ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET 

ELEKTROTEHNIČKI MATERIJALI        Akademska 2017/2018 
 
TUTORIJAL 7 
Poluprovodni materijali 
Zadatak 1 
Odrediti  položaj  Fermijevog  nivoa  u  InSb  na  T  =  300  K,  ako  je  širina  zabranjene  zone  za  InSb  
 0,18  , a efektivne mase   0,014 · i   0,18 · . (kT = 0,0259 eV) 
Rješenje:    ,   ; 
 
Zadatak 2 
Za Ge koji sadrži 5⋅10  atoma As i 10  atoma Ga izračunati položaj Fermijevog nivoa u 
odnosu  na  dno  provodne  zone  na  300  .  Efektivna  gustoća  stanja  u  provodnoj  zoni  je 
10   ,  a  koncentracija  sopstvenih  nosilaca  2⋅10 .  Smatrati  da  su  na  datoj 
temperaturi sve primjese jonizirane.  
Rješenje:    ,   ; 

Zadatak 3 
U uzorku Ge nalazi se 1023 atoma Sb po m3. Uzimajući da su pri sobnoj temperaturi svi atomi Sb 
jonizirani,  odrediti  koncentraciju  elektrona  i  šupljina.  Širina  zabranjene  zone  u  Ge  je 
 0,75  .  
Rješenje:    ;     , ·  
 
Zadatak 4 
Sopstvena  specifična  električna  otpornost  Ge  na  300    je  ρ 0,47 Ω .  Pokretljivost 
elektrona i šupljina kod Ge zavisi od temperature na sljedeći način:  μ 3,5⋅10 ,
/  i 
μ 9,1⋅10 ,
/ . Izračunati sopstvenu koncentraciju nosilaca naelektrisanja.  
Rješenje:    , ⋅  
 
Zadatak 5 
Uporediti koncentracije slobodnih elektrona u čistom Ge i Si pri temperaturama 50°C i 100°C sa 
koncentracijom  na  300  K.  Širina  zabranjene  zone  germanija  je  0,7  eV,  a  za  silicij  je  1,1  eV. 
Smatrati da efektivna gustoća stanja Nc i Nv ne zavise od temperature.  
Odrediti zavisnost specifičnog otpora od temperature ako je  ρGe(300K) = 0,5 Ωm, a ρSi(300K) = 
1000 Ωm.  
Rješenje:      ,   ;       ,   ; 
    ;       ,   ; 
 
Zadatak 6 
Posmatra se uzorak monokristalnog Si, dimenzija 1cmx1cmx1cm, na temperaturi  300 .  
a) Izračunati  električnu  otpornost  nedopiranog  uzorka  Si  čija  je  sopstvena  koncentracija 
nosilaca  naelektrisanja  1,45⋅10 ,  a  pokretljivosti  elektrona  μ 1350 /
 i šupljina μ 450 / .  
b) Ako  se  Si  dopira  As  (primjesom  n‐tipa)  koncentracije  10 ,  izračunati  električnu 
otpornost  uzorka  smatrajući  da  su  na  na  datoj  temperaturi  ( 300 )  sve  primjese 
jonizirane i da su pokretljivosti nosilaca naelektrisanja iste kao u nedopiranom uzorku.  
c) Za  koliko  se  položaj  Fermijevog  nivoa  u  dopiranom  uzorku  Si  pomjerio  u  odnosu  na 
položaj Fermijevog nivoa u nedopiranom uzorku?  
Rješenje:  a)    , ⋅ Ω ;  b)  ,  Ω;   
c)  ,    
 
 
Zadaci za samostalan rad 
 
ZADATAK 1: 
Za  komad  silicija  na  koji  je  primjenjeno  polje  od  E  =  400  V/m  i  za  koji  je  μn  =  0,12  m2/(Vs)  i          
μp = 0,025 m2/(Vs) odrediti: 
a) driftovsku brzinu elektrona i šupljina;  
b) specifični otpor silicija ako je koncentracija sopstvenih nosilaca ni = 2,5·1016 m‐3;  
c) ukupnu  driftovsku  struju  ako  je  površina  poprečnog  presjeka  silicija  jednaka                           
S = 0,03·10‐4 m2.  
Rješenje:  a) vn = 40 m/s; vp = 10 m/s; 
b) ρi = 1,73·103 Ωm;     c) I = 0,696 μA; 
 
ZADATAK 2: 
Pločica silicija ravnomjerno je dopirana donorima i akceptorima, čije su koncentracije: 
10   / ,  10 / . 
Sopstvena  koncentracija  silicija  na  sobnoj  tempenturi  iznosi 1,45⋅10   / , 
 300  . Izračunati koncentraciju elektrona i šupljina. 
Rješenje:    , ⋅ ;     ⋅  
 
ZADATAK 3: 
Komad silicija ravnomjerno je dopiran primjesom čija je koncentracija N = 1013 atoma/cm3. Na 
sobnoj  temperaturi,  sopstvena  koncentracija  silicija  iznosi  ni  =  1012  nosilaca/cm3.  Izračunati 
specifičnu elektičnu provodnost ako je primjesa: 
a) donor, 
b) akceptor. 
Poznato je:  1500  / ,  475  / .  
Rješenje:  a)  ,   / ;  b)  ,   /  
 
ZADATAK 3: 
Čisti  kristal  germanija  sadrži  4,5·1028  atoma/m3.  Na  temperaturi  300  K  jedan  atom  na  svakih 
2·109 atoma je joniziran. Pokretljivosti elektrona i šupljina na toj temperaturi su μn = 0,4 m2/(Vs) 
i μp = 0,2 m2/(Vs). Odrediti vodljivost ovog germanija.  
Ako germanij dopiramo tako da na svaki 107 atoma dođe jedan primjesni atom III grupe, odrediti 
vodljivost germanija na 300 K.  
Rješenje:  σi = 2,16 S/m;   σp = 144 S/m;