Elektronika II

MISKOLCI EGYETEM
VILLAMOSMRNKI
INTZET
ELEKTROTECHNIKAIELEKTRONIKAI
TANSZK
DR. KOVCS ERN
ELEKTRONIKA
II.
(DISZKRT FLVEZETK,
ERSTK)
ELADS JEGYZET
2003.
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk
2.0. Diszkrt flvezetk s alkalmazsaik

A fejezet sszefoglalja a legfontosabb ismereteket a diszkrt flvezet alkatrszekrl s
alkalmazsaikrl. Kiemelten trgyalja a lineris alkalmazsokat, elssorban is a diszkrt
elemekkel felptett flvezets erstket. A fejezet a diszkrt alkatrszek kzl nem
foglalkozik a teljestmny-elektronikai alkatrszekkel s alkalmazsaikkal, az
optoelektronikai alkatrszekkel s a specilisan csak nagyfrekvencin hasznlt
alkatrszekkel, mivel ezeket egyb trgyak, anyagrszek, vagy fejezetek tartalmazzk. Az
egyes elektronikai elemek trgyalsnl elssorban az alapvet mkdsn tl- a
legjellemzbb paramterek megismerse s rtelmezse a cl. A diszkrt alkatrszek
csaldja jelents szm alkatrszbl ll, amelybl a fejezet csak a legjellemzbb
alkatrszeket emeli ki a teljessg ignye nlkl.
2.1. Flvezet-elmlet alapjai

Az elektronika oly mlysgig trgyalja az elektronfizika vonatkoz trgykreit, ameddig
az szksges ahhoz, hogy megrtsk a flvezetkben lezajl alapvet fizikai folyamatokat,
a flvezetk mkdst befolysol hibkat s a hmrsklet hatst, mivel ezek kzvetlen
hatssal vannak az egyes elektronikai kapcsolsok tulajdonsgaira. A tmakrhz
kapcsold mlyebb, rszletesebb ismereteket a fizika egyes fejezetei (szilrdtestfizika s
az elektronfizika) nyjtanak (lsd ajnlott irodalom).
A kristlyos szilrd anyagokban a kttt rcsrszecskk krnyezetben szabad elektronok
tallhatk. A szabad elektronok mennyisge dnti el, hogy az adott kristlyos anyag
milyen villamos tulajdonsggal rendelkezik, pl. vezet vagy szigetel. A vezetsben csak a
szabad elektronok vesznek rszt.
Potencilis energia
Az atomhoz kttt elektronok meghatrozott diszkrt energiaszinteket/plykat tlthetnek
be. A diszkrt energiaszintek energija meghatrozhat a magtl vett tvolsg
fggvnyben, figyelembe vve, hogy az elektronok plyasugara (r) csak egy egsz szm
(n) ngyzetvel lehet arnyos:
Wn (r ) =
mZ 2 q 4 1
8 o2h 2 n 2
ahol, m az elektron tmege, q az elektron tltse, Z rendszm, o a vkuum permittivitsa,

a Planck-fle lland. Az n kis egsz szm n=1,2,3.
Wn(r)
Wn(r)
r
potencilgt
Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)
Az brn azt az esetet brzoltuk, amikor az atomok rcstvolsgnyira vannak egymstl.

A szaggatott vonal hatrolja azt a potencilisenergia-teret, amelyben elektron nem
tartzkodhat. Az gy ltrejv potencilgtak a klasszikus fizika szerint megakadlyozzk
az elektronok szabad mozgst a trben, azonban a kvantummechanika szerint az alagthats rvn az elektronok egy rsze mgis tjut.
A meghatrozott diszkrt energia plyk felhasadnak s nagy szm szint lehetsges
egymshoz viszonylag kzel. Ezek a szintek (amelyek tovbbra is diszkrtek) kpeznek
egy energia svot. Az energia svok kztt tiltott energia svok helyezkednek el,
amelyben elektron nem tartzkodhat. A svok kzl az utols rszben vagy teljesen
betlttt svot vegyrtksvnak, mg az els nem betlttt vagy csak kis mrtkben
betlttt svot vezetsi svnak nevezzk. A vegyrtksv s a vezetsi sv kztti tiltott
sv nagysga jellemzje a vezet, flvezet s szigetel anyagoknak. A vezet anyagok
teljesen betlttt vegyrtksv, res vezetsi sv s 3 eV-nl kisebb tiltott svszlessg
anyagok. Ha a tiltott sv szlessge 5..8 eV, akkor az anyag szigetel. A kett kztti
helyezkednek el a flvezetk. Pl. a szoksos flvezet anyagoknl a tiltott sv szlessge:
Si esetn 1.1 eV, Ge esetn 0.72 eV, GaAs esetn 1.3 eV. Az energiasvok alapjn lehet a
legegyszerbben modellezni a flvezetk mkdst.
Svelmleti alapok
A flvezet anyagokban a tiltott sv szlessge elegenden kicsi ahhoz, hogy mr
szobahmrskleten a vegyrtksvbl elektron lpjen ki s a vezetsi svba kerljn. A
kilpett elektron (n) helyn elektron hiny lp fel, ami pozitv tltst (p) jelent ezt hvjuk
lyuknak.
Az elektron gerjeszts hatsra bekvetkez kiszakadst a kttt rcsszerkezetbl
prkpzdsnek (genercinak) a visszatrst rekombincinak nevezzk. A generci
sorn lyuk-elektron pr keletkezik, a rekombinci sorn azonban egy lyuk-elektron pr
megsemmisl. Egy adott hmrskleten a tltssrsg egyenslyban van, azonos szm
generci s rekombinci zajlik le. Termikus gerjeszts esetn teht mindig azonos szm
elektron s lyuk keletkezik.
W
Vezetsi sv
res
Tiltott sv
Vegyrtksv
teljesen betlttt
generci
rekombinci
Az elektronok genercija s rekombincija azonban nem minden anyagnl ilyen direkt

folyamat. A flvezetket aszerint is csoportosthatjuk, hogy az elektronok gerjesztse
(foton abszorpci) ill. genercija (foton kisugrzs) kzvetett (indirekt flvezetk) vagy
kzvetlen (direkt flvezetk) tmenettel trtnik-e. Direkt flvezetk esetn a k
hullmszmvektor (az elektromgneses tr terjedsi irnyba mutat, a frekvencival
arnyos vektor) nem vltozik meg, mg indirekt flvezetk esetn megvltozik.
A fenti svszerkezeti modellel szemben a vezetsi sv als energia szintje s a
vegyrtksv fels energia szintje nem prhuzamosan fut egymssal, hanem a
hullmszmvektorral vltozik. A genercis s rekombincis folyamatok ott zajlanak le,

ahol az a legkisebb energiavltozssal trtnik.
Direkt flvezetk
Wg = hg , ahol Wg a tiltott sv energia szlessge.

W
Wg
Vezetsi sv als
energia szintje
A vegyrtksv fels
energia szintje
k
A vezetsi sv als szle ugyanahhoz a k hullmszm-vektorhoz tartozik, mint a

vegyrtksv fels szle. Ilyen flvezet, pl. GaAs, InSb, GaSb, stb. A direkt flvezetk az
energit elssorban a fnytartomnyba tartoz hullmsvban (foton kisugrzs) sugrozzk
ki.
Indirekt flvezetk
h = Wg + h ,
Wg
ahol Wg a tiltott sv energia szlessge, a foton energia, a fonon energia.

W
Vezetsi sv als
energia szintje
A vegyrtksv
fels szintje
k
A vezetsi sv legalacsonyabb energia szintje eltr k hullmszm-vektorhoz tartozik,
mint a vegyrtksv fels energia szintje. Ilyen flvezet, pl. Si s Ge alap flvezetk. Az
indirekt flvezetk az energit elssorban a h-tartomnyba tartoz hullmsvban (fonon
kisugrzs) sugrozzk ki.
Fermi szint (WF)
0 K felett az elektronok az egyes energia szinteket klnbz valsznsggel (p) tltik
be. A betltsi valsznsget a Fermi-Dirac eloszlsi fggvnnyel hatrozzk meg.
1
p=
1+ e
W W F
kT
k a Boltzmann lland, T a hmrsklet [K]
T=300 [K]
T=0 [K]
WF
p
0
0.5
A Fermi-szint defincija:
1. Az az energiaszint, amelyet a szabad elektronok 50% valsznsggel tltenek be.
2. Az a maximlis energiaszint, amelyet az elektronok 0 K-on mg betlthetnek.
A Fermi-szint jelentsgt az adja, hogy az egyes anyagokenergia szerkezet
szempontjbl- a Fermi- szintjkkel kapcsoldnak egymshoz.
A flvezetanyagok fajlagos vezetkpessge() fgg az elektron (n(T)) ill. lyuk (p(T))
koncentrcitl s az elektronok (n) illetve lyukak (p) mozgkonysgtl. Az elektronok
mozgkonysga nagyobb, mint a lyukak mozgkonysga (pl. szobahmrskleten Si
esetn 2.6-szor, mg GaAs esetn 22-szer nagyobb). A mozgkonysg is
hmrskletfgg. A lyukak s az elektronok mozgsa ellenttes irny, amely a lyukak
defincija s keletkezsi mechanizmusa alapjn rthet.
A differencilis Ohm-trvny a mozgkonysg s a tltshordoz koncentrci alapjn

felrhat:
= q(n n + p p )
J = E
J az ramsrsg. A trer (E) hatsra ltrejtt ramot drift ramnak nevezzk.
Intrinsic (sajt) flvezetk
A nagytisztasg flvezetkben termikus gerjeszts hatsra ltrejtt vezetst
sajtvezetsnek, az ilyen tpus flvezett sajtvezetnek (intrinsic) nevezzk. A
sajtvezets s a sajt tltshordoz srsg is nagy mrtkben fgg a tiltott sv szlessge
s a hmrsklet viszonytl (W/T). Ha ez a hnyados kicsi, akkor a sajt tltshordoz
srsg is kicsi s a vezetkpessg is kicsi.
A sajtvezets tltssrsg koncentrcija kicsi s ersen hmrskletfgg (mivel maga
a henergia vltja ki), ami htrnyos a stabil vezets szempontjbl, ezrt a gyakorlatban
szennyezett flvezetket hasznlunk, de a sajt vezets, mint fizikai jelensg minden 0 K
hmrsklet felett zemel flvezetben fellp. Lteznek flvezetk, amelyekben
szndkosan hozunk ltre intrinsic rteget, hogy a flvezet bizonyos a felhasznls
szempontjbl fontos- tulajdonsgait erstsk (pl. pin-dida).
Szennyezett flvezetk (extrensic flvezetk):
A flvezet alapanyagok (Si, Ge, GaAs, SiC, stb.) 4 vegyrtke stabil kovalens kts
rcsszerkezetet eredmnyez.
A flvezet alapanyagokhoz adalkolt 5 vegyrtk anyag azt eredmnyezi, hogy egy
szabad (le nem kttt) elektron keletkezik minden szennyez atomra. Ez elektron tbbletet
eredmnyez. Az gy kapott flvezet rteget n rtegnek nevezzk (a szabad tltshordozk

tltse alapjn), magt a szennyezst donor tpus szennyezsnek nevezzk.
3 vegyrtk szennyez anyag alkalmazsa esetn egy szabad elektron hiny (lyuk)
keletkezik minden szennyez atomra (a negatv tlts hinya pozitv tltsknt viselkedik
s a vezetsben gy vesz rszt mint az elektron, de ellenttes mozgsi irnnyal). Az
elektron hiny pozitv tltst, azaz p rteget eredmnyez. A vezetsben csak a szabad
elektronok s lyukak vesznek rszt. A 3 vegyrtk szennyezst akceptor tpus
szennyezsnek nevezzk.
Szennyezssel a sajtvezets tltshordozihoz kpest sok nagysgrenddel tbb szabad
tltshordozt visznk be a flvezet anyagba. Pl. Si anyagban a donor szennyezs
mrtke tipikusan 1022/m3, mg az intrinsic tltshordozk mennyisge
szobahmrskleten 1016/m3. A tltsegyenslybl meghatrozhat, hogy ez kb. 1022/m3
elektront s 1010/m3 lyuk szabad tltshordozt jelent.
Szennyezsre tbb olyan anyag is lehetsget biztost, amelynl a tbblet elektron vagy
lyuk mr szobahmrskleten is szabadd vlhat, pl. 5 vegyrtk: As, P, Sb, 3
vegyrtk: B, Al, Ga, In.
Az akceptor tpus szennyezs esetn a szennyez anyag energia szintje a tiltott svba a
vegyrtksvhoz kzel esik, gy a vezets a szennyezett anyag vegyrtksvja s a
szennyez anyag akceptor energia szintje kztt zajlik le.
W
Vezetsi sv
Tiltott sv
Akceptor energia szint
Vegyrtksv
Akceptor tpus szennyezs
P tpus flvezet anyag
A donor tpus szennyezs esetn a szennyez anyag energia szintje a tiltott svba a
vezetsi svhoz kzel esik, gy a vezets a szennyezett anyag vezetsi svja s a szennyez
anyag donor energia szintje kztt zajlik le.
W
Vezetsi sv
Tiltott sv
Donor energia szint
Vegyrtksv
Donor tpus szennyezs
n tpus flvezet anyag
A szabad tltshordozk meghatroz tbbsge a szennyezssel bevitt tltshordozk (lsd
a fenti pldt), gy a Fermi-szint az akceptor vagy donor energia szint kzelben van.
A szennyezssel bevitt tltshordozkat (ppen meghatroz jellegk miatt) tbbsgi

tltshordozknak, mg a termikus gerjeszts rvn keletkez lyuk-elektron prokat
kisebbsgi tltshordozknak nevezzk.
A szennyezs mrtknek jellse: n+ vagy p+ ersen szennyezett, n- vagy p- gyengn

szennyezett, amely az n s p szennyezshez kpest rtend.
Degenerlt flvezetk
Amennyiben a szennyezs mrtke elri, vagy meghaladja az 5x1023/m3 mrtket, akkor a
Fermi-szint a vezetsi svba (n) vagy a vegyrtksvba (p) toldik el a tiltott svbl. Ez a
flvezetnek fmes vezet tulajdonsgot klcsnz a vezetsi, vagy a vegyrtksvban
lev nagy mennyisg tltshordoz miatt. Specilis flvezetket ksztenek a degenerlt
flvezet anyagokbl.
A hmrsklet hatsra a termikusan gerjesztett intrinsic tltshordozk szma rohamosan
n, mg az extrensic tltshordozk mennyisge nem vltozik. Amennyiben az intrinsic
tltshordozk szma megegyezik az extrensic tltshordozk szmval, azaz ni=Na vagy
ni=Nd, akkor az eszkz sajtvezetsv vlik (tranzit hmrsklet). A gyorsan nvekv
szmban keletkez tltshordozk a bels hmrskletet emelik. A bels melegeds
kvetkeztben ez a folyamat tovbb folytatdik s az eszkz a hmrsklet hatsra
tnkremegy. A mkds sorn a flvezet hmrsklett minden esetben jval a tranzit
hmrsklet alatt kell tartani.
A flvezet anyagok gyrtstechnikailag elrhet tisztasga, a kristlyszerkezet torzulsa a
potencilgt srlst eredmnyezi, melynek kvetkeztben elektron s lyuk csapdk
alakulnak ki. Ezek a csapdk rszt vesznek a vezetsben s lecskkentik a tltshordozk
vrhat lettartamt. Klnsen ersen befolysolja a mkdst az az eset amikor a csapda
kzel a tiltott sv kzepn helyezkedik el, mert ekkor mind az elektronok, mind a lyukak
elrik s mint rekombincis kzpont mkdik. Az elektron s lyuk csapda esetn a
tltshordozk tlagos lettartama sokkal hosszabb, mint a rekombincis kzpont ltal
okozott rvid lettartam.
W
Vezetsi sv
elektron csapda
Tiltott sv
lyuk csapda
Vegyrtksv
rekombincis kzpont
Az elektron/lyuk csapdk s a rekombincis kzpontok a flvezetk tulajdonsgait

befolysoljk, pl. zaj, dinamikus viselkeds, stb. Van olyan eset amikor mestersgesen
hozunk ltre pl. rekombincis kzpontokat, mivel ez meggyorstja a felhalmozott tltsek
kistst (gyors flvezetk, pl gyors dida).
2.1.1.
A pn tmenet
A p s n rtegnek a gyrts sorn kialakul kapcsolata klnbz fizikai folyamatok

lezajlst eredmnyezi. Ennek megrtst a svelmlet alapjn, a szabad tltshordozk
eloszlsa s a bels elektromos tr segtsgvel szemlltetjk.
Ttelezznk fel kt klnbzkpen szennyezett hasb alak flvezett (a gyakorlatban
sohasem ilyen kialaktsak), amelyeket kontaktusba hozunk egymssal. Jelljk az brn
a tbbsgi tltshordozkat krrel. (A kirtett rteg a valsgban sokkal keskenyebb, mint
a tbbi rteg!) A a szabad tltshordozk srsge.
Jellsek:
p tbbsgi
n tbbsgi
p kisebbsgi
n kisebbsgi
tltshordozk
p rteg
kirtett rteg
n rteg
W
Vezetsi sv
WD
Fermi szint
Tiltott sv
Vegyrtksv
Az bra a szabad tltshordozk kristly-menti (x irny) eloszlst szemllteti. A tbbsgi

tltshordozk gerjesztetlen llapotban a rcsszerkezethez ktve tallhatk, szabad
tltshordozk dnten a kirtett rtegben (tovbbi szoksos elnevezsek trtltsi
tartomny, tmeneti tartomny) alakulnak ki.
A pn tmenetben lezajl folyamatok:
A kt rtegben, mivel a tbbsgi tltshordozk tltse ellenttes s a rtegekben
koncentrci klnbsg van, megindul egy kiegyenlt ram (diffzis ram). A tbbsgi
tltshordozk a hatrfelleten (rteg, junction) az ellenttes tltsk miatt kzmbstik
egymst. A kisebbsgi tltshordozk azonban llandan keletkeznek s rekombinldnak,
mivel ezeket a termikus gerjeszts hozta ltre. gy a hatrfelleten csak kisebbsgi
tltshordozk maradnak, azok is rekombinci miatt olyan megoszlsban, hogy a p
rtegben az n kisebbsgi, n rtegben a p kisebbsgi tltshordozk koncentrcija sokkal
jelentsebb. Ez a tltsmegoszls, mint egy sk kondenztor viselkedik. A kt oldal kztt
trer alakul ki, amely a tbbsgi tltshordozk mozgsa ellen hat. Minl szlesebb a
kirtett rteg annl nagyobb a bels trer. Az gy kialakult trer azonban a kisebbsgi
tltsekre gyorstan hat s kialakul egy kisebbsgi tltshordoz ram is (drift ram).
Termikus egyenslyban a kt ram (a diffzis- s a drift ram) egyenl. A pn rteg a
klvilg fel elektromosan semleges, a fenti folyamatok a rteg belsejben zajlanak le.
Az elektronoktl szrmaz ered ramsrsg (Jn):
dn
J n = q n n E + Dn
dx
A lyukak mozgsbl szrmaz ered ramsrsg (Jp):

dn
J p = q n p E D p
dx
Az elektronok (Dn) s a lyukak (Dp) diffzis egytthatja:

kT
q
kT
Dp = p
q
Dn = n
Az ered ramsrsg:
J = Jn + J p
A bels trer s a potencilgt kztti sszefggs:
WD = qE
Az albbi bra szemllteti az elektronok drift s diffzis ramt (lyukak esetn

ugyanilyen sszefggs van, de ellenttes mozgsi irnnyal):
p rteg
kirtett rteg
tbbsgi
n rteg
kisebbsgi
A bels trer egy diffzis potencilt hoz ltre a kirtett rtegben:
UD =
kT N a N d
ln 2
q
ni
Na az akceptor szennyezs, Nd a donor szennyezs, ni a keletkez lyuk-elektron prok

szma trfogategysgben (azonos szm lyuk s elektron keletkezik h hatsra). A
diffzis feszltsg az anyagtl, hmrsklettl s a szennyezs mrtktl fgg.
UT =
kT
q
Az UT az elektronika egy fontos paramtere s termikus feszltsgnek nevezzk. rtke

szobahmrskleten 26 mV (mivel rtke a hmrsklettel egyenesen arnyos, nhny
szakirodalom ettl eltr rtket hasznl -attl fggen, hogy milyen hmrskletre
vonatkoztatjk- pl. 25 mV, 40 mV, stb.).
Plda a diffzis potencil meghatrozsra:

Ttelezznk fel egy szoksos szennyezsi arnyt, pl. Na=3.1023/m3, Nd=3.1022/m3, UT=26 mV.
Szobahmrskleten az UD rtke ilyen krlmnyek kztt Si esetn 0.81 V, Ge esetn 0.43 V, GaAs esetn
1.16 V. (A szoksos rtkek Si esetn 0.5-0.8, Ge esetn 0.2-0.5, GaAs esetn 1.1-1.4 V.)
2.1.1.1. A pn rteg gerjesztse kls feszltsggel
A pn rtegre ktfle mdon kapcsolhat feszltsg kvlrl:

A) az n rtegre a p rteghez kpest pozitvabb feszltsget kapcsolva (zrirny)
B) a p rtegre az n rteghez kpest pozitvabb feszltsget kapcsolva (nyitirny)
A)
Zrirny feszltsg
A kls feszltsg irnya olyan, hogy nveli a bels trert, azaz mg jobban lezrja a
flvezett. Az brn lthat, hogy a potencilgt megn (WD+Wk, ahol Wk a kls
feszltsg hatsra ltrejtt bels energiavltozs) s mg kevesebb tltshordozt enged
t. A diffzis ram lecskken, a drift ram megn. Ennek hatsra a kirtett rteg megn.
A zrt ramkrben a kisebbsgi tltshordozk rama indul meg, amelynek nagysga csak
csekly mrtkben fgg a rkapcsolt feszltsgtl, nagysgt elssorban a hmrsklet
szabja meg.
A pn rteg teht lezrt llapotban sem idelisan zrt, mert folyik a kisebbsgi
tltshordozk rama, amelyet gyakran maradkramknt vagy visszramknt
(optoelektronikai eszkzk esetn sttramknt) definilunk (Io).
A zrirny feszltsg nvelsvel, az eszkz a letrs hatrra kerlhet, amely
tnkremenetelt okozhatja. A letrsi jelensgekkel a 2.1.1.2. fejezet foglalkozik
rszletesen.
Energia viszonyok zrirny elfeszts esetn:
p
Uk
qUD+qUk
WD Wk
Vezetsi sv
Fermi szint
Tiltott sv
Vegyrtksv
10
B)
Nyitirny feszltsg
Nyitirnyban a p rtegre pozitvabb feszltsget kapcsolunk, mint az n rtegre.

p
Uk
q(UD-Uk)
Vezetsi sv
Fermi szint
Tiltott sv
Vegyrtksv
A kls feszltsg irnya olyan, hogy cskkenti a diffzis ramot akadlyoz bels
trert. Amennyiben a kls feszltsg elri a diffzis potencil rtkt a potencilgt
nem akadlyozza tovbb a tbbsgi tltshordozk ramt, gy az ram rohamosan
(exponencilisan) nvekszik.
A pn rteg rama:
UU k
I = I o e T 1
Tranziens folyamatok a nyit s zr feszltsgirny vltoztatsa esetn:
Vltoztatva a rtegekre kapcsolt feszltsg irnyt az eszkz meghatrozott sebessggel

kapcsol t az egyik llapotbl a msikba. Klnsen kritikus a sebessg szempontjbl a
nyitirnybl zrirnyba trtn vlts. A nyitirnyban felhalmozott tbbsgi tltsek
kistse (rekombincija) idt ignyel, mivel az tkapcsols utn csak kisebbsgi
tltshordozk rama lesz, ami nagysgrendekkel kisebb ram, gy a rekombinci is tbb
idt ignyel. Ez megnveli az tkapcsolsi idt (tltstrolsi id). A folyamat gyorsthat
rekombincis centrumok kialaktsval, ahol a kzbens energia szinten mind az elektron,
mind a lyuk rekombinlhat, pl. arany szennyezssel gyorsthatjk az eszkzt
(gyorskapcsol dida).
2.1.1.2. Letrsi jelensgek a pn rtegben
A zrirny feszltsg nvelsvel elrnk egy olyan feszltsget, amelynl a lezrt pn

tmeneten egyre nagyobb ram folyik t. Ez a feszltsg a letrsi feszltsg (UBR). A
letrsi folyamatok kialakulsnak oka klnbz lehet. A jelensg lersra kt fizikai
hatst alkalmaznak.
11
A)
Lavina (avalanche) hats
Nagy zrirny feszltsg hatsra megnvekedett kirtett rtegben a szabad

tltshordozk (kisebbsgi) felgyorsulnak a rjuk nzve gyorst hats trben s nagy
energira tesznek szert. A szabad elektronok beletkzve az atomszerkezethez kttt
elektronokba tadjk energijukat s tovbbi tltshordozkat szaktanak ki. Ez a folyamat
ismtldik s egy lavina-sokszorozs alakul ki a rtegben. A rteg tnkremenetelt a nagy
zrirny feszltsggel egyidben kialakul ram ltal keltett vesztesgi teljestmny
okozza, amely jelentsen nveli a bels hmrskletet. A lavina hats szennyezett
flvezetkben 6-7 V felett alakulhat ki a szennyezs mrtktl fggen. A jelensg
lezajlshoz nagy szabad thossz kell a tltshordozknak, ezrt hmrsklet nvekedse
esetn nvekv zrirny feszltsg kell a letrshez. A letrsi feszltsg hmrskleti
egytthatja teht pozitv.
B)
Alagt (Zener-) hats
Ersen szennyezett flvezetk esetn lp fel. Az ers szennyezs kvetkeztben a kirtett

rteg vkony lesz, amely azt eredmnyezi, hogy mr alacsony zrirny feszltsg esetn
is nagy trer alakul ki. A vkony kirtett rteg s nagy trer miatt kzvetlen vezets
indul meg az n-rteg vezetsi s a p-rteg vegyrtksvja kztt.
W
Vezetsi sv
Fermi szint
Tiltott sv
Vegyrtksv
Zener hats 6 V alatti zrirny feszltsg esetn alakul ki. A Zener hatshoz nem kell
nagy szabad thossz, gy a hmrsklet nvekedse esetn a nvekv szm kisebbsgi
tltshordoz kvetkeztben a kirtett rteg vkonyabb lesz, azaz a letrsi feszltsg
hmrskleti egytthatja negatv.
2.1.2.
Fm-flvezet tmenet
A fmekben a vezetsi s a vegyrtksv kztti tiltott sv szlessge nagyon kicsi,

gyakran a kt sv tlapoldik. A fm-flvezet tmenet tulajdonsgait nagymrtkben
befolysolja a kt rteg vezetsi sv szlessgnek energia klnbsge s a szennyezs
mrtke. A gyakorlat szmra a legnagyobb jelentsge (pl. Shottky-dida) a
Wcfm>Wcflvezet esetnek van, ahol a fm [Al (digitlis ramkrk), illetve Au vagy Pt
(nagyfrekvencis alkatrszek)] kontaktusba kerl Si vagy GaAs flvezetvel.
A fmben lev nagy szm tltshordoz miatt kirtett rteg csak a flvezetben
keletkezik, a fm felletn s a flvezet kirtett rtegben tltsmegoszls keletkezik a
pn rteghez hasonlan. A felhalmozott tlts azonban kisebb, ami gyorsabb mkdst tesz
lehetv.
12
Wcfm
Wc
Wcflvezet vezetsi sv
WF
vegyrtksv
fm
n flvezet rteg
A kevs szabad tltshordoz miatt a kirtett rteg ellenllsa nagyobb, mint akr a fm
akr a flvezet ellenllsa volt. Alapllapotban (bra szerint) a flvezetn az egyenslyt a
fmbl a flvezetbe s a flvezetbl foly ram egyenslya tartja fenn. Az eszkz
kvlrl villamosan semleges, a bels vagy diffzis feszltsg tartja fenn az egyenslyt. A
kialakul diffzis feszltsg is kisebb, mint Si alapanyag pn rteg esetn:
UD =
Wc
q
Ha az n rtegre negatvabb feszltsget kapcsolunk, akkor cskken a potencilgt a kt

rteg kztt, diffzis ram indul. Ez az eszkz nyitirny elfesztse.
Fordtott elfeszts esetn a fmbl ered tltshordozk mennyisge nem vltozik, de a
flvezetbl szrmaz tltshordozk szma lecskken, a kirtett rteg n. A fmflvezet dida teht egyenirnyt jelleg.
Ha a flvezet rteg ersen szennyezett (pl. n+, degenerlt flvezet), akkor az tmenet gy
viselkedik, mintha kt fmet hoztunk volna kontaktusba. Ezt a megoldst alkalmazzk,
amikor egy flvezet lbat, illetve annak fmmel a rteghez vezetett jelt a
flvezetrteghez ersen szennyezett rtegen keresztl vezetjk be integrlt ramkrkben.
gy a rteg s a fmkivezets kztti ellenlls kicsi lesz, ami elnys a flvezet zemre.
2.1.3.
Termikus hatsok flvezetkben
Az elektron mozgsa sorn -egyik rtegbl a msikba- egyben energia is transzportldik,

mghozz h formjban. A szlltott h arnyos a szlltott elektronok mennyisgvel.
Peltier-hats:
Kt anyagon (flvezetrtegen) U feszltsg hatsra tfoly Q tlts ltal tovbbtott W

energia arnya a Peltier-egytthat:
P =
W P
=
Q I
Ha egy flvezett kt fm kz helyeznk s feszltsget kapcsolunk a fmekre, akkor az

egyik fmbl a msikba mozoghatnak a tltsek s ezzel a henergia, az tmenetek
egyenirnyt hatsa s a rtegek energia viszonyai miatt. Az n s p rtegeket egymstl
fmmel elvlasztva felvltva alkalmazzuk akkor egy Peltier- termoelektromos htt
kapunk, amelynek a mindennapi leten tl a flvezetk aktv htseiben is egyre nvekv
szerepe van.
13
Ha a kt anyag kt ponton gy csatlakozik, hogy azok klnbz hmrskleten vannak,

akkor fellp a Seebeck-hats. Ezt a jelensget a termoelektromos talaktknl hasznljk
ki hmrsklet mrsre (helemek).
V
T 0 T
S = lim
S =
P
T
Ha egy anyagon bell van hmrsklet klnbsg akkor fellp a Thomson-hats. Ennek a
jelensgnek az elektronikban kisebb a gyakorlati haszna.
14
2.2. Ktrteg flvezetk

Kt flvezet rteggel szmos flvezett ptenek. Gyakorlatilag a pn rtegben lezajl
minden pozitv s negatv folyamat alapjn ksztenek eszkzket, mivel ami az egyik
felhasznlsi terlet szempontjbl htrnyos, az a msikbl elnys lehet, pl. kapacits a
kirtett rtegben htrnyos a sebessg szempontjbl, de ezen alapulnak a varicap didk
vagya letrsi jelensg htrnyos a norml didnl, de ezen alapulnak a Zener-didk,
stb.
A pn tmeneten alapul eszkzk egy jelents csoportjt alkotjk az optoelektronikai
alkatrszek, azonban specilis tulajdonsgaik s felhasznlsuk miatt egy kln fejezet (4.
fejezet) foglalkozik velk.
A tovbbiakban a leggyakoribb ktrteg flvezet eszkzk tulajdonsgait s alkalmazsi
terleteit tekintjk t.
2.2.1.
Dida
A legalapvetbb, leggyakrabban alkalmazott ktrteg, egy pn tmenetet tartalmaz

eszkz a dida (lteznek egyb egytmenet eszkzk is, azonban specilis felhasznlsi
terleteik miatt itt nem foglalkozunk velk, pl. az egytmenet tranzisztor az UJT, amelyet
elssorban az impulzustechnikban s teljestmnyelektronikban hasznlnak).
A dida jellse s a kivezetsek elnevezsei:
Katd
And
2.2.1.1. Dida karakterisztika, paramterek
IDF
nyitirny elfeszts
IDFn
UBR UBRn Io
UDR
zrirny
elfeszts
UDFn
UDF
IDR
A dida nyitirnyban (UDF,IDF) akkor van elfesztve, ha az andjn a feszltsg

pozitvabb, mint a katdjn. Zrirnyban (UDR,IDR) az elfeszts irnya ellenttes. A
zrirny karakterisztika ram tengelynek (IR) lptkezse eltr a nyitirny
karakterisztiktl a zrirny ram bemutatsa rdekben (a zrirny ram a
nyitirny ramhoz kpest tbb nagysgrenddel kisebb).
15
A dida viselkedst nyitirnyban lerhatjuk a dida egyenlettel:

U DF
mU
I D = I o e T 1
Ahol: Io a maradkram/visszram (a kisebbsgi tltshordozk rama, mivel rtke a

hmrsklettl fgg, gy a zrirny feszltsg eltekintve a felleti
tltsszivrgstl- rtkt nem befolysolja)
UDF a dida nyitirny feszltsge
UT a termikus feszltsg, rtkt lt. 26 mV-ra vesszk (23 C)
m korrekcis tnyez (rtke 12 kztt vltozik), amely a szennyezs mrtktl
fgg. Norml didknl rtkt 1-nek vesszk.
A dida nyitirny rama egy adott feszltgtl kezdve rohamosan n. Ez a feszltsg
jellemz az adott dida tpusra, pl. Si didk esetn 0,50,8 V kztt (a szennyezs
mrtktl fggen), GaAs didk esetn 1,11,4 V kztt, Ge didk esetn 0,20,5 V
kztt (egyenl a bels diffzis potencil rtkvel).
A fenti egyenlet kis ramok esetn igaz, mert nvekv ramoknl a rtegek, a
hozzvezetsek valamint a csatlakozsi pontok ohmos ellenllsa nem hanyagolhat el, gy
azok lesznek a dominnsak (a karakterisztika az ohmos ellenllsnak megfelelenegyenesbe megy t).
Jellemz statikus paramterek:
nyitirny nvleges ram IDFn (a didn tfoly szinuszos alak ram lineris
kzprtke),
Egyenirnyt kapcsolsokban (lsd 5. fejezet) fontos jellemz a periodikus
cscsram (max. ramcscs periodikus terhels esetn), valamint az
aperiodikus cscsram (ltalban bekapcsolskor fellp legnagyobb
ramcscs).
nvleges nyitirny feszltsg UDFn,
Maximlis vesztesgi teljestmny PDmax, amely a nyitirny ram s a dida
feszltsgnek szorzata,
Visszram Io
Nvleges letrsi feszltsg UBRn, amely a tnyleges letrsi feszltsg (UBR) 2/3
rsze.
A pn tmenet tulajdonsgai ersen hmrsklet-fggek, amely a dida tulajdonsgaiban is
megjelenik. Nemcsak a zrirny ram (maradkram), hanem a nyitirny
karakterisztika is eltoldik a hmrsklet fggvnyben:
U D
T
2... 3mV / C o
I = lland
Ez a htrnyos tulajdonsg elnys is lehet, amikor a pn tmenetet hmrsklet mrsre

hasznljuk fel.
16
A dida (pn tmenet) dinamikus tulajdonsgai
Vizsgljuk meg a dida viselkedst az albbi kapcsolsban

uG(t)
t
uD(t)
uG(t)
uD(t)
tt
tbe
tki
A dida jellemz dinamikus paramterei tbe (bekapcsolsi id, amely a felfutsi s a

ksleltetsi idbl tevdik ssze) valamint a tki (kikapcsolsi id, amely a tltstrolsi
idbl -tt- s a lefutsi idbl tevdik ssze).
A tltstrolsi id dnten befolysolja a dida gyorsasgt. Oka a nyitirnyban a
rtegben felhalmozott jelents mennyisg szabad tltshordoz, amelynek kistse idt
ignyel, klnsen akkor, ha a dida nyitbl zrirnyba kerl s gy a tltsramls
lecskken. A gyorskapcsol didk esetn ezt az rtket a szennyezs belltsval s a
megfelel rteg konstrukcival szortjk le. Klnsen nagy sebessg didkat vagy
Shottky-didval vagy PIN didval valstunk meg. A nagy frekvencis didk eltr
kialaktsak a GHz tartomnyban fellp jelensgek miatt pl. Gunn, IMPATT, stb.
didk. Az egyenirnyt s teljestmny didk esetben a melegedsi problmk
jelentsebbek, gy azokat arra konstruljk.
2.2.1.2. Didk alkalmazsa
A didk legfontosabb alkalmazsai:

Egyenirnyts: az egy- s hromfzis egyenirnyt kapcsolsok, amelyek kzl
az egyfzis kapcsolsokat az 5. fejezet (Tpegysgek) trgyalja rszletesen.
Nemlineris karakterisztikk megvalstsa: pl. exponencilis s logaritmikus
karakterisztika /3. fejezet/, fggvnyek trtvonalas kzeltse, nemlineris
karakterisztikk az irnytstechnikban, stb.
2.2.2.
Zener-dida
A Zener-dida ramkri jellse:
Katd
And
A Zener-didk olyan ktrteg flvezetk, amelyek tartsan a letrsi tartomnyban

dolgoznak. A legtbb flvezet elrve a letrsi feszltsg hatrrtkt tnkremegy,
elssorban a jelensg hatsra a rtegekben egyre nvekv hmrsklettl. A Zener-dida
esetben azonban az ilyenkor keletkez hmennyisg elvezetst megoldottk s az eszkz
17
zemszeren a megadott hatrrtkek kztt- ebben a tartomnyban zemelhet. A fentiek

alapjn azonban lthat, hogy a didknl elrhet ramokat s teljestmnyeket Zenerdidval megkzelteni sem lehet, max. nhny W vesztesgi teljestmnyt viselnek el. A
jellemz paramterek megfelel rtken tartst a rtegek specilis szennyezsvel rik el
(tlszennyezett- degenerlt flvezet). A Zener- didkban lejtszd jelensget a kt
jellemz letrsi jelensggel magyarzzk, gy a 6 V alatti Zener-didk mkdst az
alagt hatssal (hmrskleti egytthatjuk negatv), a 6 V-nl magasabb rtk Zenerek
mkdst a lavina hatssal magyarzzuk (hmrskleti egytthatjuk pozitv). A Zener
didkat mkdsi elvkbl kvetkezen zrirnyban mkdtetjk (ez all kivtelek a
2.2 V alatti Zenerek, amelyek nem valdi Zenerek, hanem dida kombincik, gy
nyitirnyba kapcsoljk ket).
2.2.2.1. Karakterisztika, paramterek
IF
Dida jelleg
l [m] UR
Uz
Izmin
rdz =
UF
u z
iz
Izmax
Zener jelleg
IR
Nyitirnyban (UF, IF) a Zener egy kisteljestmny didaknt viselkedik. (a Zener-t

nyitirnyban nem clszer ignybe venni, mivel gyengbb tulajdonsgokkal rendelkezik,
mint egy kznsges dida). Zrirnyban (UR, IR) a Zener elrve a Zener feszltsget (Uz)
egy minimlis Zener-ram utn (Izmin) meredek karakterisztikval rendelkezik, azaz
jelents ramvltozsra is csak kis feszltsgvltozssal reagl. A meredeksg mrtkt
mutatja meg a Zener dinamikus ellenllsa (rdz), amely hmrskletfgg. A Zener annl
kedvezbb tulajdonsgokkal rendelkezik, minl kisebb a dinamikus ellenlls mrtke. A
6-7 V krnyki Zenerek rendelkeznek a legalacsonyabb ellenllssal (rdz10). A Zeneren
kialakul feszltsg (Uz) stabil, de rtke fgg a hmrsklettl. A hmrskletfggs
mrtkt a hmrskleti egytthat mutatja meg (z), amelynek rtke lehet pozitv vagy
negatv, de 6-7 V kztti tartomnyban az rtke kzel nulla!
z =
u z
T
A Zener maximlis ramt a Zener vesztesgi teljestmnye (Pdzmax) szabja meg. A

Zenereket akrcsak a flvezet eszkzk dnt tbbsgt- a rtegekben keletkez h teszi
tnkre, gy a Zenerek, amelyek zemszeren letrsben zemelnek, klnsen rzkenyek
erre.
I z max =
Pdz max
Uz
18
A Zenereket klnbz paramterek szerint sorba rendezik:

a Zener feszltsg szerint: a Zenerek az ellenlls-sorokhoz (E6-E12) hasonl sor
szerint llnak rendelkezsre, mint katalgus ramkrk.
a vesztesgi teljestmny szerint: a Zenerek alacsony teljestmnyeket viselnek el,
tipikus rtkek 0.1-0.2-0.4-1-2 W.
A klnsen kedvez stabilitssal rendelkez, esetleg bels hmrskletszablyozssal

elltott (mikrochip-fts) Zenereket referencia Zenereknek nevezzk.
2.2.2.2. Zener-didk alkalmazsa
A Zenereket alapveten hrom feladatra alkalmazzk:

a) kisteljestmny, nem szablyozott (visszacsatols nlkli) tpegysgknt
b) referenciafeszltsg-forrsknt
c) nemlineris elemknt ramkrkben, pl. hatrols szablyozsi krkben,
oszcilltorok amplitd-szablyozsa, stb.
Az a) s b) alkalmazs hasonl ramkri kapcsolst ignyel azzal a klnbsggel, hogy a
Zenert referenciafeszltsg-forrsknt alkalmazva stabil krlmnyeket kell biztostani,
gy a bemeneti feszltsgnek stabilnak kell lennie, a kimenetet rammal nem szabad
terhelni s az zemelsi hmrskletet is stabilan kell tartani. A c) alkalmazsokkal a
megfelel fejezetek foglalkoznak (pl. 3. fejezet oszcilltorok amplitd stabilizlsa, stb.).
It
R
Ube
Uz
Iz
Uki
A kapcsolst tpegysgknt alkalmazva az It>0, referencia feszltsgforrsknt alkalmazva

It=0.
Kiindulsi jellemzk:
Ubemin<Ube<Ubemax
Itmin<It<Itmax
Uki
Hanyagoljuk el a Zener-feszltsg vltozst a Zener-ram fggvnyben, mivel ez az
sszes vltozshoz kpest lnyegesen kisebb.
R max
Rmin
U be min U ki
I t max + I z min
U be max U ki
I z max
A kapcsols stabilitsa:
A stabilits meghatrozshoz helyettestsk a Zener-didt egy feszltsggenertorral
(Uz) s egy ellenllssal (rdz). Ez a helyettests a karakterisztika azon szakaszn, ahol
stabiliztor zemben dolgozunk jl modellezi a Zenert.
19
It
R
rdz
Ube
Uz
Iz
Uki
A stabilitst kt paramterrel jellemezzk:

a.) A vonali vagy line stabilits:
Su =
U ki
U be
=
I t = lland
rdz
R + rdz
Ha a bemeneti feszltsg U rtkkel megvltozik, akkor a kimeneti feszltsg az rdz-R

feszltsgoszt ltal meghatrozott mrtkben vltozik.
b.) Terhelsi vagy load stabilits
Si =
U ki
I t U
= rdz
be = lland
Ha a terhel ram a kimeneten It rtkkel megn, akkor a Zener rama ugyanilyen

mrtkben cskken (Ube lland s a Zener feszltsgnek vltozsa a bemeneti
feszltsghez viszonytva elhanyagolhat), ennek megfelelen a Zener feszltsge Itrdz
rtkkel cskken.
A kt sszefggs alapjn lthat, hogy a stabilits annl jobb, minl kisebb a Zener
dinamikus ellenllsa s minl nagyobb ellenllst tudunk alkalmazni soros elemknt. Az
R akkor a legnagyobb, ha a kimenetet egyltaln nem terheljk rammal. (Ez a referencia
feszltsgforrsknt trtn alkalmazs esete!)
Plda:
Tervezznk egy egyszer Zener dids feszltsg stabiliztort az albbi felttelek mellet:
8<Ube<12 V
0<It<10 mA
Uki=5,6 V
Vlasszuk a minimlis Zener-ramot 5 mA-re (Kisebb teljestmny Zenereknl 5 mA
elegend, nagyobb teljestmny Zener esetn a 10 mA szksges)!
A Zener feszltsge megegyezik a kimeneti feszltsggel, gy:

Rmax
8 5,6
= 160
(10 + 5) 103
Vlasszuk az ellenllst a maximlis rtk kzelbe (R=150 szabvnyos ellenlls rtk)

a nagyobb stabilits rdekben !
20
Rmin
12 5.6
12 5.6 12 5.6
I z max =
=
= 42,7 mA
I z max
Rmin
150
Pdz max = U z I z max = 5,6 0,0427 = 239mW

A fentiek alapjn vlasszuk a BZX79C5V6 (Philips) Zener didt.
Az ellenlls vesztesgi teljestmnye:
PR max =
(U be max U z )2 = (12 5,6)2

R
150
= 273mW
Vlasszunk PdR=1/3 W-os teljestmny ellenllst!

A kapcsols stabilitsa:
Su =
rdz
12
=
= 0,074
R + rdz 150 + 12
A bemeneti feszltsg Ube=4V-os megvltozsra a kimeneti feszltsg Uki=0,28 V-ot

vltozik.
S L = rdz = 12
A terhel ram Iki=10 mA-s vltozsra a kimeneti feszltsg Uki=-0,12 V-ot vltozik.
A kimeneti feszltsg maximlis vltozsa, ha mindkt paramter egyidben vltozik:
|Uki|max=0.28-(-0.12)=0,4 V
2.2.3.
Specilis didk
A kt flvezet rteg klnbz tulajdonsgait (az egyik alkalmazsban elnys a

msikban htrnyos) kihasznlva nagy vlasztkban llnak rendelkezsre elektronikus
alkatrszek. A gyakorlat szmra klnsen jelentsek az optoelektronikai alkatrszek,
amelyeket a 4. fejezet trgyal. Az albbiakban a gyakorlat szmra fontos, gyakran
elssorban integrlt formjban hasznlt ktrteg flvezetket trgyaljuk a teljessg
ignye nlkl.
2.2.3.1. PIN-dida
A PIN dida a p s n rteg kztt egy sajt szennyezs rteget is (intrinsic) tartalmaz. Az
gy megnvelt kirtett rteg lehetv teszi a szabad tltshordozknak, hogy tkzs
nlkl (kevs szabad tltshordoz s nagy szabad thossz) elrjk a legnagyobb
sebessgket. Ez lehetv teszi, hogy az eszkz gyors legyen (a tranziens paramterei
klnsen kedvezek). A p s az n rteg kztti megnvelt tvolsg a rteg kapacitst is
cskkenti, gy a dinamikus tulajdonsga is jobb, mint egy norml didnak. Az eszkzt
gyakran hasznljk optoelektronikai eszkzknt vegszlas tvitel vev didjaknt,
illetve nagyfrekvencin (a mdostott vltozatt a Read/IMPATT didkat GHz
tartomnyban).
21
2.2.3.2. Shottky dida
Jellse:
Fm-flvezet dida (pl. Al-Si), amelynek jellemzje a Si didknl lnyegesen kisebb

nyitirny feszltsg. Ezt a tulajdonsgt felhasznlva elssorban a gyorskapcsol didk
(ps nagysgrend kapcsolsi idk) s a digitlis ramkrk fontos alkatrsze (Shottky
tranzisztor).
Si dida
IF
UF
UR
IR
Schottky dida
2.2.3.3. Varicap-dida (kapacitsdida)
Jellse:
A varicap didk a pn tmenet kirtett rtegnek feszltsggel vltoz kapacitst

hasznljk ki. A zrirnyba kapcsolt pn rteg kirtett rtegben csak kisebbsgi
tltshordozk halmozdnak fel, a p rtegben n az n rtegben p megoszlsban. gy
tulajdonkppen egy sk kondenztort kapunk. Mivel a rteg vastagsga a szennyezsen s a
hmrskleten tl a rkapcsolt feszltsgtl fgg, egy feszltsggel vezrelt kapacitshoz
jutunk. A flvezet specilis kialaktsval s szennyezsvel ez a hats fokozhat. A
kapcsolat a vezrl feszltsg s a kapacits kztt nemlineris. Tipikus kapacitsok a
10..300 pF tartomnyba esnek. A kapacitstfogs mrtke kb. 1:4.1:5.
A kapacits vltozsa a zr irny feszltsg fggvnyben:
C [pF]
UR
Elssorban feszltsggel hangolt rezgkrkben alkalmazzk rditechnikai clokra,
azonban a PLL hangols megjelensvel jelentsgk cskkent.
22
2.2.3.4. Alagt-dida (Esaki-dida, tunnel-dida, avalanche-dida)
Jellse:
A szennyezs nvelsvel elrhet, hogy az alagt-hats mr kis feszltsgen ltrejjjn.

Az alagt-dida karakterisztikja tartalmaz egy olyan szakaszt, amelynek ellenllsa
negatv, gy felhasznlhat rezgkrkben, relaxcis oszcilltorokban, a vesztesgi
ellenlls kikompenzlsra s csillaptatlan rezgs ltrehozsra.
IF
UR
UF
IR
rd<0
23
2.3. Tranzisztor (BJT)

Jellse:
C
B
B
npn
pnp
A tranzisztor hrom flvezet rteget (kt tmenetet) tartalmaz alkatrsz. A kt flvezet

alapanyagbl gy kt klnbz struktrj tranzisztor llthat el: npn s pnp. A kt
eszkz mkdse nagyon hasonl azzal az alapvet klnbsggel, hogy npn
tranzisztoroknl a tbbsgi tltshordoz az elektron, mg pnp tranzisztoroknl a lyuk.
Ennek megfelelen minden magyarzat s kapcsols ami az npn tranzisztorra vonatkozik
alkalmazhat a pnp tranzisztorra is, ha az elektron szt behelyettestjk lyukkal, a
kapcsolsok tpfeszltsgt megfordtjuk ellenkez eljelre s a polarizlt kondenztorok
bektst megfordtjuk. Ennek megfelelen a tovbbiakban csak az npn tranzisztorra
vonatkoz sszefggseket hatrozzuk meg, de a fentiek figyelembevtelvel minden
magyarzat s sszefggs kzvetlenl alkalmazhat a pnp tranzisztorra s kapcsolsaira
is.
2.3.1.
A tranzisztor mkdse
Tekintsk az albbi elvi tranzisztor struktrt a bejellt feszltsgirnyokkal, amelyeket a

tranzisztor norml zemhez tartoz feszltsgirnyoknak tekintnk.
n
p
n
emitter (E)
kollektor (C)
UCB
UBE
BE tmenet
CB tmenet
bzis (B)
Energiaviszonyok a tranzisztorban:
E
C
qUCB qUBE
vezetsi sv
WF
vegyrtksv
gerjesztetlen esetben
norml zem esetn
24
Az emitter a bzishoz kpest ersen szennyezett. Az UBE feszltsg a BE-tmenetre

nyitirny (a pn struktra miatt) gy a feszltsg hatsra nagy szm szabad elektron mint a vezetsben rsztvev tltshordoz- keletkezik s mozog a bzis irnyba. Az
elektronokra kt hats is rvnyesl:
a) a p szennyezs bzis rekombincis hatsa
b) a jelentsen pozitvabb feszltsg a kollektoron, amely vonzza az elektronokat.
A bzis (az brval ellenttben) lnyegesen keskenyebb, mint az elektronok szabad
thossza, radsul gyengn szennyezett. Az emitterbl a bzisba jut elektronoknak ezrt
csak egy csekly rsze rekombinldik a bzisban. A tbbsg a kollektorba jut. A CB
tmenet elfesztse azonban zrirny az np struktra miatt. A zrirny a kollektorban
lev elektronok mozgst gtolja a bzis fel, de a bzis fell rkez elektronokat
gyorstja. A lezrt tmenet feszltsge a CB tmenetben tallhat kisebbsgi
tltshordozkra gyorst hats, teht megindul egy kisebbsgi tltsramls a bzisbl a
kollektor fel (szaggatott vonal). A tbbsgi (folytonos vonal) s a kisebbsgi
tltshordozk mozgsi irnyt az albbi bra mutatja:
n
C
B
UBE
UCB
A tltshordozk dnt tbbsge elektron (npn tranzisztornl). Az emitter hatsfok () azt

mutatja meg, hogy az elektronokbl szrmaz ram (In) s a lyukakbl szrmaz ram (Ip)
hogyan viszonyul egymshoz.
=
In
1
In + I p
A BE-rtegre adott nyitirny feszltsggel szablyozni lehet az emitterben keletkez

szabad elektronok szmt, gy magt az ramot.
Megjegyzs: A tranzisztort ramvezrelt eszkznek tekintjk, amelyet a bzisram vezrel,
de a valsghoz kzelebb ll az, hogy a bzisramot az UBE feszltsg vezrli, a bzis
ram ennek kvetkezmnye, de a tisztn feszltsgvezrelt FET-tl trtn
megklnbztets miatt elfogadhat az ramvezrelt minsts.
A lezrt tmeneten foly visszramot vagy maradkramot a kisebbsgi tltshordozk
hozzk ltre, gy rtke elssorban a hmrsklettl fgg. Az UCB feszltsg ha
elhanyagoljuk a felleti tltsek hatst- rtkt nem befolysolja.
A szoksosan elfogadott ramirnyok az elektronok mozgsval szembe mutatnak, gy
az npn tranzisztor ramirnyai s rtkei:
n
p
n
E I
E
IC
ICB0
IB
UBE
B
UCB
25
Az sszefggs az ramok kztt:
I E = IC + I B
I C = AI E + I CB 0
I B = (1 A)I E I CB 0
Az A az emitterre vonatkoztatott nagyjel ramerstsi tnyez, amely azt mutatja meg,
hogy az emitterbl kilp tltsek hnyad rsze jut el a kollektorba. rtke 0<A<1, modern
flvezet esetn kzel az egyhez.
IC
IE
A=
Az ramokat a bzisramokkal is felrhatjuk s definilhatjuk a bzisramra vonatkoztatott

nagyjel ramerstsi tnyezt (B):
IC =
1
A
IB +
I CB 0
112
1 A
3
A
B
B=
A
1 A
Mivel az A>0,99 gy a B rtke 100 s 1000 kz esik.

A tranzisztor ltszlag szimmetrikus eszkz s az emitter s a kollektor egymssal
felcserlhet, a valsgban a jelentsen eltr fizikai kialakts s szennyezs miatt nem
cserlhet fel a kt rteg egymssal. Abban az esetben ha mgis a tranzisztor
feszltsgirnyai gy alakulnak, hogy a kollektor s az emitter szerepe felcserldik, akkor
a tranzisztor inverz zemrl beszlnk. Inverz zemben a tranzisztor paramterei
jelentsen leromlanak, a B ramerstsi tnyez rtke akr 1 al is cskkenhet, azaz a
tranzisztor nem erst hanem csillapt. Az inverz zemet ltalban kerljk, de pl. a TTL
digitlis ramkrknl a bemeneti tranzisztor a mkdsi elvbl kvetkezenzemszeren inverz zembe kerlhet.
2.3.2.
Nagyjel helyettestkp
A tranzisztor nagyjel vagy statikus karakterisztikjt az Ebers-Moll modell segtsgvel

rhatjuk le. A nagyjel modell azt az llapotot rja le, amikor a tranzisztoron a munkapontbelltshoz szksges feszltsgek vannak s az ezek ltal meghatrozott ramok folynak.
A tranzisztor (kisjel) vezrlstl ilyenkor eltekintnk, gy a tranzisztor statikus zemben
van. Maga a modell azon alapul, hogy a hrom rteg (kt flvezet tmenet) felfoghat kt
egymssal szembekapcsolt didaknt s viselkedse is ily mdon trgyalhat. (F betvel a
normlzem R betvel az inverz zem paramtereket jelltk.)
IR
IF
E
IE
C
IC
ARIR
AFIF
B IB
26
A kapcsokon a pozitv vonatkoztatsi irny ramok a ngyplusoknl megszokott mdon

befel mutatk. Pont-vonallal a norml zemmdhoz tartoz ramot jelltk.
A kapcsokon foly ramokra felrhatk az albbi sszefggsek:
I E = I F + AR I R
I C = I R + AF I F
I B = (1 AF )I F + (1 AR )I R
Az AR<<AF egy modern tranzisztornl.

A dida egyenlet segtsgvel megteremthetjk az sszefggst a modell s a feszltsgek
kztt, azonban a dida maradkramnak fogalmt itt ki kell terjesztennk egy kt
tmenetet tartalmaz eszkzre.
A tranzisztor s a dida maradkramai kztti sszefggs:
ICB0
IEB0
ARICS
ICS
IES
AFIES
resjrsi zrirny ramok

(BE s BC dida ramai)
Rvidzrsi ramok
(Tranzisztor visszramai)
Felhasznlva a dida egyenletet s a visszramok fenti rtelmezst felrhat:

UUBC
UUBE
T
1 + AR I CS e T 1
I E = I ES e
UUBC
UUBE
T
1 + AF I ES e T 1
I C = I CS e
A fentiek alapjn megllapthat, hogy az ramerstsi tnyezk s a maradkramok

kztt sszefggs van:
AF I ES = AR I CS
Az resjrsi s a rvidzrsi visszramok kztt is ltezik sszefggs:
I CS =
I CB 0
1 AR AF
I ES =
I EB 0
1 AR AF
A nagyjel modell gyakorlati jelentsge elssorban a tranzisztor szmtgpes

modellezsben van, mivel legtbb szimulcis program ezt a modellt hasznlja.
27
2.3.3.
Karakterisztikk, paramterek
A tranzisztor hrom kivezets alkatrsz, azonban a kapcsolsokban a ngyplusok

szerinti kialaktsban alkalmazzk, gy clszeren a tranzisztor karakterisztikit s
paramtereit is a ngyplusoknl megszokott elrendezsben vesszk fel. Ez azt jelenti,
hogy a tranzisztor valamelyik kivezetst mind a bemeneti, mind a kimeneti oldallal
kzsnek kell vennnk, gy lehetsges kzs bzis (KB/CB), kzs emitteres (KE/CE) s
kzs kollektoros (KK/CC) kapcsols, helyettestkp s karakterisztika-sereg. Mindegyik
kialaktst alkalmazzk a gyakorlatban, de a tovbbiakban a KE alapkacsols jellemzi
alapjn trgyaljuk a tranzisztort (ez gyakorlatilag megegyezik a KK kapcsolsok
jellemzivel), mivel ez taln a leggyakoribb kialakts (feladat s az alkalmazsi
frekvencia-tartomny dnti el). A tbbi ez alapjn meghatrozhat, illetve levezethet.
kzs emitteres
kzs bzis
(common emitter) (common base)
KE/CE
KB/CB
kzs kollektoros
(common collector)
KK/CC
Ngyplus paramterek rtelmezse tranzisztorra:

A tranzisztor alapveten nemlineris eszkz, ezrt az ramok s a feszltsgek kztti
kapcsolatok csak fggvnyekkel rhatk le. A nemlineris karakterisztikknak is van
azonban szakaszonknt lineris rszei, ahol a jellemz paramterek koncentrlt paramter
alkatrszekkel lerhatk.
Ngyplus paramterek rtelmezse tranzisztorra:
IC
IB
UBE
bemeneti paramterek
UCE
kimeneti paramterek
transzfer paramterek
A transzfer paramtereket egy-egy paramterrel jellemezzk, de a ki- s bemeneti

jellemzk kztti kapcsolat lersra fggvnyeket hasznlunk (br egy adott
munkapontban ezeket is egy-egy paramterrel helyettestjk).
A)
A tranzisztor bemeneti (UBE-IB) karakterisztikja:
IB
IBM
rBE
UBEM
UBE
A tranzisztor bzis-emitter bemeneti karakterisztikja alakra

megegyezik egy dida karakterisztikjval (a B-E tmenet
norml zemben egy nyitirnyba ignybevett pn tmenet).
A bemeneti karakterisztika jellemzje a tranzisztor
nyitshoz szksges bemeneti nyitirny feszltsg
(hasonlan a dida nyitshoz).
28
Lineris zemben a tranzisztort a karakterisztika lineris szakaszn zemeltetik, ahol a

grbe helyettesthet egy paramterrel. Az rBE a bzis-emitter dinamikus ellenlls (rtke,
br a karakterisztika irnytangense kzel lland, munkapont-fgg IBM,UBEM).
A dida egyenletbl a dinamikus bemeneti ellenlls meghatrozhat.
rBE =
U BE
I B
=
U CE = lland
mU T
IB
Az m a szennyezs mrtkre vonatkoz tnyez rtke egynl nagyobb, de ltalban nem

ismert. A szmtsokban szobahmrskleten az mUT=26 mV-t veszk figyelembe, azaz a
tovbbiakban m=1 rtkkel szmolunk.
A bemeneti karakterisztika- hasonlan a dida karakterisztikhoz- hmrskletfgg:
IBM(T1)
IBM(T2)
IB
T1
T1>T2>T3
T2
rBE
T3
IBM(T3)
UBE
UBEM
A karakterisztika hfokfggse (rtke anyagjellemz):
U BE
= 2... 3 mV / C o
T
Az brn az lland feszltsgrl tpllt BE-tmenet esett is brzoltuk (feszltsggel
trtn munkapont-bellts), amelybl lthat, hogy jelentsen vltozik a bzisram a
hmrsklet fggvnyben. Konstans rammal trtn munkapont-bellts esetn az UBE
feszltsg vltozik. (A munkapont-belltst lsd ksbb.)
B)
A tranzisztor kimeneti (IC-UCE) karakterisztikja
IC
IB5
ICmax
IB4
I.
IB3 Pdmax
III.
IB2
IB1
ICE0
IB0
UCE
II.
UCEsat
msodfaj
letrs
IB=0
UCEmax
29
A tranzisztor kimeneti karakterisztikja fggvnye a bzisramnak is, ezrt a kimeneti

karakterisztika egy parametrizlt grbesereg. A karakterisztikban brzoltuk a
hatrrtkeket (ICmax, UCEmax, Pdmax) is, amelyek minden tranzisztor estn katalgus adatok.
A msodfaj letrs szintn korltozza a biztonsgos zemelsi terlet (Safe Operation
Area, SOA) nagysgt. A tranzisztor csak a be nem satrozott terleten dolgozhat
biztonsgosan.
Az zemi terletet hrom tartomnyra oszthatjuk. Az egyes tartomnyokban a tranzisztor
eltr mdon viselkedik s eltr alkalmazsokban hasznljk:
I. Teltsi (szaturcis) tartomny
II. Lezrsi tartomny
III. Aktv (lineris) tartomny
A tranzisztor az I. s a II. tartomnyokban kapcsolzemben, mg a III. tartomnyban
lineris zemmdban, elssorban erstknt dolgozik.
A tartomnyok jellemzi:
I.
Teltsi tartomny: jellemzje, hogy mindkt pn tmenet nyitva van. A tranzisztor,

mint egy kapcsol bekapcsolt llapota mkdik. A tartomny hatrt a CB dida
nyitshoz szksges feszltsg hatrolja (alakja olyan, mint egy dida
karakterisztikja).
Jellemz paramterek:
ICmax maximlis megengedett kollektor ram.
UCEsat teltsi/szaturcis feszltsg (rtke anyagjellemz, Si flvezet
esetn 0.2-0.4 V)
A szaturcis feszltsgbl lthat, hogy a tranzisztor nem idelis kapcsol,
bekapcsolt llapotban is jelents feszltsgesse van, ami teljestmnyelektronikai
alkalmazsokban htrnyos (Pd=IC*UCEsat), radsul rtke az rammal n. A
tranzisztor nem ltethet le teljesen.
II.
Lezrsi tartomny: jellemzje, hogy mindkt pn-tmenet zrva van. Ez a

tranzisztor, mint kapcsol kikapcsolt llapota. A tartomny hatra az IB=0 grbe.
Jellemz paramterek:
UCEmax maximlis CE feszltsg
ICE0 CE maradkram/visszram
A maradkrambl lthat, hogy a tranzisztor kikapcsolt llapotban sem idelis,
mert ekkor is folyik ram, br ez tbb nagysgrenddel kisebb, mint a norml
kollektor ram.
III.
Aktv (lineris)tartomny: jellemzje a BE tmenet nyitva, a CE tmenet zrva

(norml zem). Ebben tartomnyban a tranzisztort lineris zem alkalmazsokban
hasznljuk, elssorban erstknt.
Jellemz paramterek:
Az aktv tartomnyban definiljuk a transzfer paramtereket s a kimeneti
karakterisztika jellemz paramtert, amely lineris zem miatt itt is egy
koncentrlt paramter ellenllssal jellemezhet.
30
a) Transzfer paramterek:
i)
Bemenet hatsa a kimenetre
Kisjel ramerstsi tnyez ()
A bemeneti vezrljel a bzisram s ennek a kimeneti kollektor ramra gyakorolt

hatst mutatja meg. (Ez a paramter jl illeszkedik ahhoz a gondolatmenethez, hogy a
tranzisztor ramvezrelt eszkz.)
=
I C
I B
U CE = lland
= f (I C , )
A kisjel ramerstsi tnyez s a nagyjel ramerstsi tnyez (B) kztti kapcsolatot

az albbi brn szemlltethetjk:
IC
ICM
I C
I B
munkapont
ICM
B=
IB
IC
IBM
IB
A B s a eltr egymstl, azonban a lineris szakaszon az eltrs nem jelents. Gyakran

hasznljuk a kisjel rtkt a nagyjel jellemzsre is. A nemlineris szakaszon az eltrs
jelents lehet.
A tranzisztorokat az ramerstsi tnyez alapjn -osztlyokba soroljk, pl. A,B,C
osztly. Pl. BC182B jelenti, hogy Si alapanyag s 250-500 kztti ramerstsi
tnyezj.
Az ramerstsi tnyez rtke fgg a kollektor ramtl s a frekvencitl. A kis-,
kzepes- s nagyteljestmny tranzisztorok hasonl alak, de eltr ram tartomny
karakterisztikval rendelkeznek, ezrt pl. ha egy kis teljestmny tranzisztor jl mkdik
2 mA kollektor ramnl, akkor a kzp- s nagyteljestmny tranzisztorok ugyanabban a
kapcsolsban teljesen eltren viselkednek, br termszetesen mindketten tudjk a 2 mA
ramot produklni.
max
ICmin
ICmax
IC
31
Az ramerstsi tnyez egy meghatrozott kollektor ram tartomnyban maximlis, ezrt

ott kell hasznlni. A fentiekbl lthat, hogy az azonos bta-osztlyba sorolt, de eltr
ram tranzisztorok egy adott kollektor ramnl eltren fognak viselkedni.
lg
0
-3dB
fT
lgf
Az ramerstsi tnyez 3 dB-s hatrfrekvencija: f

A tranzitfrekvencia (fT(=1)):
fT
sszefggs a kt jellemz frekvencia kztt:
fT=0*f
Felrhat egy msik -bemenet hatsa a kimenetre- tpus transzfer paramter is,
amennyiben a tranzisztort feszltsgvezreltnek tekintjk. Ez a paramter a meredeksg,
amelynek szoksos jellse S vagy gm szakirodalomtl fggen.
S=
I C
U BE
U CE = lland
IC
UT
sszefggs llthat fel a kt -bemenetrl a kimenetre mutat- transzfer paramter kztt:
S=
I C
U BE
ii)
U CE = lland
I C I B
I B U BE
{
123
1
rBE
rBE
I B
UT
U CE = lland
A kimenet hatsa a bemenetre:
Visszahats paramter (r)
r =
U BE
U CE
I B = lland
A visszahats rtke modern tranzisztoroknl nagyon kicsi 10-410-6 [S], ezrt a

visszahatst ltalban elhanyagoljuk.
b) Kimeneti paramter
Kollektor-emitter ellenlls (rCE)
A karakterisztika lineris szakasza az aktv tartomnyban helyettesthet a karakterisztika

meredeksgvel.
32
rCE =
U CE
I C
U BE = lland
rtke meghatrozhat annak segtsgvel, hogy a karakterisztikk vzszintes szakaszait

meghosszabbtva azok egy feszltsgnl metszik az UCE tengelyt, ez az Early-feszltsg
(UY). Az Early-feszltsg rtke 100..200 V npn tranzisztornl s 50..150 V pnp
tranzisztornl.
rCE =
U Y + U CE
,
IC
de alacsony frekvencin meghatrozhat a visszahats segtsgvel is:

rCE =
rBE
1
=
r S r
2.3.4.
Kisjel helyettestkp
A tranzisztor kisjel zeme alatt azt az esetet rtjk, amikor a munkapontba lltott
tranzisztort a munkaponti mennyisgekhez kpest kisebb jelekkel vezreljk. A vezrljel
lehet egyenfeszltsg vagy vltakoz feszltsg. A tranzisztortl ilyenkor elvrt, hogy
karakterisztikja lineris szakaszn mkdjn, amely behatrolja a vezrl jel megengedett
nagysgt. A tranzisztor viselkedst kisjel zemmdban (mivel itt a tranzisztor a lineris
szakaszon zemel) lerhatjuk koncentrlt paramter idelis alkatrszekkel. A lers csak a
tranzisztor karakterisztikinak azon meghatrozott szakaszra rvnyes, ahol az adott
munkapont krnykn a karakterisztika mg linerisnak tekinthet. Ez azt jelenti, hogy a
helyettestkp elemeinek konkrt rtkei eltrnek a munkapont fggvnyben.
Tbb mdszer is ismert a helyettestkp megalkotsra. Ki lehet indulni a konkrt fizikai
mennyisgekbl (hibrid-, amely elssorban a kapcsolsbl trtn paramter-szmtsra
alkalmas) vagy fel lehet lltani egy helyettestkpet a ngyplus-elmlet paramterei
alapjn (H-paramterek, ez elssorban katalgus alapjn trtn tervezsnl kitn). A
helyettestkpek s paramterek kztt egy adott munkapontban megfeleltets teremthet.
2.3.4.1. Hibrid- helyettestkp
A helyettestkp az egyes rtegek dinamikus ellenllsai, az aktv tartomnyban elrhet

meredeksg vagy ramerstsi tnyez s az egyes tmenetekben vgbemen
tltsfelhalmozst reprezentl kondenztorok alapjn pthet fel. Az egyes rtegeket a
helyettestkpben kisbetvel jelljk utalva a kisjel zemmdra. A helyettestkpet a
tranzisztor kzs emitteres kapcsolsra ptjk fel, ami jl hasznlhat kzs kollektoros
esetben. A kzs bzis eset is levezethet a megalkotott helyettestkpbl.
A tranzisztor teljes fizikai hibrid- helyettestkpe:
Cbc
b
ube
rbb b
ube
rbc
rbe Cbe
rce
Sube
uce
33
A helyettestkp egyes elemei rszben mr az elz fejezetben meghatrozsra kerltek.

A tovbbi elemek definicii:
rbb bzis hozzvezetsi ellenlls: a bzis elektrda s a bzis rteg kztti
ellenlls.
rbe bzis-emitter ellenlls: a bzis rteg s az emitter kztti bemeneti ellenlls
(ez gyakorlatilag az rBE rtkvel egyezik meg)
rbc a r visszahatst modellez ellenlls
rce kollektor-emitter kimeneti ellenlls (=rCE)
Cbe bzis-emitter tmenetben kialakul kapacits (a rteg s a diffzis kapacits
sszege)
Cbc kollektor-emitter tmenetben kialakul kapacits
A teljes helyettestkpet magasabb frekvencikon hasznljuk inkbb, ahol a ~pF rtk
kapacitsok hatsa nem hanyagolhat el. A helyettestkp segtsgvel a tranzitfrekvencia
meghatrozhat:
fT =
2(Cb 'c + Cb 'e )
A tranzisztor egyszerstett (alacsony frekvencis) helyettestkpe:
A visszahats elhanyagolsval alacsony frekvencin a helyettestkp egyszersthet.

(Azrt, hogy a bemeneti s a bzis- emitter feszltsget meg tudjuk klnbztetni
egymstl a kisbets indexeket visszacserltk a korbban mr hasznlt nagybets
indexekre.)
c
b
uBE
rBE
SuBE
rCE
uCE
2.3.4.2. Tranzisztor paramterek a ngyplus paramterekkel

kifejezve
dI B =
I B
I B
dU BE +
dU CE
U BE U = lland
U CE U = lland
CE
1442
44
3
1442BE44
3
1
dI C =
rBE
rBE
I C
I C
dU CE
dU BE +
U CE U = lland
U BE U = lland
CE
1442
44
3
1442BE44
3
S
rCE
A hibrid- paramterek s az Y (admittancia) ngyplus paramterek kztt kzvetlen

megfeleltets alakthat ki, ha felrjuk az ramokra a differencilis kapcsolatot (figyelmen
kvl hagyva a hmrskletfggst).
34
Mtrixos alakban az Y paramterek:
1
r
dI B rBE
dU BE
r
BE
dI =
1 dU CE
C S
CE
4424r4
1
3
Y
A gyakorlatban sokkal nagyobb jelentsge van a H-paramtereknek. A paramterek

lersakor az e index a kzs emitteres kapcsolsra vonatkozik (a kisbet pedig a kisjel
paramterre utal).
dU BE h11e h12 e dI B
dI = h
h22 e dU CE
e
C 12142
43
H
sszehasonlthatjuk a hibrid- paramtereket a H-paramterekkel:
U CE = lland
rBE h11e
U CE = lland
h11e =
U BE
I B
rBE =
U BE
I B
h12 e =
U BE
U CE
r =
U BE
U CE
I B = lland
r h12 e
I B = lland
U CE = lland
h21e
I C
=
I B U = lland
CE
h21e =
I C
I B
h22 e =
I C
U CE
rCE =
U CE
I C
U BE = lland
1
rCE
h22 e
U BE = lland
35
Hibrid-paramteres helyettestkp:
h11e
b
h21e iB
ube iB
e
c
1 u
ce
h22e
e
h12e uCE
A visszahats elhanyagolsval az alacsony frekvencis H-paramteres helyettestkp::

b
ube
iB
h11e
2.3.5.
c
1 u
ce
h22e
e
h21e iB
h12e uCE
Specilis tranzisztorok
Hromrteg tranzisztor struktrval tbb eltr tulajdonsg flvezett is kialaktottak. A

Legelterjedtebb tranzisztoron kvl, pl. ide tartozik a Darlington-tranzisztor, Schottkytranzisztor, fototranzisztor (az optoelektronikai fejezetben trgyaljuk) s az egytmenet
tranzisztor (UJT, a teljestmnyelektronikban trgyaljk).
2.3.5.1. Darlington-kapcsols
ramkri jele:
Gyakran elfordul, hogy egy tranzisztor ramerstsi tnyezje nem elgend pl.
teljestmnyerstk, tpegysgek, stb.- gy a tranzisztorokat egyms utn ktve megnvelt
ramerstst hozunk ltre. A Darlington-kapcsols, amelynek egy tokban megvalstott
ramkri reprezentcija a Darlington-tranzisztor, alkalmas ilyen elrendezs
megvalstsra. Darlington-kapcsolst teht meg lehet valstani diszkrt tranzisztorokkal
vagy egy tokban gyrtott Darlington-tranzisztorral is. Nagyobb teljestmnyek esetn nem
kt, hanem hrom tranzisztorral ptnk fel Darlington kapcsolst hasonl elven.
Darlington-kapcsols:
IB1
B
C
IC1
IC2
T1
IB2
T2
E
IC
IE
36
I C = I C1 + I C 2 = B1 I B1 + I B1 (B1 + 1)B2 = I B1 (B1 + (B1 + 1)B2 ) I B1B1B2

Bered B1B2
ered 12
rBEered 2rBE1
rCEered
2
rCE 2
3
Problmk:
a)
lineris zem:
Az UBEered=UBE1+UBE2, ami nagyobb, mint egy tranzisztor esetn, ez

azonban a gyakorlatban nem jelents problma
Kis ramokkal trtn vezrls esetn nagy a nemlinearts, mert

IB1
IB2
IB2M
IB1M
I B1M
I
= B2M
B1 + 1
UBE1
UBE2
kis kivezrls esetn, az els tranzisztor a bemeneti

karakterisztikjnak nemlineris szakaszn mkdik, ami jelents
torztst okoz.
Megolds: az els tranzisztort elfeszteni egy ramgenertorral a
T1 T2
B
D nyits, azaz a karakterisztika lineris szakasznak hatrra. Ezt a
gyakorlatban egy ellenllssal oldjuk meg, amit a 2. tranzisztor
R
bzis-emittere kz ktnk. Mivel ez a feszltsg alig vltozik az
ram fggvnyben (a karakterisztika nagy meredeksge
E
I0
kvetkeztben), gy az ellenllson kzel lland ram folyik t. A
D dida a fordtott polarits feszltsget akadlyozza meg a tranzisztoron, ami az inverz
zem miatt tnkre teheti a flvezett. Ez a Darlington tranzisztorba gyrilag be van
integrlva, de ersen induktv terhels esetn kvlrl is kapcsolhatunk egy vd (clamp)
didt a CB kz.
C
b)
kapcsolzem
A tranzisztor ered szaturcis feszltsge: U CEsat = U CEsat1 + U BE 2 lnyegesen nagyobb,

mint egy tranzisztor szaturcis feszltsge. Ez jelents vesztesgi teljestmnyt okoz
nagyobb ramoknl. ( Pd = U CEsat I C ) Ez ellen gyakorlatilag nem lehet vdekezni, jabban
inkbb teljestmny MOSFET-eket alkalmazunk Darlington tranzisztor helyett.
Komplementer (komposit) Darlington kapcsols:
Kt klnbz, pnp s npn, tranzisztorbl felptett Darlington kapcsols, ahol az

ramirnyok miatt az ered tranzisztor fajtjt a meghajt tranzisztor szabja meg (pnp a
jelenlegi sszelltsban). Lehetsges npn meghajt s pnp nagyram tranzisztor
kombincija is. Eredben ez npn tranzisztort eredmnyez, azonban a fenti elrendezs
37
gyakoribb, mivel az elektronok nagyobb mozgkonysga miatt a fenti modellel nagyobb

sebessg alkatrszhez jutunk, mint pnp Darlington kapcsolssal. Klnsen gyakran
alkalmazzk a komposit tranzosztort integrlt formban, pl. mveleti erstk vgfokozata,
stb..
E
IE
IC1
IB1
B
T1
IB2
T2
C
IC
Paramterek:
Bered B1B2
ered 12
rBEered rBE1
rCEered
1
rCE 2
2
A szaturcis feszltsg ugyanakkora, mint az elbb, de a nyitshoz szksges feszltsg

kisebb (UBE1).
2.3.5.2. Shottky-tranzisztor
A Shottky-tranzisztor mkds szempontjbl helyettesthet egy Shottky-dida s egy

tranzisztor kombincijval. A didt a CB kz zrirnyba kapcsoljuk. Teltses
zemmdban a CB dida kinyitna, azonban a Shottky dida -lnyegesen kisebb
nyitirny feszltsge miatt- elbb nyit ki, gy nem enged tltst felhalmozni a CB
tmenetben. Ez azt eredmnyezi, hogy a tranzisztornak nem lesz tltstrolsi ideje
(legalbbis a CB tmenetben felhalmozott tltsek miatt nem), ami jelentsen megnveli
azt a frekvencit, amivel a tranzisztort kapcsolgatni lehet. A Shottky-dida a fm-flvezet
tmenet miatt kevs tltshordozt halmoz fel, ami gyors mkdst tesz lehetv. Az gy
kapott eszkzt Schottky-tranzisztornak nevezzk s elssorban a digitlistechnikban
hasznljuk gyors ramkrkben (STTL).
Jellse:
38
2.3.6.
Tranzisztor mkdse lineris zemben
A tranzisztor lineris zemben a bemeneti karakterisztika egyenes szakaszn s a kimeneti

karakterisztika aktv tartomnyban (ltalban annak kzepn) zemel. Ahhoz, hogy ebbe
az zemllapotba hozhassuk a tranzisztort munkapont-belltsra van szksg.
2.3.6.1. Tranzisztor kis- s nagyjel mkdse
Vizsgljuk meg a tranzisztor mkdst lineris zemben (egyelre a munkapont-bellt

kapcsolsok nlkl) felttelezve, hogy a tranzisztor bzisa valamilyen mdon olyan
feszltsget kap (UBEM), amely a kapcsolst a lineris tartomnyba vezrli. Jelljk M
betvel a munkaponti adatokat.
Ut
RC
iC
Cki
uki=uCE
ube
Rt
uBE
Els megkzeltsben hanyagoljuk el a kimeneti terhels (Rt) s a kimeneti
csatolkondenztor (Cki) hatst, azaz a kimenet mkdjn resjrsban.
Legyen ube=UBEM+uv! Az UBEM egyenfeszltsg, amely a tranzisztor munkapontba
lltshoz szksges, az uv egy tetszleges alak (egyen- vagy vltakoz ram) vezrl
jel, amely a munkapont-bellt feszltsgekhez kpest kisebb (legalbbis annyira, hogy a
tranzisztor minden idpillanatban a lineris szakaszon mkdjn).
Hatrozzuk meg, hogy mekkora legyen az UBEM, hogy a linearts fennlljon s a
kivezrelhetsg (az a vezrljel, amelynl a kapcsols mg linerisan mkdik)
maximlis legyen.
A kapcsols feszltsgei s ramai:
ube = U BEM + uv
u BE = ube
iB = f (u BE )
iC = f (iB )
U t = iC RC + uCE
uki = uCE
Az albbi bra s a fenti egyenletek alapjn meghatrozhatjuk a kapcsols nagyjel s
kisjel viselkedst grafikusan:
a) Az UBEM kijell egy munkapontot a bemeneti karakterisztikn (IBM).
b) Az IBM s a (statikus) munka egyenes metszspontja kijelli a munkapontot a
kimeneti karakterisztikn.
c) Az UCM s az ICM a munkaponti feszltsg s ram a karakterisztika alapjn
kiaddik.
A kapott munkapontoknak ki kell elgtenik az albbi kvetelmnyeket:
i) a bemeneti s a kimeneti karakterisztika lineris szakaszn kell elhelyezkednik,
39
ii) elegenden tvol kell, hogy legyenek a nemlineris tartomnyok hatraitl ahhoz,
hogy a vezrljel hatsra vltoz pillanatnyi munkapont (az brn ketts nyllal
s vastagtott vonallal jelltk) ltal meghatrozott ramok s feszltsgek egyetlen
pillanatban se rjk el a nemlinearts hatrt,
iii) a munkaponti ramoknak kellen kicsinek kell lenni ahhoz, hogy a kapcsols
vesztesge a mindenkori feladathoz illeszkeden kicsi legyen.
A fenti egyenletek alapjn grafikusan brzolhatjuk a kapcsols viselkedst a bemeneti
s a kimeneti karakterisztikkon (statikus munka egyenes):
Lineris tartomny
IC
IB5
ICmax
IB
iB
IB4
Ut/RC
Lineris
tartomny
IBM
IB3 Pdmax
IBM
ICM
IB2
IB1
IB=0
IB0
UCE
ICE0
UBE
UBEM
UCEsat
UCEM
Ut
ube
UCEmax
uki
A kapcsols mkdse:
a) Nagyjel mkds: az UBEM kijelli a munkapontot a bemeneti karakterisztikn s ezzel
meghatrozza az IBM munkaponti bzis ramot is. A munka egyenes s a munkaponti bzis
ram kijelli a munkapontot a kimeneti karakterisztikban s ezzel kijelli a munkaponti
UCEM s ICM rtkeket.
b) Kisjel mkds: vezreljk egy szinuszos jellel a bemenetet az bra szerint. Ekkor a
bemeneti karakterisztikn a bzis ram pillanatnyi rtke szinuszosan vndorol a
vastagtott nylnak megfelelen. A pillanatnyi bzisram a munka egyenesen is egy
szinuszosan mozg pillanatnyi munkapontot jell ki, amely a kollektor-emitter feszltsget
(ami egyben a kimeneti feszltsg is) szintn szinuszosan fogja vezrelni.
Azt a maximlis bemeneti feszltsget illetve ennek kvetkeztben fellp maximlis
kimeneti feszltsget nevezzk a maximlis kivezrelhetsgnek, melynl a jel torzulsa
nem szlelhet illetve egy megadott rtket nem lp tl. Lineris (erst) zemben a jel
minden idpillanatban a kivezrelhetsg hatrn bell kell, hogy legyen! Amennyiben a
munkapontot a lineris tartomnyok kzepre vesszk, akkor szinuszos vezrljel esetn
elvileg a kivezrelhetsg maximlis lesz. Azrt elvileg csak, mert a kimeneti terhels
megvltoztathatja a lineris tartomny hatrait (dinamikus munka egyenes).
40
A kimenetre kapcsolt a kimeneti ellenllssal sszemrhet- kimeneti terhels (Rt)

hatsa (dinamikus munka egyenes):
A munkaponti rtkeket a terhels (kondenztoros levlaszts estn) nem befolysolja,

mivel a kondenztor egyenramon szakadsknt viselkedik!
Ha az Rt>>Rc , akkor a dinamikus s a statikus munka egyenes egybe esik
(feszltsgerstk)
Ha az Rt<<Rc, akkor a dinamikus munka egyenes jelentsen eltr a statikus munka
egyenestl (ramerstk)
Ha az RtRc , akkor a dinamikus munka egyenes eltr a statikus munka egyenestl
illetve gyakran a terhels egyben a munkaellenlls is (pl. teljestmnyerstk)
Az brn bejellsre kerlt a pillanatnyi munkapont vltozsa, valamint a kivezrelhetsg
vltozsa szinuszos vezrljel esetn.
Lineris tartomny (terhels nlkl)
IC
Lineris tartomny (terhelssel)

IB5
ICmax
1/(RC*Rt) meredeksg egyenes,
dinamikus munka egyenes
IB4
1/RC meredeksg egyenes,

ICM
statikus munka egyenes
IB3 Pdmax
IBM
IB2
IB1
IB=0
IB0
UCE
ICE0
UCEsat
uki terhels nlkl
UCEM
Ut
UCEmax
uki terhels esetn
Hmrsklet hatsa a munkapontra (lland feszltsggel trtn munkapont-bellts

esetn):
A nvekv hmrsklet (T2>T1) hatsra az IB ersen megn (a meredek karakterisztika

miatt) IC ersen megn munkapont eltoldik a munka egyenesen a
kivezrelhetsg jelentsen lecskken (szls esetben a kollektor feszltsg valamelyik
szls helyzetbe toldik. A hmrsklet ugyanarra a bemeneti krre hat, mint a vezrl jel
(uBE), a kapcsols gy viselkedik, mint hasznos jellel trtn vezrls esetn. Cskken
hmrsklet esetn a folyamat ugyangy csak fordtott eljellel jtszdik le.
A hmrsklet hatst csak munkapont stabilizlssal (pl. negatv visszacsatolssal lehet
cskkenteni).
41
IC
IBM(T2)
IB5
IB
IB4
IBM(T2)
IB3 Pdmax
M(T2)
M(T1)
IBM(T1)
IB0
ICE0
UBEM
IBM(T1)
IB2
IB1
IB=0
UCE
UBE
A munkapontba lltott tranzisztoros elvi kapcsols egyenram (nagyjel) viselkedse

szmolssal:
I BM = f (U BEM )
I CM = BI BM
U CEM = U t I CM RC
Az elvi tranzisztoros kapcsols viselkedse (kisjel) lineris zemben szmolssal:
A kapcsols viselkedshez a tranzisztor kisjel helyettest-kpt hasznljuk fel. A

meghatrozand kisjel paramterek:
a bemeneti ellenlls Rbe,
a kimeneti ellenlls Rki,
a feszltsgersts Au.
A kls alkatrszeket beillesztjk a tranzisztor kisjel helyettest-kpbe, figyelembe
vve, hogy a tpfeszltsg-pontok kisjel szempontbl fldpontnak szmtanak. Ezt tbb
mdon is bizonytani lehet, de az egyik legegyszerbb a szrkondenztorok hatsnak
vizsglatn keresztl trtnik:
+
XC =
1
0 >> 0
C
A kondenztor reaktancija -megfelel mretezse esetn (ez mretezsi szempont)- az

adott frekvencia tartomnyban tart a nullhoz.
A fenti megllapts alapjn a kollektor ellenlls egyik pontjt a helyettestkp kollektor
pontjhoz, mg a msikat a fldponthoz (vonatkoztatsi ponthoz, jelen esetben az
emitterhez) kell ktni, mivel az emitter kzvetlenl a fldpontra van ktve.
ibe
ube
uBE
B
rBE
E
iB
SuBE
vagy
i B
C
rCE
uCE
RC uki
E
42
Feszltsgersts:
u BE = ube
uki = Sube (rCE RC )
Au = S (rCE RC )
Figyeljk meg, hogy a kapcsols (kzs emitteres) fzist forgat (180) a bemeneti jelhez
kpest. Ezt egy egyszer gondolat sorral is leellenrizhetjk: emeljk meg gondolatban a
bzisfeszltsget, akkor a bzisram is megn, amitl a kollektor ram is megn, gy a
kollektor feszltg cskken, azaz nvekv bemeneti feszltsgre cskken kimen
feszltsggel reagl.
Bemeneti ellenlls:
ibe = iB , ube = u BE
Rbe =
ube u BE
=
= rBE
ibe u BE
rBE
Kimeneti ellenlls:
Rki =
uki Sube (rCE RC )

= rCE RC ,
=
ikiz
Sube
ahol uki az resjrsi kimeneti feszltsg, ikiz a kimeneti zrlati ram.

(Ha mrssel llaptjuk meg a zrlati ramot, akkor termszetesen sohasem rhetjk el a
zrlati llapotot, mert az eszkz tnkremegy. Ilyenkor csak a nvleges terhelhetsgig
terheljk a kimenetet, de felttelezzk a lineris viselkedst a tovbbi ramokra egszen a
zrlatig!)
Vltakoz ram paramterek, ha a kimenetet Rt ellenllssal terheljk:
A bemeneti s a kimeneti ellenlls nem vltozik, egyrszt mert a kimenet visszahatsa a
bemenetre elhanyagolhat, msrszt a kimeneti ellenlls terheletlen kimenetre
rtelmezett, gy nem befolysolja a terhels a kimeneti ellenllst.
Az ersts azonban megvltozik, mert a kt kimeneten lev ellenllssal egy harmadik
kapcsoldik prhuzamosan:
Au = S (rCE RC Rt )
Hmrsklet hatsa:
A hmrsklet a tranzisztor UBE feszltsgt vltoztatja, gy ugyanazon a ponton s
ugyangy vezrli a kapcsolst, mint a vezrljel. Ennek megfelelen az ersts a
hmrskletre megegyezik a kisjel erstssel, ami a gyakorlat szmra htrnyos.
Klnsen nagy problmt okoz ez abban az esetben, ha a vezrljel is egyenram
(egyenram erstk), mivel ilyenkor nem lehet megklnbztetni a hasznos jelet s a
hmrsklet miatti hibajelet egymstl. A hmrsklet-vltozs hatsnak cskkentse
elssorban negatv visszacsatolssal lehetsges.
43
2.3.6.2. Munkapont-bellt kapcsolsok
A tranzisztor munkapontjt be lehet lltani a bementre adott feszltsggel vagy bzis

rammal. A munkapont-bellt kapcsolsok mindhrom tranzisztoros alapkapcsolsra
azonosak.
Az albbiakban az alap munkapont-bellt kapcsolsokat vizsgljuk. A gyakorlatban
alkalmaznak egyb, specilis ignyeket kielgt munkapont-bellt kapcsolsokat is a
klnlegesen nagy vagy ppen kicsi bemeneti ellenlls belltsa rdekben, pl. feszltsg
utnhz (boot strap), stb.
2.3.6.2.1
Munkapont-bellts bzisosztval
Ut
RC
R1
iC
Cs2
Cs1
ube
uBE
R2
uki=uCE
Rt
UB
Nagyjel mkds:
A Cs1 s Cs2 csatolkondenztorok feladata a kapcsols egyenram levlasztsa a
meghajt genertortl s a terhelstl.
Mretezsi szempont, hogy az R1 s R2 ellenllson tfoly ram (bzisoszt rama, Io)
sokkal nagyobb legyen, mint a munkaponti bzisram azrt, hogy a tranzisztor ne terhelje
az osztt. (Ellenkez esetben az oszt kimeneti feszltsge fgg a tranzisztor mindenkori
paramtereitl, gy ers hmrskletfggs lphet fel.)
U B Ut
Io
R2
R1 + R2
Ut
R1 + R2
U BEM = U B
I BM = f (U BEM ), de I o >> I BM
I CM = BI BM
U CEM = U t I CM RC
A kisjel viselkeds:
B
ube
R1 R2 uBE rBE SuBE

E
C
rCE
uCE
RC uki
Rt
44
A bzisoszt alkatrszeit az elz fejezetben trgyaltak szerint beillesztjk a tranzisztor

kisjel helyettest-kpbe. Vegyk figyelembe, hogy a tpfeszltsg-pontok kisjel
szempontbl fldpontnak szmtanak s a csatol kondenztorok az adott frekvencia
tartomnyban (helyes mretezs esetn) rvidzrnak tekinthetk.
Feszltsgersts:
u BE = ube
uki = Sube (rCE RC Rt )
Au = S (rCE RC Rt )
Az ersts az alapkapcsolshoz kpest nem vltozik.
Bemeneti ellenlls:
Rbe =
ube
ube
=
= rBE R1 R2
u
u
u
ibe
be
+ be + be
rBE R1 R2
A bzisoszt miatt a bemeneti ellenlls lecskken.
Kimeneti ellenlls:
Rki =
uki Sube (rCE RC )

=
= rCE RC
ikiz
Sube
A kimeneti ellenlls az alapkapcsolshoz kpest nem vltozik.

A kapcsols hmrsklet hatsra jelentsen vltoztatja a munkapontjt. Ez ugyan a
vltakoz ram vezrljelet nem befolysolja, de a munkapont vndorls rvn a
kapcsols knnyen a nemlineris szakaszon kezd dolgozni, esetleg szlssges esetben
egyik irnyban nem is lehet kivezrelni (vg a kapcsols).
Munkapont vndorls
belltsnl:
hmrsklet
nvekedsre
feszltsgoszts
IC
IB
munkapont-
IB5
T1=25 C
IB4
IBM(T2)
T2>T1
IBM2(T2)
M(T2)
M(T1)
IBM1(T1)
IB3
IBM(T1)
IB2
IB1
ICE0
UBEM
UBE
IB0
UCE
Kivezrelhetsg (T2)
Kivezrelhetsg (T1)
45
A munkapont-vndorls mr kis hmrsklet nvekeds esetn is jelentsen lecskkentheti

a kivezrelhetsget. A folyamat cskken hmrskletre ugyangy jtszdik le, csak
ellenkez irnyban.
2.3.6.2.2
Munkapont-bellts bzisrammal
Ut
RC
R1
Cs1
iC
Cs2
IB
uBE
ube
uki=uCE
Rt
Nagyjel mkds:
A munkaponti bzisramot az R1 ellenlls lltja be. Az UBE feszltsg fgg a
bzisramtl, de a bzisram is fgg az UBE feszltsgtl az albbi sszefggsek szerint.
I BM =
U t U BEM
R1
IBM s UBEM meghatrozhat szmolssal vagy

grafikusan
U BEM = f ( I BM )
I CM = BI BM
U CEM = U t I CM RC
A kisjel viselkeds:
ube
R1 uBE rBE SuBE
Feszltsgersts:
C
rCE
uCE
RC uki
Rt
u BE = ube
Au = S (rCE RC Rt )
Az ersts az alapkapcsolshoz kpest nem vltozik.
Bemeneti ellenlls:
Rbe =
ube
ube
=
= rBE R1 rBE
ibe ube + ube
rBE R1
A bemeneti ellenlls gyakorlatilag az alapkapcsols bemeneti ellenllsval egyezik meg,

mivel vals adatok esetn R1>>rBE .
46
Kimeneti ellenlls:
Rki =
uki Sube (rCE RC )

= rCE RC
=
ikiz
Sube
A kimeneti ellenllst a munkapont-bellt kapcsols nem befolysolja.
Hmrsklet hatsa:
A kapcsols ersebben hmrskletfgg, mint az elz kapcsols, mivel a hmrsklet
kt paramteren keresztl is befolysolja a munkapont rtkt: UBE s az UBE miatt az IB is
fgg a hmrsklettl.
2.3.6.2.3
Munkapont-bellts bzisrammal egyenram

visszacsatolson keresztl
Ut
RC
R1
Cs1
iC
uBE
ube
Cs2
uki=uCE
Rt
Megjegyzs a negatv visszacsatolsokat rszletesen az erstk fejezetben trgyaljuk.
Nagyjel mkds:
A munkaponti bzisramot az R1 ellenlls lltja be a kollektorrl negatv
visszacsatolssal. Az UBE feszltsg fgg a bzisramtl, de a bzisram is fgg az UBE
feszltsgtl. Ugyancsak fgg az UCE feszltsg a kollektor ramtl, ami viszont a
bzisramtl fgg az albbi sszefggsek szerint. A munkapont meghatrozsa az
egyenletek alapjn grafikusan vagy kzeltsekkel szmolssal lehetsges.
I BM =
U CM U BEM
R1
U BEM = f ( I BM )
U CM = U CEM
I CM = BI BM
U CEM = U t I CM RC
A kisjel viselkeds:
R1
i
ube
uBE rBE SuBE

E
C
rCE
uCE
RC uki
Rt
E
47
Ahhoz, hogy a paramtereket meg tudjuk hatrozni az R1 ellenllst le kell

transzformlnunk a bemenetre s a kimenetre. A transzformls alapja, hogy a feszltsgek
s az ramok a kapcsolsban a transzformls utn se vltozzanak meg.
Feszltsg s ram szempontjbl a fenti kapcsolssal ekvivalens kapcsols:

B
ube i
uBE rBE SuBE

R1
E
C
rCE
uCE
RC
i
R1
uki
Rt
Vegyk figyelembe, hogy az ersts negatv (az uki fzisa 180-ra van az ube fzistl) a
kzs emitteres kapcsolsoknl.
i' =
1 + Au
1 Au
ube uki ube Au ube
=
= ube
= ube
R1
R1
R1
R1
R1 ' =
ube
R1
=
i ' 1 + Au
R1 ' ' =
uki
=
i'
ube Au
Au
= R1
R1
1 + Au
1 + Au
ube
R1
Megjegyzs:
A fenti sszefggsek az elektronika egy rdekes jelensgre a Miller effektusra- is
rmutatnak.
Legyen a kollektor s a bzis kztt ellenlls helyett kondenztoros visszacsatols a
kapcsolsban (ez tnylegesen mindig van a tranzisztor CCB kapacitsa miatt). Vizsgljuk
meg a kondenztor hatst a bemenetre!
A fentiek alapjn ltalnosan rhat, hogy a bemenetre transzformlt impedancia:
Z '=
Z
1 + Au
Z =
1
C
Z' =
1
1
=
C (1 + Au ) C '
C ' = C (1 + Au )
A kondenztor hatsa az erstsnek megfelelen jelentsen megnvelhet. A bemenet gy

rzkeli, mintha egy lnyegesen nagyobb kondenztor lenne ott. Ezt a jelensget az
elektronika szmtalan kapcsolsban felhasznljuk, pl. Miller genertor, frekvenciakompenzls, integrlt kapacitsok hatsnak nvelse, stb., de kros az erstk fels
48
hatrfrekvencija szempontjbl. Ez az egyik oka, amirt nem lehet tetszlegesen nagy

erstst elrni egy erst fokozattal (tbb egyb ok is van!).
Feszltsgersts:
Az ersts kiszmtsnl vegyk figyelembe, hogy a gyakorlatban R1>>rCE, RC.
u BE = ube
Au = S (rCE RC Rt )
Az ersts az alapkapcsolshoz kpest nem vltozik, gy ennek a visszacsatolsnak nincs
hatsa a feszltsgerstsre. (Ksbbiekben ltni fogjuk, hogy ez egy prhuzamos
feszltsg tpus visszacsatols, aminek valban nincs hatsa a feszltsgerstsre csak az
ramerstsre!)
Bemeneti ellenlls:
Rbe =
ube
ube
R1
=
= rBE
ibe ube + ube
1 + Au
rBE R1 '
Az R1 ugyan nagy, de nagy ersts esetn a transzformlt R1 kicsi lehet, gy nem lehet
elhanyagolni. A bemeneti ellenlls cskken az elz esethez kpest.
Kimeneti ellenlls:
Rki =
uki Sube (rCE RC )

=
= rCE RC
ikiz
Sube
A kimeneti ellenllst ez a visszacsatols lnyegben nem befolysolja, mivel R1

lnyegesen nagyobb, mint rCE vagy RC.
Hmrsklet hatsa:
Az alkalmazott kapcsols egyik nagy elnye, hogy a hmrsklet hatst a munkapontra
cskkenti az albbiak szerint. Ttelezzk fel, hogy n a hmrsklet:
TUBEIBICUCEIB
hmrsklet hatsa
kvetkezmny
A kapcsols a hmrskletnvekeds miatti bzisram nvekedst rszben kompenzlja.

(Teljesen nem lehet kikompenzlni!).
49
2.3.7.
Tranzisztor mkdse kapcsolzemben
A tranzisztort kapcsolzemben gy vezreljk, hogy tartsan vagy csak a teltsi, vagy

csak a lezrsi tartomnyban tartzkodjon. Cl az aktv tartomnyon val minl gyorsabb
thalads. A tranzisztor menetdiagramja teljes lezrs s nyits kztt attl is fgg, hogy a
terhels tisztn ohmos vagy van reaktv rsze is.
Ut
A karakterisztikn feltntettk a tranzisztor pillanatnyi

munkapontjnak mozgst ohmos valamint kapacitiv
RC
iC
terhels esetn. (Induktv terhels esetn a munkagrbe
ugyanolyan, mint kapacitiv terhels esetn csak az irnyok
ellenttesek.) A keletkez vesztesgi teljestmny arnyos a
uki=uCE
ube
munkagrbk ltal bezrt terlettel, amibl ltszik, hogy a
kapcsols vesztesge reaktns terhels esetn a legnagyobb.
A legegyszerbb az ohmos terhels, ezrt a tovbbiakban erre az esetre vizsgljuk a
tranzisztor viselkedst.
IC
ICmax
IB5
Mny
IB4
Ut/RC
IB3 Pdmax
IB2
IB1
ICE0
IB=0
IB0
UCE
Mz
UCEsat
kapacitiv terhels
Ut
UCEmax
Vizsgljuk meg a fenti kapcsolsban, hogy ohmos terhels esetn egy impulzusjellel
vezrelve a tranzisztort, hogyan alakul a kollektor ram idfggvnye. A bemeneti
feszltsget a biztosabb kikapcsols rdekben kis rtkkel a negatv feszltsgtartomnyba vezreljk zrskor.
%
iC
100
90
ube
10
td.tr
ton
tst
tf
toff
50
Bekapcsolsi id (ton):
td
ksleltetsi id
tr
felfutsi id
Kikapcsolsi id (toff):
tst
tltstrolsi id
tf
lefutsi id
A tltstrolsi id oka a bekapcsolskor nyit llapotba kerl C-B tmenet, ami nyitott
llapotban jelents mennyisg szabad tltst halmoz fel s amelyet a lezrs rdekben ki
kell stni. A lezrskor azonban csak kicsi ram folyik, gy a kists hosszabb idt vesz
ignybe.
A be- s kikapcsolsi idk meghatrozzk a tranzisztorok legnagyobb kapcsolsi
frekvencijt. Kifejezetten kapcsolzem alkalmazsokra gyrtanak gyorskapcsol
tranzisztorokat, ahol ezeket az idket a lehet legkisebb rtken tartjk (pl. rekombincis
centrumok ltrehozsval). A digitliselektronikban az alacsony teljestmnyigny s a
nagy sebessg miatt- elssorban Shottky tranzisztorokkal biztostjk a gyors
tkapcsolsokat (illetve nem teltses logika alkalmazsval).
Kapcsolsi idk hatsa a vesztesgekre:
A vges kapcsolsi idk azt eredmnyezik, hogy a tranzisztor kollektor ram s kollektor
feszltsg lefutsa vges meredeksg lesz. A feszltsg s ram szorzata a pillanatteljestmny (pd) amely fgg az albbi bra szerint a kapcsolsi idktl. A tranzisztoron
hv alakul teljestmny a pillanat-teljestmny tlagrtke.
pd
Ut
ICmax
uCE
iC
ICEo
Pd
UCEsat
Az tmenetek alatt jelents teljestmny cscsok alakulnak ki. A frekvencia nvekedsvel

az tlag teljestmny n, ami a tranzisztor fokozott h-terhelst eredmnyezi. A vesztesg
cskkenthet gyorskapcsol tranzisztorok alkalmazsval, illetve lteznek mestersges
kapcsolsok, amivel a feszltsg s az ram tmeneteket egymshoz kpest idben
eltoljk, gy szorzatuk (a vesztesgi teljestmny) cskken. A tranzisztort minden esetben a
biztonsgos mkdsi terleten bell kell tartani (Safe Operation Area, lsd tranzisztor
kimeneti karakterisztika UCEmax, ICmax, Pdmax ltal hatrolt terlet).
51
2.4. Trvezrelt tranzisztor (Field Effect Transistor)

A trvezrelt tranzisztorokat 1952-ben fejlesztettk ki, de sorozatgyrtsa csak a 60-as
vekben kezddhetett meg. Az azta eltelt idben a trvezrelt tranzisztorok rohamosan
nvekv jelentsgre tettek szert az elektronikban, elssorban is integrlt formjukban a
digitlis elektronikban. A diszkrt MOSFET-ek fontos alkalmazsi terlete a
teljestmnyelektronika s a nagyfrekvencis kapcolsok.
A trvezrelt tranzisztorok mkdse alapveten klnbzik a tranzisztor mkdstl.
Ahogy az elnevezse is utal r, vezrlshez nem ram, hanem feszltsg kell.
Mkdsket legegyszerbben gy rthetjk meg, ha a FET-eket vltoz keresztmetszet
ellenllshuzaloknak tekintjk, ahol a vezetk (csatorna) keresztmetszett (s ezzel az
ellenllst) elektromosan lltjuk. A vltoz ellenlls lland feszltsgre kapcsolva,
vltoztatja a csatorna ramat is. A csatorna n vagy p szennyezs lehet.
A trvezrelt tranzisztorokat konstrukcis s egyben mkdsi szempontbl kt f
csoportra oszthatjuk (amelyek lehetnek mind n, mind p csatornsak):
TRVEZRELT TRANZISZTOR
JFET (Zrrteges)
n
csatorns
p
csatorns
MOSFET
kirtses
n
p
csatorns csatorns
nvekmnyes
n
csatorns
p
csatorns
A GaAs alapra gyrtott (elssorban nagyfrekvencis) FET-eket gyakran MESFET-nek

nevezik. A FET-ek (elssorban is a MOSFET-ek) klnsen jl integrlhatk, gy a
modern analg s digitlis elektronika integrlt ramkreinek jelents rszben
elfordulnak, alkalmanknt keverve rteg-tranzisztorokkal. Az ilyen vegyes aktv
alkatrszkszletet tartalmaz ramkrk (pl. BiCMOS) kihasznljk a mindkt
ramkrfajtban rejl elnyket.
2.4.1.
Jellse:
Zrrteges FET (JFET)
D
G S
D
G
n csatorns
p csatorns
Az elektrdk elnevezse:
D (drain)
nyel
S (source)
forrs
G (gate)
vezrl/kapu
A mkdst az n csatorns JFET mkdsn keresztl vizsgljuk, de a tpfeszltsgek
polaritsnak felcserlsvel, a polarizlt kondenztorok polaritsnak megfordtsval
52
illetve a magyarzatokban az elektron sz felcserlsvel lyukra, a kapcsolsok s

magyarzatok kiterjeszthetk p csatorns FET-re is.
2.4.1.1. JFET mkdse
Ttelezznk fel egy rd formban kialaktott (a valsgban sohasem ilyen) homogn

mdon szennyezett, n szennyezs csatornt, amelyre merlegesen kialaktanak egy p
szennyezs rteget. Kapcsoljunk zr irny feszltsget a pn rtegre (UGS<0). A zr
irny feszltsg miatt a hatrfelleten egy kirtett rteg alakul ki, amelyben a
tltshordozk koncentrcija alacsony. A kirtett rteg vastagsga a csatorna vastagsgt
(w) befolysolja, gy kzvetve befolysolja a csatorna ellenllst is. Amennyiben az n
rteg kt vgre konstans feszltsget kapcsolunk, akkor az ram is cskken a nvekv
ellenlls miatt, azaz a vezrlelektrdra kapcsolt feszltsg vezrli a csatorna ramt. A
kirtett rtegbe nagyon kicsi ram folyik (zr irnyba van kapcsolva), gy a vezrls
gyakorlatilag feszltsggel (elektromos trrel) trtnik.
kirtett
rteg
p rteg
(source) S
n rteg
D (drain)
G (gate)
UGS
UDS
A kirtett rteg nem szimmetrikus, mivel az UGS feszltsg lnyegesen kisebb, mint az
UDG (=UDS+UGS) feszltsg. A drain fell a csatornt elzrni nem lehet, mert a nagy
UDG feszltsg miatt a szkl csatornban fellp klnsen nagy trer megakadlyozza
az elzrdst (a trer legyzsre minden hatron tl nvekv feszltsg kellene).
UGS=0 esetn a csatorna a legszlesebb, gy ellenllsa a legkisebb. Ekkor folyik a
legnagyobb ram (teltsi vagy szaturcis ram, IDSS).
Egy adott Up=UGS (pintch off/elzrdsi) feszltsgnl a csatorna elzrdik. Azrt tud a
csatorna a gate fell elzrdni, mert a feszltsg kzvetlenl a pn rtegre hat, gy kisebb
feszltsg kell az elzrdshoz s nem alakul ki akkora trer, mint a msik oldal fell, gy
az nem akadlyozza az elzrdst.
A kirtett rteg vastagsga fgg a hmrsklettl is (a hmrsklet ltal generlt tltsek
miatt). A FET ennek kvetkeztben ersen hmrskletfgg. Elnys azonban, hogy
FET-nek van egy hmrsklet-fggetlen munkapontja (br ez ersen elmleti rtk,
ltalban a katalgusok sem tartalmazzk). A FET-et ebben a munkapontban zemeltetve
nem lesz rzkeny a hmrskletre.
Elnys tulajdonsga a FET-nek, hogy alacsony a zaja, mivel nincs potencilgt (rteg
tmenet) a mozg tltshordozk tjban, gy nem keletkezik srtzaj. A termikus s a
flicker zaj tovbbra is fellp.
A FET-eknl a ngy ngyplus jellemz kzl (bemeneti s kimeneti karakterisztika, s a
ki s bemenet fell rtelmezett transzfer karakterisztika) kt jellemzt rtelmeznk, mivel
gyakorlatilag olyan nagy bemeneti ellenllssal rendelkeznek, hogy azt nem kell
figyelembe venni (vagy csak extrm alkalmazsokban). gyszintn elhanyagoljuk a
53
kimenet visszahatst a bemenetre (hasonlan a tranzisztorhoz). gy a FET-ek kt

karakterisztikval jellemezhetk, a transzfer karakterisztikval s kimeneti
karakterisztikval. (Ezek a megllaptsok fokozottan rvnyesek a MOSFET-ekre is.)
2.4.1.2. JFET karakterisztikk, paramterek
A JFET transzfer karakterisztikja:
IDS
IDSS
n csatorns
UGS
Up
p csatorns
A karakterisztika jellemzje, hogy az IDSS s az UP rtke ersen szr azonos tpus FET
esetn is (gyakran 1:10 arnyban), ami a precz ramkr-tervezst megnehezti.
A karakterisztika hfokfggse:
IDS
T1
T2
T3
IDZ
UGS
IDZ a hmrsklet-fggetlen munkapont.
A karakterisztika matematikai kzeltse:
I DS
U
= I DSS 1 GS
UP
Megjegyzs: A kpletbe mind az UGS, mind az UP rtkt eljelhelyesen kell

behelyettesteni, pl. n csatorns esetn negatv eljellel.
A karakterisztika meredeksge:
S=
I DS
U GS
=
U DS = lland
S max (U GS = 0) =
2 I DSS
UP
U GS
1
UP
2 I DSS
UP
54
A meredeksg nemlineris, a maximlis rtkt az UGS=0 esetn veszi fel.

Kimeneti karakterisztika (n csatorns):
UGS1>UGS2>UGS3>UGS4>UGS5>UGS6
IDS
IDSmax
Pdmax
UGS1=0
UGS2
I.
UGS3
II.
UGS4
UGS5
UGS6
UDS
Uk=UGS-Up
UDSmax
A kimeneti karakterisztika kt tartomnyra oszthat:

I Elzrds-mentes (nhny szakirodalomban ohmikus vagy trida) tartomny
II Elzrdsos (nhny szakirodalomban teltsi) tartomny
A tartomnyok hatrt az Uk knyk-grbe rja le.
Figyeljk meg, hogy -ellenttben a tranzisztorral- az elzrds-mentes tartomnyban a
grbk nem azonos irnytangensek, hanem minden grbe ms s ms irnytangenssel
rendelkezik. Ez teszi lehetv, hogy a FET-et, mit vezrelt ellenllst hasznljuk (lsd
ksbb rszletesen.)
Az elzrdsi tartomnyban a JFET lineris erstknt alkalmazhat (aktv tartomny), a
jellemz paramter a meredeksg (S) s a csatorna ellenlls:
rDS =
U DS
I DS
U GS = lland
A FET nagyfrekvencis helyettestkpe:
Cgd
d
g
ugs Cgs
Sugs
rds
uds
s
s
A Cxx szrt kapacitsok az adott rtegek kztt. A rendkvl nagy bemeneti ellenllst
elhanyagolhatjuk a helyettestkpbl.
A FET kisfrekvencis helyettestkpe:
d
g
ugs
Sugs
rds
uds
Kisfrekvencin a gyrts miatt keletkez szrt kapacitsok hatsa elhanyagolhat.
55
2.4.1.3. A JFET lineris zeme
A FET lineris zemben ugyangy erstsre hasznlhat, mint a tranzisztor. Alapvet

klnbsg a flvezet eszkz meredeksgben, zajban s nagyfrekvencis viselkedsben
van. A tranzisztor ugyanolyan krlmnyek (UCE=UDS, IC=IDS) esetn jelentsen (tipikusan
egy nagysgrenddel) nagyobb meredeksggel rendelkezik, mint a FET. A tranzisztor zaja
azonban a ksbb trgyaland srtzaj miatt- jelentsen nagyobb. A nagyfrekvencis
tulajdonsgai a FET-nek ltalban kedvezbbek (elssorban is a GaAs MESFET-nek),
mint a Si-tranzisztoroknak (a Ge-alap tranzisztorok kedvez nagyfrekvencis
tulajdonsgokkal rendelkeznek).
Ugyanazok a szablyok rvnyesek a p csatorns JFET kapcsolsokra az n csatornshoz
kpest, mint a pnp tranzisztoros kapcsolsokra az npn tranzisztoros kapcsolsokhoz kpest,
gy a tovbbiakban csak az n csatorns JFET kapcsolsokkal foglalkozunk.
A JFET-et ugyangy s hasonl okok miatt- munkapontba kell lltani, mint a
tranzisztort. Az alapvet klnbsg, hogy a FET rammal nem vezrelhet, gy csak a
feszltsggel trtn munkapont-bellts jhet szba.
A FET kapcsolsoknl meg kell jegyezni, hogy a transzfer karakterisztika nagyfok
hmrsklet-fggse miatt (IDSS s UP is nagy tartomnyban vltozhat) az albbi
sszefggsek alapjn megtervezett kapcsolsok bizonytalanul mkdhetnek a
hmrsklettl s a JFET paramter-szrstl fggen!
+Ut
R1
RD
Cki
RG
RS
Cbe
ube UG
uki
CS
US
A CS kapacits feladata az RS ellenlls kisjel negatv visszacsatolsnak
megakadlyozsa (hidegt kondenztor), mivel vltakoz jel esetn az impedancija
kzel nulla lesz s gy kisjel vagy vltakoz ram szempontbl kisntli az RS-t. A
bemeneten s a kimeneten lev kt csatol kondenztor a kapcsols egyenram
levlasztsra szolgl a meghajt s a terhel ramkr fel.
A) Nagyjel viselkeds szmolssal s grafikusan:
UG = Ut
RG
RG + R1
U S = I DS RS
U GS = U G U S = U t
RG
I DS RS
RG + R1
2
U
I DS = I DSS 1 GS
UP
U DS = U t I DS (RD + RS )
56
-1/RS
M
UGS1
Ut/(RD+RS)
IDS
IDS
IDSS
U t RG
RS RG + R1
UGS2
UGS3
UGSM
UGS4
UGS
Up
UGSM
UGS5
RG
Ut
RG + R1
Ut
UGS6
UDS
Az RS ellenllssal (a karakterisztika meredeksgn keresztl) s/vagy a feszltsgosztval

llthat a munkapont a megfelel rtkre. Br a kapcsolsban nincs negatv feszltsg,
mgis kialakul a megfelel UGS feszltsg, mivel a kapcsols -kihasznlva a FET specilis
transzfer karakterisztikjt- nszablyoz mdon bell egy stabil munkapontba.
B) Kisjel viselkeds
Az egyenletek megegyeznek a tranzisztor megfelel kapcsolsnak egyenleteivel (Kzs

emitteres kapcsols feszltsgoszts munkapont-belltssal), figyelembe vve azt, hogy a
FET-nek elhanyagolhatan nagy a bemeneti ellenllsa.
g
ube
R1 RG ugs
d
Sugs
rDS
uDS
RD uki
Rt
Bemeneti ellenlls:
Rbe = R1 RG
Feszltsgersts:
u gs = ube
uki = Sube (rDS RD Rt )
Au = S (rDS RD Rt )
Kimeneti ellenlls:
Rki = rDS RD
Az egyenletek hasonlsga ellenre gyakorlati pldk alapjn- megllapthat, hogy a
JFET-es kapcsols bemeneti ellenllsa nagyobb, de erstse kisebb, mint a megfelel
tranzisztoros kapcsols.
A grafikus munkapont-bellt karakterisztikk alapjn megllapthat, hogy a
munkapontot akkor is be lehet lltani, ha a kapcsols nem tartalmaz R1 ellenllst, csak
egy RG gate-hidegt ellenllst (az elektroncsves megfelel kapcsols alapjn szoktk
57
mg gate-levezet ellenllsnak is nevezni). Ez specilis kapcsolsa a FET-eknek, nincs

tranzisztoros megfeleljk.
JFET alapkapcsols gate-levezet ellenllssal.
+Ut
IDS
RD
Cki
Cbe
ube UG
RG
RS
uki
CS
US
A) Nagyjel viselkeds szmolssal s grafikusan:
UG = 0
U S = I DS RS
U GS = U G U S = I DS RS
2
U
I DS = I DSS 1 GS
UP
IDS
UGS1
Ut/(RD+RS)
IDS
IDSS
-1/RS
UGS2
UGS3
UGSM
UGS4
Up
UGS
UGS5
UGSM
Ut
UGS6
UDS
A munkapontot az RS ellenllssal lehet belltani a megfelel rtkre.

B) Kisjel viselkeds
g
ube RG ugs
d
Sugs
rDS
uDS
RD uki
Rt
58
Bemeneti ellenlls:
Rbe = RG
A bemeneti ellenlls igen nagy lehet. Gyakran az RG ellenllst aszerint vlasztjuk meg,
hogy az ellenlls ne legyen nagyobb a szksges rtknl, mert a nagyrtk ellenlls
jelents zajt termel, gy tulajdonkppen lerontjuk a bemeneti ellenllst a kvnt szintre.
Feszltsgersts:
Au = S (rDS RD Rt ) nem vltozott.
Kimeneti ellenlls:
Rki = rDS RD nem vltozott.
2.4.2.
MOSFET
A kt MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field effect transistor) ramkrcsoport

mkdsi elvben annyiban klnbzik, hogy a kirtsesnl a csatornt kls jellel
elszegnytjk tltshordozkban, mg nvekmnyesnl szabad tltshordozkbl
felptjk a csatornt.
Szmos eszkz mkdik a MOSFET-ekhez hasonl elven s struktrban (pl. CCD, CID
ramkrk, stb. lsd Optoelektronika fejezet), de ezeket egyb trgykrkben trgyaljuk.
A MOSFET-ek bemeneti ellenllsa a JFET-hez kpest is sokkal nagyobb, mivel a gate
nincs kzvetlen kapcsolatban vezet rteggel, egy nagyon j szigetel (SiO2) vlasztja el
azt a csatorntl.
A hordoz (szubsztrt), amelyen a MOSFET-et kialaktjk, villamos szempontbl
felhasznlhat a MOSFET vezrlsre, ezrt kln elektrdaknt feltntetsre kerl, br a
kapcsolsok legnagyobb rszben olyan potencilra ktjk, hogy ne befolysolja a
MOSFET mkdst.
2.4.2.1. Nvekmnyes MOSFET
ramkri jellse:
G
D
substrate
S
n csatorns
D
substrate
S
p csatorns
Mkdse:
A MOSFET alapllapotban, feszltsgmentes esetben nem tartalmaz csatornt. A hordoz
rteg (szubsztrt) gyengn szennyezett (majdnem intrinsic) p rteg, amelynek nagy
ellenllsa van a kevs szabad tltshordoz miatt. A D-S kz feszltsget adva nem
alakul ki ram a nagy ellenlls miatt. A csatorna a G-S kz kapcsolt pozitv UGS
feszltsg hatsra alakul ki gy, hogy a gyengn szennyezett hordoz rtegben lev
negatv tltseket a gate alatti szigetel rteghez vonzza. Ugyanakkor a gate-hez
legkzelebb lev -hmrsklet hatsra keletkez- lyuk-elektron prokbl a lyukakat
tasztja. A szabad elektronok feldsulsa a gate alatt kialaktja a csatornt. A csatorna
kialakulshoz minimlisan szksges G-S feszltsget kszbfeszltsgnek nevezzk
59
(Uth). A D-S kz kapcsolt feszltsg (UDS) hatsra megindul a csatorna ram (IDS), amely
rohamosan n a kszb feszltsg felett.
UDS
S
UGS
n+
n+
szigetels
SiO2
p-
szubsztrt
A nvekmnyes MOSFET karakterisztikja
IDS
n csatorns
UGS
Uth
A karakterisztika matematikai lersra ltalban ugyanazt a kzeltst alkalmazzuk, mint a
JFET-nl, de lteznek ettl eltr sszefggsek is. Egy szoksos matematikai kzelts, ha
UGS>Uth:
I DS = K U GS U th
A K anyagjellemz konstans, amelynek tnyleges rtke ltalban nehezen hozzfrhet.

A kimeneti karakterisztika jellegre megegyezik a JFET kimeneti karakterisztikjval.
A nvekmnyes MOSFET helyettestkpe megegyezik a JFET helyettestkpvel.
2.4.2.2. Kirtses MOSFET
ramkri jellse:
G
D
substrate
S
n csatorns
D
substrate
S
p csatorns
Mkdse:
A kirtses MOSFET alapesetben, feszltsgmentes llapotban kialaktott csatornt
tartalmaz. A D-S kz adott feszltsg hatsra a csatornn a teltsi ram folyik. A
hordoz rteg (szubsztrt) gyengn szennyezett (majdnem intrinsic) p rteg, amelynek
nagy ellenllsa van a kevs szabad tltshordoz miatt. A csatorna a G-S kz kapcsolt
negatv feszltsg (UGS) hatsra elszegnyedik szabad tltshordozkban, mivel a
60
csatorna negatv tltseit a kialakul tr tasztja a szubsztrt p tltshordozit pedig

vonzza. Az n tltshordozk elszegnyedse nveli a csatorna ellenllst. A csatorna
elzrdik az UGS=Uth kszb feszltsgnl.
UDS
S
UGS
n+
szigetels
SiO2
n+
p
szubsztrt
A kirtses MOSFET karakterisztikja
IDS
n csatorns
UGS
Uth
A karakterisztika matematikai lersra ltalban ugyanazt a kzeltst alkalmazzuk, mint a
JFET-nl. Megfigyelhet, hogy ellenttben a JFET-tel a karakterisztika folytatdik a
pozitv UGS tartomnyban is egy hatrrtkig. A pozitv UGS hatsra a csatorna nvekszik
a nvekmnyes MOSFET-hez hasonl mdon. (A JFET esetn pozitv UGS a pn tmenet
kinyitst eredmnyezte volna, ami az egsz JFET nagyimpedancis jellegt
megvltoztatta volna, ezrt ott tilos pozitv UGS feszltsget kapcsolni a vezrl
elektrdra.)
A kimeneti karakterisztika jellegre megegyezik a JFET kimeneti karakterisztikjval.
A kirtses MOSFET helyettestkpe megegyezik a JFET helyettestkpvel.
2.4.2.3. MOSFET lineris zeme
A kirtses MOSFET munkapont-belltsra ugyanaz vonatkozik, mint a JFET-re. A

nvekmnyes MOSFET transzfer karakterisztikja alapveten eltr a kt msik tpustl (n
csatornst felttelezve a JFET s a kirtses MOSFET esetn UGS, mg nvekmnyes
MOSFET esetn +UGS feszltsg szksges). A tisztn feszltsgvezrelt bemenet miatt itt
is csak a feszltsggel trtn munkapont-bellt kapcsolsok jhetnek szba.
A szubsztrt bektsnl figyelembe kell venni, hogy a MOSFET vezrelhet a szubsztrt
elektrdn keresztl is, ezrt olyan potencilra kell ktni ltalnos esetben, hogy ne
befolysolja a kapcsols mkdst. Pl. n csatorns MOSFET esetn vagy a source-hoz
(diszkrt MOSFET esetn gyakran mr gyrilag sszektik s ki sem vezetik a
szubsztrtot) vagy a kapcsols legalacsonyabb potencil pontjhoz ktik.
61
Tipikus kzs source-u kapcsols a kzs emitteres kapcsols analgijra:
+Ut
ube UG
R1
RD
R2
RS
uki
CS
US
A) A kapcsols nagyjel viselkedse szmolssal s grafikusan:
UG = Ut
R2
R2 + R1
U S = I DS RS
U GS = U G U S = U t
R2
I DS RS
R2 + R1
I DS = K (U GS U th )
IDS
-1/RS
UGS1
Ut/(RD+RS)
IDS
U t R2
RS R2 + R1
UGS2
Ut
R2
R2 + R1
UGS3
UGSM
UGS4
UGS
Uth
UGS5
UGSM
Ut
UGS6
UDS
B) A kapcsols kisjel viselkedse

Az egyenletek megegyeznek a JFET megfelel kapcsolsnak egyenleteivel.
g
ube
R1 R2 ugs
d
Sugs
rDS
uDS
RD uki
Rt
Bemeneti ellenlls:
Rbe = R1 R2
62
Feszltsgersts:
u gs = ube
uki = Sube (rDS RD Rt )
Au = S (rDS RD Rt )
Kimeneti ellenlls:
Rki = rDS RD
A grafikus munkapont-bellt karakterisztikk alapjn megllapthat, hogy a
munkapontot akkor is be lehet lltani, ha a kapcsols nem tartalmaz R2 ellenllst, csak
egy R1 ellenllst (ez a lehetsg azonban a MOSFET karakterisztikjtl s a
tpfeszltsg rtktl fgg).
Nvekmnyes MOSFET alapkapcsols felhz ellenllssal:
+Ut
R1
ube
US
UG
RD
RS
uki
CS
A) A kapcsols nagyjel viselkedse szmolssal s grafikusan:

UG = Ut
U S = I DS RS
U GS = U G U S = U t I DS RS
I DS = K (U GS U th )
IDS
IDS
Ut
RS
UGS1
Ut/(RD+RS)
UGS2
-1/RS
UGS3
M
Uth
UGSM
Ut
UGSM
UGS4
UGS
UGS5
Ut
UGS6
UDS
63
B) A kapcsols kisjel viselkedse

Klnbsg csak a bemeneti ellenllsban van:
g
ube
R1 ugs
d
Sugs
rDS
RD uki
uDS
Rt
Bemeneti ellenlls:
Rbe = R1
2.4.3.
FET kapcsol zeme
A FET mkdst kapcsolzemben elssorban a szrt kapacitsai hatrozzk meg.

Elnys tulajdonsga, hogy nincs tltstrolsi ideje, ami a kapcsolsi sebessget nveli.
Az egyb kapcsolzem jellemzk s paramterek defincira megegyeznek a rteg
tranzisztornl elmondottakkal.
A nagy sebessg, a vezrlsi teljestmnyigny hinya, a kis-kzepes teljestmny
kategrikban a tranzisztorhoz kpest nagyobb mkdsi frekvencia a FET -elssorban is a
teljestmny MOSFET- alkalmazsok gyors terjedst eredmnyezte.
A tranzisztor s a MOSFET elnyeit egyestik a kt alkatrsz kombincijnak tekinthet
elssorban a teljestmnyelektronikban alkalmazott- szigetelt elektrds tranzisztorok
(IGBT).
2.4.4.
FET-alap vezrelt s aktv ellenlls
A kimeneti karakterisztika klnbz meredeksg felfutsa az elzrds-mentes

tartomnyban az alapja a FET vezrelt ellenllsknt trtn felhasznlsnak. A kimeneti
karakterisztikt az orig krnykn kinagytva azt kapjuk, hogy egyrszt minden
karakterisztika ms s ms meredeksg, msrszt a kis jelek tartomnyban a drain s a
source szerepe felcserlhet (pl. MOSFET tviteli kapuk).
IDS UGS1
UGS2
UGS3
UGS4
Uk
UGS1> UGS2> UGS3> UGS4
UDS
A karakterisztikkat a knyk-grbig kzeltssel egyenesnek tekintjk, gy:

rDS =
U DS
I DS
= rDS min
U GS = lland
U k U GS U P
=
=
I DS
I DS
U GS U P
U
I DSS 1 GS
UP
UP
UP
=
I DSS U GS U P
UP
U P U GS
64
A minimlis csatorna ellenlls:
rDS min (U GS = 0 ) =
UP
I DSS
brzolva a csatorna ellenlls-vezrl feszltsg fggvnyt (rDS=f(UGS)):

rDS
rDSmin
UGS=UP
UGS
A kapott karakterisztika monoton, gy a vezrlfeszltsg s az ellenlls kztti kapcsolat

egyrtelm, br nemlineris, de visszacsatolssal linearizlhat. A linerizls a csatorna
ellenlls vezrelhetsgnek tartomnyt is beszkti.
Linearizls negatv visszacsatolssal:
A MOS technolgival gyrtott integrlt ramkrkben ellenllsok helyett -a jobb

integrlhatsg miatt- MOS-tranzisztorral felptett aktv ellenllsokat alkalmaznak.
IDS
UDS=UGS
UDS
rDS5
rDS4
UGS
rDS3
rDS2
rDS1
UDS
Erst kapcsols aktv ellenllssal:
Ut
IDS
Munka-egyenes
Munkapont
Uki
Ube
UDS
65
2.5. Flvezetk melegedse, htse s zaja

2.5.1.
Flvezetk melegedse s htse
A flvezetk mkdsk sorn ht termelnek (a vesztesgi teljestmny hatsra), amelyet

a krnyezetknek a szoksos mdon (hramls, hvezets, hsugrzs) adjk t. A
flvezet modellezhet htechnikai szempontbl villamos elemekkel, htechnikai-villamos
analgik felhasznlsval.
Analgia llthat fel az albbi mdon:
Htechnikai elem
Vesztesgi teljestmny
Pd
Hellenlls
Rth
Hmrsklet
Villamos analgia
ramgenertor
ellenlls
feszltsg
Egy flvezet htechnikai modellje:

Rthca
Rthjc
Pd
Jellsek:
j
c
a
Rthjc
Rthca
Rth_ht
Rth_szigetels
Rth_ht
c
Rth_szigetel a
a rteg hmrsklete (a hatrrtk katalgus adat)

a tok hmrsklete
a krnyezet hmrsklete
a rteg s a tok kztti hellenlls
a tok s a krnyezet kztti hellenlls
a htfellet (belertve a mestersges htst is) hellenllsa
a flvezet s a htfellet kztti szigetels hellenllsa
Az Rth_ht hellenlls magban foglalja nemcsak a htfellet hellenllst, hanem

esetleges mestersges hts (ventiltor, folyadk hts, Peltier-ht) hatst az ered
hellenllsra. Amennyiben nincs kln htfellet, akkor Rth_ht.
Gyakran elfordul, hogy kt vagy tbb flvezett egy htfelleten helyeznek el,
amelynek oka lehet, pl. helytakarkossg, megkvetelt azonos flvezet hmrsklet, stb.
Amennyiben a flvezetk htfelletei eltr potencilon vannak, akkor el kell egymstl
szigetelni ket. A szigetels kiterjed a htfellet s a flvezet fellet kztti
elvlasztsra (csillmlemez, hvezet pasztval szerelve az rdessg hatsnak
cskkentsre) s a rgzts elvlasztsra is (tvtartk, csavarok, alttek). Az Rth_szigetels
az sszes alkalmazott szigetel egyttes hellenllst modellezi. Amennyiben nincs
elvlaszts, akkor Rth_szigetels=0.
A htfellet elhelyezkedse s szne is ersen befolysolja a ht tnyleges
hellenllst. A katalgusban megadott rtkek mindig az optimlis elhelyezsre s a
gyrtskori sznre vonatkoznak. A matt fekete fellet hleadsi tnyezje lnyegesen jobb,
mint a vilgos csillog fellet (akr kt nagysgrenddel is), gy a jobb hatsfok
htfelletek feketre oxlt alumnium htfelletek a hramlssal prhuzamosan
elhelyezked bords felletekkel.
66
A htfelletek (szoksos elnevezsk: htbordk) lehetnek gyrilag vgleges mretre s

szerelsre elksztettek s hzott alumnium bordk, amelyek mretre vgsa s a rgzt
felletek kialaktsa a felhasznl feladata. A gyri ksz bordk hellenlls rtke adott,
amit ltalban csak rontani lehet, de a hosszra adott hellenlls bordk hellenlls
rtke befolysolhat.
Pl. tipikus hzott htborda hellenllsa a hosszsg fggvnyben:
Rth_ht
l [m]
Az brn lthat, hogy a hosszmret nvelsvel a hellenlls nem arnyosan vltozik,
ami a hvezets fizikjval magyarzhat.
Plda egy teljestmny tranzisztor htfelletnek kialaktsra:
Vlasszuk a BD 246C pnp teljestmny tranzisztort. Tokozsa SOT-93 (lapos manyag,

fm htoldallal).
Legyen a krnyezeti hmrsklet a=25 C (ez a flvezet kzelben lev tr
hmrsklete).
Jellemz katalgus hatradatok:
UCE=100V, IC=10A, Pdmax=80 W, jmax=150 C
Htechnikai jellemzk:
Rthjc=1.56 K/W, Rthja=42 K/W.
a) Hatrozzuk meg, hogy a flvezett kls hts nlkl maximlisan mekkora
teljestmnyre (Pd1) lehetne ignybe venni!
Pd 1 =
j max a
Rthja
150 25
= 2.97 W
42
Ez a maximlis vesztesgi teljestmnynek 3.7 %-a.

b) Hatrozzuk meg, hogy egy Rth ht= 0.76 K/W hellenlls, gyrilag mretre vgott, de
felhasznlhat ltal kifrhat htborda esetn (termszetes htst alkalmazva, szigetels
nlkl) mekkora teljestmnyig lehet ignybe venni a tranzisztort!
Az Rthca>>Rth ht, ezrt elhanyagolhat.
Pd 2 =
j max a
Rthjc + Rth _ huto

lehetv.
150 25
= 53.9
1.56 + 0.76
W, ami 67.3 %-os kihasznlst tesz
A pldban szerepl htborda mrete: 47x128x250 mm, keresztmetszet szelvnye:

.
67
A maximlis vesztesgi teljestmny vgtelen htfellettel s alacsony krnyezeti

hmrsklet esetn rhet el. (pl. a fenti pldban a 100%-os kihasznlshoz vgtelen
htfellet kellett volna, ami technikailag kivihetetlen.)
2.5.2.
Flvezetk zaja
A flvezetk, de egyb alkatrszek esetn is szmos oka lehet a zajok elfordulsnak. A

zajok sztochasztikus jellegek, gy a teljes frekvencia-tartomnyban az eloszls
fggvnyeikkel jellemezzk ket.
A flvezetkben elfordul jellegzetes zajok s jellemzik:
a) Termikus vagy Johnson zaj (uzT,izT)
Minden passzv s aktv alkatrsz 0 K felett zajt termel. A zaj mrtke fgg a
hmrsklettl s az alkatrszre jut jel-svszlessgtl. Pl. az ellenlls zaja (ahogy azt az
Elektronika I. jegyzetben levezettk):
2
= 4kTBR
u zT
2
=
i zT
4kTB
R
A termikus zaj teljestmnysrsg spektruma (G(f)) a teljes frekvencia tartomnyban

egyenletes eloszls (fehr zaj jelleg).
A flvezetk esetn egyb jellemz zajok is vannak, amelyeket egytt kezelnk.
b) Srtzaj (izs)
A srtzaj a tltseknek a potencilgton/kszbn trtn thaladsakor keletkezik.

A keletkezett zajram effektv rtke arnyos az tfoly rammal (I) s a svszlessggel
(q az elektron tltse).
i zs = 2 IqB
A tranzisztor kt pn tmenetet is tartalmaz, mg a FET-nek nincs pn tmenete, gy ez a

zajfajta ott nem jelentkezik. (A FET zaja jelentsen kisebb, mint a tranzisztor zaja. A
norml FET zajtnyezje krlbell akkora, mint a specilis alacsony zaj tranzisztor
zajtnyezje.) Ennek a zajnak a mrtke konstrukcival befolysolhat.
A srt zaj teljestmnysrsg spektruma (G(f)) a teljes frekvencia tartomnyban
egyenletes eloszls.
c) Villdzsi vagy flicker zaj (izf)
A zaj oka nem teljesen tisztzott, de ltalban a nem teljesen tiszta flvezet anyagot s a
rcstorzulsokat tekintik annak. Ennek megfelelen mrtke technolgiai mdszerekkel
befolysolhat.
A villdzsi zaj jellegzetessge, hogy a teljestmnysrsg spektruma a frekvencival
arnyosan cskken (rzsaszn zaj), ezrt szoks 1/f zajnak is hvni. A zajram fgg az
tfoly ramtl s a svszlessgtl is (K egy empirikus konstans).
68
i zf =
KIB
f
A zajok egyttesen befolysoljk egy flvezet mkdst, ezrt csak egy jellemz rtk
van jellemzskre megadva.
Az F zajszm rtelmezse:
Az alkatrszt zajmentesnek ttelezzk fel (T=0 K esetn a zaj nulla) s a zajt a bemenetre
redukljuk, mghozz az alkatrszt meghajt ramkr Thevenin helyettest-kpnek
megfelel bels ellenllsba. A bels ellenlls ltal termelt zajt megnveljk a
zajszmmal oly mrtkig, hogy a zajmentesnek felttelezett alkatrsz kimenetn a zaj
ugyan akkora legyen, mint az a zajos alkatrsz kimenetn volt.
u z = 4kTBRg F
T=0 K
T>0 K
uz
Rg
A zajszm katalgus adat s jellemzje az adott alkatrsznek. Gyakran a zajszm dB-ben

megadott rtkt hasznljk:
F * = 20 lg(F ) [dB]
sszetettebb ramkrkre, pl. mveleti erst, jelkondicionl erst, stb. gyakran nem a
zajszmot, hanem a bemenetre reduklt zajfeszltsg vagy zajram effektvrtk ngyzett
adjk meg. Ezt az rtket, mint bemeneti jelgenertort tekintve brmely ramkr esetn a
kimeneti zaj kiszmthat.
A teljes ramkrre, amelynek zajt az egyes alkatrszek zaja hatrozza meg, nem a
zajszmot, hanem a jel/zaj (S/N) viszonyt hasznljuk, amelyet dB-ben adunk meg:
Uz
Ug
Rbe
T=0 K
Rg
Zajmentes
ramkr
(T=0 K)
Az ramkr bemenetre reduklt zajgenertor (Uz) s a jelgenertor (Ug) nincs fzisban

egymssal, ezrt a bemeneti jelknt az eredjket hasznljuk.
U z = 4kTBRg F
U be =
Rbe
U g2 + U z2
Rbe + Rg
69
A jel/zaj viszony:
= 20 lg
Ug
Uz
Az Ug s Uz a jel s a zaj effektvrtke. A zaj a bemenetre van reduklva, ezrt ugyanazt

az eredmnyt kapjuk, ha a kimeneten vesszk a kt jel hnyadost, mert az erst
mindkettt egyformn ersti.
Alkalmanknt definiljk a kapcsols zajtnyezjt, amit hasonlan a zajszmhoz F-vel
jellnk:
F=
Pkiz
AP Pbez
A Pkiz a kimeneti zajteljestmny, Pbez a bemeneti zajteljestmny, AP a kapcsols

teljestmny erstsi tnyezje.
70
2.6. Erstk
Az erstk az erst tpus diszkrt flvezetk s integrlt elektronikus ramkrk
leggyakoribb lineris alkalmazsai. Erstk nemcsak villamos jellemzk erstsre, de
egyb -a mindennapi gyakorlatban fontos- fizikai mennyisgekre is lteznek (pl.
hidraulikus, pneumatikus erstk, mgneses erstk, stb.). A fejezet tovbbi rszben
azonban csak olyan erstkkel foglalkozunk, amelyeket az alap villamos jellemzk
(feszltsg, ram s teljestmny) nagylinearts erstsre alkalmaznak. Ezek kzl is gyakorlati fontossguk miatt- kiemelt jelentsget a feszltsg s a teljestmnyerstk
kapnak. Az ramerstk, esetleg az ram bemenet feszltsgerstk (meredeksg
erstk) kisebb gyakorlati jelentsggel brnak. A kapcsolsoknl nem trgyaljuk az
integrlt ramkrkn (mveleti erstk) alapul kapcsolsokat, mivel ezekkel egy kln
fejezet foglalkozik (Elektronika III.). Az erstk trgyalsa sorn nem foglalkozunk a
nagyfrekvencis kapcsolsokkal, csak a hangfrekvencis s kzpfrekvencis erstkkel.
A nagyfrekvencis erstk specilis jellegk miatt egyb trgyak anyagt kpezik.
2.6.1.
Erstk csoportostsa
Az erstket csoportosthatjuk erstett jellemzjk alapjn, mint:

Feszltsgerstk
ramerstk
Teljestmnyerstk,
de csoportosthatjuk ket a be- s kimeneti jelnek egy kitntetett ponthoz
(fldpont/vezetk, referencia vezetk, vonatkoztatsi vezetk, a tovbbiakban fldvezetk
vagy fldpont elnevezst hasznljuk) val viszonya alapjn is:
Aszimmetrikus erstk
Szimmetrikus erstk
o Szimmetrikus bemenet, de aszimmetrikus kimenet erstk
o Szimmetrikus ki- s bemenet erstk
2.6.1.1. Aszimmetrikus erstk
A ki- s bemeneti pont egy fldvezetkhez viszonytva rtelmezett.

ibe
ube
iki
uki
A bemeneti s a kimeneti jellemzk nem felttlenl azonos fzisak, ezrt clszer

vektormennyisgeket hasznlni.
A bemeneti impedancia:
Z be =
U be
I be
A kimeneti impedancia:
Z ki =
U ki
I kiz
71
Az Uki az resjrsi kimeneti feszltsg, az Ikiz a kimeneti zrlati ram. (A negatv eljel a
felvett pozitv vonatkoztatsi irnyok miatt van.)
Az ersts (az elektronikai gyakorlatban gyakrabban alkalmazott skalr mennyisgekkel
kifejezve) attl fggen, hogy mi az erstett jellemz:
Au =
uki
ube
Ai =
iki
ibe
Pki
ukiiki uki iki
Ap =
=
=
Pbe
ubeibe ube ibe
{ {
Au Ai
A fenti mennyisgeket clszeren ltalban dB-ben szoks megadni. Az sszefggsek nem

adnak felvilgostst a ki- s bemeneti jel egymshoz viszonytott (frekvencitl fgg)
fzishelyzetre. Az olyan alkalmazsoknl, ahol ez kritikus, az tvitelt a komplex
frekvencia-tartomnyban kell meghatrozni.
2.6.1.2. Szimmetrikus bemenet erstk
A szimmetrikus bemenet jellemzje, hogy a bemeneti pontok egyike sem kitntetett pont,
pl. fldpont. A kt fldfggetlen bemeneti pont kztti feszltsget szimmetrikus bemeneti
(kimenet esetn kimeneti) feszltsgnek nevezzk, mg a fldponthoz mrt feszltsgeket
aszimmetrikus (vagy azonos fzis) feszltsgnek nevezzk. Az aszimmetrikus
feszltsgek alapjn hatrozhatjuk meg a kzsmdus feszltsget. A fentiek alapjn gy
minden mennyisg esetben definilhat a szimmetrikus s a kzsmdus erstsen tl a
ki- s bemeneti ellenlls is.
A szimmetrikus bemenet erstk aszimmetrikus vagy szimmetrikus kimenetek
lehetnek. A gyakorlatban az aszimmetrikus kimenetek lnyegesen gyakoribbak, de
specilis alkalmazsokban a szimmetrikus kimenetek is elfordulhatnak.
i) Szimmetrikus bemenet, aszimmetrikus kimenet
ibe1
ubes
ube1
Ubes
Ube1
Ubek
Ube2
iki
ibe2
uki
ube2
A bemeneti mennyisgek ltalnos esetben fziseltrssel is

rendelkeznek, ezrt clszeren vektormennyisgknt rtelmezzk
azokat.
A kt aszimmetrikus bemeneti feszltsg klnbsge a szimmetrikus
bemeneti feszltsg (bes), mg a kzsmdus feszltsg (bek) a kt
aszimmetrikus feszltsg szmtani kzprtke.
72
U bes = U be1 U be 2
U bek =
U be1 + U be 2
2
Definilhatjuk a szimmetrikus bemeneti ramot (bes) s a kzsmdus bemeneti ramat

(bek) is:
I be1 I be 2
2
= I be1 + I be 2
I bes =
I bek
gy a kt bemeneti ram a szimmetrikus paramterekkel kifejezve:

I bek
2
I
bek
2
I be1 = I bes +
I be 2 = I bes
Szimmetrikus (Zbes) s a kzsmdus (Zbek) bemeneti impedancik:

Z bek =
U bek
I bek
Z bes =
U bes
I bes
A feszltsgersts is lehet szimmetrikus (Aus) vagy kzsmdus (Auk).

Aus =
Auk =
uki
ubes
u bek = 0
uki
ubek
u bes = 0
Az uki az aszimmetrikus kimeneti feszltsg.

A szimmetrikus bemenet erstk hibja (kzsmdus elnyomsi tnyez):
A szimmetrikus bemenet erstket gy tervezik, hogy azok csak a szimmetrikus jelet

erstsk, gy a kzsmdus ersts hibnak tekinthet. Ez alapjn definilhat a
kzsmdus elnyomsi tnyez (KME vagy gyakrabban az angol rvidtssel CMRR):
CMRR = 20 lg
Aus
[dB]
Auk
A kimenet az aszimmetrikus ersthz kpest nem vltozott, gy a kimeneti impedancia:

Z ki =
U ki
a korbban definiltak szerint.
I kiz
73
ii) Szimmetrikus be- s kimenet erst

ibe1
ubes
ube1
iki1
iki2
uki2
ube2
ukis
uki1
A bemeneti paramterek vltozatlanok, de az erstsnl rtelmezni kell a szimmetrikus s

az aszimmetrikus kimenet esetre vonatkoz erstst is. A szimmetrikus (ukis) s a
kzsmdus (ukik) kimeneti feszltsg defincija hasonl, mint az a bemeneti feszltsg
esetn volt.
Auss =
Ausk =
Auks =
Aukk =
ukis
ubes
u bek = 0
ukis
ubek
u bes = 0
ukik
ubes
u bek = 0
ukik
ubek
u bes = 0
A szimmetrikus s a kzsmdus kimeneti ersts kztt fennll az albbi sszefggs:

Auss = 2 Auks
A kimeneti ellenlls is lehet szimmetrikus s kzsmdus a fentiek szerint.

2.6.2.
Negatv visszacsatols
Az erstk nemlineris elemeket tartalmaznak, amelyek ltalban hmrskletfggek is,

ami instabil mkdst, valamint torztst eredmnyez. A negatv hatsok cskkentsre
visszacsatolst alkalmazunk. A visszacsatolsok lehet negatvak vagy pozitvak aszerint,
hogy a visszacsatolt jel a bemeneti jelhez kpest azonos vagy ellenttes fzisban kerl
hozzadsra. Pozitv visszacsatolst valamely jelensg felnagytsra, mg a negatv
visszacsatolst annak cskkentsre hasznljuk, gy lineris erstkben csak a negatv
visszacsatols alkalmazhat.
A negatv visszacsatols ltalnos hatsnak vizsglathoz vegyk fel a hatsvzlatot:
ube +
-
ube-uv
A0
uki
uv
74
A K elnevezse visszacsatolsi tnyez, rtke 0..1 kztt van. A K lehet frekvenciafgg

vagy frekvencia-fggetlen esetleg aktv elemeket is tartalmaz ramkr. A
frekvenciafggs lehetv teszi specilis frekvenciakarakterisztikk megvalstst is (pl.
frekvenciafgg kompresszik, dekompresszik, stb.). Az uv a kimenetrl a bemenetre
visszacsatolt jel.
Jelljk A0 az erst nylthurk vagy visszacsatolatlan erstst, T-vel a hurokerstst
(krerstst), legyen Av a visszacsatolt rendszer erstse! Mind a nylthurk ersts,
mind a visszacsatolt ersts lehet (st a gyakorlatban mindig) frekvenciafgg. (A
frekvenciafggs hatst a Mveleti erstk fejezetben trgyaljuk rszletesen.)
uki = A0 (ube uv )
uv = Kuki
Av =
uki
A0
=
ube 1 + A0 K
T = A0 K
A visszacsatolt ersts kpletbl lthat, hogy az ersts cskkent a visszacsatols

hatsra, ami nem elny, hanem kvetkezmny.
A negatv visszacsatols elnyeinek ismertetse klnbz ramkrk kapcsn kerl sorra:
a svszlessg nvekedse (a mveleti erstknl trgyaljuk),
a kapcsols stabilitsnak nvekedse (a diszkrt erstknl kerl trgyalsra),
az erst nemlineartsai ltal okozott torztsok cskkentse (a torzult kimeneti jel
egy rsznek visszacsatolsa a bemenetre negatv eljellel, eltorzts),
a zrt hurokban fellp kls zavarsok hatsainak cskkentse az elzek szerint
az eltorzts alkalmazsval.
A negatv visszacsatolsok stabilitsa alapvet az egsz kapcsols stabilitsa
szempontjbl. Amennyiben a frekvenciafgg hurokersts (vektorilis rtke) brmely
frekvencin elri a T=-1 rtket (Barkhausen kritrium) a kapcsols nfenntart gerjedsbe
megy t. Ha T<-1, akkor az eddig negatv visszacsatols pozitv visszacsatolsba megy t.
Mind az nfenntart gerjedst, mind a pozitv visszacsatolst felhasznljuk klnbz
ramkrk megvalstsra (pl. oszcilltorok, hiszterzises kompartorok, stb.)
A visszacsatoland jel lehet feszltsg vagy ram, amelyet a bemenethez sorosan vagy
prhuzamosan csatolhatunk. Ennek megfelelen ngy alaptpusa van a negatv
visszacsatolsnak:
a) Soros-feszltsg
b) Soros-ram
c) Prhuzamos-feszltsg
d) Prhuzamos-ram
Az egyes visszacsatols tpusoknl felttelezzk, hogy a visszacsatol hlzat a
visszacsatoland ramkrt nem terheli sem a bemeneti, sem a kimeneti oldalon. Ez a
felttel alkalmanknt nem teljesl (elssorban is diszkrt erstknl), ilyenkor a terhels
hatst is figyelembe kell venni.
75
a) Soros-feszltsg tpus visszacsatols

ibe
ubeo
A0
uv
uki
ube
A visszacsatolt/zrthurk feszltsgersts (Auv):

uki = A0ube 0
ube 0 = ube uv = ube Kuki
Auv =
uki
A0
=
ube 1 + A0 K
Megllapthat, hogy a soros-feszltsg tpus visszacsatols visszacsatolt feszltsg

erstse cskken!
A visszacsatolt ramkr bemeneti ellenllsa (Rbev)
Legyen a visszacsatolatlan erst bemeneti ellenllsa Rbe0!
Rbe 0 =
ube 0
ibe
Rbev =
u
ube ube 0 + uv ube 0 + A0 Kube 0
=
=
= (1 + A0 K ) be 0 = (1 + A0 K )Rbe 0
ibe
ibe
ibe
ibe
{
Rbe 0
A visszacsatolt bemeneti ellenlls n, ami feszltsgerstk esetn elny!

A kimeneti ellenlls (Rkiv):
A kimeneti ellenlls meghatrozshoz helyettestsk az erst kimenett a Theveninhelyettest-kppel. Hanyagoljuk el a visszacsatolsnak az erstre gyakorolt terhel
hatst s legyen a bemeneti jel ube=0.
iki
U ki 0 = Kuki A0
iki
uki U ki 0
1 + KA0
= uki
Rki 0
Rki 0
Rkiv =
ubeo
uki
Rki 0
=
iki 1 + KA0
A visszacsatolt kimeneti ellenlls cskken, ami

feszltsgerstk esetn elny!
uv
Rki0
Uki0
uki
Az ramersts rtke a visszacsatols miatt nem vltozik! (Sem a bemeneti, sem a

kimeneti ramot nem befolysolja a visszacsatols.)
76
b) Soros-ram visszacsatols
ibe
Iki
ubeo
A0
uv
uki
ube
Rsc
A feszltsgersts, az ramersts s a bemeneti ellenlls rtke a bemeneti oldalra

trtn visszacsatols tpustl fgg. Ez nem vltozott, teht az elzleg kiszmolt rtkek
sem vltoztak.
A kimeneti ellenlls (Rkiv):
A kimeneti ellenlls meghatrozshoz helyettestsk az erst kimenett a Theveninhelyettestkppel. Hanyagoljuk el a visszacsatolsnak az erstre gyakorolt terhel
hatst s legyen a bemeneti jel ube=0.
Helyettestsk a visszacsatol hlzatban lev sszes olyan egysg ered ellenllst Rsc
(ramrzkel, sense current) ellenllssal, amely a kimeneti ram feszltsgg trtn
talaktsban rszt vesz.
iki
U ki 0 = A0ube 0 = A0uv = Kiki Rsc A0
ubeo
Rki0
Uki0
uki
u U ki 0 uki Kiki Rsc A0

=
iki = ki
Rki 0 + Rsc
Rki 0 + Rsc
Rkiv =
uki
= Rki 0 + Rsc (1 + KA0 )
iki
uv
Rsc
A kimeneti ellenlls kis mrtkben n (az Rsc a gyakorlatban kicsi rtk a tbbi
impedancihoz kpest), gyakran a vltozst elhanyagolhatjuk!
c) Prhuzamos-feszltsg visszacsatols
ibe
ube
ibe0
iv
ubeo
uv
A0
uki
A kimenet megegyezik a soros-feszltsgvisszacsatols kimenetvel, ezrt a kimeneti

ellenllst is azonos mdon kell meghatrozni.
77
A visszacsatolt feszltsgersts (Auv):

ube = ube 0 = uv
uki = A0ube 0 = A0ube
Auv =
uki
= A0
ube
A feszltsgerstst a visszacsatols nem vltoztatja!

A visszacsatolt ramkr bemeneti ellenllsa (Rbev)
A bemeneti ellenlls meghatrozshoz helyettestsk a visszacsatol ramkrt egy Rv
ellenllssal!
Vegyk figyelembe, hogy a bejellt ramirnyok s feszltsgirnyok mellett a negatv
visszacsatols A0 esetn ll fenn!
Rbe 0 =
iv =
ibe
1 + A0
ube uki
= ube
Rv
Rv
Rbev =
=
ube 0
ibe 0
ube
ibe0
iv
ubeo
ube
ube
=
=
ibe ibe 0 + iv
ube
1 + A0
ube 0
+ ube
Rbe 0
Rv
A0
uki
Rv
= Rbe 0
Rv
1 + A0
uv
A bemeneti ellenlls cskken az erststl s a visszacsatol ellenllstl fggen. Ez

feszltsgerstk esetn htrny.
Az ramersts rtke a visszacsatols miatt cskkenni fog! Konkrt rtkt csak konkrt
kapcsols esetn lehet pontosan megllaptani.
d) Prhuzamos-feszltsg visszacsatols
ibe
ibe0
ube
iv
ubeo
uv
A0
uki
A jellemz paramterek az eddigiek szerint a bemeneti oldalon megegyeznek a

prhuzamos visszacsatolsra, a kimeneti oldalon pedig az ram visszacsatolsra
meghatrozottakkal.
78
Tblzatosan sszefoglalva a kiszmolt rtkeket:

Visszacsatols
tpusa
Soros-feszltsg
Soros ram
Prhuzamosfeszltsg
Prhuzamos-ram
Auv
Aiv
Rbev
Rkiv
A0/(1+A0K)
A0/(1+A0K)
A0
Ai0
Ai0
cskken
Rbe0(1+A0K)
Rbe0(1+A0K)
Rbe0*Rv/(1+A0)
Rki0/(1+A0K)
Rki0+Rsc(1+A0K)
Rki0/(1+A0K)
A0
cskken
Rbe0*Rv/(1+A0)
Rki0+Rsc(1+A0K)
Plda:
Ut
Vizsgljuk meg a fenti sszefggsek ismeretben a

korbban trgyalt munkapontbellts bzisrammal
egyenram visszacsatolssal alapkapcsolst.
RC
R1
iC
uki
uBE
ube
Rajzoljuk t a kapcsolst a negatv visszacsatolsoknl alkalmazott formra:

Megllapthat, hogy a visszacsatols
feszltsg tpus visszacsatols.
prhuzamos-
Ut
A0
A nylthurk ersts:
RC
Au 0 = S (rCE RC )
A nylthurk bemeneti ellenlls:
uki
uBE
ube
Rbe 0 = rBE
A nylthurk kimeneti ellenlls
Rki 0 = rCE RC
R1
Felhasznlva az elbbiekben a prhuzamos-feszltsg visszacsatolsra meghatrozott

sszefggseket:
Zrthurk feszltsgersts:
Au 0 = Auv
Zrthurk bemeneti ellenlls:
Rbev = Rbe 0
Rv
R1
= rBE
1 + Au
1 + Au
A zrthurk kimeneti ellenlls:

Rkiv =
Rki 0
1 + A0 K
79
Rki 0 = rCE RC
K=
1
1
=0
Auv Au 0
Rkiv =
rCE RC
= rCE RC
1 + S (rCE RC )K
sszehasonltva az gy kapott eredmnyeket a korbban a kisjel helyettest-kp alapjn

meghatrozott sszefggsekkel megllapthat, hogy a klnbz mdszerekkel nyert
eredmnyek azonosak lesznek.
2.6.3.
Aszimmetrikus kisjel erstk
Aszimmetrikus erstket tranzisztorral is s FET-vel is felpthetnk. A FET-es

kapcsolsok megegyeznek a korbbi fejezetben bemutatott JFET s MOSFET
alapkapcsolsokkal, ezrt az albbiakban csak a tranzisztoros erstket trgyaljuk
rszletesen.
2.6.3.1. Kzs emitteres kapcsolsok
A kzs emitteres kapcsolsok korbban trgyalt elvi kapcsolsai azrt nem megfelelek
gyakorlati clokra, mert a kapcsolsok stabilitsa alacsony, a hmrsklet a kapcsolsok
mkdst ersen befolysolja.
A kapcsolsok munkapontbellt ramkre brmelyik lehet a korbban trgyalt hrom
alap megolds kzl, de a tovbbiakban csak a feszltsgoszts megoldssal fogjuk a
kapcsolsok mkdst trgyalni.
A kapcsolsoknl negatv visszacsatolsokat alkalmaznak a stabilits nvelsre. A kzs
emitteres kapcsolsnl a negatv visszacsatolst az emitter-krbe helyezett ellenllssal
valstjk meg. Annak rdekben, hogy az egyenram s a vltakoz ram
visszacsatols eltr legyen a munkapontbellt ellenllsok egy rsze (vagy akr az
egsz) kondenztorral thidalsra kerl. Az albbi kapcsolsnl a nem hidegtett
ellenlls (RE2) kisjel/vltakoz ram szempontbl visszacsatols, azonban egyenram
szempontbl mindkt ellenlls visszacsatols, mivel a kondenztor egyenramon
szakadsnak tekinthet.
Ut
R1
RC
iC
Cs2
Cs1
ube
R2
UB
RE
uki=uCE
uBE
Rt
RE2
+
CE
80
Hatrozzuk meg a visszacsatols tpust:

A meghatrozshoz rszeire bontjuk a kapcsolst s sszehasonltjuk az elvi brval.
Ut
RC
R1
iC
IB
Cs2
uBE
Cs1
ube
Iki
uki=uCE
uBE
R2
Rt
iE
ube
iE
UB
RE2
uE
RE2
uE
A0
RE1
uki
Rsc
RE1
A visszacsatols tpusa teht soros-ram visszacsatols!

A visszacsatol ellenlls kialaktsra a fenti kapcsolson (a) kvl egyb lehetsgek (pl.
b s c) is rendelkezsre llnak:
Cs1
ube
R2
UB
Cs1
Cs1
uBE
ube
RE2
RE1
R2
UB
CE
uBE
ube
RE
R2
UB
uBE
RE
CE
a)
b)
c)
A b) esetben az RE mind egyenram, mind vltakoz ram szempontbl visszacsatols.
A c) esetben az RE csak egyenram szempontbl visszacsatols, vltakoz ram
szempontbl nincs visszacsatols. Az albbi egyenleteket ennek megfelelen
rtelemszeren lehet alkalmazni.
Jelljk REDCvel az egyenram szempontbl visszacsatol ellenllst s REACvel a
vltakoz ram szempontbl is visszacsatol ellenlls!
kapcsols
REDC
RE1+RE2
a
RE
b
RE
c
REAC
RE1
RE
-
Az eltr egyenram s vltakoz ram visszacsatols clja a megfelel ersts

belltsa a stabilits megrzse mellett.
Nagyjel mkds:
U BM = U t
R2
R1 + R2
81
I0 =
Ut
R1 + R2
U EM = U BM U BEM
I EM =
I BM =
U CEM
U EM
I CM
REDC
I CM
>> I 0
B
U t I CM (RC + REDC )
A munkapont stabilizls hatsvzlata:
Ttelezzk fel, hogy n a hmrsklet!

TUBEUEIEICIBUBE
A hmrskletvltozs hatsra a munkapont megvltozik, azonban a kapcsols a vltozs
egy rszt kikompenzlja az REDC ellenllsokon ltrejv negatv visszacsatolssal!
Kisjel viselkeds:
B
uBE rBE
ube
R1 R2
iB
SuBE
rCE
uCE
E
uE
RC uki
Rt
REAC
Feszltsgersts:
>> 1 u E Su BE REAC = iB REAC
ube = u BE + u E = u BE + Su BE REAC = u BE (1 + SREAC )

uki = Su BE ( RC Rt )
Auv =
uki Su BE ( RC Rt )
S ( RC Rt )
=
=
ube
u BE (1 + SREAC )
1 + SREAC
A kimeneti feszltsgben az rCE ellenllssal nem szmoltunk, mert a gyakorlatban

megvalstott ellenllsokat felttelezve a hatsa elhanyagolhat.
Ha SREAC>>1, akkor az ersts rtkt a (nagyon stabil) ellenllsok szabjk meg:
Auv
RC Rt
REAC
Bemeneti ellenlls:
A bemeneti ellenllst hrom lpsben szmtjuk ki:
I Meghatrozzuk a tranzisztor bemeneti ellenllst (rBE)
II Meghatrozzuk a negatvan visszacsatolt tranzisztor bemeneti ellenllst. (RbeII)
III Meghatrozzuk a kapcsols bemeneti ellenllst (Rbe)
82
uBE
iB
RbeI
ube
Rbe=RbeIII
R1 R2
RbeII
SuBE
rBE
uE
rCE
RE2
RbeI = rBE
RbeII =
ube u BE (1 + SREAC ) iB rBE (1 + SREAC )

=
=
= rBE (1 + SREAC )
ibe
iB
iB
RbeIII = Rbe = R1 R2 rBE (1 + SREAC )
Az RbeII a negatvan visszacsatolt alaperst bemeneti ellenllsa, ami az elmleti rtkkel

jl egyezik. A teljes kapcsols tnyleges bemeneti ellenllsa (RbeIII) azonban a bzisoszt
miatt kisebb.
Kimeneti ellenlls:
Rki =
uki Su BE RC
RC
Su BE
ikiz
A kimeneti ellenlls az alapkapcsolshoz kpest csekly mrtkben ntt.

Hasonltsuk ssze a kapott eredmnyeket a soros-ram visszacsatolsra kiszmtott
sszefggsekkel:
Auv =
S (RC Rt )
1 + SREAC
Av =
A0 = S (RC Rt ) K =
A0
1 + A0 K
REAC
RC Rt
Rbe II = rBE (1 + SREAC ) Rbe = Rbe 0 (1 + A0 K )

14243
1+ A0 K
Rki RC
Rkiv = Rki 0 + Rsc (1 + A0 K ) =
= rCE RC + REAC (1 + SREAC ) RC

REAC << RC
Az sszefggsek megfelel hasonlsgot mutatnak (tbb megfontols csak a kimeneti

ellenlls szmtsnl van, mert ott tbb elhanyagolst is tettnk.)
83
2.6.3.2. Kzs kollektoros kapcsolsok
Ut
RC
R1
Cs1
ube
uBE
R2
Cs2
UB
uki
RE
Az RC ellenlls alkalmazsa a kapcsolsban opcionlis. Feladata a tranzisztor

melegedsnek cskkentse a tranzisztorra jut UCE feszltsg cskkentsvel (s gy a
Pd=UCEIC cskkentsvel). A tovbbiakban azt az esetet vizsgljuk csak, amikor nincs RC
ellenlls.
Az elz kapcsols alapjn meghatrozhatjuk a visszacsatols tpust. A bemeneti krben
semmi sem vltozott, ezrt a soros jelleget kln nem kell bizonytani. Az RE ellenlls a
visszacsatol ellenlls, ami azonban kzvetlenl a kimenetre csatlakozik, gy a kimeneti
feszltsget csatolja vissza, ellenttben az elz ram visszacsatolsos kapcsolssal. A
visszacsatols tpusa teht soros feszltsg visszacsatols.
Nagyjel mkds:
U BM = U t
R2
R1 + R2
I0 =
Ut
R1 + R2
U EM = U BM U BEM
I EM =
I BM =
U CEM
U EM
RE
I CM I EM
I CM
>> I 0
B
U t I CM RE
Munkapont-stabilizls hatsvzlata:
Ttelezzk fel, hogy n a hmrsklet, akkor TUBEUEIEICIBUBE
A hmrskletvltozs hatsra a munkapont megvltozik, azonban a kapcsols ennek egy
rszt kikompenzlja az RE ellenllson ltrejv negatv visszacsatolssal!
Kisjel viselkeds:
B
uBE rBE
ube
R1 R2
iB
SuBE
rCE
E
uE
uCE
RE
uki
84
Terhel ellenllst az eddigiektl eltren- azrt nem vesznk fel, mert gyakori, hogy az
RE ellenlls maga a terhels is!
Feszltsgersts:
>> 1 uki = u E Su BE RE = iB RE
ube = u BE + u E = u BE + Su BE RE = u BE (1 + SRE )
Auv =
uki
Su BE RE
SRE
=
=
<1
ube u BE (1 + SRE ) 1 + SRE
Ha SRE>>1, akkor az ersts egysgnyi.

Bemeneti ellenlls:
A bemeneti ellenlls meghatrozsa a kzs emitteres kapcsolshoz hasonlan trtnik. A
bemeneti ramkr azonos kialakts a kt kapcsolsban, ezrt a bemeneti ellenlls
meghatrozsa is azonos lesz. Gyakorlati esetet felttelezve azonban a kzs kollektoros
kapcsols esetben nagyobb a bemeneti ellenlls, mert az R1 s R2 kzel egyforma, gy
eredjk nagyobb, mint a kzs emitteres kapcsolsban, ahol jelentsen eltrnek
egymstl az ellenllsok.
Rbe = R1 R2 rBE (1 + SRE )
Kimeneti ellenlls:
Kt esetre tudjuk meghatrozni:
a) RE rsze a kapcsolsnak s a terhels kln terhel ellenlls
Rki =
uki SuBE RE
RE
ikiz
Su BE
b) RE egyben a terhel ellenlls is (pl. teljestmnyerstk)

Az ellenlls kiszmtshoz ube=0 vesszk.
ube = 0
u E = u BE
Rki =
1
uki
u
BE =
ikiz
Su BE S
A kimeneti ellenlls nagyon kicsi (S=0.01..0.5 [S], gy Rki=2..100 [])

A b) esetben egyszeren meghatrozhatjuk az ramersts mrtkt is.
Az ramersts:
Ai =
iki ie
=
ibe ib
A kapcsols teljestmnyerstse:
Ap = Au Ai
85
A fentiek alapjn a kzs kollektoros kapcsols felhasznlsi terletei:

Teljestmnyersts (lsd ksbb)
Impedancia illeszts
Meghajt ramkrk
A kzs kollektoros kapcsols (FC) bemeneti ellenllsa nagy, a kimeneti ellenllsa kicsi,
az erstse ~1. Ha egy ramkr kimeneti impedancija (Rki1) nem sokkal kisebb, mint a
rcsatlakoz msik ramkr bemeneti impedancija (Rbe2), akkor a msodik ramkr
terheli az els ramkr kimenett. Ez feszltsgerstknl megengedhetetlen (lsd statikus
s dinamikus munkaegyenes). Ezt elkerlend alkalmazunk impedancia illeszt
ramkrket.
Egy kzs kollektoros kapcsolst iktatunk az elvlasztand ramkrk kz.
1.
2.
1.
Rki1 << Rbe2
FC
2.
Rki1 << RbeFC RkiFC << Rbe2
A meghajt (buffer) ramkrk nagyobb kimeneti rammal rendelkeznek, ltalban kisvagy egysgnyi erstssel, a bemenetkn elhanyagolhat teljestmnyfelvtellel. A kzs
kollektoros kapcsols megfelel ezeknek a kritriumoknak s gyakran alkalmazzk nagyobb
ramigny fogyasztk meghajtsra. Ez a funkci nagyon kzel ll a
teljestmnyerstkhz azzal a klnbsggel, hogy itt ltalban csak az ramersts
fontos.
2.6.3.3. Kzs bzis kapcsolsok
Ut
R1
RC
iC
Cs2
CB
uki=uCE
ube R2
Cs1
Rt
RE
Nagyjel mkds:
A nagyjel munkaponti adatok szmtsa megegyezik a kzs emitteres kapcsolsnl
alkalmazott mdszerrel.
U BM = U t
I0 =
R2
R1 + R2
Ut
R1 + R2
U EM = U BM U BEM
86
I EM =
I BM =
U CEM
U EM
RE
I CM
>> I 0
B
U t I CM (RC + RE )
Kisjel viselkeds:
B
uBE rBE
E
ube
iB
SuBE
rCE
uCE
E
uE
RC uki
Rt
RE
Feszltsgersts:
iB =
ube
rBE
uki = iB ( RC Rt ) =
Auv =
ube
( RC Rt )
rBE
uki
( RC Rt ) = S ( RC Rt )
=
ube rBE
A kimeneti feszltsgben az rCE ellenllssal nem szmoltunk, mert gyakorlatban

megvalstott ellenllsokat felttelezve a hatsa elhanyagolhat.
Az ersts abszolt rtkben megegyezik a visszacsatolatlan kzs emitteres kapcsols
erstsvel.
Bemeneti ellenlls:
Rbe =
ibe =
ube
ibe
ube ube
+
+ Sube Sube
rBE RE
Rbe
ube
1
Sube S
A bemeneti ellenlls nagyon kicsi (~10), amely a feszltsgerstk szempontjbl

htrnyos.
Kimeneti ellenlls
A kimeneti kr nem vltozott a kzs emitteres kapcsolshoz kpest, gy a kimeneti
ellenlls rtke:
Rki RC
87
A kzs bzis kapcsols legnagyobb elnye, hogy a CBE s CBC kapacitsok nem
visszacsatol kapacitsok, gy a fels hatrfrekvencia rtke nem erstsfgg, azonos
krlmnyek kztt a legnagyobb a hrom alapkapcsols krl. Elsdleges felhasznlsi
terlete a szlessv s nagyfrekvencis erstk.
2.6.3.4. Tbbfokozat erstk
A gyakorlati esetek jelents rszben egy erst fokozat nem elegend a kvnt ersts
elrshez. A stabilits, a zavarrzkenysg cskkentse s a szksges hatrfrekvencia
rdekben egy erst fokozattal relisan csak 10..50-szeres ersts rhet el (kzelebb az
als hatrhoz). A tbbfokozat erstk kialaktsnak clja lehet a nagyobb ersts (lt.
feszltsgersts elrse, pl. egyenram erstk, jelkondicionlk), de lehet egy
nagyobb teljestmny erst fokozat meghajtsa is (elerst s ferst).
Az erst lncok tbb szempont szerint is csoportosthatk.
i) Az egyik ilyen lehetsg a fokozatok kztti csatolson alapul. Az egyes fokozatok
kztti csatols lehet:
a) Kzvetlen csatols
b) RC csatols
c) Transzformtoros csatols
d) Optoelektronikai csatols
A d) megolds ltalban alacsonyabb lineartst eredmnyez, nagy elvlasztsi szigetels

mellett. A megoldsrl tbbet az Optoelektronika fejezet tartalmaz (Elektronika IV.).
Az b) s c) megoldsok csak vltakoz ram jelek erstsre alkalmasak, mg az a)
megolds mind egyen-, mind vltakoz ram jel erstse esetn hasznlhat.
ii) Tovbbi lehetsg az erstk frekvenciasvja szerinti csoportosts:

a) Egyenfeszltsg erstk
b) Normlsv erstk
c) Szlessv erstk
d) Szelektv erstk
Az egyenfeszltsg erstknek nincs als hatrfrekvencijuk. A fels hatrfrekvencijuk
a hangfrekvencis tartomnyba esik. Elssorban mrstechnikai clokra alkalmazzk ket.
A normlsv (esetleg hangfrekvencis) erstk ltalnos clra hasznlt erstk.
A szlessv erstket gyakran nevezik impulzus- vagy video erstknek is, mivel
elssorban impulzus-szer jelek erstsre szolglnak.
A szelektv erstknek mind teresztsvi, mind zrsvi tulajdonsgai meghatrozottak.
Elssorban a rdifrekvencis vagy afltti frekvenciatartomnyban hasznlt erstk, de
szlesebb rtelemben ide sorolhatk az aktv szrk is.
iii) Lehet az erst lncokat a teljestmnyerstsben betlttt szerepk szerint is
csoportostani:
a) Elerst
b) Ferst
c) Vgerst
Az elerst clja az alacsony bemeneti jelnek a ferst ltal megkvetelt szintre
erstse. Az elerstk nagy stabilitssal s nagyon alacsony zajjal rendelkeznek, mivel a
88
jel sszemrhet a zajjal. Tulajdonsgaik alapveten meghatrozzk az egsz erstlnc

tulajdonsgait.
A ferstk illesztik a jelet a vgersthz s lltjk be a vgerstk optimlis
munkapontjt. ltalban nagyjel feszltsgerstk. A vgerstk teljestmnyerstk.
2.6.3.4.1. Kzvetlen csatolt erstk (Direct Coupled)
A kzvetlen csatolt erst fokozatok kvethetik egymst sorosan (kaszkd erstk), vagy
prhuzamosan (kaszkd erstk). A kaszkd erstk gyakran a klnbz ramkrfajtk
elnys tulajdonsgait hasznljk fel, pl. KE+KK kapcsols. A kzvetlenl csatolt erstk
egyenram munkaponti jellemzi sszefggnek, ami hstabilits szempontjbl nagyobb
ignyeket tmaszt az ramkrkkel szemben. Az egyik fokozat lltja be a msik fokozat
munkapontjt s vissza, ami azt eredmnyezi, hogy az elz fokozat munkapontjnak
megvltozsa kihat a msik fokozat munkapontjnak stabilitsra is. A fenti okok miatt
gyakran alkalmaznak kzs visszacsatolst, ami mindegyik fokozatra egyszerre hat, br
lehetsges az egyes fokozatok egyedi visszacsatolsa is.
Egy tipikus kzvetlen (DC) csatolt ktfokozat erst:

Ut
RC2
RC1
Cs1
T1
Cs2
T2
ube
Rv
RE
uki=uCE
Rt
CE
A kapcsols kt visszacsatolst tartalmaz: ram-soros visszacsatolst a T2 emitter-krben

s egy ram-prhuzamos visszacsatolst a kt fokozat kztt.
Nagyjel zem:
(az els tranzisztor krben lev elemek s paramterek 1 indexet, mg a msodik esetn 2
indexet kapnak)
I C1= B1I B1
U CE1 = U t I C1R C1
U E 2 = U CE1 U BE 2
IC 2 I E 2 =
UE2
RE
U CE 2 = U t I C 2R C 2
I B1 =
U E 2 U BE1
Rv
U BE1 = f (I B1 )
89
Kisjel viselkeds
(A kapcsols vltakoz ram szempontbl visszacsatolst nem tartalmaz.)
RC1
rBE1 S1uBE1
ube Rv
rBE2 S2uBE2
rCE1
rCE2
RC2 uki
Ersts:
uki = S 2 (rCE 2 RC 2 Rt )( S1 (rCE1 RC1 rBE 2 )ube )
Au = S1S 2 (rCE 2 RC 2 Rt )(rCE1 RC1 rBE 2 )
Bemeneti ellenlls:
Rbe = Rv rBE1
Kimeneti ellenlls:
Rki = RC 2 rCE 2
A fenti kapcsols a CS1 s CS2 csatolkondenztorok elhagysa esetn egyenfeszltsgtl

kpes ersteni, br ekkor a nagyjel viselkedst a kls elemek (meghajtgenertor,
terhels) is befolysolja.
2.6.3.4.2. RC csatolt erstk
Az RC-csatolt erstk egymshoz kondenztoros elvlasztssal csatlakoznak. Az

egyenram munkapontot az egyes fokozatok kln-kln lltjk be. Ez a megolds tbb
alkatrszt ignyel s elvileg sem lehetsges egyenfeszltsg erstse.
Pl. ktfokozat RC csatolt kzs emitteres erst:
Ut
R1
ube
Ut
RC1
R3
Cs1
Cs2
R2
R4
RE1
AI
CE1
RC2
Cs3
uki
RE2
Rt
CE2
AII
Az ered ersts:
A = AI AII
A nagyjel viselkeds illetve a fokozatok kisjel viselkedsnek meghatrozsa a kzs

emitteres kapcsolsnl trgyaltak szerint trtnik.
90
2.6.3.4.3. Transzformtoros csatols
Transzformtoros csatolst elssorban a terhel impedancia illesztsnl alkalmazunk, de

lehetsges fokozatok kztti elvlasztsra is hangfrekvencis transzformtort alkalmazni.
A transzformtorok fizikai mretei azonban nem illeszkednek a modern elektronika
mreteihez s kltsgeihez, ezrt alkalmazsa csak specilis esetben illetve
nagyfrekvencin indokolt.
2.6.4.
Szimmetrikus erstk
A szimmetrikus erstk kitntetett szerepet jtszanak a modern integrlt alap

erststechnikban, de diszkrt megvalstsokban is alkalmazzk ket. Nagy elnyk az
aszimmetrikus megoldsokkal szemben, hogy zavarrzkenysgk -elssorban is a kls
elektromgneses zavarokra- sokkal kisebb.
A mveleti erstknl dnten szimmetrikus bemeneti fokozat van s az ipari
mszererstk is szinte kizrlagosan szimmetrikus bemenettel rendelkeznek (lsd
Elektronika III.)
Alapvet szimmetrikus erst a differencilerst, amelyet mind tranzisztorral, mind
FET-vel megvalstanak. A tranzisztoros megolds nagy elnye a nagyobb alkatrsz
szimmetria s az alacsonyabb hfokfggs, de magasabb bemeneti impedancival
rendelkeznek s br kicsi, de nem mindig elhanyagolhat a bemeneti ramuk. A FETbemenet differencilerstk elhanyagolhatan kicsi bemeneti rammal rendelkeznek,
mind a szimmetrikus, mind az aszimmetrikus bemeneti impedancijuk rendkvl nagy, de
nagyobb az aszimmetria s ersebb a hfokfggs.
2.6.4.1. Tranzisztoros differencilerst
A kapcsols helyes mkdsnek alapja a teljesen egyforma flvezetk alkalmazsa,

amelyet legknnyebben integrlt megvalstssal rhetnk el, de van diszkrt
tranzisztorokkal megvalstott differencilerst is.
Elvi kapcsols a vonatkoztatsi irnyokkal:
+Ut
RC
ube1
RC
UE
ubes
uBE2
uBE1
iE1 iE2
ube2
I0
ukis
uki1
uki2
-Ut
A lehetsges fizikai megvalstsok:
Prba vlogatott (paramter egyezsg alapjn) kzs htfelletre szerelt
tranzisztor-pr
Integrlt differencilerst tranzisztor-pr, esetleg beintegrlt (mikrochip)
hmrsklet stabilizlssal
Mveleti erstk bemeneti fokozata, amely dnten differencilerstvel pl fel
91
A kapcsols alapjn felrhat sszefggsek:

U E = ube1 u BE1 = ube 2 u BE 2 ubes = ube1 ube 2 = u BE1 u BE 2
iE 1 I E 0 e
u BE 1
UT
i
u BE1 =U T ln E1
IE0
I 0 = iE1 + iE 2 = I E 0e
u
bes
= I E 0e
1 + e UT
124
3
iE1
u BE 1
UT
u BE 1
UT
+ I E 0e
u BE 2
UT
= I E 0e
bes
= i 1 + e U T
E1
u BE 1
UT
+ I E 0e
u BE 1 u bes
UT
Az IE0 a maradkram.
I0
iE 1 =
iE 2
u
bes
UT
u
I 0
1 + th bes
2
2U T
1+ e
u
I
= 0 1 th bes
2
2U T
iC1
iC 2
brzoljuk a kollektor ramokat a szimmetrikus vezrlfeszltsg fggvnyben:
I0
ic2
0.982I0
I0/2
ic1
0.018I0
ubes
4UT
Megfigyelhet, hogy mr viszonylag kis bemeneti feszltsg (4UT=104 mV) esetn is az
ram majdnem teljesen tterheldik az egyik tranzisztorra. A differencilerstk ezen
tulajdonsgt hasznljk ki a kt feszltsg sszehasonltsra szolgl kompartoroknl,
illetve a teltetlen logiks ECL digitlis ramkrkben.
Nyugalmi llapotban a kapcsols kt tranzisztorn egyforma ram folyik (I0/2), gy a
szimmetrikus kimeneti feszltsg nulla.
A differencilerst meredeksge:
S=
iC
I
= 0
ubes 4U T
S max u
bes
=0
u
1 th 2 bes
2U T
I0
4U T
A meredeksg nem lland, ami nemlineartst okoz. A maximlis meredeksget az ubes=0

esetn kapjuk.
92
A meredeksg vltozsnak grafikus brzolsa:

S
Smax
ubes
A meredeksg vltozsa az ersts vltozst okozza, amely ers nemlineartst

eredmnyez. Ennek kivdsre klnbz mdszereket alkalmaznak attl fggen, hogy
diszkrt elemekkel felptett vagy integrlt kivitel differencil erstrl van-e sz.
a) Diszkrt elemekkel felptett differencilerstk esetn negatv visszacsatolst
alkalmazunk az emitter-krben. Ennek kvetkeztben a meredeksg maximlis
rtke is jelentsen cskken, azonban vele egytt cskken a meredeksg vltozsa
is. (lsd a grbe)
b) Integrlt differencilerstk esetn nincs md kls beavatkozsra, hanem a
bemeneti jeltartomnyt korltozzk le, ami a gyakorlatban megvalsthat, mert a
maximlis bemeneti jeltartomny lineris zemben kisebb, mint 50V ltalban.
Ebben a tartomnyban a meredeksg vltozsa elhanyagolhat (b grbe). A
valsgban a hasznos jeltartomny lineris zemben a fenti tknl is kisebb lehet.
S
Smax
a)
b)
ubes
A bemeneti ramoknak, teljesen szimmetrikus bemenetek s ubes=0 esetn, egyformnak

kellene lennie, azonban teljesen egyforma karakterisztikj s tulajdonsg flvezetk nem
gyrthatk, gy az ramok is klnbzni fognak.
Nyugalmi ram (bias)
Ib =
I B1 + I B 2
2
Ofszet (hiba) ram

I b 0 = I B1 I B 2
Bemeneti ellenllsok:
a) Szimmetrikus bemeneti ellenlls (Rbes):
Rbes = 2rBE
93
b) Kzsmdus bemeneti ellenlls (Rbek)

Helyettestsk a vals ramgenertort a Norton-helyettest kapcsolsval (Rg).
Rbek = rBE (1 + SRg )
Az Rbek>>Rbes (akr tbb nagysgrenddel is). A bemeneti ellenllsok nagy rtkek egy
megvalstott kapcsolsnl, gy gyakran csak a szimmetrikus bemeneti ellenllst kell
figyelembe venni, mert a kzsmdus bemeneti ellenlls ehhez kpest is
nagysgrendekkel nagyobb.
rtelmezhetjk a szimmetrikus kimeneti ellenllst (Rkis) s az aszimmetrikus kimeneti
ellenllst (Rki) is. A kimenetek kzl azonban vagy csak a szimmetrikus vagy valamelyik
aszimmetrikus kimenetet hasznljuk, de nem egy idben. A kt ellenlls gy egytt nem
rtelmezett.
2.6.4.2. FET-es differencilerst
A differencilerstket leggyakoribban a mveleti erstk bemeneti fokozataknt

alkalmazzuk. Elssorban az ltalnos cl mveleti erstk kategrijban a FET -azon
bell is a JFET- differencilerst alkalmazsa egyre jobban terjed. Nagy elnye az ilyen
erstknek, hogy a JFET bemenet miatt a bemeneti ramok teljes mrtkben
elhanyagolhatk (nhny nagyon klnleges alkalmazsi esettl eltekintve, pl. tltscsatolt
erstk), a bemeneti ellenlls rendkvl nagy. Tovbbi elny a FET alacsonyobb zaja.
Htrnya azonban, hogy a flvezetk aszimmetrija nagyobb, mint a bipolris
tranzisztorral felptett differencilerstk esetn (br ez egyre javul), ezrt a
hibafeszltsg (ofszet feszltsg) ltalban nagyobb. Tovbbi htrny a FET-ek ersebb
hmrskletfggse, amely minden paramtert befolysol.
A FET bemenet differencilerst elvi kapcsolsa:
+Ut
RD
RD
ukis
uki1
ube1
IS1 IS2
I0
uki2
ube2
-Ut
2.6.5.
Erstk nemlineartsa (torzts)
Az aktv elemek alapveten nemlineris elemek. Kapcsolsi megoldsokkal (pl. negatv

visszacsatols) a nemlienarts cskkenthet, azonban klnsen a nagyjel erstknlteljesen nem szntethet meg. A nemlinearts hatsra az erstett jellemz torzul. A
torzuls bekvetkezhet amplitdban, fzisban s frekvenciban is.
Szinuszos vezrl jelet felttelezve a torzuls lehet harmonikus torzuls, amikor a szinusz
jel amplitdjnak torzulsa kvetkeztben megjelennek a felharmonikusok (a
nemszinuszos periodikus jeleknek megfelelen, lsd Elektronika I.).
94
Az erst karakterisztikjnak nemlineartsa kvetkeztben kt frekvencia ltrehozhat

egy harmadik (az eredeti jelben nem szerepl) frekvencit is (intermodulcis torzts).
Az erst fzis-karakterisztikjnak nemlineartsa azt eredmnyezheti, hogy a klnbz
frekvencij jelek eltr fzishelyzetben jelennek meg az erst kimenetn. A
fzistorzuls jellemzsre a csoportfutsi id karakterisztikt hasznljk, amelynek
klns jelentsge van az impulzus-erstknl.
Analg erstknl elssorban a harmonikus torzulsokkal szmolunk, amely lehet az
alapharmonikusra vett torzts s a teljes harmonikus torzts (THD).
Ttelezznk fel egy feszltsgerstt, legyen az alapharmonikus effektvrtke U1, akkor
a keletkez felharmonikusok: U2, U3, U4,. A harmonikus torzts esetn az egyes
keletkez felharmonikusokat kln-kln vonatkoztatjuk az alapharmonikusra (ltalban
szzalkos mrtkben), pl. a msodik harmonikus torzts:
D2 =
U2
U1
A teljes harmonikus torzts (THD):
THD =
U
i=2
2
i
U1
A csoportfutsi idt a szrknl definiljuk.

2.6.6.
Erstk hatrfrekvencija
A korbban vizsglt kapcsolsoknl a fizikailag megvalstott kondenztorok s a

flvezetkben keletkez szrt kapacitsok hatsaitl eltekintettnk.
Vizsgljuk elszr a valsgos kondenztorok (be- s kimeneti csatol kondenztor s
emitter hidegt kondenztor) hatst:
a) csatol kondenztorok hatsa
erst
Rg Cbe
Ug
Cki
Rki
Ube Rbe
Uki
Rt Ut
AvUbe
A bemeneti s a kimeneti krre felrhat:
U be ( s ) = U g ( s )
U t ( s ) = U ki ( s )
Rbe
Rbe + Rg +
Rt
Rt + Rki +
1
sCbe
1
sCki
= U g ( s)
= U ki ( s )
sRbeCbe
sCbe (Rbe + Rg ) + 1
sRt Cki
sCki (Rki + Rt ) + 1
95
A=
sRbeCbe
sRt Cki
sRt Cki
U t U be ( s )
=
= Av
=
Av
1 + sCbe (Rbe + Rg ) [1 + sCki (Rki + Rt )]
sCki (Rki + Rt ) + 1
U g U g ( s)
s
= Av
be*
ki*
1 + s 1 + s
be
ki
be =
Cbe (Rbe + Rg )
, ki =
1
Cki (Rki + Rt )
A csatol kondenztorok, egyttesen a meghajt genertor s a terhels ellenllsval, az

erst ered erstst a fenti egyenlet szerint vltoztatjk meg.
Az ersts frekvenciafggsnek brzolshoz ttelezzk fel, hogy be<ki (Ez nem
felttlenl igaz. A gyakorlatban brmelyik lehet kisebb vagy nagyobb, st egyenl is. Ez az
elvet azonban nem befolysolja.)
A()
20lgAv
-3dB
be
20lgA
ki ki*
be*
lg
Mindkt csatol kondenztor -az bra szerint- az als hatrfrekvencit befolysolja.

Amennyiben be<<ki, akkor a -3 dB-es hatrfrekvencia a=ki, ha ez a felttel nem
teljesl, akkor az be is befolysolja a hatrfrekvencit. (ki<<be esetn termszetesen
mindez fordtva van).
b) emitter hidegt kondenztor hatsa

A hatst a korbban trgyalt kzs emitteres kapcsols c) vltozata (az emitter ellenlls
egyenram szempontbl visszacsatols, vltakoz ram szempontbl a kondenztor
miatt rvidre van zrva) alapjn vizsgljuk. Ha nem hanyagoljuk el a kondenztor hatst,
akkor az ersts:
Au 0 = S (RC Rt )
A( s ) =
S (RC Rt )
1
1 + S RE
sC E
= S (RC Rt )
1
SRE
1+
1 + sC E RE
96
1+ s
S (RC Rt ) 1 + sC E RE
1 + sC E RE
E
= Auv
A( s ) = S (RC Rt )
=
1 + sC E RE + SRE
1 + SRE 1 + s CE RE
1+ s *
1424
3
E
1 + SRE
Auv
E =
1
CE RE
E* =
1 + SRE
= E (1 + SRE )
CE RE
brzolva az ersts vltozst a frekvencia fggvnyben:

Auv()
20lg|Auv|
E*
lg
Az bra alapjn megllapthat, hogy az emitter-hidegt kondenztor is az als

hatrfrekvencit vltoztatja (E). A trspont hatsra ugyanaz rvnyes, amit a
csatolkondenztoroknl megllaptottunk, azaz a dominns trspont -brmelyik lehet a
hrom trspont kzl- hatrozza meg a hatrfrekvencia rtkt.
Tervezs esetn gy vlasztunk, hogy azt a trspontot vesszk az elrt als
hatrfrekvencira, amelynek ellenllsai a legkisebbek (mert ehhez kell a nagyobb
kondenztor) s a msik kt trspontot az als hatrfrekvencihoz kpest egy dekddal
kisebbre vlasztjuk (gy nem lesz hatsuk az als hatrfrekvencia rtkre).
A flvezetk szrt kapacitsainak hatsa
A korbbi kapcsolsokban mindig a tranzisztor, illetve a

FET alacsonyfrekvencis kisjel helyettest-kpt
hasznltuk s az aktv elemek szrt kapacitsainak hatst
elhanyagoltuk. A tranzisztorok esetn szrt kapacits a
bzis-emitter tmenetben s a kollektor-bzis tmenetben
alakul ki (nagysga katalgus adat). A FET-nl ennek
megfelelen a gate s a csatorna, azaz a gate-source s a
gate-drain kztt alakul ki. Vizsgljuk meg a szrt ube
kapacits hatst a kzs emitteres tranzisztoros
alapkapcsols alapjn.
Ut
R1
R2
RC
CCB
iC
uki
CBE
Kisjel viselkeds:
B
ube
R1 R2 uBE
CCB
rBE
rCE
uCE
E
RC uki
CBE
SuBE
A visszacsatol kondenztort (CCB) letranszformlhatjuk a ki- s a bemenetre a korbban
meghatrozott transzformcis sszefggsek alapjn (lsd Miller-hats). A kimeneten a
97
kondenztor gyakorlatilag vltozatlan kapacits rtk mellett transzformldik s

figyelembe vve, hogy a kimeneti ellenlls ltalban jval kisebb, mint a bemeneti, gy a
kimeneti kr hatsa elhanyagolhat a bemeneti krhz kpest. A tovbbiakban ennek
megfelelen csak a bemeneti kr hatst vizsgljuk. A kt szrt kapacits kzel azonos
rtk, azonban a transzformci miatt a CCB kapacitsnak van dominns hatsa, mivel
rtke erstsszer nagyobb, mint a CBE kapacits.
Auv = S ( RC rCE Rt )
'
CCB
= CCB (1 + Auv )
'
Ce = CBE + CCB
CCB (1 + Auv )
U be (s ) = U g
Au ( s ) =
Rbe
1
sCe
Rg + Rbe
1
sCe
Rbe
1
sCe
U ki ( s ) U ki ( s ) U be ( s )
=
= Auv
=
1
U g ( s ) U be ( s ) U g ( s )
Rg + Rbe
sCe
Rbe
Au
1
= Auv
=
Rbe + Rg 1 + sCe (Rbe Rg ) 1 + s
f
142
43
Au
f =
Ce (Rbe Rg )
1
1
, Rbe >> Rg
Ce Rg CCB (1 + Auv )Rg
Feszltsgersts esetn a bemeneti ellenllsnak jval nagyobbnak kell lennie, mint a

meghajt genertor ellenllsa, hogy az erst ne terheljen be, ezrt az Rbe hatsa
elhanyagolhat.
Au()|
20lgAu0
-20dB/D
f
lg
A szrt kapacits teht a fels hatrfrekvencit befolysolja. Annl nagyobb a fels

hatrfrekvencia, minl kisebb az ersts.
A kzs bzis kapcsolsok esetn egyik kapacits sem visszacsatol, gy nincs
transzforml-hats. Ekkor rhet el a legnagyobb hatrfrekvencia, ezrt a kzs bzis
kapcsolsokat gyakran alkalmazzk nagyfrekvencis vagy szles sv alkalmazsokban.
98
2.6.6.
Teljestmnyerstk
A teljestmnyerstk a nagyjel erstk kategrijba tartoznak s az erst lncban

elfoglalt helyk alapjn gyakran nevezik ket vgerstknek is.
A teljestmnyerstket osztlyokba soroljk, amelynek alapja, hogy a vgerst
tranzisztor/MOSFET zemidejnek hny szzalkban vezet. (Egy ms megfogalmazs
szerint a vgerst tranzisztort/MOSFET-et szinusz jellel vezrelve az hny fok
tartomnyban vezet -folysi szg-.) Ennek megfelelen vannak A, B, AB, C s egyes
szakirodalmak szerint- D,E,F osztly erstk is. Az analg technikban elssorban az A,
B s az AB osztly erstknek van klnsen nagy jelentsgk.
IC
IB5
IB4
IIB3
B
M(A)
IB2
M(AB)
ICE0
M(B)
IB1
UCE
ki(A)
ki(B)
ki(AB)
A terhels illesztse is klnbz lehet:
kzvetlenl csatolt,
kondenztoros levlaszts
transzformtoros csatols.
A teljestmnyerstk optimlis illesztse:
-Ukimax
+Ikimax
iki
Rt1
Rt2
Rt3
Pdmax
uki
Pdmax
-Ikimax
+Ukimax
A vonallal hatrolt terlet az, ahol a

teljestmnyerstk biztonsggal mkdhetnek
(SOA). Felttelezve hrom klnbz terhel
ellenllst megllapthat, hogy az Rt1 esetn a
maximlis kimeneti ram, Rt3 esetn a
maximlis kimeneti feszltsg hamarabb
hatrol, mintsem a maximlis kimeneti
teljestmnyt elrnnk. Az Rt2 az optimlis
terhels esete, mivel mind a maximlis
kimeneti ramot, mind a maximlis kimeneti
feszltsget, azaz a maximlis kimeneti
teljestmnyt el tudjuk rni.
99
2.6.6.1. A osztly erstk
Az A osztly erstk vgtranzisztorai optimlis munkapontba lltva zemelnek, gy a

tranzisztorok 100%-ban vezetnek (folysi szg 360), pl. kzs emitteres vagy kzs
kollektoros kapcsols, ahol a kollektor illetve emitter munkapont-bellt ellenlls maga a
terhels.
A felvett teljestmny a fenti bra szerinti optimlis kivezrlst felttelezve (fggetlenl a
kivezrls mrtktl) lland:
Pf =
U t2
2 Rt
Az Ut a tpfeszltsg, Rt a terhel ellenlls.

A maximlis kimeneti teljestmny (szinuszos jelet felttelezve s a szaturcis feszltsget
valamint a maradkramot elhanyagolva):
U
U
U ki = t U ki = t
2
2 2
2
2
U
U
Pki max = ki = t
Rt 8Rt
Az elrhet maximlis hatsfok:
Pki max 1
= 25%
Pf
4
Az A osztly erstk hatsfoka nagyon alacsony, kivezrls nlkl akr nulla is lehet.
Az optimlis teljestmnyilleszts (Rt=RC) miatt a terhelsnek viszonylag nagy rtknek
kell lenni, ami gyakran nem teljesl, ilyenkor megoldst jelenthet a transzformtoros
illeszts (hangfrekvencis transzformtorral!). A transzformtoros illeszts tovbbi elnye,
hogy az elrhet hatsfok egszen 50%-ig emelkedhet (nem szmtva a transzformtor
vesztesgeit).
Az A osztly erst kapcsolsnak megfelelnek a korbban trgyalt KE s KK
kapcsolsok, de alacsony terhel impedancik esetn elssorban a KK kapcsols jhet
szba. Transzformtoros csatols esetn (helyesen megvlasztott transzformtor tttelnl)
mindkt kapcsols megfelel, alacsony impedancik esetn is.
Lehetsges szimmetrikus erstkkel is A osztly zemet ltrehozni, erre alkalmasak pl.,
az ellentem transzformtoros csatols soros vagy prhuzamos meghajts
vgfokozatok.
Az A osztly teljestmnyerstk legfontosabb elnye a nagyon kedvez torztsi
tnyez, amely elssorban szrakoztat elektronikai alkalmazsokban fontos.
2.6.6.2. B osztly erstk
A B osztly erstk munkapontja az UCE=Ut pontban van. Szinuszos jelet felttelezve ez

azt jelenti, hogy egy vgtranzisztorral egy fl peridust lehet ersteni, teht a msik fl
peridus erstshez egy az elzvel ellenttes fzisban mkd msik vgtranzisztorra
van szksg.
100
Mkdsi viszonyok teljes kivezrls esetn:

npn tranzisztor
mkdik
+IC
A pillanatnyi munkapont
mozgsa
pnp tranzisztor
mkdik
npn
Ut
pnp
ki
-IC
A B osztly erstk tipikus ramkre az ellentem (push-pull) vgfokozatok.
Az ellentem vgfokozat elvi kapcsolsa:
A kapcsols tulajdonkppen egy npn s egy pnp tranzisztorprra pl kzs kollektoros
kapcsols, ahol a terhels egyben a munkapont-bellt ellenlls is. A kt fl-kapcsols
sorosan egyms utn mkdik, gy a kapcsols alapvet
+Ut
tulajdonsgai megegyeznek a kzs kollektoros
kapcsolsnl trgyaltakkal. A kt vgtranzisztort
ugyanazzal a jellel vezreljk, gy ami nyit az egyikre
az zr irny a msikra nzve. Nagyobb ramok esetn
Darlington kapcsolst, esetleg tbb tranzisztorral
ube
uki
kialaktott Darlington kapcsolst alkalmazunk.
Azonos tpus vgtranzisztorokkal is felpthet a
kapcsols, azonban ekkor a pnp tranzisztort kompozit-Ut
Darlington kapcsolssal kell felpteni.
+Ut
ube1
uki
ube2
Lteznek kvzi-komplementer kapcsolsok is, amikor a

kt vgtranzisztor npn tpus, ekkor azonban a
vgfokozat meghajtsban kell gondoskodni az
ellentem zemllapot biztostsrl, azaz a kt
tranzisztort kell kt klnbz (ellenfzis) jellel
vezrelni.
-Ut
Ellentem erstk elvi hatsfoka:
A maximlis kimeneti teljestmny, ha elhanyagoljuk a szaturcis feszltsget:
Pki max =
U t2
2 Rt
101
Egy tranzisztor vesztesgi teljestmnye:

1
PdT 1 =
2
=
1
Rt
u (t )
1
0 (U t uki (t )) kiRt dt = 2
(U
U sin (t )
dt =
U ki sin (t ) ki
Rt
U kiU t U ki2
A vesztesgi teljestmny egy tranzisztorra maximlis kimeneti teljestmny esetn:
U ki = U t
PdT 1 =
1 U t2 U t2 U t2
=
0 . 068
R t
Rt
4
A hatsfok teljes kivezrls esetn:
Pki max
Pki max + 2 PdT 1
U t2
2 Rt
= 2
= 0.786 78.6%
Ut
U t2
+2
0.068
Rt
2 Rt
Meghatrozhatjuk a tranzisztorok maximlis vesztesgi teljestmnyt. A levezetsbl

megllapthat, hogy a vgtranzisztorok maximlis vesztesgi teljestmnye nem a teljes
kivezrlsnl lp fel, hanem 64%-os kivezrls esetn:
dPdT 1
U
1 U 2U ki
U ki = 2 t 0.64U t
=0= t
Rt
4
dU ki
PdT 1 max
2
U
Ut
t
2
2 Ut
1
U t2
=
=
Rt
4 Rt 2
A tranzisztorok htst a fenti teljestmnyre kell mretezni!

A B osztly vgfokozat mkdse kis kivezrlsek esetn:
Idelis karakterisztika
ibe
Tranzisztor bemeneti karakterisztika
ube
Kis jelek esetn a bemeneti karakterisztika nullpont krli nemlineartsa

miatt jelents torzts lp (gyakran nevezik ezt a torztst kereszt-torztsnak
is). Ennek kivdsre az AB osztly zemmd alkalmas.
102
Vgtranzisztorok hmegfutsa:
A kzs jelrl vezrelt vgtranzisztorok, ha a hmrskletk eltr, vagy paramtereik
elssorban is a bemeneti karakterisztikjuk s annak hfokfggse- eltrnek egymstl,
akkor klnbzkppen vezetnek vltoz hmrsklet esetn. A jobban vezet tranzisztor
nagyobb ramot knyszert a terhelsre, amire a tranzisztor jobban melegszik, mire (a
negatv hfokfggs bemeneti karakterisztika miatt) mg jobban kinyit, ami tovbbi
melegedst okoz. Ez a folyamat akr a vgtranzisztor tnkremenetelt is okozhatja.
Vdekezs:
Prba vlogatott tranzisztorok (paramter egyezsg)
Azonos hmrsklet biztostsa (kzs htfelletre szerels)
Negatv visszacsatols alkalmazsa az emitterkrben
+Ut
Az emitter ellenllsnak kis rtknek kell lennie a

terhel ellenllshoz kpest, mert cskkenti a hatsfokot.
RE
ube
RE
uki
-Ut
Ugyanezt a vgfokozatot kapcsolzemben is hasznljk

(D osztly erst), amikor a hatrfrekvencia kzelben
trtn zemels esetn elfordulhat, hogy az egyik
tranzisztor mg nem zrt le s a msik tranzisztor mg
nem nyitott ki teljesen. Ilyenkor kzvetlenl egy ram
indul meg a kt tpfeszltsg kztt, ami rontja a
hatsfokot s nveli a melegedst. Ennek korltozsra is
j az emitter ellenlls alkalmazsa. Megjegyezzk, hogy
ellentem kapcsolzem alkalmazsokban egyb
ramkri kialaktsok is szoksosak.
A B osztly erstket olyan alkalmazsokban hasznljuk elssorban, amikor lnyeges a

j hatsfok, de nem kritikus a torzts, pl. ipari elektronikai alkalmazsok: szolenoidok
vezrlse, elektromechanikus mkdtets aktutorok vezrlse, arnyos mgnes szelepek
vezrlse, stb.
2.6.6.3. AB osztly erstk
+Ut
U0
ube U0
uki
-Ut
Az AB osztly zem a nullpont krli nemlinearts

okozta torztsok kivdsre szolgl. A tranzisztorokat a
nyits hatrig elfesztjk (U0 egyenfeszltsg
alkalmazsval). Ez azt eredmnyezi, hogy a kapcsols
kivezrls nlkli esetben is vesz fel teljestmnyt (br
lnyegesen kisebbet, mint A osztly zem esetn), gy
hatsfoka akr nulla is lehet. A maximlis kivezrlsnl
elrhet hatsfok is cskken (br nem jelentsen) a B
osztlyhoz kpest.
Az U0 rtke a vgfokozat konkrt kapcsolstl fgg (Darlington, stb.). A tranzisztorok

UBE(T) feszltsge a hmrsklettl fgg, gy az U0 feszltsgnek is egytt kell vltoznia a
az UBE(T) feszltsggel. Ez gy rhet el, ha az U0 ellltsra szolgl flvezetk
hmrsklete (a vgtranzisztorokkal azonos htfelletre szerelik) s hfokfggse
megegyezik a vgtranzisztorokval. Szoksos megolds az U0 ellltsra vagy dida-sor
alkalmazsa, vagy tranzisztoros kapcsols.
103
A bemeneti karakterisztika vltozsa B osztlyhoz kpest:

Idelis karakterisztika
Tranzisztor bemeneti
karakterisztika
B osztly
ibe
U0
ube
U0
Tranzisztor bemeneti
karakterisztika
AB osztly
Megfelel U0 alkalmazsval az idelis s a tnyleges kzel azonos rtkre hozhat, ami a

torzts jelents cskkenst eredmnyezi.
Pl. tranzisztoros munkapont-bellt kapcsols:
R1
U0
U BE = U 0
R
R2
U 0 = U BE 1 + 1
R1 + R2
R2
R2
Vgfokozat AB osztly munkapontbelltssal:
+Ut
+Ut
I
U0
U0
uki
ube
-Ut
uki
ube
-Ut
Az AB osztly erstk a nagyjel hangfrekvencis erstk gyakran alkalmazott

megoldsai, ahol a torzts s a hatsfok kztt kompromisszum szksges.
Lehetsges egy tpfeszltsges teljestmnyerstk megvalstsa is. Ekkor azonban a kt
tranzisztor emittere nem nulla feszltsgen lesz, gy a terhelsre egyenfeszltsg jutna. Az
egyenfeszltsg a terhelsen vagy nem megengedett (pl. induktv terhels), vagy felesleges
melegedst s fogyasztst okozna, ezrt kondenztoros levlaszts szksges a terhels a
kimenet kz. A kis kimeneti impedancia miatt azonban nagy rtk kondenztor
szksges, ami megbzhatatlan s nagy mret.
2.6.7.
Szlessv erstk
A tranzisztoros (FET-es) alapkapcsolsok nagyfrekvencis tulajdonsgait az ersts s a

visszacsatol szrt kapacits hatrozta meg. Nagy svszlessg esetn alacsony erstst
lehetett megengedni. Kzs bzis kapcsols esetn pedig egyb tulajdonsgok romlottak.
104
A nagy svszlessg ellltshoz ezrt specilis kapcsolsokat ltalban erst

lncokat- hoznak ltre. Kedvez svszlessg kapcsolsok, pl. a KE+KK kapcsolsokkal
megvalstott kaszkd erstk.
2.6.8.
Szelektv erstk
A szelektv erstk a frekvenciatartomny egy meghatrozott tartomnyt erstik.

Alacsony frekvencis megvalstsaik tulajdonkppen az aktv szrk, amelyek rszletes
trgyalsra az Elektronika III. jegyzet Aktv szrk fejezetben kerl sor.
Nagyfrekvencis szelektv erstk hangolt LC krket tartalmaz erstk,
tulajdonkppen ezek is aktv svszrk, csak nem RC elemekkel felptve.
Ajnlott irodalom
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
Tietze, U-Schenk, Ch.: Analg s digitlis ramkrk, Mszaki Knyvkiad, 1990.

Millman,J-Grabel,A: Microelectronics, McGraw-Hill Int. Publ., 1987.
Kittel, Ch.: Bevezets a szilrdtest fizikba, Mszaki Knyvkiad, 1981.
Mayer,T-Vg,I: Szilrdtestfizika, LSI Oktatkzpont, 1995.
Seymour,J: Electronic devices and components, Pitman Publ., 1981.
Uray-Szab: Elektrotechnika, Tanknyvkiad, 1992.
Savant-Roden-Carpenter: Electronic Design, The Benjamin-Cummings Publ. 1991.
105
Tartalomjegyzk
2.0. Diszkrt flvezetk s alkalmazsaik ........................................................................ 2
2.1. Flvezet-elmlet alapjai....................................................................................... 2
2.1.1.
A pn tmenet.................................................................................................. 8
2.1.1.1.
A pn rteg gerjesztse kls feszltsggel .......................................... 10
2.1.1.2.
Letrsi jelensgek a pn rtegben........................................................ 11
2.1.2.
Fm-flvezet tmenet ................................................................................ 12
2.1.3.
Termikus hatsok flvezetkben ................................................................. 13
2.2. Ktrteg flvezetk............................................................................................ 15
2.2.1.
Dida ........................................................................................................... 15
2.2.1.1.
Dida karakterisztika, paramterek ..................................................... 15
2.2.1.2.
Didk alkalmazsa............................................................................. 17
2.2.2.
Zener-dida.................................................................................................. 17
2.2.2.1.
Karakterisztika, paramterek ............................................................... 18
2.2.2.2.
Zener-didk alkalmazsa ................................................................... 19
2.2.3.
Specilis didk........................................................................................... 21
2.2.3.1.
PIN-dida ............................................................................................ 21
2.2.3.2.
Shottky dida....................................................................................... 22
2.2.3.3.
Varicap-dida (kapacitsdida)........................................................... 22
2.2.3.4.
Alagt-dida (Esaki-dida, tunnel-dida, avalanche-dida)............... 23
2.3. Tranzisztor (BJT)................................................................................................. 24
2.3.1.
A tranzisztor mkdse ............................................................................... 24
2.3.2.
Nagyjel helyettestkp ............................................................................. 26
2.3.3.
Karakterisztikk, paramterek ..................................................................... 28
2.3.4.
Kisjel helyettestkp ................................................................................ 33
2.3.4.1.
Hibrid- helyettestkp ...................................................................... 33
2.3.4.2.
Tranzisztor paramterek a ngyplus paramterekkel kifejezve......... 34
2.3.5.
Specilis tranzisztorok................................................................................. 36
2.3.5.1.
Darlington-kapcsols ........................................................................... 36
2.3.5.2.
Shottky-tranzisztor .............................................................................. 38
2.3.6.
Tranzisztor mkdse lineris zemben ..................................................... 39
2.3.6.1.
Tranzisztor kis- s nagyjel mkdse................................................ 39
2.3.6.2.
Munkapont-bellt kapcsolsok......................................................... 44
2.3.6.2.1 Munkapont-bellts bzisosztval ..................................................... 44
2.3.6.2.2 Munkapont-bellts bzisrammal..................................................... 46
2.3.6.2.3 Munkapont-bellts bzisrammal egyenram visszacsatolson
keresztl
............................................................................................................. 47
2.3.7.
Tranzisztor mkdse kapcsolzemben .................................................... 50
2.4. Trvezrelt tranzisztor (Field Effect Transistor) ................................................. 52
2.4.1.
Zrrteges FET (JFET).............................................................................. 52
2.4.1.1.
JFET mkdse ................................................................................... 53
2.4.1.2.
JFET karakterisztikk, paramterek .................................................... 54
2.4.1.3.
A JFET lineris zeme ........................................................................ 56
2.4.2.
MOSFET ..................................................................................................... 59
2.4.2.1.
Nvekmnyes MOSFET ..................................................................... 59
2.4.2.2.
Kirtses MOSFET ............................................................................ 60
2.4.2.3.
MOSFET lineris zeme ..................................................................... 61
2.4.3.
FET kapcsol zeme ................................................................................... 64
2.4.4.
FET-alap vezrelt s aktv ellenlls ......................................................... 64
106
2.5. Flvezetk melegedse, htse s zaja ................................................................ 66

2.5.1.
Flvezetk melegedse s htse ................................................................ 66
2.5.2.
Flvezetk zaja ............................................................................................ 68
2.6. Erstk................................................................................................................ 71
2.6.1.
Erstk csoportostsa ................................................................................ 71
2.6.1.1.
Aszimmetrikus erstk....................................................................... 71
2.6.1.2.
Szimmetrikus bemenet erstk........................................................ 72
2.6.2.
Negatv visszacsatols ................................................................................. 74
2.6.3.
Aszimmetrikus kisjel erstk ................................................................... 80
2.6.3.1.
Kzs emitteres kapcsolsok............................................................... 80
2.6.3.2.
Kzs kollektoros kapcsolsok ........................................................... 84
2.6.3.3.
Kzs bzis kapcsolsok ................................................................... 86
2.6.3.4.
Tbbfokozat erstk......................................................................... 88
2.6.3.4.1. Kzvetlen csatolt erstk (Direct Coupled) ....................................... 89
2.6.3.4.2. RC csatolt erstk .............................................................................. 90
2.6.3.4.3. Transzformtoros csatols ................................................................... 91
2.6.4.
Szimmetrikus erstk ................................................................................. 91
2.6.4.1.
Tranzisztoros differencilerst ......................................................... 91
2.6.4.2.
FET-es differencilerst ................................................................... 94
2.6.5.
Erstk nemlineartsa (torzts)................................................................ 94
2.6.6.
Erstk hatrfrekvencija........................................................................... 95
2.6.6.
Teljestmnyerstk ................................................................................... 99
2.6.6.1.
A osztly erstk ............................................................................ 100
2.6.6.2.
B osztly erstk ............................................................................ 100
2.6.6.3.
AB osztly erstk ......................................................................... 103
2.6.7.
Szlessv erstk.................................................................................... 104
2.6.8.
Szelektv erstk ...................................................................................... 105
Ajnlott irodalom............................................................................................................... 105
Tartalomjegyzk ................................................................................................................ 106
107

Elektronika II

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronika II

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

MISKOLCI EGYETEM

DR. KOVCS ERN

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

2.0. Diszkrt flvezetk s alkalmazsaik

2.1. Flvezet-elmlet alapjai

ahol, m az elektron tmege, q az elektron tltse, Z rendszm, o a vkuum permittivitsa,

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

Az brn azt az esetet brzoltuk, amikor az atomok rcstvolsgnyira vannak egymstl.

Az elektronok genercija s rekombincija azonban nem minden anyagnl ilyen direkt

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

hullmszmvektorral vltozik. A genercis s rekombincis folyamatok ott zajlanak le,

Wg = hg , ahol Wg a tiltott sv energia szlessge.

A vezetsi sv als szle ugyanahhoz a k hullmszm-vektorhoz tartozik, mint a

ahol Wg a tiltott sv energia szlessge, a foton energia, a fonon energia.

k a Boltzmann lland, T a hmrsklet [K]

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

A differencilis Ohm-trvny a mozgkonysg s a tltshordoz koncentrci alapjn

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

eredmnyez. Az gy kapott flvezet rteget n rtegnek nevezzk (a szabad tltshordozk

Akceptor energia szint

Donor energia szint

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

A szennyezssel bevitt tltshordozkat (ppen meghatroz jellegk miatt) tbbsgi

A szennyezs mrtknek jellse: n+ vagy p+ ersen szennyezett, n- vagy p- gyengn

Az elektron/lyuk csapdk s a rekombincis kzpontok a flvezetk tulajdonsgait

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

A p s n rtegnek a gyrts sorn kialakul kapcsolata klnbz fizikai folyamatok

Az bra a szabad tltshordozk kristly-menti (x irny) eloszlst szemllteti. A tbbsgi

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

Az elektronoktl szrmaz ered ramsrsg (Jn):

A lyukak mozgsbl szrmaz ered ramsrsg (Jp):

Az elektronok (Dn) s a lyukak (Dp) diffzis egytthatja:

Az albbi bra szemllteti az elektronok drift s diffzis ramt (lyukak esetn

Na az akceptor szennyezs, Nd a donor szennyezs, ni a keletkez lyuk-elektron prok

Az UT az elektronika egy fontos paramtere s termikus feszltsgnek nevezzk. rtke

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

Plda a diffzis potencil meghatrozsra:

2.1.1.1. A pn rteg gerjesztse kls feszltsggel

A pn rtegre ktfle mdon kapcsolhat feszltsg kvlrl:

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

Nyitirnyban a p rtegre pozitvabb feszltsget kapcsolunk, mint az n rtegre.

Tranziens folyamatok a nyit s zr feszltsgirny vltoztatsa esetn:

Vltoztatva a rtegekre kapcsolt feszltsg irnyt az eszkz meghatrozott sebessggel

A zrirny feszltsg nvelsvel elrnk egy olyan feszltsget, amelynl a lezrt pn

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

Lavina (avalanche) hats

Nagy zrirny feszltsg hatsra megnvekedett kirtett rtegben a szabad

Alagt (Zener-) hats

Ersen szennyezett flvezetk esetn lp fel. Az ers szennyezs kvetkeztben a kirtett

A fmekben a vezetsi s a vegyrtksv kztti tiltott sv szlessge nagyon kicsi,

Dr. Kovcs Ern: Elektronika elads jegyzetek (II.)

Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszk

Ha az n rtegre negatvabb feszltsget kapcsolunk, akkor cskken a potencilgt a kt