Professional Documents
Culture Documents
Tinh Toan-Thiet Ke Driver Cho Cac Bo Nghich Luu
Tinh Toan-Thiet Ke Driver Cho Cac Bo Nghich Luu
ĐỀ TÀI:
Ngày nay, với sự tiến bộ của khoa học trong chế tạo linh kiện. MOSFET và IGBT
công suất đã khẳng định vị trí dẫn đầu trong ngành bán dẫn công suất. Và được ứng dụng
rộng rãi trong các ứng dụng liên quan đến đóng ngắt và khuyếch đại công suất.
Một trong những yếu tố giúp MOSFET và IGBT được sử dụng nhiều là nhờ khả
năng kích đóng và kích ngắt ở tần số cao khá dễ so với các linh kiện khác như BJT,
TRIAC, GTO…
Trên thị trường, có rất nhiều linh kiện hoặc module hoàn chỉnh dùng để kích
MOSFET và IGBT. Trong đó có dòng Driver SKHI, được biết đến như một chuẩn công
nghiệp và được sử dụng rộng rãi. IC SKHI sử dụng kỹ thuật bootstrap, là một phương
pháp cấp nguồn cho mạch kích khá đơn giản và rất kinh tế.
Nhắm đến mục tiêu làm chủ phương pháp kích IGBT và áp dụng thực hiện mạch
thay thế IC SKHI, tài liệu này sẽ đề cập đến các vấn đề sau:
Giới thiệu mạch cấp nguồn kiểu bootstrap và cách tính toán giá trị tụ bootstrap.
Giới thiệu và phân tích quá trình đóng ngắt của MOSFET và IGBT
Cách tính điện trở kích đóng và điện trở kích ngắt
I. TÍNH GIÁ TRỊ TỤ BOOTSTRAP 4. Mạch kích trong IC: dòng tĩnh Iqbs
và năng lượng cần nạp để chuyển từ
1. Sơ đồ nguyên lý mạch sử dụng tụ mức áp thấp lên mức áp cao Qls
bootstrap 5. Khóa tầng cao: gồm năng lượng nạp
cổng Qg và dòng rò qua G-S: Ilk-GS
6. Khóa tầng thấp: sụt áp VCE-on
C BS = 15C BS min
1. Giới thiệu quá trình kích đóng Quá trình kích MOSFET được chia làm 3
phần chính.
IGBT được xem là sự ghép nối giữa
MOSFET và BJT, do đó nó có được ưu
điểm là kích đóng hoặc kích ngắt bằng
điện áp, và sụt áp khi dẫn điện thấp.
Vì vậy hoạt động kích đóng và kích ngắt
của IGBT hoàn toàn như của MOSFET.
Và ở đây sử dụng đại diện là MOSFET.
Việc phân tích cho IGBT hoàn toàn tương
tự, ta chỉ việc lần lược đổi tên cực D & S
của MOSFET thàng cực C & E của IGBT.
Song song với sự thay đổi của điện áp VGS Điện áp Vgs trong tầm 0 đến VTH. Tại
ở trên, giá trị dòng điện nạp IGS, điện áp thời điểm t=0, cực G được cấp nguồn
máng nguồn VDS và dòng điện IDS cũng có và điện áp vgs bắt đầu tăng, lúc này
sự thay đổi tương ứng, được trình bày hầu hết dòng qua cực G đều nạp cho
trong hình sau: tụ CGS.
Thật ra, cũng có một lượng nhỏ dòng
nạp qua tụ CGD vì tụ này có giá trị nhất
định, nhưng do tụ CGS>>CGD nên có
thể xem đây là thời kỳ nạp cho tụ CGS
Giai đoạn này còn được gọi là
ON_delay, bởi vì cả dòng điện và điện
áp qua máng nguồn vẫn chưa thay đổi.
lúc này MOSFET vẫn đang ở trạng
thái ngắt (OFF)
2. Từ VT đến VPL
Hình 9: quá trình kích ngắt. Do đó, để kích đóng và kích ngắt được ổn
định, ta cần có:
Trên hình 8 và hình 9 có tụ điện Ceff, là RG ≥ RTH
giá trị tụ điện quy đổi của tất cả các tụ liên Tuy nhiên, thực tế điện cảm đường dây LS
quan đến quá trình kích đóng và kích ngắt. thường nhỏ, dẫn đến RTH cũng nhỏ
(khoảng vài Ohm), nên khi chọn điện trở
kích RG còn phải quan tâm đến dòng điện
cho phép của mạch Driver. Phần sau sẽ
giới thiệu cách tính điện trở kích có xét
đến khả năng chịu dòng của IC Driver.
2. Điện trở kích đóng
IR2114 là một trong những dòng Driver cho MOSFET và IGBT, được sản xuất bởi
International Rectifier. Là một trong những Driver dùng cho tầm công suất trung bình với
nhiều chức năng như:
Hoạt động với điện áp công suất 600V.
Khả năng chuyển mạch (kích ngắt) mềm khi có sự cố quá dòng.
Đồng bộ tín hiệu với các chopper khác.
Tích hợp DeadTime.
Chống quá áp và thấp áp.
1. Sơ đồ khối:
Sơ đồ có 4 phần chính
1. Phần giao tiếp với vi xử lý.
2. Phần bootstrap.
3. Phần kích IGBT tầng dưới và tầng trên.
4. Phần hồi tiếp điện áp VC của IGBT để bảo vệ quá dòng.
Áp dụng lý thuyết đã phân tích ở phần trước để tính giá trị tụ bootstrap, điện trở kích
đóng và điện trở kích ngắt. Ta có sơ đồ nguyên lý và giá trị linh kiện như sau:
2. Sơ đồ nguyên lý.
Kết quả thí nghiệm cho thấy: hệ số lan truyền của mạch nhỏ, thời gian kích đóng và kích
ngắt của IGBT cũng nhỏ. Đó là những mong muốn cho một sản phẩm tốt.
+ dạng điện áp kích IGBT tầng cao: thời gian kích là 650ns. Lâu hơn một ít so với tầng
dưới vì điện áp kích thấp hơn (do sụt áp trên diode bootstrap). Nhưng 650ns là một kết
quả tốt.
+ dạng sóng điện áp trên tụ Bootstrap:
Nhận xét: áp trên tụ Bootstrap là một đường thẳng nằm ngang, điều này chứng tỏ phương
pháp cấp nguồn bằng kỹ thuật bootstrap hiệu quả.
Nhìn chung mạch kích IGBT làm việc với những kết quả đo được ở trên là cực kỳ ấn
tượng. Tuy nhiên, do thí nghiệm ở điện áp nguồn DC thấp nên kết quả trên chưa chính
xác. Theo lý thuyết đã phân tích ở phần trước thì khi dùng điện áp cao hơn, thời gian kích
IGBT sẽ nhanh hơn, nhưng không nhiều lắm.