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蔡毓楨教授 b ‧薛富盛教授 a ‧呂福興教授 a ‧吳宗明 a
合著
a:國立中興大學材料工程系
b:國立中興大學化學工程系

印行

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1959 年「費曼的主張」開啟了一個新的科學紀元,奈米科技成為全球新寵兒以
來,世界各國無不競相投注大量的人力與資金進行相關研究開發,對跨領域的整合
與應用已有相當成就。台灣也將奈米科技視為本世紀推動科技發展的高速列車,教
育為百年大計、國之根本,在二十一世紀知識與經濟密不可分之下,伴隨著新科技
的時代潮流,奈米科技教育的普及化、落實奈米技 K-12 人才培育,將為國家注入新
的教育與經濟力量。
奈米國家型科技計畫之奈米科技 K-12 人才培育計畫的分項子計畫-「中南區奈
米科技 K-12 教育發展中心計畫」於九十二年八月啟動,由國立中興大學材料科學與
工程學系薛富盛教授擔任計畫主持人,計畫執行至今,透過中部七縣市(臺中縣市、
南投縣、雲林縣、彰化縣、嘉義縣市)夥伴學校及標竿學校的共同推動之下,活動
層面已擴展至高中、國中、小學師生,舉辦將近二百場研習活動且成功培訓一千多
位種子教師,績效顯著、廣受好評。
奈米人才培育之全程目標乃希望能培育跨領域奈米科技人才,並將奈米技術迅
速且有效進行產業化,為強化種子教師在奈米科技儀器原理、操作、應用方面之學
習效果及培養獨立操作能力,計畫以實作之方式發展適合 K-12 之教案與原子力顯微
鏡(Atomic Force Microscope,以下簡稱 AFM)操作,以達種子教師科學素養教育知
識之提昇,並有效落實奈米科技知識之普及。
奈米科技儀器中,AFM 不僅扮演了強而有力的奈米材料檢測工具,亦可做為奈
米加工器具;為使種子教師和一般大眾對奈米科技、AFM 原理、操作及應用能有更
深入的認識與了解,編撰適合高中、國中、小學教師學習的「原子力顯微鏡實作訓
練教材」書籍,內容包含光碟片燒錄軌道及奈米碳管的表面型貌觀察等實作課程。
相信本手冊可提供閱讀者詳細且完備的 AFM 原理及實務操作等知識,期許達到奈米
科技知識傳播及奈米科技教育普及化之目的。
感謝教育部、國科會、國立中興大學及全國奈米科技人才培育推動計畫辦公室
對本計畫的支持;中興大學化學工程學系陳玠嗚、廖宏偉、何政隆三位研究生協助
資料整理;中南區奈米科技 K-12 教育發展中心蘇賢慧小姐對本計畫推動費心盡力,
併此謝忱與敬意。
本教材內容若有不盡周延或遺漏之處,敬請諸先進不吝指導與匡正。

蔡毓楨、薛富盛、呂福興、吳宗明 謹識
2007 年 2 月

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目 錄

目 錄
第一章 緒 論 ...................................................................... 1
1-1 原子力顯微鏡簡介 1
1-2 原子力顯微鏡操作原理 2
1-3 原子力顯微鏡操作順序說明 5

第二章 實驗部分................................................................. 31

實驗一:AFM 用 XY 軸校正光柵表面分析實驗.........................31
2-1 目的 31
2-2 相關知識 31
2-3 儀器及試片 36
2-4 實驗步驟 36
2-5 實驗結果 37

實驗二:CD-R 染料層表面分析實驗............................................40
3-1 目的 40
3-2 相關知識 40
3-3 光碟讀取方式及燒錄原理 41
3-4 儀器及試片 43
3-5 實驗步驟 43
3-6 實驗結果 44

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原子力顯微鏡實作訓練教材

實驗三:奈米碳管表面分析實驗 ..................................................47
4-1 目的 47
4-2 相關知識 47
4-3 奈米碳管的製備方法 48
4-4 奈米碳管的特性 52
4-5 奈米碳管的應用 54
4-6 儀器及藥品 55
4-7 實驗步驟 55
4-8 實驗結果 56

實驗四:以原子力顯微鏡製作奈米氧化物 ..................................59
5-1 目的 59
5-2 相關知識 59
5-3 奈米氧化物形成之機制 62
5-4 儀器及藥品 63
5-5 實驗步驟 64
5-6 實驗結果 65

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第一章 緒 論

1-1 原子力顯微鏡簡介
掃描式探針顯微鏡(Scanning probe microscopy, SPM)是在一九八○
年代初期所發展出一種新的顯微鏡技術的總稱,主要是利用極微小的
探針對樣品表面進行檢測,其檢測的解析度可達奈米或甚至原子尺寸
的等級,並呈現出量測試片表面與次表面的三度空間表面特徵。除了
試片的表面形貌外,它亦具有量測試片表面材料特性的功能,且可在
大氣環境下或液相中進行檢測,故其應用領域不斷地擴大。有別於之
前 已 發 展 成 熟 的 光 學 顯 微 鏡 (Optical microscope, OM) 及 電 子 顯 微 鏡
(Electron microscope, EM),因而又被稱為繼光學顯微鏡、電子顯微鏡
後的第三代顯微鏡。
1982 年 瑞 士 蘇 黎 世 IBM 實 驗 室 的 研 究 員 G. Binning 和 H. Rohrer 發
明 掃 描 穿 隧 顯 微 鏡 (Scanning tunneling microscope, STM), 為 最 早 的
SPM。主要是利用導電性的探針接近導電性的樣品表面時因量子力學
的 穿 隧 原 理 會 產 生 極 小 的 穿 隧 電 流(Tunneling current),利 用 不 同 的
取樣方式,進而描繪出樣品表面形貌。二人也因這項發明於 1986 年獲
得 諾 貝 爾 物 理 獎 殊 榮 。G. Binning, C.F. Quate 和 C. Gerber 三 人 於 1986 年
發 明 原 子 力 顯 微 鏡 (Atomic force microscope, AFM) 。 主 要 是 利 用 探 針
的原子與樣品表面原子,二者間的交互作用力(凡得瓦爾力)而描繪
出樣品的表面形貌。一般常見的 SPM 是 STM 與掃描力顯微鏡(Scanning
force microscope, SFM) 兩 大 類 , 此 外 還 有 延 伸 型 工 具 , 例 如 掃 描 式 近
場光學顯微鏡(Scanning near-field optical microscope, SNOM)與掃描電容
顯 微 鏡 (Scanning capacitance microscope, SCM) 等 也 甚 為 常 見 。SPM 家
族 中 , 以 量 測 探 針 與 樣 品 表 面 間 作 用 力 的 SFM 為 最 大 分 支 。SFM 是 許
多掃描力顯微鏡的統稱,其中最常見也最早出現的是 AFM,它的應用
層面也最為廣泛。
以 AFM 做為主體架構,做局部的適當改良,便可以量測電荷、電

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原子力顯微鏡實作訓練教材

位差、電容、磁力、側向力(摩擦力)、電阻……等,而衍生出如靜
電力顯微鏡(Electrostatic force microscope, EFM)、磁力顯微鏡(Magnetic
force microscope, MFM)、側向力顯微鏡(Lateral force microscope, LFM)、
壓 電 力 顯 微 鏡 (Piezoelectric force microscope, PFM)…… 等。 其 量 測 方
式與掃描式電子顯微鏡(Scanning electron microscope, SEM)、穿透式電
子 顯 微 鏡 (Transmission electron microscope, TEM) 不 同 , 不 使 用 高 能 量
的 電 子 束 而 是 使 用 非 常 微 小 的 探 針 進 行 量 測,故 不 會 對 樣 品 造 成 損
壞,其樣品的限制也是最低。其操作環境不似 SEM、TEM 需在真空環
境下進行操作,AFM 不僅可在大氣中進行量測,亦可在液相或變溫的
環境下進行樣品即時量測,液相中的量測對於生物樣品觀測有相當大
的 幫 助 , 此 多 樣 的 操 作 環 境 及 樣 品 製 備 的 低 限 制 使 得 AFM 的 應 用 範
圍更加廣泛。
AFM 造價低於電子顯微鏡,且體積小,設計彈性又高,易與其他
系統整合。除了與電子顯微鏡一樣,可做為奈米材料的表面形貌量測
工具外,更可用來當做奈米加工的工具,近年來亦引起學術研究的注
意,如應用於半導體蝕刻、儲存材料等,但因成本及生產速度因素導
致 無 法 商 業 化 。 無 法 像 SEM 或 TEM 一 樣 , 進 行 樣 品 的 成 份 分 析 。 而
AFM 掃描速度仍比不上電子顯微鏡。不適用於量測表面高度落差過大
之樣品。樣品要求方面,不需要如 SEM,樣品須具備導電性質;製備
手續也不似 TEM 繁複。與電子顯微鏡比較,其樣品製備簡易且限制度
低。除了可描繪出 2D 平面影像外,更可因為掃描機制及架構的不同,
描 繪 出 電 子 顯 微 鏡 所 無 法 辦 到 的 3D 立 體 影 像 , 利 用 此 立 體 影 像 , 亦
可進行樣品表面粗糙度的分析。

1-2 原子力顯微鏡操作原理
原子力顯微鏡以探針與樣品間的原子作用力做為交互作用,其基
本儀器架構主要由四個部分所組成(如圖 1-1): 壓電陶瓷掃描器、
探針及懸臂、 雷射二極體以及 四象限的光偵測器。首先樣品被
放置於 X、Y、Z 三軸向的壓電陶瓷掃描器上,使用雷射二極體照射於
探針的懸臂背面並反射到四象限光偵測器上,在量測過程中因樣品與

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第一章 緒 論

探針間的原子交互作用力,使得探針產生偏移,透過四象限光偵測器
量測反射光點的偏移,再藉由電路訊號回饋透過伺服器,控制三軸向
壓電陶瓷掃描器,使探針在 Z 方向回到原本的反射點的位置,即探針
與 樣 品 間 作 用 力 維 持 固 定, 則 可 由 反 射 點 的 位 移 來 得 知 探 針 的 偏 移
量 , 而 X、Y 方 向 則 控 制 探 針 掃 描 , 經 由 X、Y、Z 三 軸 的 訊 號 回 饋 記
錄,即可獲得樣品的表面形貌影像。原子力顯微鏡在掃描樣品時其操
作模式可分為以下三種:

反射鏡
反射鏡

雷射二極體

探針、懸臂

Z 軸資訊

影像

XY 軸資訊

圖 1-1 原子力顯微鏡基本構造簡圖

一、接觸式(Contact mode)

以接觸式模式操作時,探針在掃描時總是接觸著樣品的表面。在
此操作模式下,探針與樣品表面間的作用力是原子間排斥力(Repulsive
force)。由於排斥力對距離非常敏感,所以接觸式 AFM 較容易得到原
子解析度,但因探針與樣品間的接觸面積極小,雖然其作用力很小,
約 只 有 10 6~10 10
牛頓,仍會損壞樣品,尤其是軟性材質(如生物樣
品),但是較大的作用力通常會取得較佳的解析度,所以選擇適當的
作用力便十分重要了。一方面可降低探針的損壞,而以尖銳的針尖掃
描樣品表面,可得到較佳的影像;另一方面,保護樣品的完整性而不

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會被破壞。

二、非接觸式(Non-contact mode)

為了解決接觸式可能破壞樣品表面及造成探針鈍化的缺點,而發
展 出 非 接 觸 式 的 操 作 模 式, 此 模 式 操 作 時, 探 針 通 常 被 一 振 盪 器
(Oscillator)驅 動, 以 一 固 定 振 幅 做 振 盪 ,而 探 針 與 材 料 表 面 總 維 持
著一定的距離(10~100 nm)。利用原子間的吸引力(Attractive force)
來運作,不過此力對距離變化的敏感度小,靈敏度也較斥力差,故操
作 起 來 也 較 不 穩 定 。 非 接 觸 式 AFM 一 般 只 有 50 nm 的 解 析 度 , 一 般 來
說都使用於真空環境,因為在大氣中掃描時,易受表面汙染物(如水
膜)的影響,造成影像失真,且在真空環境下,影像可以得到原子級
的解析度,此操作方式的發展原因乃是為了解決接觸式損害樣品的缺
點。

三、輕敲式(Tapping mode)

為改良非接觸式的缺點,進而發展出輕敲式的操作模式,輕敲式
AFM 乃 是 介 於 接 觸 式 和 非 接 觸 式 之 間。 其 原 理 和 非 接 觸 式 的 原 理 相
似,但其振幅較非接觸式小,而且每一振動週期中,探針在振盪底部
和樣品表面接觸一次,由於樣品表面的高低起伏,使得懸臂的振幅改
變 , 經 由 回 饋 系 統, 即 可 得 描 繪 出 樣 品 表 面 的 形 貌 。與 非 接 觸 式 比
較 , 由 於 此 模 式 直 接 接 觸 樣 品 表 面 , 因 此 解 析 度 提 高 為 5~10 nm; 而
與接觸式比較,雖然解析度較差,但破壞樣品的機率卻大為降低,同
時幾乎沒有作用於探針與樣品的側向力,也沒有移動探針描繪樣品時
所產生的摩擦力。此模式操作時,由於樣品表面性質的不同,造成探
針 頻 率 的 改 變 而 產 生 相 位 差(Phase lag), 因 而 能 額 外 獲 得 相 位 圖
(Phase image)。相位圖成像原理如圖 1-2 所示,以上三種原子力顯微
鏡操作模式,探針與樣品距離和作用力相互關係的簡單示意圖如圖 1-3
所示。

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第一章 緒 論

輸入訊號: 輸出訊號:
驅使探針振動之交流電 由四象限光偵測器所偵測到的
之 AC 信號 探針懸臂 AC 信號

PZT
AC PZT

圖 1-2 相位圖成像原理

間接式

接觸式 距離

非接觸式

圖 1-3 探針與樣品距離和作用力關係示意圖

1-3 原子力顯微鏡操作順序說明
本教材使用原子力顯微鏡為 SPA-400(SEIKO,圖 1-4),為讓使用
者能有效率的使用原子力顯微鏡儀器,並且以正確步驟使用以維護儀
器 壽 命 , 本 章 節 以 完 整 步 驟 , 並 以 圖 表 簡 易 的 方 式 , 介 紹 AFM 以 期
原子力顯微鏡使用者能快速入門並使用儀器。

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光學顯微鏡
氮氣瓶 儀器操作軟體用電腦
隔音罩

AFM 儀器主體

防震桌

工作用伺服器

圖 1-4 AFM 儀器全景

1-3-1 原子力顯微鏡操作完整步驟

儀器操作主要步驟可分為十三個操作步驟順序:
1. 開 電 源 ( 三 處 ) 。
2. 開 氮 氣 瓶 並 確 認 防 震 桌 狀 態 。
(如防震桌屬於用空氣壓縮機充氣,則不需使用氮氣瓶)。
3. 打 開 操 作 軟 體 。
4. 安 裝 掃 描 器 、 樣 品 、 探 針 夾 具 於 量 測 平 台 。
5. 調 整 雷 射 光 軸 。
6. 進 行 近 針 至 測 定 範 圍 。
7. 設 定 掃 描 參 數 與 掃 描 樣 品 影 像 。
8. 保 存 已 測 定 的 影 像 。
9. 退 出 探 針 至 安 全 範 圍 。
10. 關 閉 操 作 軟 體 。
11. 打 開 隔 音 罩 , 取 出 樣 品 及 探 針 夾 具 。

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第一章 緒 論

12. 關 氮 氣 瓶 。
13. 關 電 源 ( 三 處 ) 。

*以下詳細介紹每一步操作步驟

1. 開電源(三處)

打 開 總 電 源 、 電 腦 開 關 , 以 及 工 作 伺 服 器 開 關 ( 如 圖 1-5) 。

總電源開關
工作用伺服器開關

圖 1-5 開電源(三處)

2. 開氮氣瓶並確認防震桌狀態

先 逆 時 針 將 氮 氣 瓶 流 量 開 關 開 啟 如 步 驟 一 ,再 依 步 驟 二 順 時 針
開 啟 氮 氣 流 量 計 至 50 lb/in2( 如 圖 1-6) 。

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旋轉步驟一

開氮氣瓶:
將氮氣流量開至 50 lb/in2

旋轉步驟二

圖 1-6 開氮氣(二處)

當氮氣開啟後,防震桌狀態如圖 1-7 所示。請按防震桌的四角,


確認其浮動著。請務必確認!若有一處接觸,則可能會造成測定上
的不順利。

觀察有無浮起

圖 1-7 防震桌

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第一章 緒 論

3. 打開操作軟體

在 電 腦 桌 面 上 由 捷 徑『Spisel.32』 進 入 所 需 要 量 測 的 模 式 , 如
AFM、DFM、…… 等 , 最 後 進 入 SPIWin 之 主 視 窗 ( 如 圖 1-8) 。

圖 1-8 Spisel .32 程式開啟

4. 安裝掃描器、樣品、探針夾具於量測平台

安裝掃描器(如圖 1-9),原儀器所附之掃描器有一固定的掃描
範圍,若需要掃描不同範圍之掃描影像,則需要更換不同之掃描器。

圖 1-9 壓電陶瓷掃描器

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放置樣品
有時因為樣品具有污染性,為了避免掃描器被污染,可在掃描器
上 放 置 一 墊 片, 以 避 免 樣 品 直 接 接 觸 掃 描 器( 如 圖 1-10 ) 。 若
樣品重量過輕時,可將樣品背面貼雙面膠直接固定於載台上。樣
品重量過重時可能會影響結果,一般來講樣品最大直徑可達 4 公
分 左 右 ( 如 圖 1-10 ) 。

樣品
墊片

圖 1-10 放置樣品順序圖

安裝探針於探針夾具
小 心 的 將 探 針 正 確 的 放 置 於 探 針 夾 具 上 (畫 圈 處 , 如 圖 1-11),
當 使 用 不 同 的 SPM 操 作 功 能 時 可 能 會 使 用 不 同 的 探 針 夾 具 及 探
針。放置探針時必須將右手貼緊桌面以避免抖動太大,影響放置
結果使得探針掉落導致毀損。放完探針後應從夾具側面觀察是否
在 正 確 位 置 ( 如 圖 1-12) 。 將 裝 好 探 針 之 支 架 放 置 於 載 台 上 , 並
確定固定在載台上,放入探針支架前需要先確定載台之高度,勿
使探針與載台上之樣品產生直接的接觸碰撞,而使得樣品或探針
受到破壞。

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探針

圖 1-11 放置探針順序圖

不正確放法 正確放法
圖 1-12 放置探針比較圖

安裝探針夾具於量測平台
若樣品載台過高時,可能會在夾具放上去的同時撞毀探針,因此
在 放 置 探 針 前 必 須 將 樣 品 載 台 降 低 , 可 在 主 目 錄 中 『Scan』 選 項
按下『Approach』,此時會出現『Approach』對話視窗,選取『Stage
Up/Down』選項後,可在『Move out』之處按下『Low』或『High』

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按 鍵 來 讓 載 台 上 升 或 降 低 ( 如 圖 1-13) 。 當 探 針 與 載 台 距 離 太 遠
時 , 可 利 用 『Move in』 功 能 縮 短 距 離 , 過 大 的 距 離 雖 然 仍 可 正 常
的近針,但所需近針的時間較長,通常來講以目視樣品與探針接
近數個 mm 較為適當。之後應安裝光學量測頭,務必將螺絲旋緊,
請務必將螺絲擰緊!若未擰緊,有時會導致量測不準(如圖 1-14)。

手動近針

電動近針

圖 1-13 安裝探針夾具於量測平台圖

鎖住螺絲以固定光學量測頭

圖 1-14 安裝光學量測頭於量測平台圖

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5. 調整雷射光軸

探針及掃描器參數的選擇
使 用 的 掃 描 器 與 探 針 之 參 數 ,可 在 主 目 錄『Setup』選 項 中 選 擇
『Console』,此時會出現『Setup Console』的對話視窗,在『Scanner
Table』的部分選擇使用的掃描器類型,在『Lever Table』的部分選
擇所使用的探針類型(如圖 1-15)。如果操作僅是進行表面形貌、
電 性 量 測 …… 等 不 牽 涉 探 針 力 量 之 量 測 ,探 針 類 型 不 會 影 響 最 後
量測之結果。要進行其他功能,如力曲線(Force curve)量測時,
則 必 須 選 擇 正 確 之 探 針 類 型, 並 且 輸 入 探 針 之 彈 性 係 數 ,按 下
『Config』按鍵進行探針彈性係數的修正,彈性係數的設定可由購
買探針時的資料所取得。

圖 1-15 探針參數調整圖

觀察樣品及探針的位置
將光學顯微鏡移至儀器上方,然後開啟光源強度鈕,接著在主目
錄 中 的 『Setup』 選 項 按 下『CCD Monitor』 以 進 入 CCD 之 顯 示 螢
幕,並且手動調整焦距以便觀察探針與樣品之位置,也可以先觀
看 所 要 掃 描 樣 品 表 面 ( 如 圖 1-16) 。

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光學顯微鏡 光源強度
光源之開關 調整鈕

圖 1-16 CCD 操作圖

移動探針至欲測定點
將探針移動至所需要量測的測定點時,可利用樣品載台之移動 XY
軸 的 游 標 卡 尺 將 探 針 移 動 至 所 需 測 定 位 置 ( 如 圖 1-17) 。 以 目 視
方式調整探針與樣品間距會造成光學顯微鏡無法同時聚焦,而無
法同時對焦在探針與樣品上,解決此問題的方法可以先將焦距調
整至樣品表面後並記住其特徵,接著將焦距調整至探針處,再將
焦 距 往 樣 品 方 向 向 下 調 整 一 點 , 約 調 整 數 個 mm 後 可 以 觀 察 到 探
針變得比較模糊,此時將樣品載台往上升,當上升操作至所調整
的焦距位置時,可由 CCD 螢幕清楚的看到樣品表面特徵,這樣的
話 比 較 容 易 可 以 操 作 探 針 至 所 需 的 測 定 位 置 ( 如 圖 1-18)。

Y 軸游
X 軸游
標卡尺
標卡尺

圖 1-17 探針移動卡尺操作圖

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第一章 緒 論

探針懸臂

測定點

樣品表面
移動前 移動後
圖 1-18 CCD 觀測圖

開啟雷射及調整光偵測器之能量值(ADD 值)
在 主 目 錄 的 『Laser』 選 項 確 認 雷 射 是 否 開 啟 , 雷 射 開 啟 時 則 可 看
到 該 選 項 之 左 方 有 打 勾 的 符 號 出 現 。 接 著 將 『顯 示 信 號 切 換 開
關 』 扳 至 ADD 值( 光 偵 測 器 之 光 強 度 值),利 用 『Laser X』 與
『Laser Y』 之 旋 鈕 將 雷 射 瞄 準 在 探 針 前 端 稍 靠 懸 臂 根 部 的 位 置 。
調整雷射位置時之方式可先固定雷射的 X 方向至探針懸臂前端稍
靠根部位置,然後再移動 Y 方向(如圖 1-19),調整雷射 Y 方向,
讓 ADD 值 達 到 最 大 , 即 完 成 雷 射 位 置 之 調 整 順 序 ( 如 圖 1-20) 。
調整後假若雷射光點位置確實瞄準射在懸臂時,則 ADD 訊號值將
會達到最大值。ADD 值會依探針類型而改變,鍍鋁或鍍金探針的
ADD 值約在 6 至 10V 左右,沒有任何反射材質的探針則約只有 2.5
至 5V, 必 須 注 意 的 是 , 當 ADD 值 低 於 1V 時 AFM 無 法 操 作 。 因 為
雷射光點有可能是經由樣品表面反射的結果,任何樣品的傾斜都
會造成雷射光的偏移或造成散射無法聚焦,這時 ADD 值會變小,
必 須 再 透 過 尋 找 最 大 ADD 值 來 求 得 最 適 雷 射 位 置 。

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DIF 控制旋鈕 LASER X 控制旋鈕


FFM 控制旋鈕 LASER Y 控制旋鈕

雷射定位點

探針實際位置

三角探針 棒狀探針
圖 1-19 調整雷射位置指示圖

顯示訊號轉
換開關:能 面板儀表:
切換三數值 能顯示出
的切換鈕 ADD/DIF/
FFM 數值

圖 1-20 面板控制指示圖

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第一章 緒 論

調整四象限光偵測器之位置(DIF 值及 FFM 值)
調整四象限光偵測器之位置,使雷射光瞄準射至光偵測器中心位
置,DIF 為 雷 射 光 上 下 方 向 之 調 整 ,FFM 則 為 左 右 方 向 之 調 整 ,
若 DIF 與 FFM 皆 為 0 則 表 示 雷 射 光 點 在 光 偵 測 器 的 中 心 位 置 。 在
AFM 模 式 中 ,DIF 設 為 0.5 至 1.0,FFM 設為 1.0 至+1.0。 由 於 探 針
會 受 到 雷 射 光 照 射 、外 在 環 境 …… 等 因 素 影 響, 造 成 懸 臂 本 身 因
為 溫 度 差 的 關 係 而 上 / 下 偏 移 , 這 會 反 映 在 DIF 值 上 , 所 以 可 以
先等一段時間,讓探針達到熱平衡後再進行近針之動作,如偏移
太大時,在近針後會反映在掃描器的 Z 軸動作上,導致無法正常
的進行掃描。
若 數 字 無 法 調 校 時 , 轉 動 FFM 旋 鈕 / DIF 旋 鈕 , 確 認 光 點 (●)
橫穿顯示在『Laser position』視窗對話方塊上的如圖 1-21 所顯示的
範 圍 ( 陰 影 部 分 ), 當 雷 射 光 點 移 動 不 平 穩 時 ,可 能 是 雷 射 光 過
於偏離光偵測器,而使得雷射光點出現位移,此時需確認雷射光
是否有射在探針懸臂前端附近,再重複上述步驟,若 ADD 值與調
整 前 的 值 幾 乎 相 同 的 話 , 調 整 就 結 束 了 , 如 果 誤 差 比 較 大 ,ADD
值 最 低 不 低 於 2V,ADD 值 到 0.5V 以 下 , 就 不 能 進 行 近 針 。ADD
值無法調整時,有可能是懸臂本身或放置探針時有問題,必須更
換探針或重新安裝。
最後移開光學顯微鏡,先將光源強度鈕轉至最小,再將光源鈕關
掉 , 並 蓋 上 隔 音 罩 , 準 備 進 行 近 針 量 測 的 動 作 ( 如 圖 1-22) 。

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圖 1-21 調整四象限位置指示圖

光學顯微鏡 光源強度
光源之開關 調整鈕

圖 1-22 關起隔音罩圖

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第一章 緒 論

6. 進行近針至測定範圍

近針前之準備動作
進行探針近針之動作,必須開啟近針時之對話視窗,可在主目錄
『Scan』選 項 中 選 擇 『Image』, 或 者 按 下 工 具 列 上 之 『Scan Con-
sole』。在近針前必須確認三點,第一個是在『Scan Console』中的
『Force Ref.』必須設為 0.5 或 1.0 nm(如圖 1-23),第二個是 PZT
對話視窗中顯示的數值必須為 50,一般而言如果未達 50,則必
定是 DIF 值 不 在 0.5 至 1.0 之 間 , 而 是 位 在 負 值 的 範 圍 , 此 時 調 回
正 值 即 可 , 第 三 個 要 確 認 的 是 I Gain 數 值 , 過 低 的 數 值 會 造 成 回
饋 速 度 不 夠 快 而 造 成 近 針 時 探 針 之 毀 損 , 一 般 設 定 在 0.3 至 0.5。

圖 1-23 『Scan Console』圖

進行近針之動作
完 成 上 述 近 針 前 之 準 備 動 作 後 ,即 可 在『Approach』 對 話 視 窗 中
按下 『Move in』 對 話 視 窗 中 的 『Area』 按 鍵 , 這 時 儀 器 便 進 行 自
動 近 針 之 動 作 。 近 針 完 成 後 ,PZT 對 話 視 窗 會 由 50 跳 至 某 一 個

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數 值 , 並 且 呈 現 些 微 的 跳 動 ,( 如 圖 1-24) 。 如 果 探 針 此 時 因 為
溫 度 影 響 而 發 生 偏 移 , 將 會 使 PZT 數 值 接 近 +200 或 200,當 PZT
數值達到+200 或 200 時便無法進行量測,因此在近針前必須先確
定探針已達到某種程度的熱平衡。

圖 1-24 『Approach』圖

7. 設定掃描參數與掃描樣品影像

掃描參數設定
近針程式完成後,接著進行掃描參數之設定,先在『Scan Console』
對 話 視 窗 中 輸 入 所 要 掃 描 的 範 圍 大 小 『Scan Area』,然 後 再 輸 入
掃 描 速 度『Scan Rate』, 掃 描 速 度 之 設 定 必 須 依 據 樣 品 表 面 粗 糙
程度設定,當探針掃描的距離較長時,應將掃描速度降低,通常
來 說 , 掃 描 速 度 在 剛 開 始 可 設 定 在 1Hz 左 右 , 若 是 掃 描 較 大 範 圍
(大於 5 m)或是起伏大的樣品,在開始時可以先設為 0.5Hz,在
I Gain 方 面 初 始 設 為 0.3 至 0.5,P Gain 設 為 0.1 至 0.15,A Gain 設 為
0( 如 圖 1-25),I Gain、P Gain、A Gain 各 代 表 意 義 如 下 :
I Gain: 光 偵 測 器 回 饋 至 掃 描 器 之 訊 號 傳 輸 速 度 。
P Gain: 屬 於 輔 助 工 具 , 用 以 減 少 I Gain 過 大 造 成 之 共 振 。

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國家圖書館出版品預行編目資料
原子力顯微鏡實作訓練教材/蔡毓楨等合著.
—初版.—臺北市:五南, 2007 [民 96]
面; 公分.
I S B N: 978-957-11-4680-5(平裝)
1.顯微鏡
336.2 96003381

5E45

原子力顯微鏡實作訓練教材
教育部中南區奈米科技 k-12 教育發展中心系列叢書
作 者 - 蔡毓楨 薛富盛 呂福興 吳宗明
發 行 人 - 楊榮川
主 編 - 穆文娟

責任編輯 - 黃秋萍
封面設計 - 莫美龍
出 版 者 - 五南圖書出版股份有限公司
地 址:106 台北市大安區和平東路二段 339 號 4 樓
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法律顧問 財團法人資訊工業策進會科技法律中心

出版日期 2007 年 3 月初版一刷

定 價 新臺幣 180 元

※版權所有.欲利用本書內容,必須徵求本公司同意※

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