Zadaci za samostalan rad 29.09.2011 1. Silicij je dopiran sa 1015 atoma bora.

Odrediti tip i koncentraciju primjese koju treba dodati da bi koncentracija upljina na 300 K bila: a. 2 1015 cm3 b. 5 1014 cm3 c. 105 cm3 Rjeenje: a) NA = 1015 cm3 b) ND = 5 1014 cm3 c) ND = 2.9 1015 cm3 2. Odrediti vrstu i koncentraciju primjese koju treba dodati istom silicijumu da bi se na temperaturi od 300 K dobila: a. koncentracija elektrona od 106 (cm3 ) b. koncentracija upljina od 105 (cm3 ) Rjeenje: a) NA = 1.9 1014 (cm3 ) b) ND = 1.9 1015 (cm3 ) 3. Silicij je dopiran sa 1015 atoma bora. Koliku koncentraciju fosfora treba dodati da bi koncentracija elektrona na 100 iznosila 6.2 1011 cm3 ? Rjeenje: ND = 9.95 1014 cm3 4. Odrediti koncentracije upljina i elektrona u uzorku germanijuma na temperaturi od 300K ako je koncentracija donorskih atoma ND = 2 1014 (cm3 ), a koncentracija akceptorskih atoma NA = 3 1014 (cm3 ). Da li je to germanijum n ili p tipa? Rjeenje: p = 1.05 1014 (cm3 ), n = 5.126 1012 (cm3 ) 5. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=350 K iznosi p = 106 (cm3 ). Izraunati koncentraciju elektrona i upljina na T=480 K. Rjeenje: n = 2.36 1017 (cm3 ), p = 1.29 1011 (cm3 ) 6. Silicij je dopiran akceptorima koncentracije NA = 1015 (cm3 ) i donorima koncentracije ND = 1.25 1015 (cm3 ). Izraunati koncentracije nosilaca na temperaturama T=300 K i T=473 K. Rjeenje: n(300K) = 2.5 1014 (cm3 ), p(300K) = 7.6 105 (cm3 ), n(473K) = 3.11 1014 (cm3 ), p(473K) = 6.1 101 3(cm3 ) 7. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300 K iznosi n = 5 107 (cm3 ). Koji tip i koliku koncentraciju primjesa treba dodati da na T=450 K koncentracija elektrona bude ista (n = 5107 (cm3 ))? Rjeenje: NA = 7.149 1019 (cm3 ) 8. Odrediti koncentraciju donora kojom mora biti dopiran silicij da bi na 300 K imao koncentraciju elektrona dvostruko veu od koncentracije upljina. Rjeenje: ND = 9.78 109 (cm3 ) 9. Silicij je prvo dopiran akceptorima koncentracije NA = 1.5 1015 (cm3 ), a nakon toga donorima koncentracije ND = 1015 (cm3 ). Izraunati koncentracije elektrona i upljina na temperaturama t = 27 i t = 200 nakon prvog i drugog dopiranja. Rjeenje: Prvo dopiranje: p(300K) = 1.51015 (cm3 ), n(300K) = 1.27105 (cm3 ), p(473K) = 1.51015 (cm3 ), n(473K) = 1.27 1013 (cm3 ) Drugo dopiranje: p(300K) = 51014 (cm3 ), n(300K) = 3.8105 (cm3 ), p(473K) = 5.351014 (cm3 ), n(473K) = 3.55 1013 (cm3 ). 10. Silicij je dopiran sa 1014 atoma akceptora/cm3 . Odrediti tip i koncentraciju primjese koju treba pridodati da bi na 300 K: a koncentracija elektrona bila dvostruko vea nakon drugog dopiranja b koncentracija elektrona bila petostruko manja nakon drugog dopiranja c koncentracija elektrona bila etiri puta manja nego koncentracija upljina nakon drugog dopiranja Rjeenje: a. ND = 5 1013 (cm3 ), b. NA = 4 1014 (cm3 ), c. ND = 1.25 1014 (cm3 )

Zadaci za samostalan rad 07.10.2010 1. Izraunati iznos otpora silicijske ploice duine 10 m i povrine presjeka 0.1 mm2 na temperaturama 300 i 450 K. Ploica je dopirana sa NA = 1015 (cm3 ) i ND = 9 1014 (cm3 ). Pokretljivosti nosilaca su 900 i 350 cm2 /V s (zanemariti temperaturnu ovisnost pokretljivosti nosilaca). Rjeenje: R(300 K) = 178.6 (), R(400 K) = 89.12 () 2. Za ploicu iz zadatka 1 izraunati kolika struja tee ako du ploice djeluje homogeno polje iznosa E = 3.3 (kV /cm). Koliki se pri tome napon moe izmjeriti na krajevima ploice? Uzeti da je temperatura T = 300 K. Rjeenje: I = 18.48 (mA), U = 3.3 (V ) 3. Silicij je homogeno dopiran sa akceptorima koncentracije NA = 5 1014 (cm3 ). Koji tip i koju koncentraciju primjesa treba dodati da bi koncentracija elektrona na T = 400 K iznosila 1013 (cm3 )? Odrediti elektrinu provodnost nakon drugog dopiranja. Rjeenje: ND = 5.02 1014 (cm3 ), = 2.6 (mS/cm) 4. Silicij homogeno dopiran sa 1016 (cm3 ) atoma, dodatno je homogeno dopiran sa 2 1016 (cm3 ), pri emu mu se elektrina otpornost poveala. Odrediti: a. tip primjese na poetku, te tip primjese koja je naknadno dodana u silicij. Obrazloiti. b. elektrinu otpornost silicija na poetku te poslije drugog dopiranja za T = 300 K. Rjeenje: a) prva primjesa donorska, druga akceptorska b) 1 = 0.508 cm, 2 = 1.64 cm 5. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T = 400 K je 105 puta manja od koncentracije upljina. Izraunati specini otpor na T = 300 K, ako su pokretljivosti nosilaca 900 i 350 cm2 /V s. Rjeenje: = 7.83 (cm) 6. Silicij je dopiran sa 1016 (cm3 ) atoma fosfora. Odrediti koje primjese (tip i koncentraciju) treba dodati u najmanjoj koliini da bi mu se elektrina provodnost na 300 (K): a) udvostruila b) prepolovila Rjeenje: a) ND = 9.13 1016 (cm3 ) , b) NA = 3.27 1017 (cm3 ) 7. Izraunajte kolika je na 300 (K) elektrina provodnost silicija dopiranog sa 1017 (cm3 ) atoma akceptora. Kolika e biti elektrina provodnost ako se taj silicij: a) dodatno dopira jednakom koncentracijom akceptora, ili b) dodatno dopira dvostruko veom koncentracijom donora? Rjeenje: = 4.98 (S/cm) a) = 8.35 (S/cm) b) = 8.41 (S/cm) 8. Silicij je dopiran donorima. Specina vodljivost na T = 550 K iznosi 0.28 S/cm. Odrediti koncentraciju i tip primjese koju treba dodati da specina vodljivost na T = 300 K ostane ista ( = 0.28 S/cm), a silicij ostane istog tipa. Pretpostaviti da su pokretljivosti konstantne i iznose 900 i 350 cm2 /V s. Rjeenje: ND = 1.62 1015 (cm3 ) 9. Kroz silicij p-tipa homogeno dopiran samo jednom primjesom, povrine presjeka 0.5 mm2 tee struja od 10 mA. Driftna brzina veinskih nosilaca je 2.5 104 cm/s.T = 300 K. Izraunati: a) jainu elektrinog polja koji djeluje na poluprovodnik b) difuzijske konstante veinskih i manjinskih nosilaca c) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca. Rjeenje: a) E = 55 (V /cm) b) Dp = 11.8 (cm2 /s), Dn = 36.3 (cm2 /s) c) p = 4.99 1014 (cm3 ), n = 3.82 105 (cm3 )

10. Raspodjela koncentracije upljina se moe opisati sljedeom funkcijom

x p(x) = p0 + (p1 p0 )e( a )

1012

4 p(x)

x (m)

5 106 1 105 1.5 105 2 105 2.5 105

Slika 1: Raspodjela nosilaca Izraunati gustou struje za x = 0. Odrediti na kojoj udaljenosti struja padne na 10% od iznosa struje za x = 0. Zadano je: p0 = 105 (cm3 ), p1 = 5 1012 (cm3 ), a = 10 (m), p = 380 (cm2 /V s), T = 300 (K). Rjeenje: Jdp (x = 0) = 7.86 (mA/cm2 ), x1 = 23 (m)

Zadaci za samostalan rad 14.10.2011 1. Izraunati kontaktni potencijal pri T=300 K za silicijski skokoviti pn-spoj koji ima na n-strani koncentraciju donora ND = 1017 (cm3 ), dok je p-strana dopirana i sa akceptorima NAp = 7 1015 (cm3 ) i sa donorima NDp = 2 1015 (cm3 ). Rjeenje: UK = 0.739 (V ) 2. Za skokoviti silicijski pn-spoj izraunati irinu barijere za T = 300 K u stanju ravnotee (napon na pn spoju je 0 V). Koncentracije dopiranih atoma na p i n strani su NA = 5 1017 (cm3 ) i ND = 1016 (cm3 ). Koliki je kapacitet barijere ako je povrina pn-spoja S = 25 (m2 )? Rjeenje: dB = 0.095(m), CB = 0.28(nF ) 3. Za skokoviti silicijski pn-spoj izraunati irinu barijere za T = 350 K. Koncentracije akceptorskih i donorskih atoma na p i n strani su NA = 5 1017 (cm3 ) i ND = 5 1015 (cm3 ). Koliki je kapacitet barijere ako je povrina pn-spoja S = 100 (m2 )? Proraun izvriti ako je: a. pn-spoj u stanju ravnotee (vanjski napon U = 0) b. pn-spoj prikljuen na napon U = 2 (V ) Rjeenje: a. dB = 0.432(m), CB = 24.58 (f F ) b. dB = 0.85 (m), CB = 12.49 (f F ) 4. Koncentracije primjesa na p i n strani diode iznose ND = 5 1015 (cm3 ) i NA = 5 1017 (cm3 ). Parametri nosilaca su n = 500 (cm2 /V s), p = 300 (cm2 /V s), n = 0.5 (s), p = 1 (s). Povrina pn-spoja je S = 0.1 (mm2 ). Izraunati struju zasienja na T = 300 K. Kolika struja protie kroz diodu kad se na nju prikljui napon U = 0.5 (V )? Pretpostaviti da je m = 1. Rjeenje: IS = 1.715 1014 (A), I = 11.9 (mA) 5. Dioda sa skokovitim pn-spojem povrine 0.1 mm2 ima koncentracije primjesa na pojedinim stranama spoja: NA = 1015 (cm3 ), odnosno ND = 5 1016 (cm3 ). Vremena ivota manjinskih nosilaca n = 5 s i p = 0.2 s. Izraunati inverznu struju zasienja diode na temperaturi T=300 K, te napon koji mora biti prikljuen na diodu da bi struja kroz diodu iznosila 0.1 mA. Rjeenje: IS = 8.58 1014 (cm3 ), U = 0.54 (V ) 6. Koncentracije primjesa na p i n strani diode iznose ND = 51015 (cm3 ) i NA = 1017 (cm3 ). Parametri nosilaca su n = 600 (cm2 /V s), p = 300 (cm2 /V s), n = 0.5 (s), p = 0.8 (s). Povrina pn-spoja je S = 0.1 (mm2 ). Izraunati struju zasienja na T = 350 K. Pretpostaviti da vrijedi Lp wn = 1.5 (m) i Ln wp = 2 (m). Kolika struja protie kroz diodu kad se na nju prikljui napon U = 0.5 (V )? Pretpostaviti da je m = 1. nop Napomena: koristiti izraz za struju zasienja za diodu sa obje uske strane: IS = q S (Dn wp + Dp pon ) wn Rjeenje: IS = 4.89 1010 (A), I = 7.8 (mA) 7. Kroz kolo na slici protie struija I = 10 (mA). Ako je otpornost otpornika R = 230 () i napon napajanja E = 3 (V ), izraunati inverznu struju zasienja silicijumske diode IS na sobnoj temperaturi. Poznato je UT = 0.0026 (V ). R D

E Slika 2 Pretpostaviti da je exp( UD ) UT Rjeenje: IS = 2 10

14

1.

(mA) 4

8. Struja zasienja neke pn-diode iznosi 1 pA za T = 300 K. Serijski otpor neutralnih p i n strana iznose redom 2 i 8 . Koliki napon treba prikljuiti na stezaljke diode da na zadanoj temperaturi kroz nju protee struja od 1 (mA)? m = 1. Rjeenje: U = 0.546 (V ) 9. Struja zasienja neke pn-diode iznosi 10 pA za T = 300 K. Serijski otpor diode iznosi 12 . Koliki napon treba prikljuiti na stezaljke diode da na zadanoj temperaturi kroz nju protee struja od 2.5 + 0.35sint (mA)? m = 1. Rjeenje: uD = 0.53 (V ) + 7.8sint (mV )

Zadaci za samostalan rad 21.10.2011 1. U kolu sa slike 3 napon napajanja sklopa posjeduje istosmjernu i neeljenu naizmjeninu komponentu. Ako je u kolu upotrijebljena Zener dioda ija je statika karakteristika data na slici, izraunati promjenu napona koju izaziva naizmjenina komponenta. Poznato je: R = 32() U = 12(V ) u = U msint Um = 1(V ) Ip = 100(mA)
UZ (V ) 10 9 8 7 6 5

i iZ

100

u Ip U D

200

300

IZ (mA)

(a)

(b)

Slika 3 2. Dvije silicijske diode D1 i D2 prikljuene su na jednosmjerni napon U = 0.45 (V ) prema slici 4.a. Ako je odnos dinamikih otpornosti rd1 = 2, potrebno je odrediti struje koje teku kroz diode D1 i D2 . Poznato je: rd2 UT = 25 (mV ), I = 1 (mA).
+ U2

D1 I

+ U1

D2

D1

D2

D3

U
(a)

U
(b)

Slika 4 Rjeenje: ID1 = 0.66 (mA), ID2 = 0.33 (mA) 3. Na spoj dioda prikazan na slici 4.b prikljuen je napon U = 65 (mV ). Izraunati napone U1 i U2 ako za struje zasienja dioda vrijedi IS1 = IS2 = 10 (pA) i IS3 = 20 (pA). Uzeti UT = 25 (mV = i m = 1. Rjeenje: U2 = 27.94 (mV ), U1 = 37.06 (mV ) 6

4. Dvije silicijske diode D1 i D2 prikljuene su na jednosmjerni napon U = 0.52 V prema slici 4.a. Ako je odnos inverznih struja zasienja IS1 /IS2 = 3.5, odrediti struje koje teku kroz diode D1 i D2 . I = 1 (mA). 5. Tri silicijske diode prikljuene su na izvor napona prema slici 5. Inverzne struje zasienja dioda D2 i D3 su meusobno jednake, dok je za diodu D1 ona dvostruko vea. Dinamika vodljivost diode D2 u zadanoj radnoj taki iznosi 1, 7 1014 S, a diode D3 90 nS. T = 300 K. Odredite polarizacije, struje i napone za svaku od dioda, te ukupni napon.
+

D1
U

D3

D2

Slika 5 Rjeenje: U1 = 0.182 (V ), U2 = U3 = 0.2 (V ), U = 0.382 (V ) 6. Napon U u kolu sa slike 6 iznosi 42 (mV ). Sve tri diode su identine. Odrediti padove napona U1 i U2 ako je UT = 25 (mV ).
U2 U1

D2

D1

D3

U Slika 6 7. Uz pretpostavku da su upotrijebljene diode u kolu na slici 7 idealne, odrediti zavisnost I = f (U ) i graki je prikazati.
+

D1

D2

10

0.5 V

1.5 V

Slika 7 7

8. Izraunati totalni napon uiz (t) za sklop na slici 8. Poznato je: ug = 3sint (V ). Pretpostaviti da je upotrijebljena dioda idealna. D
+

3 k 2.5 mA 2 k ug

800

20 mA

uiz

Slika 8 Rjeenje: uiz = 10.8 + 0.48sint (V ) 9. Ponoviti prethodni zadatak uz pretpostavku da je dioda realna (m = 1.5, UT = 25 (mV )). Rjeenje: uiz = 11 + 0.48sint (V ) 10. Izraunati napon uiz (t) za sklop na slici 9. Poznato je: ug = 0.1cost (V ). Pretpostaviti da je upotrijebljena dioda idealna. 2k C1 500 5.7 V 100
+

C2
+

uiz

3 k 1V

ug

Slika 9 Rjeenje: uiz = 1 + 0.0779cost (V )

Zadaci za samostalan rad 28.10.2011 1. Za sklop na slici 10, odrediti emitersku, baznu i kolektorsku struju i napon UCB . Poznato je = 50, UBE = 0.6 (V ), R1 = 15 (k), R2 = 30 (k), U1 = 10 (V ), U2 = 15 (V ). R1 R2

U1

U2

Slika 10 Rjeenje: IE = 0.48 (mA), IC = 0.47 (mA), IB = 9.41 (A), UCB = 2.95 (V ) 2. Na slici 11 su prilazane dvije izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednikog emitera. Koliko iznosi faktor strujnog pojaanja .
IC (mA)

9.5

IB = 100 (A)

ZASIENJE 5 104

AKTIVNO PODRUJE RADA

IB = 0 (A)

UCE (V )

Slika 11 Rjeenje: = 95 3. Dva bipolarna tranzistora su spojeni prema slici 12. Faktor ekasnosti (injekcije) emitera oba tranzistora su jednaki i iznose 0.99. Transportni faktor baze tranzistora T1 je 0.99, a tranzistora T2 je 0.98. Inverzne struje zasienja su ICB01 = 20 (nA), ICB02 = 100 (nA). Izraunati: a. faktore strujnih pojaanja u spoju zajednike baze i zajednikog emitera b. sve struje oba tranzistora c. ukupnu struju naponskog izvora Poznato je: IB1 = 5 (A). Rjeenje: a. 1 = 0.9801, 1 = 49.25 2 = 0.9703 2 = 32.55 b. IE1 = 0.252 (mA), IC1 = 0.247 (mA), IB2 = IE1 , IC2 = 8.2 (mA), IE2 = 8.5 (mA) c. IC = IC1 + IC2 = 8.7 (mA)

IB1

T1 15 (V ) T2

Slika 12 4. U kolu sa slike tranzistori T1 , T2 i T3 rade u aktivnom podruju rada. Poznato je: UBE1 = UBE2 = UBE3 = 0.6 (V ), 1 = 50, 2 = 45, 3 = 30. Inverzne struje zasienja se mogu zanemariti. Odrediti napon UCE3 . Poznato je: R1 = 100 (k), R2 = 20 (k), R3 = 200 (k), RC = 5 (k), RE = 1 (k), U = 24 (V ).

R1 RC R3
T1

U
T2

R2

T3

RE

Slika 13

10