第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展 综 述

光刻投影物镜畸变检测技术

曹译莎 1，2，唐锋 1，2*，王向朝 1，2，刘洋 1，2，冯鹏 1，卢云君 1，2，郭福东 1

1
中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室，上海 201800；
2
中国科学院大学材料科学与光电工程中心，北京 100049

摘要 光刻投影物镜的畸变是影响光刻机套刻精度最重要的因素之一，畸变会导致物镜的横向放大率随视场的增
大 而 变 化 ，曝 光 到 硅 片 上 的 图 形 相 对 于 其 理 想 位 置 发 生 偏 移 ，从 而 引 起 套 刻 误 差 。 在 物 镜 的 装 调 和 使 用 过 程 中 都
需要对畸变进行检测和优化调整，而目前高端光刻投影物镜的畸变小于 1 nm，对其进行高精度检测是该领域的难
点 。 对 三 种 常 用 的 光 刻 机 畸 变 检 测 技 术（曝 光 检 测、空 间 像 检 测 和 波 前 检 测）的 原 理 和 特 点 进 行 了 分 析 ，并 对 其 发
展 方 向 进 行 了 展 望 。 对 于 16~19 nm 及 16 nm 以 下 的 光 刻 节 点 ，多 通 道 检 测 技 术 是 提 高 畸 变 检 测 精 度 与 速 度 的 重
要发展方向。
关键词 测量与计量；光刻术；畸变检测；曝光；空间像传感器；相位测量干涉仪
中图分类号 O439；TN305. 7 文献标志码 A DOI：10. 3788/LOP202259. 0922012

Measurement Techniques for Distortion of Lithography Projection Objective

Cao Yisha1,2 , Tang Feng1,2* , Wang Xiangzhao 1,2 , Liu Yang1,2 , Feng Peng1 , Lu Yunjun 1,2 ,
Guo Fudong1
1
Laboratory of Information Optics and Optoelectronic Technology, Shanghai Institute of Optics and
Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China;
2
Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese
Academy of Sciences, Beijing 100049, China

Abstract One of the most critical elements influencing lithography overlay accuracy is the distortion of the
lithography projection objective. The distortion causes transverse magnification of the objective to change with the
increase in the field of view, and the pattern exposed on the silicon wafer is displaced relative to its ideal position,
which causes overlay errors. During the alignment and use of the objective, distortion must be detected and
optimized. At present, the distortion of advanced lithography projection optics is less than 1 nm, and its high -
precision measurement is a difficult point in this field. This paper examines the principles and characteristics of three
widely used lithography distortion detection technologies-exposure measurement, aerial image measurement, and
wavefront measurement-as well as their future development potential. To increase the accuracy and speed of
distortion detection, multichannel detection technology is an important development path for lithography nodes of
16‒19 nm and below 16 nm.
Key words measurement and metrology; lithography; distortion measurement; exposure; aerial image sensor; phase
measurement interferometer

收稿日期 ： 2021 -06 -02；修回日期 ： 2021 -06 -28；录用日期 ： 2021 -07 -05
基金项目 ： 国家科技重大专项（2017ZX02101006）
通信作者 ： * tangfeng@siom. ac. cn

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 综 述
1 引 言
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重
要 步 骤 ，该 工 艺 先 利 用 曝 光 和 显 影 在 光 刻 胶 层 上 刻
画 几 何 图 形 结 构 ，然 后 通 过 刻 蚀 工 艺 将 光 掩 模 上 的
图 形 逐 层 转 移 到 所 在 衬 底 上 ，最 终 在 硅 片 上 形 成 几
十 层 复 杂 的 电 路 结 构 ，且 每 一 层 图 形 都 要 精 确 转 移
到硅片上的正确位置。套刻精度是衡量光刻工艺
的 关 键 参 数 之 一 ，可 表 示 为 硅 片 上 新 一 层 图 形 与 上
一 层 图 形 的 位 置 误 差（套 刻 误 差），现 有 光 刻 技 术 的
套刻精度已经达到了 1. 4 nm 。集成电路芯片是通
［1］
过 多 层 电 路 叠 加 而 成 ，套 刻 精 度 会 直 接 影 响 最 终 的
产 品 性 能 。 投 影 物 镜 是 光 刻 机 的 核 心 部 件 ，光 刻 机
投影物镜的畸变是影响套刻精度最重要的因素之
一。畸变会导致曝光到硅片上的图形相对于其理
想 位 置 发 生 偏 移 ，从 而 引 起 套 刻 误 差 。 目 前 ，投 影
物 镜 畸 变 的 峰 谷（PV）值 达 到 了 0. 7 nm，在 物 镜 的
装调和使用过程中都需要对畸变进行检测和优化
调整，因此，对畸变进行高精度检测具有重要意义。
不同光刻投影物镜畸变检测方法的数据处理
流 程 基 本 相 同 ，即 先 检 测 不 同 视 场 的 成 像 位 置 偏 移
量 ，然 后 拟 合 得 到 畸 变 。 根 据 成 像 位 置 偏 移 量 的 测
量 方 式 ，可 将 光 刻 投 影 物 镜 的 畸 变 检 测 技 术 大 致 分
为 曝 光 法 、空 间 像 测 量 法 、波 前 测 量 法 三 类 。 曝 光
法 通 过 测 量 套 刻 误 差 计 算 畸 变 ，流 程 复 杂 ，但 原 理
简 单 。 Litel 仪 器 和 上 海 微 电 子 装 备（SMEE） 都
［2］
提出了消除工件台定位误差对畸变检测精度影响
的 方 法 ，但 曝 光 法 的 畸 变 检 测 精 度 仍 然 受 套 刻 测 量
仪测量误差的影响。空间像测量法通过空间像传
感 器 依 次 检 测 每 个 测 量 标 记 的 空 间 像 位 置 ，与 标 记
的理想成像位置比较得到成像位置偏移量，
NIKON［4］ 、ASML（ASML Holding N. V）［5 8］ 和
SMEE 都 开 发 了 空 间 像 畸 变 检 测 技 术 。 这 种 方 法
［9］
图1
Fig. 1 Formation principle of the distortion [22]
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具 有 稳 定 性 高 、成 本 低 、适 合 实 时 检 测 的 优 点［10 11］，
-
但检测精度受硅片台定位误差和空间像位置检测
精 度 的 影 响 。 为 了 提 高 畸 变 检 测 精 度 ，SMEE 提 出
了 差 分 测 量 技 术［9］，可 减 小 硅 片 台 定 位 误 差 对 检 测
精度的影响。波前测量法根据波前信息计算出每
个 波 前 测 试 标 记 的 实 际 成 像 位 置 ，最 终 根 据 理 想 成
像位置和实际成像位置的差值拟合计算投影物镜
的 畸 变 ，该 技 术 可 同 时 测 量 投 影 物 镜 的 波 像 差 。
NIKON［12 13］和 SMEE［14 15］使 用 夏 克 - 哈 特 曼（Shark -
- -
Hartmann）波 前 传 感 器 测 量 波 像 差 和 畸 变 ；美 国 桑
迪 亚 国 家 实 验 室（SNL）等 机 构 用 点 衍 射 干 涉 仪 对
极 紫 外 线（EUV）光 刻 投 影 光 学 系 统 的 畸 变 进 行 测
量［16］；ASML 在 2003 年 发 布 了 基 于 剪 切 干 涉 仪 的
ILIAS™［17］系 统 ，可 在 线 高 精 度 、快 速 测 量 和 分 析 整
个像场的波前像差和畸变，并在 2013 年开发了多通
道 并 行 PARIS（Parallel ILIAS）传 感 器［18 19］，能 同 步
-
获 得 7 个 视 场 点 的 像 差 数 据 。 相 比 夏 克 -哈 特 曼 传
感 器 或 点 衍 射 干 涉 仪 ，剪 切 干 涉 仪 不 需 要 采 用 小 孔
产 生 参 考 波 前 ，在 物 像 面 均 采 用 光 栅 作 为 检 测 标
记 ，能 更 好 地 利 用 光 刻 机 照 明 系 统 的 光 能 ，更 适 合
进行光刻机原位检测。
本 文 首 先 介 绍 了 畸 变 的 成 因 、定 义 、分 类 和 技
术 参 数 要 求 ，然 后 阐 述 了 光 刻 投 影 物 镜 的 畸 变 检 测
原 理 ，最 后 对 三 种 常 见 光 刻 机 畸 变 检 测 技 术 的 原 理
和 特 点 进 行 了 分 析 ，并 对 光 刻 投 影 物 镜 畸 变 检 测 技
［3］
术的发展方向进行了展望。
2 畸变分析
2. 1 畸变产生的原因
畸变产生的原因是轴外物点的主光线通过光
学 系 统 时 存 在 球 差［20 21］。 光轴上的物点经主光线所
-
成 的 像 不 存 在 球 差 ，与 理 想 像 点 重 合 ，即 不 产 生 畸
-
变。轴外物点经主光线成像时的原理如图 1 所示［22］。
畸变的形成原理［22］
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其 中 ，光 阑 中 心 z 为 光 轴 上 一 点 ，A 为 轴 上 物 点 ，A' 也 会 使 光 学 元 件 发 生 偏 心 或 倾 斜 ，导 致 偏 心 畸 变
为 A 的 高 斯 像 点 ，B 点 为 平 面 物 体 的 任 意 一 个 轴 外 （Decentering distortion）
［26 27］
和薄棱镜畸变［28］。
-

点 ，过 B 点 以 及 球 心 C 点 作 辅 助 光 轴 与 像 面 交 于 B' 1）径向对称畸变
点 ，B'点 即 为 B 点 的 理 想 像 点 。 当 B 点 以 主 光 线 成 径向对称畸变会导致像点从理想位置向内或
像 时 ，由 B 点 发 出 的 主 光 线 B z 相 对 于 辅 助 光 轴 有 一 向 外 发 生 偏 移 ，且 该 畸 变 围 绕 光 轴 严 格 对 称 。 在 极
孔 径 角 ，会 产 生 球 差 ，导 致 主 光 线 B z 与 高 斯 像 面 交 坐 标 为 ( r，θ ) 的 像 点 上 ，径 向 对 称 畸 变 沿 着 方 向 r 。
于 B z' 点 ，B z' 点 为 物 点 B 的 实 际 像 点 ，偏 离 了 理 想 像 完美球面透镜的径向对称畸变可表示为
点 B'，产生了畸变。实际像点 B z' 像高 y z' 与高斯像点 δ r = k 1 r 3 + k 2 r 5 + k 3 r 7 + ⋅ ⋅ ⋅， （3）
B ' 像高 y'的差 δ z' 就是系统的畸变。 式 中 ，δ r 为 完 美 球 面 透 镜 在 理 想 像 点 R 沿 r 方 向 的
畸 变 是 一 种 单 色 几 何 像 差 ，除 了 平 面 反 射 镜 径 向 对 称 畸 变 ，下 标 r 表 示 径 向 对 称 畸 变 ，k 为 对 应
外 ，其 他 光 学 系 统 都 不 能 成 完 整 的 像 ，即 所 成 像 不 阶 数 的 畸 变 系 数（k 1 、k 2、k 3 分 别 对 应 三 阶 、五 阶 、七
可能绝对清晰和无畸变 ［23］
。像差是光学系统所成 阶 径 向 畸 变 系 数）。 笛 卡 儿 坐 标 系 中 的 像 点 x，y ( )
像 与 理 想 像 之 间 的 差 异 ，可 分 为 单 色 像 差 和 色 差 。 可表示为
当系统以单色光进行成像时产生的像差为单色像 x = r cos θ ， （4）
差 ，可 以 用 几 何 像 差 和 波 像 差 描 述 。 单 色 像 差 可 分 y = r sin θ ， （5）
为 球 差 、彗 差 、像 散 、场 曲 和 畸 变 五 种 ，一 般 情 况 下
( )
像点 x，y 在笛卡儿坐标系下的径向对称畸变可表
这 五 种 像 差 同 时 出 现［24］，完 全 消 除 像 差 是 不 可
示为
能的。
( ) ( )
5
δ xr = k 1 x x 2 + y 2 + O [ x，y ]， （6）
2. 2 畸变的定义
= k y ( x + y ) + O [ ( x，y )
5
在 理 想 光 学 系 统 中 ，一 对 共 轭 面 上 的 垂 轴 放 大 δ yr 1
2 2
]， （7）
率 是 常 数 ，即 物 像 平 面 上 各 部 分 的 垂 轴 放 大 率 均 相 式 中 ，δ xr、δ yr 分 别 为 完 美 球 面 透 镜 在 理 想 像 点 R 处
等 ，因 此 物 和 像 是 相 似 的 。 但 对 于 实 际 光 学 系 统 ， 的三阶径向对称畸变在 x 方向和 y 方向上的投影，

( )
5
只 有 近 轴 区 域 才 具 有 该 性 质 ，物 像 面 之 间 的 垂 轴 放 O [ x，y ]为五阶及更高阶次的径向对称畸变，
大 率 不 再 是 常 数 ，而 是 随 视 场 的 变 化 而 变 化 。 实 际
为 高 阶 小 量 ，可 以 省 略 。 图 2（a）为 光 学 系 统 存 在
像 相 对 理 想 像 会 发 生 变 形 ，与 实 际 物 体 失 去 相 似
k 1 = − 0. 5 的 负 径 向 对 称 畸 变 时 ，实 际 像 点 与 理 想
性 ，这 种 使 实 际 像 发 生 变 形 的 像 差 也 被 称 为 畸
像 点 的 偏 移 示 意 图 。 其 中 ，箭 头 的 起 点 为 理 想 像 点
变［22］。 当 光 学 系 统 只 存 在 畸 变 时 ，整 个 物 平 面 能 形
的 位 置 ，终 点 为 实 际 像 点 的 位 置 ，长 度 为 径 向 对 称
成清晰的像，但像的大小和理想像不等。
畸 变 的 大 小 。 可 以 发 现 ：视 场 越 大 ，径 向 偏 移 量 越
畸 变 的 数 学 定 义 有 两 种 ，一 种 是 绝 对 畸 变 δy z'，
大 ，畸 变 也 越 大 ；在 光 轴 附 近 ，几 乎 没 有 偏 移 ，中 心
表示不同视场的主光线通过光学系统后与高斯像
视 场 点 的 畸 变 为 0。 当 只 存 在 径 向 对 称 畸 变 时 ，物
面的交点高度 y z' 和理想像高 y ' 的差值，可表示为
平 面 上 所 有 通 过 原 点 直 线 的 像 均 为 直 线 ，其 他 直 线
δy z' = y z' - y '。 （1） 的 像 则 会 发 生 弯 曲［29］。 当 光 学 系 统 的 实 际 像 高 大
另一种是相对畸变 q '，即绝对畸变 δy z' 与理想像 于 理 想 像 高 时 会 产 生 正 畸 变（枕 形 畸 变），此 时 放 大
高 y ' 的比值，可表示为 率随视场的增大而增大。如果物体为垂直于光轴
δy z' βˉ - β 的 线 条 图 案 ，经 理 想 光 学 系 统 所 成 的 像 如 图 3（a）
q'= × 100% = × 100% ， （2）
y' β 所 示 ，带 有 正 畸 变 的 光 学 系 统 对 线 条 图 案 的 成 像 结
式 中 ，βˉ 为 光 学 系 统 某 视 场 的 实 际 垂 轴 放 大 率 ，β 为 果 如 图 3（b）所 示 。 当 光 学 系 统 的 实 际 像 高 小 于 理
光学系统在该物距的理想垂轴放大率。 想 像 高 时 会 产 生 负 畸 变（桶 形 畸 变），此 时 放 大 率 随
2. 3 畸变的分类 视 场 的 增 大 而 减 小 ，存 在 负 畸 变 的 光 学 系 统 对 线 条
由 畸 变 成 因 和 定 义 可 以 发 现 ，折 射 球 面 本 身 的 图 案 的 成 像 结 果 如 图 3（c）所 示 。 如 果 物 体 为 圆 心
特 性 会 引 起 畸 变 ，这 种 畸 变 是 关 于 光 轴 中 心 对 称 在 光 轴 的 一 个 圆 ，用 存 在 畸 变 的 光 学 系 统 对 其 所 成
的 ，也 被 称 为 径 向 对 称 畸 变（Radial distortion） 。 ［25］
的 像 与 理 想 像 构 成 了 一 个 同 心 圆 ，正 畸 变 时 圆 的 半
此 外 ，如 果 光 学 系 统 包 含 多 个 光 学 元 件 ，装 配 不 当 径 变 大 ，负 畸 变 时 圆 的 半 径 变 小 。

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图2 （a）径向对称畸变（k 1 =−0.5）；
光学系统的畸变。 （b）偏心畸变（p 1 = p 2 =0.5）
Fig. 2 Distortion of the optical system. (a) Radial symmetry distortion (k 1 =−0.5); (b) decentering distortion（p 1 = p 2 =0.5）

图3 光学系统的成像结果 。 （b）存在正畸变的光学系统的成像结果（k 1 =0. 5）；

（a）无畸变光学系统的成像结果 ； （c）存在负畸
变的光学系统的成像结果（k 1 =−0. 5）
Fig. 3 Imaging results of the optical system. (a) Imaging result of an optical system without distortion; (b) imaging result of
an optical system with positive distortion (k 1 =0. 5); (c) imaging result of an optical system with negative distortion
(k 1 =−0. 5)

) ( ( ) ]，（8）
4
2）偏心畸变和薄棱镜畸变 δ xd = p 1 3x 2 + y 2 + 2p 2 xy + O [ x，y
实际光学系统中各透镜的光学中心不是严格
δ = 2p xy + p ( x + 3y ) + O [ ( x，y ) ]，
4
2 2
yd 1 2 （9）
共 线 的 ，从 而 导 致 了 偏 心 畸 变 。 偏 心 畸 变 既 有 径 向
分量 dr ，也有切向分量 dt ，如图 4 所示。其中，R 为理 式中，δ 和 δ 分别为光学系统在像点 ( x，y ) 处的二
xd yd

想 像 点 ，R z 为 实 际 像 点 。 直 角 坐 标 系 下 的 偏 心 畸 阶偏心畸变在 x 方向和 y 方向的投影，下标 d 表示偏

心 畸 变 ，p 1 和 p 2 为 光 学 系 统 的 偏 心 畸 变 系 数 ，
［28，30］
变 可表示为

( )
4
O [ x，y ] 为四阶及更高阶次的偏心畸变，为高阶
小量，可以忽略。图 2（b）为光学系统的偏心畸变示
意 图 ，可 以 发 现 ，偏 心 畸 变 大 体 上 相 对 于 左 下 角 和
右 上 角 的 连 线 对 称 ，这 表 明 镜 头 在 垂 直 于 该 方 向 上
有一个旋转角度。
薄棱镜畸变主要由镜头设计制造和相机装配
不 合 格 导 致 ，如 一 些 镜 头 元 件 或 图 像 传 感 阵 列 的 轻
微倾斜。这种类型的畸变可通过在光学系统中附
加 一 个 薄 棱 镜 模 拟 ，以 产 生 额 外 的 径 向 畸 变 和 切 向
畸变。
2. 4 畸变的技术参数要求

图4 偏心畸变中的径向畸变分量和切向畸变分量
光学系统的畸变大小取决于物点所在视场的
Fig. 4 Radial distortion component and tangential distortion 位 置 ，物 点 到 光 轴 的 距 离 越 大 ，畸 变 就 越 大 。 光 学
component in decentering distortion 系 统 在 不 同 的 应 用 场 合 有 不 同 的 畸 变 要 求 ，一 般 来

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说 ，只 要 接 收 器 感 觉 不 出 其 所 成 像 的 变 形（相 对 畸 中 对 成 像 质 量 进 行 原 位 检 测 ，然 后 根 据 检 测 结 果 通
变 q ' ≤ 4%），就 可 忽 略 该 畸 变 像 差 ，如 目 视 仪 过 调 整 投 影 物 镜 的 可 动 镜 片 等 方 式 补 偿 像 差 ，改 善
器 ［22，31］
。对于计量仪器中的投影系统、制版物镜、万 成像质量［32］。
能 工 具 显 微 镜 和 航 空 测 量 摄 影 物 镜 等 ，畸 变 会 带 来 光刻投影物镜的畸变要求是所有光学系统中
较大的测量误差，相对畸变 q '需尽可能小。光刻投影 最 严 格 的 ，达 到 了 nm 量 级 ，这 也 对 畸 变 参 数 的 检 测

物镜可将掩模图形按照一定的缩放比例成像到硅片 提出了更高的要求。不同检测方法的数据处理流

面［1］，畸变会使投影到硅片上的图案偏离理想位置， 程 基 本 相 同 ，如 图 5 所 示 。 先 确 定 物 面 上 不 同 视 场

从而影响套刻精度。光刻投影物镜的畸变要求随光 点经过投影物镜所成像的实际位置 x ri，y ri ，然后将 ( )

刻分辨率的减小会更加严格。表 1 为不同光刻机型 ) (
其 与 理 想 成 像 位 置 x i，y i 进 行 对 比 ，得 到 x 方 向 和
号投影物镜的绝对畸变 δy z'，可以发现，随着光刻机的 y 方 向 的 成 像 位 置 偏 移 量 ( Δx ，Δy ) ，最 后 拟 合 得 到
i i

发展，绝对畸变 δy z' 从 60 nm 逐渐减小到了 0. 4 nm。 畸变误差。

表1 不同光刻机投影物镜的绝对畸变 图 6 为光刻投影物镜的畸变检测原理。掩模板
Table 1 Absolute distortion of the projection objective
of different lithography machines unit: nm

Lithography model δy z'

ASML PAS 5500/100D 60
ASML PAS 5500/450F 20
ASML TWINSCAN XT∶860M 10
ASML TWINSCAN XT∶1250B 8
ASML TWINSCAN NXT∶1950i 0. 6
ASML NXE∶3100 1. 5
ASML NXE∶3400B 0. 4

3 光刻投影物镜的畸变检测方法
3. 1 光刻投影物镜的畸变检测原理
为 控 制 光 刻 投 影 物 镜 的 成 像 质 量（像 质），在 物
镜的装调和使用过程中都需要用高精度像质检测 图5 实际成像位置与理想成像位置的示意图
技术对畸变进行检测和优化调整。在投影物镜集 Fig. 5 Schematic diagram of actual imaging position and
成 装 配 阶 段 对 成 像 质 量 进 行 离 线 检 测 ，在 物 镜 使 用 ideal imaging position

图6 光刻投影物镜的畸变检测原理
Fig. 6 Distortion detection principle of the lithography projection objective

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

上有 n = ab 个标记，标记间距为 D。首先，测量每个 后基于测量结果对标记的理想成像位置和实际成

(
标 记 在 掩 模 面 的 位 置 x Ri，y Ri ，然 后 将 掩 模 板 通 过 ) 像位置偏移量进行修正。常用的掩模板位置测量
投 影 物 镜 成 像 ，测 量 标 记 的 实 际 成 像 位 置 坐 标 工 具 有 Zeiss PROVE、KLA LMS IPRO6、LMS

( x ，y )，标记的理想成像位置坐标 ( x ，y ) 相当于标
ri ri i i
IPRO4。
目 前 主 流 的 光 刻 机 为 步 进 重 复 光 刻 机 Stepper
记在掩模面位置坐标 ( x ，y ) 的 M 倍，即 Ri Ri
和 步 进 扫 描 光 刻 机 Scanner，Stepper 的 典 型 视 场 为
( x ，y ) = ( Mx ，My )，
i i （10） Ri Ri
22 mm×22 mm，曝 光 场 为 视 场 的 1/4；Scanner 的 曝
成 像 位 置 偏 移 量 ( Δx ，Δy ) 为 标 记 实 际 成 像 位 置 与
i i 光 狭 缝（Exposure slit）尺 寸 为 26 mm×5 mm
理想成像位置的差，可表示为 （ASML）、26 mm×5. 5 mm （ASML）或 26 mm×
( Δx ，Δy ) = ( x ，y ) - ( x ，y )。
i i ri ri i i （11） 8 mm（NIKON），通 过 扫 描 能 实 现 26 mm×33 mm

除 畸 变 外 ，对 准 误 差（Alignment error）、跟 踪 误 的 曝 光 场 。 投 影 物 镜 本 身 的 畸 变 ，Stepper 和

差（Tracking error）、掩模板的制造误差、加工过程的 Scanner 均 在 静 态 模 式 下 检 测 ，Scanner 可 以 在 动 态

硅 片 畸 变 等 系 统 误 差 也 会 导 致 成 像 位 置 偏 移［33 34］。
-
模 式 下（物 面 和 像 面 做 相 对 运 动）测 量 物 镜 的 动 态

这些特定因素导致的系统误差可以通过适当调整 畸变。动态畸变是扫描狭缝内静态畸变在扫描方

进行补偿。将不同误差因素导致的成像位置偏移 向 y 上 的 加 权 平 均 值 ，权 重 因 子 取 决 于 扫 描 方 向 y

分量相加即可得到 Δx i，Δy i ，可表示为 ( ) 上 的 光 强 分 布 、扫 描 策 略 等 。 光 刻 投 影 物 镜 的 畸 变

检测装置如图 7 所示。物面装载一块包含畸变测
Δx i = T xi - θ i y i + M x x i - k 1 x i r i 2 + r x ，（12）
试 掩 模 标 记 的 掩 模 板 ，用 控 制 器 驱 动 曝 光 狭 缝 移
Δy i = T yi + θ i x i + M y y i - k 1 y i r i 2 + r y ，（13）
动 ，使 照 明 系 统 发 出 的 光 每 次 只 照 射 一 个 标 记 ，通
式 中 ，T xi 、T yi 、θ i 分 别 为 测 试 第 i 个 掩 模 标 记 成 像 位
过 投 影 物 镜 对 其 成 像 。 像 平 面 可 以 是 涂 胶 硅 片 、传
置 偏 移 量 时 工 件 台 的 平 移 和 旋 转 误 差 ，M x 、M y 分 别
感 器 或 相 位 测 量 干 涉 仪 ，依 次 照 亮 每 个 标 记 ，并 根
为物镜在 x 方向和 y 方向的倍率误差，
（xi ，yi）为 第 i
个 掩 模 标 记 的 理 想 成 像 位 置 ，r i = x 2i + y i2 为 第 i
(
据 标 记 的 成 像 位 置 偏 移 量 Δx i，Δy i 拟 合 得 到 )
畸变。
个掩模标记的理想像点到像面坐标系原点的距离，
rx 、ry 分别为 x 方向和 y 方向的拟合残差值。由 i 个标
(
根据成像位置偏移量 Δx i，Δy i 的获得方法，可 )
将光刻投影物镜的畸变检测技术大致分为曝光法、
记 可 得 到 2i 个 方 程 ，共 3i+3 个 未 知 数 ，包 括 i 组 工
空 间 像 测 量 法 、波 前 测 量 法 三 类 。 曝 光 法 需 要 将 成
件台的误差（T xi 、T yi 、θ i）与 1 组物镜的倍率误差（M x 、
M y）和 畸 变（k1）。 假 设 T xi 、T yi 、θ i 在 所 有 视 场 点 均 相 ( )
像 位 置 偏 移 量 Δx i，Δy i 转 化 为 套 刻 标 记 的 套 刻 误

同，则共有 6 个未知数，方程组足够多时就能拟合得 差 [ d ('X + x ) i，d ('Y + y ) i ]，其 中 ，X、Y 表 示 不 同 方 向 的 场

到被测物镜的倍率和畸变参数。考虑到方程的计 间误差，x、y 表示不同方向的场内误差 ；空间像测量
算 复 杂 度 ，式（12）和 式（13）描 述 的 成 像 位 置 误 差 模 法、波前测量法则需对标记的实际成像位置 x ri，y ri ( )
型 仅 包 含 了 常 见 的 误 差 来 源 。 误 差 模 型 越 全 面 ，就 进行测量。
能 更 准 确 地 将 成 像 位 置 偏 移 量 分 解 为 不 同 误 差 ，以 3. 2 基于曝光的畸变检测技术
便 后 续 对 误 差 进 行 补 偿 。 研 究 表 明 ，建 模 计 算 的 精 基 于 曝 光 的 畸 变 检 测 流 程 如 图 8 所 示 ，先 将 测
度和不确定性取决于采样的视场点数［35 36］。一般情
-

量 标 记 在 硅 片 上 曝 光 两 层 ，形 成 套 刻 标 记 ，显 影 后
［37］
况 下 ，采 样 点 越 多 ，计 算 结 果 越 准 确 。但在实践 用 套 刻 测 量 仪 测 量 套 刻 误 差 [ d ('X + x ) i，d ('Y + y ) i ] 并 拟
中 ，考 虑 到 采 样 成 本 和 吞 吐 量 ，在 单 个 硅 片 中 采 样
合得到畸变。曝光标记的绝对成像位置偏移量
的 偏 移 量 通 常 有 限［38］，可 能 没 有 足 够 的 测 量 样 本 对
[ d ( X + x ) i，d (Y + y ) i ] 分 为 系 统 误 差 和 非 系 统 误 差 。 系
更 复 杂 的 模 型 参 数 进 行 估 计 ，因 此 要 平 衡 模 型 复 杂
度与采样数量的矛盾。合适的模型应满足的条件： ( )
统 误 差 包 含 场 间 误 差 d XI，d YI （下 标 I 为 曝 光 场 序

功 能 上 可 描 述 已 知 潜 在 误 差 来 源 的 参 数 、拟 合 后 的 ( )
号）和 场 内 误 差 d xi，d yi ，如 图 9 所 示 。 场 间 误 差
［39］
残 差 最 小 且 不 相 关（即 随 机 噪 声） 。 为 了 消 除 掩 （网 格 误 差）是 工 件 台 移 动 造 成 的 误 差 ，包 括 平 移 和
［40］
模板的制造误差对畸变检测的影响 ，可 提 前 用 掩 旋 转 ，即 曝 光 场 实 际 中 心 位 置 与 理 想 中 心 位 置 的 偏
模 板 位 置 测 量 设 备 检 测 掩 模 板 标 记 的 位 置 误 差 ，然 差 ；场 内 误 差 主 要 由 工 件 台 、透 镜 畸 变 和 倍 率 误 差

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

图7 光刻投影物镜畸变检测装置的示意图
Fig. 7 Diagram of the distortion measurement device of lithography projection objective

图8 基于曝光的畸变检测流程图
Fig. 8 Flow chart of distortion measurement based on exposure

小 化［36］。
( )
场间误差 d XI，d YI 可由 Perloff 模型［42］描述为
d XI = T XI - Φ XIY I + r X ， （14）
d YI = T YI + Φ YI X I + r Y ， （15）
（X I ，Y I）为 第 I 个 曝 光 场 的 理 想 中 心 位 置 ，
式中，
(d )
，d YI 为 第 I 个 曝 光 场 的 实 际 中 心 位 置 与 理 想 中
XI

心 位 置（X I ，Y I）的 偏 差 ，T XI 、T YI 、Φ XI 、Φ YI 分 别 为 第 I
个曝光场下工件台在 x 方向和 y 方向的平移误差和
旋转误差，rX 、rY 为 x 方向和 y 方向的场间拟合残差。
图9 场间误差和场内误差 ［36，41］
(
场内误差 d xi，d yi ［35］可表示为 )
Fig. 9 Inter -field error and intra -field error[36,41]
d xi = T x - θy i + M x x i - k 1 x i r i 2 + r x ， （16）
造 成 ，可 表 示 为 曝 光 场 内 不 同 视 场 点 的 实 际 位 置 与 d yi = T y + θx i + M y y i - k 1 y i r i 2 + r y ， （17）
理想位置的偏差。模型中的非系统误差虽然不能 （xi ，yi）为该曝光场内第 i 个测量标记的理想像
式中，
被 修 正 ，但 可 通 过 减 少 制 造 过 程 中 的 方 差 最 点 到 所 在 曝 光 场 理 想 中 心 位 置（X I ，Y I）的 距 离 ，

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

( d ，d ) 为 由 场 内 误 差 引 起 的 成 像 位 置 偏 移 量 ，T 、
xi yi x
第 二 层 曝 光 标 记 的 绝 对 成 像 位 置 偏 移 量 ，可 通 过 式

T y 、θ 分 别 为 场 内 工 件 台 的 平 移 误 差 和 旋 转 误 差 ，对 [ d ('X + x ) i，d ('Y + y ) i ] 为第一层与第二

（18）、式（19）计算，

于 同 一 曝 光 场 内 所 有 视 场 点 为 常 数 ；M x 、M y 为 物 镜 层曝光标记的相对成像位置偏移量，即套刻误差。
在 x 方 向 和 y 方 向 的 倍 率 误 差 ，对 于 曝 光 场 内 的 所 3. 2. 1 经典的曝光畸变检测流程
有 视 场 点 ，M x 、M y 和 k1 均 相 同 ；rx 、ry 为 x 方 向 和 y 方 掩 模 板 上 包 含 BOX 测 量 标 记 阵 列 ，BOX 测 量
向的场内拟合残差。第 I 个曝光场的测量标记绝对 标 记 如 图 10 所 示 。 其 中 ，阴 影 格 表 示 镀 铬 ，空 白 格
成 像 位 置 偏 移 量 [ d ( X + x ) i，d (Y + y ) i ] 为 场 间 误 差 与 场 表 示 可 透 光 。 为 了 检 测 光 刻 投 影 物 镜 的 畸 变 ，需 要

内误差的和，可表示为 在硅片上曝光两层 BOX 标记，形成套刻标记。曝光

d ( X + x ) i = d XI + d xi = T X + x - θy i + M x x i - 第一层时，将掩模板上的 BOX 标记阵列整场曝光到

硅 片 上 ，标 记 的 实 际 成 像 位 置 ( x ri，y ri ) 受 畸 变 影 响 ，
k 1 x i r i 2 + r X + x， （18）
d (Y + y )) i = d YI + d yi = T Y + y + θx i + M y y i - 且 所 有 标 记 具 有 相 同 的 场 间 误 差 参 数 ；曝 光 第 二 层
时 ，将 照 明 区 域 限 制 到 掩 模 板 上 的 一 小 块 区 域 ，只
k 1 y i r i 2 + r Y + y， （19）
有中心视场的标记被照亮。设置硅片台的步进距
式 中 ，T X+x 、T Y+y 、θ 为 场 间 和 场 内 总 的 工 件 台 平 移
离为 D/M ，依次将硅片台移至第一层曝光图案的理
和 旋 转 误 差 ，rX+x 、rY+y 为 场 内 和 场 间 在 x 方 向 和 y
想成像位置（xi ，yi），然后曝光第二层图案，并使第二
方 向 的 拟 合 残 差 。 套 刻 误 差 [ d ('X + x ) i，d ('Y + y ) i ] 为 硅
层图案 BOX B 与第一层曝光图案 BOX A 的理想成
片 上 两 层 曝 光 图 形 的 相 对 成 像 位 置 偏 移 量 ，可 表
像位置（xi ，yi）重合。由于第二层图案的每个标记都
示为
是 由 中 心 视 场 的 标 记 曝 光 得 到 ，实 际 成 像 位 置 不 受
d ('X + x ) i = d ( X + x ) bi - d ( X + x ) ai ， （20）
畸 变 影 响 ，但 每 次 曝 光 具 有 不 同 的 场 间 误 差 参 数 。
d ('Y + y ) i = d (Y + y ) bi - d (Y + y ) ai ， （21） 显影后用套刻测量仪测量每个视场点位置处第一
式中，下标 a、b 分别表示第一层与第二层曝光标记， 层曝光图案 BOX A 与第二层曝光图案 BOX B 之间
[ d ( X + x ) ai，d (Y + y ) ai ]、
[ d ( X + x ) bi，d (Y + y ) bi ] 分别为第一层与 的套刻误差 [ d ('X + x ) i，d ('Y + y ) i ]，可表示为

d ('X + x ) i = d ( X + x ) bi - d ( X + x ) ai = [ T ( X + x ) bi - T ( X + x ) a ]-( θ bi y i - θ a y i )- M x x i + k 1 x i r i 2 + r X' + x ， （22）

d ('Y + y ) i = d (Y + y ) bi - d (Y + y ) ai = [ T ( Y + y ) bi - T (Y + y ) a ]+ ( θ bi x i - θ a x i )- M y y i + k 1 y i r i 2 + r Y' + y ， （23）

式 中 ，r X' + x 和 r Y' + y 为 拟 合 残 差 ，T（X+x）bi 、T（Y+y）bi 为 曝 别 为 投 影 物 镜 在 x、y 方 向 的 倍 率 误 差 ，k 1 为 畸 变 误

光第二层的每个小视场时工件台在 x、y 方向的平移 差（对 所 有 标 记 都 相 同）。 对 于 i 个 套 刻 标 记 ，可 以
误差，θ bi 为工件台的旋转误差，T（X+x）a 、T（Y+y）a 为第一 列 出 包 含 2i 个 方 程 组 ，共 3i+6 个 未 知 数 ，包 括 i 组
层 整 场 曝 光 时 工 件 台 在 x、y 方 向 的 平 移 误 差 ，θ a 为 第 二 层 曝 光 时 的 工 件 台 定 位 误 差 T（X+x）bi 、T（Y+y）bi 、
工件台的旋转误差（对所有标记都相同），M x 、M y 分 θ bi ，1 组 第 一 层 曝 光 时 的 工 件 台 定 位 误 差 T（X+x）a 、
T（Y+y）a 、θ a ，1 组 投 影 物 镜 的 倍 率 误 差 M x 、M y 和 畸 变
k 1 。通常假定第二层曝光部分各个视场的工件台误
差 相 同 ，从 而 将 待 求 参 数 减 少 到 9 个 ，用 5 个 测 量 标
记 即 可 拟 合 出 畸 变 ，但 拟 合 的 畸 变 值 会 受 到 第 二 层
曝光工件台误差（平移和旋转）的影响。
3. 2. 2 商用曝光畸变检测产品
Litel 仪器公司提出了一种自参照方法测量投影
物镜的畸变［2］，用数学方法对畸变与工件台和掩模板
的对准误差进行解耦。该技术使用的掩模板包含由
图 10 BOX 测量标记 图 10 中掩模测试标记组成的阵列。X、Y 剪切曝光场
［2］

Fig. 10 Box measurement mark[2] 的细节如图 11 所示。其中，实线表示第一层曝光图

案，虚线表示第二层曝光图案。在 X 剪切曝光场中，

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

先 将 1 组 2×2 阵 列 的 掩 模 测 试 标 记 曝 光 到 硅 片 上 ，
然 后 将 硅 片 台 在 x 方 向 移 动 距 离 D+d 后 再 曝 光 第
二层，形成 X 剪切。其中，D 为测试标记的间距，d 为
测 试 标 记 内 BOX A 与 BOX B 标 记 的 间 距 。 X 剪 切
曝光场包括 1 列共 2 个套刻标记。在 Y 剪切曝光场
中，先将一组 2×2 阵列的掩模测试标记曝光到硅片
上，然后将硅片台在 y 方向移动距离 D+d 后再曝光
第二层，形成 Y 剪切。Y 剪切曝光场包括 1 行共 2 个
套刻标记。显影后用套刻测量仪测量 X、Y 剪切曝光
图 11 （a）X 剪切曝光场；
剪切曝光场。 （b）Y 剪切曝光场 ［2］
场 4 个 套 刻 标 记 的 套 刻 误 差 [ d ('X + x ) Xi，d ('Y + y ) Xi ] 和
Fig. 11 Shear exposure field. (a) X shear exposure field;
[ d ('X + x ) Yi，d ('Y + y ) Yi ]，然 后 建 模 计 算 畸 变 。 X 剪 切 和 Y
(b) Y shear exposure field[2]
剪切曝光场的套刻误差模型可表示为

d ('X + x ) Xi = d ( X + x ) Xbi - d ( X + x ) Xai = ( T X2 - T X1 )-( θ 2 y bi - θ 1 y ai )- k 1 ( x bi r bi 2 - x ai r ai 2 )+ r Xx ， （24）

d ('Y + y ) Xi = d (Y + y ) Xbi - d (Y + y ) Xai = ( T Y2 - T Y1 )+ ( θ 2 x bi - θ 1 x ai )- k 1 ( y bi r bi - y ai r ai )+ r Xy ，
2 2
（25）
d ('X + x ) Yi = d ( X + x ) Ybi - d ( X + x ) Yai = ( T X4 - T X3 )-( θ 4 y bi - θ 3 y ai )- k 1 ( x bi r bi 2 - x ai r ai 2 )+ r Yx ， （26）
d ('Y + y ) Yi = d (Y + y ) Ybi - d (Y + y ) Yai = ( T Y4 - T Y3 )+ ( θ 4 x bi - θ 3 x ai )- k 1 ( y bi r bi - y ai r ai )+ r Yy ，
2 2
（27）

式 中 ，[ d ( X + x ) Xai，d (Y + y ) Xai ] 和 [ d ( X + x ) Xbi，d (Y + y ) Xbi ] 分 Litel 仪 器 公 司 虽 然 消 除 了 工 件 台 误 差 对 畸 变

别为 X 剪切场第一层与第二层曝光图案的成像位置 检 测 精 度 的 影 响 ，但 检 测 精 度 受 套 刻 误 差 测 量 精 度

偏移量，i=1，2，
（xai ，yai）和（xbi ，ybi）分别为第 i 个套刻 的 影 响 。 Fab 厂 广 泛 部 署 的 套 刻 测 量 工 具 有

标记中第一层和第二层曝光图案的理想成像位置， KLA5300、Bio -rad Q7 等 ，基 于 该 技 术 ，Litel 仪 器 公

T X1 、T Y1 、θ1 和 T X2 、T Y2 、θ2 分别为 X 剪切曝光场第一层 司 开 发 了 检 测 光 刻 投 影 物 镜 畸 变 的 产 品 Distortion

和第二层曝光时工件台在 x 方向的平移误差、y 方向 Mapper（DMAP），可以测量 Stepper 和 Scanner 中投

的 平 移 误 差 和 旋 转 误 差 。 [ d ( X + x ) Yai，d (Y + y ) Yai ] 和 影 物 镜 的 静 态 畸 变 以 及 Scanner 中 的 动 态 畸 变 ，且

[ d ( X + x ) Ybi，d (Y + y ) Ybi ] 分 别 为 Y 剪 切 场 第 一 层 与 第 二
层 曝 光 图 案 的 成 像 位 置 偏 移 量 ，T X3 、T Y3 、θ3 和 T X4 、
T Y4 、θ4 分别为 Y 剪切曝光场第一层和第二层曝光的
工件台在 x 方向的平移误差、y 方向的平移误差和旋
转误差。式（24）~式（27）中的未知数为工件台误差
T XI 、T YI 、θI（I=1~4）和 畸 变 系 数 k1 。 如 果 k1 为 式
（24）~ 式（27）的 解 ，则 [ k 1 xr 2 + T x - θ - θ 0 y +
s x x，k 1 yr + T y + θx + s y y ] 也 是 式（24）~式（27）的
2
解 。 其 中 ，T x ，T y 为 任 意 平 移 误 差，θ 为任意旋转角，
θ0 为任意正交，sx ，sy 为任意 x、y 方向的倍率误差。该
技术用一组约束方程有效定义了式（24）~式（27）在
零 空 间 内 的 唯 一 解 ，使 畸 变 与 硅 片 台 误 差 硅 片 的 对
准 误 差 与 掩 模 板 的 对 准 误 差 无 关 ，至 少 用 4 个 套 刻
标记就能确定镜头畸变。
仪器的重复性小于 1 nm。
3. 2. 3 其他减小场间误差影响的畸变检测流程
除 Litel 仪 器 外 ，SMEE 也 通 过 类 似 技 术 减 小
了 场 间 误 差 对 畸 变 检 测 的 影 响［3］，提 高 了 畸 变 拟 合
精 度 ，其 原 理 如 图 12 所 示 。 第 一 层 仍 然 将 掩 模 板
整 场 曝 光 到 硅 片 上 ，用 实 线 图 案 表 示 ；第 二 层 曝 光
时 照 明 区 域 限 制 在 中 心 视 场 附 近 的 3×3 测 量 标 记
( ) 阵 列 ，如 小 实 线 框 中 的 标 记 。 然 后 移 动 工 件 台 ，将
3×3 标 记 阵 列 依 次 与 第 一 层 曝 光 图 案 的 理 想 成 像
位 置 对 齐 后 曝 光 第 二 层 ，每 次 形 成 9 个 套 刻 标 记 ，
如 虚 线 框 中 的 虚 线 标 记 。 依 次 移 动 工 件 台 ，曝 光 8
次 ，直 至 第 二 层 曝 光 结 束 。 将 硅 片 显 影 ，通 过 套 刻
测 量 工 具 测 量 72 组 套 刻 误 差 ，拟 合 出 工 件 台 的 定
位 误 差 和 畸 变 ，共 144 个 方 程 ，第 I（I=1~8）个 小 视
场的套刻模型可表示为

d ('X + x ) i = d ( X + x ) bi - d ( X + x ) ai = T ( X + x ) bI - θ bI y bi + ( M x x bi - M x x ai )-( k 1 x bi r bi 2 - k 1 x ai r ai 2 )+ r x ， （28）

d ('Y + y ) i = d (Y + y ) bi - d (Y + y ) ai = T (Y + y ) bI + θ bI x bi + ( M y y bi - M y y ai )-( k 1 y bi r bi 2 - k 1 y ai r ai 2 )+ r y ， （29）

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

板对准标记（RFM）板上 ，RFM 固定在掩模台上 ，表

面 与 掩 模 板 等 高 ；也 可 以 在 掩 模 板 上 加 工 配 套 的 测
试 标 记 。 RFM 和 测 试 掩 模 板 上 的 畸 变 测 量 标 记 为
BOX 测 量 标 记 或 线 宽 大 于 等 于 4 μm 的 光 栅 标 记 ，
以 避 免 彗 差 的 影 响［4］。 硅 片 面 上 放 置 空 间 像 传 感
器 ，使 标 记 的 空 间 像 投 影 在 狭 缝 上 ，如 图 13 所 示 。
测 量 投 影 光 学 系 统 的 畸 变 时 ，移 动 掩 模 台 ，使 测 量
标记分别位于投影物镜有效视场内的多个测量点
处 ，每 次 测 量 时 通 过 照 明 狭 缝 限 制 光 源 的 照 明 区
图 12 SMEE 的曝光畸变检测原理图［3］
域 ，使 光 源 仅 照 亮 一 个 视 场 点 处 的 测 量 标 记 ，被 测
Fig. 12 Schematic diagram of exposure distortion
量标记衍射或散射的光经过投影物镜折射后在像
measurement of the SMEE [3]
面形成测量标记的空间像。通过空间像传感器依
式 中 ，[ d ( X + x ) ai，d (Y + y ) ai ] 和 [ d ( X + x ) bi，d (Y + y ) bi ] 分 别 为 次 检 测 每 个 测 量 标 记 的 空 间 像 位 置 x ri，y ri 并 计 算( )
第 一 层 和 第 二 层 曝 光 图 案 的 成 像 位 置 偏 移 量 ；T XbI 、
( )
标 记 的 理 想 成 像 位 置 x i，y i ，然 后 代 入 式（12）拟 合
T YbI 、θbI 分 别 为 第 二 层 曝 光 时 第 I 个 小 视 场 在 x 方 向
得到畸变。
的 场 间 平 移 误 差 、y 方 向 的 场 间 平 移 误 差 和 场 间 旋
（xai ，yai）和（xbi ，ybi）分 别 为 第 一 层 和 第 二 层
转误差；
曝光图案的理想成像位置 ；M x 、M y 分别为投影物镜
在 x、y 方 向 的 倍 率 误 差 ，k 1 为 畸 变 误 差 ；rx 、ry 分 别 为
x、y 方向的拟合残差。第二层曝光时，第 I 个小视场
的 9 个 标 记 具 有 相 同 的 工 件 台 误 差 T（X+x）bI 、T（Y+y）bI 、
θbI ，为 了 简 化 方 程 ，在 数 学 上 假 设 第 一 次 整 场 曝 光
时 ，工 件 台 处 于 理 想 零 位 。 该 方 程 组 共 27 个 未 知
数，包括 8 组工件台定位误差 T（X+x）bI 、T（Y+y）bI 、θbI ，1 组
透 镜 倍 率 和 畸 变 误 差 M x 、M y、k 1 。 通 过 144 个 方 程
图 13 基于狭缝扫描法的空间像位置测量示意图［4］
拟合出畸变 k1 以及每个小视场曝光时工件台相对于
Fig. 13 Schematic diagram of aerial image position
第一次整场曝光工件台的相对定位误差。通过增
measurement based on slit scanning method [4]
加 每 场 的 曝 光 标 记 数 目 ，将 工 件 台 误 差 作 为 拟 合 计
算量，从而提高畸变检测精度。 不同技术所用的空间像传感器工作原理不同。
除了工件台的定位误差和套刻测量仪的测量 NIKON 公 司 空 间 像 传 感 器 基 于 狭 缝 扫 描 的 原 理 ，
误 差 外 ，曝 光 法 的 检 测 精 度 还 受 到 光 刻 胶 工 艺 误 差 移 动 硅 片 台 使 测 量 标 记 的 空 间 像 位 于 狭 缝 的 +Y
的 影 响 。 综 上 所 述 ，基 于 曝 光 的 光 刻 投 影 物 镜 畸 变 侧 ，沿 图 13 中 的 箭 头 A 方 向 移 动 狭 缝 板 ，使 狭 缝 a
检 测 方 法 流 程 复 杂 ，但 原 理 简 单 ，所 需 的 仪 器 也 是 沿 Y 方 向 对 空 间 像 扫 描 ，穿 过 狭 缝 的 照 明 光 被 光 学
Fab 厂的标准工艺设备。 传 感 器 转 换 为 电 信 号 ，进 而 通 过 相 位 检 测 方 法 获 得
3. 3 基于空间像测量的畸变检测技术 空 间 像 的 Y 坐 标 。 用 相 同 的 方 法 驱 动 硅 片 台 ，使 狭
基于空间像测量的畸变检测法通过光刻机掩 缝 b 沿 X 方向对空间像扫描，获得空间像的 X 坐标。
模对准分系统对掩模对准标记的空间像进行扫描， ASML 公 司 通 过 投 射 图 像 传 感 器 掩 模 对 准 系 统
扫描期间用光电转换元件将光信号转换为电信号， （TIS）基 于 空 间 像 位 置 测 量 原 理 实 现 对 准 ，TIS 传
对电信号进行处理可以确定测量标记空间像的位 感 器 的 物 面 和 像 面 是 光 栅 标 记 ，在 硅 片 台 对 角 位 置
置 ，电 信 号 取 最 大 值 时 的 坐 标 即 为 空 间 像 的 坐标。 有两个 TIS 板，每个 TIS 板上有两个 TIS 传感器，如
测量多个标记的空间像位置，然后通过拟合运算得到 图 14 所 示 。 用 TIS 两 板 上 的 两 个 传 感 器 对 TIS 标
畸变参数。NIKON 、ASML ［4］
和 SMEE 都 开 发 了
［5 -8］ ［9］
记 R1 和 R2 的 空 间 像 进 行 扫 描 ，并 对 扫 描 到 的 光 信
这种畸变测量技术。畸变测量标记可以位于掩模 号 进 行 光 电 转 换 ，得 到 光 强 最 大 处 的 位 置 即 为 对 准

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

图 15 差分测量的原理［14］
Fig. 15 Principle of the differential measurement[14]

获得的两个空间像位置受相同外界干扰和工件台
运 动 误 差 的 影 响 ；然 后 在 下 一 个 时 刻 对 另 一 组 对 准
标 记 的 空 间 像 位 置 进 行 检 测 ，且 其 中 1 个 标 记 与 上
一 组 测 试 时 的 标 记 相 同 ，从 而 基 于 重 合 标 记 空 间 像
图 14 基于空间像的畸变检测 ［6］
位置的测试结果补偿工件台的位移误差。
Fig. 14 Distortion detection based on aerial image [6]
3. 4 基于波前测量的畸变检测技术
位 置 。 扫 描 移 动 完 成 后 ，可 同 时 确 定 R1 和 R2 的 空
基于波前测量的畸变检测技术通过依次照明
间 像 位 置 。 将 相 同 的 过 程 应 用 于 标 记 R3 和 R4，得
波 前 测 试 标 记 ，移 动 波 前 传 感 器 记 录 光 源 经 过 投 影
到 R3 和 R4 的空间像位置。
物 镜 成 像 后 的 波 前 信 息 ，根 据 波 前 信 息 计 算 出 每 个
这类基于空间像测量的光刻投影物镜畸变检
波 前 测 试 标 记 的 实 际 成 像 位 置 ，最 终 根 据 理 想 成 像
测 方 法 不 需 要 曝 光 ，直 接 使 用 传 感 器 扫 描 测 量 标 记
位置和实际成像位置的差值拟合计算投影物镜的
的 空 间 像 位 置 ，具 有 稳 定 性 高 、成 本 低 、可 实 时 检 测 畸 变 。 该 技 术 可 同 时 测 量 投 影 物 镜 的 波 像 差 ，包 括
的 优 点［10 11］。 相 比 基 于 曝 光 的 畸 变 检 测 技 术 ，基 于
-

夏 克 - 哈 特 曼 波 前 传 感 器 检 测 法［12 15］和 干 涉 仪 检
-

空间像测量的畸变检测技术可将光刻投影物镜畸 测法［43 45］。

-

变 从 光 刻 胶 工 艺 误 差 中 分 离 出 来 ，但 检 测 精 度 受 硅 3. 4. 1 基于夏克-哈特曼波前传感器的畸变检测
片台定位误差和空间像位置检测精度的影响。 波 前 传 感 器 是 一 种 用 于 测 量 波 像 差 的 设 备 ，也
为 了 提 高 畸 变 检 测 精 度 ，SMEE 提 出 了 差 分 测 可 用 于 畸 变 检 测 。 夏 克 -哈 特 曼 波 前 传 感 器 由 经 典
［14］
量的技术 ，可 减 小 硅 片 台 定 位 误 差 对 检 测 精 度 的 哈 特 曼 方 法 发 展 而 来 ，用 微 透 镜 阵 列 代 替 小 孔 阵 列
影响，其原理如图 15 所示。该技术采用像传感器同 分 割 光 束 并 将 子 光 束 聚 焦 ，提 高 了 光 能 利 用 率［46］，
时 对 一 组（2 个）对 准 标 记 的 空 间 像 位 置 进 行 检 测 ， 其 原 理 如 图 16 所 示 。 测 量 待 测 波 前 时 ，通 常 将 夏

图 16 夏克 -哈特曼传感器的原理。 （b）变形波前［11］
（a）理想波前；
Fig. 16 Principle of the Shaker -Hartmann sensor. (a) Ideal wavefront; (b) deformed wavefront[11]

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

克 -哈 特 曼 波 前 传 感 器 放 置 在 与 系 统 光 瞳 共 轭 的 平 Z2
Δx i = f × ， （30）
面 上 。 首 先 ，用 微 透 镜 阵 列 对 整 体 波 前 进 行 采 样 ， R sensor
Z3
每 个 微 透 镜 对 应 一 个 局 部 波 前 ，即 子 孔 径 ；然 后 ，计 Δy i = f × ， （31）
R sensor
算 CCD 阵 列 平 面 测 量 点 质 心 位 置 与 参 考 点 质 心 位
Z 42
置 的 差 ，解 算 各 个 子 孔 径 对 应 的 局 部 波 前 平 均 斜 Δz i = - 16f × ， （32）
R 4sensor
率 ；最 后 ，通 过 几 何 运 算 求 得 整 个 入 射 波 前 的 变 形 式 中 ，R sensor 为 CCD 探 测 到 的 单 位 圆 半 径 ，
信息，完成波前探测过程［47］。
( Δx ，Δy ，Δz ) 为第 i 个标记的实际像点 H'与参考点
i i i

物面使用包含针孔阵列的掩模板，将夏克 哈特 -
H（夏克 -哈特曼传感器准直透镜的焦点）的位置偏差，
曼 传 感 器 安 装 在 工 件 台 上 ，以 接 收 由 准 直 镜 准 直 后 如图 17 所示。计算 Δx i，Δy i，Δz i 后，加上参考点 H ( )
的被测波前，夏克 - 哈特曼传感器分别与每个针孔标
的位置（针孔标记的理想成像位置 x i，y i，z i 与工件 ( )
记 的 理 想 成 像 位 置 对 准 ，以 测 试 其 波 前 误 差 。 根 据
台 位 置（X i，Y i，Z）
i 之 和），即 标 记 的 实 际 成 像 点 位 置
夏 克 - 哈 特 曼 传 感 器 测 得 的 波 前 Z 2 ~Z 4 项 Zernike 系
( x ，y ，z )。该方法的精度受硅片台定位误差、夏克
ri ri ri
-

数 ，计 算 得 到 波 前 倾 斜 角 和 曲 率 半 径 ，结 合 夏 克 哈 -
哈特曼传感器对 Z 2 ~Z 4 项 Zernike 系数测量误差的影
特 曼 准 直 镜 的 焦 距 f，计 算 对 准 位 置 偏 差
响［47］。为了提高测量分辨率，需要提高微透镜阵列的
( Δx ，Δy ，Δz )，可表示为
i i i 焦距长度，但同时也会增大传感器的整体尺寸。

图 17 夏克 -哈特曼传感器测量标记像点位置偏差的原理。 （b）纵向［15］
（a）横向；
Fig. 17 Principle of measuring the position deviation of the marked image point with the Shake -Hartmann sensor.
(a) Horizontal; (b) vertical[15]

SMEE 在 2007 年 提 出 采 用 同 步 移 相 干 涉 仪 检 如图 19 所示。投影物镜是一个四镜系统，数值孔径

测畸变 ［45］
，原 理 如 图 18 所 示 ，其 数 据 处 理 流 程 及 特 NA 为 0. 1，缩 小 倍 率 为 4 倍 。 物 面 和 硅 片 面 各 有 一
点与夏克 -哈特曼波前传感器基本相同。 块针孔阵列掩模板，每个针孔阵列掩模板上有 45 个
3. 4. 2 基于干涉仪的畸变检测 针 孔 。 使 用 Leica IPRO 掩 模 检 测 工 具 测 量 所 有 针
利 用 干 涉 仪 测 量 畸 变 的 方 法 与 基 于 夏 克 -哈 特 孔 的 相 对 横 向 坐 标 ，测 量 精 度 为 12 nm。 测 试 光 束
曼 传 感 器 的 畸 变 检 测 方 法 原 理 相 同 ，干 涉 仪 可 分 为 由 硅 片 面 的 针 孔 衍 射 形 成 ，由 投 影 光 学 系 统 成 像 到
点 衍 射 干 涉 仪 、剪 切 干 涉 仪 等 ，点 衍 射 干 涉 仪 通 过 物 面 ，然 后 被 针 孔 掩 模 板 的 基 底 反 射 ，在 CCD 上 与
小 孔 衍 射 形 成 的 理 想 球 面 波 作 为 参 考 波 前 ，剪 切 干 参 考 光 束（通 过 掩 模 面 的 小 孔 衍 射）干 涉 。 对 干 涉
涉仪中被测波前与自身的错位波前发生干涉 ［48］
。 条纹进行分析 ，获得波前 Z 2 ~Z 3 项 Zernike 系数。该
1）基于点衍射干涉仪的畸变检测方法 系统的畸变测量精度主要受限于针孔掩模标记位
美 国 SNL 等 机 构 于 2001 年 用 点 衍 射 干 涉 仪 对 置 的 标 定 误 差 及 干 涉 仪 测 量 的 重 复 性 ，整 体 精 度 优
EUV 光刻投影光学系统的畸变进行测量 ［16］
，其原理 于 20 nm。

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

用 物 面 光 栅 调 制 光 场 空 间 相 干 性 ，使 投 影 物 镜 的 光
瞳 被 均 匀 照 明 ；像 面 光 栅 作 为 分 光 元 件 使 各 衍 射 级
次 互 相 平 移 错 位 ，0 级 与 其 他 奇 数 级 次 衍 射 光 干 涉
后在 CCD 上形成干涉图像，其他衍射级次之间不发
生 干 涉 。 像 面 光 栅 安 装 在 位 移 台 上 ，通 过 移 动 像 面
光 栅 引 入 相 移 ，采 用 相 移 算 法 求 解 剪 切 方 向 正 交 的
两 组 干 涉 图 获 得 差 分 波 前 ，通 过 波 前 重 建 求 得 被 测
投 影 物 镜 的 波 像 差［51］，根 据 Z 2 ~Z 3 项 的 Zernike 系 数
求出畸变。
基 于 Z 2 ~Z 3 项 Zernike 系 数 计 算 成 像 位 置 偏 离
量 ( Δx i，Δy i ) 的 原 理 和 夏 克 - 哈 特 曼 传 感 器 不 同 ，可
图 18 SMEE 干涉仪的原理［45］
将基于剪切干涉的对准位置偏差表示为
Fig. 18 Principle of the SMEE interferometer[45]
a2 s
Δx = × P， （33）
λ
a3 s
Δy = × P， （34）
λ
式 中 ，P 为 棋 盘 光 栅 的 周 期 ，a2 、a3 分 别 为 Z 2 、Z 3 项
Zernike 系数，λ 为光源波长，s 为归一化剪切量。
基 于 ILIAS 干 涉 仪 的 原 理 ，ASML 在 2013 年
开 发 了 多 通 道 并 行 PARIS 传 感 器 ，用 于 掩 模 对 准
和 捕 捉 热 效 应 ，如 透 镜 加 热 和 掩 模 板 加 热［18 19］。
-

PARIS 配 备 了 高 速 干 涉 信 号 处 理 板 卡 ，能 并 行 测
图 19 点衍射干涉仪测量畸变的光路图 ［16］
量 7 个 视 场 点 ，测 量 网 格 的 示 意 图 如 图 21 所 示 。 为
Fig. 19 Optical path diagram of the point diffraction 了 支 持 PARIS 测 量 ，掩 模 台 基 准 版 和 芯 片 制 造 掩
interferometer for measuring distortion [16] 模 板 上 均 有 PARIS 测 试 标 记 ，芯 片 制 造 掩 模 板 上
2）基于剪切干涉仪的畸变检测方法 的 PARIS 测 试 标 记 如 图 22 所 示 。 由 于 PARIS 传
ASML 在 2003 年发布的 ILIAS™ ［17］
系统能在线 感 器 能 够 同 步 获 得 7 个 视 场 点 的 对 准 偏 移 量 ，从 而

高 精 度 、快 速 测 量 和 分 析 整 个 像 场 的 波 前 像 差［49］， 获 得 成 像 位 置 偏 移 量 ，光 刻 物 镜 视 场 为 26 mm×
5. 5 mm，7 个 通 道 在 长 边（26 mm）排 列 ，可 通 过 与
系统基于横向剪切干涉原理［50］，如图 20 所示。在被
曝光检测类似的算法从原理上消除工件台定位误
测 投 影 物 镜 的 物 面 和 像 面 分 别 放 置 一 维 Ronchi 光
栅 和 棋 盘 光 栅 ，用 非 相 干 光 源 均 匀 照 明 物 面 光 栅 ，

图 20 基于 Ronchi 剪切干涉的投影物镜波像差检测系统［51］
Fig. 20 Wave aberration detection system of projection 图 21 测量网格的示意图［19］
objective based on Ronchi shearing interference [51]
Fig. 21 Schematic diagram of the measurement grid [19]

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

差 的 影 响 。 相 比 点 衍 射 干 涉 仪 或 夏 克 -哈 特 曼 传 感 方法［53］，其原理如图 23 所示。在光刻投影物镜的物
面 和 像 面 各 有 一 块 刻 有 光 栅 的 石 英 掩 模 板 ，物 面 和
像面掩模板上的光栅结构类似。像面光栅标记下
方 有 图 像 传 感 器 接 收 莫 尔 条 纹 信 号 ，图 像 传 感 器 光
敏面与像面光栅面为共轭关系。

图 22 掩模板两端的 PARIS 掩模对准标记阵列（2×7）［52］

Fig. 22 Reticle alignment marks (2×7) on both ends of the
mask are used to align the reticle[52]

器 ，剪 切 干 涉 仪 不 需 要 采 用 小 孔 产 生 参 考 波 前 ，在
物 像 面 均 采 用 光 栅 作 为 检 测 标 记 ，能 更 好 地 利 用 光
图 23 基于莫尔条纹测量光刻机投影物镜畸变的原理［53］
刻 机 照 明 系 统 的 光 能 ，更 适 合 进 行 光 刻 机 原 位
Fig. 23 Principle of measuring distortion of the projection
检测。 objective of the lithography machine based on Moiré
3）基于莫尔条纹的畸变检测方法 fringe[53]
基于莫尔条纹原理也可实现对准偏移量的检
测 ［44］
，NIKON 公 司 在 1999 年 提 出 了 一 种 通 过 像 传 物面光栅标记被照明并成像至像面光栅标记，

感器测量光栅莫尔条纹测量光刻投影物镜畸变的 透过像面光栅的莫尔条纹信号可表示为

1 1 x + Δx 1 x 1 êé æ p 2 + p 1 ö÷ Δx úù 1 êéê æ p 2 - p 1 ö÷ Δx úù
I = + cos 2π + cos 2π + cos 2π êê ç x+ ú + cos 2π ê ç x+ ú，（35）
4 4 p1 4 p2 8 ëè p2 p1 ø p1 û 8 ëè p2 p1 ø p1 û

式 中 ，p1 为 物 面 光 栅 的 周 期 ，p2 为 像 面 光 栅 的 周 期 ， 方法依赖于曝光工艺和设备，检测流程复杂，检测速

且 p1 与 p2 接近或相等；x 为沿像面光栅间的距离，Δx 度较慢，且该方法的检测精度受工件台定位误差、套
为由畸变引起的像位置偏移量。图像传感器仅能 刻 测 量 精 度 和 光 刻 胶 工 艺 误 差 的 影 响 ，但 适 合 Fab
接 收 低 频 信 号 ，相 当 于 低 通 滤 波 器 ，则 图 像 传 感 器 厂。基于空间像测量的光刻投影物镜畸变检测方法
接收到的信号可表示为 不 需 要 曝 光 ，用 传 感 器 扫 描 的 方 法 测 量 标 记 的 空 间
1 1 éê æ p 2 - p 1 ö Δx ùú 像位置，具有稳定性高、成本低的优点［10 11］。相比基
-

I≈ + cos 2π êê ç ÷ x+ ú。 （36）
4 8 ëè p2 p1 ø p1 û 于 曝 光 的 畸 变 检 测 技 术 ，基 于 空 间 像 测 量 的 技 术 不

对 特 定 x 位 置 的 探 测 像 元 ，接 收 到 的 光 强 信 号 受 光 刻 胶 工 艺 误 差 的 影 响 ，但 检 测 精 度 主 要 受 工 件

与 对 准 偏 移 量 满 足 正 弦 函 数 关 系 ，因 此 可 通 过 相 移 台 定 位 误 差 的 影 响 ，可 通 过 差 分 测 量 等 方 法 提 高 检

技术实现对准偏移量的检测。数据处理方法与 测精度。基于波前测量的畸变检测技术使用针孔或

ILIAS 剪 切 干 涉 仪 类 似 ，但 对 于 高 数 值 孔 径 的 投 影 光 栅 作 为 掩 模 测 试 标 记 ，在 像 方 探 测 每 个 掩 模 标 记

物镜，ILIAS 剪切干涉仪的结构更简单。 经 投 影 物 镜 成 像 后 的 波 前 误 差 ，基 于 Z 2 ~Z 3 项

3. 5 三种畸变检测技术的对比 (
Zernike 系 数 ，求 解 实 际 像 点 位 置 x ri，y ri 并 拟 合 畸 )
三种畸变检测技术的测量精度、检测速度如表 2 变。ASML 采用多通道同时检测多个视场点标记的
所 示 。 可 以 发 现 ，在 光 刻 投 影 物 镜 畸 变 检 测 技 术 发 成 像 位 置 偏 移 量 大 大 加 快 了 畸 变 检 测 速 度 ，同 时 减
展过程中，畸变检测的流程越来越简单，检测精度和 小 了 工 件 台 定 位 误 差 对 检 测 精 度 的 影 响 ，且 该 技 术
速度逐渐提高。基于曝光的光刻投影物镜畸变检测 可在检测畸变的同时检测波像差。

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 综 述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

表2 三种畸变检测技术的对比结果
Table 2 Comparison results of three distortion detection technologies

Distortion measurement Measurement Measurement

Main source of error Ways to improve
technology accuracy speed
1）eliminate the influence of stage
1）stage positioning error；
positioning error through algorithm；
Exposure method medium low 2）overlay measurement
2）improve the accuracy of the
error
overlay measuring instrument
improve measurement accuracy
Aerial image measurement
high high stage positioning error through methods such as differential
method
measurement
Wavefront measurement multi-channel measurement
high medium stage positioning error
method technology

现场测量方法: CN101261451B[P]. 2011-06-29.

4 结 论 Li S X, Wang F. On-site measurement method of

分 析 了 曝 光 检 测 、空 间 像 检 测 、波 前 检 测 三 种 image quality of lithography and positioning accuracy

of worktable: CN101261451B[P]. 2011-06-29.
典 型 的 光 刻 投 影 物 镜 畸 变 检 测 方 法 ，其 核 心 都 是 在
[4] Hagiwara T, Kondo N, Takane E, et al. Aerial
投 影 物 镜 的 整 个 视 场 范 围 内 设 置 阵 列 测 量 标 记 ，对
image measurement method and unit, optical
测量标记经过投影物镜成像后的实际成像位置与
properties measurement method and unit, adjustment
理 想 成 像 位 置 的 偏 移 量 进 行 检 测 ，然 后 通 过 最 小 二
method of projection optical system, exposure method
乘 拟 合 求 出 投 影 物 镜 的 畸 变 ，且 三 种 方 法 的 畸 变 检 and apparatus, making method of exposure apparatus,
测精度均受工件台定位误差的影响。曝光法的原 and device manufacturing method: US20020041377
理简单，所需的仪器也是 Fab 厂的标准工艺设备，但 [P]. 2002-04-11.
检 测 流 程 复 杂 ；其 他 两 种 方 法 都 具 有 较 高 的 检 测 精 [5] van Haren R, Steinert S, Mouraille O, et al. The
度 ，但 空 间 像 检 测 法 的 检 测 速 度 更 快 ，且 波 前 检 测 impact of the reticle and wafer alignment mark

法可同时检测波像差。 placement accuracy on the intra-field mask-to-mask

受光刻特征尺寸减小、套刻精度和产率的提高、 overlay[J]. Proceedings of SPIE, 2019, 11178:

111780R.
投影物镜热像差硅片间反馈控制需求等因素的推
[6] Lazar B M. ASML alignment sequence generator[D].
动 ，光 刻 投 影 物 镜 的 畸 变 检 测 技 术 需 要 更 高 的 检 测
Netherlands: Eindhoven University of Technology,
精 度 、更 快 的 检 测 速 度 。 多 通 道 检 测 技 术 是 同 时 提
2012.
高畸变检测速度和精度的重要技术途径，一方面，可
[7] Sluijk B G, Castenmiller T, du Croo de Jongh R, et al.
通 过 同 时 检 测 多 个 视 场 点 的 成 像 位 置 偏 移 量 ，成 倍 Performance results of a new generation of 300-mm
缩短了测量时间；另一方面，可以从原理上消除工件 lithography systems[J]. Proceedings of SPIE, 2001,
台定位误差的影响，提高畸变检测精度。因此，多通 4346: 544-557.
道检测技术将是畸变检测的重要发展方向。 [8] van den Brink M A, Franken H, Wittekoek S, et al.
Automatic on-line wafer stepper calibration system
参 考 文 献
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