http://mohdpauzie.wordpress.

com

TOPIK 9 : TRANSISTOR DWI-KUTUB

Jenis, Binaan & Simbol
- Terdapat 2 jenis transistor dwi kutub iaitu NPN
dan PNP.
Ciri-ciri transistor dwi kutub
- Lapisan tapak (B) adalah nipis iaitu < 1m dan
mempunyai arus dopan yang rendah.
- Lapisan pemungut (C) dan pemancar (E)
adalah drp jenis yang sama. (N) atau (P).
- Terdapat 2 simpang iaitu simpang tapakpemancar (B-E) dan tapak-pemungut (C-B)
Tatarajah Transistor
- Kaedah sambungan transistor pada kendalian tertentu.
- Terdapat 3 jenis iaitu pengeluar sepunya, pemungut sepunya dan tapak sepunya.

Tapak Sepunya

Pemancar Sepunya

Pemungut Sepunya

Kendalian Transistor
- Transistor akan mengalirkan arus apabila pincang yang betul.
- B E dipincang depan ; C-E dipincang balikan.
- Bila S1 ditutup, simpang PN tapak-pemancar dipincang depan
dan simpang PN pemungut-tapak dipincang balikan
- Elektron meninggalkan pemancar dan memasuki tapak, IE
terhasil.
- Lapisan tapak dibina sgt nipis dan memp. aras dopan yg
rendah, hanya sedikit elektron tersuntik bergabung dgn lubang
- lebihan elektron yg tidak bergabung. Akan ditarik oleh kutub
+ve Vcc
- Bilangan elektron yg sgt banyak membentuk Ic.
Pincangan
yang sesuai
bagi transistor
NPN

Pincangan
yang sesuai
bagi transistor
PNP

Merujuk kepada Hukum Kirchoff Arus, arus yang mengalir dalam transistor ialah:
IE = IB + IC
Gandaan Arus ( hFE atau ) = IC/ IB ; nilai berada antara 50 hingga 300
Nisbah Arus pemungut kepada arus pemancar = IC/ IE ; nilai biasanya kurang dari 1.

Kendalian Transistor Dalam Tatarajah Pemancar Sepunya

- Boleh dibahagikan kepada 3 keadaan iaitu
- Potong (BE dan CB ; pincang balikan)
- Tepu ( BE dan CB ; pincang depan)
- Aktif ( BE pincang depan ; CB pincang balikan )
- Untuk berfungsi sbg penguat, titik kendalian transistor mesti dalam keadaan aktif

http://mohdpauzie.wordpress.com

TOPIK 9 : TRANSISTOR DWI-KUTUB

Lengkung Ciri I-V Bagi Tatarajah Pemancar Sepunya
Lengkung pemancar (lengkung masukan, IB
VBE ), adalah sama dengan lengkung pemungut
(lengkung keluaran, IC VCE )

TOPIK 9
Pincangan Arus Terus (AT)
-

2 tujuan pincangan AT ialah untuk memastikan titik kendalian;

- berada dlm kaw. aktif ciri lengkung I-V keluaran
- berada dlm kaw selamat tidak melebihi kadar maksimum transistor

Garis Beban AT
- Graf yang mewakili semua nilai IC dan VCE bagi
TOPIK 2:
sebuah penguat
Titik Q
- merupakan titik kendalian sesebuah penguat
- dikenali sbg titik sepi

Voltan AT Transistor

Terbitkan formula drp litar yg diberi;

Contoh:
formula bahagian masukan :
VM = VCE + IERE
formula bahagian keluaran :
Vcc = VC + VCE+ IERE
= ICRC+ VCE+ IERE

Penggunaan Transistor
- Penguat Isyarat- menguatkan isyarat AU
- Suis ( suis kawalan, suis berdigit )- dipacu agar berada pd takat tepu & potong
- Penguat Kuasa- beri isyarat voltan dan arus yg lebih tinggi kpd beban berintangan rendah
tetapi mempunyai kuasa tinggi.

TOPIK 9 : TRANSISTOR DWI-KUTUB

2

http://mohdpauzie.wordpress.com

Litar Pincang Arus Tapak

Formula Penting :
a) Gandaan Arus, hFE ( )
= IC / IB ;

= /(1+)

Arus Tapak, IB

b)

Alfa,

IB = VRB = VCC - VBE

RB

Arus Pemungut, IC

/( 1- )

= IC/IE ; =

IB = IC

RB
IC = .IB

IC = VRC

I B = IE - IC

IC = .IE

IC = IE IB

RC
Arus Pengeluar, IE

IE = IB + IC

IE = IC /

Voltan Bekalan, VCC

Sumber bekalan

Voltan Tapak-Pengeluar, VBE

Silikon (Si) = 0.7V

Voltan RB, VRB

VB = IB . RB

Germanium (Ge) = 0.3V

VB = VCC - VBE

Had arus IB
Voltan RC, VRC

VC = VRC = IC . RC

VC = VCC - VCE

Had arus IC
Voltan Pemungut-Pengeluar,
VCE
Garis Beban

VC = VCE = VCC - VRC = VCC - (IC . RC)

Takat Tepu

Takat Potong

IC (sat) = VCC

VCE (off) = VCC

RC

TOPIK 9 : TRANSISTOR DWI-KUTUB

Litar Pincang Pembahagi Voltan
3

http://mohdpauzie.wordpress.com

a)

Gandaan Arus, hFE ( )

(sama seperti pincang arus tapak)

b)

Alfa,
(sama seperti pincang arus tapak)

Formula Penting :
Arus Tapak, IB

Arus Pemungut, IC

Arus Pengeluar, IE

IB = IC

I B = IE - IC
IB =
IB sangat kecil boleh dibaikan

1 +
IC = VRC IC = .IB
IB
RC
IE = IB + IC
IE = IC

IC = .IE
IC

IE
IE = VRE
RE

IE

I C = IE

IE

Voltan Bekalan, VCC

Voltan Tapak-Pengeluar, VBE
Voltan R1, VR1
Had arus IB
Voltan R2, VR2 = VB Voltan
tapak
Voltan Pengeluar, VE = VRE

Sumber bekalan
Silikon (Si) = 0.7V Germanium (Ge) = 0.3V
VR1 =
R1
x VCC
R1 + R2
VB =
R2
x VCC
VB = VE + VBE
R1 + R2
V E = IE . R E
VE = VB - VBE

Voltan RC, VRC

VRC = IC . RC

Voltan Pemungut, VC

VC = VCC - VRC
= VCC - (IC . RC)
VCE = VCC - VRC - VE
= VCC - (IC . RC) - (IE . RE)
Takat Tepu
(Alihan)

Voltan PemungutPengeluar, VCE

Garis Beban

IC (sat) =

VRC = VCC - VCE - VE

= VCC - VCE - (IE . RE)

VCC
RC + R E

Takat Potong
VCE

(off)

TOPIK 9 : TRANSISTOR DWI-KUTUB

PIK TRANSISTOR DWI-KUTB
Jenis, Binaan & Simbol
Terdapat 2 jenis iaitu NPN
4
dan PNP
pemungut tapa

pemancar

= VCC

http://mohdpauzie.wordpress.com

Binaan terdiri drp 3

lapisan bhn separuh
pengalir

Simpang BE
Simpang BE

Ingat !!!!!
!

Bhgn Keluaran:
VCC = VC + VRC
- lukis garis beban AT

Persamaan
berdasarkan
litar

Bhgn Masukan:

Kaw Tepu

VCC = VRB + VBE

Kaw Aktif

Kaw Terpotong

TOPIK 9.0
TOPIK 9 : TRANSISTOR DWI-KUTUB
Kendalian Transistor
Elektron tinggalkan
pemancar dan
memasuki tapak, IE
terhasil.
5

Lapisan tapak
dibina sgt nipis dan
memp. aras dopan
yg rendah, hanya
sedikit elektron
tersuntik bergabung
dgn lubang

http://mohdpauzie.wordpress.com

Bila S1 ditutup,
simpang PN
B-E dipincang
depan dan
simpang PN C-B
dipincang balikan
lebihan elektron
yg tidak
bergabung akan
ditarik oleh kutub
+ve Vcc

Bilangan elektron
yg sgt banyak
membentuk Ic

Lebihan elektron
tersuntik drp
pemancar dan
berjaya merentasi
simpang PN

Gabungan semula
elektron dan lubang

S1

}
B

VCC

Lapisan
Susutan

VBB

Aras dopan dalam

lapisan lebih tinggi
drp lapisan
pemungut

Bilangan lubang
yang sedikit