daha da artarak
gnmzde %21 deerine kadar ulamtr [4]. Ayrca younlatrc
sistemler (concentrator) kullanlarak PV panel verimleri %35lere kadar
ykseltilmitir [3].
2.3.1. PV yap maliyeti
PV panellerden elde edilen enerji maliyeti, hidroelektrik, kmr, petrol,
nkleer gibi gnmz yaktlarndan elde edilen enerjiden daha fazladr.
Temelde aradaki farkn kayna kurulum maliyetidir. Kurulum maliyetini
oluturan unsurlar PV panel, yedekleme niteleri (ak), g dntrcleri,

7
tama ve ina giderleri olarak sralanabilir. PV sistemin byklne gre
ad geen giderlerin arlklar deimektedir.
ekil 2.3de 15 kWh/gn iin kurulmu bir sistemin kurulum maliyet oranlarn
veren grafik bulunmaktadr [5].


ekil 2.3. PV yap maliyet oranlar
PV paneller kurulum maliyetinin en byk bileenidir. PV yaplar
yaygnlatka panel maliyetleri de dmekte bunun sonucu olarak daha
ekonomik olmaktadr.


ekil 2.4. PV yap maliyetinin yllara gre deiimi

8
ekil 2.4de PV panel fiyatlarnn $/W cinsinden yllara gre deiimi ve
gelecek yllardaki tahmini sonular veren grafik verilmitir [6]. Buradan
hareketle PV sistemlerin yakn gelecekte enerji ihtiyacna olduka ekonomik
zmler getirecei sylenebilir.
Gneten elde edilen enerjinin birim maliyeti ise kullanlan teknoloji, nm
iddeti, gnelenme sresi ve PV hcre cinsine gre 0,15-0,29 $/kWh
arasnda deimektedir [2].
2.4. Inm iddeti
PV sistemler gneten aldklar enerjiyi verimleri orannda elektrik enerjisine
dntrrler. Bu yzden PV sistemlerinin nm iddeti ve gnelenme
srelerinin yksek olduu alanlarda daha verimli ve kullanl olmaktadrlar.
Inm iddeti pironometre ile llmektedir.
lkemiz, corafi konumu nedeniyle sahip olduu gne enerjisi potansiyeli
asndan birok lkeye gre daha elverilidir. ekil 2.5de dnya yllk nm
iddetini gsteren harita verilmitir [7].


Resim 2.1. Dnya gnelenme haritas

9
DMnin 1966-1982 yllar arasnda yapt gnelenme sresi ve nm
iddeti verilerinden yararlanarak EE tarafndan yaplan almaya gre
Trkiye'nin ortalama yllk toplam gnelenme sresi 2640 saat (gnlk
toplam 7,2 saat), ortalama toplam nm iddeti de 1311 kWh/m-yl (gnlk
toplam 3,6 kWh/m) olarak tespit edilmitir. Aylara gre Trkiye gne enerji
potansiyeli ve gnelenme sresi deerleri ise izelge 2.1'de verilmitir [2].
izelge 2.1. Trkiye'nin aylk ortalama gne enerjisi potansiyeli

Aylk toplam gne enerjisi Gnelen. sresi
Aylar
Kcal/cm
2
-ay kWh/m
2
-ay (Saat/ay)
Ocak 4,45 51,75 103,0
ubat 5,44 63,27 115,0
Mart 8,31 96,65 165,0
Nisan 10,51 122,23 197,0
Mays 13,23 153,86 273,0
Haziran 14,51 168,75 325,0
Temmuz 15,08 175,38 365,0
Austos 13,62 158,40 343,0
Eyll 10,60 123,28 280,0
Ekim 7,73 89,90 214,0
Kasm 5,23 60,82 157,0
Aralk 4,03 46,87 103,0
Toplam 112,74 1311 2640
Ortalama 308 cal/cm
2
-gn 3,6 kWh/m
2
-gn

7,2 saat/gn
Trkiye'nin en fazla gne enerjisi alan blgesi Gney Dou Anadolu Blgesi
olup, bunu Akdeniz Blgesi izlemektedir. Gne enerjisi potansiyeli ve
gnelenme sresi deerlerinin blgelere gre dalm izelge 2.2de
verilmitir.


10
izelge 2.2. Trkiye gne enerjisi potansiyelinin blgelere gre dalm

Blge Toplam Gne Enerjisi
(kWh/m
2
-yl)
Gnelenme Sresi
(Saat/yl)
G.D. Anadolu 1460 2993
Akdeniz 1390 2956
Dou Anadolu 1365 2664
Anadolu 1314 2628
Ege 1304 2738
Marmara 1168 2409
Karadeniz 1120 1971
Ancak, bu deerlerin, Trkiyenin gerek potansiyelinden daha az olduu,
daha sonra yaplan almalar ile anlalmtr. 1992 ylndan bu yana EE ve
DM, gne enerjisi deerlerinin daha salkl olarak llmesi amacyla
enerji amal gne enerjisi lmleri almaktadrlar. Devam etmekte olan
lm almalarnn sonucunda, Trkiye gne enerjisi potansiyelinin eski
deerlerden %20-25 daha fazla kmas beklenmektedir [2].
EEnin l yapt 8 istasyondan alnan yeni lmler ve DM verileri
yardm ile 57 ile ait gne enerjisi ve gnelenme sreleri deerleri
hesaplanarak bir kitapk halinde baslmtr [2].
2.5. PV Sistem Kullanm Alanlar ve Trkiyeki Durum
PV sistem k elektrik enerjisi olduundan elektrikle alan uygun gteki
her trl alclarla alabilir. Gne pilleri, halen elektrik ebekesinin
olmad, yerleim merkezlerinden uzak yerlerde ekonomik ynden uygun
olarak kullanlabilmektedir.
Genelde otoyol aydnlatma, otoyol sinyalizasyon, park bahe aydnlatma,
uzay uygulamalar, su pompalama, ev ve kk iyerleri tipi sistemlerde
kullanlmaktadr. Genel olarak gn boyunca alclar besleyerek ihtiya fazlas
enerjiyi aklerinde depolayarak gerektiinde alc sisteme aktaracak ekilde

11
tasarlanrlar. ebeke ile paralel alan ve ebekeye enerji gnderebilen
sistemler son yllarda nem kazanm ve geni uygulama alan bulmutur.
Bahsi geen uygulamalar dnda otomobil, sera stma gibi eitli
uygulamalarda da almalar yaplmaktadr.
lkemizde halen Telekom istasyonlar, Orman Genel Mdrl yangn
gzetleme istasyonlar, deniz fenerleri ve otoyol aydnlatmasnda kullanlan
gne pili kurulu gc 300 kW civarndadr.
Gne enerjisi aratrma ve gelitirme konularnda EE'nin yannda Tbitak
Marmara Aratrma Merkezi ve niversitelerde almalar yapmaktadr. Yine
aratrma amacyla Gazi niversitesi Teknik Eitim Fakltesi Elektrik Eitimi
Blmnde ebeke etkileimli alabilen 2,59 kW kurulu gcnde PV sistem
kurulmutur.
Gne enerjisi verilerinin llmesi konusunda Devlet Meteoroloji leri Genel
Mdrl faaliyet gstermektedir. EE 1991 ylndan bu yana kendi gne
enerjisi gzlem istasyonlarn kurmaktadr.
Gne enerjisi ile ilgili standartlar hazrlanmas konusunda Trk Standartlar
Enstits;
TS 3680-Gne Enerjisi Toplayclar-Dz
TS 3817-Gne Enerjisi Su Istma Sistemlerinin Yapm, Tesis ve letme
Kurallar
konulu standartlar hazrlamtr. Ancak bu standartlar termal sistemlere
yneliktir.
2.6. PV Hcre Elektriksel Modeli
Gne pilleri p-n yar iletkenlerinin ince bir katman haline getirilerek
birletirilmesinden oluur. Karanlkta PV hcre k I-V karakteristii diyot

12
karakteristiine ok benzer. Ia maruz kaldnda fotonlar sayesinde
elektron hareketi dolays ile akm salanr. PV panel ksa devre edildiinde
bu akm harici yk zerinden, ak devre halinde brakldnda ise bu akm
karakteristik p-n bileimli diyot zerinden devresini tamamlar [8].
Gne pilleri ekil 2.5deki gibi bir akm kayna, akm kaynana paralel
bal diren ve diyot, oluan yapya seri bal bir diren ile ifade edilirler [9].


ekil 2.5. Gne pili elektriksel edeer modeli
Ayrca devre matematiksel modeli E. 2.1 ile ifade edilebilir. lgili model ekil
2.6da verilmitir.
P
S H O
) .R I (V
A.k.T
q
O PH H
R
.R I V
1) .(e I I I
S H O +
=
+
(2.1)
R
S
direnci ok kk bir direntir. R
P
direnci ise byk deerdedir. Bu diren
deerlerini en yksek g noktas (MPP) iin hesaplamak mmkndr. Bu
ilemi yapabilmek iin modl edeer devresinden yararlanlr. retici
firmadan alnan bilgi yapraklar deerleri modl edeer devresinde
kullanlarak yap deikenleri bulunur [9].


ekil 2.6. En yksek g noktasndaki edeer devre modeli

13
Edeer devreden hareketle R
PM
ve R
SM
deerleri E. 2.2 ve E. 2.3 yardm
ile bulunabilir.
MPP
SC OC
SM
I
V V
R

= (2.2)
MPP SC
OC
PM
I I
V
R

= (2.3)
PV panel reticileri modle ait deerleri 25 C ve gne nm iddeti 1000
W/m
2
iken yaplan testler sonucunda olutururlar. Bu artlar altnda modl
ak devre gerilimi (V
OC
), ksa devre akm (I
SC
), MPP akm (I
MPP
) ve MPP
gerilimi (V
MPP
) deerleri alnarak modl bilgi yapraklar oluturulur.
PV panellerin k zellii retim teknii, nm, scaklk, besledii yk gibi
deikenlerden etkilenir. Bu deikenlerin PV k gcne olan etkisini
gsteren bilgisayar ortamnda hazrlanm bir dizi grafik ekil 2.7 ekil
2.11de verilmitir [8].


ekil 2.7. Modl akm geriliminin deiiminin A katsays ile deiimi


14


ekil 2.8. Modl akm ile geriliminin Rs direnci ile deiimi



ekil 2.9. Modl akm ve geriliminin nm iddeti ile deiimi


15


ekil 2.10. Modl akm ile geriliminin scaklkla deiimi



ekil 2.11. Modl en fazla g erisi

2.7. PV Sistem Verimini Etkileyen Faktrler
Gne n elektrik enerjisine evirirken verimi etkileyen birok etken
vardr. Bu etkenlerden bir ksm iyiletirilebilse de (rnein panel as) modl
zelliine bal olanlar deitirilemez.
Gneten alnan enerjinin PV kna iletilmesi esnasnda meydana gelen
kayplar ekil 2.13de gsterilmitir [10].

16


ekil 2.12. PV modl deikenlerinin ka etkisi

2.8. PV Modl Performansnn Yllara Gre Deiimi
PV sistemler temiz, sessiz, bakm gerektirmeyen, sistemler olsalar da
kurulum maliyetlerinin ykseklii ve yllara gre performanslarnda meydana
gelen dmeler olumsuz etkileri olarak saylabilir.
Yaplan aratrmalar 11 yl sonunda PV modl verimi ve z deerlerinde
meydana gelen deiimin modl gcn %4,39 ve ksa devre gerilimini
%6,38 orannda drdn gstermektedir [11].
izelge 2.3. PV modl deikenlerinin yllara gre deiimi

1990 2001
Deiken
Ana deer Stand.sap. Ana deer Stand.sap.
% Deiim
P
MAX
(W) 39,88 0,849 38,13 1,67 -4,39
V
OC
(V) 18,19 0,131 18,15 0,108 -0,22
I
SC
(A) 3,29 0,044 3,08 0,120 -6,38
R
S
(Ohms) 0,347 0,115 0,384 0,184 10,66
R
P
(Ohms) 171 39,2 115 48,7 -32,75
ekt (V
-1
) 0,709 0,125 0,896 0,26 26,38
V
MPP
(V) 13,9 0,20 14,2 0,33 2,16
I
MPP
(A) 2,88 0,033 2,69 0,111 -6,60

17
2.9. Sonu
lkemizde ve dnyada her geen gn enerji ihtiyac artarken gnmz enerji
kaynaklar yeterli gelmemeye balamtr. eitli evresel etkilerinden dolay
nkleer enerji tercih edilmemekte, fosil yaktlar tkenmekte, dier kaynaklar
ise artan enerji talebini karlayamamakta sonuta dnya bir enerji
darboazna doru gitmektedir.
Gne sonsuz diyebileceimiz bir enerji kaynadr. Trkiye gnelenme
iddeti ve sresi bakmndan uygun corafi konumdadr. Bu kaynaktan
yararlanmann eitli yollar olmakla birlikte burada ilgilenilen ksm elektrik
enerjisine evirerek faydalanmak olmutur. Ancak gne enerjisini elektrik
enerjisine evirme ileminin dier faydalanma metotlarna gre verimi dk
maliyeti yksektir. Ayrca gne pilleri uygun akm ve gerilimde daha
kullanl olmaktadr. Bu amala genellikle PV k DA-DA eviriciye
uygulanarak uygun artlarda en fazla g retilmeye allmaktadr. nc
blmde PV kndan en yksek dzeyde faydalanabilmek amac ile
kullanlan MPPT metotlar hakknda bilgi verilecektir.

18
3. MPPT TEKNKLERNN KARILATIRILMASI
MPPT PV panel kndaki g dntrcsnn denetim yapsdr. PV
panel verimleri gnein verebilecei enerjiyi elektrik enerjisine
dntrlebilme oranlar ile ifade edilirler. Bu deer pil kalitesine ve yapsna
bal olarak %16-21 arasndadr. Fakat pillerin karakteristik zelliinden
dolay akm gerilim oran dengelenmediinde bu verim oran dmektedir.
Dolays ile kstl enerjiyi etkili bir ekilde aktarmak gnmz
aratrmaclarnn ilgi oda olmutur.
MPPT denetim teknii PV panelleri verimlerinde kullanlmasn salayan bir
yntemdir. Bu yntem pilin verdii enerjinin en yksek olduu noktay
yakalayan bir denetim yapsdr. Bu nokta ma, scaklk, PV panel eimi, PV
panel yalanmas gibi deikenlerle deiir. Bu ilemi gerekletirebilmek iin
denetim mekanizmas denetim tekniine bal olarak PV panel deikenlerini
deerlendirip g dntrcsnn referansn gcn en yksek olduu
noktaya ulamay salayacak ekilde deitirir.
MPPT ilemi sayesinde elde edilen enerji kontrolsz olarak alnan enerjiye
oranla %45ler civarnda artrlabilmektedir [12].


ekil 3.1. MPPT ve MPPT olmadan retilen enerjilerin karlatrmas
k gc nm ve scakla bal olarak yalnzca uygun akm-gerilim
deerinde en yksek deere ular. Deiik atmosfer koullarnda en fazla

19
PV k gc noktas (MPP) srekli olarak deiecektir. Enerji dnm
ileminin verimli ve etkili olabilmesi amac ile PV knda denetimli g
dntrcleri kullanlm ve bu dntrcler deiik teknikler ile
denetlenmitir.
Gnmzde birok MPPT denetim teknii kullanlmaktadr. Bu denetim
teknikleri dolayl denetim ve dorudan denetim olarak iki ana grupta ele
alnabilir. Dolayl denetim tekniinde PV k gerek gc srekli olarak
hesaplanmaz. Burada referans denetim sinyalinin oluturulmas ilemi PV
hcre zelliine bal olarak belirli aralklarla yada rnekleme PV hcresi
yardm ile modl ak devre gerilimi, modl ksa devre akm, nm iddeti,
modl scakl gibi deerlerinin okunmas ile yaplr. Dorudan denetim
teknii ile oluturulan sistemler srekli olarak PV k gcn okuyarak
nceki k gc ile karlatrp MPPT noktasna ulamay salayacak
dntrc referans sinyalini oluturur.
Bu ksmda gnmze kadar yaplan kullanl MPPT denetim teknikleri
hakknda bilgi verilecektir.
3.1. Dolayl denetim
Dolayl denetim teknii PV karakteristiine dayal olarak deneysel sonularla
oluturulmu tablolar, modl ak devre gerilimi, modl ksa devre akm,
nm iddeti, modl scakl gibi deerleri direkt yada matematiksel
eitlikler yardm ile kullanarak MPPT noktasn tahmin etmeye dayal bir
yntemdir. Bu yntemle yaklak MP noktas bulunur.
3.1.1. Sabit gerilim metodu
Sabit gerilim (CV) dier ismi ile ak devre gerilim metodu PV panel ak
devre gerilimini referans alan bir metodudur. Aratrmalar V
MPPT
geriliminin
V
OC
geriliminin dorusal bir fonksiyonu olduunu gstermektedir. Bu deer
retim teknii, evresel koullar gibi etkenlere bal olarak polykristal

20
modllerde ortalama V
OC
geriliminin %73-80 civarndadr [5, 13, 14]. Daha
genel bir ifade ile,
sabit V V k
OC MPPT
= / (3.1)
olarak ifade edilebilir. Burada k sabiti deimediinden MPPT gerilimi (V
MPPT
)
ak devre gerilimi (V
OC
) yardm ile kolaylkla bulunabilir. rnekleme ilemi
k yk devrede deilken V
OC
geriliminin okunmas ile gereklenir. Sk
rnekleme MPPT ileminin hassas bir ekilde srdrlmesini, dolays ile
hata orann azaltacaktr.
Sabit gerilim metodu olduka basit, karmak devreler gerektirmeyen, ucuz
ve kullanl bir yntemdir. Ancak referans iareti oluturabilmek iin gereken
V
OC
gerilim bilgisini okuyabilmek iin PV modlden yk ayrma gerekliliinin
ykler iin sorun tekil etmesi, bu esnada gne enerjisinden
faydalanlamamas, gerek MPPT ileminin srdrlememesi olumsuz
etkileridir.
Sistem gvenirlilii ve yklerin devreden karlmasn nlemek amac ile ayn
zellikte bir hcre rnekleme eleman olarak kullanan sistemlerde mevcuttur.
Bu durumda bir hcre srekli devre d kalmaktadr.

21


ekil 3.2. Sabit gerilim metodu ak diyagram
3.1.2. Sabit akm metodu
Sabit akm (CC) dier ismiyle ksa devre akm metodu sabit gerilim metoduna
ok benzer. PV modl MPPT akm (
MPPT
) ksa devre akm (
SC
) ile orantsal
bir iliki ierisindedir. Bu deer retim teknii ve evresel koullara bal
olarak deimekle birlikte %85ler civarndadr [14].
Ksa devre akm ile MPPT akm arasndaki orantsal k sabiti scaklk ve
nm deiikliinde korunur. Ksa devre akm ile MPPT akm arasndaki
bant E. 3.2 ile ifade edilebilir [15].
) ( ) (
2
E I k E I
SC MPPT
= (3.2)
E. 3.2 kullanlarak MPPT akm ksa devre akmnn llmesi ile bulunur ve
E. 3.3deki akm denetimli dntrcnn referans iareti oluturulur.
MPPT REF
I I = (3.3)

22
Ksa devre akm metodu basit ve karmak devreler gerektirmeyen yapda
olmasna ramen ksa devre akmnn llmesi gereklilii, bu esnada enerji
kayb, k
2
sabiti belirleme ilemi ve panel yzeyinde meydana gelebilecek
kirlilik v.b. sebeplerden kaynaklanan k
2
sabiti sapmalar bu yntemin olumsuz
etkilerindendir. Sistem ak diyagram ise sabit gerilim metodunda olduu
gibidir.
3.2. Dorudan denetim
Dorudan (online) denetim metodu PV gerilim ve/veya akm deerlerini
kullanr. alma noktalarnn deitirilmesi ile en uygun nokta yakalanmaya
allr. Bu yntemin en nemli avantaj PV rete karakteristii, scaklk,
nm iddeti gibi deikenlerden uygun noktann yakalanmas asndan
etkilenmemesidir.
3.2.1. Deitir-gzle metodu


ekil 3.3. Deitir-gzle yntemi ile denetlenen evirici
En sk kullanlan metotlardan biridir. Deitir-gzle (P&O) ynteminde PV
k gc srekli olarak izlenir ve kontrol deikeninin hareketi ile gcn
hareketi arasnda bir bant kurularak referansn azaltmasna ya da
artrlmasna karar verilir.
P&O algoritmas tepeye trmanma (hill-climbing) algoritmas ad ile de anlr.
G hesaplanarak g dntrc darbe genilik oran gc artracak
ekilde deitirilir. P&O algoritmalar kolayca saysal devrelerle uygulanabilir.
Akm ve gerilim deerlerini okumak MP noktasn bulmak iin yeterli olacaktr.

23
PV panelin k gc ve referans deikeninin hareketi hakknda temel
yarglar aadaki izelgede verilmitir [16].
izelge 3.1. Deitir-gzle deiim verileri

Referans deiimi Gteki deiim Sonraki ref. Deiim
Pozitif Pozitif Pozitif
Pozitif Negatif Negatif
Negatif Pozitif Negatif
Negatif Negatif Pozitif
izelge 3.1de verilen tablo darbe oranna gre gcn deiimini esas alarak
oluturulmutur. P&O MPPT algoritmas gce gre gerilim ya da gce gre
akm deiimi esas alnarak da uygulanabilir. Kyaslama ilemi sonucunda
MP noktasna ulalmay salayacak bir sonraki darbe genilik oranna karar
verilir. Atmosferik koullarn hzla deiimine kar tepkisinin yava olmas ve
ani deiimlerde MP noktasn yanl ynde arama gibi zayflklar mevcuttur.
Sistem srekli olarak deitir gzle ilemini yaptndan MP noktasna
ulatnda burada sabitlenmez. MPP civarnda srekli olarak osilasyon
yapar ve sistemde bir miktar g kayb olur [17].
3.2.2. Artan iletkenlik metodu
ekil 3.4de artan iletkenlik (IC) yntemi alma kouluna ait grafik verilmitir
[18]. Artan iletkenlik metodunun temeli PV panel k gc eiminin 0 olduu
yeri MPP, pozitif olduu yeri MP noktasnn solu, negatif olduu yeri MP
noktasnn sa olarak belirlemesine dayaldr [16].

24


ekil 3.4. Artan letkenlik algoritmas alma erisi.
ekil 3.4de verilen eri artan iletkenlik algoritmasnn temelini oluturur. Bu
eriden yararlanlarak E. 3.4deki eitlikleri yazmak mmkndr,
= 0 / dV dP MP noktasnda,
> 0 / dV dP MP noktasnn solunda,
< 0 / dV dP MP sanda, (3.4)
E. 3.4 kullanlarak E. 3.5 yazlabilir:
V I V I dV dI V I dV IV d dV dP + + = = / / / ) ( / (3.5)
E. 3.5 yeniden dzenlenirse,
= V I V P / / MP noktasnda,
> V I V P / / MP noktasnn solunda,
< V I V P / / MP sanda, (3.6)
eitlikleri elde edilir [16].
IC metodunun en nemli avantaj hzl deien atmosferik koullara uyum
salayabilmesi ve MP noktasnda meydana gelen osilasyonun P&O

25
metodundan ok daha az olmasdr. nceleri hesap ilemleri fazla zaman
aldndan tepki hzlar yava idi. Gnmzde ise dijital teknolojilerin hzl
geliimi bu olumsuz etkiyi kaldrm durumdadr. Ancak IC kontrol metodu ile
denetlenen devreler biraz daha karmak ve pahaldr. Verimleri ise P&O
yntemi ile yaklak olarak ayn fakat CV ynteminden daha yksektir [19].
3.3. Dier metotlar
Yukarda en yaygn MPPT metotlar sralanmtr. Bunlardan baka birok
MPPT metodu bulunmaktadr. Aada bu metotlara ksaca deinilmitir.
Eri uyarlama metodu
PV hcresi edeer devresi ve retici verilerinden yararlanlarak sistem
modeli matematiksel denklem ya da yaknsama metotlar ile oluturulur.
Ancak oluturulan yap karmak olduundan analog veya sradan saysal
devrelerle gerekletirilmesi olduka zordur. Bir dier sorun ise deiik nm
ve yalanma etkilerinde parametrelerin doru olarak bulunamayndan
kaynaklanan sapmadr [14].
Tablodan okuma metodu
PV panelden okunan akm ve gerilim bilgisi daha nceden saklanan verilerle
karlatrlarak MPPT noktasna ulalacak hareket hakknda bilgi edinilir. Bu
bilgi ile g dntrcsnn referans iareti belirlenir. Depolama nitesi
tm atmosferik koullar iin bilgi bulundurmaldr. Ayrca bu deerler farkl PV
panel eitlerinde yeniden oluturulmaldr.
Parazitik kapasite metodu
Artan iletkenlik metoduna benzer yapdadr. Fakat PV k kapasitesi C
PV
nin
ileme dhil edilmesi ile gerekletirilir. Denetim devresi yapsnn karmak
olmas ve algoritmasndaki matematiksel ilemlerin fazlal metodun zayf
ynlerindendir.

26
Sadece akm metodu
Ksa devre akm metodundan farkl olarak sadece PV panel akmnn
llmesi ile gerek MP noktas bulunabilir. Burada I
MPPT
E. 3.7deki gibi
gcn bir fonksiyonu olarak ifade edilir [20].
) (
MPPT MPPT
P f I = (3.7)
Sadece akm okuyarak gerek MP noktasn yakalamas, hzl deien
atmosferik koullara uyum salayabilmesi olumlu ynlerindendir.
Bulank mantk ve yapay sinir alar metotlar
Son yllarda kullanlmaya balayan metotlardandr. Ar matematiksel
modellemeler gerektirmezler. Hzl deien atmosferik koullara uyum
salayabilirler. Ancak sistemin baars tasarmcnn kabiliyeti ile snrldr.
Hata iareti katsaylar doru belirlenmediinde olumsuz sonulara yol
aabilir [16].
Blm 3.13.3 ierisinde ad geen metotlardan baka benzer metotlarda
bulunmaktadr. Detaylar amacn dna tatndan bu metotlara
deinilmemitir.
3.4. Denetim Metodlarnn Karlatrlmas
Dolayl denetim metotlar basit yapl ve maliyet ynnden avantajl
olmalarna karn genelde MP noktasn doru bir ekilde takip edemezler.
Ayrca rnekleme esnasnda yklerin devreden kartlmas ve bu sre
zarfnda enerjinin kullanlamamas gibi zayflklar mevcuttur. nceleri
kullanl yntemler snfnda olsalar da gnmzde saysal elektroniin
geliimi ve yksek hzl mikro denetleyicilerin retilmesi dorudan denetim
teknii uygulanabilen sistemleri n plana karmtr. Dolayl denetim
metotlar maliyetinin dk olmas sebebi ile halen kk gl sistemler iin
kullanl yntemler snfndadr.

27
Dorudan denetim teknii ile denetlenen sistemler atmosferik koullar,
yalanma gibi dolayl denetim tekniinin etkilendii deikenlerden
etkilenmez, MP noktasn doru bir ekilde takip ederler. Ancak sistem
maliyeti ve denetim devreleri biraz daha karmaktr. Bu yzden orta ve
byk gl sistemler iin uygundur.
izelge 3.2de denetim yntemlerinin verim ynnden (MPPT)
karlatrlmasna ait grafik verilmitir [19].
izelge 3.2. MPPT verimleri

De. Gz. (P&O) Artan letken. (IC) Sabit Voltaj (CV) Atmosfer.
Durumu Gn MPPT Gn MPPT Gn MPPT
Ak 20 98.7 17 98.7 20 90.4
Ksmen
bulutlu
14 96.5 11 97.0 10 90.1
Bulutlu 9 98.1 11 96.7 6 93.1
Hepsi 43 97.8 39 97.4 36 91.2
Benzetim 99.3 99.4 93.1

28
izelge 3.3de ise MPPT algoritmalarnn yaplar ile ilgili karlatrmalar
verilmitir [16].
izelge 3.3. MPPT tekniklerinin temel zellikleri

MPPT
teknii
PV
panel
bam-
ll
Gerek
MPPT?
Analo &
Saysal?
Periyodik
ayar ?
zleme
hz
Karmak
?
Gerekli
bilgi
Deitir
Gzle
(P&O)
Hayr Evet D&A Hayr Deiken Dk
Akm,
Gerilim
Artan
letkenlik
(IC)
Hayr Evet D Hayr Deiken Orta
Akm,
Gerilim
Ak devre
Gerilim
(V
OC
)
Evet Hayr D&A Evet Orta Dk Gerilim
Ksa devre
Akm (I
SC
)
Evet Hayr D&A Evet Orta Orta Akm
Bulank
Mantk
Kontrol
Evet Evet D Evet Hzl Yksek Deiken
Yapay Sinir
Alar
Evet Evet D Evet Hzl Yksek Deiken
DA Bara
Kapasite
Dm
Hayr Hayr D&A Hayr Orta Dk Gerilim

3.5. Sonu
V
MPPT
gerilimi, V
OC
geriliminin dorusal bir fonksiyonu olduu ve bir k sabiti ile
bulunabilecei blm 3.1.1de aklanmt. Uygulanan sistem iin bu sabit
0,77 olarak llmtr.

29
Bu almada hibrit bir MPPT sistemi nerilmektedir. Balang annda
dolayl yntem olan CV yntemi, MP noktasna ulaldnda P&O yntemi
uygulanmtr. P&O yntemi CV yntemine gre daha yava olmasna
ramen daha yksek verimli ve daha kararl bir alma salar [19]. nerilen
alma yntemi ile balama annda CV yntemi ile MP noktasna yaklam
hz artrlr, MP noktasna yaklaldnda ise P&O yntemine geilerek
sistemin kararll ve verimi artrlr.
nerilen sistemde sabit gerilim metodu geici durumda almaktadr. CV
metodu ile yaklak MP noktas bulunduktan sonra, P&O yntemi ile
allmaya devam edilir. Okunan g deeri bir nceki g deeri ile
karlatrlr. Daha sonra eviricinin bir nceki darbe genilik oran (PWM) ile
gncel PWM karlatrlarak gcn en yksek olduu noktaya erimek iin
yaplmas gereken ileme karar verilir. Bu ilem, alma sresince koruma
durumlar haricinde srekli olarak almaktadr. Yke aktarlacak gcn
artrlmas evirici k gerilimin artrlmasyla, gcn azaltlmas ise yine
k gerilimin azaltlmas ile salanmaktadr.

30
4. DA-DA EVRCLER
Giriindeki DA bir seviyeyi baka bir DA seviyeye dntren sistemlerdir.
dealde pasif elemanlar bulundurup enerji dnm ilemini kaypsz olarak
yaparlar. Gerekte ise verimleri %70 ile %95 arasnda deiir [21].
DA-DA dntrcler yapsal olarak izoleli ve izolesiz olmak zere iki ana
grupta incelenebilir. Her iki grupta da deiik glerdeki azaltan (buck) ve
artran (boost) ya da her iki ilemi birlikte yapan azaltan-artran (buck-boost)
yaplar grmek mmkndr.
alma koullarna gre DA-DA eviriciler srekli kip (iki durumlu) ve
kesintili kip ( durumlu) olmak zere iki alma kipinde alrlar. Azaltan,
artran ve azaltan-artran eviricinin endktans deeri kritik deerden byk
olduunda srekli kip ve endktans deeri kritik deerden kk olduunda
kesintili kipte alrlar [22].
4.1. zolesiz eviriciler
zolesiz eviriciler grubunda temelde yap vardr. Bunlar azaltan, artran,
azaltan-artran olarak sralanr. Ayrca SEPIC ve CUK eviricilerde azaltan-
artran eviriciler grubundadr.
4.1.1. Azaltan eviriciler
Azaltan eviriciler giriindeki gerilimden daha kk gerilimi kna aktarr.
ekil 4.1de temel devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu
anlardaki devre deikenlerine ait grafikler verilmitir [23].

31


ekil 4.1. Azaltan evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri
a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde c) Dalga
ekilleri

32
zolesiz yapdadrlar. Anahtarn iletimde olduu anda i
L
akm L bobini
zerinden k besler. Ancak bu srada geen akmla orantl olarak bobinde
bir enerji depolanr. D diyotu ise ters polaritededir. Anahtar kesimde iken L
bobini zerindeki enerji yk ve D diyotu zerinden devresini tamamlayacaktr.
Bylece kta enerji sreklilii salanacaktr. Bobin depolama kapasitesine
gre k akm srekli ya da sreksiz formda olabilir. Devredeki C kapasitesi
ise k gerilimini szme grevini stlenir. k kondansatrnden ekilen
akm kktr. Ancak g anahtar bozulmalarnda (ksa devre) giriteki
yksek gerilim seviyesi aynen kta grlr. Buda kritik ykler iin tehlikeli
olabilir. Kaynaktan darbeli akm ekerler. k gerilimi ekil 4.2de
gsterildii gibi anahtarn iletimde ya da kesimde olma sresi ile dorusal
ilikilidir [21].


ekil 4.2. Azaltan evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi
D anahtar iletimde kalma sresinin periyot sresine oran (duty cycle) olmak
zere E. 4.1- E. 4.6 yazlabilir[23];
IN A O
V D V V . = = (4.1)
R
V
I I
O
O L
= = (4.2)
O O IN IN
I V I V . = (4.3)

33
O l IN
I D I D I . . = = (4.4)
) ( ) (
lg ,
t I t i
a Da L C
= (4.5)
) 1 (
2
,
D D
Lf
V
I
S
IN
Kritik L
= (4.6)
4.1.2. Artran eviriciler
Artran evriciler giri gerilimini ka artrarak aktaran izolesiz yaplardr.
ekil 4.3de temel devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu
anlardaki devre parametrelerine ait grafikler verilmitir [23]. Anahtar iletime
getiinde kaynak gerilimi bobin ve anahtar zerinden devresini tamamlar.
Bu srada bobin zerinde bir miktar enerji depolar. Bu srada D diyotu ters
polaritede olup, ktaki yk C kapasitesi besler. Kondansatrn akm
yksek deerlerdedir. Anahtar kesime getii anda kaynak gerilimi ile bobin
zerindeki gerilim toplam bir gerilim kta grlr. Kaynaktan srekli akm
ekilir. Anahtar bozulmalarnda (ak devre durumu) giriteki dk gerilim
seviyesi kta grlr. Bu ise ykler iin bir tehlike oluturmaz.


34


ekil 4.3. Artran evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri
a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde c) Dalga
ekilleri

35
k gerilimi ile giri gerilimi arasndaki ilikiyi gsteren grafik ekil 4.4te
verilmitir [21].


ekil 4.4. Artran evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi
D anahtar iletimde kalma sresinin periyot sresine oran olmak zere E.
4.7- E. 4.12 yazlabilir [23];
) .(
1
1
IN O
IN
O
V V
D V
V

=
(4.7)
S
IN O
S
IN
L
T D
L
V V
DT
L
V
i ) 1 (

= =
(4.8)
IN O IN IN
V V I V = .
(4.9)
R
V
D D
I
I
V
V
I I
O O
O
IN
O
IN L

= = =
1
1
1
(4.10)
O D a da D C
I i t i t i = ) ( ) (
lg ,
(4.11)
D
Lf
V
I
S
IN
Kritik L
2
,
=
(4.12)
Kaynaktan ekilen akmdaki dalgalanma bobinin deeri ile ilikilidir. Arzu
edilen kklkteki dalgack uygun bobin deeri ile salanabilir.

36
4.1.3. Azaltan-artran eviriciler
Azaltan ve artran eviricilerin ilevsel birlikteliinden oluur. Darbe genilik
orannn toplam periyoda oran 0,5 deerinden kk olduu durumlarda
azaltan evirici kipinde, 0,5 den byk olduu durumlarda ise artran evirici
kipinde alr.
k gerilimi ile giri gerilimi arasndaki ilikiyi gsteren grafik ekil 4.5de
verilmitir [21].


ekil 4.5. Azaltan-Artran evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi

37


ekil 4.6. Azaltan-Artran evirici yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri
a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde c) Dalga
ekilleri

38
ekil 4.6da temel devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu
anlardaki devre parametrelerine ait grafikler verilmitir [23].
D anahtar iletimde kalma sresinin periyot sresine oran D olmak zere E.
4.13 E. 4.20 yazlabilir [23];
D
D
V
Vo
IN

=
1
(4.13)
S
O
S
IN
L
T D
L
V
T D
L
V
i ). 1 ( . = =
(4.14)
O IN L
I I I + =
(4.15)
O O IN IN
I V I V . . =
(4.16)
O O
IN
O
IN
I
D
D
I
V
V
I

= =
1
(4.17)
R
V
D
I
D
I I I
O
O O IN L
.
1
1
1
1

= + =
(4.18)
) ( ) (
,
t i t i
rip D C

(4.19)
D
Lf
V
I
S
IN
Kritik L
2
,
=
(4.20)
Azaltan artran eviriciler kaynaktan kesintili akm eker. Ayrca k
kondansatr akm yksektir. G anahtar bozulmalarnda (ksa devre)
giriteki yksek gerilim seviyesi aynen kta grlr. Buda kritik ykler iin
tehlikeli olabilmektedir.
4.1.4. SEPIC eviriciler
Azaltan-artran eviriciler grubundadrlar. Darbe genilik orannn toplam
periyoda oran 0,5 deerinden kk olduu durumlarda azaltan evirici
kipinde, 0,5 den byk olduu durumlarda ise artran evirici kipinde alr.
ekil 4.7de temel devre topolojisine ait grafikler verilmitir [23].

39


ekil 4.7. SEPIC evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri
a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde
k gerilimi ile giri gerilimi arasndaki iliki azaltan artran eviricide olduu
gibidir. Giri gerilimi ile k gerilimi arasndaki iliki E. 4.21- E. 4.22de
verilmitir [23].
O IN
V D V D ) 1 ( . = (4.21)
D
D
V
V
IN
O

=
1
(4.22)

40
4.1.5. Cuk eviriciler
Azaltan-artran eviriciler grubundadrlar. Darbe genilik orannn toplam
periyoda oran 0,5 deerinden kk olduu durumlarda azaltan evirici
kipinde, 0,5 den byk olduu durumlarda ise artran evirici kipinde alr.
ekil 4.8de temel devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu
anlardaki devre parametrelerine ait grafikler verilmitir [23,24]. k gerilimi
ile giri gerilimi arasndaki iliki azaltan-artran eviricide olduu gibidir.
C1 kapasitesi yk ka aktarmada ana elemandr. Giri gerilimi ile k
gerilimi arasndaki iliki E. 4.23- E. 4.25 aada verilmitir [23].
IN O
I D I D ). 1 ( . = (4.23)
D
D
I
I
O
IN

=
1
(4.24)
D
D
V
V
IN
O

=
1
(4.25)


41


ekil 4.8. CUK evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri
a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde d) Dalga
ekilleri

42
4.2. zoleli eviriciler
Elektriksel izolasyonun gerektii ve/veya yksek glerde giri ile k
arasndaki dntrme orannn yksek olduu uygulamalar iin kullanldr.
Ancak elektriksel izolasyon trafo gibi bir yap gerektirdiinden maliyet art
nedeniyle elverisizdir.
4.2.1. apraz (flyback) eviriciler


ekil 4.9. Fly-back evirici
a) Devre yaps b) Dalga ekilleri
ekil 4.9da apraz evirici devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde
olduu anlardaki devre parametrelerine ait grafikler verilmitir [23]. Bir veya
birden ok izole k gerektiinde ve kn kontrol tek bir kanaldan
yaplmak istenildiinde bu topoloji uygun bir seimdir. Dk glerde

43
kullanldrlar. Giri gerilim band olduka geni olabilmektedir. Ancak g
anahtar seiminde giri geriliminin 2 katndan daha byk gerilimde
alabilen anahtar seilmelidir. k says istee bal olarak oaltlabilir.
Bu durumda klardan bir tanesi kontrol devresinin geri besleme iareti
olarak kullanlr.
D, anahtarn iletimde kalma sresinin periyoda oran olmak zere giri ve
k gerilimi iin E. 4.26 yazlabilir[23];
D
D
N
N
V
V
in
o

=
1
1
2
(4.26)
N2/N1 katsays dnda azaltan-artran eviricilerle dntrme oran ile
ayndr. Ayrca ok kanall yaplarda gerilim reglasyonu iyi deildir.
4.2.2. tme-ekme (push/pull) eviriciler
zoleli eviriciler grubundadrlar ve genellikle yksek glerde kullanlrlar. E.
4.20de temel devre topolojisine ait grafikler verilmitir [25].


ekil 4.10. tme-ekme evirici
T
1
ve T
2
anahtarlar sral olarak alp kapanr. Bu durumda sekonder taraf
anahtarlama frekansnn iki kat bir alma frekans ile alm olur. ki

44
anahtarn anahtarlama zamanlar arasnda l zaman braklmaldr. Giri ile
k arasndaki bant E. 4.27 ile bulunabilir.
N
DV
V
IN
O
2 = (4.27)
Simetri problemleri ile karlalabilmektedir. Uygun PWM denetimi ile bu
sorun giderilebilir. Srme devresi tasarm g anahtarlar ayn referans
paylatklarndan kolayca yaplabilir.
4.2.3. Yarm kpr (half bridge) eviriciler
tme/ekme yapsdr. T
1
ve T
2
anahtarlar sral olarak alp kapanr.
Kapasiteler giri gerilimini ikiye bler. E. 4.11de temel devre topolojisine ait
ema verilmitir [23].


ekil 4.11. Yarm kpr evirici
Anahtarlarlarn ortak referans noktalar yoktur. Bu yzden srme devresi iin
ayr kaynaklara ihtiya duyulmaktadr. Ayrca srme esnasnda ksa devreye
mahal vermemek iin asla iki anahtar ayn anda iletimde olmamaldr. Giri ile
k arasndaki bant E. 4.28 ile bulunabilir.

45
N
D V
V
IN
O
.
= (4.28)
4.2.4. Tam kpr (full bridge) eviriciler
tme/ekme yapsdr. Birok eleman iermesi sebebi ile kk glerde
kullanl deildir. T
1
,T
2
ve T
3
,T
4
anahtarlar sral olarak alp kapanr. ekil
4.12de temel devre topolojisine ait ema verilmitir [23].


ekil 4.12. Tam kpr evirici
Ayn koldaki anahtarlar ayn anda iletime sokulmamaldr. Giri ile k
arasndaki bant E. 4.29 ile bulunabilir.
N
D V
V
IN
O
. 2
= (4.29)
4.3. Dier eviriciler
DA-DA evirici topolojilerinden bazlar blm 4.1 ve 4.2de aklanmtr.
Gerek yapsal farkllklar gerekse anahtarlama tekniklerinin (sfr akm ya da
sfr gerilim) farkllamas ile birok yap ortaya kmaktadr. Bunlar;
Tek ya da ift anahtarl forward eviriciler

46
ift anahtarl Fly-back eviriciler.
iftli artran (Double boost) eviriciler.
Sfr akm ya da sfr gerilim anahtarlamal eviriciler.
olarak sralanabilir.
4.4. eviricilerin Karlatrlmas
Yukarda birok evirici topolojisine deinilmitir. Gne pillerinde
kullanlacak topoloji seiminde pil karakteristii, kontrol kolayl, ebat,
gvenilirlik ve sistem maliyeti gibi parametreler sistem tipini belirleyen en
nemli parametrelerdir. Ayrca gerekli bileenlerin dk ebat, gerilim ve
akmda olmas kullanll artrmaktadr. izelge 4.1de evirici kiplerine ait
zellikler verilmitir [23].
Ayrca gvenli alabilme aralnn bykl, uygun elemanlarn temin
edilebilme kolayl ve evreye yaydklar grlt (EMI/RFI) seviyelerinin
dkl eviricilerin daha yaygn kullanlmasnda ok nemli
etkenlerdendir.
4.4.1. zoleli eviriciler
Avantajlar,
Alc sistem asndan daha gvenilir yaplardr.
G anahtar bozulmalarnda kna enerji vermez.
Yksek glerde yaplabilirler.
Dntrme oranlar temelde transformatr yapsnda olduu gibi sarm
saylar ile istenildii gibi dzenlenebilir.
Olumsuzluklar,
Ayn g iin ebatlar dolays ile arlklar daha fazladr.

47
Kontrol devrelerinin daha fazla eleman iermesi ve trafo gerektirmesi
sebebi ile daha pahaldrlar.
Verimleri daha dktr.
4.4.2. zolesiz eviriciler
Avantajlar,
Basit ve ucuzdurlar.
Fazla eleman iermediklerinden kontrolleri kolaydr.
Verimleri yksektir.
Olumsuzluklar,
Yksek glerde kullanl deildir.
Alc sistem ile arasnda elektriksel yaltm olmadndan gvenirlilii
dktr.
Teorik olarak istenilen dntrme oranlarnda olabilecei dnlse de
ok yksek dntrme oranlarnda yaplamazlar.
izelge 4.1. evirici seimi

lt Azaltan Arttran Azaltan-Arttran
Anahtar gerilimi
IN
V
O
V ) (
O IN
V V +
Anahtar akm
O
I
IN
I ) (
O IN
I I +
RMS
I
Anahtar
O
I D.
IN
I D. ) .(
O IN
I I D +
Anahtar
O
I D.
IN
I D. ) (
O IN
I I D +
AVG
I
Diyot
O
I D) 1 (
IN
I D). 1 ( ) ).( 1 (
IN O
I I D +
L
I
O
I
IN
I ) (
O IN
I I +
Lnin Cye etkisi nemli Az Az
Darbeli akm Giri k Her ikisi

48
Bu bilgiler nda uygulanacak sistem asndan izolesiz eviriciler basit,
ucuz yaplar ve zellikle PV sistemlerinde verim en nemli etken olduu
gerei gz nne alndnda verimli olmas bu tip eviricileri cazip
klmaktadr. izelge 4.2de temel eviricilerin genel zellikleri verilmitir [25].
izelge 4.2. evirici zeti

Azaltan Arttran Azaltan-Arttran
O
V D V
IN
. ) 1 /( D V
IN
) 1 /( ) . ( D D V
IN

C(k)
(RMS) Dk Yksek Yksek
Giri akm Sreksiz Srekli Sreksiz
Src Bamsz Topraklanm Bamsz

4.4.3. Azaltan ve artran eviriciler
Azaltan ve artran izoleli veya izolesiz DA-DA eviricilerinin tamam PV enerji
dnmnde kullanlabilmektedir. Artran eviriciler azaltan eviricilere gre
kaynaktan daha srekli akm ekerler [25]. Sradan g kayna
uygulamalarnda azaltan eviriciler yksek verimli olsalar da, artran evirici
srekli akm kipinde alarak PV sistemlerden mmkn olan en fazla enerjiyi
ekeceinden, MPPT ilemi yapan eviriciler dahil olmak zere PV
uygulamalar iin daha elverili ve azaltan eviricilere gre daha verimlidirler.
[26].

49


ekil 4.13. PV uygulamalar iin azaltan ve artran eviricilerin verimi
ekil 4.13de PV ile beslenen azaltan ve artran eviricilerin verim ynnden
karlatrlmalarna ait benzetimi Pspice programnda yaplmtr. Azaltan
evirici sadece darbe orannn %100e yaklat durumlarda daha verimli
olabilmektedir. Bu blgede ise darbe genilik oranna bal olan
denetlenebilir aralk olduka kstl kalmaktadr. Artran eviricilerin verim ve
denetlenebilir aralk ynnden daha elverili olduu grlmektedir [26].

50
5. SIRALI EVRCLER
MPPT ve gerilimin uygun seviyelere getirilmesi iin kullanlan g
dntrcleri, zorlamal anahtarlama ve akm ile gerilimdeki ani deiimler
nedeniyle EMI/RFI oluumuna neden olurlar. Bu durumu nlemek amacyla
birok EMI azaltma yntemleri gelitirilmitir. Grlt yaltm ve bastrma
yntemleri ile yumuak anahtarlama tekniklerinin kullanlmas bunlardan bir
kadr. Yumuak anahtarlama tekniklerinin uygulanmas kontrol ve g
devresinin gerekletirilmesini zorlatrd gibi gcn ykseltilmesine fazla
bir katk da salamazlar. Ayrca bu yntemler devre yapsnda deiiklik
gerektirmektedirler. Saylan bu olumsuzluklar amak amacyla faz kaydrmal
sral eviriciler gelitirilmitir. Sral eviriciler ile devre yapsnda deiiklik
yapmadan EMI seviyesi azaltlmakta ve srekli iletim kipinde bir enerji ak
salayabilmektedir. ekil 5.1de tek evirici ile sral eviricinin giri akmlar
grlmektedir. Ayrca DA k gerilimi zerinde grlen AA bileenin
frekans gerek anahtarlama frekansnn evirici says ile arpm
seviyesinde daha yksek bir frekans deerinde, genlii ise daha kk
seviyede olmaktadr [27].


ekil 5.1. Sral evirici giriindeki enerji ak
Sral eviriciler normal eviricilerden daha fazla sayda anahtar ve pasif
eleman gerektirirler. Bu sebeple maliyetlerinin sradan eviricilere gre daha
fazla olduu izlenimini vermi olsa da gerekte durum byle olmayabilir [28,
29]. Sral eviriciler k gcn artrrken EMI seviyesini azaltmada
ekonomik bir yntemdir [30]. Ayrca daha hzl sistem tepkisi ve doruluk

51
salarlar [31]. ekil 5.2de sradan ve sral eviricilerin iletim yolu ile
yaydklar elektro manyetik giriim seviyelerine ait grafik verilmitir [27].
0
140
d
B
u
V
120
100
80
60
40
20
Sradan evirici
Sral evirici


ekil 5.2. letim yolu ile yaylan EMI seviyelerinin benzetimi (f
S
=100 kHz)
Sral eviricilerin verimlerinin btn alma blgesinde artrlmas amacyla,
anma gc ihtiyacna gre evirici katnda farkl sayda dntrc
kullanlabilir. G ihtiyacnn dk olmas halinde ok katl eviricinin bir ya
da bir ka ayn anda altrlabilir. Bu durumda sabit frekans deerinde ve
faz kaydrma etkisi olmakszn PWM anahtarlama yaplr ise k DA
kalitesinde dme meydana gelir.
Daha kk, yaygn materyallerin (anahtar ve pasif elemanlar) kullanlmas,
zellikle PV sistemler gibi gc deiken olan durumlarda eviricilerden biri
ya da bir ka kullanlarak sistem toplam veriminin ykseltilebilmesi, EMI
seviyelerinin dkl nedeni ile filtre gereksiniminin azalmas, bakm ve
onarm kolayl ve yksek glere eriimin daha kolay olmas gibi stn
zellikleri giriik eviricilerin kullanm alanlarn geniletmektedir.
Giriik evirici kontrol sinyali retme ilemi faz saylar arttka zorlar [32].
Sradan giriik evirici denetim sinyalleri RC zamanlayc devreler ile bitiik
fazn kaydrlmas ile retilir. RC elemanlarndaki deiim sonucunda fazlar
arasnda ayarszlklar kanlmazdr [17]. Dijital devreler bu etkileri yok
ederek daha uygun sonular vermektedir [32, 17].


52
5.1. Sral-Artran eviriciler
Sral-artran eviriciler giri ve k dalgallk oran ile hata oranlarnn
dkl, alma durumlarna gre dk glerde ksmi olarak
altrlabilmeleri bylece sistem verimliliinin ykseltilebilmesi gibi stn
zeliklere sahiptirler. ekil 5.3de temel devre emas ile T
1
ve T
2
nin iletimde
olduu anlardaki edeer devre emalar verilmitir [33].


ekil 5.3. PV ile beslenen giriik artran evirici
a) Devre yaps b) T1 iletimde c) T2 iletimde
Artran eviriciler deiik giriik yaplarda bulunabilir. Manyetik kuplajl ya da
ayrk yaplar grmek mmkndr. ekil 5.4de tek kanall, ift kanall ve ift
kanal kuplajl artran evirici giri akm dalga ekillerine ait grafikler verilmitir
[34].

53


ekil 5.4. Artran evirici
a) Sradan b) Sral c) Sral ortak nveli
Sral-arttran evirici yapsnn sradan arttran eviriciye gre srekli akm
blgesinin daha geni aralkta olmas, gerilim dalgacnn si kadar olmas,
anahtarlama kayplarnn daha az olmas ve verimlerinin yksek olmas gibi
avantajlar bulunmaktadr [35].
5.2. Artran ve Sral-Artran eviricilerin Karlatrlmas
Sradan artran eviriciler ile giriik artran eviricilerin karlatrma sonular
aada verilmitir [35].

54
ki eviricinin de darbe genilik orannn bir fonksiyonu olan duraan
kazanc ayndr,
Srekli iletim kipi blgesi giriik eviricilerde daha byktr,
Akm dalgac sradan eviriciye gre daha azdr, (dolays ile ayn
dalgack iin daha kk endktans deeri gereklidir),
Giriik eviricideki gerilim dalgac sradan eviricinin yars
byklndedir, (dolays ile ayn dalgack iin daha kk kapasite
gereklidir),
Anahtarlar zerindeki gerilimler ayndr. Ancak bileik nvede kaak
endktans etkisinden dolay giriik eviricilerde gerilim sramalar
grlebilmektedir,
ki anahtar paralel alsa bile, anahtar akmlar (etkin, tepe, ortalama)
sradan eviricilerde daha byktr. Bu nedenle sradan eviricilerde
anahtarlama kayplar daha byktr.


ekil 5.5. Giriik ve sradan evirici verimlerinin karlatrlmas


55
6. TASARIM VE UYGULAMA
Tasarm, benzetim ve uygulama olarak iki aamada yaplmtr. nce sistem
MATLAB/Simulink ortamnda modellenerek benzetimi gerekletirilmitir.
Benzetim esnasnda, uygulanabilir anahtarlama frekans, kullanlacak panel
gerilimi ve gc gibi var olan deerler dikkate alnmtr. Benzetim sresince
optimize edilen dntrc deerleri gerekletirilen devrede kullanlmtr.
6.1. Benzetim
Tasarlanan sistem nce MATLAB/Simulinkde modellenmi ve benzetim
almalar yaplmtr. Gelitirilen Simulink modeli ekil 6.1 ve ekil 6.3de
gsterilmektedir. Tasarlanan sral evirici 150W k gcne ulalncaya
kadar bir adet arttran evirici olarak almakta, bu g deeri aldnda
ikinci evirici devreye girmektedir. Bir evirici altnda anahtarlama
frekans 40 kHz iken ikinci evirici devreye girdiinde anahtarlama frekans
20 kHze dmekte ancak, iki anahtara uygulanan tetikleme darbelerinde
oluturulan faz fark sayesinde evirici k ile eviricinin ektii akmda
dalgalanma etkisi 40 kHz deerinde olmaktadr. Anahtarlara gnderilen
tetikleme sinyalleri ekil 6.4de, ikinci eviricinin devreye girmesi ve kmas
ise ekil 6.5de gsterilmitir.


ekil 6.1. Tm sistem modeli

56


ekil 6.2. G kat modeli



ekil 6.3. MPPT yaps

57


ekil 6.4. Anahtarlara uygulanan kap darbeleri



ekil 6.5. Benzetim sonular
(a) evirici k akm, (b)k gerilimi ve (c)ikinci eviricinin
devreye girii
6.2. Uygulama
Gerekletirilen devrede, alglama, artlandrma ve kontrol amalaryla
kullanlan tm analog ve saysal elemanlarn ihtiya duyduu farkl seviyede

58
gerilimleri reten ok kl bir adet apraz (flyback) evirici bulunmaktadr.
Bu dntrc fazladan bir kaynaa gereksinim duyulmamas amacyla PV
kaynaktan beslenmektedir. Devrenin giri katnda sral-artran evirici, k
katnda ise ihtiya fazlas enerjiyi depolayabilmek amacyla kullanlabilecek,
azaltan eviricili bir arj nitesi, gerektiinde yk devreden karmak iin
k ama/kapama birimlerinden olumaktadr. Devrenin g katna ilikin
ema ekil 6.6da verilmitir.
C3 Q2
D1
L1
D2
L2
Q1 C2
Q3
L3
D4
D3
AKU
T
P
V
Y

K
C1
K1
Rle
18F452
LCD
Besleme
eviricisi
3
0
-
7
2

V
D
C
4
0
-
1
1
5

V
D
C
I U
U
I
U
3
7
0

W


ekil 6.6. Uygulama devresi prensip emas
nerilen yap ile sistem kndaki yk PV kaynaktan, akden, PV ile birlikte
akden beslenebilecei gibi istenildii takdirde kaynaklardan
ayrlabilmektedir. Sistemdeki akm, gerilim, scaklk ve benzeri analog
deerlerin llmesi, bu bilgilerin gsterge edilmesi ile PWM ve dier
denetim sinyallerinin retilmesi mikro denetleyici tarafndan
gerekletirilmektedir.

59
6.2.1. Ak emas

ekil 6.7. Sistem ak diyagram

60
PVden beslenen, ak arj da yapabilecek ekilde MPPT ilemi yapan ikili
sral evirici iin gelitirilen ak diyagram ekil 6.7de verilmitir. Ak
diyagramndan grlebilecei gibi, sistem almaya balamadan nce birinci
admda giri gerilimi okunarak kaydedilir. kinci admda ise, CV yntemi esas
alnarak giri gerilimi ilk kayt geriliminin %77sine dene kadar evirici
PWMi arttrlr ve MPPT noktasna yaklam hzl bir ekilde gerekletirilir.
nc admda ise, P&O yntemine geilerek sistemin kararl durumdaki
almasna geilmi olur. Bu yntemle CV ynteminin hzndan P&O
ynteminin doruluundan yararlanlmaktadr. alma srasnda MP noktas
srekli denetlenir. ka aktarlan enerji miktarnn artrlmas k gerilim
seviyesinin ykseltilmesi ile salanr. Ancak k gerilimi belirlenen deerden
daha yksek seviyelere kmaya baladnda bu durum, daha fazla enerji
retilebilecei eklinde yorumlanr ve bu enerji gerektiinde kullanlmak
zere aklere aktarlr. Ak arj akm deeri ise ak zellii ve scaklna
bal olarak mikro denetleyici tarafndan belirlenir ve akler sl dengeleme
tekniine uygun olarak arj edilir.
6.2.2. Devre elemanlarnn seimi
Devre elemanlarnn seiminde ok yaygn, ucuz ve kullanl olmalar nedeni
ile PIC18F452 ilemci, IRFP450 anahtarlama eleman, TLP350 mosfet
src, evirici evrim ve depolama by-pass diyodu olarak da DSE120
seilmitir. Besleme apraz eviricisi anahtarlama eleman olarak IRF640N
mosfet ve PWM kontrolcs olarak apraz eviriciler iin olduka kullanl
olan UC3845 PWM denetleyicisi kullanlmtr.

61
6.2.3. Akm ve gerilim alglama devreleri
+
+
-
-
M
M
LA100P
CT1
R4
R10
R1 R2
R8
R3
R6
R11
R7
-5V
+5V
D3
D4
C
2
C1
P1
R12
D1
3
2
1
8
4
U1A
5
6
7
U1B
MC
R5
D2
+5V
C3
R9
15V
-15V

ekil 6.8. Akm okuma devresi
Sistemde akm ve gerilim okumak iin srasyla ekil 6.8 ve ekil 6.9daki
devreler kullanlmtr. Seri direnten gerilim okuyarak akm alglamak yerine
daha hassas okuma yapabilen ve grltlerden daha az etkilenen, gerek
ortalama deer alan ykselteli devre kullanlmtr. Ayn zamanda bu yolla
MC analog kanalna verilecek veri potansiyeli ykselte besleme gerilimi ile
snrlandrld gibi akm alglaycnn k yklenmeden gerekli seviyeye
ykseltilmi olur. Bu sayede okuma srasnda dorusallk salanr.
R1
R
2
C4
R3
P1
OkunacakDCseviye
MC
D1
+5V

ekil 6.9. Gerilim okuma devresi

62
Gerilim okuma devresi olarak ise yksek doruluk ve eleman saysnn azl
sebebi ile gerilim blc devresi kullanlmtr. MC analog giriine gidecek
gerilimi snrlandrmak iin D1 diyodu eklenerek bu gerilimin +5V deerini
amamas salanm olur.
6.2.4. apraz evirici tasarm
Uygulama devresinde,
Harici kaynak gereksinimini ortadan kaldrlmas,
Deiik seviyedeki giri gerilimlerinde g devresi denetim elemanlarna
uygun ve ykle deimeyen seviyede besleme geriliminin salanmas,
Yine denetim devresinin ihtiyacna gre farkl seviyelerde ve sabit gerilim
salanmas,
zole olarak srlmesi gereken g anahtarlarna izole k salanmas,
amac ile ekil 6.10da devresi verilen 10 W gcnde bir SMPS (Anahtar Kipli
G Kayna) tasarlanmtr.
SMPS eleman seimi:
PWM denetisi olarak geni frekans band, esnek alma gerilimi, ar akm
alglama gibi stnlkleri sebebi ile UC3845 yongas kullanlmtr.
G anahtar olarak dk i diren, yksek alma akm, uygun alma
gerilimi, yksek anahtarlama hz ve kk boyutlar sebebi ile IRF640N tipi
MOSFET kullanlmtr.





63
SMPS prensip emas:
T
R
1
F
E
R
I
T
FB
2
ISEN
3
RTCT
4
COMPN
1
OUT
6
VREF
8
UC3845
DA Bara
V4+
V4-GND
V3+
V3-GND
V2+
V2-GND
V1+
V1-GND
20kHz
R1

ekil 6.10. Uygulama devresi SMPS prensip emas.
Ferit nveler g aktarma kapasiteleri, alma frekanslar, ucuzluk ve temin
kolayl asndan incelenip, tasarlanan devre iin en uygun nvenin E42 tipi
nve olduu tespit edilmitir. Uygun karkas temin edilerek 4 adet 7 sipir
sekonder ve 1 adet 14 sipir primer sarg uygun kesit hesaplanarak el ile
sarlmtr.
6.2.5. Uygulama sonular
Katalog deerleri 24 V, 185 W, 7,71 A olan 2 adet SHARP marka ve
NUSOE3E rn kodu olan paneller seri balanarak elde edilen DA gerilim
evirici giriine uygulanmtr. 5 adet 12 V 9 Ah VRLA tip bakmsz ak
depolama birimi olarak kullanlm ve bu durumda deneyler
gerekletirilmitir. Sistem ayrca 5 adet 12 V 26 Ah ak ile de denenmi ve
bu uygulama ile farkl kapasitedeki aklerle de uyumlu alt test edilmitir.
evirici anahtarlama iaretleri, giri k gerilimleri ile k ve ak akm
dalga ekilleri ekil 6.11de verilmitir.

64

(a) (b)

(c) (d)

(e) (f)
ekil 6.11. evirici kap darbelerine gre k gerilimi.
Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3)
evirici 3 (ak eviricisi) kap darbesi (4) k gerilimi
ekil 6.11 (a) sistem kapal konumunu gstermektedir. Bu konumda evirici
1,2,3 ve yk anahtar kesim konumunda olup yk ularnda herhangi bir
gerilim bulunmamaktadr. PV Panelden apraz eviricinin ektii 100-120
mA dnda bir akm ekilmemektedir. Bu akm ihmal ederek panelin ak

65
devre konumunda olduu varsaymna gidilebilir. apraz evirici ile beslenen
mikro denetleyici sistemi srekli denetler. Bu esnada analog lmler,
bunlara bal deerlendirmeler srekli olarak yaplmaktadr. PVden ya da
akden balatma iaretlerini bekleyen denetleyici akden balatma iareti
aldnda ak gerilimini yke aktarmaya balar. Bu konumda evirici iaretleri
ile k gerilimi arasndaki iliki ekil 6.11 (b)de verilmektedir. Akden
alma ilemi 5 adet ak iin belirlenmi dearj sonu gerilimi olan 50 V DA
deerinden byk olduu srece devam eder. Gerilim 50 V DAnin altna
dtnde ya da durdurma butonuna basldnda sistem durumu ekil 6.11
(a)ya geri dner. Balatma iareti uygulandnda ve giri gerilimi uygun
aralkta ise ak devre gerilimi kaydedilerek, giri gerilimi kaydedilen gerilim
deerinin %77sine dnceye kadar evirici 1 ve 2nin darbe oranlar
sfrdan balayarak srekli olarak artrlr. Bu esnada k gerilimi, yk deeri
srekli olarak denetlenir. Eer k gerilimi snr deere ulam ise ki bu
deer tasarlanan sistemde 115 V DA olarak belirlenmitir, CV yntemi
braklarak gce bal olarak tek ya da ift eviricili k gerilimi snrlama
dngs almaya balar. Eer depolama birimi dolu ya da ak devre
konumunda ve yk deeri %50den daha dk ise sistem ekil 6.11 (c)de
gsterilen duruma gelmektedir. Depolama birimi bo ise depolama eviricisi
almaya balayarak fazla enerjiyi depolama birimine aktarr. Bu esnada yk
deeri %50 den daha dk ise tek evirici, daha yksek ise ift evirici
alr ve ktaki yk beslenmeye devam eder. Depolama biriminin devreye
sokulmas ya da sistemin yklenmesi ile k geriliminde bir dme meydana
gelmi ise k gerilim snrlama dngsnden klarak P&O yntemi ile
MPPT noktas bulunur. Gcn %50den az olduu durum iin dalga ekilleri
ekil 6.11 (d)de verildii gibidir. ekil 6.11 (a) konumundan almaya
balayan sistem CV yntemi sayesinde giri gerilimine bakarak MP
noktasna geldiini alglar. Bu durumda almaya P&O yntemi ile devam
edilir. k gerilimi uygun aralkta kalm ise g denetimi yaplarak
gerektiinde 2. evirici devreden karlr. k yk her iki eviricinin de
almasn gerektiriyorsa ve k gerilimi ak arj snr deerinin altnda
veya akler dolu ya da ak sistemden ayrlm ise ekil 6.11 (e) konumunda

66
MP noktas izlenerek alma srdrlr. ekil 6-11 (e) konumunda k
gerilimin ak arj deerinin zerine kmas halinde ise alma durumu ekil
6.11 (f)de verilmektedir.

(a) (b)

(c) (d)

(e) (f)
ekil 6.12. Sral artran evirici giri akm ve gerilimi
Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3)
giri gerilimi (4) giri akm (Math) giri gc

67
ekil 6.12 (a)da ki durumda giri gerilimi ve akm grlmektedir. Ak devre
gerilimi 51 V DA seviyesinde olup sistem hazr konumda balama iaretini
beklemektedir. ekil 6.12 (b)de MPPT noktasnda giri akm ve gerilimi
grlmektedir. Ancak panel ile evirici arasndaki hat direncinden
kaynaklanan bir miktar gerilim dm sz konusudur. Hat direnci 0,5
olarak llmtr. Dolaysyla 36,5 VDC olarak okunan giri gerilim deeri
zerine 0,5 x 6,14 A =3,07 VDC eklendiinde doru sonu elde edilmi
olur.
ekil 6.12 (c)de dk ykte tek evirici alrken giri akm ve geriliminde
meydana gelen dalgallk grlmektedir. Burada ekilen akm ok kk
deerde olduundan dalgallk da greceli olarak kk deerdedir.
ekilen g artrldnda 6 A giri iin akm dalgall 5,9 mA, gerilim
dalgallk deeri ise 143 mV olarak llmtr. Bu esnada MPPT ilemine
devam edilmektedir. Bu duruma ait dalga yaplar ekil 6.12 (d)de
verilmektedir.
alma koulu ekil 6.12 (d) iken evirici yaps ve denetim program hi
deitirilmeden evirici 2nin src yongas sklp kap darbesi yapay
olarak -5 VDCye ekilmi bu yolla evirici 2nin devre d kalmas
salanarak ayn deerler ekil 6.12 (e)deki gibi alnmtr. MPPT ilemi yine
gerekletirildiinden ayn akm ve gerilim deeri tek evirici iin alnmtr.
Burada akm dalgall iin 13,6 mA ve gerilim dalgall iin ise 340 mV
deeri okunmutur. Grld zere dalgallk oran ayn frekans iin iki
katna kmtr. Dalgallk seviyeleri arasndaki oran EMI seviyeleri
arasndaki oran dolayl olarak verecei dnldnde sral almada
EMI seviyesinin azalaca grlmektedir.
ekil 6.12 (f)de 170 W g varken ve eviriciler 20+20 kHzde alrken g
deeri 90 Wa drlmtr. Bu durumda g deeri ift eviricinin
almasn gerektirmediinden evirici 2 devre d kalarak frekans tek
evirici iin 40 kHze kmtr. MP noktasndan uzaklald iin sistem k

68
gerilimini ykseltmi ve bylece ka aktarlan enerji miktar artrlmtr.
Sonu olarak ayn g deerine yaklaldnda 2. evirici devreye girmi,
anahtarlama frekans eski konumuna gelmi ve MP noktas olan 170 W g
deerine ulalmtr. Btn ilemler 2 saniyeden daha ksa bir sre
ierisinde baarl bir ekilde gerekletirilmitir.

(a) (b)

(c)
ekil 6.13. Sral artran evirici k akm ve gerilimi.
Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3)
k gerilimi (4) k akm
Tek eviriciden ift eviriciye ya da tersi durumda k ykne tatbik edilen
gerilim ve akmn dalga ekli ekil 6.13 (a) ve (b)de verilmektedir. Grld
zere k gerilimi ve akmn dalga formu gei zamanlarnda frekans ve
yap deiimine ramen kararlln srdrmektedir.

69
ekil 6.13 (c)de evirici 1 ve 2 kap darbeleri ile k gerilim ve akmndaki
dalgallk oran grlmektedir. k gerilimindeki dalgallk 50 mV, akm
dalgall 5,2 mA seviyesinde kalmaktadr

(a) (b)
ekil 6.14. Ak eviricisi kap darbesi ve akm.
Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3)
evirici 3kap darbesi (4) ak akm
alma durumlarndan bir dieri olan ak arj ileminde, ortam scaklna
gre arj akmnn deitirilmesi ile ak mr uzatlm olur. ekil 6.14 (a)da
evirici 1,2 ve 3n kap darbeleri ile ak akmnn genlii gsterilmitir. Ak
akm 20 C iin 1 A olarak ayarlanmtr. Bu deer ak zellii dikkate
alnarak scakln art ile azaltlp, scakln azalmas ile artrlabilmektedir.
Bu ilem iin ak scaklk bilgisi MC aracl ile okunur. Olmas gereken arj
akm hesaplanr ve ilgili deerde sabit kalmasn salayacak PWM sinyaline
karar verilir. 40 Cnin zerinde ise ak arj edilmez. ekil 6.14 (b) de ekil
6.14 (a) konumunda iken akm dalgall verilmektedir.

70

(a) (b)
ekil 6.15. Sral artran evirici ak ile k akm ve gerilimleri
(a) Sral artran evirici alma durumlarna gre ak akm ve
gerilimindeki dalgallk.
Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3)
ak gerilimi (4) ak akm
(b) Sral artran evirici ak akm ve gerilimi ile k akm ve
gerilimi dalga ekilleri
Kanallar: (1) k gerilimi (2) k akm (3) ak gerilimi (4) ak
akm
ekil 6.15 (a)da ekil 6.15 (b) konumunda ak akm ve gerilim oranndaki
dalgallk gsterilmitir. Ak akmndaki dalgallk 16 mA, geriliminde ise 20
mV olarak llmtr. Dearj ilemi ak ile DA bara arasndaki seri diyod ile
salanmaktadr. Bu diyod k gerilimin ak gerilimin altna dt
durumda iletime geerek, kn kesintisiz beslenmesini salamaktadr. DA
seviye ak gerilimden daha yksek ise diyod kesime gitmekte ve aklerin
kontrolsz arj akm ekmesini engellemektedir. Ak akm alglama devresi
ift ynl olarak akmn okunabilmesine olanak salamaktadr. arj
konumunda akm sabitleme ilemi yaplrken, dearj durumunda da ak
akm okunarak olas ar akm durumunda k anahtar yk devreden
ayrlabilmektedir. Bylece akler ve yk ekilebilecek ar akmlara kar
korunmu olmaktadr.

71

(a) (b)
ekil 6.16. Tm anahtarlama iaretlerinin e zamanl gsterimi
Kanallar: (1) evirici 1 (2) evirici 2 (3) evirici 3 (4) besleme
eviricisi kap darbeleri
ekil 6.16 (a) ve (b) evirici 1, 2, 3 ve besleme apraz eviricisi kap
darbelerinin ykselme ve dme zamanlarn ile birlikte alma konumlarn
gstermektedir. Uygulama devresi grn Resim 6.1de verilmitir.

Resim 6.1. Uygulama devresi
6.2.6. evirici verimlerinin karlatrlmas
Sradan-artran 20 kHz ve 40 kHz, sradan sral-artran 20 kHz, nerilen
sral-artran evirici %50 yke kadar tek eviricili 40 kHz daha yksek
glerde ift eviricili 20 kHz anahtarlama frekansnda altrlp 37-370 W
aralnda verimleri karlatrlm sonular ekil 6.17de verilmitir.

72

(a) (b)
ekil 6.17. evirici verimlerinin karlatrlmas
ekil 6.17 (a)da alma blgesi %0-%50 ve %50-%100 olarak
incelendiinde 20 kHzde alan sradan evirici ilk aralkta, sradan sral-
evirici ikinci aralkta daha verimli olduu grlmektedir. Ancak birinci aralkta
sradan-artran evirici ile 20 kHzde alma evirici giri ve k kalitesini
drmektedir. Bu yzden birinci aralkta kyaslama 40 kHzde alan
sradan-artran evirici ile toplamda ayn frekansta alan sral-artran
evirici ile yaplmaldr. Bu aralkta 40 kHzde alan sradan artran evirici
sral artran eviriciye gre daha verimli olduu grlmektedir. ekil 6.18.
(b)de alma koulunu birinci aralkta 40 kHzde alan sradan-artran
eviriciden, ikinci aralkta ise sradan sral-artran eviriciden alan nerilen
sral-artran evirici yaps verilmitir. nerilen yap ile tm alma
aralnda giri ve k kalitesi drlmeden verimli bir ekilde allmtr.
6.2.7. Uygulama sonularnn deerlendirilmesi
Bu alma ile MPPT ilemi yapan giriik eviricilerin sradan eviricilere gre
stnlkleri ve zayflklar incelenmitir. Ayrca PV sistemlerde verimliliin
artrlmasna ynelik almalar yaplmtr.
PV sistem ile alan MPPTli artran evirici yaplar ktaki yke dorudan
balanmaktadr. Ykn sistemden ayrlmas ancak terminallerin sklmesi ile
ya da harici sigorta ve anahtarlarla ile mmkn olmaktadr. Ayrca bu
yaplarda MPPT ilemi ancak ykn uygun deerinde salanabilmektedir.

73
Fazla enerji kullanlamamaktadr. Yapsnda ak bulunduran sistemler ise
ak yaps dikkate alnmadan yaplmakta dolaysyla ak mr ksalmaktadr.
Sradan artran eviriciler ile yksek glere eriim uygulamada baz
skntlar da beraberinde getirmektedir. Yksek glerde anahtarlama
eleman, ferit nve, src gibi elamanlarn temininde skntlar
yaanmasnn yan sra bakm ve servis hizmetlerinde de zorluklar
yaanmaktadr. Yksek glere eriimde bir dier sorun ise eviricilerin iletim
ya da hava yolu ile etrafa yaydklar grltler ile ilgilidir. EMI seviyesi
anahtarlama akm seviyesine bal olarak artmaktadr.
nerilen yap ile ktaki yk PVden akden yada PV ve akden
beslenebilecei gibi enerjisizde braklabilmektedir. alma koulu tek
evirici, ift evirici ve bunlarn ak arj ve dearjl halleri dahil olmak zere
tm koullarda MP noktas takip edilmekte MPPT ilemi yaplmayan tek
durum ise aklerin dolu olduu durumda k yk seviyesinin dk olmas
durumudur. Akler akm ve scaklk dikkate alnarak arj edilmekte
dolaysyla ak kapasitesi istenildii kadar hem artrlabilmekte hem de
kullanm mr uzatlmaktadr.
Giriik evirici kullanm ile EMI ve RFI seviyeleri azaltlmakta ayrca dk
g konumunda eviricilerden biri devre d braklarak ift eviricilerin
zayflklarndan olan dk glerde verim kayb da ortadan kaldrlm
olmaktadr. Ayrca giriik evirici yaps ile yaygn olarak kullanlan
malzemelerle yksek glere eriim salanrken eviricilerden birinin devre
d kalmas ya da servis verilmesi gibi durumlarda dieri kapasitesi orannda
yk beslemeye devam edebilmektedir.


74
7. SONU VE NERLER
Bu almada PV sistemlerde enerji dnm ileminin etkili bir biimde
uygulanabilmesi iin MPPT yapabilen sral-artran evirici tasarlanarak
uygulanmtr. MPPT teknii olarak ak devre gerilim metodu ve deitir
gzle metodu birlikte kullanlmtr. Sunulan evirici yaps ile k gerilim
dalgallk oran ve EMI seviyesi azaltlmtr. Ayrca PVden elde edilen
enerjinin verimli kullanlabilmesi iin ihtiya fazlas enerji akm ve scaklk
denetimli evirici ile depolama birimine aktarlmtr. Depolanan enerji talep
durumunda yke aktarlarak sistemin alma kararll arttrlmtr.
PV sistemlerden elde edilen enerji maliyetinin dier kaynaklardan elde edilen
enerjilerden daha yksek olmas sistem verimi ve gvenilirliini n plana
kmaktadr. Uygulanan sistem ile depolanabilecek enerji miktarnn ak
kapasitesi ile snrl olmas, sadece DC yklerin beslenebilmesi bir eksiklik
olarak grlmektedir. PV sistemlerden enerji elde etme ileminin en etkili bir
biimde yaplabilmek, ayrca AC sistemlerin enerji ihtiyacn karlayabilmek,
akler arjl iken ihtiya fazlas enerjinin kullanlabilmesine imkan salamak
iin ebeke etkileimli evirici ile birlikte kullanlmas nerilmektedir. Bu
sayede yerel ykler iin fazla gelen enerji ebekeye gnderilebilecek, PV
sistemin yeterli gelmedii ya da almad durumlarda alcya ebekeden
enerji verilebilecektir.

75
KAYNAKLAR
1. Enslin, J . H. R., Maximum Power Point Tracking: A Cost Saving
Necessity In Solar Energy Systems, 16th IEEE Annual Industrial
Electronics Society Conference, Pacific Grove, CA, USA, 1073-1077
(1990).
2. nternet: Elektrik leri Ett daresi Trkiyede Gne Enerjisi
http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/tgunes.html (2007).
3. Dimroth F., Baur C., Bett A.W., Mausel M., Strobal G., 3-6 J unction
Photovoltaic Cells For Space And Terrestrail Concentrator Applications,
31
st
IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Orlando, Florida, USA,
525-529 (2005).
4. Mulligan, W. P., Rose, D. H., Cudzinovic, M. J ., Ceuster, D. M. D.,
McIntosh, K. R., Smith, D. D., Swanson, R. M., Manufacture Of Solar
Cells With 21% Efficiency, 19th European Photovoltaic Solar Energy
Conference, France, 462-465 (2004).
5. Enslin, J . H. R., Wolf, M. S., Snyman, D. B., Swiegers, W., Integrated
Photovoltaic Maximum Power Point Tracking Converter, IEEE
Transactions On Industrial Electronics, 44(6): 769-773 (1997).
6. Mulligan, B., Cost Reduction of Silicon Photovoltaics, 2th Annual IEEE
Nanotech Symposium, San J ose, California, USA, 2:1-44 (2006).
7. nternet: Research Institute for Sustainable Energy The World Solar
Energy Map http://www.rise.org.au/info/Applic/Solarpump/index.html
(2007).
8. Walker, G., Evaluating MPPT Converter Topologies Using A Matlab PV
Model, Journal of Electrical & Electronics Engineering, 21(1): 49-56
(2001).
9. Mineiro, S. J . E., Daher, S., Antunes, F. L. M., Cruz, C. M. T.,
Photovoltaic System For Supply Public Illumination In Eletrical Energy
Demand Peak, 19th IEEE Annual Applied Power Electronics
Conference and Exposition Conference, Anaheim, California, USA, 3:
1501-1506 (2004).
10. Kurokawa, K., Realistic Values Of Various Parameters For PV System
Design, Renewable Energy, 15(1): 157-164 (1998).


76
11. Reis, A.M., Coleman, N. T., Marshall, M. W., Lehman, Chamberlin, P. A.,
C. E., Comparison Of PV Module Performance Before And After 11-
Years Of Field Exposure, 29st IEEE Photovoltaic Specialist
Conference, New Orleans, Louisiana, USA, 1432-1435 (2002).
12. Santos, J . L., Antunes, F., Chehab, A., Cruz, C., A maximum power
point tracker for PV systems using a high performance boost converter,
Solar Energy, 80(7): 772-778 (2006).
13. Teulings, W. J . A., Marpinard, J .C., Capel, A., OSullivan, D., A new
Maximum Power Point Tracking system, 24th Annual IEEE Power
Electronics Specialists Conference, Toulouse , France, 833-838
(1993).
14. Salas, V., Olas, E., Barrado, A., Lzaro, A., Review of the maximum
power point tracking algorithms for stand-alone photovoltaic systems,
Solar Energy Materials and Solar Cells, 90(11): 15551578 (2006).
15. Noguchi, T., Togashi, S., Nakamoto, R., Short-Current Pulse-Based
Maximum-Power-PointTracking Method for Multiple Photovoltaic-and-
Converter Module System, IEEE Transactions On Industrial
Electronics, 49(1): 217-223 (2002).
16. Esram, T., Chapman, P. L., Comparison of Photovoltaic Array Maximum
Power Point Tracking Techniques IEEE Transactions On Energy
Conversion, 22(2): 439-449 (2007).
17. Liu, C., J ohnson, A., Lai, J . S., A Novel Phase-shifting Circuit Using
Digital First-In First-Out (FIFO) for Multiphase Power Converter
Interleaved Control, IEEE Workshop on Computers in Power
Electronics, 2004, Urbana, Illinois, USA, 80-84 (2004).
18. Vechiu, I., Camblong, H., Tapia, G., Dakyo, B., Nichita, C., Dynamic
Simulation Model of a Hybrid Power System: Performance Analysis,
2004 EWEC Conference, UK, 1-9 (2004).
19. Hohm, D. P., Ropp, M. E., Comparative Study of Maximum Power Point
Tracking Algorithms, Progress In Photovoltaics: Reserch and
Applications, 11(1): 4762 (2002).
20. Duru, H. T., A maximum power tracking algorithm based on
mpp=f(Pmax) function for matching passive and active loads to a
photovoltaic generator, Solar Energy, 80(7): 812822 (2006).


77
21. Erickson, R. W., DC-DC Power Converters, Wiley Encyclopedia of
Electrical and Electronics Engineering, 5:53-63 (1999).
22. Ho, H., Lu, C., Study of Nonlinear Phenomena in Switching DC/DC
Converters, Degree of Doctor, Department of Electronic and
Information Engineering The Hong Kong Polytechnic University,
Hong Kong SAR, China, 1-166 (2000).
23. nternet: University of Minnesota Internet-Based Short Course, Power
Electronics Principles for Practicing Engineers,
http://www.ece.umn.edu/groups/power/PE_ShortCourse_Aug04/Course
Outline_PE_Aug_2004.pdf (2004).
24. Mohan, N., Unlead, T.M. and Robbins, W. P., Power Electronics,
Converters, Applications and Design, Joe Wiley and Sons Inc.,
London, 173-210, 323-370 (1989).
25. Wuidart, L., Topologes For Swtched Mode Power Supples, ST
Microelectronics, AN513/0393:1-18 (1999).
26. Glasner, I., Appelbaum, J ., Advantage Of Boost vs. Buck Topology For
Maximum Power Point Tracker In Photovoltaic Systems, 19th IEEE
Convention of Electrical and Electronics Engineers, J erusalem,
Israel, 355-358 (1996).
27. Zumel, P., Garca, O., Cobos, J . A., Uceda, J ., EMI Reduction by
Interleaving of Power Converters, 19th IEEE Annual Applied Power
Electronics Conference and Exposition Conference, Anaheim,
California, USA, 2:688-694 (2004).
28. Veerachary, M., Senjyu, T., Uezato, K., Maximum power point tracking
of coupled inductor interleaved boost converter supplied PV system,
IEE Proc.-Electr.Power Appl., 150(1):71-80 (2003).
29. Veerachary, M., Senjyu, T., Uezato, K., Neural-Network-Based
Maximum-Power-Point Tracking of Coupled-Inductor Interleaved-Boost-
Converter-Supplied PV System Using Fuzzy Controller, IEEE
Transactions On Industrial Electronics, 50(4):749-758 (2003).
30. Haddad, K. A., Rajagopalan, V., Analysis and SimuIation of Multiple
Converter Operation to Reduce Losses and EMI, IEEE Workshop on
Computers in Power Electronics, 2004, Urbana, Illinois, USA, 183-
188 (2004).
31. Batchvarov, J . S., Valchev, V. C., Yudov, D. D., Duarte, J . L.,
Investigation of Chaos in Interleaved Power Converters, First IEEE
Intelligent Systems Symposium, USA, 1:79-83 (2002).

78
32. Zumel, P., Garca, O., Cobos, J . A., Uceda, J ., Exploring Interleaved
Converters as an EMI Reduction Technique in Power Converters, 28th
Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference, St. Louis,
USA, 2:1219-1224 (2002).
33. Veerachary, M., Senjyu, T., Uezato, K., Analytical Investigations for
Maximum Power Tracking of PV Supplied IDB Converter, 32th Annual
IEEE Power Electronics Specialists Conference, Vancouver, BC,
1:205-209 (2001).
34. Wei Wen Yim-Shu Lee A Two-Channel Interleaved Boost Converter
with Reduced Core Loss and Copper Loss, 35th Annual IEEE Power
Electronics Specialists Conference, Aachen, Germany, 2:1003-1009
(2004).
35. Petry, C. A., Barbi I., A Comparison Between The Boost And The
Double Boost Converters With Inductive Coupling, Congresso
Brasileiro de Eletrnica de Potncia COBEP2003, Fortaleza,
BRASIL, 1-6 2003.


79
ZGEM
Kiisel Bilgiler
Soyad, ad : ZDEMR, aban
Uyruu : T.C.
Doum tarihi ve yeri : 13.05.1978 Kayseri
Medeni hali : Evli
Telefon : 0 506 371 49 46
Faks :
e-mail : sabanozdemir@gmail.com

Eitim
Derece Eitim Birimi M. tarihi
Lisans Gazi nviversitesi/ TEF Elektrik Eitimi Blm 2004
nlisans Erciyes niversitesi/ KYMO Elektrik Blm 1998
Lise Kayseri Merkez E.M.L./ Elektrik Blm 1994
Deneyimi
Yl Yer Grev
1996-1999 ELN Mhendislik (KAYSER) Elk. proje, taahht
2004-2006 ZEL Elektronik (ANKARA) Ar-ge
Yabanc Dil
ngilizce
Hobiler