UNIVERZITET U BIHAĆU

TEHNIČKI FAKULTET BIHAĆ

ELEKTROTEHNIKA/INFORMATIKA

PISMENI ISPIT IZ PREDMETA ELEKTRONIKA 1

Ime i prezime__________________________
Broj indeksa_____

I kolokvij
1. Kroz homogeno onečišćeni silicij p-tipa presjeka 0.5 mm2 teče struja od 10 mA. Driftna brzina
većinskih nosilaca je 2,5 104 cm/s, a pokretljivost elektrona 1150 cm2/Vs. Omjer pokretljivosti
elektrona i šupljina je 2,5. T=350 K. Izračunati:
a) Koncentracije manjinskih i većinskih nosilaca
b) Jačinu polja koje djeluje na poluvodič
c) Difuzijske konstante većinskih i manjinskih nosilaca

2. Silicjska dioda sa pn spojem površine 0,1 mm 2 ima koncentraciju primjesa na n i p strani N D=5
1016 cm-3, odnosno NA=1016 cm-3. Difuzijske konstante manjinskih nosilaca su D n=32 cm2/s, Dp=9
cm2/s, njihove difuzijske dužine su Ln=720 m, Lp=63 m. T=300K. Izračunati reverznu struju
zasićenja i nacrtati strujno-naponsku karakteristiku diode ako je m=1,2.

3. Parametri tunelskih dioda?

4. Primjena ispravljačkih dioda?

II kolokvij
1. Odrediti u kojim granicama se može kretati iznos otpora R1 tako da stabilizator sa slike radi
ispravno. Parametri Zenerove diode su UZ=6 V, IZmin=1 mA, PZmax=500mW i rz=10 Ω. Ulazni
napon UUL=12 V kreće se u granicama od ±10%. Odabrati otpornik R1 tako da stabilizator radi
ispravno. Uz odabrani iznos otpora R1 izračunati disipaciju na otporniku R1 za najlošiji slučaj.

2. Izračunati naponsko pojačanje Av=uiz/uul i ulazni otpor sklopa. Parametri tranzistora su:
K=1 mA/V2 , UGSO =-2V, =200. Rg=1 M, Rs=2k, Rp=10 k, Udd=6V.

3. Izlazne i prijenosne karakteristike kod MOSFET tranzistora?

4. Princip rada FET tranzistora?

INTEGRALNO: I KOLOKVIJ 2. i 4. II KOLOKVIJ 2. i 3.