Solid­State Electronic Materials

• Electronic materials fall into three categories:
– Insulators Resistivity (ρ) > 105 Ω­cm
– Semiconductors 10­3 < ρ < 105  Ω­cm
– Conductors  ρ < 10­3 Ω­cm
• Elemental semiconductors are formed from a single type 
of atom.
• Compound semiconductors are formed from combinations 
of column III and V elements or columns II and VI.
• Germanium was used  in many early devices.
• Silicon quickly replaced germanium due to its higher 
bandgap energy, lower cost, and easy oxidation to form 
silicon­dioxide insulating layers.
 Semiconductor Materials (cont.)
Bandgap 
Semiconductor
Energy EG (eV)
Carbon (diamond) 5.47
Silicon 1.12
Germanium 0.66
Tin 0.082
Gallium arsenide 1.42
Gallium nitride 3.49
Indium phosphide 1.35
Boron nitride 7.50
Silicon carbide 3.26
Cadmium selenide 1.70
 Silicon Covalent Bond Model

Near absolute zero, all bonds are complete.   Increasing temperature adds energy to the 
Each Si atom contributes one electron to  system and breaks bonds in the lattice, 
each of the four bond pairs. generating electron­hole pairs.
 Intrinsic Carrier Concentration
• The density of carriers in a semiconductor as a function of temperature 
and material properties is:
 EG 
n i2 =BT exp−     cm­6
3
 kT 
•  EG = semiconductor bandgap energy in eV (electron volts)
•  k = Boltzmann’s constant, 8.62 x 10­5 eV/K
•  T = absolute temperature, K
•  B = material­dependent parameter, 1.08 x 1031 K­3 cm­6 for Si
• Bandgap energy is the minimum energy needed to free an electron by  
breaking a covalent bond in the semiconductor crystal.
Intrinsic Carrier Concentration (cont.)
• Electron density is n 
(electrons/cm3) and n = ni for 
intrinsic material.
• Hole density is p (holes/cm3) 
and p = ni for intrinsic 
material. 
• Intrinsic refers to properties 
of pure materials (no 
dopants).
• ni ≈ 1010 cm­3 for Si at room 
temperature (300 K).
 Electron­hole concentrations

• A vacancy is left when a covalent bond is broken.  
• The vacancy is called a hole.  
• A hole moves when the vacancy is filled by an electron from 
a nearby bond (hole current).
• For intrinsic silicon, n = ni = p.
• The product of electron and hole concentrations is pn = ni2.
• The pn product above holds when a semiconductor is in 
thermal equilibrium (with no external voltage applied) even 
for non­intrinsic materials.
 Drift Current
• Electrical resistivity ρ and its reciprocal, conductivity σ, characterize 
current flow in a material when an electric field is applied.
• Charged particles move or drift under the influence of the applied 
electric field E.
• The resulting current is called drift current.
• Drift current density is
j = Qv  (C/cm3)(cm/s) = A/cm2
j = current density, (Coulomb charge moving through a unit area)
Q = charge density,  (Charge in a unit volume)
v = velocity of charge in an electric field.

Note that “density” may mean area or volumetric density, depending on 
the context.
 Mobility

• At low fields, carrier drift velocity v (cm/s) is proportional 
to electric field E (V/cm).  The constant of proportionality 
is the mobility, µ:
• vn = ­ µnE   and   vp = µpE , where
• vn and vp = electron and hole velocity (cm/s),
∀ µn and µp = electron and hole mobility (cm2/V⋅s)

• Hole mobility is less than electron mobility since hole 
current is the result of multiple covalent bond disruptions, 
while electrons can move freely about the crystal.
Velocity Saturation

At high fields, carrier 
velocity saturates and 
places upper limits on 
the speed of solid­state 
devices.
 Intrinsic Silicon Resistivity

• Given drift current and mobility, we can calculate 
resistivity:
jndrift = Qnvn = (­ qn)(­ µnE) = qn µnE   A/cm2
jpdrift = Qpvp = (qp)(µpE) = qp µpE   A/cm2

 jTdrift = jndrift + jpdrift = q(n µn + p µp)E = σE
This defines electrical conductivity:
 σ = q(n µn + p µp)     (Ω⋅cm)­1
Resistivity ρ is the reciprocal of conductivity:
 ρ = 1/σ       (Ω⋅cm)
 Example: Calculate the resistivity of 
intrinsic silicon at room temperature
σ = q(n µn + p µp)     (Ω⋅cm)­1

At room temperature n = p = ni = 1010/cm3 for silicon.
q = 1.60 x 10­19 (always – this is a physical constant).
µn = 1350 cm2/V⋅s and µp = 500 cm2/V⋅s at room temp. for silicon.

 σ = (1.60 x 10­19)[(1010)(1350) + (1010)(500)]   (C)(cm­3)(cm2/V⋅s)
    = 2.96 x 10­6 (Ω⋅cm)­1    ­­­> ρ = 1/σ = 3.38 x 105 Ω⋅cm

Intrinsic silicon is near the low end of the insulator resistivity range 
(ρ > 105) at room temperature.
 Semiconductor Doping

• Doping is the process of adding very small well 
controlled amounts of impurities into a 
semiconductor.
• Doping enables the control of the resistivity and 
other properties over a wide range of values.
• For silicon, impurities are from columns III and V 
of the periodic table.
 Donor Impurities in Silicon
• Phosphorous (or other column 
V element) atom replaces a 
silicon atom in the crystal 
lattice.
• Since phosphorous has five 
outer shell electrons, there is 
now an ‘extra’ electron in the 
structure.
• Material is still charge neutral, 
but very little energy is required 
to free the electron for 
conduction since it is not 
participating in a bond.
 Acceptor Impurities in Silicon
• Boron (column III 
element) has been added 
to silicon.
• There is now an 
incomplete bond pair, 
creating a vacancy for an 
electron.
• Little energy is required to 
move a nearby electron 
into the vacancy.
• As the ‘hole’ propagates, 
charge is moved across 
the silicon.
Acceptor Impurities in Silicon (cont.)

Hole propagating through silicon
 Doped Silicon Carrier Concentrations

• If n > p, the material is n­type.
If p > n, the material is p­type.
• The carrier with the larger concentration is the 
majority carrier, the smaller is the minority 
carrier.
• ND = donor impurity concentration (atoms/cm3) NA 
= acceptor impurity concentration (atoms/cm3)
• Charge neutrality requires q(ND + p ­ NA ­ n) = 0
• It can also be shown that pn = ni2, even for doped 
semiconductors in thermal equilibrium.
 n­type Material

• Substituting p = ni2/n into q(ND + p ­ NA ­ n) = 0 
yields  n2 ­ (ND ­ NA)n ­ ni2 = 0.
• Solving for n
(N D −N A ) ± (N D −N A ) 2 +4n i2 n i2
n=   and  p =
2 n

• For (ND ­ NA) >> 2ni, n ≈ (ND ­ NA) .
 p­type Material

• Similar to the approach used with n­type material 
we find the following equations:
(N A −N D ) ± (N A −N D ) 2 +4n i2 n i2
p=   and  n =
2 p

• For (NA ­ ND) >> 2ni, p ≈ (NA ­ ND) .
 Practical Doping Levels

• Majority carrier concentrations are established at 
manufacturing time and are independent of 
temperature (over practical temp. ranges).
• However, minority carrier concentrations are 
proportional to ni2, a highly temperature dependent 
term.
• For practical doping levels, n ≈ (ND ­ NA)  for n­
type and p ≈ (NA ­ ND) for p­type material.
• Typical doping ranges are 1014/cm3 to 1021/cm3.
 Mobility in 
Doped Semiconductors
 Diffusion Current

• In practical semiconductors, it is quite useful to create 
carrier concentration gradients by varying the dopant 
concentration and/or the dopant type across a region of 
semiconductor.
• This gives rise to a diffusion current resulting from the 
natural tendency of carriers to move from high 
concentration regions to low concentration regions.
• Diffusion current is analogous to a gas moving across a 
room to evenly distribute itself across the volume.
 Diffusion Current (cont.)
• Carriers move toward regions 
of lower concentration, so 
diffusion current densities are   ∂n  ∂n
jndiff = (−q ) Dn  −  = −qDn
proportional to the negative of   ∂x  ∂x

the carrier gradient.

 ∂p  ∂p
j diff
p = (+ q ) D p  −  = −qD p A/cm2
 ∂x  ∂x

 ∂n  ∂n
j diff
n = (− q ) Dn  −  = + qDn A/cm2
 ∂x  ∂x
 Diffusion Current (cont.)

• Dp and Dn are the hole and electron diffusivities 
with units cm2/s.  Diffusivity and mobility are 
related by Einstein’s relationship:
Dn kT D p
= = = VT = Thermal voltage
µn q µp

• The thermal voltage, VT =  kT/q,  is approximately 
25 mV at room temperature.  We will encounter 
VT throughout this book.
 Total Current in a Semiconductor

• Total current is the sum of drift and diffusion current:
T ∂n
j n = qµn nE +qDn  
∂x
∂p
j Tp = qµp pE −qD p  
∂x

Rewriting using Einstein’s relationship (Dn = μnVT):
T  1 ∂n 
j n = qµn nE +VT 
 n ∂x 
 1 ∂p 
j Tp = qµp pE +VT  
 p ∂x 
 Semiconductor Energy Band Model

Semiconductor energy  Electron participating in  Thermal energy breaks 

band model.  EC and EV  a covalent bond is in a  covalent bonds and 
are  energy levels at the  lower energy state in the  moves the electrons up 
edge of the conduction  valence band.  This  into the conduction 
and valence bands. diagram represents 0 K. band.
 Energy Band Model for a Doped 
Semiconductor

Semiconductor with donor or n­type  Semiconductor with acceptor or p­
dopants.  The donor atoms have  type dopants.  The donor atoms have 
electrons with energy ED.  Since ED is  unfilled covalent bonds with energy 
close to EC, (about 0.045 eV for  state EA.  Since EA is close to EV, 
phosphorous), it is easy for electrons  (about 0.044 eV for boron), it is easy 
in an n­type material to move up into  for electrons in the valence band to 
the conduction band. move up into the acceptor sites and 
complete covalent bond pairs.
 Energy Band Model for 
Compensated Semiconductor

The combination of the 
covalent bond model and 
the energy band models 
A compensated semiconductor has  are complementary and 
both n­type and p­type dopants.  If ND 
help us visualize the hole 
> NA, there are more ND donor levels.  
The donor electrons fill the acceptor 
and electron conduction 
sites.  The remaining ND­NA electrons  processes.
are available for promotion to the 
conduction band.
Integrated Circuit Fabrication Overview

Top view of an integrated pn diode.
 Integrated Circuit Fabrication (cont.)

(a) First mask exposure, (b) post­exposure and development of photoresist, (c) 
after SiO2 etch, and (d) after implantion/diffusion of acceptor dopant.
 Integrated Circuit Fabrication (cont.)

(e) Exposure of contact opening mask, (f) after resist development and etching of contact 
openings, (g) exposure of metal mask, and  (h) After etching of aluminum and resist removal.