11.

ULUSAL MAKNA TEORS SEMPOZYUMU

Gazi niversitesi, Mhendislik-Mimarlk Fakltesi, 4-6 Eyll 2003

MIKRO-ELEKRO-MEKANK-SSTEMLER(MEMS): RETM TEKNKLER

Halit Kaplan Atlm niversitesi, Mekatronik & retim Mhendislii Blmleri ncek / Ankara, TRKYE Melik Dlen Orta Dou Teknik niversitesi, Makina Mhendislii Blm 06531 Ankara, TRKYE Bu makalede yeni bir aratrma dal olan Mikro-Elektro-Mekanik Sistemlerin (MEMS) retim methodlar zetle tantlp, yzey/gvde mikro-ileme, elektro-erozyon, lazerle ileme ve yksek derinlik oranlarna sahip mikro yaplarn retiminde kullanlan LIGA teknikleri gibi balca mikro-retim yntemleri ksaca karlatrmal ele alnmaktadr. Bu retim teknikleriyle yaplm silisyum tabanl mikro-duyucu (micro-sensors) ve mikro eyleyicilere (micro-actuators) eitli rnekler de yine bu makalede de verilmektedir. Anahtar Kelimeler: MEMS, Mikro retim Medhodlar, LGA, Gvde Mikro leme, Yzey Mikro leme, Mikro Elektro Erozyon leme, Laser Mikro leme. 11. NATIONAL SYMPOSIUM ON MACHINE THEORY: MICROELECTROMECHANICSYSTEMS(MEMS): MANUFACTURING TECHNIQUES ABSTRACT This article concentrates on the major micro-fabrication techniques commonly utilized in the emerging field called micro-electro-mechanical systems (MEMS). First, the paper introduces some of these popular manufacturing techniques such as surface micro-machining, bulk micro-machining and electro-discharge machining (EDM), laser beam machining and LIGA a method enabling the construction of high-aspect ratio structures. In the paper, these paradigms are comparatively evaluated and various micro-systems manufactured through these techniques including silicon based micro-actuators and micro-sensors are also discussed briefly. Keywords: MEMS, Micro fabrication methods, LIGA, Bulk micro machining, Surface micro machining, Micro electro discharging, Laser micro machining. GR En genel anlamyla mikro-elektro-mekanik sistemler (MEMS) kk lekli elektro-mekanik dzeneklerin ve sistemlerin incelendii disiplinler aras bir bilim daldr. lgili sistemlerin karakteristik boyutu ounlukla birka mikrondan (m) birka cmye kadar deiebilir. Bu aratrma alannn bilimsel kaynaklarda ok deiik isimleri vardr: mikro-mekanik sistemler, mikro sistem teknolojisi (MST) ve mikro-mhendislik bunlardan sadece bazlardr. Kimi bilimsel evrelerde, bu bilim dal nano-teknoloji olarak da anlr. Ancak nano-teknoloji ounlukla bir nanometreden bir mikrona kadar deien boyuttaki sistemleri kapsar ve MEMSin aksine, ilgilendii sistemleri atomik seviyeden balayarak oluturmaya alr. Bir mekanik sistemi mikro lekli olarak kltmenin birok yarar vardr. ncelikle byle bir sistemde, hacimle ilgili kuvvetler (arlk/atalet) nemini yitirir. Bunun doal sonucuysa, ok hzl mekanik sistemlerin mikro lekli dnyada gerekletirile-bileceidir. Bylece anlk hareket ettirilip/durdurulabilen mekanizmalardan; ok byk ivmeli hareketlere dayanabilecek duyuculara kadar, birok sistemi (mikro-lekli dnyada) hayata geirmek mmkn olur. Ayrca mikromekanik sistemler byk lekli makina -1sistemlerine gre daha az yer kaplayp, daha az g harcarlar. Uygun seri-retim (mass production) teknikleriyle, bu tip sistemlerin ok ucuza da imal edilebilecekleri nemli bir gerektir. Aslnda mikro-mekanik sistemler kendi balarna da nemli uygulama alanlar bulsa, MEMS teknolojisinin en temel amac bu tip sistemleri mikro-elektronik teknolojisiyle btnletirerek, ayn yap (krmk) altnda uygun bir ilevi yerine getirecek tmleik sistemi yaratmaktr. Gnmzde olgunlama aamasna gelen mikro-elektronik teknolojisinin retim teknikleriyle, hi hpesiz minyatrletirilmi mekanik, elektro-mekanik, ve optik sistemlerin retilmesi mmkndr. En geni anlamyla, bu farkl sistemi bir araya getireren bilim dalna mikro-opto-elektro-mekanik sistem (MOEMS) teknolojisi ad da verilse; teknik kaynaklarda MEMS, MOEMSi de kapsayan bir kavram olarak kullanlmaktadr. MEMSin mikro-elektronik teknolojisiyle nemli benzerlikleri vardr. MEMS ounlukla ana malzeme olarak silisyumu kullanmasnn yannda; foto-litografi, katklama, kimyasal buharla biriktirme vs. gibi mikro-elektronik teknolojisinin temel retim tekniklerinden yararlanr. Bunu en nemli nedeni, hali hazrdaki mikro-elektronik

Kaplan ve Dolen malzeme ve retim teknolojilerinin kolaylkla bu yeni alana uyarlanabilmesidir. Bunun dnda, MEMS ile mikro-elektronik teknolojisi arasnda belirgin farkllklar da vardr. ncelikle, mikroelektronik cihazlar ounlukla iki boyutludur ve sadece iaret/bilgi (elektron ak) temelli alsrlar. MEMS ise genelde boyutlu bir yapya sahiptir ve ok deiik fiziksel ortamlarla (akkanlar, scaklk, elektro-manyetik dalgalar vs.) etkileim halindedir. Ayrca boyutlu yaps gerei MEMS, mikro-elektronikte kullanlmayan baz yeni malzeme ve retim teknolojilerini de beraberinde getirir. Biyolojik sistemlerle MEMS arasnda basit bir benzerlik (analoji) kurulursa, MEMSin bnyesinde yer alan mikro-elektronik sistem bu yapnn beynini, elektro-mekanik donanmlarsa onun duyu (ve kas) sistemini oluturur. MEMSin gnmzde en yaygn uygulama alan; hi sphesiz ki, duyucu (sensor) sistemleriyle bu sistemlerin salad verileri (iaretleri) ileyerek, yararl sonular reten tmleik sistemlerdir. Son zamanlarda otomotiv sektr iin retilen ve kaza annda hava yastn devreye sokan sistem, bunun en gzel rneidir. Bu krmk (Analog Devices ADXLx50); bir ivme ler ve belirli bir yavalama (eik) deeri iin hava yastndaki atelemeyi tetikleyecek bir mikro-elektronik devreden oluur [1]. Bylesi tmleik sistemlerin yukarda sz edilen olumlu yanlarnn yannda, gvenilirlii de olduka fazladr. yle ki titresim, dinamik kuvvetler ve eitli sl etkiler nedeniyle; duyucu ve onun lmlerini deerlendiren (elektriksel) kontrol/denetim sistemlerinde (rnein elektriksel motor srcleri) ortaya kan arzalarn temel kayna, duyucuyu sisteme balayan iletim hatlarndaki veya balant elemanlarndaki kopukluklardr [2]. Uygun bir paket altnda toplanan byle MEMS uygulamalar, bu tr sorunlar ortadan kaldrr. Gnmzde MEMS aslnda birok deiik aratrma alanna girmitir. Tablo 1, ksaca MEMS cihazlarn kullanld baz uygulama alanlarn gstermektedir. MEMSin kurucusu olarak ounlukla nl fiziki Richard Feynman anlr. 1959 ylnda Feynman, malzemeleri buharlatrarak veya biriktirerek son derece kk cihazlarn retilebilecei fikrini ortaya atmtr [3]. Feynman nemli konumasnda; biyolojik sistemleri rnek gstererek, malzemelerin nce kimyasal olarak sentezini yapp, ardndan da onlar fiziksel olarak atomik mertebede bir araya getirerek kk makinalar retilmesi nerisinde bulunmutur. Bu dncenin snrl bir erevede de olsa hayata geirilmesi altml yllarn ortalarn bulmutur. Mikro cihazlarn o zamanki retim teknikleri, gelimekte olan tmleik devre teknolojisinin doal bir uzantsdr. Mikro rleler, basn duyucular ve debi lerler bu yllarda retilmeye balanm mikro-lekli mekanik sistemlere rnektir. Yetmili yllar beraber, tmleik devre teknolojisinden uyarlanan retim yntemleri daha -2da geliim gstermitir. Katklama yardmyla kaznt/andrma (etching) durdurma teknikleri sayesinde birok mikro lekli duyucu (basn, scaklk ve grnt) baaryla retilir hale gelmitir. Seksenli yllarn sonlarna doru yeni yzey mikro-ileme (surface micromachining) teknikleri ortaya km [4] ve sonucunda resonansl duyucular ve mikro eyleyiciler (tahrik elemanlar, motorlar) gibi sistemler seri olarak retilme aamasna gelmitir. Yzey mikro-ileme tekniklerinin en nemli zellii udur: Bu teknik yardmyla; balama elemanlar, yataklar, esnek destekleme paralar, vs ieren mikro-mekanik sistemler dorudan doruya silisyum plaka/pul zerine ina edilebilmektedir. Bylece, ok masraf ve zaman gerektiren makina montaj ilemi ortadan kaldrlmaktadr. Doksanl yllarn bayla beraber, yksek enerjili X-n litografisine bal teknikler (LIGA) geliim gstermeye balam [5], nispeten yksek derinlie (aspect ratio) sahip mikromekanik sistem ve cihazlarn retilebilmesi mmkn olmutur. lerleyen yllar, yeni LIGA tekniklerini (gecici katmanl LIGA teknikleri) beraberinde getirmi [6]; desteklenmemi mikromekanik yaplarn ve elemanlarnn retilmesi imkan dahilinde olmutur. Bir sonraki blmde burada sz edilen yntemler daha detayl olarak irdelenecektir. MKRO-RETM TEKNKLER MEMS teknik kaynaklarnda ok sayda mikro-retim teknii bulunmaktadr. Bu teknikler kullanlarak, boyutlar birka mikrondan birka mmye kadar deien trl amal mikro-cihazlar retilebilmektedir. Bu makalede, bu tekniklerden nemlileri ksaca tantlacaktr. 1. Yzey Mikro-ileme Bu teknikte, nispeten alak ykseklie (birka mikron) sahip mekanik sistemler, eitli geici ve esas malzeme katmanlar ekillendirilerek, bir silisyum pulun yzeyinde oluturulur. Mikro-yzey ileme foto-litografi tekniine dayal bir retim tekniidir. ekil 1 bu teknikte kullanlan nemli ilem admlar gstermektedir. ncelikle yabanc maddelerden arndrlm silisyum plakann yzeyi ince bir yaltm katmanyla (genellikle Si3N4) kaplanr (ekil 1.1). Bu ilemde kimyasal buharlama teknii kullanlp, nispeten dk scaklk (70-100oC) ve vakumlu (ok dk basnl) zel bir tepkime odasnda, yle bir tepkimeyle gerekletirilir: 3SiH2Cl2 (gaz) + 4NH3 (gaz) + s Si3N4 + 6HCl + 6H2 Ardndan onun zerinde ince bir ana malzeme (ounlukla ok kristalli silisyum: poli-silisyum) katman oluturma aamasna geilir (ekil 1.2). Yine benzeri bir yntemle genellikle 580-6500C scaklk ve ok dk bir basn altnda (40-70 Pa), plakann yaltma katmannn zerinde arzu edilen (ok ynl) silisyum kristali gelitirilir: SiH4 (gaz) + s Si (kat) + 2H2 (gaz)

Kaplan ve Dolen Bir sonraki adm, foto-diren (rnein fotopolimer) malzemesiyle en son yzeyin kaplanmasdr (ekil 1.3). Bu amal birok kaplama teknii bulunmakla beraber; 10 mden ince foto-diren katmanlar iin dnel kaplama (spin coating) yntemi ounlukla kullanlr. Bu teknikte, sv fazndaki foto-diren malzemesi (hzla) dndrlmekte olan plakann zerine (merkezden) damlatlarak, svnn ince bir film halinde yzeye yaylmas salanr. Bu adm genellikle bir n-piirme izler. Daha sonra fotodiren katman bir maskeden geirilen (optik, Xn, mor-tesi vs.) bir maya tab tutulur (ekil 1.4). Burada sz konusu olan maske yzeyde oluturulmak istenen ekli ierir ve ounlukla cam zerine krom kaplanarak elde edilir. Ima altnda kalm foto-diren malzemesi kimyasal olarak deiime urar (ekil 1.5). Bu deiimi fotopolimerler (organik malzeme) iin yle ifade etmek mmkndr: MWi + h MWs Burada h Planck sabitini ve nn frekansn ifade etmekte; MWi bozulmaya uramam (orijinal) foto-diren malzemesinin (ortalama) molekl arln, MWs ise deimi olannkini belirtmektedir. Bu ilemi takiben, plaka (ounlukla alkol temelli) bir kimyasal zelti iinde banyo edilir. Bu kimyasal banyo srasnda deiime uram foto-diren malzemesi erir ve bylece ekli ieren bir foto-diren malzemesi geriye kalr (ekil 1.6). Aslnda foto-diren malzemesinin banyoda erime hz MW (molekl arl) ile ters orantldr. Foto-diren malzemelerinde mayla ortaya kan kimyasal tepkimeler iki trldr. Bir grup foto-polimer maya tab tutulduunda, baz molekllerinin balar koparak, yerini daha kk (hafif) molekllere brakr. Dolaysyla maya braklan alanda MWs << MWi olduundan; bu blmdeki malzeme banyoda (dier blmlere gre) daha hzl erir. Bu durumda maskedeki ekil olduu gibi foto-diren katmanna aktarld iin bu tr malzemelere pozitif foto-diren ad verilir. Bir dier foto-diren malzemesindeyse (lastiksi foto-direnler), mayla ilgili tepkime daha nce sz edilenin tam tersidir. Ima etkisine braklan blmdeki malzemenin molekllerinden bir ksm yeni kimyasal balar olutururlar. Sonuta MWs >> MWi olduundan; banyoda srasnda deiim gstermemi malzeme (dier blgelerdekine gre) daha kolaylkla erir. Bylece maskedeki grntnn negatifi (tmleyeni) foto-diren katmanna ilendiinden; bu trden malzemelere negatif foto-diren ad verilir. Maskedeki ekil foto-diren katmanna aktarldktan sonra, olas kirlenmeye kar (ounlukla plasma yardmyla) arndrlr; son bir frnlamann ardndan; baka kimyasal banyo (asit temelli) ile akta kalan esas malzeme katman kaznr (ekil 1.7). Foto-diren malzemesi, onun altnda yer alan malzeme tabakasn kimyasal banyonun etkilerinden korusa da, zellikle fotodiren malzemesinin kelerinde malzeme -3kaznmas (alttan kaznma) grlebilir. Bu ilemin ardndan, kalan foto-diren malzemesi yukarda sz edilen tekniklerle alnr (ekil 1.8). Sz konusu ilem ardk olarak uygulanarak, birok gecici (sacrificial) ve yapsal (structural) katman oluturulabilir. lem sonunda, gecici katmanlar kaznr ve geriye tamamen montaj yaplm mekanik sistem ortaya kar.
ince yaltm katman Pul (Si) deiim gstermi foto-diren blgeleri

1
malzeme katman

Pul (Si) banyoyla fazla foto-diren malzemesinin alnmas

Pul (Si)

2
foto-diren katman

Pul (Si) kimyasal yolla akta kalan malzemenin kaznmas

Pul (Si) (mor-tesi) ma

Pul (Si)

ekli ieren maske

kalan foto-diren malzemesinin alnmas

Pul (Si)

Pul (Si)

ekil 1 Yzey mikro-ileme teknii. Hassas cihaz ve tmleik devre teknolojisinde sk kullanlan elektro-kaplama (electroplating) teknii mikro-ileme teknikleri iinde de yer almaktadr. Bu yntemde; Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd gibi deerli metaller, elektrokimyasal olarak silisyum veya cam pulun zerinde bytlerek, mikroyaplar oluturulur. Daha sonraki blmlerde de aklanaca zere, bu teknii kullanarak yksek (birka mm) mikro-yaplar da oluturmak mmkndr. Elektro-kaplamann en nemli yararlarndan biri, standart ekipmanlar kullanmas ve kaplama ileminin temiz oda dnda gerekletirilebilmesidir. Bir baka nemli mikro ileme teknii de kaldrma yoluyla mikro-ilemedir. Bu teknikte, kimyasal karmlarla kazmann (andrmann) g olduu deerli metaller (altn, gm, iridyum gibi) silisyum pul zerinde ekillendirilir. ablonlama ve tabaka halinde kaldrmaya dayal bu ilemi, ekil 2 ayrntsyla gstermektedir. ncelikle, ince bir film halinde bir yardmc katman (oksit) silisyum taban zerinde oluturulur. Ardndan, foto-diren malzemesiyle kaplanan st yzey, yukarda sz edilen foto-litografik tekniklerle ekillendirilir. Oksit tabakasnn akta kalan ksmlar, asit banyosu yardmyla alnr. Foto-diren katmannn kelerinde yer alan oksit malzemesinde bir miktar alttan kesme olmas arzu edilir. Bu ilemi, metalin yzeye buharlatrma tekniiyle biriktirilmesi izler. Bylece metal, fotodiren katmannn boluklarndan geerek pul zerine ablonlanm olur. Yukarda kalan (istenmeyen) metal, foto-diren katmann (aseton gibi slak andrc sayesinde) kaznmasyla birlikte kalp halinde ortadan kalkar. Son olarak yardmc oksit katman alnarak, ilem son bulur. Silisyum yzey mikro-ileme tekniklerinin en ekici yan, mikro-elektronik endstrisinde hali hazrda kullanlmakta olan donanm ve ilemlerden faydalanmasdr. Bunun doal sonucu olarak da,

Kaplan ve Dolen mikro-ilemle elde edilen mekanik sistemler kolaylkla CMOS elektronik donanmla ayn krmk zerinde birletirilebilmektedir. Bu tekniin en nemli sakncalarndan biri, mikro yaplarn kalnlklarnn sadece birka mikron snrl olmasdr. leriki blmlerde de irdelenecei zere; bu zellik mikro eyleyiciler (tahrik elemanlar) iin nemli bir kstlamadr nk elemann oluturduu kuvvet (moment) onun yksekliine byk lde baldr. Bu tr snrlamalarna ramen yzey mikro-ileme teknii ok yaygn olarak kullanlmakta ve yzey mikroilemenin standart bir sre olarak yapld mikrofabrikasyon merkezleri vardr.
Koruyucu katman (SiO ) 2 Metal katman

yn gibi birok etmen anizotropik kazma sonucu elde edilecek ekli etkiler. Sonuta anisotropik kazma, ekil 3-a gsterildii gibi, daha ok V ekilli yarklar, piramidler ve silisyum plaka zerinde kanallar elde etmek iin kullanlr. Buna benzer olarak, izotropik kazmadaysa, HF, HCl gibi kimyasal maddelerden yararlanlr. ekil 3-bden de anlalaca gibi, kazma hemen hemen btn ynlerde ayn hzda ilerler ve silisyum zerinde yuvarlak ekilli yaplar elde edilir. Anizotropik kazmann aksine, bu tr kazmada; retilecek yapnn geometrisi zerinde ok hassas bir denetim salamak greceli olarak zordur.
Koruyucu katman (Maske)

Koruyucu katman (Maske)

Pul (Si)

1
Kimyasal banyo ile kazma {111} {110}

Pul (Si)

Pul (Si) Foto-diren katman

Pul (Si)

5
Pul (Si)

Kimyasal banyo ile (ar) kazma

2a
Kimyasal banyo ile kazma {111} {100}

Pul (Si)

2a
Kimyasal banyo ile kazma

Pul (Si)

2
Kaldrma Kazma Kaldrma
Pul (Si)

ekillendirilmi foto-diren katman

2b
Oluturulan yap (st grn)

Pul (Si)

2b
Oluturulan yap (st grn)

Pul (Si)

Pul (Si)

6
3

ekillendirilmi yardmc katman ekilli metal

a. Islak anizotropik gvde kazma

7

b. Islak izotropik gvde kazma.

Pul (Si)

Pul (Si)

ekil 2 Kaldrma tekniiyle mikro-ileme. 2. Gvde Mikro-ileme Bu ileme tekniinde, mikro-mekanik cihazlar silisyum kristalin zerinde nispeten derin bir andrma yaplarak, ounlukla kanallar, yarklar, piramitler, esitli ekillerdeki ukurlar oluturulur. Kullanlan andrc ortamn zelliklerine bal olarak, eitli gvde mikro-ileme (bulk machining) yntemleri gelitirilmitir [7]. Bunlardan bir tanesi olan slak kazmada, ounlukla asit temelli (sv) kimyasal maddeler kullanlr. ekil 3de de gsterildii gibi, fotolitografik yntemlerle yzeyi maskelenmi silisyum plaka, asit temelli kimyasallar ieren banyoya daldrlarak bekletilir. Kullanlan kazyc maddenin zelliklerine bal olarak akta kalan malzeme farkl biimlerde kaznr. Anizotropik kazmada, potasyum hidroksit (KOH), EDP (eitli oranlarda NH2(CH2)2NH2, C6H4(OH)2, H20, C4H4N2 ieren bir kimyasal), hidrozin gibi maddeler kullanlr ve bunlar deiik kristal dorultularnda farkl hzlarda kazma yapar. ekil 4 silisyum kristalinin yapsn ve farkl dzlemlerdeki atomik younluu gstermektedir. Sz konusu kimyasal maddeler, atomik younluunun fazla olduu dzlemlerde (rnein (111) dzlemi) ok yava kazma yaparlar yle ki bu tip kristal dzlemlere durdurma dzlemleri ad da verilir. Banyo zaman, kazyc iindeki katk maddeleri, silisyumun iinde yer alan yabanc atomlar, kristal kafesinin dorultusu ve maskenin -4-

Bir baka gvde mikro-retim teknii de kuru kazmadr. Bu tr retimin en ok uygulanan tekniklerinden biri derin tepkili ion kazmadr (deep reactive ion etching). Bu retim tekniinde ekil 5deki gibi bir paralel elektrodlu tepkime odasndan yararlanlr. zerleri ekilli bir koruyucu katmanla kaplanm pullar, tepkime odasnn (g) elektroduna yerletirilir. Odaya ok dk basn altnda kazyc bir gaz (rnein Freon 14) gnderilir. Elektrodlar arasna uygulanan yksek potansiyel nedeniyle gaz ionlar. Ortaya kan ionlar kaznacak malzemeye doru ivmelendirilerek, hareket ynndeki kazma tepkimesi nemli lde hzlandrlm olur. Her istenen ekilde olan ve nispeten yksek derinlie (10 mikron civar) sahip yaplar bu teknikle kolaylkla retmek mmkndr.

Kaplan ve Dolen gsterilmitir. Bu yntemde, nispeten kaln bir oksit tabakas silisyum pul zerinde oluturulduktan sonra, foto-litografik tekniklerle ekillendirilir. Ardndan pul, zel bir ocaa konarak; akta kalan silisyumun Boron (kayna) ile temasa gemesi salanr. Bir sre boyunca, Boron atomlar difzyon (yaynm) yoluyla silisyum kristali iine yaylr. Daha sonra pul zerindeki oksit katman (difzyon maskesi) alnr ve bir baka oksit katman yzey zerinde oluturulup, ekillendirilir. Pul KOH banyosuna daldrlarak, akta kalan ve Boronla katklanmam olan silisyum anizotropik olarak kaznr. Oksit katman kaldrlmasyla ilem sona erer. Bu teknikle, ounlukla basn ve scaklk duyucularnn ihtiya duyduu konsol (ankastre) mikro kiriler ve eitli geometrilerdeki zar (ince kabuk) tipi yaplar retilebilir. Ayrca, sonradan bir araya getirilmek zere bamsz mikro-mekanik yap elemanlar da oluturmak mmkndr. Gvde-mikroileme teknolojisinin bir uzants da zlm-pul tekniidir. Bu ilemde, mikro yaplar yine pul zerinde boron katklama ile belirlenir. Btn pul bir anisotropik kimyasal maddeye atlr ve katklanmam silisyum tamamen zlerek, yaplar serbest kalr [9]. Gvde mikroileme teknii ogunlukla silisyum pul birletirme tekniklerine ihtiya gsterir. Bylelikle, bu teknikle retilmi birok pul birletirilerek, deiik llerde ve karmaklkta mikro-mekanik yaplar meydana getirilir. Birletirme teknii olarak, anodik balama ve silisyum kaynayla balama olduka yaygn olarak kullanlr [10]. Aslnda silisyum plaka birletirme teknikleri ok katl mikro-yaplar retilmesi yannda, yaltm/salmastra [11], montaj [12] ve paketleme [13, 14] gibi ilemlere de uyarlanmtr. Sradan kaynaklama ilemine benzeyen plaka birletirmenin u gibi temel admlar vardr: i. balanacak plakalerin yzeyleri tozdan ve yabanc paracklardan arndrlr; ii. plakalerin zerindeki mikro-yaplar bir hizaya getirilir; iii. yzeyler oda scaklnda temas ettirilir; iv. hazrlanm plakalar yksek scakla kartlrlar. Baz durumlarda ara katmanlar da (cam trevleri [15], yaptrclar [16]) ilem srasnda kullanlabilir. Birletirmeye yardmc olmas amacyla; basn, elektrostatik alan veya slanm yzeyler arasndaki (kimyasal) ekim gibi unsurlara bazen bavurulduu da grlebilir. Sz edilen birletirme teknikleri yksek scaklk veya yksek gerilime dayal olduklarndan; sl ok hem mikro-yapya hem de mikro-elektronik devrelere nemli zarar verebilir. Bu nedenle, dk scaklkta gerekleen birok pul birletirme teknii de gelitirilmitir [17-18].

ekil 4 Silisyumun kristal yaps ve eitli dzlemlerdeki atomik younluk ([8]den uyarlanmtr). Bu yntem byk lde anizotropik kazma zellii sergiler. Ancak benzeri olan slak kazma tekniklerinin aksine, bu teknik silisyumun kristal dzlemlerine baml deildir ve Si, SiO2, Si3N4, Al gibi birok deiik malzeme bu teknikle ilenebilmektedir. Teknik kaynaklarda plazmaya dayal birok kuru kazma yntemi vardr. Bu teknikler de ekil 5tekine benzer tepkime odalarndan faydalanr. Ancak derin tepkili ion kazmasndan farkl olarak, pullar topraklanm elektroda yerletirilir. Dolaysyla, oluturulan plazma, sadece kimyasal yollarla kazma yapar. Tablo 2 sz edilen kuru kazma tekniklerini karlatrmal olarak zetlemektedir. Bu tabloda geen seicilik kazyc ortamn sadece arzu edilen malzemeyi kazmas ve pul zerinde bulunabilecek dier malzeme trlerine zarar vermemesi anlamna gelmektedir.

Elektrot

Gaz girii

Gaz k

Yksek frekansl g kayna

Plazma bulutu

(Vakum) Silisyum pullar Elektrot

Plazma Reaktr

ekil 5 Parallel elektrodlu tepkime odasnda plazmayla kazma. Bu grupta yer alan bir baka retim tekniiyse konsantrasyona bal kazmadr. Silisyum iinde yer alan yabanc atomlar, KOH gibi gibi kimyasallarla yaplacak (slak) kazmann hzn nemli lde drr. rnegin, yksek oranda Boron ile katklanm silisyumun kaznmas neredeyse durmu saylabilir. Bu ilkeye dayandrlm retim teknii ekil 6da -5-

Kaplan ve Dolen
Koruyucu katman (SiO 2)

Pul (Si) Boron yaynm

stten grn

Pul (Si) kinci koruyucu katman

gerilme meydana gelir ve sonuta oluturulacak mikro-yapnn geometrik toleranslar olumsuz olarak etkilenir. Sonu olarak, LIGA ile retilecek mikro yaplarn ykseklik orann, byk lde foto-polimerin kimyasal ve fiziksel (mekanik) yaps belirler. daha yksek mikro-yaplar elde etmek iin, derin X-n litografisi ad verilen teknikler gelitirilmektedir.
Synchrotron radyasyonu X-n maskesi 1 m kalnlnda zar (ince taneli poli-silisyum veya silisyum nitrat) 4 m kalnlnda emici gm katman

Pul (Si) Anizotropik kazma

3
(100) Dzlemi Boron ile katklanm mikro konsol kiri

~300 m

Pul (Si)

(111)

PMMA

Pul (Si)

Kaplama taban

ekil 6 Konsantrayona bal kazma.

PMMA PMMA

Ni

Tablo 2 Kuru kazma tekniklerinin karlatrmas.

Kazma mekanizmas Kazma ekli Seicilik Basn [Pa] Uyar enerjisi on Fiziksel ion bombardman anizotropik kt 0...1 yksek Tepkili ion Fiziksel ve kimyasal anizotropik orta 1...10 orta Plazma Hzl kimyasal izotropik iyi 10...25 Dk

Pul (Si)

Pul (Si)

4
Ni

PMMA

Pul (Si)

Pul (Si)

ekil 7 Temel LIGA ilemi [19]. Yukarda sz edilen LIGA teknii tek aamal bir ilem olup, sabit ve prizmatik mikroyaplarn retilmesi iin uygundur. Ancak geici (sacrificial) bir malzeme katman yardmyla, hareketli mikro-lekli paralar da retilebilir [20]. SLIGA (Sacrificial LIGA) ad verilen bu teknikte, Titanyum (Ti) en ok kullanlan malzemedir nk Ti elekro-kaplama ileminde kullanlan temel metallere (krom, nikel, bakr, altn vs.) iyi yapmasnn yannda; sz konusu metallere zarar vermeyen hidroflorik asit yardmyla da kolayca kaznabilir. ekil 8 bu ilemin temel admlarn gstermektedir. Silisyum pulun zerinde (ekillendirilmi) geici bir katman olutururduktan sonra (ekil 8-1), bunun st (elektro-kaplama taban ilevini grecek) ince bir Ti katmanyla kaplanr (ekil 8-2). Ardndan zerine PMMA dklp, frnlandktan sonra (ekil 8-3), yeni oluturulan foto-polimer katman uygun olarak ekillendirilir (ekil 8-4). Elektrokaplama teknii kullanlarak, akta kalan kaplama tabannn zeri Nikel (Ni) ile kaplanr (ekil 8-5). Daha sonra, PMMA ve kaplama taban alnr (ekil 8-6); bylece gecici katmana eriim kolaylar. Geici katman kimyasal olarak kazndktan sonra, Nikel yap serbest kalr (ekil 8-7). Bu yntem kullanlarak, tek bir krmk zerinde binlerce karmak yapl mekanik sistem son derece ekonomik olarak retilebilir. Mikro- trbinler, dili arklar, elektrikli motorlar, ivme ve basn duyucular bu teknikle retilebilen mikrosistemlerin banda gelir.

3. Gelitirilmi LIGA lemi LIGA teknii, Karlsruhe Nkleer Aratrma Merkezi tarafndan gelitirilmi bir retim ilemi olup, birok deiik teknolojiyi bnyesinde toplamtr [5]. Terim bir terim olarak, LIGA Almanca Lithographie (Litografi), Galvanoformung (Elektro-kaplama), Abformung (presle kalplama) terimlerinin ba harflerinden olusturulmutur. Bu ilemde, pleksi-glasa benzeyen PMMA (poli-metil-met-akrilit) malzemesi (fotopolimeri) kullanlr. ekil 7de de gsterildii zere; PMMA zel bir maske yardmyla, nispeten yksek enerjili bir X-n radyasyonuna (synchrotron radiation) maruz braklr. Akta kalan PMMAin molekllerinden bazlarnn balar kopar ve kimyasal olarak deiime uram PMMA zlebilir hale gelir (ekil 7-2). Metiliso-btil-keton (MIBK) yada iso-propil-alkol (IPA) ieren zel bir kimyasal zelti banyosu araclyla deiime uram PMMA zlr (ekil 7-2). Bu yntemde olduka yksek duvarl yaplar (0.3mm) byk bir hassasiyet (0.1-0.3m) ile retilebilir. Daha sonra akta kalan ksmlar metal (Cu, Au, Ni) bir tabakayla (elektro-kaplama tekniiyle) kaplandktan sonra (ekil 7-4), kalan PMMA kimyasal yntemlerle ayrlr. Metal en son yap olabilecei gibi (ekil 7-5), gerekirse, enjeksiyon (press) kalb olarak kullanlarak; deiik tipteki plastik paralar retilebilir. PMMAnn n sourma (absorption) davran incelendiinde; bu malzemeyi kullanarak, 300 mikrondan (3 n sourma dalga boyu) daha yksek mikro-yaplar retmenin teoride mmkn olduu grlr. Ancak kaln foto-polimer katmann ok yksek foton aksna sahip (3000 eV st) bir maya maruz brakmak gerekir. Ayrca, malzemenin n altnda kalma zaman da nemli lde artar. Bunun tesinde, kaln PMMAda polimerizasyon ilemi srasnda nemli lde i -6-

Kaplan ve Dolen
Geici katman Pul (Si)

1
Kaplama taban (Ti/Ni)

Ni

olarak) amorf yada kristal yapsnda Boron mikroyaplar retmek mmkndr. Elektro-erozyon ynteminde gibi, laser mikro-ileme teknikleri paralel retime elverili deildir.
5

Pul (Si)

Pul (Si)

PMMA

Ni

Pul (Si) Synchrotron radyasyonu

Pul (Si)

Hizalanm X-n maskesi PMMA

Pul (Si)

Ni

Boluk

ekil 8 Gelitirilmi LIGA (UW) ilemi [20]. 4. Elektro-Erozyonla Mikro-ileme Toshiba retim Mhendislii Aratrma Laboratuarlarnda gelitirilen bu teknikte, 10 mikron apndaki bir elektrod teli yardmyla iletken olan herhangi bir malzeme elektriksel yk boaltm (elektro-erozyon) yoluyla cok hassas olarak ekillendirilebilmektedir [21]. Mikro-retim iin gelitirilen makina, standard takm tezgah ara ve gerecini (teknolojisi) kulland gibi; atelye retim teknikleriyle de tamamen uyumludur. Ancak, dier retim tekniklerinin aksine; bu teknikte her para tek tek retildiinden; yntem u an ki konumu itibariyle paralel (oklu) retime elverili deildir. Paralel elektrodlar yardmyla seri-retim konusunda aratrmalarn devam ettii bildirilmektedir. 5. Laserle Mikro-ileme Bu teknikte, silisyum pul Cl2 gibi bir buhar ortamna konur. Laser n, kazma tepkimesini hzlandrmak iin kullanlr. Laser nna maruz braklan blgede ortaya kan yerel snma, tepkimenin hzn nemli lde bir lde arttrr. Bunun yannda, eer laser iin doru bir dalga boyu eilmise (rnein, Cl2 iin 500nm) fotoliz yoluyla laserle temas eden gazda (Cl* gibi) serbest radikaller ortaya kar ve SiCl4 gibi kolayca buharlaan silisyum bileikleri meydana getirir. Bu retim tekniiyle, delikler, kanallar, karmak yapl ve genel boyutlar 1 mm altndaki mikroyaplar retilebilir [22]. Lazer, kazma tepkimesini arttrmak yerine biriktirme tepkimesini balatmak iin de kullanlabilir. Bunun ilgin bir rnei [23] tarafndan verilmitir. Bu almada 514.5nm dalga boyuna sahip Ar+ (Argon) lazeri kullanarak, karmak 3-boyutlu Boron yaplar retilmitir. Kullanlan tepkime u ekildedir: 2BCl3 (gaz) + 3H2 (gaz) 2B (kat) + 6HCl Mekanik ve optik yntemler kullanlarak ynlendirilen lazer n, tarad yzeydeki bir nokta zerinde biriktirme tepkimesini balatr. Ardndan, arzu edilen bir baka noktada Boron geliimini alamak amacyla, n baka noktalara ynlendirilir. Bu teknikte, (lazerin gcne bal -7-

MEMS RETM TEKNKLERNN KARILATIRMASI Bir nceki blmde teknik kaynaklarda yer alan balca MEMS retim teknikleri ksaca tantlmtr. Foong ve dierleri [6] bu mikroileme yntemlerinin teknik snrlarn ve yeteneklerini karlatrmal olarak incelemi ve Tablo 3 gsterildii gibi zetlemitir. Benzer olarak, Tablo 4de MEMS retim teknolojisinde kullanlan belli bal malzemelerle, bu malzemeler iin uygulanan nemli retim admlarn gstermektedir. Tablo 3 Mikro-ileme zellikleri.
Geni apl mikroileme Tek (ynl) Si kristali Piramid ve kutu ekilli kiri/diafra m Yok 10-6 10-3 10-2 1

yntemlerinin
Yzey mikroileme Polisilisyum Sabit kesitli dizi geometrisi Var 10-6 10-3 <1

teknik

LIGA PMMA, Ni, Cu, Au, Seramik Sabit kesitli dizi geometri si Var
3

Malzeme

Geometri

Hareketli Para Boyut [m] Ykseklik Oran

10-8 10-

10-2 102

MKRO-LEME TEKNKLER LE RETLM MKRO MAKNE RNEKLER Bir nceki blmde, mikro duyucu ve eyleyicilerin (actuator) retimi iin gelitirilmi mikroretim teknolojileri ksaca ele alnmtr. Bu blmde bu sz edilen teknikleri kullanarak, retilmi ve ticari uygulama alan bulmaya mikrosistemler ksaca incelenecektir. Mikro yzey ileme teknii oka kullanlan MEMS retim tekniidir. Bu teknik kullanlarak retilmi bir elektro-statik motor, (MCNCden uyarlama) ekil 9da gsterilmektedir. Ayrca motor sisteminin retimi srasndaki (basite indirgenmi) ana ilem admlar da grlmektedir [24]. Burada oksit (1 ve 2) gecici katman malzemesi ve poli-silisyum (ok kristalli silisyum) da (1, 2 ve 3) yap malzemesidir. Oksit tabakalar kaldrldnda, rotor serbest kalr ve ortaya birletirilmi motor sistemi kmaktadr.

Kaplan ve Dolen Tablo 4 MEMSde kullanlan eitli malzemelerin zellikleri [6].

Malzeme(ler) Fonksiyon(lar) Temel yap Tek Kristalli Silisyum Mikro-mekanik yap Yar-iletken ok Kristalli Silisyum (Poli-silisyum) lem Admlar Tek ynl kristal bytme Kimyasal buhar biriktirme Gvde mikroileme Tmleik devre retim ilemleri Yzey mikroileme

Silisyum Dioksit (SiO2)

Silisyum Nitrat (Si3N4)

Boron Katkl Silisyum

Polimid PMMA, Nikel, Bakr, Seramik

Mikro-mekanik yap Gecici katman Kazma maskesi Anodik birletirme ortam Dielektrik Yaltc Korozyon koruma katman Yalama katman Kazma maskesi Yzey edilgenletirme Elektriksel yaltm Dielektrik Yzey edilgenletirme Kazma durdurma katman p-tipi kristal Gecici katman Mikro-mekanik yap

Oksitleme Kimyasal buhar biriktirme

Kimyasal buhar biriktirme

ekil 9 Yzey mikro-ileme tekniiyle retim ([24]den uyarlama).

Ion etkili difzyon

Elektroekillendirme Kalplama

Daha nce sz edildii zere, pulu-pulayaptrma tekniiyle ok deiik boyutlu mikro yaplar kolayca elde edilebilmektedir. Yzey mikro-ileme, pulu-pula yaptrma ve zlm pul retim tekniinin ortaklaa kullanlmasyla retilmi bir baka mikro-motor ekil 10'da gsterilmitir. Burada mikro-motorun paralar Boron katklama ile silisyum pul zerinde belirlenmi, daha sonra bu silisyum pul bir cam pula anodik olarak balanm ve en son olarak btn yap EDP ad verilen bir kimyasaln iine atlarak, ekilde grlen motor elde edilmitir [25].

ekil 10 Silisyum yzey mikro-ileme tekniiyle retilmi elektro-statik mikro-motor sistemi [27]. Gvde mikro-ileme tekniine rnek olarak vct iindeki elektrik akmlarn lmek iin kullanlan eleksi elektrodu verilebilir. ekil 11 zlm-pul yntemiyle retilmi byle bir elektrodun yapsn ve retim aamalarn gstermektedir. Burada elektrot 300 m apl bir zar Source:(diyafram) iine delinmi 1m kadar kk apl deliklerden olumumaktadr. Kesilmi bir evre siniri bu elektrodun iki tarafna yerletirildiinde sinirdeki aksonlar delikten geerek, bymekte ve bu sayede deliklerin etrafndaki metal yaplarla sinir hcrelerindeki elektriksel etkinlikler kaydedilebilmektedir [9].

-8-

Kaplan ve Dolen
Silisyum Taban erit kablo nce Zar

Destek erevesi

Kayt Alan Polisilisyum letken Dielektrik

Flan-ekilli ereve

Delikler

ekil 13 On iki kutuplu minyatr asenkron motor (motorun rotor ap 5mm) [26].

ekil 11 zlm-pul tekniiyle elde edilen elektipi elektrodunun yaps ve retim ilemi [9].

Nispeten yksek derinlik oranna (aspect ratio) sahip mikro yaplarn retilmesine elveren gelitirilmi LIGA teknii MEMS teknolojisinde ska kullanlan bir retim yntemidir. Teknik kaynaklarda LIGA ile retilmi, birok MEMS uygulamas vardr. Burada sadece birka tanesine ksaca yer verilecektir. ekil 12de bu teknikle retilmi bir minyatr planet dili mekanizmas grlmektedir. Nikel tabanl bu redktr (hz azaltc dili) sistemini RMB irketi (Biel, svire) iin Wisconsin niversitesi retmitir [20]. Benzer olarak, yine ayn teknii kullanlarak yaplm minyatr bir asenkron motor ekil 13te gsterilmitir [26]. Elle montaj ve stator sargs yaplm bu sistem, senkron (veya adm) motorlarn pratik olarak ie yaramayaca alanlarda kullanmak zere tasarlanm olup, halen gelitirme aamasnda olduu bildirilmektedir [20, 26]. Benzer olarak, ekil 14, yine LIGA ile retilmi ktle spektroskopisinde kullanlan 20 hiperbolik kutuplu bir dizini gstermektedir. inde Sandia Ulusal Laboratuarlarnn da yer ald bir konsorsiyum, bu hassas yapy retmitir [20, 27].

ekil 14 Gelitirilmi LIGA tekniiyle retilmi ktle spektroskopisinde kullanlan dorusal dizin (d ap 2 cm; kalnlk 3.4mm) [20, 27].

Son olarak, California niversitesi (Berkeley) tarafndan tasarlanan -eksenli bir ivme ler sistemini ekil 15de gsterilmektedir [28]. Tmleik CMOS/MEMS teknolojileriyle retilmi olan bu sistem, eksenli (kuvvet-dengeli) ivme lerlerin yan sra; zamanlama birimi, saysal bilgi k birimi gibi gerekli btn niteleri bnyesinde toplamtr. Eksenler foto-litografik yolla hizzalandklarndan, krmn retimi iin elle montaja ve eitli ayarlamalara gerek duyulmamaktadr.

ekil 12 Gelitirilmi LIGA (UW-MEM) tekniiyle retilmi mikromotor ve elektrostatik tarak sistemi [20]. -9-

ekil 15 -eksenli (mikro) ivme ler [27, 28].

Kaplan ve Dolen SONU Son yllarda silisyum tabanl mikro duyucular ve eyleyiciler konusunda youn almalar olmu ve arpc gelimeler meydana gelmitir. Bu makalede, MEMS teknolojileri zerinde durulmu, bu tip sistemlerin retiminde kullanlan belli bal mikro-ileme teknikleri ksaca tantlmtr. Bu mikro-ileme yntemleriyle retilmi ve ticari uygulama alan bulmaya balam mikro-sistemlere eitli rnekler verilmitir. KAYNAKA
[1] Analog Devices, "ADXL150/ADXL250 rev.0" rn katalou, Norwood, MA, 1996. [2] Lorenz, R. D., Sensorless Control: High Bandwidth Tracking of Spatial Saliencies using Persistent Excitation, WEMPEC/CAST Seminar Notes, University of Wisconsin Madison, 1999. [3] Feynman, R. P., Theres Plenty of Room at the Bottom, presented at the American Physical Society Meeting in Pasadena CA, Dec. 26, 1959; (tekrar basm) Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 1:1, 60-66. Mart 1992 [4] Howe, R. T., Surface Micromachining for Microsensors and Microactuators, Journal of Vac. Sci. Technology, B., 6, , 1809-1813, Aralk 1988. [5] Menz, W., Bacher, W., Harmening, M., and Michel, A., The LIGA Technique - a Novel Concept for Microstructures and the Combination with SiTechnologies by Injection Molding, IEEE Proceedings of Micro Electro Mechanical Systems, Nara, Japan, 69-73, 1991. [6] Foong, C. S., Wood, K. L., and Busch-Vishniac, I., Design Assessment of Micro-Electro-mechanical Systems with Applications to a Microbiology Cell Injector, Micromechanical Systems, ASME DSC, vol. 46, 49-63, 1993. [7] Kovacs, G. T. A., Maluf, N. I., and Petersen, K. E., Bulk Machining of Silicon, Proc. of the IEEE, vol. 86:8, 1536-1551, Austos 1998. [8] Sze, M., Semiconductor Sensors, John Wiley & Sons Inc., NY, 1994. [9] Akn, T., Najafi, K., Smoke, R, and Bradley, R. M., "A Micromachined Silicon Sieve Electrode for Nerve Regeneration Applications," IEEE Trans. on Biomedical Engineering, vol. BME-41, No. 4, 305313, Nisan 1994. [10] Shimbo, 1. M., Furukawa, K., Fukuda, K., and Tanzawa, K., Silicon-to-Silicon Direct Bonding Method, J. Applied Physics, vol. 60, 2987-2989, 1986. [11] Mack, S., Baumann, H., and Gosele, U., Gas Tightness of Cavities Sealed by Silicon Wafer Bonding, IEEE Proceedings of Micro Electro Mechanical System, Nogoya, Japan, 488-493, Jan. 1997. [12] Schomburg, W. K., Maas, D., Bustgens, B., and Fahrenberg, J., Menz, W., and Seidel, D., Assembly for Micromechanics and LIGA, J. of Micromechanics and Microengineering, vol.5, 5763, 1995. [13] Shoji, S., Kikuchi, H., and Torigoe, H., Anodic Bonding Below 180C for Packaging and Assembling of MEMS Using Lithium Alminosilicate- ,8 -Quartz Glass-Ceramic, IEEE Proceedings of Micro Electro Mechanical Systems, Nogoya, Japan, 482-487, Ocak 1997. [14] Ando, D., Oishi, K., Nakamura, T., Umeda, S., Glass Direct Bonding Technology for Hermetic [17] [18] Seal Package, IEEE Proceedings of Micro Electro Mechanical Systems, Nogoya, Japan, 186-190, Ocak 1997. Quenzer, H. J., Dell, C., and Wagner, B., SiliconSilicon Anodic-Bonding with Intermediate Glass Layers Using Spin-On Glasses, IEEE Proceedings of Micro Electro Mechanical Systems, San Diego, California, sf. 272, ubat 1996. Maas, D., Bustgens, B., Fahrenberg, J., Keller, W., Ruther, P., Schomburg, W. K., and Seidel, D., Fabrication of Microcomponents Using Adhesive Bonding Techniques, IEEE Proceedings of Micro Electro Mechanical Systems, San Diego, California, 331-336, ubat 1996. Field, L. A., and Muller, R. S., Fusing Silicon Wafers With Low Melting Temperature Glass, Sensors and Actuators, A21-A23, 935-938, 1990. Tong, Q. Y., Cha, G., Gafiteanu, R., and Gosele, V., Low Temperature Wafer Direct Bonding, J. Microelectromechanical Systems, vol. 3:1, 29-35, Mart 1994. Guckel, H, et al. Deep X-Ray Lithographies for Micromechanics, Technical Digest of the 1990 Solid State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head Island, SC, 118-122, Haziran 1990. Guckel, H., Micromechanics for Microactuators and Precision Engineering, Precision Engineering (Seminer Notlar), University of Wisconsin Madison, Haziran 1997. Kinoshita, H., Veda, K. Murai, S., and Hayashi, K., Micro-wire Electrical Discharge Machining, Proc. of the 1st IIFTOMM International Micro mechanism Symposium, Tokyo Inst. of Tech. 114119, Haziran 1993. Bloomstein, T. M. and Ehrlich, D. J., Laser Deposition and Etching of Three-dimensional Microstructures, Proc. of Transducers 91, the 6th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators Digest of Technical Papers. San Francisco, CA, IEEE Press, 507511, 1991. Westberg, H., Boman, M., Johansson S., Schweitz, J. A, Truly Three Dimensional Structures Microfabricated by Laser Chemical Processing, Proc. of IEEE Transducers, 516-519, 1991. Michalicek, M. A., Introduction to Microelectromechanical Systems, online sunu University of (http://mems.colorado.edu/), Colorado, Boulder, Mays 2000. Gianchandani Y and Najafi, K., "A Bulk Silicon Dissolved Wafer Process for Microelectromechanical Systems," J. Microelectromechanical Systems, vol. 1:2, Haziran 1992. Klein, J. L., Preliminary Results for Micro Induction Motor, n doktora tezi, University of Wisconsin Madison, Ocak 1997. Sandia National Laboratories, Intelligent Micromachine Initiative, http://mems.sandia.gov/. Lemkin, M., Ortiz, M., Wongkomet, N., Boser, B., and Smith, J., "A 3-axis surface micromachined sigma-delta accelerometer," Proc. ISSCC 97, 202203, 1997. Fitzgerald, A. E., Kingsley, C., Umans, S. D., Electrical Machinery, 5/e, McGraw-Hill Inc., NY, 1990. Trimmer, W. S. N., Microrobots and Micromechanical Systems, Sensors and Actuators, vol. 19:3, 267 287, 1989.

[15]

[16]

[19]

[20]

[21]

[22]

[23]

[24]

[25]

[26] [27] [28]

[29] [30]

- 10 -