ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ PDF

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
Πάτρα 2013
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε.

Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ
Ενότητες του μαθήματος
• Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους,
που επιτυγχάνεται με ηλεκτρονικά κυκλώματα που ονομάζονται ενισχυτές.
• Η σχέση αναλογίας που υπάρχει στους ενισχυτές μεταξύ του σήματος εισόδου
και του σήματος εξόδου, τους χαρακτηρίζει ως αναλογικά κυκλώματα.
• Οι ενισχυτές αποτελούν και το βασικό αντικείμενο του μαθήματος.
• Οι ενότητες που θα μελετηθούν είναι οι παρακάτω:

1. Ανασκόπηση βασικών στοιχείων και απλές βαθμίδες ενισχυτών.
1η ενότητα:
2. Τα τρανζίστορ στις υψηλές συχνότητες.
ΑΝΑΣΚΟΠΗΣΗ ΒΑΣΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ
3. Απόκριση συχνότητας ενισχυτών.
ΑΠΛΕΣ ΒΑΘΜΙΔΕΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ
4. Ενισχυτές πολλών βαθμίδων.
5. Ανατροφοδότηση στους ενισχυτές.
6. Τελεστικός ενισχυτής.
7. Ενισχυτές ισχύος.
T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ – ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ – ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ
Περιεχόμενα 1ης ενότητας Ανασκόπηση: 1ος κανόνας Kirchhoff

• Ανασκόπηση βασικών στοιχείων ανάλυσης κυκλωμάτων: κανόνες
Kirchhoff, διαιρέτες και πραγματικές πηγές τάσης και ρεύματος, Το αλγεβρικό άθροισμα των N
μετασχηματισμοί Thevenin και Norton, ημιτονικά σήματα. ρευμάτων σε έναν κόμβο
ισούται με 0:
∑I i =0
• Ανασκόπηση λειτουργίας διπολικού τρανζίστορ. i =1
• Εισαγωγή στους ενισχυτές και στις απλές βαθμίδες ενισχυτών.

Στο αλγεβρικό άθροισμα των ρευμάτων ενός κόμβου, στα ρεύματα που
• Μελέτη απλών βαθμίδων ενισχυτών με διπολικό τρανζίστορ στο συνεχές εισέρχονται στον κόμβο θέτουμε θετικό πρόσημο, ενώ στα ρεύματα
(πόλωση). που εξέρχονται από τον κόμβο θέτουμε αρνητικό πρόσημο:
• Μελέτη απλών βαθμίδων ενισχυτών με διπολικό τρανζίστορ στο
εναλλασσόμενο.
• Εισαγωγή στην απόκριση συχνότητας ενισχυτών.
• Ανασκόπηση λειτουργίας τρανζίστορ MOSFET και μελέτη απλής βαθμίδας I1 − I 2 − I 3 − I 4 + I 5 = 0
ενισχυτή με MOSFET στο συνεχές (πόλωση).
• Μελέτη απλής βαθμίδας ενισχυτή MOSFET στο εναλλασσόμενο.
• Συμπεράσματα και ασκήσεις.
Ανασκόπηση: 2ος κανόνας Kirchhoff Ανασκόπηση: διαιρέτες τάσης και ρεύματος
Το αλγεβρικό άθροισμα των M ∆ιαιρέτης τάσης

τάσεων σε έναν βρόχο (δηλ. ∑V =0 i
V VR1 = I ⋅ R 1 =
R1
⋅V
κλειστό κύκλωμα) ισούται με 0: i =1
R1 + R 2
Όταν διατρέχουμε ένα βρόχο δεξιόστροφα, στις πηγές τάσης θέτουμε θετικό
V V
πρόσημο, εάν συναντάμε πρώτα τον θετικό ακροδέκτη (πόλο) τους και αρνητικό R2
πρόσημο εάν συναντάμε πρώτα τον αρνητικό ακροδέκτη (πόλο) τους. Στις VR 2 = I ⋅ R 2 = ⋅V
πτώσεις τάσης των αντιστάσεων θέτουμε θετικό πρόσημο, εάν η φορά που R1 + R 2
διατρέχουμε το βρόχο είναι ίδια με τη φορά του ρεύματος που διαρρέει τις
αντιστάσεις και αρνητικό πρόσημο εάν η φορά που διατρέχουμε το βρόχο είναι
αντίθετη με τη φορά του ρεύματος που διαρρέει τις αντιστάσεις. ∆ιαιρέτης ρεύματος
V R ολ ⋅ I R2
I1 = = = ⋅I
R1 R1 R1 + R 2
I ⋅ R 1 − E1 + I ⋅ R 2 + I ⋅ R 3 + E 3 + I ⋅ R 4 − E 2 = 0 V
V R ολ ⋅ I R1
I2 = = = ⋅I
R2 R2 R1 + R 2
Ανασκόπηση: πραγματικές πηγές ρεύματος και τάσης Ανασκόπηση: μετασχηματισμοί Thevenin και Norton
• Θεώρημα Thevenin: Κάθε γραμμικό κύκλωμα δύο ακροδεκτών μπορεί να αντικατασταθεί
με μία πηγή τάσης ίση με την τάση ανοιχτού κυκλώματος μεταξύ των ακροδεκτών, σε
σειρά με την αντίσταση R που φαίνεται από τους ακροδέκτες αυτούς.
VS • Θεώρημα Norton: Κάθε γραμμικό κύκλωμα δύο ακροδεκτών μπορεί να αντικατασταθεί
V με μία πηγή ρεύματος ίσου με το ρεύμα βραχυκυκλώματος μεταξύ των ακροδεκτών,
παράλληλα με την αντίσταση R που φαίνεται από τους ακροδέκτες αυτούς.
• Η αντίσταση R υπολογίζεται εάν θεωρήσουμε βραχυκυκλωμένες όλες τις πηγές τάσης
και ανοιχτές όλες τις πηγές ρεύματος.
R RS
V= ⋅ VS I= ⋅ IS R1R 2
RS + R RS + R R′ =
R1 + R 2
R2 V′
V′ = V R′
VS ⇔ V
I= S
RS
R1 + R 2 R′
Ανασκόπηση: ημιτονικά σήματα Ανασκόπηση: διαφορά φάσης ημιτονικών σημάτων
V1(ωt) = Vm1 sin(ωt) = Vm1 sin(2πf t)

V(ωt) V2(ωt) = Vm2 sin(ωt - φ) = Vm2 sin(2πf t - φ)
φ
Vm1
V1(ωt)
Vm2
V2(ωt)
φ 2π ωt
π
Προηγείται η κυματομορφή της V1 κατά φ
Ανασκόπηση: λειτουργία διπολικού τρανζίστορ (BJT) Ανασκόπηση: λειτουργία διπολικού τρανζίστορ (BJT)
• Με τον όρο πόλωση του τρανζίστορ αναφερόμαστε στη λειτουργία του στο Προσεγγιστική λειτουργία στο συνεχές
συνεχές ρεύμα και εννοούμε τον τρόπο με τον οποίο πολώνονται οι επαφές (ενεργός περιοχή)
που συνιστούν το τρανζίστορ.
• Το τρανζίστορ λειτουργεί ως ενισχυτική βαθμίδα όταν η επαφή βάσης-
εκπομπού πολώνεται ορθά και η επαφή βάσης-συλλέκτη πολώνεται
ανάστροφα (πόλωση στην ενεργό περιοχή). β >>1
• Τα ρεύματα φορέων μειονότητας (ηλεκτρονίων βάσης και οπών συλλέκτη)
έχουν μικρή συνεισφορά στο ρεύμα συλλέκτη, δηλ. το ρεύμα ανάστροφης
πόλωσης επαφής συλλέκτη ICBO μπορεί να θεωρηθεί αμελητέο.
• Το τρανζίστορ προσεγγιστικά λειτουργεί ως δρόμος ρεύματος από τον

συλλέκτη στον εκπομπό και το μέγεθος του ρεύματος αυτού ελέγχεται από
Πόλωση στην το ρεύμα βάσης που «σταματά» στη βάση (εάν θεωρήσουμε ότι β >> 1).
ενεργό περιοχή
• Το συνεχές δυναμικό βάσης είναι υψηλότερο από το δυναμικό εκπομπού
(τρανζίστορ npn)
(VBE ≅ 0,7 V για τρανζίστορ πυριτίου τύπου npn) και το συνεχές δυναμικό
συλλέκτη είναι υψηλότερο από το δυναμικό βάσης
• β: ενίσχυση (απολαβή) ρεύματος στο συνεχές (συνήθως από 50 έως 350).
Ανασκόπηση: τρόποι σύνδεσης διπολικού τρανζίστορ Ανασκόπηση: χαρακτηριστικές διπολικού τρανζίστορ
• Χαρακτηριστικές καμπύλες εισόδου και εξόδου διπολικού τρανζίστορ σε
σύνδεση κοινού εκπομπού:
Χαρακτηριστικές εισόδου Χαρακτηριστικές εξόδου
2V VCE Περιοχή κόρου

0V 5V
Ενεργός περιοχή
Σύνδεση κοινού εκπομπού
Περιοχή αποκοπής
Σύνδεση κοινού συλλέκτη
• Τα ρεύματα συλλέκτη και βάσης διαφέρουν περίπου κατά δύο τάξεις μεγέθους.
• Το τρανζίστορ λειτουργεί ως ενισχυτική βαθμίδα όταν πολώνεται στην ενεργό
περιοχή (όπου ισχύει προσεγγιστικά: IC = β ΙΒ), ενώ όταν λειτουργεί ως
Σύνδεση κοινής βάσης διακόπτης αλλάζει κατάσταση αγωγής μεταξύ των περιοχών κόρου & αποκοπής.
Εισαγωγή στους ενισχυτές Απλές βαθμίδες ενισχυτών

• Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους • Η ενίσχυση ενός σήματος επιτυγχάνεται μέσω ελεγχόμενων πηγών σήματος.
που επιτυγχάνεται με δίθυρα ηλεκτρονικά κυκλώματα μίας κατεύθυνσης (από • Οι ελεγχόμενες πηγές σήματος υλοποιούνται με τρανζίστορ, τα οποία
την είσοδο προς την έξοδο) που ονομάζονται ενισχυτές. αποτελούν και τη βάση για τη δημιουργία ενισχυτών.
• Σήματα από πηγές τάσης ή ρεύματος που εφαρμόζονται στην είσοδο ενός • Μία απλή βαθμίδα ενισχυτή (ενισχυτής μίας βαθμίδας) δημιουργείται από
ενισχυτή, αναπαράγονται ενισχυμένα στην έξοδό του. διακριτά στοιχεία, όπως ένα τρανζίστορ, αντιστάσεις και πυκνωτές.
• Ο λόγος του σήματος εξόδου προς το σήμα εισόδου καθορίζει το κέρδος (gain) • Οι ενισχυτές παρεμβάλλονται μεταξύ μιας πηγής σήματος (που μπορεί να είναι
ή αλλιώς την ενίσχυση (amplification) του ενισχυτή. μία πραγματική πηγή ή μία προηγούμενη ενισχυτική βαθμίδα) και ενός φορτίου
(που μπορεί να είναι και μία επόμενη ενισχυτική βαθμίδα).
• Επειδή τα σήματα μπορεί να είναι τάσεις ή ρεύματα, ο λόγος τους μπορεί να
εκφράζει ενίσχυση τάσης, ενίσχυση ρεύματος, διαγωγιμότητα ή διεμπέδηση. • Η πηγή σήματος οδηγεί την είσοδο του ενισχυτή με το σήμα εισόδου, το οποίο
αφού ενισχυθεί από τον ενισχυτή εφαρμόζεται ενισχυμένο στο φορτίο.
• Ένας ενισχυτής παρεμβάλλεται μεταξύ μίας πηγής σήματος και ενός φορτίου,
• Για την μελέτη ενός ενισχυτή, αρχικά προσδιορίζουμε τα μεγέθη (τάσεις,
ενεργεί δηλαδή ως βαθμίδα προσαρμογής του φορτίου προς την πηγή σήματος.
ρεύματα) που αφορούν τη λειτουργία του στο συνεχές ρεύμα (δηλ. μόνο με
• Η βασική συμπεριφορά των ενισχυτών προσδιορίζεται από την ενίσχυσή τους, την εφαρμογή συνεχούς τάσης τροφοδοσίας) με χρήση κανόνων Kirchhoff
την αντίσταση (ή εμπέδηση) εισόδου και την αντίσταση (ή εμπέδηση) εξόδου. και των σχέσεων που διέπουν τη λειτουργία του τρανζίστορ και στη συνέχεια
διενεργούμε ανάλυση λειτουργίας του ενισχυτή στο εναλλασσόμενο ρεύμα
• Η σχέση αναλογίας που υπάρχει στους ενισχυτές μεταξύ του σήματος εισόδου (δηλ. με ταυτόχρονη εφαρμογή εναλλασσόμενου σήματος στην είσοδό του
και του σήματος εξόδου, τους χαρακτηρίζει ως αναλογικά κυκλώματα. ενισχυτή).
Μελέτη ενισχυτών στο συνεχές (πόλωση) Σταθερή πόλωση
• Με τον όρο πόλωση ενός τρανζίστορ αναφερόμαστε στη λειτουργία του στο • Η ανάλυση ενός ενισχυτή για τον προσδιορισμό των ηλεκτρικών παραμέτρων
συνεχές και εννοούμε τον τρόπο με τον οποίο πολώνονται οι δύο επαφές του. του και του σημείου λειτουργίας βασίζεται στους κανόνες του Kirchhoff και στις
• Για να λειτουργήσει ένα διπολικό τρανζίστορ ως ενισχυτής θα πρέπει να σχέσεις που διέπουν την προσεγγιστική λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ.
πολωθεί στην ενεργό περιοχή. • Υπάρχουν αρκετές τοπολογίες κυκλωμάτων κατάλληλες για την πόλωση του
• Το ζεύγος τιμών (VCE, IC) που προκύπτει με την εν λόγω πόλωση, καθορίζει διπολικού τρανζίστορ τύπου npn στην ενεργό περιοχή.
στις χαρακτηριστικές εξόδου του τρανζίστορ ένα σημείο Q που αναφέρεται ως • Κύκλωμα σταθερής πόλωσης: χρησιμοποιεί μία πηγή συνεχούς τάσης VCC και
σημείο λειτουργίας ή σημείο ηρεμίας. δύο αντιστάσεις και το ρεύμα βάσης δεν εξαρτάται από το ρεύμα συλλέκτη.
Με 2ο κανόνα Kirchhoff:
Με τις σχέσεις αυτές

υπολογίζεται εύκολα το
σημείο λειτουργίας του
Ενεργός περιοχή τρανζίστορ (VCE, IC) εάν
είναι γνωστά η τάση
της πηγής συνεχούς και
οι αντιστάσεις ή
αντίστροφα
VBE ≈ 0.7 V για τρανζίστορ Si
Παράδειγμα 1ο: σταθερή πόλωση Πόλωση από το συλλέκτη

Εάν είναι επιθυμητό το σημείο λειτουργίας για κύκλωμα σταθερής πόλωσης
ενός διπολικού τρανζίστορ πυριτίου να είναι Q (VCE, IC) = Q (5V, 1mA) να Κύκλωμα με πόλωση από το συλλέκτη
υπολογιστούν οι αντιστάσεις RB και RC. ∆ίνονται VCC = 10V, β=100 και VBE = 0.7V.
VBE = 0.7V ⇒
επαφή βάσης-εκπομπού ορθά πολωμένη
VCE = VCB + VBE ⇒ VBC = VBE – VCE = − 4.3V ⇒

επαφή βάσης-συλλέκτη ανάστροφα πολωμένη
Πόλωση με διαιρέτη τάσης και αυτοπόλωση εκπομπού Παράδειγμα 2ο: πόλωση με διαιρέτη τάσης
Να προσδιοριστεί το σημείο λειτουργίας για κύκλωμα με διαιρέτη τάσης και
αυτοπόλωση εκπομπού, όταν δίνονται R1 = 85kΩ, R2 = 20kΩ, RC = 2kΩ,
RΕ = 0.5kΩ, β = 200, VCC = 10 V και VBE = 0.73V.
Κύκλωμα με διαιρέτη
τάσης και αυτοπόλωση ⇔
εκπομπού
Ισοδύναμο κύκλωμα κατά Thevenin
⇒ ⇒
⇒ Q (VCE, IC) = Q (5V, 2mA)
Πόλωση με συμμετρική πηγή τάσης Πόλωση με σταθερή πηγή ρεύματος

Κύκλωμα πόλωσης με Με 1ο κανόνα Kirchhoff:
Κύκλωμα πόλωσης με σταθερή πηγή ρεύματος
συμμετρική πηγή τάσης I B = IC β
β 1
I = IC + I B ⇒ IC = ⋅ Ι ⇒ IC = ⋅Ι
VCC β +1 1 + 1/ β
Εάν θεωρήσουμε ότι β >> 1 τότε IC = I.
IC RC Με 2ο κανόνα Kirchhoff:
VBE + (I C + I B )R E − VEE = 0
IB + − VCC + I C R C + VCB = 0 ⇒
vo
+
_
VCC + VEE = I C R C + VCE + ( I C + I B ) R E − VCC + I C R C − (VBE + VEC ) = 0 ⇒
vi
− VCC + I C R C − (VBE − VCE ) = 0 ⇒
_
IE RΕ
VCE = VCC − I C R C + VBE
Το κύκλωμα αυτό έχει το πλεονέκτημα ότι το ρεύμα Ι που

VΕΕ
παρέχεται στον εκπομπό του τρανζίστορ είναι σχεδόν ανεξάρτητο
από την τιμή της ενίσχυσης ρεύματος β του τρανζίστορ.
Πόλωση με σταθερή πηγή ρεύματος Παράδειγμα 3ο: πόλωση με σταθερή πηγή ρεύματος
Η πηγή σταθερού ρεύματος υλοποιείται Οι VBE των τρανζίστορ είναι ίσες και αφού τα Για την παρακάτω πηγή (καθρέπτη) ρεύματος που περιλαμβάνει δύο όμοια
με κύκλωμα καθρέπτη ρεύματος που τρανζίστορ είναι όμοια, τα ρεύματα βάσης και τρανζίστορ, να προσδιοριστεί η τιμή της αντίστασης R, ώστε το ρεύμα εξόδου της
αποτελείται από 2 διπολικά τρανζίστορ. συλλέκτη είναι επίσης ίσα. να είναι 1 mA. ∆ίνονται: β = 100, VCC = 15 V και VBE = 0.7 V. Να προσδιοριστεί
Σύνδεση με Ε επίσης η ποσοστιαία μεταβολή του ρεύματος εξόδου της πηγής όταν β = 200. Στη
του BJT που VBE1 = VBE2 = VBE , β1 = β2 = β συνέχεια να προσδιοριστεί το σημείο λειτουργίας ενός επίσης όμοιου τρανζίστορ με
επιθυμούμε ΙC1 = IC2 = IC , IB1 = IB2 = IB Rc = 10 kΩ, εάν για την πόλωσή του χρησιμοποιηθεί η παρακάτω πηγή ρεύματος.
να πολώσουμε
Με 2ο κανόνα VCC − VBE β

I B = IC β
Kirchhoff: VCC = VBE + I R R ⇒ I R = VCC IC + 2 ⋅ I B − I R = 0 ⇒ ⋅ ΙR ⇒

IC =
R β+2
IR β VCC − VBE β VCC − VBE
Με 1ο κανόνα Kirchhoff (κόμβος Β):
IC2 R IC = ⋅ ⇒R= ⋅ = 14 kΩ
β+2 R β+2 IC
I B =IC β
β B IC1
IC + 2 ⋅ I B − I R = 0 ⇒ IC = ⋅ ΙR ⇒ IB2 IB1
β+2 β VCC − VBE
β = 200 ⇒ I C = ⋅ = 1.0099 mA
β VCC − VBE β+2 R
Για μεγάλο β προκύπτει ότι το ρεύμα που IC = ⋅ ⇒
παρέχει η πηγή ρεύματος είναι σταθερό
β+2 R
(IC = ΙR). Για παράδειγμα, όταν β=100, το 1 V − VBE 1.0099 − 1
ρεύμα αυτό είναι κατά 2% μόνο μικρότερο IC = ⋅ CC Ποσοστιαία μεταβολή: ⋅ 100 = 0.99 %
από το σταθερό ρεύμα που διαρρέει την R.
1+ 2 /β R 1
Παράδειγμα 3ο: πόλωση με σταθερή πηγή ρεύματος Γραμμή φορτίου ενισχυτή στο συνεχές
I B = IC β
β 1
I = IC + I B ⇒ IC = ⋅Ι = ⋅Ι Κλίση = − 1 / Rc
β +1 1 + 1/ β
Σημείο λειτουργίας
I =1mA
⇒ I C = 0.99 mA Γραμμή φορτίου
στο συνεχές
Εάν θεωρήσουμε ότι β >> 1 τότε IC = I = 1 mA. Κύκλωμα

σταθερής
πόλωσης
VCE = VCC − I C R C + VBE ⇒
VCE = 5.8 V
2ος κανόνας Kirchhoff Εάν χαράξουμε στους ίδιους άξονες με τις χαρακτηριστικές εξόδου του
Q (VCE, IC) = Q (5.8 V, 1 mA) στο βρόχο εξόδου: τρανζίστορ, τη γραφική παράσταση της σχέσης που δίνει την εξάρτηση
του IC από την VCE, προκύπτει μία ευθεία γραμμή με κλίση (-1/RC) που
VCC = I C R C + VCE αναφέρεται ως γραμμή φορτίου (ή ευθεία φόρτου) στο συνεχές και
Οι τοπολογίες κυκλωμάτων πόλωσης που εξετάσαμε αφορούν διπολικό καθορίζει την ευθεία στην οποία κινείται το Q για διάφορες τιμές του
τρανζίστορ τύπου npn. Η πόλωση διπολικού τρανζίστορ τύπου pnp 1 V IB, το οποίο καθορίζεται από την RB (με δεδομένα VCC, RC)
IC = − VCE + CC
εξετάζονται στις ασκήσεις 2 και 5 της 1ης ενότητας. RC RC
I C = 0 ⇒ VCE = VCC , VCE = 0 ⇒ I C = VCC R C
Μελέτη ενισχυτών στο εναλλασσόμενο Ισοδύναμα μοντέλα διπολικού τρανζίστορ
• Με τον όρο λειτουργία ενισχυτών στο εναλλασσόμενο, εννοούμε ότι στην είσοδο • Για να μελετήσουμε τη λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ στο εναλλασσόμενο
του ενισχυτή εφαρμόζεται μικρό (ασθενές) ημιτονικό σήμα & διενεργείται ανάλυση χρησιμοποιούμε το h-υβριδικό ισοδύναμο μοντέλο που περιγράφει τη λειτουργία του
για να διαπιστωθεί πως το σήμα αυτό μεταφέρεται στην έξοδο του ενισχυτή. τρανζίστορ στην περιοχή των μεσαίων και χαμηλών συχνοτήτων.
• Για την ανάλυση της λειτουργίας των ενισχυτών στο εναλλασσόμενο, • Το μοντέλο είναι γραμμικό και συνίσταται από μία ελεγχόμενη πηγή ρεύματος και ένα
χρησιμοποιούμε την περιγραφή τους ως δίθυρα κυκλώματα. ωμικό στοιχείο και οι παράμετροί του δεν εξαρτώνται από τη συχνότητα λειτουργίας.
• Στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων υφίσταται επίδραση από τις εσωτερικές
χωρητικότητες των επαφών του τρανζίστορ και έτσι το γραμμικό μοντέλο δεν
προσεγγίζει με επαρκή ακρίβεια τη συμπεριφορά του τρανζίστορ.
• Το απλοποιημένο ισοδύναμο μοντέλο (κύκλωμα) του τρανζίστορ σε σύνδεση κοινού
εκπομπού περιγράφεται μέσω των h-παραμέτρων hie (ωμικό στοιχείο εισόδου) και hfe
(καθαρός αριθμός που δηλώνει την ενίσχυση ρεύματος του τρανζίστορ):
• Για παράδειγμα το διπολικό τρανζίστορ σε σύνδεση κοινού εκπομπού μπορεί να
αντιμετωπιστεί και να αναλυθεί ως δίθυρο κύκλωμα:
i b= =ic
= vbe vce =
Ισοδύναμα μοντέλα διπολικού τρανζίστορ Ισοδύναμα μοντέλα διπολικού τρανζίστορ

• Οι τιμές ηρεμίας ρευμάτων και τάσεων υπολογίζονται με τη μέθοδο της πόλωσης και Εκτός από το μοντέλο του διπολικού τρανζίστορ σε σύνδεση κοινού
δεν επηρεάζουν την ανάλυση λειτουργίας του ισοδύναμου κυκλώματος μικρού σήματος. εκπομπού, έχουν προσδιοριστεί και μοντέλα διπολικού τρανζίστορ για
• Το ισοδύναμο κύκλωμα μικρού σήματος χρησιμοποιείται μόνο για τον υπολογισμό των σύνδεση κοινής βάσης και σύνδεση κοινού συλλέκτη. Τα μοντέλα αυτά
μεταβολών των τάσεων και των ρευμάτων σε σχέση με το σημείο λειτουργίας (δηλ. με προκύπτουν με βάση το απλοποιημένο μοντέλο κοινού εκπομπού.
τα μεγέθη VCE, IC που υπολογίστηκαν από την ανάλυση λειτουργίας στο συνεχές), που
προκαλούνται από την εφαρμογή μικρού (ασθενούς) σήματος στην είσοδο του ενισχυτή.
• Κατά τη δημιουργία του ισοδύναμου κυκλώματος μικρού σήματος, οι πηγές σταθερής
τάσης και οι πυκνωτές αντιμετωπίζονται ως βραχυκυκλώματα, ενώ οι πηγές σταθερού
ρεύματος ως ανοιχτά κυκλώματα. Ισοδύναμο μοντέλο
κοινής βάσης
• Η ισοδυναμία των εξωτερικών πυκνωτών με βραχυκυκλώματα δεν είναι ακριβής στην
περιοχή των χαμηλών συχνοτήτων, αλλά είναι ακριβής στις μεσαίες συχνότητες.
• Αντικαθιστούμε το(α) τρανζίστορ με το ισοδύναμο κύκλωμά του(ς), διατηρώντας τους
ακροδέκτες Β, C, E και τα υπόλοιπα στοιχεία στις ίδιες θέσεις με το αρχικό κύκλωμα.
• Υπολογίζουμε τα ζητούμενα μεγέθη (τάσεις, ρεύματα κλπ.) με εφαρμογή των κανόνων
Ισοδύναμο μοντέλο
Kirchhoff στους κόμβους και τους βρόχους του γραμμικού κυκλώματος που προκύπτει.
κοινού συλλέκτη
• Συμβολισμοί τάσεων και ρευμάτων: με κεφαλαία γράμματα και δείκτες (π.χ. IB)
συμβολίζονται οι τιμές ηρεμίας, με μικρά γράμματα και δείκτες οι τιμές των μεταβολών
μικρού σήματος (π.χ. ib), ενώ με μικρά γράμματα και κεφαλαίους δείκτες οι ολικές
στιγμιαίες τιμές (π.χ. iB).
Απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινού εκπομπού Απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινού εκπομπού
• Ο ενισχυτής συνδέεται με πηγή τάσης
εσωτερικής αντίστασης Rs και φορτίο
RL και η λειτουργία του περιγράφεται
πλήρως όταν προσδιοριστούν η ενίσχυση i L = −i o
χωρίς φορτίο και οι αντιστάσεις εισόδου
και εξόδου.
• Έτσι, αποδεικνύεται η ισοδυναμία
του με ελεγχόμενη πηγή, αφού δεν είναι
δυνατή η ύπαρξη ενισχυτή χωρίς την Βασικά μεγέθη ενισχυτή
παρουσία ελεγχόμενης πηγής.
• Παρατηρείστε ότι στο ισοδύναμο Ενίσχυση τάσης: Ενίσχυση τάσης χωρίς φορτίο:
κύκλωμα δεν υπάρχουν ποσότητες
συνεχούς, δηλ. η τάση τροφοδοσίας
(Vcc) έχει αντικατασταθεί από
βραχυκύκλωμα, αφού ο ακροδέκτης Ενίσχυση ρεύματος: Ενίσχυση ρεύματος χωρίς φορτίο:
του κυκλώματος που συνδέεται σε s s
ii
αυτή έχει πάντα σταθερή τάση.
Ενίσχυση ισχύος: Αντίσταση εισόδου: Αντίσταση εξόδου:
• Με άλλα λόγια κάθε ακροδέκτης του
κυκλώματος που συνδέεται σε σταθερή
πηγή θεωρείται γείωση όσον αφορά τη s s
λειτουργία μικρού σήματος.
Απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινού εκπομπού Ενισχυτής κοινού εκπομπού ως ελεγχόμενη πηγή
vo RL
Ri A vi = = A vo
vi Ro + RL
vo vo vi
A vs = = ⋅ =
⇒ vs vi vs
• Μετά τον προσδιορισμό των ενισχύσεων τάσης και ρεύματος Ri
χωρίς φορτίο και των αντιστάσεων εισόδου και εξόδου, ο A vi =
s
ενισχυτής μπορεί να θεωρηθεί ως ελεγχόμενη πηγή (τάσης Ri + Rs
⇒
ή ρεύματος) με γνωστές όλες τις παραμέτρους της.

RL Ri
• Η θεώρηση αυτή είναι χρήσιμη για τη μελέτη ενισχυτών με A vo ⋅
⇒ περισσότερες βαθμίδες. Ro + R L Ri + Rs
s
Παράδειγμα 4ο: ενισχυτής κοινού εκπομπού Παράδειγμα 4ο: ενισχυτής κοινού εκπομπού
∆ίνεται ο ενισχυτής του σχήματος με ημιτονική τάση εισόδου πλάτους 10 mV και συχνότητας
20 kHz. Για το διπολικό τρανζίστορ δίνονται hfe = 250 και hie = 4 kΩ και θεωρούμε ότι ο
ενισχυτής λειτουργεί στην περιοχή μεσαίων συχνοτήτων (επομένως οι πυκνωτές ισοδυναμούν
με βραχυκυκλώματα). Ζητείται να προσδιοριστεί το σήμα (τάση) εξόδου σε σχέση με το σήμα
που εφαρμόζεται στην είσοδο και να χαραχθούν οι δύο κυματομορφές.
R B = R 1 // R 2 = 20 kΩ
R ′L = R L // R C = 0,19 kΩ
Παράδειγμα 4ο: ενισχυτής κοινού εκπομπού Απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινής βάσης
• Το μείον που προκύπτει στην ενίσχυση σημαίνει
διαφορά φάσης 180ο, μεταξύ του σήματος εισόδου
και του σήματος εξόδου.
• Στην χάραξη των κυματομορφών είναι εμφανής η
ενίσχυση του σήματος εισόδου κατά 9 φορές περίπου,
(1 + h fe )
καθώς επίσης και η διαφορά φάσης των 180ο. ie = vi
h ie
Απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινής βάσης Παράδειγμα 5ο: ενισχυτής κοινής βάσης
∆ίνεται ο ενισχυτής του σχήματος με ημιτονική τάση εισόδου πλάτους 10 mV και συχνότητας
20 KHz. Για το διπολικό τρανζίστορ δίνονται hfe = 545 και hie = 11,9 kΩ και θεωρούμε ότι ο
ενισχυτής λειτουργεί στην περιοχή μεσαίων συχνοτήτων. Ζητείται να προσδιοριστεί το σήμα
εξόδου σε σχέση με το σήμα που εφαρμόζεται στην είσοδο (δηλ. ζητείται η ενίσχυση Αvs).
i L = −i o
s s
Παράδειγμα 5ο: ενισχυτής κοινής βάσης Απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινού συλλέκτη
• Η απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινού συλλέκτη περιλαμβάνει ένα διπολικό τρανζίστορ
R ′L = R C // R L = 800 Ω
σε σύνδεση κοινού συλλέκτη και αναφέρεται ως ακολουθητής ή ακόλουθος
h ie εκπομπού.
ie vi
1 + hfe
v o = i e R ′L = R ′L = 36.7 ⋅ v i • Τα κύρια χαρακτηριστικά του ενισχυτή αυτού είναι η μεγάλη αντίσταση εισόδου,
h ie
η μικρή αντίσταση εξόδου και η περίπου μοναδιαία ενίσχυση τάσης, που τον
1 + h fe καθιστά εύχρηστο ως απομονωτή τάσης (buffer).
h ie
Ri = // R E ⇒ R i = 21.3 Ω
1 + h fe Επομένως, η τάση εξόδου
παρουσιάζεται κατά 25 φορές
ενισχυμένη σε σχέση με την
Ri 21.3
vi = vs = v s ⇒ v i = 0.68 ⋅ v s εφαρμοζόμενη τάση εισόδου
Rs + Ri 10 + 21.3 και χωρίς διαφορά φάσης.
vo v
v o = 36.7 ⋅ v i ⇒ v o = 36.7 ⋅ 0.68 ⋅ v s ⇒ = 24.95 ⇒ A vs = o = 24.95
vs vs
Απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινού συλλέκτη Παράδειγμα 6ο: ενισχυτής κοινού συλλέκτη
∆ίνεται ο ενισχυτής του σχήματος με ιδανική πηγή ημιτονικής τάσης πλάτους 10 mV
και συχνότητας 20 kHz. Για το διπολικό τρανζίστορ δίνονται hfe = 545 και hie = 9.2
kΩ και θεωρούμε ότι ο ενισχυτής λειτουργεί στην περιοχή μεσαίων συχνοτήτων.
Ζητείται να προσδιοριστούν τα μεγέθη Avs και Avo καθώς επίσης και να χαραχθούν οι
κυματομορφές της τάσης εισόδου και της τάσης εξόδου σε κοινούς άξονες.
Η παρουσία της vo στο

κύκλωμα εισόδου, που
σημαίνει επίδραση της εξόδου
επί της εισόδου (δηλ.
ανατροφοδότηση), επιδρά έτσι
ώστε η ενίσχυση τάσης να
(1 + h fe )R E είναι περίπου μοναδιαία.
A vo = A vi R L =∞ = ≈1
h ie + (1 + h fe )R E
Παράδειγμα 6ο: ενισχυτής κοινού συλλέκτη Παράδειγμα 6ο: ενισχυτής κοινού συλλέκτη
vs
vo
vo (1 + h fe ) R ′L
A vs = = = 0.74
v s h ie + (1 + h fe ) R ′L
0.98 Η τάση εξόδου παρουσιάζεται εξασθενημένη σε σχέση με την

s εφαρμοζόμενη τάση εισόδου και χωρίς διαφορά φάσης.
Χαρακτηριστικά μεγέθη ενισχυτών απλής βαθμίδας Χαρακτηριστικά μεγέθη ενισχυτών απλής βαθμίδας
• Απλή βαθμίδα ενισχυτή ΚΕ:
• Όταν ένας ενισχυτής παρεμβάλλεται μεταξύ μιας πηγής και ενός φορτίου ή
9 Μεγάλη ενίσχυση τάσης και ρεύματος, όταν παρεμβάλλεται μεταξύ δύο άλλων βαθμίδων, η αντίσταση εισόδου έχει
οπότε και μεγάλη ενίσχυση ισχύος ΚΕ το ρόλο αντίστασης φορτίου για τη βαθμίδα που προηγείται και η αντίσταση
9 Μεγάλες αντιστάσεις εισόδου & εξόδου εξόδου έχει το ρόλο αντίστασης πηγής για τη βαθμίδα που ακολουθεί.
• Απλή βαθμίδα ενισχυτή ΚΒ:

• Μερικές φορές σχηματίζεται η εντύπωση ότι οι παράγοντες ενίσχυσης έχουν
9 Μεγάλη ενίσχυση τάσης τον κυρίαρχο ρόλο σε έναν ενισχυτή.
9 Μοναδιαία ενίσχυση ρεύματος
9 Πολύ μικρή αντίσταση εισόδου ΚΒ
• Ωστόσο, οι αντιστάσεις εισόδου και εξόδου (όπως είδαμε κατά τον καθορισμό
9 Μεγάλη αντίσταση εξόδου των ενισχύσεων στις τρεις συνδέσεις ενισχυτών απλής βαθμίδας) συχνά
επηρεάζουν την ενίσχυση και γενικότερα τη λειτουργία ενός ενισχυτή.
• Απλή βαθμίδα ενισχυτή ΚΣ:
9 Μοναδιαία ενίσχυση τάσης • Για παράδειγμα εάν σε μία εφαρμογή επιδιώκουμε την απομόνωση μεταξύ δύο
9 Μεγάλη ενίσχυση ρεύματος βαθμίδων με παρεμβολή ενισχυτή απομόνωσης (buffer) ώστε να μην υπάρχει
ΚΣ
9 Πολύ μεγάλη αντίσταση εισόδου επίδραση της μίας βαθμίδας επί της άλλης, τότε ο ρόλος των αντιστάσεων
εισόδου και εξόδου είναι καθοριστικός.
9 Πολύ μικρή αντίσταση εξόδου
Ενισχυτές απομόνωσης Γραμμή φορτίου ενισχυτή στο εναλλασσόμενο

• Η συμπεριφορά των ενισχυτών απομόνωσης προσεγγίζεται από έναν ενισχυτή • Η γραμμή φορτίου (ή ευθεία φόρτου) στο συνεχές είναι η γραφική παράσταση
κοινού συλλέκτη, ο οποίος παρουσιάζει περίπου μοναδιαία ενίσχυση τάσης, με του 2ου κανόνα Kirchhoff στο βρόχο εξόδου του κυκλώματος στο συνεχές.
αποτέλεσμα η συνάρτηση μεταφοράς του συνολικού κυκλώματος να ισούται με
το γινόμενο των συναρτήσεων μεταφοράς των επιμέρους κυκλωμάτων. • Η γραμμή φορτίου (ή ευθεία φόρτου) στο εναλλασσόμενο προκύπτει με όμοιο
τρόπο από τον βρόχο εξόδου του ισοδύναμου κυκλώματος μικρού σήματος.
• Υπενθυμίζεται ότι με κεφαλαία γράμματα και δείκτες (π.χ. IC) συμβολίζονται οι
v1 v2 v3 v4
Av1 Av = 1 Av2 τιμές ηρεμίας, με μικρά γράμματα και δείκτες οι τιμές των μεταβολών μικρού
σήματος (π.χ. ic), ενώ με μικρά γράμματα και κεφαλαίους δείκτες οι ολικές
Ενισχυτής στιγμιαίες τιμές (π.χ. iC).
απομόνωσης
Ισοδύναμο κύκλωμα ενισχυτή κοινού εκπομπού

v 4 v 4 v3 v 2
= ⋅ ⋅ = A v 2 ⋅ A v ⋅ A v1 = A v1 ⋅ A v 2
v1 v 3 v 2 v1 v o = v ce = −i c R ′L ⇒
ic
• Λόγω της μεγάλης αντίστασης εισόδου, ο ενισχυτής απομόνωσης δεν «φορτώνει» v CE − VCE = −(i C − I C ) R ′L ⇒
την προηγούμενη βαθμίδα, αφού «τραβάει» πολύ λίγο ρεύμα εισόδου και επίσης η
τάση εξόδου του ενισχυτή απομόνωσης δεν επηρεάζεται από το φορτίο που θα του 1 V
συνδεθεί (δηλ. από την επόμενη βαθμίδα) λόγω της πολύ μικρής αντίστασης iC = − v CE + CE + I C
R ′L R ′L
εξόδου του.
Γραμμή φορτίου ενισχυτή στο εναλλασσόμενο Γραμμή φορτίου ενισχυτή στο εναλλασσόμενο
Οι 2 γραμμές φορτίου
Γραμμή φορτίου στο εναλλασσόμενο που
καθορίζει τη δυναμική συμπεριφορά ενισχυτή συναντώνται στο Q
του τρανζίστορ και
Η γραμμή φορτίου στο Γραμμή φορτίου στο συνεχές καθορίζουν τη
εναλλασσόμενο έχει κλίση που εκφράζει τις μόνιμες
διαδρομή της vο
(-1/R'L) και διέρχεται από μετακινήσεις του Q
IC
το σημείο λειτουργίας (Q):
Η μέγιστη διαδρομή
της vο καθορίζεται
από το όριο α (Vsat)
1 V και το όριο β (τέρμα
iC = − v CE + CE + I C γραμμής φορτίου στο
′
RL R ′L Μικρό
I C ⋅ R 'L
εναλλασσόμενο).
εναλλασσόμενο Vsat VCE Πέρα από αυτά τα
ρεύμα βάσης 5 όρια εμφανίζεται
i C = 0 ⇒ v CE = VCE + I C R ′L (μΑ) προκαλεί ψαλιδισμός της vo
μεγάλο ρεύμα
VCE συλλέκτη (mA)
vo Για συμμετρική
v CE = 0 ⇒ i C = I C + VΟ I C ⋅ R ′L λειτουργία της vo και
R ′L το οποίο με τη
σειρά του αξιοποίηση όλης της
δημιουργεί την περιοχής, θα πρέπει
α β
τάση εξόδου το Q να τίθεται στη
μέση των ορίων
Παράδειγμα 7ο: γραμμές φορτίου (dc, ac) Παράδειγμα 7ο: γραμμές φορτίου (dc, ac)
Για τον ενισχυτή του σχήματος να προσδιοριστούν το σημείο λειτουργίας, οι γραμμές
2ος κανόνας Kirchhoff για το βρόχο εξόδου
φορτίου στο συνεχές και στο εναλλασσόμενο και να καθοριστούν τα όρια της μέγιστης
του ενισχυτή στο συνεχές:
διαδρομής της τάσης εξόδου. ∆ίνονται: β = 200, VCC = 10 V, VBE = 0,73V, Vsat = 300 mV.
Γραμμή
φορτίου στο
συνεχές
Στο εναλλασσόμενο η RE
είναι βραχυκυκλωμένη,
λόγω της παρουσίας του
πυκνωτή στα άκρα της
2ος κανόνας Kirchhoff για το βρόχο εξόδου του ενισχυτή στο εναλλασσόμενο:
⇒
1 V Γραμμή φορτίου
iC = − v CE + CE + I C
⇒ Q (VCE, IC) = Q (5V, 2mA) v CE − VCE = −(i C − I C ) R C RC RC στο εναλλασσόμενο
Παράδειγμα 7ο: γραμμές φορτίου (dc, ac) Παράδειγμα 8ο: μελέτη ενισχυτή (dc, ac)
Για τον ενισχυτή κοινού εκπομπού του σχήματος να προσδιοριστούν το σημείο
λειτουργίας, οι ενισχύσεις τάσης, τις γραμμές φορτίου στο συνεχές και στο
εναλλασσόμενο, η κυματομορφή του σήματος εξόδου και το άνω όριο του πλάτους
σήματος εξόδου χωρίς ψαλιδισμό. ∆ίνονται: β = 100, VBE = 0,775V, hfe = 100 και
Το κάτω όριο της μέγιστης
Γραμμή φορτίου στο hie = 2,5 kΩ και τάση εισόδου πλάτους 30 mV και συχνότητας 20 KHz.
εναλλασσόμενο διαδρομής της vο είναι η
Vsat = 300mV και το άνω Λειτουργία στο συνεχές:
όριο υπολογίζεται ως εξής: k
Q
1 V
I C ⋅ R 'L = I C ⋅ R C = 2mA ⋅ 2kΩ = 4V Γραμμή φορτίου
στο συνεχές
iC = − v CE + CE + I C
RC RC
i C = 0 ⇒ v CE = VCE + I C R C =
IC R C = 5V + 4V = 9V
Παράδειγμα 8ο: μελέτη ενισχυτή (dc, ac) Παράδειγμα 8ο: μελέτη ενισχυτή (dc, ac)
Λειτουργία στο εναλλασσόμενο:
Γραμμή φορτίου
0.676
R i = R B // h ie = 2,09 kΩ στο συνεχές Γραμμή φορτίου στο
εναλλασσόμενο Μέγιστο πλάτος
vo 811 μΑ τάσης εισόδου:
2,5 ΚΩ Ro = = R C = 4 kΩ 8.11 μΑ
30mV x 0.676 = 20.28 mV
io vs =0, R L =0
Μέγιστο πλάτος
R ′L = R C // R L = 0,8 kΩ ρεύματος βάσης:
20.28mV / 2.5kΩ
VCE + I C ⋅ R 'L = = 8.11μΑ
5.35 V + 0.824 V
= 6.174 V
Μέγιστο πλάτος
ρεύματος συλλέκτη:
100 x 8.11μΑ = 811μΑ
vceo = 649 mV -
+ VCE + I C ⋅ R 'L = Μέγιστο πλάτος

VCE + vceo = 5.35 V + 649 mV = 5.999V
5.35 V + 0.824 V τάσης εξόδου:
δεν υφίσταται ψαλιδισμός
αφού 5.999 V < 6.174 V = 6.174 V 811μΑ x 0.8kΩ = 649mV
και διαφορά φάσης 180ο
Εισαγωγή στην απόκριση συχνότητας ενισχυτών Εισαγωγή στην απόκριση συχνότητας ενισχυτών
• Οι ενισχύσεις που υπολογίσαμε ήταν σταθερές, κάτι που όμως δε συμβαίνει
στην πράξη όπου οι ενισχύσεις μεταβάλλονται ανάλογα με τη συχνότητα του • Η τιμή του μέτρου ενίσχυσης που υπολογίσαμε μέχρι τώρα ισχύει μόνο
εφαρμοζόμενου σήματος εισόδου. στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων, όπου ο ενισχυτής παρουσιάζει
• Η καμπύλη του μέτρου της ενίσχυσης συναρτήσει της συχνότητας ωμική συμπεριφορά.
αναφέρεται ως απόκριση συχνότητας μέτρου ενός ενισχυτή.
• Το υβριδικό μοντέλο του τρανζίστορ περιγράφει τη λειτουργία του
τρανζίστορ μόνο στην περιοχή των χαμηλών και μεσαίων συχνοτήτων.
• Η απόκλιση που εμφανίζεται στην περιοχή των χαμηλών συχνοτήτων

οφείλεται στο ότι για τον προσδιορισμό του ισοδύναμου κυκλώματος του
ενισχυτή θεωρήσαμε τους εξωτερικούς πυκνωτές ως βραχυκυκλώματα,
κάτι που δεν είναι ακριβές στην περιοχή αυτή.
• Η συμπεριφορά του ενισχυτή στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων

οφείλεται στις εσωτερικές χωρητικότητες των επαφών του τρανζίστορ,
οι οποίες περιορίζουν την ενίσχυση στις υψηλές συχνότητες.
Ανασκόπηση: λειτουργία τρανζίστορ MOSFET Ανασκόπηση: χαρακτηριστικές εξόδου MOSFET

• Στο τρανζίστορ nMOS όταν η τάση
πύλης-πηγής υπερβαίνει την τάση Πηγή Πύλη Απαγωγός
ID
κατωφλίου (VT), δημιουργείται
αγώγιμο κανάλι τύπου n (ρεύμα
ηλεκτρονίων).
• Αντίστοιχα, στο pMOS δημιουργείται
ρεύμα οπών.
VGS > VT, VDS < VGS – VT VGS - VT VDS
• Τα MOSFET αναφέρονται ως
μονοπολικά τρανζίστορ αφού το
Πόλωση στην ωμική περιοχή
ρεύμα που δημιουργείται συνίσταται
από ένα είδος φορέων.
• VGS > VT, VDS < VGS – VT: ομοιόμορφο ID
κανάλι και το ρεύμα απαγωγού (ID)

μεταβάλλεται γραμμικά σε σχέση με
την VDS (ωμική περιοχή). Στην περιοχή κόρου (που αντιστοιχεί στην ενεργό περιοχή του διπολικού
• VGS > VT, VDS ≥ VGS – VT: το κανάλι τρανζίστορ), όσο αυξάνεται η VDS, προκαλεί μία μικρή γραμμική αύξηση στο ID λόγω
στενεύει στην περιοχή του απαγωγού VGS > VT, VDS ≥ VGS – VT VGS - VT VDS του ότι μειώνεται το ενεργό μήκος του καναλιού (διαμόρφωση μήκους καναλιού).
και το ID παραμένει σχεδόν σταθερό
σε σε σχέση με την VDS (περιοχή Η εξάρτηση αυτή λαμβάνεται υπόψη όταν επιθυμούμε να περιγράψουμε με
Πόλωση στην περιοχή κόρου
κόρου). αυξημένη ακρίβεια τη λειτουργία του τρανζίστορ στην περιοχή κόρου.
Λειτουργία ενισχυτή MOSFET στο συνεχές (πόλωση) Παράδειγμα 9ο: πόλωση τρανζίστορ MOSFET
Για τον ενισχυτή κοινής πηγής του σχήματος να
προσδιοριστεί ο λόγος W/L των διαστάσεων του
τρανζίστορ, όταν το ρεύμα ηρεμίας (ΙD) είναι 0.5 mA.
I D = 0 , VGS ≤ VT I G = 0, ∀ VGS , VDS ∆ίνονται: VT = 0.75 V, Kp = 50 μΑ/V2, λ = 0.2.
Εφόσον πρόκειται για ενισχυτή, το τρανζίστορ
είναι πολωμένο στην περιοχή του κόρου
Kp ⋅ W ⎡ D
(VGS − VT ) − VDS ⎤⎥ VDS , VGS > VT , VDS < VGS − VT
(VGS > VT, και VDS ≥ VGS – VT) , οπότε:
ID = ⎢ Ωμική περιοχή
L ⎣ 2 ⎦ G
Kp ⋅ W
Περιοχή κόρου: S ID = (VGS − VT )2 ⋅ (1 + λVDS )
Kp ⋅ W 2⋅L
ID = (VGS − VT )2 ⋅ (1 + λVDS ) , VGS > VT , VDS ≥ VGS − VT λειτουργία
2⋅L ενισχυτή R2
VGS = VG − VS = VDD − I D R 3 =
R1 + R 2
Κp: παράμετρος διαγωγιμότητας του τρανζίστορ, = 4 − 0.5 = 3.5 V
W: πλάτος καναλιού, L: μήκος καναλιού,
β = Kp W / L (παράγοντας κέρδους), VDS = VD − VS = (VDD − I D R D ) − I D R 3 =
W
λ: παράμετρος διαμόρφωσης μήκους καναλιού = 2.42 = (10 − 5) − 0.5 = 4.5 V
L
Σημείο ηρεμίας (Q): ID = 0.5 mΑ, VDS = 4.5 V
Λειτουργία ενισχυτή MOSFET στο εναλλασσόμενο Απλή βαθμίδα ενισχυτή κοινής πηγής
Ισοδύναμο D
κύκλωμα
τρανζίστορ
σε σύνδεση
κοινής πηγής
Το MOSFET σε σύνδεση κοινής πηγής αντιμετωπίζεται στο εναλλασσόμενο ως s

δίθυρο κύκλωμα (πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση), περιγράφεται με τη
βοήθεια των παραμέτρων y (διαγωγιμότητα gm και ισοδύναμη αντίσταση εξόδου ro),
οι οποίες καθορίζουν και το αντίστοιχο ισοδύναμο κύκλωμα.
s
2I D
gm = = 2 β (1 + λVDS ) Ι D ≈ 2 β Ι D
VGS − VT
1 β λ ID Θεωρήθηκε αμελητέα η διαμόρφωση

= (VGS − VT ) λ =
2
≈ λ ID μήκους καναλιού (λ), επομένως δε λήφθηκε
ro 2 1 + λVDS
υπόψη η ro (=∞) του MOSFET
Παράδειγμα 10ο: ενισχυτής κοινής πηγής Παράδειγμα 10ο: ενισχυτής κοινής πηγής
∆ίνεται ο ενισχυτής κοινής πηγής του σχήματος με ημιτονική τάση εισόδου πλάτους
10 mV και συχνότητας 20 KHz. Για το MOSFET δίνονται Kp = 50 μΑ/V2, λ = 0, ρεύμα D
= 5 kΩ
ηρεμίας (ΙD) 0.42 mA. θεωρούμε ότι ο ενισχυτής λειτουργεί στην περιοχή των μεσαίων
συχνοτήτων. Ζητείται να προσδιοριστούν τα μεγέθη: Avi, Αvs, Ri, Ro, και να χαραχθούν οι RB = R1 // R2 = 0.75 MΩ
κυματομορφές του σήματος πηγής εισόδου και του σήματος εξόδου.
g m ≈ 2 β Ι D = 648 μS
v o = − g m v i R ′L
vo vo vi RB
Α vs = = = Α vi = −3.23
= −3.24 vs vi vs R B + RS
vo
vs
• Το μείον που προκύπτει στην ενίσχυση σημαίνει διαφορά φάσης 180ο, μεταξύ του σήματος
εισόδου και του σήματος εξόδου.
• Στην χάραξη των κυματομορφών είναι εμφανής η ενίσχυση του σήματος εισόδου που
προέκυψε από τους παραπάνω υπολογισμούς, καθώς επίσης και η διαφορά φάσης των 180ο.
Παράδειγμα 10ο: ενισχυτής κοινής πηγής Συμπεράσματα

• Ενισχυτής είναι ένα δίθυρο κύκλωμα με έλεγχο της εξόδου από την είσοδο.
v o = − 3.23 v s
• Ένας ενισχυτής παρεμβάλλεται μεταξύ μίας πηγής σήματος και ενός φορτίου.
• Η πηγή σήματος οδηγεί την είσοδο του ενισχυτή με εναλλασσόμενο σήμα, το
οποίο αφού ενισχυθεί από τον ενισχυτή, εφαρμόζεται στο φορτίο.
• Η δημιουργία ενός ενισχυτή είναι εφικτή όταν έχουμε στη διάθεσή μας ένα
ηλεκτρονικό στοιχείο του οποίου η ηλεκτρική συμπεριφορά είναι συμπεριφορά
ελεγχόμενης πηγής τάσης ή ρεύματος.
• Τέτοια στοιχεία παρέχουν τη δυνατότητα ενίσχυσης ισχύος σήματος και για το
λόγο αυτό αναφέρονται ως ενεργά στοιχεία ή βαθμίδες σε αντιπαράθεση με τα
παθητικά ηλεκτρικά στοιχεία (αντιστάσεις, πυκνωτές, πηνία).
• Το διπολικό τρανζίστορ συμπεριφέρεται ως ελεγχόμενη πηγή ρεύματος, όπου το
ρεύμα βάσης προκαλεί και ελέγχει το ρεύμα συλλέκτη, συγκριτικά με το οποίο
είναι πολύ μικρότερο.
• Η ροή ρεύματος στο τρανζίστορ επιτυγχάνεται μέσω πηγής συνεχούς τάσης
(τροφοδοσία), ενώ οι αντιστάσεις του ενισχυτή καθορίζουν τις τιμές ρευμάτων
και τάσεων συνεχούς (πόλωση) και την επιθυμητή ενίσχυση.
Συμπεράσματα Συμπεράσματα
• Το διπολικό τρανζίστορ, όταν το σημείο λειτουργίας του βρίσκεται στην ενεργό
περιοχή των χαρακτηριστικών του, μπορεί να λειτουργήσει ως ενισχυτής με
τρεις τρόπους σύνδεσης (κοινού εκπομπού, κοινής βάσης και κοινού συλλέκτη). • Ιδιαίτερη σημασία στους ενισχυτές, έχει το γεγονός ότι μπορούν να
προκαλέσουν ταυτόχρονη ενίσχυση εναλλασσόμενης τάσης και ρεύματος
• Η σύνδεση κοινού εκπομπού είναι η μόνη που παρέχει ταυτόχρονα ενίσχυση στην έξοδο.
ρεύματος και τάσης.
• Μονομερής ενίσχυση τάσης θα μπορούσε να επιτευχθεί και με έναν
• Ο προσδιορισμός του σημείου λειτουργίας γίνεται με χρήση των απλών
μετασχηματιστή.
γραμμικών κανόνων Kirchhoff, θεωρώντας το τρανζίστορ ως γραμμικό στοιχείο.
• Η μελέτη ενισχυτών στο εναλλασσόμενο γίνεται με χρήση ισοδύναμων • Η ταυτόχρονη ενίσχυση τάσης και ρεύματος που επιτυγχάνουν οι ενισχυτές
μοντέλων μικρού σήματος των ενεργών βαθμίδων. συνεπάγεται αύξηση της στάθμης ισχύος στην έξοδο.
• Όπως τα ενεργά στοιχεία έτσι και ο ενισχυτής μπορεί να αντικατασταθεί από
ισοδύναμο κύκλωμα (στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων) εάν είναι γνωστά • Η ενίσχυση ισχύος του σήματος στην έξοδο ενός ενισχυτή γίνεται εις βάρος
τα χαρακτηριστικά μεγέθη του, όπως η ενίσχυση τάσης ή ρεύματος και οι της πηγής τροφοδοσίας συνεχούς, η οποία παρέχει την κύρια ροή ρεύματος
αντιστάσεις εισόδου και εξόδου του ενισχυτή. στον ενισχυτή, αφού η μεταβολή του ρεύματος αυτού δημιουργεί το σήμα
εξόδου.
• Στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων, τα χαρακτηριστικά μεγέθη
παραμένουν σταθερά και δεν εξαρτώνται από τη συχνότητα.
Άσκηση 1η
Για τον ενισχυτή του σχήματος επιθυμούμε να προσδιορίσουμε το σημείο
λειτουργίας Q του διπολικού τρανζίστορ, όταν δίνονται β = 200, VCC = 10V
και VBE = 0.7V. Να χαραχθεί η γραμμή φορτίου για το συνεχές και να
σημειωθεί σε αυτή το σημείο λειτουργίας Q.
VCC Εφαρμόζουμε το 2ο κανόνα Kirchhoff στους δύο

+ βρόχους του κυκλώματος και χρησιμοποιούμε τη
σχέση ρεύματος συλλέκτη και βάσης
RC 2Κ
RB
Ασκήσεις 1ης ενότητας

v out
200Κ IC
+
IB
vi
_
Q (3.8V, 3.08mA)
Άσκηση 1η Άσκηση 1η
1
Για να χαράξουμε την γραμμή φορτίου εφαρμόζουμε τον 2ο κανόνα VCC −
Kirchhoff στο βρόχο εξόδου του ενισχυτή: RC
R RC +
RC + C β
β
ΙC
VCC = (I C + I B ) R C + VCE = (I C + ) R + VCE ⇒
β C
1 VCC
IC = − VCE +
R R
RC + C RC + C
β β
Για τον ενισχυτή του σχήματος επιθυμούμε να προσδιορίσουμε το σημείο Για τον ενισχυτή του σχήματος Στον ενισχυτή που δίνεται έχουμε κύκλωμα
λειτουργίας Q του διπολικού τρανζίστορ, όταν δίνονται β = 200 και VBE= - 0.7V. να προσδιοριστούν οι τιμές των πόλωσης με διαιρέτη τάσης και αυτοπόλωση
αντιστάσεων R1 και RC ώστε το εκπομπού, οπότε αρχικά εξάγουμε το ισοδύναμο
• Ο ενισχυτής περιλαμβάνει τρανζίστορ pnp και όχι npn και η σημείο λειτουργίας του τρανζίστορ κύκλωμα του ενισχυτή κατά Thevenin:
VCC = −10V τάση πόλωσης (VCC) είναι αρνητική.
να είναι Q(4V, 2mA). ∆ίνονται:
RC • Η τοπολογία του κυκλώματος πόλωσης είναι όμοια με εκείνη β = 200 και VBE = 0.7 V. VCC
4K IC του τρανζίστορ npn με τη διαφορά ότι η τάση τροφοδοσίας
RB
1,86M v out είναι αρνητική. VCC = 10V IC
+
pnp • Αντιμετωπίζουμε το pnp τρανζίστορ αρχικά όπως ένα npn
+
τρανζίστορ, δηλ. εφαρμόζουμε το 2ο κανόνα Kirchhoff v out
IB
R1
RC IC
vi θεωρώντας θετική την τάση τροφοδοσίας καθώς και τις
υπόλοιπες συνεχείς τάσεις αλλά και ρεύματα. v out IB
- VB
• Στο τέλος θέτουμε αντίθετο πρόσημο στα συνεχή ρεύματα
και στις συνεχείς τάσεις που προκύπτουν. +
IB
VCC = I B R B + VBE ⇒ I B = 5 μΑ I B = −5 μΑ vi
R2 RΕ
I C = β I B = 1 mA I C = −1 mA Q (-6V, -1mA) 15K 1K
R2 R 1R 2
VCC = I C R C + VCE ⇒ VCE = 6 V VCE = −6 V VB = VCC RB =
R1 + R 2 R1 + R 2
Για τον ενισχυτή του σχήματος επιθυμούμε να προσδιορίσουμε το σημείο
λειτουργίας Q του διπολικού τρανζίστορ, όταν δίνονται β = 200 και VBE= 0.7V.
VCC
IC VCC
IB = = 10μA Εφαρμόζουμε το 2ο κανόνα Kirchhoff
IC β
σε δύο βρόχους του κυκλώματος και
v out
R2 R C = 2K
χρησιμοποιούμε τη σχέση ρεύματος
IC
VB = VCC βάσης και συλλέκτη:
R1 + R 2 R 1 = 50.35 kΩ
VB
IB
IB + VBE + (I C + I B )R E − VEE = 0 ⇒
VB ≈ I B R B + VBE + I C R E vo
+
_ VBE + (I C + I C / β)R E − VEE = 0
vi
R 1R 2
RB = _ ⇒ I C = 0.93 mA
R1 + R 2 IE R Ε = 4.6 K
Θεωρήσαμε κατά προσέγγιση ότι
στον εκπομπό του τρανζίστορ VCC + VEE = I C R C + VCE + ( I C + I B ) R E ⇒
ρέει το ρεύμα του συλλέκτη, δηλ.
ότι: ΙC + (1/β) IC = IC (β >> 1). VCC ≈ I C R C + VCE + I C R E ⇒ R C = 2 kΩ VΕΕ VCC + VEE = I C R C + VCE + ( I C + I C / β) R E ⇒
VCE = 3.8 V
Το τρανζίστορ έχει πολωθεί
με συμμετρική πηγές. Q (3.8V, 0.93mA)
Για τον ενισχυτή του σχήματος επιθυμούμε να προσδιορίσουμε τα σημεία λειτουργίας VCC = 10V VCC = I B1R B + VBE1 ⇒ I B1 = 5 μA
των τρανζίστορ, όταν δίνονται για κάθε τρανζίστορ: β = 200 και ⎜VBE⎜= 0.7 V.
Υποθέστε ότι β>>1. RE 1.5K I C1 = β ⋅ I B1 ⇒ I C1 = 1 mA
4K I B2 VCC = ( I C1 + I B2 ) R C1 + VCE1 ≈ I C1R C1 + VCE1
1.86M
VCC = 10V
• Ο ενισχυτής αποτελεί περίπτωση πόλωσης ⇒ VCE1 = 6 V
I C1
τρανζίστορ npn και pnp στο ίδιο κύκλωμα v out
RE 1.5K I B1 VCC ≈ − I C 2 R E + VEB2 + VCE1 ⇒ I C 2 = −2.2 mA
με κοινή (θετική) τάση τροφοδοσίας. I C2
1.86M
4K VCC ≈ − I C 2 ( R C 2 + R E ) + VEC 2 ⇒ VCE 2 = −2.3 V
2K
• Λόγω της θετικής τάσης τροφοδοσίας,
I C1 η τοπολογία πόλωσης του pnp τρανζίστορ
v out
IB
παρουσιάζεται ανεστραμμένη, με στόχο Q1 (6V, 1mA)
I C2 να διατηρηθούν η επαφή βάσης-εκπομπού Θεωρήσαμε κατά προσέγγιση ότι στον εκπομπό
2K Q2 (−2.3V, −2.2mA)
ορθά πολωμένη και η επαφή βάσης- κάθε τρανζίστορ ρέει το ρεύμα του συλλέκτη,
συλλέκτη ανάστροφα πολωμένη. δηλ. ότι: ΙC + (1/β) IC = IC (β >> 1).
Όπως αναμενόταν, οι τιμές ηρεμίας (ρεύμα συλλέκτη και τάση συλλέκτη-

εκπομπού) του διπολικού τρανζίστορ τύπου npn, προκύπτουν αρνητικές.
Στο παρακάτω σχήμα δίνεται το ισοδύναμο κύκλωμα ενός ενισχυτή, όπου Ri
είναι η αντίσταση εισόδου, Ro η αντίσταση εξόδου και Αio η ενίσχυση ρεύματος
του ενισχυτή. Προσδιορίστε τα παραπάνω στοιχεία για κάθε έναν από τους
ενισχυτές που επίσης δίνονται στο παρακάτω σχήμα χρησιμοποιώντας τα
ισοδύναμα μοντέλα των διπολικών τρανζίστορ και συγκρίνετε τα αποτελέσματα.
Σύνδεση
Ri = hie Ro = RC Aio = − hfe
CE (ΚΕ)
Σύνδεση h ie
CB (ΚΒ) Ri = Ro = RC Aio = 1
1 + h fe
Σύγκριση αποτελεσμάτων
Σύνδεση CC (ΚΣ)
v 2 = (1 + hfe ) i b R E
v i h iei b + v 2 h iei b + (1 + h fe )i b R E • Οι συνδέσεις CE και CC παρουσιάζουν μεγάλη αντίσταση εισόδου (της τάξης KΩ για τη
Ri = = = σύνδεση CE και μερικών δεκάδων KΩ για τη σύνδεση CC, αφού η αντίσταση εισόδου του
ib ib ib τρανζίστορ hie είναι συνήθως της τάξης του ΚΩ), ενώ η σύνδεση CB παρουσιάζει πολύ μικρή
⇒ R i = h ie + (1 + h fe ) R E αντίσταση εισόδου (μερικά Ω, αφού η αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ hie είναι συνήθως
της τάξης του ΚΩ, αλλά η ενίσχυση ρεύματος του τρανζίστορ hfe λαμβάνει συνήθως τιμές
v2 v2 v2 μεγαλύτερες του 100).
Υπάρχει ανατροφοδότηση Ro = = =
ie
v i =0
v2 v2 v • Οι συνδέσεις CE και CΒ παρουσιάζουν μεγάλη αντίσταση εξόδου (της τάξης KΩ αφού η
της εξόδου (v2) στην είσοδο + (1 + h fe ) i b + (1 + h fe ) 2 αντίσταση συλλέκτη είναι συνήθως της τάξης του ΚΩ), ενώ η σύνδεση CC παρουσιάζει πολύ
που επηρεάζει τις αντιστάσεις RE RE h ie μικρή αντίσταση εξόδου (μερικά Ω).
εισόδου και εξόδου. 1
⇒ Ro = = // hie ≈ hie • Οι συνδέσεις CE και CC παρουσιάζουν μεγάλη ενίσχυση ρεύματος (αφού η ενίσχυση
1 (1 + hfe ) R Ε (1 + hfe ) (1 + hfe ) ρεύματος του τρανζίστορ hfe λαμβάνει συνήθως τιμές μεγαλύτερες του 100), ενώ η σύνδεση
Aio = 1 + h fe + CB δεν παρουσιάζει ενίσχυση ρεύματος.
RE h ie
Για τον ενισχυτή του σχήματος να προσδιοριστεί η ενίσχυση τάσης Α vs στην
περιοχή μεσαίων συχνοτήτων όπου οι πυκνωτές C1 και C2 λειτουργούν ως
βραχυκυκλώματα. ∆ίνονται: hfe =150 και hie = 1,5 kΩ.
RC
R 'L = R L // R C = 1.66 kΩ
R B h ie RL
h fe i b
(R B // h ie )
vi = ⋅ v s = 0.333 ⋅ v s
(R B // h ie ) + R s
249 ⋅103 ⋅ vi 249 ⋅103 ⋅ 0.333 ⋅ v s

v o = −h fe i b R 'L = −249 ⋅103 ⋅ i b = − = −
Ισοδύναμο κύκλωμα
1.5 ⋅103 1.5 ⋅103
του ενισχυτή
R B h ie RC RL
στο εναλλασσόμενο vo
h fe i b
A vs = = −55,3
vs
Για τον ενισχυτή του σχήματος να προσδιοριστεί η ενίσχυση ρεύματος Α iLστην
περιοχή μεσαίων συχνοτήτων του ενισχυτή όπου οι πυκνωτές C1 , C2 και CE Rs Υπολογίζουμε το ρεύμα
λειτουργούν ως βραχυκυκλώματα. ∆ίνονται: hfe = 200 και hie = 2.72 kΩ. +
vo του φορτίου μέσω των
ib
VCC = 10V is iL δύο διαιρετών ρεύματος
+ vs
R B h ie RC RL που προκύπτουν στην
R1 RC h fe i b έξοδο και στην είσοδο
2K C2
40K v out _ του ισοδύναμου
R s = 2K C1 1u iL κυκλώματος.
1u
is R L = 2K
vs
R2 RΕ CE
15K 1K
10u
s
Rs
+
vo Ισοδύναμο κύκλωμα iL RC RB
ib
iL
του ενισχυτή A iL = = −h fe ⋅ ⋅ = − 80
vs
is
RC στο εναλλασσόμενο is R C + R L R B + h ie
R B h ie RL
h fe i b
R B = R 1 // R 2 = 10.9 kΩ
_
Για τον ενισχυτή του σχήματος που συνίσταται από δύο όμοιες βαθμίδες, να
προσδιοριστεί η ενίσχυση τάσης Avs στην περιοχή μεσαίων συχνοτήτων όπου όλοι
οι πυκνωτές λειτουργούν ως βραχυκυκλώματα. ∆ίνονται: hfe = 200, hie = 2.72 kΩ. i b2
R B h ie RC R B h ie RC RL
VCC = 10V h fe i b h fe i b 2
+
R3
R1 RC 40K R C 2
40K 2K C2 2K C2 v out
R s = 2K C1 1u 1u
(R B // h ie )
1u R 'L = R L // R C = 1 kΩ vi = ⋅ v s = 0.52 ⋅ v s
vs R4
R L = 2K (R B // h ie ) + R s
R2
15K
RΕ CE 15K R E 2 CE R B = R 1 // R 2 = R 3 // R 4 = 10.9 kΩ
1K 1K
10u 10u
R Α = R C // R B = 1.69 kΩ vi 0.52 ⋅ v s
ib = = = 0.191 ⋅10 −3 ⋅ v s
h ie 2.72 ⋅10 3
RΑ Η τάση εξόδου είναι

Ισοδύναμο κύκλωμα
i b2
ib2 = − ⋅ h fei b = −76.64 ⋅ i b = −14.64 ⋅10 −3 ⋅ v s συμφασική με την τάση
R B h ie RC R B h ie RC RL
του ενισχυτή R Α + h ie εισόδου, αφού ο ενισχυτής
h fe i b h fe i b 2 στο εναλλασσόμενο αποτελείται από δύο
v o = − h fei b 2 R 'L = −200 ⋅10 3 i b 2 = 2928 ⋅ v s ⇒ A vs = 2928 συζευγμένες βαθμίδες
κοινού εκπομπού

Για τον ενισχυτή κοινής βάσης του σχήματος προσδιορίστε για την περιοχή μεσαίων
συχνοτήτων: ενισχύσεις τάσης Αvi και Αvs, ενίσχυση ρεύματος Ais, ενίσχυση ισχύος
Αp, αντιστάσεις εισόδου και εξόδου, ισοδύναμο μοντέλο του ενισχυτή ως ac L
ελεγχόμενη πηγή τάσης με γνωστές παραμέτρους. ∆ίνονται: hfe = 100, hie = 1 kΩ. ⇔ i
O ενισχυτής αυτός, στο εναλλασσόμενο

αντιστοιχεί στο παρακάτω κύκλωμα.
Κάθε ακροδέκτης που συνδέεται σε
Κατά την ανάλυση αγνοούμε την RE διότι RE >> hie/(1+hfe). Εάν δεν αγνοηθεί η αντίσταση
σταθερή πηγή θεωρείται γείωση όσον
αφορά τη λειτουργία μικρού σήματος. εκπομπού, η ανάλυση γίνεται με παρόμοιο τρόπο.
Επίσης, οι πυκνωτές θεωρούνται ως
βραχυκυκλώματα. Συνεπώς, οι αντιστάσεις R ′L = R C // R L = 2.4 kΩ v o = ie .R ′L
L R1, R2 είναι βραχυκυκλωμένες και δε
λαμβάνονται υπόψη στο εναλλασσόμενο. vi v (1 + h fe)R ′L vi
vo = R ′L ⇒ Αvi = ο = = 242.4 ie =
h ie vi h ie hie
1 + h fe 1 + hfe
vο vο vi A vi ⋅ vi
= ⋅ = = A vi ⋅ hie
(1 + hfe ) = 40
Avs =
vs vi vs vs [hie (1 + hfe )] + R s
Στον ενισχυτή του σχήματος, τα δύο τρανζίστορ είναι όμοια. Προσδιορίστε το ρεύμα βάσης
Rc iL R c = 0.4 και συλλέκτη, καθώς και την τάση συλλέκτη-εκπομπού των δύο τρανζίστορ. Για την περιοχή
iL = ie Ais = =
L Rc + RL is R c + R L μεσαίων συχνοτήτων προσδιορίστε την ενίσχυση τάσης Αvi, την ενίσχυση τάσης Αvs και τις
αντιστάσεις εισόδου και εξόδου. ∆ίνονται: β = hfe = 100, hie = 1 kΩ, VBE = 0.5 V, β >>1.
i
h ie
R i = R E // ≈ h ie = 10 Ω VC = I1R1 + VBE1 + I C1R E ⇒
1 + h fe 1 + h fe
VC = I1R1 + VBE1 + β I1R E ⇒
⇒ I1 = I B1 = 10 μA
PL v o . i L R o = R C = 4 kΩ
Ap = = = A vi . ΑiL = 97
Pi vi . is IC1 = β ⋅ I B1 = 1mA = −I E 2 = I C 2
Για τον προσδιορισμό του ισοδύναμου μοντέλου του ενισχυτή ως ελεγχόμενη πηγή με
γνωστές τις παραμέτρους της, χρειαζόμαστε τα μεγέθη Ri, Ro και την ενίσχυση Αvο. ΙC2
Ι 2 = ΙΒ2 = = 10 μA = I1
β
h fe R C
A vo = A vi R =− = 404 VC = I 2 R 2 + VBE 2 + VCE1 + I C1R E ⇒ VCE1 = 3V
L =∞
h ie
VC = I C 2 R C + VCE 2 + VCE1 + I C1R E ⇒ VCE 2 = 3.5V

Τ1: σύνδεση κοινού εκπομπού, Τ2: σύνδεση κοινής βάσης Στον ενισχυτή του σχήματος, τα τρανζίστορ είναι ίδια. Προσδιορίστε την ενίσχυση ρεύματος
AiLκαι τις αντιστάσεις εισόδου και εξόδου. Επίσης, προσδιορίστε το ισοδύναμο μοντέλο του
ενισχυτή ως ελεγχόμενη πηγή ρεύματος με γνωστές παραμέτρους. Θεωρείστε ότι ο ενισχυτής
λειτουργεί στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων. ∆ίνονται: hfe = 100, hie = 1 kΩ.
R i = R 1 // h ie ≈ h ie = 1 kΩ
R o = R C = 1.5 kΩ
vi vo R C h fe
v o = R C ie = − R C hfe ib = − R C hfe A vi = =− = −150
h ie vi h ie
L
( R 1 // h ie ) Ri
vi = ⋅ vs = ⋅ v s ⇒ v i = 0.5 ⋅ v s
( R 1 // h ie ) + R s Ri + Rs M
v ο = v ο ⋅ vi = A ⋅ 0.5 = − 75
Avs = vi
vs vi vs
vi vi vi
iL Ri = = = = 9.8 Ω
ii v v v v v
i
+ 2 i + h fei b i
+ 2 i + h fe i
R1 h ie R1 h ie h ie
vo
Ro = = R C = 10 kΩ A io = A iL R ≈ A iL = − 0.98
L =0
io is =0, R L = ∞
ii − i1 ii − ( v i / R 1 )
ii = i1 + 2 i b + h fei b ⇒ i b = = ⇒
2 + h fe 2 + h fe
ii − (i b h ie / R 1 ) R1
ib = ⇒ ib = ii
2 + h fe R 1 ( 2 + h fe ) + h ie 9.8
-0.98 ii
i R C h fe R1
RC A iL = L = − ⋅ ⇒
iL = − h fei b ii ( R C + R L ) R 1 ( 2 + h fe ) + h ie
RC + RL
A iL = − 0.98

Στον ενισχυτή κοινής πηγής του σχήματος να προσδιορίσετε το σημείο ηρεμίας Q
(VDS, ID) του MOSFET. Για τη συγκεκριμένη κατάσταση λειτουργίας του MOSFET
να προσδιορίσετε επίσης τη διαγωγιμότητά του (gm) και την ισοδύναμη αντίσταση
εξόδου του (ro). Για το MOSFET δίνονται: VGS = 3.5 V, VT = 0.75 V και λ = 0.02. ∆ιαγωγιμότητα του MOSFET
Εφόσον πρόκειται για ενισχυτή, το 2I D
τρανζίστορ είναι πολωμένο στην περιοχή VDS = 4.5 V gm = ⇒ g m = 363 μS
του κόρου (VGS > VT, και VDS ≥ VGS – VT).
VGS − VT
VGS = 3.5 V
R2 I D = 0.5 mA
VGS = VDD − I D R 3 ⇒ Ισοδύναμη αντίσταση εξόδου του MOSFET
R1 + R 2 VT = 0.75 V
1 ⎛ R2 ⎞ λ = 0.02 1 λ ID
ID = ⎜⎜ VDD − VGS ⎟⎟ ⇒ I D = 0.5 mA = ⇒ ro = 109 kΩ
R 3 ⎝ R1 + R 2 ⎠ ro 1 + λVDS
VDS = VDD − I D R D − I D R 3 ⇒ VDS = 4.5 V
Σημείο ηρεμίας: Q (4.5 V, 0.5 mA)

Για τον ενισχυτή κοινής πηγής του σχήματος, να προσδιοριστούν: η πόλωση του
τρανζίστορ (σημείο ηρεμίας) και η ενίσχυση τάσης για την περιοχή των μεσαίων
συχνοτήτων όπου οι εξωτερικοί πυκνωτές λειτουργούν ως βραχυκυκλώματα. Για το
MOSFET δίνονται: VGS = 1 V, gm = 2.4⋅10-4 S και ro = 1 MΩ. Ισοδύναμο κύκλωμα του ενισχυτή
στο εναλλασσόμενο:
Το MOSFET έχει πολωθεί με G D

R 1 ⋅ ro
συμμετρική πηγή συνεχούς τάσης. R ′L = R 1 // ro = = 0.09 MΩ
R 1 + ro
vo
VGS + I D R 3 − V2 = 0 ⇒ I D = 26 μΑ
vo
A vs = = − g m R ′L ⇒ A vs = −21.6
V1 + V2 = I D R 1 + VDS + I D R 3 ⇒ VDS = 3.5 V vs
S
Σημείο ηρεμίας: Q (3.5 V, 26 μA)
Περιεχόμενα 2ης ενότητας
• Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε με τη λειτουργία των τρανζίστορ, που

αποτελούν τις ενεργές βαθμίδες των ενισχυτών, στις υψηλές συχνότητες.
• π-ισοδύναμο μοντέλο του διπολικού τρανζίστορ που περιγράφει ικανοποιητικά

τη λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ και στην περιοχή των υψηλών
συχνοτήτων.
• Τροποποιημένο κατά Miller π-ισοδύναμο μοντέλο διπολικού τρανζίστορ.

ενότητα 2η
• π-ισοδύναμο μοντέλο του διπολικού τρανζίστορ στις χαμηλές συχνότητες.
ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ
• Ενίσχυση ρεύματος διπολικού τρανζίστορ στις υψηλές συχνότητες.
• Ισοδύναμο μοντέλο του MOSFET στις υψηλές συχνότητες.
Εισαγωγή: τρανζίστορ και υψηλές συχνότητες π-ισοδύναμο μοντέλο διπολικού τρανζίστορ
• Στην προηγούμενη ενότητα μελετήσαμε τη συμπεριφορά των ενισχυτών στην

περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων.
• Για το σκοπό αυτό δημιουργήσαμε για το διπολικό τρανζίστορ, το υβριδικό h-

ισοδύναμο μοντέλο, τα στοιχεία του οποίου έχουν συμπεριφορά ανεξάρτητη
από τη συχνότητα.
• Η απόκριση συχνότητας των ενισχυτών με βάση το υβριδικό h-ισοδύναμο

μοντέλο προκύπτει σταθερή, ενώ στην πράξη παρατηρείται μείωση της • Cπ = CBE, χωρητικότητα ορθά πολωμένης επαφής βάσης-εκπομπού και χωρητ/τα φόρτισης
ενίσχυσης στις υψηλές συχνότητες. βάσης που οφείλεται στη μεταβολή που υφίστανται οι φορείς πλειονότητας του εκπομπού
στην περιοχή της βάσης. Εξαρτάται από IC, VBE.
• Επομένως, το υβριδικό h-ισοδύναμο μοντέλο αποτυγχάνει να περιγράψει τη • Cμ χωρητικότητα ανάστροφα πολωμένης επαφής βάσης-συλλέκτη (εξαρτάται από την VBC).
συμπεριφορά του διπολικού τρανζίστορ στις υψηλές συχνότητες, λόγω της
αγνόησης της χωρητικής συμπεριφοράς των επαφών του τρανζίστορ. • Επίσης, οι παραπάνω χωρητικότητες εξαρτώνται και από τη χωρητικότητα και το δυναμικό
των επαφών με μηδενική πόλωση.
• Ένα νέο μοντέλο (π-ισοδύναμο) του διπολικού τρανζίστορ χρησιμοποιείται για • rb’c: αντίσταση ανάστροφα πολωμένης επαφής βάσης-συλλέκτη.
την περιγραφή της συμπεριφοράς του στοιχείου στις υψηλές συχνότητες, το
• rx: αντίσταση της περιοχής βάσης, ro: αντίσταση εξόδου της βαθμίδας.
οποίο διατηρεί την συμπεριφορά ελεγχόμενης πηγής ρεύματος, αλλά λαμβάνει
υπόψη και τα χωρητικά παρασιτικά στοιχεία του τρανζίστορ. • gm: διαγωγιμότητα του τρανζίστορ.
• rπ: αντίσταση της ορθά πολωμένης επαφής βάσης-εκπομπού.
π-ισοδύναμο μοντέλο διπολικού τρανζίστορ Τροποποιημένο κατά Miller π-ισοδύναμο μοντέλο
Η r′bc είναι πολύ

μεγάλη και θεωρούμε
ότι λαμβάνει άπειρη
τιμή, με αποτέλεσμα
να απλοποιείται το
π-ισοδύναμο μοντέλο.
Με βάση το θεώρημα τάσεων

του Miller, η χωρητικότητα Cμ
VT: θερμική τάση χωρίζεται σε δύο χωρητικότητες
συνδεδεμένες παράλληλα στην
(26 mV στους 300ο Κ)
είσοδο και στην έξοδο:
VAF: τάση Early
Τροποποιημένο κατά Miller π-ισοδύναμο μοντέλο π-ισοδύναμο στις χαμηλές και μεσαίες συχνότητες
Στις χαμηλές και μεσαίες

συχνότητες, η επίδραση των
ib ic εσωτερικών παρασιτικών
v1 v2 χωρητικοτήτων είναι αμελητέα,
οπότε μπορούμε να τις αγνοήσουμε
και να καταλήξουμε στο γραμμικό
ισοδύναμο κύκλωμα του τρανζίστορ.
(1)
R’L: ισοδύναμη αντίσταση φορτίου που «βλέπει» ο συλλέκτης (R’L = RL // ro) ic = g m ⋅ v b 'e ≈ g m ⋅ v1 ≈ g m ⋅ rπ ⋅ i b (2)
i c = h fe ⋅ i b (3)
Απλοποιημένο γραμμικό
υβριδικό h-ισοδύναμο (1), (2), (3) ⇒
ή gm⋅v1
που χρησιμοποιήθηκε
στην 1η ενότητα h fe = g m ⋅ rπ = g m ⋅ h ie
Ενίσχυση ρεύματος στις υψηλές συχνότητες Ενίσχυση ρεύματος στις υψηλές συχνότητες
• Η ενίσχυση ρεύματος ενός στοιχείου περιορίζεται στις υψηλές συχνότητες v b 'e v b ' e rπ
λόγω της δράσης των παρασιτικών χωρητικοτήτων. ii = i rπ + iCeq = + ⇒ v b 'e = ii
rπ ZCeq 1 + jωrπ (C π + Cμ )
Ανώτερη
• Η ενίσχυση ρεύματος δίνεται από το λόγο του ρεύματος συλλέκτη (με συχνότητα
βραχυκυκλωμένο το συλλέκτη) προς το ρεύμα βάσης. αποκοπής
• Σύνθετη αντίσταση που εισάγεται λόγω των παρασιτικών χωρητικοτήτων και
χρησιμοποιείται κατά την ανάλυση του κυκλώματος: Στις υψηλές συχνότητες (ω >> ωβ) όπου ο φανταστικός όρος του παρανομαστή
είναι πολύ μεγαλύτερος του 1, το 1 του παρανομαστή εξαλείφεται.
1 j
ZCeq = =− βο βο gm Συχνότητα
j ω Ceq ω Ceq = 1 ⇒ ω = βο ⋅ ωβ = = = ωΤ μοναδιαίας
j ( ω ωβ ) rπ (Cπ + Cμ ) Cπ + Cμ ενίσχυσης
Ενίσχυση ρεύματος στις υψηλές συχνότητες Παράδειγμα 1ο: π-ισοδύναμο μοντέλο
Για τον ενισχυτή του σχήματος προσδιορίστε τα στοιχεία του απλοποιημένου
βo
β( jω) = π-ισοδύναμου μοντέλου του τρανζίστορ (gm, Cπ, Cμ) και τη συχνότητα μοναδιαίας
2
⎛ω⎞ ενίσχυσης. ∆ίνονται: θερμική τάση 26mV, χωρητικότητα ορθά πολωμένης επαφής
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
2
βάσης-εκπομπού (Cj) 50pF, χωρητικότητα φόρτισης βάσης (Cb) 11pF, χωρητικότητα
⎝ ωβ ⎠ ανάστροφα πολωμένης επαφής βάσης-συλλέκτη 3.75pF, hfe = β = 178, VBE = 0.665V.
Μέτρο ενίσχυσης
ρεύματος σε dB:
20 ⋅ log β( jω)
ω = 0 ⇒ β( jω) = βo
⇒ 20⋅ logβο dB
βo
ω = ωβ ⇒ β( jω) = ⇒
2
(20⋅ logβο − 3) dB
ω = ωT ⇒ β( jω) = 1 ⇒ 0 dB
Παράδειγμα 1ο: π-ισοδύναμο μοντέλο Παράδειγμα 1ο: π-ισοδύναμο μοντέλο
h fe = g m ⋅ rπ ⇒
Ανάλυση λειτουργίας στο συνεχές για τον υπολογισμό του ρεύματος συλλέκτη: C π = C j + C b = 61 pF
R B = R 1 // R 2 = 15.65 kΩ Cμ = 3.75 pF ⇒ Ceq = Cπ + Cμ (1 + g m R 'L ) = 240 pF
VB = I B R B + VBE + I C R E I B = 8.55 μA
R2 VB = I B R B + VBE + βI Β R E I C = β I B = 1.52 mA R 'L = R C // R L = 0.8 kΩ
VB = VC = 1.56 V
R1 + R 2
Ισοδύναμο μοντέλο MOSFET υψηλών συχνοτήτων Συμπεράσματα
Περιοχή κόρου:
• Το π-ισοδύναμο μοντέλο είναι κατάλληλο να περιγράψει τη λειτουργία του
2
Cgd = Cox + Cgso W διπολικού τρανζίστορ στις υψηλές συχνότητες.
3
gm Cgd = Cgdo W • Οι παράμετροι του μοντέλου εξαρτώνται άμεσα από την πόλωση του
τρανζίστορ.
Cds: πολύ μικρή
• Οι παρασιτικές χωρητικότητες του διπολικού τρανζίστορ είναι αυτές που
ευθύνονται για τον περιορισμό της λειτουργίας του τρανζίστορ ως ενισχυτική
Cgdo, Cgso: χωρητικότητες επικάλυψης, Cox: χωρητικότητα οξειδίου πύλης,
βαθμίδα στις υψηλές συχνότητες.
W: πλάτος καναλιού του τρανζίστορ
• ∆είκτης της αξίας των τρανζίστορ όσον αφορά τη λειτουργία τους στις υψηλές
2I D συχνότητες είναι η συχνότητα μοναδιαίας ενίσχυσης (fT).
gm = = 2 β (1 + λVDS ) Ι D ≈ 2 β Ι D
VGS − VT
• Το ισοδύναμο μοντέλο MOSFET για υψηλές συχνότητες περιλαμβάνει τις
παρασιτικές χωρητικότητες πύλης-πηγής, πύλης-απαγωγού και απαγωγού-
1 β λ ID
= (VGS − VT ) λ = πηγής που είναι υπεύθυνες για τον περιορισμό της λειτουργίας του MOSFET
2
≈ λ ID
ro 2 1 + λVDS στις υψηλές συχνότητες.
Άσκηση 1η
∆ιπολικό τρανζίστορ έχει τις εξής παραμέτρους: β = hfe = 256, VT = 26 mV, τάση Early 74
mV, Cj = 31.5 pF, Cb = 15.9 pF, Cμ = 3.55 pF, rx = 10 Ω. Εάν στο σημείο ηρεμίας IC = 2 mA,
να υπολογιστούν οι άγνωστες παράμετροι του π-ισοδύναμου μοντέλου και του ισοδύναμου
κατά Miller μοντέλου του τρανζίστορ, καθώς και η συχνότητα μοναδιαίας ενίσχυσης.
IC h fe
gm = = 38.6mS rπ = = 6.6K
VT gm
VAF
ro = = 37 kΩ rb,c = ro h fe = 19 MΩ
IC
Ασκήσεις 2ης ενότητας C π = C j + C b = 47.4 pF
Ceq = C π + Cμ (1 + g m ro ) = 5.12 nF
1 gm
fT = = 116 MHz
2 π ( C π + Cμ )
∆ιπολικό τρανζίστορ έχει για συγκεκριμένο σημείο λειτουργίας του τις εξής παραμέτρους:
rx=100 Ω, rπ=1 ΚΩ, Cπ=1000 pF, gm=50mS, Cμ και ro αμελητέα. Να υπολογίσετε τη
μεταβολή του β = ic / ib του τρανζίστορ συναρτήσει της συχνότητας και να χαράξετε την
αντίστοιχη καμπύλη. Προσδιορίστε τη συχνότητα μοναδιαίας ενίσχυσης (fT) του τρανζίστορ.
i c = g m v b ′e = g m ⋅ Z ⋅ i b
rπ
Z = rπ // C π =
1 + jrπC π ω
ic i 50
β( jω) = = g m Z ⇒ β( jω) = c =
ib i b 1 + 10 −6 jω
1 β( jω) = βo ⇒ 20 ⋅ log βο = 34 dB
ωβ = log ωβ = 6
rπC π βο = g m rπ = 50 βo
1 ω = ωβ ⇒ β( jω) = ⇒ 31 dB
fT = 50 ⋅ 106 Hz = 8MHz 2 log ωΤ = 7.7
2π ω = ωT ⇒ β( jω) = 1 ⇒ 0 dB
ω β =10 rad/sec
6
ωT = 50 ⋅ 10 rad / sec
6
• Στην τρίτη ενότητα θα μελετήσουμε την απόκριση συχνότητας των

ενισχυτών σε ευρεία περιοχή συχνοτήτων, όπου θα ληφθεί υπόψη η
επίδραση των εξωτερικών μη ωμικών στοιχείων και των παρασιτικών
χωρητικοτήτων των τρανζίστορ.
• Ημιτονική ανάλυση κυκλώματος και συνάρτηση μεταφοράς.
• Αποκρίσεις χρόνου και συχνότητας κυκλωμάτων πρώτου βαθμού:

9 Βαθυπερατό κύκλωμα.
ενότητα 3η 9 Υψηπερατό κύκλωμα.
ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ • Αποκρίσεις συχνότητας ενισχυτών (κοινού εκπομπού και κοινής βάσης).
• ∆ιεύρυνση ανώτερης συχνότητας λειτουργίας ενισχυτή.
• Απόκριση χρόνου ενισχυτή.
Ημιτονική ανάλυση και συνάρτηση μεταφοράς Ημιτονική ανάλυση
• Ημιτονική ανάλυση ενισχυτή: πως μεταβάλλεται το πλάτος και η φάση του • Για να αναλύσουμε λοιπόν ένα κύκλωμα με ημιτονική διέγερση
σήματος εξόδου για διάφορες τιμές της συχνότητας του ημιτονικού σήματος μετασχηματίζουμε τα στοιχεία του κυκλώματος από το πεδίο του χρόνου
εισόδου. στο πεδίο της συχνότητας (φάσορες για τάσεις και ρεύματα και σύνθετες
• Κατά την ημιτονική ανάλυση προσδιορίζεται το μέτρο και η φάση (δηλ. ο αντιστάσεις ή μιγαδικές εμπεδήσεις για πυκνωτές και πηνία).
φάσορας Vo∠φο) του σήματος εξόδου. • Σύνθετες αντιστάσεις πυκνωτή: ZC = 1 / jωC = − j / ωC = 1 / s C.
• Εάν σήμα εισόδου x(t) και σήμα εξόδου y(t), τότε στο χώρο των συχνοτήτων • Σύνθετη αντίσταση πηνίου: ZL = jωL = s L.
ισχύει η σχέση:
9 Υ(jω) = Η(jω) ⋅ Χ(jω) • Φάσορες ρευμάτων και τάσεων (επόμενη σελίδα).
9 Η(jω): συνάρτηση μεταφοράς του κυκλώματος • Μετά από το μετασχηματισμό των στοιχείων στο πεδίο της συχνότητας
μπορούμε να αναλύσουμε το κύκλωμα με τις γνωστές μεθόδους (κανόνες
9 Υ(jω), Χ(jω): φάσορες σημάτων εξόδου και εισόδου.
Kirchhoff κλπ.), δηλαδή με τον ίδιο τρόπο που αντιμετωπίζουμε ένα γραμμικό
• Στο χώρο της μιγαδικής συχνότητας s (χώρος Laplace με s=jω): κύκλωμα.
9 Υ(s) = Η(s) ⋅ Χ(s) • Στο τέλος της ανάλυσης εάν επιθυμούμε να εξάγουμε τις κυματομορφές τάσης
• Επομένως, το μέτρο και η φάση του σήματος εξόδου εξαρτώνται από τη ή ρεύματος στο πεδίο του χρόνου, μετασχηματίζουμε τους αντίστοιχους
συνάρτηση μεταφοράς από την οποία λαμβάνουμε και τη σχετική πληροφορία. φάσορες στις κυματομορφές τάσης ή ρεύματος που αντιπροσωπεύουν.
Φάσορες σημάτων (ρευμάτων ή τάσεων) Συνάρτηση μεταφοράς

• Οι ημιτονικές συναρτήσεις (σήματα) μίας συχνότητας (f, ω = 2πf) μπορούν να • Η συνάρτηση μεταφοράς ενός κυκλώματος (γενικότερα συστήματος) μπορεί να
αντιστοιχιστούν με περιστρεφόμενα μιγαδικά διανύσματα (φάσορες) που εκφραστεί ως εξής:
συμβολίζονται με κεφαλαία γράμματα.
( s − z 1 ) ⋅ (s − z 2 ) ⋅ ⋅ ⋅ ( s − z m )
H (s ) = A m
i( t ) = I o sin( ωt + ϕ) (s − p1 ) ⋅ (s − p2 ) ⋅ ⋅ ⋅ (s − p n )
Ι • z1, z2, …, zm είναι οι ρίζες του πολυωνύμου του αριθμητή και αναφέρονται ως
Ι = ο ⋅ e jϕ = I rms∠ϕ = I rms cos ϕ + j I rms sin ϕ
2 μηδενικά της συνάρτησης μεταφοράς και p1, p2, …, pn είναι οι ρίζες του
I = x + jy πολυωνύμου του παρανομαστή και αναφέρονται ως πόλοι της συνάρτησης
μεταφοράς ή φυσικές συχνότητες του συστήματος.
⎛y⎞
I rms = x 2 + y 2 ϕ = tan −1 ⎜ ⎟ • Αντικαθιστώντας στη συνάρτηση μεταφοράς το s με jω:
⎝x⎠ Φάση της Η(jω)
180 ⋅ ϕ ( σε rad )
ϕ ( σε o) = H ( jω) = H ( jω) ⋅ e j∠H ( jω) m
⎛ ω ⎞ n ⎛ −1 ω ⎞
π ∠ H ( jω) = ∑ ⎜⎜ tan −1 ⎟ − ∑ ⎜ tan ⎟
Μέτρο της Η(jω) i =1 ⎝ − z i ⎟⎠ i =1 ⎜⎝ − pi ⎟⎠
• Ο μετασχηματισμός στο πεδίο της συχνότητας (Laplace) μας δίνει τη ( j ω − z1 ) ⋅ ( j ω − z 2 ) ⋅ ⋅ ⋅ ( j ω − z m ) ω2 + z12 ⋅ ω2 + z 22 ⋅ ⋅ ⋅ ω2 + z 2m

δυνατότητα να αναλύσουμε ένα κύκλωμα με γραμμικές εξισώσεις, αποφεύγοντας H ( jω) = A m ⋅ = Am ⋅
( jω − p1 ) ⋅ ( jω − p2 ) ⋅ ⋅ ⋅ ( jω − p n ) ω2 + p12 ⋅ ω2 + p22 ⋅ ⋅ ⋅ ω2 + p2n
τις διαφορίσεις και ολοκληρώσεις που προκύπτουν στο πεδίο του χρόνου.
Κυκλώματα RC 1ου βαθμού Συνάρτηση μεταφοράς κυκλωμάτων RC 1ου βαθμού
• Η απόκριση συχνότητας περιγράφεται από δύο επιμέρους αποκρίσεις: την
απόκριση μέτρου και την απόκριση φάσης. ΒΑΘΥΠΕΡΑΤΟ ΚΥΚΛΩΜΑ
1
• Για τη μελέτη απόκρισης συχνότητας σύνθετων συναρτήσεων μεταφοράς (δηλ. ZC Vo jωC 1
Vo = Vi ⇒ = =
σύνθετων κυκλωμάτων) χρησιμοποιούνται οι αποκρίσεις απλών κυκλωμάτων. ZC + R Vi 1 + R 1 + jωRC
jωC
• Στους ενισχυτές συνυπάρχουν περισσότεροι του ενός πυκνωτές και η απόκριση
συχνότητας μπορεί να προσεγγιστεί θεωρώντας τη δράση καθενός από τους 1
H (s ) = , s = jω, τ = RC
πυκνωτές χωριστά και λαμβάνοντας στο τέλος τη συνδυασμένη δράση όλων 1 + τs
των πυκνωτών.
• Χρήσιμα κυκλώματα RC πρώτου βαθμού για την ανάλυση των ενισχυτών: τ: σταθερά χρόνου
9 Κύκλωμα ολοκλήρωσης (βαθυπερατό κύκλωμα) ΥΨΗΠΕΡΑΤΟ ΚΥΚΛΩΜΑ
9 Κύκλωμα διαφόρισης (υψηπερατό κύκλωμα). R V R jωRC
Vo = Vi ⇒ o = =
ZC + R Vi 1 + R 1 + jωRC
jωC
ΥΨΗΠΕΡΑΤΟ τs
ΒΑΘΥΠΕΡΑΤΟ
ΚΥΚΛΩΜΑ
H (s ) = , s = jω, τ = RC
ΚΥΚΛΩΜΑ 1 + τs
Απόκριση χρόνου κυκλωμάτων RC 1ου βαθμού Απόκριση χρόνου κυκλωμάτων RC 1ου βαθμού
Είσοδος: μοναδιαία βηματική συνάρτηση
Τετραγωνικός παλμός τάσης εισόδου
Τάση εξόδου (Volt)
Απόκριση χρόνου κυκλώματος ολοκλήρωσης (βαθυπερατού)

Απόκριση χρόνου κυκλώματος διαφόρισης (υψηπερατού)
−t
vo (t) = 1 − e τ
Χρόνος (sec)
Τάση εξόδου (Volt)
−t
v o (t) = e τ
Απόκριση συχνότητας μέτρου βαθυπερατού Απόκριση συχνότητας μέτρου βαθυπερατού
H συνάρτηση μεταφοράς έχει έναν πραγματικό

πόλο sp = -1 / τ στον οποίο αντιστοιχεί η
ιδιοσυχνότητα ή συχνότητα αποκοπής
1
H (s ) = ωc = 1 / τ του κυκλώματος
1 + τs
• Οι κυματομορφές σημάτων εξόδου παραμένουν αναλλοίωτες όταν η συχνότητα
σήματος εισόδου βρίσκεται μέσα στη ζώνη διέλευσης (ω < ωc). Εκτός της ζώνης 1
διέλευσης, οι παλμοί σημάτων εξόδου υφίστανται ολοκλήρωση. H( jω) =
2
⎛ω⎞ ⇒
• Η απόκριση συχνότητας μέτρου δίνεται γραφικά με διάγραμμα Bode, στο οποίο 1 + ⎜⎜ ⎟⎟ c
η απόκριση μέτρου υπολογίζεται σε dB εάν πολλαπλασιάσουμε το δεκαδικό
λογάριθμο του μέτρου της συνάρτησης μεταφοράς με το 20 (20log|Η(jω)|) και
⎝ ωc ⎠
1
η συχνότητα εκφράζεται σε λογαριθμική κλίμακα (logω). H( jω) ω= 2 ω ≈ ⇒ − 6 dB
c 2
• Μία οκτάβα (oct) αντιστοιχεί σε διπλασιασμό της συχνότητας.
Απόκριση συχνότητας φάσης βαθυπερατού Απόκριση συχνότητας μέτρου υψηπερατού
ω
ϕ = ∠ H ( jω) = − tan −1
ωc
c
c τs
H (s ) =
1 + τs
c
c
• Οι κυματομορφές σημάτων εξόδου παραμένουν αναλλοίωτες όταν η συχνότητα
σήματος εισόδου βρίσκεται μέσα στη ζώνη διέλευσης (ω > ωc).
• Εκτός της ζώνης διέλευσης, οι παλμοί σημάτων εξόδου υφίστανται διαφόριση.
Απόκριση συχνότητας μέτρου υψηπερατού Απόκριση συχνότητας φάσης υψηπερατού
⎛ω⎞
j ⎜⎜ ⎟⎟
τs jτω ω
H (s ) = H( jω) = = ⎝ c⎠
1 + τs 1 + jτω ⎛ω⎞ argH(jω)
1 + j ⎜⎜ ⎟⎟ ω
⎝ ωc ⎠ ϕ = ∠ H ( jω) = 90° − tan −1
ωc
H συνάρτηση μεταφοράς έχει έναν
πραγματικό πόλο sp = -1 / τ, στον οποίο
αντιστοιχεί η ιδιοσυχνότητα ή συχνότητα
αποκοπής ωc = 1 / τ του κυκλώματος, καθώς 90° c
κι έναν πραγματικό μηδενισμό sz = 0
H ( jω) ω>>ω = 1 ⇒ 0 dB 45°
c c
⎛ω⎞ 0°
⎜⎜ ⎟⎟ c
H( jω) = ⎝ ωc ⎠ ⇒ c
2
⎛ω⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ωc ⎠ 1
H ( jω) ω=ω /2
≈ ⇒ − 6 dB
c
2
Απόκριση συχνότητας ενισχυτών Απόκριση συχνότητας ενισχυτών
• Στα κυκλώματα RC που εξετάσαμε η ενίσχυση ήταν μοναδιαία.

• Η απόκριση συχνότητας ενισχυτών (μέτρο και φάση) δίνει επαρκείς
• Παρατηρώντας τις αποκρίσεις που παράχθηκαν συμπεραίνουμε ότι μπορούμε πληροφορίες, όταν ο ενισχυτής διεγείρεται από περιοδικά σήματα μίας
εμπειρικά να χαράξουμε τις αποκρίσεις συχνότητας κυκλωμάτων πρώτου συχνότητας (π.χ. ημιτονικά σήματα).
βαθμού όταν γνωρίζουμε:
9 τη συμπεριφορά τους (βαθυπερατή ή υψηπερατή), • Για να μεταδοθεί ένα σήμα μέσα από έναν ενισχυτή, χωρίς αλλοίωση θα πρέπει
9 τη σταθερά χρόνου που σχηματίζουν τα στοιχεία του κυκλώματος, η ενίσχυση να είναι σταθερή (ως προς το μέτρο) και η φάση να μεταβάλλεται
9 και την ενίσχυση στις μεσαίες συχνότητες. γραμμικά σε όλη την περιοχή των συχνοτήτων ενδιαφέροντος.
• Είναι φανερό ότι οι σταθερές χρόνου καθορίζουν την απόκριση συχνότητας • Σύμφωνα με όσα μελετήσαμε στην 1η ενότητα, οι ενισχυτές είχαν σταθερό
(αλλά και την απόκριση χρόνου) των κυκλωμάτων. μέτρο ενίσχυσης και σταθερή διαφορά φάσης (π.χ. στον ενισχυτή κοινού
εκπομπού η τάση εξόδου είχε διαφορά φάσης 180ο σε σχέση με την τάση
• Γενικά, στις συναρτήσεις μεταφοράς τάσεων ή ρευμάτων, οι συντελεστές της
μιγαδικής συχνότητας s συνίστανται από σταθερές χρόνου. εισόδου) σε όλη την περιοχή συχνοτήτων.
Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινού εκπομπού Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινού εκπομπού
Ενίσχυση τάσης στην περιοχή |A(jω)|
μεσαίων συχνοτήτων:
Μέτρο ενίσχυσης Αm και

διαφορά φάσης 180ο.
arg A(jω)
• Ωστόσο, η πραγματική απόκριση συχνότητας μέτρου του ενισχυτή δεν είναι
270°
σταθερή, αλλά ζωνοδιαβατή με ζώνη διέλευσης ωL < ω < ωH, που αποτελεί και
την περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων του ενισχυτή αυτού.
180°
• Η ζώνη αυτή αναφέρεται και ως εύρος ζώνης ενισχυμένων συχνοτήτων
(bandwidth, ΒW = ωH - ωL).
90°
• Στην περιοχή διέλευσης, το μέτρο ενίσχυσης παραμένει σταθερό και η διαφορά
φάσης παραμένει περίπου σταθερή στις 180ο.
• Η απόκριση συχνότητας του ενισχυτή είναι στην ουσία η συνάρτηση της ενίσχυσης ως προς
τη συχνότητα (Α(s)).
A (s ) = A m ⋅ A L (s ) ⋅ A H (s )
• Οι συναρτήσεις AL(s) και AH(s) εκφράζουν την εξάρτηση της ενίσχυσης από τη συχνότητα
στην περιοχή των χαμηλών και των υψηλών συχνοτήτων, αντίστοιχα.
• Στη ζώνη διέλευσης ωL < ω < ωH (περιοχή μεσαίων συχνοτήτων) όπου A(s) = Am, η
ενίσχυση προσδιορίστηκε στην 1η ενότητα με ανάλυση του ισοδύναμου κυκλώματος
μικρού σήματος του ενισχυτή, θεωρώντας ότι οι πυκνωτές ζεύξης λειτουργούν ως
βραχυκυκλώματα και αγνοώντας τις παρασιτικές χωρητικότητες του διπολικού τρανζίστορ.
• Στην περιοχή των χαμηλών συχνοτήτων, ο ενισχυτής εμφανίζει υψηπερατή συμπεριφορά
λόγω της παρουσίας των εξωτερικών πυκνωτών ζεύξης (C1 και C2). • Στην περιοχή χαμηλών συχνοτήτων όπου A(s) = Am ⋅ AL(s), η ενίσχυση προσδιορίζεται
με ανάλυση του ισοδύναμου μοντέλου του ενισχυτή (απλοποιημένο h-ισοδύναμο ή
• Αντίθετα, στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων, ο ενισχυτής εμφανίζει βαθυπερατή απλοποιημένο π-ισοδύναμο για χαμηλές και μεσαίες συχνότητες) λαμβάνοντας υπόψη
συμπεριφορά λόγω της παρουσίας των παρασιτικών πυκνωτών του διπολικού τρανζίστορ. μόνο τους εξωτερικούς πυκνωτές ζεύξης.
• Η συμπεριφορά του ενισχυτή στην περιοχή των χαμηλών συχνοτήτων προσδιορίζεται
• Στην περιοχή υψηλών συχνοτήτων όπου A(s) = Am ⋅ AΗ(s), η ενίσχυση προσδιορίζεται με
από τις σταθερές χρόνου που σχηματίζουν οι εξωτερικοί πυκνωτές με τις αντιστάσεις του
ανάλυση του τροποποιημένου κατά Miller ισοδύναμου μοντέλου του ενισχυτή που λαμβάνει
ενισχυτή, ενώ η συμπεριφορά του ενισχυτή στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων
υπόψη τις παρασιτικές χωρητικότητες του τρανζίστορ, θεωρώντας ως βραχυκυκλώματα
προσδιορίζεται από τις σταθερές χρόνου που σχηματίζουν οι παρασιτικοί πυκνωτές του
τους εξωτερικούς πυκνωτές ζεύξης.
τρανζίστορ με τις αντιστάσεις του ενισχυτή.
• Μελετάμε πρώτα τον ενισχυτή στην περιοχή των χαμηλών και μεσαίων
• Στους ενισχυτές όπου συνυπάρχουν περισσότεροι του ενός πυκνωτές, η
απόκριση συχνότητας μπορεί να προσεγγιστεί θεωρώντας τη δράση καθενός
από τους πυκνωτές χωριστά και λαμβάνοντας στο τέλος τη συνδυασμένη δράση
όλων των πυκνωτών.
• Θεωρώντας ότι επιδρά στο κύκλωμα μόνο ο πυκνωτής C1, ενώ ο C2 λειτουργεί
ως βραχυκύκλωμα, σχεδιάζουμε το ισοδύναμο μοντέλο του ενισχυτή, με βάση
το παρακάτω απλοποιημένο h-ισοδύναμο ή το απλοποιημένο π-ισοδύναμο για
χαμηλές και μεσαίες συχνότητες του τρανζίστορ.
Ενίσχυση στις μεσαίες συχνότητες
• Περιοχή χαμηλών συχνοτήτων: Η σταθερά χρόνου του κυκλώματος προσδιορίζεται
h ie ≈ rπ από το κύκλωμα εισόδου, το οποίο λειτουργεί ως υψηπερατό κύκλωμα, οπότε:
ή
gmV1 h fe ≈ g m rπ
• Θεωρούμε στη συνέχεια ότι επιδρά στο κύκλωμα μόνο ο πυκνωτής C2, ενώ ο • Επομένως, στην περιοχή χαμηλών συχνοτήτων όπου η ενίσχυση προσδιορίζεται
C1 λειτουργεί ως βραχυκύκλωμα. με ανάλυση του ισοδύναμου μοντέλου του ενισχυτή λαμβάνοντας υπόψη μόνο
τους εξωτερικούς πυκνωτές ζεύξης, ισχύει:
τ1s ⋅ τ2s
A L (s) = A m
( τ1s + 1) ⋅ ( τ2s + 1)
• Από τους δύο πόλους της παραπάνω ενίσχυσης (απόκρισης) αυτός με την
μικρότερη σταθερά χρόνου αντιστοιχεί και στη μεγαλύτερη συχνότητα (ω =
1/τ) και συνεπώς ακολουθώντας την προσέγγιση επικρατούντος πόλου, η
ενίσχυση στην περιοχή χαμηλών συχνοτήτων μπορεί να απλοποιηθεί ως εξής:
• Η σταθερά χρόνου του κυκλώματος προσδιορίζεται από το κύκλωμα εξόδου, το
οποίο επίσης λειτουργεί ως υψηπερατό κύκλωμα, οπότε:
τ 2s
A L (s ) = A m
τ 2s + 1
Θεωρήσαμε ότι για τον ενισχυτή που εξετάζουμε ισχύει: τ2 < τ1 ⇒ ω2 > ω1,
δηλαδή ότι ο πόλος που επικρατεί είναι εκείνος που αντιστοιχεί στη σταθερά τ2.
• Στην περιοχή υψηλών συχνοτήτων η ενίσχυση προσδιορίζεται με ανάλυση του • Επομένως, στην περιοχή υψηλών συχνοτήτων όπου η ενίσχυση προσδιορίζεται
τροποποιημένου κατά Miller ισοδύναμου μοντέλου του ενισχυτή που λαμβάνει με ανάλυση του ισοδύναμου μοντέλου του ενισχυτή λαμβάνοντας υπόψη τις
υπόψη τις παρασιτικές χωρητικότητες του τρανζίστορ, θεωρώντας ως παρασιτικές χωρητικότητες του τρανζίστορ και θεωρώντας ως βραχυκυκλώματα
βραχυκυκλώματα τους εξωτερικούς πυκνωτές ζεύξης. τους εξωτερικούς πυκνωτές ζεύξης, ισχύει:
1
A H (s ) = A m
( τis + 1) ⋅ ( τos + 1)
• Συνήθως, η σταθερά χρόνου του κυκλώματος εισόδου είναι πολύ μεγαλύτερη
από τη σταθερά χρόνου του κυκλώματος εξόδου, οπότε το κύκλωμα εισόδου
στο οποίο αντιστοιχεί ο πόλος της απόκρισης με τη μικρότερη συχνότητα, είναι
αυτό που καθορίζει την απόκριση του ενισχυτή κοινού εκπομπού στην περιοχή
• Παρατηρούμε ότι το κύκλωμα εισόδου και το κύκλωμα εξόδου έχουν των υψηλών συχνοτήτων.
βαθυπερατή συμπεριφορά, οπότε:
• Επομένως, η ενίσχυση στην περιοχή υψηλών συχνοτήτων μπορεί να απλοποιηθεί
ως εξής:
1
A H (s ) = A m
τ is + 1
• Η συνδυασμένη απόκριση του ενισχυτή λόγω της δράσης όλων των πυκνωτών
δίνεται ως εξής: |A(jω)|
τ1s ⋅ τ 2s
A (s ) = A m ⋅ A L ( s ) ⋅ A H (s ) = A m
( τ1s + 1) ⋅ ( τ 2s + 1) ⋅ ( τis + 1) ⋅ ( τos + 1)
τ 2s
⇒ A (s ) = A m
( τ2s + 1) ⋅ ( τis + 1)
• Συμπεραίνουμε ότι: ω1 ω2 ωi ωo
9 Η περιοχή των χαμηλών συχνοτήτων (ωL) καθορίζεται από τις σταθερές
Κατώτερη 1 ω 1 Am ⋅ τ2s Am
χρόνου που δημιουργούν οι εξωτερικοί πυκνωτές και ειδικότερα αυτός ωL = ω2 = ⇒ fL = 2 = A(s) = =
συχνότητα
που δημιουργεί τη μικρότερη σταθερά χρόνου. αποκοπής τ2 2π 2 πτ2 (τ2s +1) ⋅ (τis +1) ⎛ f ⎞⎛ f ⎞
⎜⎜1+ j ⎟⎟ ⋅ ⎜1− j L ⎟
9 Η ανώτερη συχνότητα αποκοπής (ωH) καθορίζεται από τις σταθερές ⎝ fH ⎠ ⎝ f ⎠
χρόνου που σχηματίζουν οι παρασιτικές χωρητικότητες του τρανζίστορ Ανώτερη 1 ω 1
και ειδικότερα από τη σταθερά χρόνου που σχηματίζεται στο κύκλωμα συχνότητα ωH = ωi = ⇒ fH = i = BW = fH − fL
αποκοπής τi 2π 2πτi
εισόδου του ενισχυτή.
Εύρος ζώνης ενισχυμένων συχνοτήτων
Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινού εκπομπού Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινής βάσης
• Η μελέτη της απόκρισης συχνότητας του ενισχυτή κοινής βάσης μπορεί να γίνει
Αντιπροσωπευτικό παράδειγμα με την ίδια διαδικασία ανάλυσης που ακολουθήθηκε για τον ενισχυτή κοινού
υπολογισμού της απόκρισης εκπομπού.
συχνότητας μέτρου του ενισχυτή
κοινού εκπομπού με βάση την
τεχνική σταδιακής ανάλυσης
κατά περιοχές συχνοτήτων που
μελετήσαμε, αποτελεί η άσκηση
5 της παρούσας ενότητας.
• Για την απλούστευση του υπολογισμού της απόκρισης συχνότητας μέτρου του
ενισχυτή κοινού εκπομπού σε όλο το εύρος των συχνοτήτων, θεωρήσαμε ότι ο
εξωτερικός πυκνωτής παράκαμψης CE λειτουργεί ως βραχυκύκλωμα και λάβαμε
υπόψη μόνο την επίδραση των εξωτερικών πυκνωτών ζεύξης C1 και C2.
• Ωστόσο, εάν δε γίνει η θεώρηση αυτή, η επίδραση του CE είναι συχνά αυτή
που καθορίζει την απόκριση συχνότητας στις χαμηλές συχνότητες δηλαδή
καθορίζει την κατώτερη συχνότητα αποκοπής, η οποία είναι μεγαλύτερη από
εκείνες που προκύπτουν λόγω της επίδραση των πυκνωτών ζεύξης C1 και C2.
Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινής βάσης Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινής βάσης
• Μελετάμε πρώτα τον ενισχυτή στην περιοχή των χαμηλών και μεσαίων
• Κι εδώ συνυπάρχουν δύο εξωτερικοί πυκνωτές, οπότε η απόκριση συχνότητας
προσεγγίζεται θεωρώντας τη δράση καθενός από τους δύο πυκνωτές χωριστά
και λαμβάνοντας στο τέλος τη συνδυασμένη δράση όλων των πυκνωτών.
• Θεωρώντας αρχικά ότι επιδρά στο κύκλωμα μόνο ο πυκνωτής C1 (ενώ ο C2
λειτουργεί ως βραχυκύκλωμα) και στη συνέχεια ότι επιδρά μόνο ο πυκνωτής C2
(ενώ ο C1 λειτουργεί ως βραχυκύκλωμα), σχεδιάζουμε το ισοδύναμο μοντέλο
του ενισχυτή (για τη συνδεσμολογία κοινής βάσης), με βάση το παρακάτω
απλοποιημένο h-ισοδύναμο ή το απλοποιημένο π-ισοδύναμο για χαμηλές και h ie rπ
R i = R E // = R E //
μεσαίες συχνότητες του τρανζίστορ. 1 + h fe 1 + g m rπ
Ενίσχυση στις μεσαίες συχνότητες:

h ie ≈ rπ
h fe ≈ g m rπ vs v R 'L
v o = R 'L ⋅ i e = R 'L ⋅ ⇒ Am = o =
Rs + Ri vs R s + R i
Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινής βάσης Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινής βάσης
• Παρατηρούμε ότι το κύκλωμα εισόδου και το κύκλωμα εξόδου έχουν υψηπερατή • Ισοδύναμο κύκλωμα του ενισχυτή για την περιοχή των υψηλών συχνοτήτων,
συμπεριφορά. όπου λαμβάνονται υπόψη οι παρασιτικές χωρητικότητες του τρανζίστορ:
• Για το κύκλωμα εισόδου, προσδιορίζεται η συχνότητα αποκοπής ως εξής:
• Για το κύκλωμα εξόδου, προσδιορίζεται η συχνότητα αποκοπής ως εξής:
• Παρατηρούμε ότι τα κυκλώματα εισόδου και εξόδου παρουσιάζουν βαθυπερατή

συμπεριφορά.
• Συνήθως, στους ενισχυτές κοινής βάσης οι πυκνωτές ζεύξης έχουν παρόμοια Στις συνήθεις εφαρμογές, η σταθερά
τιμή και χρόνου του κυκλώματος εισόδου είναι
πολύ μικρότερη από εκείνη του
⇒ κυκλώματος εξόδου, οπότε σε
ενισχυτές κοινής βάσης, το κύκλωμα
• Επομένως, το κύκλωμα εισόδου (που περιλαμβάνει τον πυκνωτή C1) είναι αυτό εξόδου καθορίζει την ανώτερη
που καθορίζει την κατώτερη συχνότητα αποκοπής (ω1 = ωL). συχνότητα αποκοπής (ωL = ωο)
Απόκριση συχνότητας ενισχυτή κοινής βάσης ∆ιεύρυνση ανώτερης συχνότητας λειτουργίας

• Με βάση τα προηγούμενα, η ενίσχυση του κυκλώματος προσεγγίζεται ως εξής: • Στην περιοχή υψηλών συχνοτήτων για τον ενισχυτή κοινού εκπομπού ισχύει:
1
A H (s) = A m
( τ i s + 1) ⋅ ( τ o s + 1)
|A(jω)|
• Συνήθως, η σταθερά χρόνου του κυκλώματος εισόδου είναι μεγαλύτερη, οπότε η είσοδος
είναι αυτή που καθορίζει την απόκριση του ενισχυτή στις υψηλές συχνότητες.
• Στις υψηλές συχνότητες, ο ενισχυτής παρουσιάζει δύο πόλους, από τους οποίους επικρατεί
αυτός που αντιστοιχεί στο κύκλωμα εισόδου και καθορίζει την ανώτερη συχνότητα αποκοπής
ή λειτουργίας.
• Μπορούμε να αντισταθμίσουμε τον επικρατών πόλο εάν εισάγουμε ένα μηδενικό στην
απόκριση συχνότητας συνδέοντας έναν πυκνωτή Cs, παράλληλα με την Rs, τέτοιον ώστε:
ω2 ω1 ωο ωi
• Λαμβάνοντας υπόψη ότι οι αντιστάσεις που χρησιμοποιούνται στον ενισχυτή
κοινής βάσης και σχηματίζουν τη σταθερά χρόνου του κυκλώματος εξόδου με αποτέλεσμα την απλοποίηση της συνάρτησης μεταφοράς στις υψηλές συχνότητες και κατά
συνέπεια την διεύρυνση της ανώτερης συχνότητας λειτουργίας σε τιμή που καθορίζεται πλέον
είναι μικρότερες από εκείνες που χρησιμοποιούνται στον ενισχυτή κοινού
από το κύκλωμα εξόδου.
εκπομπού και σχηματίζουν τη σταθερά χρόνου του κυκλώματος εισόδου, 1
συμπεραίνουμε ότι ο ενισχυτής κοινής βάσης έχει στις υψηλές συχνότητες A H (s ) = A m ωL = ωο
καλύτερη συμπεριφορά από τον ενισχυτή κοινού εκπομπού. ( τos + 1)
∆ιεύρυνση ανώτερης συχνότητας λειτουργίας Απόκριση χρόνου ενισχυτή
• Στην περιοχή χαμηλών συχνοτήτων η συμπεριφορά ενός ενισχυτή είναι
υψηπερατή, ενώ στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων η συμπεριφορά είναι
βαθυπερατή.
• Τις συμπεριφορές αυτές μπορούμε να τις διακρίνουμε και στην χρονική απόκριση
ενός ενισχυτή με διέγερση (είσοδο) τετραγωνικού παλμού.
|A(jω)|
f < fL: συμπεριφορά fL < f < fH: γραμμική f > fH: συμπεριφορά
διαφοριστή συμπεριφορά ολοκληρωτή
ω2 ωi ωo
Απόκριση χρόνου ενισχυτή Συμπεράσματα

• Η περιγραφή των ενισχυτών σε όλη την περιοχή συχνοτήτων επιτυγχάνεται με απλό τρόπο,
• Είναι φανερό ότι η μορφή του παλμού εξόδου του ενισχυτή όταν αυτός
μέσω της συνάρτησης μεταφοράς τους και τον προσδιορισμό της απόκρισης συχνότητάς.
διεγείρεται με τετραγωνικό παλμό, υποδηλώνει τη συμπεριφορά του ενισχυτή.
• Η ανάλυση των ενισχυτών σε όλη την περιοχή συχνοτήτων μπορεί να γίνει σταδιακά,
• Για παράδειγμα όταν η συχνότητα του τετραγωνικού παλμού εισόδου επιλεγεί προσεγγίζοντας τη συνάρτηση μεταφοράς τους με συναρτήσεις πρώτου βαθμού ή γινόμενα
μέσα στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων, τότε ο παλμός εξόδου τείνει να συναρτήσεων πρώτου βαθμού.
είναι τετραγωνικός, αφού στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων η ενίσχυση • Η ανάλυση αυτή δεν παρέχει υψηλή ακρίβεια αλλά εξασφαλίζει κατανόηση του ρόλου των
παραμένει σταθερή και η φάση γραμμική. στοιχείων του ενισχυτή κατά τη λειτουργία του σε όλη την περιοχή συχνοτήτων.
• Στην περιοχή των χαμηλών συχνοτήτων, οι ενισχυτές εμφανίζουν υψηπερατή συμπεριφορά
• Στην περίπτωση όπου η συχνότητα του παλμού εισόδου υπερβεί την ανώτερη λόγω της παρουσίας των εξωτερικών πυκνωτών.
συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή, η κυματομορφή εξόδου γίνεται τριγωνική
(συμπεριφορά ολοκληρωτή). • Στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων οι ενισχυτές εμφανίζουν γραμμική συμπεριφορά
(σταθερή ενίσχυση).
• Επομένως, παρατηρώντας τριγωνική κυματομορφή εξόδου σε έναν ενισχυτή • Τέλος, στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων, οι ενισχυτές εμφανίζουν βαθυπερατή
μπορούμε να επέμβουμε διορθωτικά στο κύκλωμά του και να διευρύνουμε την συμπεριφορά λόγω της παρουσίας των παρασιτικών πυκνωτών των τρανζίστορ.
ανώτερη συχνότητα λειτουργίας ώστε να αποκαταστήσουμε τον παλμό σε • Η συμπεριφορά του ενισχυτή στις χαμηλές και στις υψηλές συχνότητες προσδιορίζεται
τετραγωνικό. από τις σταθερές χρόνου που σχηματίζουν οι εξωτερικοί και παρασιτικοί πυκνωτές με τις
αντιστάσεις του ενισχυτή.
• Μια τέτοια διορθωτική επέμβαση μπορεί να είναι η παράλληλη σύνδεση ενός
πυκνωτή στην αντίσταση Rs του ενισχυτή. • Η πληροφορία για τη συμπεριφορά ενός ενισχυτή μπορεί να ληφθεί τόσο από την απόκριση
συχνότητας, όσο και από την απόκριση χρόνου.
Άσκηση 1η
Να προσδιοριστεί η συνάρτηση μεταφοράς

(απόκριση συχνότητας μέτρου) του
κυκλώματος του διπλανού σχήματος σε
σχέση με τα παθητικά στοιχεία που το
απαρτίζουν. Να προσδιοριστούν επίσης οι
πόλοι του κυκλώματος.
R 2 / sC
Vo (s) R 2 // ZC R 2 + 1 / sC R 2 / sC
H (s ) = = = = =
Ασκήσεις 3ης ενότητας Vi (s) R1 + ( R 2 // ZC ) R + R 2 / sC
1
R 1 ( R 2 + 1 / sC) + R 2 / sC
R 2 + 1 / sC
1 / CR1
⇒ H (s) =
s + 1 / C ( R 1 // R 2 )
Το κύκλωμα παρουσιάζει έναν πόλο: p = −1 / C ( R 1 // R 2 )

Η συνάρτηση μεταφοράς του παρακάτω κυκλώματος παρουσιάζει ένα μηδενικό
που ισούται με -10 και έναν πόλο που ισούται με -1. Προσδιορίστε τη συνάρτηση
μεταφοράς του κυκλώματος υπολογίζοντας κατάλληλη πολλαπλασιαστική σταθερά,
έτσι ώστε η ενίσχυση του κυκλώματος στο συνεχές να είναι 0 dB. Στη συνέχεια,
εάν R2 = 1 MΩ, προσδιορίστε τις τιμές των υπολοίπων στοιχείων του κυκλώματος.
(s − z1 ) s + 10
H (s ) = k ⋅ = k⋅
(s − p1 ) s +1 Vo (s) ZC + R 2 R 2Cs + 1
H (s ) = = =
Vi (s) ( ZC + R 2 ) + R 1 ( R 1 + R 2 )Cs + 1
Στο συνεχές ισχύει s=0, επομένως H(s) = k ⋅ 10.

Επίσης, δίνεται ενίσχυση στο συνεχές ίση με 0 dB δηλ. |H(jω)|=1 (για ω = 0). 0.1 ⋅ s + 1
H (s ) = R 2C = 0.1 ⇒ C = 0.1 μF
Από τα παραπάνω προκύπτει: k ⋅ 10 = 1 ⇒ k = 0.1 (πολλαπλασιαστική σταθερά). s +1
0.1 ⋅ s + 1
H (s ) = R2 = 1 MΩ ( R 1 + R 2 ) C = 1 ⇒ R 1 = 9 MΩ
s +1
Η απόκριση ενός ενισχυτή περιγράφεται από την παρακάτω σχέση: 106 106
20 log A = 20 log100 − 20 log 1 + ⇒ 20 log 1 + = 20 log100 − 20 log A
100 Προσδιορίστε τις συχνότητες για f2 f2
A=− τις οποίες το μέτρο της ενίσχυσης
⎛ f ⎞ ⎛ 103 ⎞ 106 ⎛ 106 ⎞ ⎛ 106 ⎞
⎜1 + j 6 ⎟ ⋅ ⎜⎜1 − j ⎟ είναι 10 dB κάτω από τη μέγιστη ⇒ 20 log 1 + = 10 ⇒ 10 log⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ = 10 ⇒ log⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ = 1 ⇒
⎝ 10 ⎠ ⎝ f ⎟⎠ τιμή της ενίσχυσης. f 2
⎝ f ⎠ ⎝ f ⎠
Από τη θεωρία προέκυψε ότι η απόκριση ενός ενισχυτή δίνεται ως εξής: 106 106 106 1000
⇒1+ 2
= 101 ⇒ 2 = 9 ⇒ f = ⇒f = Hz ⇒ f = f1 = 333.3 Hz
f f 9 3
Am ⋅ τLs Am Am = −100
A(s) = =
(τHs + 1) ⋅ (τLs + 1) ⎛ f ⎞ ⎛ f ⎞ fL = 1 kHz
⎜⎜1 + j ⎟⎟ ⋅ ⎜1 − j L ⎟
⎝ fH ⎠ ⎝ f ⎠ fH = 1 MHz
Επομένως, στην περιοχή χαμηλών συχνοτήτων, η απόκριση του ενισχυτή

περιγράφεται από την παρακάτω σχέση:
100 100
A=− 3
⇒ A =
10 10
6
1− j 1 +
f f2
Με ανάλογο τρόπο, για την περιοχή των υψηλών συχνοτήτων, όπου η απόκριση του Ένας ενισχυτής αποτελείται από τρεις όμοιες βαθυπερατές βαθμίδες που είναι
ενισχυτή προσδιορίζεται από την παρακάτω σχέση, υπολογίζεται ότι η συχνότητα f2 απευθείας συνδεδεμένες μεταξύ τους (δηλ. χωρίς πυκνωτές σύζευξης), δεν
για την οποία η ενίσχυση είναι 10 dB κάτω από τη μέγιστη τιμή της. αλληλεπιδρούν και παρουσιάζουν συχνότητα αποκοπής fH = 3 ΜΗz και ενίσχυση Αm
= 10 στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων. Προσδιορίστε τη συχνότητα για την
100 100 οποία το μέτρο ενίσχυσης είναι 1 dB μικρότερο από τη μέγιστη τιμή της ενίσχυσης.
A=− ⇒ A =
f f2
1+ j 6 1 + 12 Η απόκριση του ενισχυτή δίνεται από την παρακάτω σχέση:
10 10
3
Am Am Am A 3m Am
A= ⋅ ⋅ ⇒A= A =
f2 f2 ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
3
⎛ ⎞
3
20 log A = 20 log100 − 20 log 1 + ⇒ 20 log 1 + 12 = 20 log100 − 20 log A ⎜1 + j f ⎟ ⎜1 + j f ⎟ ⎜1 + j f ⎟
2
1012
10 ⎜1 + j f ⎟ ⎜ 1+ f 2 ⎟
⎜
⎝
⎟ ⎜
fH ⎠ ⎝ ⎟ ⎜
fH ⎠ ⎝ f H ⎟⎠ ⎜ f H ⎟⎠ ⎜ fH ⎟
⎝ ⎝ ⎠
f2 ⎛ f2 ⎞ ⎛ f2 ⎞
⇒ 20 log 1 + 12
= 10 ⇒ 10 log⎜⎜1 + 12 ⎟⎟ = 10 ⇒ log⎜⎜1 + 12 ⎟⎟ = 1 ⇒
10 ⎝ 10 ⎠ ⎝ 10 ⎠
f2 f2 Am Am Am
⇒1+ = 101
⇒ = 9 ⇒ f = 9 ⋅ 1012 ⇒ f = 3 ⋅ 106 Hz ⇒ f = f 2 = 3 MHz
1012 1012
⎛
3 3
Ακολουθώντας την τεχνική σταδιακής ανάλυσης, κατά περιοχές συχνοτήτων,
f2 ⎞ ⎛ f2 ⎞
20 log A = 20 log A − 20 log ⎜ 1 + 2 ⎟ ⇒ 20 log ⎜ 1 + 2 ⎟ = 20 log A 3m − 20 log A ⇒
3
προσδιορίστε για τον ενισχυτή του σχήματος την συνάρτηση που περιγράφει την
⎜ f H ⎟⎠
m
⎜ f H ⎟⎠
⎝ ⎝ ενίσχυση τάσης Αvs. Χαράξτε επίσης την απόκριση συχνότητας μέτρου του
3 ενισχυτή (διάγραμμα Bode: μέτρο ενίσχυσης σε dB συναρτήσει του log f). Το
⎛ f2 ⎞ ⎛ f2 ⎞ ⎛ f2 ⎞ 1 τρανζίστορ του ενισχυτή είναι πολωμένο στην ενεργό περιοχή και έχει τις εξής
20 log ⎜ 1 + 2 ⎟ = 1 ⇒ 30 log ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ = 1 ⇒ log ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ = ⇒
⎜ f H ⎟⎠ ⎝ fH ⎠ ⎝ f H ⎠ 30 παραμέτρους: rπ = 1.25 kΩ, Cπ = 10 pF, Cμ = 3 pF, gm = 200 mS.
⎝
f2 1 f2 1 1
1 + 2 = 10 30 ⇒ 2 = 10 30 − 1 ⇒ f = f H ⋅ 10 30 − 1 ⇒ f = 0.28 ⋅ f H = 0.84 MHz
fH fH
|A| (dB)
20 log A 3m = 60
20 log Α3m =
59
50
20 log 103 = 60
40
30
20 log 0.84⋅106 = 5.9

10
1 Hz 10 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz
0 1 2 3 4 5 6 log f
Στις χαμηλές συχνότητες:
R B = R 1 // R 2 = 17.64 kΩ
R i = R B // rπ = 1.17 kΩ
1
R ′L = R L // R C τ1 = ( R s + R i )C1 ⇒ f1 = = 3.5 Hz
2πτ1
Στις μεσαίες συχνότητες:
1
τ 2 = ( R C + R L )C 2 ⇒ f 2 = = 160 Hz
2πτ2
Επειδή, f2 > f1 η κυρίαρχη συχνότητα στην περιοχή χαμηλών συχνοτήτων είναι η f2.
A m = −26.17
Άρα η κατώτερη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή είναι: fL = f2 = 160 Hz.
Στις υψηλές συχνότητες: Η συνάρτηση μεταφοράς του ενισχυτή προσεγγίζεται από την παρακάτω σχέση:
Am ⋅ τLs Am τ L = τ 2 = 1 ms
Av (s) = = τ H = τi = 270 ns
(τHs + 1) ⋅ (τLs + 1) ⎛ f ⎞ ⎛ f ⎞
⎜⎜1 + j ⎟⎟ ⋅ ⎜1 − j L ⎟ f L = f 2 = 160 Hz
⎝ fH ⎠ ⎝ f ⎠
f H = f i = 589 ⋅103 Hz
|Av| (dB)
Ceq = C π + (1 + g m R ′L ) ⋅ Cμ = 313 pF 28.35 A m = 26.17 ⇒
25.35
20 ⋅ log 26.17 = 28.35 dB
τi = (R i // R s )Ceq = 270 ns, το = R ′L Cμ = 1.5 ns
Αφού τi > το η κυρίαρχη (δηλ. η μικρότερη) συχνότητα στην περιοχή log160 = 2.20
υψηλών συχνοτήτων είναι αυτή που αντιστοιχεί στο κύκλωμα εισόδου: log 589 ⋅103 = 5.77
1
τH = τi = (Ri // Rs )Ceq ⇒ f H = = 589 kHz 1 2
fL =160 Hz
3 4 5 6 Log f
2πτH fH =589 kHz
Να προσδιορίσετε την ενίσχυση ρεύματος Αis = iL / is για τον ενισχυτή του C2
παρακάτω σχήματος σε όλη την περιοχή των συχνοτήτων. Το τρανζίστορ R B = R 1 // R 2 = 17.64 kΩ
είναι πολωμένο στην ενεργό περιοχή και έχει τις ίδιες παραμέτρους με
εκείνο της προηγούμενης άσκησης. R i = R B // rπ = 1.17 kΩ s s
C
L
R 'L = R L // R C = 0.5 kΩ L
Στις μεσαίες συχνότητες: Στις χαμηλές συχνότητες:

0.5 RC 1
i L = −g m v i ⋅ = −100 ⋅ v i τ1 = ( R s + R i )C1 ⇒ f1 = = 3.5Hz
RC + RL 2πτ1
1
i L = −100 ⋅ ( R s // R i ) ⋅ is = −86.3 ⋅ is τ 2 = ( R C + R L )C 2 ⇒ f 2 = = 160Hz
2πτ2
i
Επειδή, f2 > f1 η κυρίαρχη συχνότητα
iL
A im = = −86.3 στην περιοχή χαμηλών συχνοτήτων είναι η f2.
is Άρα η κατώτερη συχνότητα αποκοπής του
ενισχυτή είναι: fL = f2 = 160 Hz
Στην περιοχή υψηλών συχνοτήτων, η κυρίαρχη συχνότητα είναι αυτή που
αντιστοιχεί στο κύκλωμα εισόδου: log160 = 2.20
A im = 86.3 ⇒ 20 ⋅ log 86.3 = 38.6 dB
log 589 ⋅103 = 5.77
1
τH = (Ri // Rs )Ceq ⇒ fH = = 589 kHz
2πτH
|Ai| (dB)
Η συνάρτηση μεταφοράς του ενισχυτή (δηλ. η ενίσχυση ρεύματος σε όλη την
38.60
περιοχή συχνοτήτων) προσεγγίζεται από την παρακάτω σχέση:
35.60
A im ⋅ τ Ls A im
A i (s) = =
(τ H s + 1) ⋅ (τ Ls + 1) ⎛ f ⎞ ⎛ f ⎞
⎜⎜1 + j ⎟⎟ ⋅ ⎜1 − j L ⎟
⎝ fH ⎠ ⎝ f ⎠
86.3
=−
⎛ f ⎞ ⎛ 160 ⎞ 1 2 3 4 5 6 Log f
⎜1 + j ⋅ 1− j
3 ⎟ ⎜ ⎟ fL =160 Hz fH =589 kHz
⎝ 589 ⋅10 ⎠ ⎝ f ⎠
• Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές πολλών βαθμίδων που

χρησιμοποιούνται όταν απαιτούνται ενισχύσεις σήματος μεγαλύτερες από εκείνες
που μπορούν να παρέχουν οι ενισχυτές μίας βαθμίδας.
• Ενισχυτές με διαδοχικές βαθμίδες.
• Τρόποι σύζευξης βαθμίδων ενισχυτών (μέσω πυκνωτή, απευθείας, επαγωγική).
• Ενισχυτές με απευθείας σύζευξη (DC, direct coupling) ή σύνθετοι ενισχυτές:

9 Κοινού συλλέκτη – κοινού συλλέκτη (ζεύγος Darlington).
4η ενότητα
9 Κοινού συλλέκτη – κοινού εκπομπού.
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ
9 Κοινού εκπομπού – κοινής βάσης (κασκωδικός ενισχυτής).
• ∆ιαφορικός ενισχυτής τάσης (κοινού εκπομπού – κοινού εκπομπού με κοινή
αντίσταση εκπομπού) και διαφορικός ενισχυτής με MOSFET.
Ενισχυτές με διαδοχικές βαθμίδες Ενισχυτές με διαδοχικές βαθμίδες
• Όταν θέλουμε να πετύχουμε υψηλές ενισχύσεις, οδηγούμε την έξοδο μίας • Εάν για τον προσδιορισμό των ενισχύσεων των επιμέρους βαθμίδων, εξεταστεί
βαθμίδας ενισχυτή στην είσοδο μιας δεύτερης βαθμίδας κ.ο.κ. δημιουργώντας η καθεμία χωριστά, θα πρέπει η αντίσταση φορτίου κάθε βαθμίδας να είναι ίση
έναν σύνθετο ενισχυτή που αποτελείται από διαδοχικές βαθμίδες. με την αντίσταση εισόδου της βαθμίδας που ακολουθεί.
• Οι ενισχύσεις τάσης, ρεύματος και ισχύος ενός ενισχυτή με διαδοχικές βαθμίδες
δίνεται από το γινόμενο των ενισχύσεων των επιμέρους βαθμίδων. • Η αντίσταση εισόδου ενός ενισχυτή με διαδοχικές βαθμίδες ισούται με την
αντίσταση εισόδου της πρώτης βαθμίδας, ενώ η αντίσταση εξόδου του ισούται
με την αντίσταση εξόδου της τελευταίας βαθμίδας.
• Το μέγεθος των αντιστάσεων εισόδου και εξόδου διαφοροποιείται όταν

εφαρμόζεται ανατροφοδότηση.
• Ο αναλυτικός προσδιορισμός της απόκρισης συχνότητας σε ενισχυτές

πολλαπλών βαθμίδων είναι περίπλοκος, ιδιαίτερα όταν οι βαθμίδες δεν είναι
ίδιες μεταξύ τους.
• Όταν οι επιμέρους βαθμίδες είναι ίδιες, μπορούμε να προσδιορίσουμε την

ανώτερη και την κατώτερη συχνότητα αποκοπής, εάν είναι γνωστή η απόκριση
συχνότητας μίας βαθμίδας.
Ενισχυτές με διαδοχικές βαθμίδες Ενισχυτές με διαδοχικές βαθμίδες

• Περιοχή χαμηλών συχνοτήτων: • Επομένως, για το σχεδιασμό ενός ενισχυτή πολλών όμοιων βαθμίδων, απαιτείται
n
οι επιμέρους βαθμίδες να έχουν μεγαλύτερο εύρος συχνοτήτων από το επιθυμητό
Απόκριση Am ⎛ ⎞ Απόκριση εύρος συχνοτήτων του ενισχυτή πολλαπλών βαθμίδων.
συχνότητας A= ⎜ A ⎟ συχνότητας
ενισχυτή ω An = ⎜ m ⎟
1− j L ⎜ 1 − j ωL ⎟ ενισχυτή n όμοιων
μίας βαθμίδας ω ⎜
⎝ ω
⎟
⎠
βαθμίδων
ωL Κατώτερη
ωLn = ⇒ ωLn > ωL συχνότητα 1
2
1
n
−1 αποκοπής
2 n
−1 < 1
• Περιοχή υψηλών συχνοτήτων:
n
⎛ ⎞
Απόκριση Am ⎜ ⎟ Απόκριση
συχνότητας A= An = ⎜
Am ⎟ συχνότητας
ω ⎜ ω ⎟ ενισχυτή n όμοιων
ενισχυτή 1+ j
μίας βαθμίδας ωH ⎜1+ j ω ⎟ βαθμίδων
⎝ H ⎠
1 Ανώτερη συχνότητα • Γενικά, το εύρος συχνοτήτων ενός ενισχυτή πολλών ανόμοιων βαθμίδων
ωHn = ωH ⋅ 2 n
− 1 ⇒ ωHn < ωH αποκοπής καθορίζεται από τη βαθμίδα με το στενότερο εύρος συχνοτήτων.
Τρόποι σύζευξης βαθμίδων ενισχυτών Ενισχυτές με σύζευξη βαθμίδων μέσω πυκνωτή
• Η σύζευξη ενισχυτικών βαθμίδων για τη δημιουργία ενός ενισχυτή πολλών

βαθμίδων μπορεί να γίνει με τους παρακάτω τρόπους:
9 Mέσω πυκνωτή σύζευξης (capacitor coupled ή RC-coupled amplifiers).
9 Με απευθείας σύζευξη (DC, direct coupling) των βαθμίδων.
9 Μέσω μετασχηματιστή (επαγωγική σύζευξη). • Στη σύζευξη βαθμίδων μέσω πυκνωτή, οι επιμέρους βαθμίδες είναι απομονωμένες μεταξύ
τους όσον αφορά τη λειτουργία τους το συνεχές, επομένως η πόλωση της μίας βαθμίδας
δεν επηρεάζεται από τις άλλες.
• Ο τρόπος σύζευξης των βαθμίδων προσδίδει στον ενισχυτή ορισμένα
• Συνεπώς, οι βαθμίδες μπορεί να είναι ίδιες μεταξύ τους και έτσι σχεδιάζοντας τη μια από
χαρακτηριστικά, με βάση τα οποία ο ενισχυτής επιλέγεται για συγκεκριμένη
αυτές αποφεύγουμε τον σχεδιασμό των υπολοίπων.
χρήση.
• Χαρακτηριστικά της μεθόδου είναι: η απλότητα του σχεδιασμού, ο επηρεασμός της
απόκρισης συχνότητας των ενισχυτών από την παρουσία του πυκνωτή σύζευξης και η μη
αποφυγή των αντιστάσεων πόλωσης για κάθε τρανζίστορ.
Ενισχυτές με απευθείας σύζευξη (DC) Ενισχυτές με επαγωγική σύζευξη
• Απλούστερη δομή όπου η πόλωση του δεύτερου τρανζίστορ επιτυγχάνεται χωρίς αντιστάσεις, • Ο μετασχηματιστής δημιουργεί σύζευξη του εναλλασσόμενου σήματος εξόδου της πρώτης
αλλά μέσω του πρώτου τρανζίστορ. βαθμίδας προς την είσοδο της επόμενης βαθμίδας, ενώ υπάρχει απομόνωση των βαθμίδων
ως προς το συνεχές.
• Το συνεχές δυναμικό του συλλέκτη του δεύτερου τρανζίστορ είναι κατά VCB μεγαλύτερο από
το δυναμικό του συλλέκτη του πρώτου τρανζίστορ. • ∆εν καταναλώνεται ισχύς συνεχούς στον μετασχηματιστή με αποτέλεσμα την αύξηση
απόδοσης ισχύος της βαθμίδας.
• Η αύξηση αυτή θέτει περιορισμό στον αριθμό των βαθμίδων που μπορούν να συζευχθούν,
λόγω περιορισμού των περιθωρίων τάσεων πόλωσης, αλλά το πρόβλημα μπορεί να • Η ικανότητα του μετασχηματιστή να δημιουργεί ενίσχυση, συνεισφέρει στην αύξηση της
αποφευχθεί με χρήση συμπληρωματικών npn-pnp τρανζίστορ. ενίσχυσης του ενισχυτή.
Ενισχυτές με απευθείας σύζευξη (σύνθετοι ενισχυτές) Ενισχυτής κοινού συλλέκτη – κοινού συλλέκτη
• Το ζεύγος των τρανζίστορ που περιλαμβάνεται στον σύνθετο ενισχυτή ΚΣ–ΚΣ,
είναι γνωστό ως ζεύγος Darlington.
• Με τον όρο σύνθετοι ενισχυτές, εννοούμε τους ενισχυτές που προκύπτουν με
• Οι δύο συλλέκτες συνδέονται μεταξύ τους και ο εκπομπός του πρώτου
απευθείας σύζευξη βαθμίδων απλών ενισχυτών σε σύνδεση κοινού εκπομπού τρανζίστορ συνδέεται στη βάση του δεύτερου.
(ΚΕ), κοινής βάσης (ΚΒ) και κοινού συλλέκτη (ΚΣ).
• Αυτός ο τρόπος σύνδεσης οδηγεί στην ουσία σε ένα μεγαλύτερο τρανζίστορ
του οποίου ο συλλέκτης είναι οι κοινοί συλλέκτες των δύο τρανζίστορ, βάση
είναι η βάση του πρώτου τρανζίστορ και εκπομπός είναι ο εκπομπός του
• Με τον τρόπο αυτό μπορούν να συνδυαστούν τα πλεονεκτήματα των δεύτερου τρανζίστορ.
επιμέρους βαθμίδων και να σχεδιαστούν ενισχυτές με ιδιαίτερα και χρήσιμα
VC
χαρακτηριστικά.
• Από τους εννέα δυνατούς συνδυασμούς, ιδιαίτερο ενδιαφέρον παρουσιάζουν οι

τρεις (ΚΣ–ΚΣ, ΚΣ–ΚΕ, ΚΕ–ΚΒ), καθώς και ο διαφορικός ενισχυτής τάσης (ΚΕ–ΚΕ
με κοινή αντίσταση εκπομπού).
Ενισχυτής κοινού συλλέκτη – κοινού συλλέκτη Ενισχυτής κοινού συλλέκτη – κοινού εκπομπού
• Όταν εκτός από μεγάλη ενίσχυση ρεύματος και μεγάλη αντίσταση εισόδου
• Η ενίσχυση ρεύματος είναι περίπου ίση με το γινόμενο των ενισχύσεων απαιτείται και μεγάλη ενίσχυση τάσης, τότε η λύση είναι ο σύνθετος ενισχυτής
ρεύματος των δύο τρανζίστορ. κοινού συλλέκτη – κοινού εκπομπού (ΚΣ–ΚΕ).
• Ουσιαστικά, ένας ενισχυτής ΚΣ–ΚΕ προκύπτει εάν σε μία απλή βαθμίδα κοινού
• Η ενίσχυση ρεύματος και η αντίσταση εισόδου είναι αυξημένη κατά hfe φορές
εκπομπού (ΚΕ) αντικαταστήσουμε το τρανζίστορ με ένα ζεύγος Darlington.
περίπου, από ότι σε έναν απλό ενισχυτή ΚΣ, η δε αντίσταση εξόδου είναι πολύ
μικρότερη. • Η αντίσταση εξόδου του σύνθετου ενισχυτή ΚΣ–ΚΕ είναι υψηλή και ίδια
περίπου με την αντίσταση συλλέκτη RC.
• Η συχνότητα μοναδιαίας ενίσχυσης (fT) του ζεύγους Darlington είναι περίπου
hfe φορές μικρότερη από εκείνη που παρουσιάζει καθένα από τα τρανζίστορ
του ζεύγους.
• Η ενίσχυση τάσης πλησιάζει περισσότερο προς τη μονάδα από ότι σε ένα

ενισχυτή απλής βαθμίδας ΚΣ, καθιστώντας τον σύνθετο ενισχυτή έναν καλό
απομονωτή τάσης (voltage buffer).
• Η παρουσία του ζεύγους Darlington είναι συχνή σε ολοκληρωμένους ενισχυτές

και σε εφαρμογές όπου απαιτείται υψηλή ενίσχυση ρεύματος.
Κασκωδικός ενισχυτής Κασκωδικός ενισχυτής
• Ο κασκωδικός (cascode) ενισχυτής είναι σύνθετος ενισχυτής που προκύπτει • Στον ενισχυτή αυτόν, η απόκριση υψηλών συχνοτήτων καθορίζεται από τη
από απευθείας σύζευξη μίας βαθμίδας κοινού εκπομπού και μίας βαθμίδας βαθμίδα ΚΕ, αφού η βαθμίδα ΚΒ έχει καλύτερη συμπεριφορά στις υψηλές
κοινής βάσης (ΚΕ–ΚΒ). συχνότητες συγκριτικά με τη βαθμίδα ΚΕ (βλέπε 3η ενότητα).
• Ο συλλέκτης της βαθμίδας ΚΕ έχει ως φορτίο την αντίσταση εισόδου της
βαθμίδας ΚΒ, η οποία όπως είδαμε στην 1η ενότητα είναι πολύ μικρή.
• Επομένως, η ισοδύναμη χωρητικότητα της βαθμίδας ΚΕ στις υψηλές
συχνότητες είναι μικρότερη στον κασκωδικό ενισχυτή από εκείνη της απλής
βαθμίδας ΚΕ [Ceq = Cπ + Cμ (1 + gm·RL)].
• Αφού στις υψηλές συχνότητες η απόκριση του ενισχυτή καθορίζεται από το
κύκλωμα εισόδου (δηλ. από την Ceq, βλέπε 3η ενότητα), η σταθερά χρόνου του
κυκλώματος εισόδου του κασκωδικού ενισχυτή είναι μικρότερη από εκείνη της
απλής βαθμίδας ΚΕ, οπότε η ανώτερη συχνότητα αποκοπής του κασκωδικού
ενισχυτή είναι μεγαλύτερη, οδηγώντας σε καλύτερη απόκριση συχνότητας.
• Ο κασκωδικός ενισχυτής έχει υψηλή αντίσταση εισόδου (όπως η βαθμίδα ΚΕ)
και υψηλή αντίσταση εξόδου (όπως η βαθμίδα ΚΒ).
• Οι ενισχύσεις τάσης και ρεύματος του κασκωδικού ενισχυτή προσεγγίζουν τις
αντίστοιχες του ενισχυτή κοινού εκπομπού.
Κασκωδικός ενισχυτής Παράδειγμα 1ο: κασκωδικός ενισχυτής

Για τον κασκωδικό ενισχυτή του σχήματος προσδιορίστε τις τιμές των
αντιστάσεων R1, R3 και RE, ώστε το μέτρο της ενίσχυσης στις μεσαίες
Αvs συχνότητες να είναι |Αvi|= 100. Για τα δύο τρανζίστορ του ενισχυτή δίνονται:
β = 200, θερμική τάση VT = 26mV, VBE = 0.75 V και VCB = 2 V.
RC = 3.5K
fH-Cascode = 5 MHz
fH-CE = 0.7 MHz
R2 = 5.2K
Στις υψηλές συχνότητες ο κασκωδικός ενισχυτής υπερέχει έναντι του ενισχυτή ΚΕ,
ενώ στην περιοχή χαμηλών και μεσαίων συχνοτήτων οι δύο αποκρίσεις ταυτίζονται.
Παράδειγμα 1ο: κασκωδικός ενισχυτής Παράδειγμα 1ο: κασκωδικός ενισχυτής
• Η ενίσχυση τάσης του κασκωδικού ενισχυτή είναι περίπου ίδια με εκείνη ενός ενισχυτή Αφού έχουμε
απλής βαθμίδας κοινού εκπομπού. υπολογίσει το
ρεύμα ΙC και με
• Για τον ενισχυτή κοινού εκπομπού είχε προκύψει στην 1η ενότητα (μετά από ανάλυση βάση τις τάσεις
στο εναλλασσόμενο) ότι:
RC = 3.5K
VCB και VBE που
δίνονται,
υπολογίζουμε τα
δυναμικά στους
κόμβους του
κυκλώματος
• Επίσης, από τη 2η ενότητα γνωρίζουμε ότι: ξεκινώντας από
τον κόμβο της
R2 = 5.2K
τάσης
τροφοδοσίας,
• Συνεπώς: όπως φαίνεται
στο διπλανό
h fe ⋅ R 'L I A ⋅V σχήμα.
A vi = = g m ⋅ R 'L = C ⋅ R 'L ⇒ I C = vi ' T
h ie VT RL VC − I C R C = 6.5 V = V8 4.5 V − VBE = 3.75 V = V5
1.75 V − VBE = 1 V = V6
k 6.5 V − VCB = 4.5 V = V7 3.75 V − VCB = 1.75 V = V3
Παράδειγμα 1ο: κασκωδικός ενισχυτής ∆ιαφορικός ενισχυτής τάσης

• Ο διαφορικός ενισχυτής τάσης (voltage differential amplifier) αποτελείται από
δύο όμοιες βαθμίδες ΚΕ με κοινή αντίσταση εκπομπού και είναι ένα από τα
πλέον χρήσιμα κυκλώματα ενισχυτών.
RC = 3.5K
• Ο διαφορικός ενισχυτής συνήθως περιλαμβάνει διπλή τροφοδοσία συνεχούς και

διπλή είσοδο.
R2 = 5.2K
1
RE = = 1 kΩ k
IC
Λειτουργία διαφορικού ενισχυτή τάσης Λειτουργία διαφορικού ενισχυτή τάσης
• Η ανάλυση της λειτουργίας του διαφορικού ενισχυτή με διπλή είσοδο γίνεται • Παρόμοια διεργασία συμβαίνει εάν εφαρμόσουμε σήμα μόνο στη δεύτερη
ευκολότερα με χρήση της αρχής της επαλληλίας, οπότε θεωρούμε αρχικά ότι είσοδο και μάλιστα με αντίθετη φάση απ’ ότι στην προηγούμενη περίπτωση
υπάρχει σήμα στη μία είσοδο, ενώ η άλλη είσοδος είναι γειωμένη. (v2 = − v1).
• Το σήμα της πρώτης εισόδου εμφανίζεται ενισχυμένο και ανεστραμμένο στο • Τα σήματα στους συλλέκτες είναι όμοια με την προηγούμενη περίπτωση, ενώ
συλλέκτη του πρώτου τρανζίστορ (αφού πρόκειται για βαθμίδα ΚΕ). το σήμα στους κοινούς εκπομπούς ακολουθεί τη φάση της τάσης εισόδου και
παρουσιάζει αντίθετη φάση με την προηγούμενη περίπτωση.
• Το σήμα εισόδου προκαλεί μεταβολή
του ρεύματος εκπομπού ίδιας φάσης
ie1 και εμφανίζεται στον εκπομπό
εξασθενημένο κατά 50% (ve = v1 / 2).
• H ve προκαλεί μεταβολή ρεύματος
στον εκπομπό του δεύτερου
τρανζίστορ: ie2 = − ie1.
• Συνέπεια αυτού είναι η εμφάνιση
στο δεύτερο συλλέκτη σήματος ιδίου Έστω ενίσχυση
μεγέθους και αντίθετης φάσης: τάσης -50
vo2 = − vo1, λόγω της αντίθετης
πολικότητας των ρευμάτων εκπομπών.
Λειτουργία διαφορικού ενισχυτή τάσης Ισοδύναμο κύκλωμα διαφορικού ενισχυτή στο ac

• Εάν θεωρήσουμε ότι τα δύο διαφορικά σήματα εισόδου (v2 = − v1) εφαρμόζονται
ταυτόχρονα στις εισόδους του ενισχυτή, σύμφωνα με την αρχή της επαλληλίας στους
κόμβους του κυκλώματος οι τάσεις θα ισούνται με το άθροισμα των τάσεων που υπήρχαν
όταν καθένα από τα σήματα εφαρμοζόταν μόνο του.
RC RC …
• Τα σήματα συλλεκτών γίνονται διπλάσια, ενώ το σήμα των κοινών εκπομπών μηδενίζεται.
• Στην περίπτωση εφαρμογής σημάτων εισόδου κοινού τρόπου (δηλ. v2 = v1), η ίδια ανάλυση
καταλήγει ιδανικά σε μη εμφάνιση σήματος εξόδου ανάμεσα στους συλλέκτες, και η
λειτουργία αυτή του ενισχυτή αναφέρεται ως απόρριψη σημάτων κοινού τρόπου.
Ανάλυση διαφορικού ενισχυτή στο εναλλασσόμενο Ανάλυση διαφορικού ενισχυτή στο εναλλασσόμενο
∆ιαφορικά σήματα
e εισόδου
∆ιαφορική ενίσχυση του

ενισχυτή με απλή έξοδο
Rs: αντίσταση πηγών
σήματος
∆ιαφορική ενίσχυση v o 2 − v o1 2 v o 2 v o 2
Λόγω της απόλυτης συμμετρίας του κυκλώματος (όμοια τρανζίστορ και αντιστάσεις) και λόγω του ενισχυτή A′d = = =
των διαφορικών (αντίθετων σημάτων εισόδου), τα ρεύματα εκπομπού (ie1, ie2) είναι ίσα και με διαφορική έξοδο v1 − v 2 2 v1 v1
αντίθετα, συνεπώς ο κόμβος e παρουσιάζει μηδενική τάση (συμπεριφέρεται ως εικονική γη).
• Εάν το κύκλωμα είναι απόλυτα συμμετρικό (όσον αφορά αντιστάσεις και

v1 v1 ⎫ χαρακτηριστικά τρανζίστορ), τότε για μηδενική τάση και στις δύο εισόδους,
v1 = R bi1 + v e = R bi1 ⇒ i1 = v o1 = − h fe R Ci1 = − h fe R C
Rb R b ⎪⎪ η διαφορά δυναμικού μεταξύ των συλλεκτών θα είναι μηδενική.
⇒ v o1 = − v o 2
v2 v v1 ⎬
v 2 = R bi 2 + v e = R bi 2 ⇒ i 2 = =− 1 vo2 = − h fe R Ci 2 = h fe R C ⎪ • Αν το κύκλωμα παρουσιάζει κάποια ασυμμετρία, τότε για μηδενική τάση και
Rb Rb R b ⎭⎪ στις δύο εισόδους, υπάρχει μη μηδενική τάση (DC) μεταξύ των συλλεκτών
που ονομάζεται τάση ασυμμετρίας του διαφορικού ενισχυτή.
Ανάλυση διαφορικού ενισχυτή στο εναλλασσόμενο Ανάλυση διαφορικού ενισχυτή στο εναλλασσόμενο
e Απλή πηγή Σήματα εισόδου κοινού
e
σήματος τρόπου
2
(1)
(1) R b + (1 + h fe )R E e
v e = (i e1 + i e 2 )R E = (i1 + h fei1 + i 2 + h fei 2 )R E = (1 + h fe )(i1 + i 2 )R E ⇒ i1 = − i2
(1 + h fe )R E (2)
v2
(2) ⎛
v1 = −R b ⎜⎜
Rb ⎞
+ 2 ⎟⎟ i 2 v2 = R bi 2 + ve = R bi 2 + R E (ie1 + ie 2 ) = R bi 2 + (1 + h fe )R E (i1 + i 2 ) ⇒ i 2 =
(1 + h ) R R b + 2(1 + h fe )R E
⎝ fe E ⎠
h fe R C v 2 h fe R C v1
(1) v o 2 = − h fe R Ci 2 = − =−
(1 + h fe )R E >> R b ⇒ R b + 2(1 + h fe )R E R b + 2(1 + h fe )R E
vo1 = vo2
Ενίσχυση vo2 h fe R C R
Ενίσχυση με σημάτων A CM = =− ≈− C Μηδενικό σήμα
απλή είσοδο κοινού τρόπου v1 R b + 2(1 + h fe )R E 2R E μεταξύ συλλεκτών
Απόρριψη σημάτων εισόδου κοινού τρόπου Απόρριψη σημάτων εισόδου κοινού τρόπου
• Η απόρριψη σημάτων εισόδου κοινού τρόπου είναι εφικτή μόνο σε διαφορικούς
vo2 R v R ενισχυτές.
Ad = = h fe C A CM = o2 ≈ − C
v1 − v 2 2R b v1 2R E
• Στην πράξη, τα σήματα εισόδου ενός διαφορικού ενισχυτή δεν είναι μόνο
• ∆είκτης ποιότητας του διαφορικού ενισχυτή είναι ο λόγος απόρριψης κοινού διαφορικά σήματα, ούτε μόνο σήματα κοινού τρόπου.
τρόπου (common mode rejection ratio): • Με βάση την αρχή της επαλληλίας (δηλ. εάν και τα δύο είδη σημάτων εισόδου
εφαρμοστούν ανεξάρτητα στον ενισχυτή), συμπεραίνουμε ότι ο διαφορικός
h fe R E
CMRR ≈ ενισχυτής τελικά απορρίπτει τη συνιστώσα κοινού τρόπου στην έξοδό του.
Rb
• Η σημασία της απόρριψης σημάτων κοινού τρόπου είναι μεγάλη σε εφαρμογές
όπου υπάρχει ανάγκη ενίσχυσης μικρών σημάτων, τα οποία είναι εγκλωβισμένα
Σε dB: σε ανεπιθύμητα σήματα παρεμβολών και θόρυβο.
• Για παράδειγμα, σήματα που δημιουργούνται από την ηλεκτρική δραστηριότητα

• Μεγάλες τιμές της RE οδηγούν σε μεγάλο λόγο απόρριψης κοινού τρόπου άρα σε της καρδιάς έχουν πλάτος μικρότερο των 50 μV, ενώ συνοδεύονται από σήματα
ποιοτικότερο διαφορικό ενισχυτή όσον αφορά την απόρριψη σημάτων εισόδου παρεμβολών που συχνά το πλάτος τους ξεπερνά τα 100 mV.
κοινού τρόπου. • Τα ασθενή χρήσιμα σήματα μπορούν να αναδειχθούν με χρήση ειδικών
• Επίσης, μεγάλες τιμές της RC οδηγούν σε μεγάλη διαφορική ενίσχυση. διαφορικών ενισχυτών.
Αποκρίσεις διαφορικού ενισχυτή ∆ιαφορικός ενισχυτής με MOSFET

• Ο διαφορικός ενισχυτής έχει βαθυπερατή συμπεριφορά και παρουσιάζει
σταθερή ενίσχυση στις χαμηλές και μεσαίες συχνότητες. S
G G
• Η ενίσχυση σημάτων κοινού τρόπου του ενισχυτή παραμένει σταθερή στις
χαμηλές και μεσαίες συχνότητες και αυξάνεται στις υψηλές συχνότητες.
|Αd| |ΑCM| S vo1 D D
1.0
100
Θεωρούμε αμελητέα τη διαμόρφωση μήκους καναλιού (λ), επομένως δε

λαμβάνεται υπόψη η ro ≈ 1 / λ ID (=∞) των MOSFET.
v s = g m v gs1 R s + g m v gs 2 R s ⇒
0.7
50 v s = g m R s ( v1 − v s ) + g m R s ( v 2 − v s ) ⇒
gm R s
Log f Log f vs = ( v1 + v 2 )
∆ιαφορική απόκριση συχνότητας
1 + 2 gm R s
Απόκριση κοινού τρόπου
∆ιαφορικός ενισχυτής με MOSFET Συμπεράσματα
gm R s • Υπάρχουν πολλές δυνατότητες για τη διασύνδεση απλών ενισχυτικών
vs = ( v1 + v 2 ) βαθμίδων με σκοπό τη δημιουργία πιο σύνθετων ενισχυτών.
1 + 2g m R s
• Οι ενισχυτές πολλών βαθμίδων εμφανίζουν μεγάλη ενίσχυση τάσης,
io vs = 0 ρεύματος και ισχύος.
vo1
Ο κόμβος S συμπεριφέρεται • Η σύζευξη ενισχυτικών βαθμίδων για τη δημιουργία ενός ενισχυτή πολλών
ως εικονική γη
βαθμίδων μπορεί να γίνει μέσω πυκνωτή σύζευξης, με απευθείας σύζευξη και
μέσω μετασχηματιστή (επαγωγική σύζευξη).
∆ιαφορική ενίσχυση με απλή έξοδο:
v o 2 = −g m R D v gs 2 ⇒ • Από τους δυνατούς συνδυασμούς σύζευξης απλών βαθμίδων, ιδιαίτερο
v o2 v g R
v o 2 = −g m R D ( v 2 − v s ) ⇒ Ad = = o2 = m D ενδιαφέρον παρουσιάζουν οι συνδυασμοί ΚΣ–ΚΣ, ΚΣ–ΚΕ και ο κασκωδικός
v1 − v 2 2 v1 2 ενισχυτής (ΚΕ–ΚΒ).
v o 2 = −g m R D v 2 = g m R D v1
• Επίσης, ένα από τα πιο σημαντικά κυκλώματα σύνθετου ενισχυτή αποτελεί ο
∆ιαφορική ενίσχυση με διαφορική έξοδο:
Με όμοιο τρόπο προκύπτει ότι: διαφορικός ενισχυτής τάσης, ο οποίος εκτός από τους πολλαπλούς τρόπους
v o 2 − v o1 2 v o 2 λειτουργίας που διαθέτει, εμφανίζει και το σημαντικό χαρακτηριστικό της
v o1 = − g m R D v1 v o1 = − v o 2 A′d = = = gm R D απόρριψης σημάτων κοινού τρόπου.
v1 − v 2 2 v1
Άσκηση 1η
Χρησιμοποιώντας το υβριδικό-h ισοδύναμο του διπολικού τρανζίστορ, να προσδιορίσετε το
υβριδικό-h μοντέλο για ένα ζεύγος Darlington. Θεωρείστε ότι τα τρανζίστορ έχουν το ίδιο hfe.
v1
h ieD =
hfeD⋅i1
i1
i2
h feD =
i1
Ασκήσεις 4ης ενότητας hfe⋅i1

hfe⋅ib2
Στο κύκλωμα του διαφορικού ενισχυτή του σχήματος προσδιορίστε τις τιμές των
αντιστατών RC και RE ώστε η ενίσχυση της βαθμίδας να είναι Av = vο2 / v1 = 50
v1 v1 = h ie1 i1 + h ie 2 i b 2 = και IC = 0.1 mA. Για τα δύο τρανζίστορ δίνονται: β = hfe = 250, VBE = 0.715 V,
hfe⋅i1 h ieD = θερμική τάση VT = 26 mV.
hfe⋅ib2 i1 h ie1 i1 + (1 + h fe ) i1 h ie 2
v1
h ieD = = h ie1 + (1 + h fe ) h ie 2
i1 2
i 2 = h fei1 + h fei b 2 ⇒ i 2 = h fei1 + h fe (1 + h fe )i1 ⇒
i2 VCC = 10 V
h feD = = h fe + h fe (1 + h fe ) ≈ h fe2
i1 VEE = 10 V
e Απλή πηγή σήματος στον ∆Ε
I
I B = C = 0.4 μA R b = R s + h ie = 74.6 kΩ
β 2
h fe
h fe = g m ⋅ rπ ≈ g m h ie ⇒ h ie =
gm h fe (1)
h fe = g m ⋅ rπ ≈ g m h ie ⇒ h ie =
gm (1) R b + (1 + h fe )R E
v e = (i e1 + i e 2 )R E = (i1 + h fei1 + i 2 + h fei 2 )R E = (1 + h fe )(i1 + i 2 )R E ⇒ i1 = − i2
(1 + h fe )R E (2)
VCC = 10 V IC h fe VT
gm = h ie = = 65 kΩ
VEE = 10 V VT IC (2) ⎛ Rb ⎞
v1 = −R b ⎜⎜ + 2 ⎟⎟ i 2
⎝ (1 + h fe )R E ⎠
Η τιμή της αντίστασης RE υπολογίστηκε με
I B R s + VBE + 2 I C R E − VEE = 0 ⇒ ανάλυση του κυκλώματος στο συνεχές, ενώ
στη συνέχεια ο υπολογισμός της τιμής της (1 + h fe )R E >> R b ⇒
VEE − I B R s − VBE
RE = ⇒ αντίστασης RC καθώς και των αντιστάσεων
2IC εισόδου και εξόδου του διαφορικού ενισχυτή
v o 2 h fe R C
R E = 46.4 kΩ θα διενεργηθεί με ανάλυση του ενισχυτή στο ∆ίνεται ότι Av = vο2 / v1 = 50 Av = = ⇒ R C = 29.9 kΩ
εναλλασσόμενο. v1 2R b
Να αποδειχθεί ότι στον ενισχυτή του σχήματος ισχύει η σχέση:
vo R Ισοδύναμο κύκλωμα του διαφορικού i 2 + i R1 + i R 2 = 0

= 1+ 2 ενισχυτή στο εναλλασσόμενο:
v2 R1 v2 − ve v2 v2 − vo
⇒ + + =0⇒
hie e hie h ie R1 R2
όταν R2 << hie. Θεωρείστε ότι ο πυκνωτής έχει άπειρη τιμή χωρητικότητας.
i2 ⎛ 1 1 1 ⎞ vo ve
v 2 ⋅ ⎜⎜ + + ⎟⎟ = +
v2 ⎝ h ie R 2 R 1 ⎠ R 2 h ie
v2 ⎛ R R ⎞ R
v 2 ⋅ ⎜⎜1 + 2 + 2 ⎟⎟ = v o + 2 v e
⎝ R 1 h ie ⎠ h ie
⎛ R ⎞ v R
R2 << hie v 2 ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ = v o ⇒ o = 1 + 2
⎝ R1 ⎠ v2 R1
Για τον ενισχυτή του σχήματος δύο όμοιων βαθμίδων με σύζευξη RC, να Αρχικά προσδιορίζουμε την ενίσχυση στην περιοχή των μεσαίων
προσδιορίσετε την απόκριση συχνότητας μέτρου σε όλη την περιοχή συχνοτήτων. συχνοτήτων με χρήση του παρακάτω ισοδύναμου κυκλώματος.
Για τα τρανζίστορ δίνονται: hie = 3.15 kΩ, hfe = 150, Cπ = 17 pF, Cμ=6 pF. Ω
RB = R1 // R2 = R3 // R4 = 9.14 kΩ Rα = RC1 // RB = 2.78 kΩ

Ri = RB // hie = 2.34 kΩ R′L = RC2 // RL = 2.4 kΩ
Rα Rα v
v o = −150 i b 2 R ′L v o = 150 R ′L 150 i b1 v o = 150 R ′L 150 be
R α + h ie R α + h ie h ie
Rα 1 Ri vo
v o = 150 R ′L 150 vi A vm = = 7706 ⇒ A vm = 77.7 dB
R α + h ie h ie R i + R s vi
Στη συνέχεια προσδιορίζουμε την κατώτερη συχνότητα αποκοπής με βάση το Επόμενο βήμα είναι ο προσδιορισμός της ανώτερης συχνότητας αποκοπής με βάση
ισοδύναμο κύκλωμα του ενισχυτή στην περιοχή των χαμηλών συχνοτήτων. το ισοδύναμο κύκλωμα του ενισχυτή στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων.
Cμ Cμ
Rk = Rα // hie = 1.47 kΩ
R'L = RC2 // RL = 2.4 kΩ
Οι σταθερές χρόνου των

⎛ h ⎞ κυκλωμάτων εισόδου των
Ceq1 = C π + Cμ (1 + g m R K ) = C π + Cμ ⎜⎜1 + fe R K ⎟⎟ = 443 pF
Στο κύκλωμα εμφανίζονται τρεις βρόχοι με σταθερές χρόνου: ⎝ h ie ⎠ βαθμίδων είναι προφανώς
μεγαλύτερες από εκείνες των
τ1 = (Rs + Ri) C1 = 4.88 msec κυκλωμάτων εξόδου και η
⎛ h ⎞
Ceq 2 = C π + Cμ (1 + g m R ′L ) = C π + Cμ ⎜⎜1 + fe R ′L ⎟⎟ = 709 pF μεγαλύτερη από τις σταθερές
τ2 = (RC1 + Ri) C3 = 0.063 sec ⎝ h ie ⎠ χρόνου εισόδου καθορίζει την
τ3 = (RC2 + RL) C2 = 0.1 sec ανώτερη συχνότητα αποκοπής
Στο κύκλωμα εμφανίζονται 2 βρόχοι με σταθερές χρόνου:
Η μικρότερη σταθερά χρόνου καθορίζει την 1 1 τ1 = (Rs // Ri) Ceq1 = 4.25 × 10-8 sec 1 1
ωL = ⇒ fL = = 33 Hz ωH = ⇒ fH = = 152.8 kHz
κατώτερη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή τ1 2πτ1 τ2 = Rk Ceq2 = 10.42 × 10-7 sec τ2 2πτ2
Η απόκριση συχνότητας μέτρου σε όλη την περιοχή συχνοτήτων για το Να αποδειχθεί ότι η διαγωγιμότητα του διαφορικού ενισχυτή του σχήματος
σύνθετο ενισχυτή έχει ως εξής: εκφράζεται από την παρακάτω σχέση:
dB
80 io h fe
77.7 Gm = =
74.7
v 1 2 h ie
70
Στη συνέχεια εκφράστε τη διαγωγιμότητα Gm ως συνάρτηση του ρεύματος
πόλωσης συλλέκτη των τρανζίστορ (IC) και της θερμικής τάσης (VT).
60
fL = 33 Hz
50 (log 33 = 1.5)
fH = 152.8 kHz
40
(log 152.8K = 5.2)
E
fL fH logf
30
0 2 4 6
Κατά την ανάλυση του διαφορικού Για τον διαφορικό ενισχυτή του σχήματος προσδιορίστε την παράμετρο hie
ενισχυτή με απλή πηγή σήματος και το ρεύμα πόλωσης ΙC των τρανζίστορ. Για τα διπολικά τρανζίστορ τύπου
e αποδείχθηκε ότι: pnp δίνονται: hfe = 100, VBE = − 0.7 V και VT = 26 mV.
v1
ve = − VEE + I R E R E + VEB = 0 ⇒
2
− VEE + 2I E R E − VBE = 0 ⇒
K
v v − VEE − 2I C R E − VBE = 0 ⇒
i2 = − e = − 1
h ie 2h ie h fe = g m ⋅ rπ ≈ g mE
h ie ⇒ − VEE − VBE
h fe h fe VT IC = = − 0.31 mA
h ie =
gm
=
IC 2R E
h fe i h ⇒ h ie = 8.7 kΩ
i o = −h fei 2 = v1 ⇒ G m = o = fe IC K
2h ie v1 2h ie h fe = g m ⋅ rπ ≈ g m h ie ⇒
g I VEE = 10 V
Gm = m = C I h fe h fe VT
2 2VT gm = C h ie = =
h I VT gm IC
h fe = g m ⋅ rπ ≈ g m h ie ⇒ g m = fe g m = C VCC = 10 V
h ie VT ⇒ h ie = 8.387 kΩ
Για τον διαφορικό ενισχυτή του σχήματος προσδιορίστε τα σημεία λειτουργίας
και την ενίσχυση Αd για διαφορικά σήματα εισόδου. ∆ίνονται: β = hfe = 100,
VBE = 0.7 V, VT = 26 mV, RC = 10 kΩ, Rs = 0, I = 1 mA, VCC = 10 V.
K
Αφού τα τρανζίστορ είναι όμοια και το κύκλωμα
συμμετρικό, το σταθερό ρεύμα της πηγής
h fe = g m ⋅ rπ ≈ g mE
h ie ⇒
ρεύματος μοιράζεται στους εκπομπούς των
h fe h fe VT
h ie = = τρανζίστορ, οπότε:
gm IC
⇒ h ie = 8.7 kΩ
IC K IE1 = IE2 = − (I / 2)
VEE = 10 V IE1 IE2 I B = IC β
⎛ I I ⎞
I C = − (I E + I B ) ⇒ I C = −⎜⎜ − + C ⎟⎟ ⇒
IE =−
I
2
⎝ 2 β⎠
VCC = 10 V
Ι β Ι
IC = ⋅ ⇒ I C = 0.495 mA
• Το κύκλωμα στο συνεχές είναι συμμετρικό, αφού η πηγή σήματος τάσης αντιμετωπίζεται β +1 2
ως βραχυκύκλωμα, τα τρανζίστορ είναι όμοια, όπως επίσης και οι αντιστάσεις συλλέκτη.
Επομένως τα τρανζίστορ πολώνονται με το ίδιο ρεύμα ΙC. h fe = g m ⋅ rπ ≈ g m h ie ⇒
− VCC + I C R C + VCE + VEB = 0 ⇒
• Το ρεύμα ΙC προέκυψε αρνητικό, αφού πρόκειται για ρεύμα το οποίο πολώνει στην h fe h fe VT g m = IC / V T
ενεργό περιοχή τρανζίστορ τύπου pnp. VCE = VCC − I C R C + VBE ⇒ VCE = 5.75 V h ie = = = 5.25 kΩ
gm IC
B1 h ie E h ie B2 Για τον διαφορικό ενισχυτή με MOSFET του σχήματος προσδιορίστε το λόγο
διαστάσεων W/L των τρανζίστορ, έτσι ώστε η διαφορική ενίσχυση του ενισχυτή
i e1 ie2
i1 h fe i 1 h fe i 2 i2 με απλή έξοδο Ad να ισούται με 20. Για τα MOSFET δίνονται το ρεύμα απαγωγού
v1 C1 vo1 vo2 C2 v2 ΙD = 20 μA και ο παράγοντας διαγωγιμότητας Κp = 50×10-6 μΑ/V2. Θεωρείστε
αμελητέα την επίδραση της διαμόρφωσης μήκους καναλιού (λ = 0).
RC RC
Στο ισοδύναμο
κύκλωμα, η πηγή
σταθερού ρεύματος
v1 = h iei1 + v e v 2 = h iei 2 + v e Αφού η διαμόρφωση
καναλιού θεωρείται
αντικαθίσταται από
ανοιχτό κύκλωμα. ⎛ 2v ⎞ αμελητέα (λ=0), στο
v1 − v 2 = h ie (i1 − i 2 ) ⇒ 2 v1 = h ie (i1 − i 2 ) ⇒ i 2 = −⎜⎜ 1 ⎟⎟ + i1 ισοδύναμο κύκλωμα
⎝ h ie ⎠ εναλλασσόμενου δε
λαμβάνουμε υπόψη την
ie1 = −ie 2 ⇒ (1 + h fe )i1 = −(1 + h fe )i 2 ⇒ i1 = −i 2 i 2 = − v1 h ie ro (≈ 1 / λ ID =∞) των
δύο MOSFET.
v1 v o2 v h R
v o 2 = − h fe R Ci 2 = h fe R C ⇒ Ad = = o 2 = fe C ⇒ A d = 190.5
h ie v1 − v 2 2 v1 2h ie
Άσκηση 8η
S
G G vs = gm v gs1R s + gm v gs2 R s ⇒
vs = gm R s ( v1 − vs ) + gm R s ( v 2 − vs ) ⇒
D D gm R s
vs = ( v1 + v 2 )
1 + 2gm R s
v o2 v g R vs = 0
Ad = = o2 = m D ⇒
v1 − v 2 2 v1 2
v o 2 = −g m v gs2 R D ⇒ 5η ενότητα
2Ad
gm = ⇒ g m = 0.5 mS v o 2 = −g m R D ( v 2 − v s ) ⇒ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
RD
v o 2 = −g m R D v 2
W
gm = 2β ΙD = 2 Kp ΙD
L
W g2 W
⇒ = m ⇒ = 125
L 2Kp ID L
Περιεχόμενα 5ης ενότητας Κατηγορίες ενισχυτών
• Όπως αναφέρθηκε στην ενότητα 1, οι ενισχυτές αποτελούν δίθυρα κυκλώματα
• Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση στους ενισχυτές, τα οποία προσεγγίζουν ελεγχόμενες πηγές και στα οποία εμπλέκονται τέσσερα
όπου μέρος του σήματος εξόδου ανατροφοδοτείται στην είσοδο, παρέχοντας μεγέθη (ρεύμα και τάση εισόδου, ρεύμα και τάση εξόδου).
τη δυνατότητα αντιστάθμισης ανεπιθύμητων μεταβολών στο σήμα εξόδου.
• Στους ενισχυτές (αναλογικά κυκλώματα) κάποιο από τα μεγέθη εξόδου είναι
• Κατηγορίες ενισχυτών. ανάλογο ενός μεγέθους εισόδου.
• Εισαγωγή στην ανατροφοδότηση. • Στον ενισχυτή τάσης η τάση εξόδου είναι ανάλογη της τάσης εισόδου, ενώ στον
ενισχυτή ρεύματος το ρεύμα εξόδου είναι ανάλογο του ρεύματος εισόδου.
• Αρνητική ανατροφοδότηση στους ενισχυτές.
• Οι δύο αυτοί λόγοι είναι καθαροί αριθμοί και αποτελούν την ενίσχυση τάσης (Av)
• Επίδραση της ανατροφοδότησης στη σταθερότητα της ενίσχυσης. και την ενίσχυση ρεύματος (Ai) των δύο ενισχυτών, αντίστοιχα.
• Τρόποι (τοπολογίες) ανατροφοδότησης στους ενισχυτές. • Μία τρίτη κατηγορία είναι ο ενισχυτής διαγωγιμότητας, στον οποίο το ρεύμα
• Επίδραση ανατροφοδότησης στο εύρος ζώνης συχνοτήτων. εξόδου είναι ανάλογο της τάσης εισόδου και ο λόγος αυτός αναφέρεται ως
διαγωγιμότητα (Gm) του ενισχυτή, αφού έχει διαστάσεις αγωγιμότητας (S: Α/V,
• Επίδραση αρνητικής ανατροφοδότησης στην παραμόρφωση του σήματος δηλ. δεν είναι καθαρός αριθμός).
εξόδου των ενισχυτών.
• Επίσης, μία τέταρτη κατηγορία είναι ο ενισχυτής διεμπέδησης, στον οποίο η
• Συμπεράσματα και ασκήσεις. τάση εξόδου είναι ανάλογη του ρεύματος εισόδου και ο λόγος αυτός αναφέρεται
ως διεμπέδηση (Rm) του ενισχυτή, αφού έχει διαστάσεις αντίστασης (Ω: V/A).
Κατηγορίες ενισχυτών Εισαγωγή στην ανατροφοδότηση

Ενισχυτής τάσης Ενισχυτής ρεύματος • Ανατροφοδότηση είναι η διαδικασία κατά την οποία λαμβάνουμε σήμα από την έξοδο
ενός συστήματος και το προσθέτουμε ή το αφαιρούμε από το σήμα της εισόδου.
• Στην περίπτωση πρόσθεσης σήματος πρόκειται για θετική ανατροφοδότηση, ενώ στην
περίπτωση αφαίρεσης σήματος πρόκειται για αρνητική ανατροφοδότηση.
i o
i o o
i
io i
Ενισχυτής διαγωγιμότητας Ενισχυτής διεμπέδησης

• Για παράδειγμα όταν ένας ομιλητής μιλάει μπροστά σε μικρόφωνο (είσοδος), ο ήχος
μετατρέπεται σε ηλεκτρικό σήμα από το μικρόφωνο, το οποίο ενισχύεται από τον
ενισχυτή και μετατρέπεται πάλι σε ήχο από το μεγάφωνο (έξοδος).
• Ένα μέρος από τον ήχο του μεγαφώνου εισέρχεται (προστίθεται) στο μικρόφωνο μαζί
με τον ήχο του ομιλητή, με αποτέλεσμα μεγαλύτερη έξοδο και στη συνέχεια ακόμη
μεγαλύτερο σήμα στην είσοδο.
• Αποτέλεσμα αυτής της θετικής ανατροφοδότησης είναι αρκετά αυξημένη έξοδος που
προκαλεί μικροφωνισμούς, όταν οι αποστάσεις ομιλητή-μικροφώνου και μεγαφώνου-
μικροφώνου είναι ίσες, οπότε οι δύο ήχοι φθάνουν στο μικρόφωνο χωρίς διαφορά φάσης.
Εισαγωγή στην ανατροφοδότηση Αρνητική ανατροφοδότηση στους ενισχυτές
• Παράδειγμα αρνητικής ανατροφοδότησης συναντάμε στη σταθεροποίηση τροφοδοτικών Το σήμα ανατροφοδότησης αφαιρείται
διατάξεων με τρανζίστορ, όπου όταν μεταβάλλεται η τάση εξόδου, ένα μέρος της + από το σήμα πηγής και έτσι δημιουργείται
επιστρέφει στην είσοδο (αφαιρείται) αναιρώντας το αίτιο που προκάλεσε τη μεταβολή. Α το σήμα εισόδου του ενισχυτή.
• Η συμπεριφορά κάθε ηλεκτρονικού κυκλώματος, που καθορίζεται από τη σχέση ανάμεσα - Λόγω της αφαίρεσης αυτής έχουμε
στην διέγερση (είσοδο) και την απόκριση (έξοδο) του, είναι επιθυμητό να παραμένει αρνητική ανατροφοδότηση, η οποία
σταθερή και προβλέψιμη ανεξάρτητα από τις συνθήκες λειτουργίας. μειώνει το σήμα που τελικά εμφανίζεται
β
• Στην πράξη, η συμπεριφορά των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων μεταβάλλεται λόγω φθοράς στην είσοδο του ενισχυτή
των στοιχείων τους ή λόγω των συνθηκών του περιβάλλοντος στο οποίο λειτουργούν. • A: ενίσχυση χωρίς ανατροφοδότηση ή ενίσχυση με ανοιχτό βρόχο ανατροφοδότησης.
• Επειδή οι παραπάνω παράγοντες είναι απρόβλεπτοι, θα πρέπει τα κυκλώματα να έχουν τη
δυνατότητα αυτορύθμισης, έτσι ώστε η συμπεριφορά τους να παραμένει όσο το δυνατόν
• β = xf / xo: λόγος (ή ποσοστό) ανατροφοδότησης του κυκλώματος ανατροφοδότησης.
αναλλοίωτη και να πληρούν τις επιθυμητές προδιαγραφές.
xi = xs − xf
• Η δυνατότητα αυτή παρέχεται στα κυκλώματα με την ανατροφοδότηση ή ανάδραση x o = A ⋅ (xs − xf ) x o = A ⋅ (xs − β ⋅ x ο )
xo = A ⋅ xi
(feedback) με την οποία μέρος του σήματος εξόδου ανατροφοδοτείται στην είσοδο,
έτσι ώστε να αντισταθμίζονται οι μεταβολές του σήματος εξόδου.
x o = A ⋅ x s − A ⋅ β ⋅ x ο ⇒ x o + A ⋅ β ⋅ x ο = A ⋅ x s ⇒ x o (1 + β ⋅ A ) = A ⋅ x s
• Η θετική ανατροφοδότηση συνήθως αξιοποιείται σε κυκλώματα ταλαντωτών και η αρνητική
ανατροφοδότηση σε ενισχυτές και τροφοδοτικές διατάξεις. • Af ενίσχυση με ανατροφοδότηση:
1 + βA: επιστρεφόμενη ποσότητα ή
• Η αρνητική ανατροφοδότηση παρέχει στους ενισχυτές: σταθεροποίηση της ενίσχυσης xo A ποσό ανατροφοδότησης ή
Af = = βA: ενίσχυση βρόχου
τους, αύξηση του εύρους ζώνης συχνοτήτων, δυνατότητα τροποποίησης των αντιστάσεων χαρακτηριστικό πολυώνυμο του βρόχου
εισόδου και εξόδου και μείωση της παραμόρφωσης και του θορύβου στο σήμα εξόδου.
xs 1+ β ⋅ A ανατροφοδότησης
ανατροφοδότησης
Αρνητική ανατροφοδότηση στους ενισχυτές Ανατροφοδότηση και σταθερότητα ενίσχυσης

• Για να έχουμε λοιπόν αρνητική ανατροφοδότηση, θα πρέπει xo A dA f (1 + β ⋅ Α) ⋅ Α ′ − Α ⋅ (1 + β ⋅ A)′ 1
το σήμα ανατροφοδότησης xf να έχει το ίδιο πρόσημο με το Af = = = A ′f = =
xi = xs − xf xs 1 + β ⋅ A dA (1 + β ⋅ A) 2
(1 + β ⋅ A) 2
xs και να προκύπτει μετά από την αφαίρεση ένα μικρότερο
σήμα διαφοράς xi.
1 Μεταβολή της ενίσχυσης με ανατροφοδότηση εάν η
• Αυτό συμβαίνει (δηλ. η αρνητική ανατροφοδότηση), όταν η dA f = 2
⋅ dA ενίσχυση του βασικού ενισχυτή (Α) μεταβληθεί για
ενίσχυση του βρόχου ανατροφοδότησης β⋅A είναι θετική. (1 + β ⋅ A ) οποιονδήποτε λόγο.
• Η ενίσχυση με αρνητική ανατροφοδότηση Αf είναι μικρότερη Με διαίρεση των παραπάνω σχέσεων που δίνουν τις Αf
από την ενίσχυση χωρίς ανατροφοδότηση Α (αφού για να xo A dA f 1 dA και Α προκύπτει ότι το ποσοστό μεταβολής της Af είναι
Af = = = ⋅
λάβουμε την Αf διαιρείται η Α με την ποσότητα 1 + β⋅A, η xs 1 + β ⋅ A Af 1+ β ⋅ A A αντιστρόφως ανάλογο προς την επιστρεφόμενη ποσότητα
οποία είναι μεγαλύτερη του 1). (1 + β⋅Α), που σημαίνει ότι η αρνητική ανατροφοδότηση
περιορίζει τη μεταβολή της ενίσχυσης.
Παρατήρηση: Αρχικά στο βασικό βιβλίο θεωρείται πρόσθεση σημάτων στην είσοδο β ⋅ A >> 1
(xi = xs + xf), οπότε προκύπτει ότι αρνητική ανατροφοδότηση υφίσταται όταν η Όταν η ενίσχυση βρόχου ανατροφοδότησης (β⋅Α)
ποσότητα β⋅Α είναι αρνητική και ότι η ενίσχυση διαιρείται με την ποσότητα (1 – β⋅Α). είναι πολύ υψηλή, η ενίσχυση με ανατροφοδότηση
Σε κάποια παραδείγματα αλλά και στην παράγραφο 7.11 του βασικού βιβλίου, A Α 1 Af καθορίζεται αποκλειστικά από το κύκλωμα
θεωρείται αφαίρεση σημάτων στην είσοδο (όπως παραπάνω). Af = ≈ = ανατροφοδότησης και δεν επηρεάζεται από την
Ωστόσο, η ουσία του ζητήματος της αρνητικής ανατροφοδότησης δεν αλλάζει. 1 + βΑ βΑ β
ενίσχυση του βασικού ενισχυτή.
Παράδειγμα 1ο: σταθερότητα ενίσχυσης Τοπολογίες ενισχυτών αρνητικής ανατροφοδότησης
∆ίνεται ενισχυτής με ενίσχυση χωρίς ανατροφοδότηση ίση με 5000 στον οποίο εφαρμόζεται
αρνητική ανατροφοδότηση τέτοια ώστε το ένα εκατοστό του σήματος εξόδου να επιστρέφει • Το σήμα ανατροφοδότησης σε έναν ενισχυτή μπορεί να είναι ανάλογο προς
στην είσοδο του. Να υπολογιστεί η τελική ενίσχυση του ενισχυτή με ανατροφοδότηση και την τάση ή το ρεύμα εξόδου του ενισχυτή και να εφαρμόζεται στην είσοδο
εάν για κάποιο λόγο η ενίσχυση χωρίς ανατροφοδότηση γίνει διπλάσια να υπολογιστεί το του ενισχυτή σε σειρά με την πηγή σήματος εισόδου ή παράλληλα με αυτή.
ποσοστό αύξησης της ενίσχυσης με ανατροφοδότηση.
• Ανάλογα με τον τρόπο λήψης και εφαρμογής του σήματος ανατροφοδότησης,
διακρίνουμε τέσσερις περιπτώσεις (τοπολογίες) ανατροφοδότησης:
+ Α ανατροφοδότηση τάσης σε σειρά ή παράλληλα με την πηγή σήματος εισόδου,
- ανατροφοδότηση ρεύματος σε σειρά ή παράλληλα με την πηγή σήματος εισόδου.
β • Σε όλες τις τοπολογίες (ενισχυτές) ανατροφοδότησης, η ανατροφοδότηση είναι

αρνητική και στην περιοχή των μεσαίων συχνοτήτων η ενίσχυση και ο λόγος
ανατροφοδότησης είναι πραγματικοί αριθμοί.
xo A 5000
Af = = ⇒ Af = = 98
xs 1+ β ⋅ Α 1 + 0.01 ⋅ 5000 • Οι τοπολογίες αυτές μπορούν να εξεταστούν ως ισοδύναμα κυκλώματα χωρίς
ανατροφοδότηση, στην είσοδο των οποίων υπάρχει πρόσθετη πηγή τάσης ή
10000 ρεύματος ελεγχόμενη από την έξοδο.
A = 10000 ⇒ A f = = 99
1 + 0.01 ⋅10000 • Ανάλογα με τον τύπο ανατροφοδότησης που χρησιμοποιείται, προκύπτει αύξηση
Παρατηρούμε ότι ενώ η ενίσχυση του βασικού ενισχυτή αυξήθηκε κατά 100% ή μείωση των αντιστάσεων εισόδου και εξόδου των ενισχυτών.
(διπλασιάστηκε), η ενίσχυση με ανατροφοδότηση αυξήθηκε μόνο κατά περίπου 1%.
Ανατροφοδότηση τάσης σε σειρά με την είσοδο Ανατροφοδότηση τάσης παράλληλα με την είσοδο
• Η τοπολογία ανατροφοδότησης τάσης • Η τοπολογία ανατροφοδότησης
σε σειρά με την είσοδο είναι τάσης παράλληλα με την είσοδο
κατάλληλη για ενισχυτή τάσης, αφού είναι κατάλληλη για ενισχυτή
σταθεροποιεί την ενίσχυση τάσης. διεμπέδησης, αφού σταθεροποιεί
τη διεμπέδηση του ενισχυτή.
• Επίσης, αυξάνει την αντίσταση
εισόδου (λόγω της σειριακής • Επίσης, μειώνει τις αντιστάσεις
σύνδεσης) και μειώνει την αντίσταση εισόδου και εξόδου (λόγω των
εξόδου (λόγω της παράλληλης παράλληλων συνδέσεων),
σύνδεσης), ιδιότητες που είναι ιδιότητες επιθυμητές σε ενισχυτές
επιθυμητές στους ενισχυτές τάσης. διεμπέδησης.
Ri
+ R if =
1 + βR m
+
v vo Rm Ro
A f = A vf = o Ro A f = R mf = R mf = R of =
vs R of = is 1 + βR m 1 + βR m
1 + βA v
Ανατροφοδότηση ρεύματος σε σειρά με την είσοδο Ανατροφοδότηση ρεύματος παράλληλα με την είσοδο
• Η τοπολογία ανατροφοδότησης • Η τοπολογία ανατροφοδότησης
ρεύματος σε σειρά με την είσοδο ρεύματος παράλληλα με την είσοδο
είναι κατάλληλη για ενισχυτή είναι κατάλληλη για ενισχυτή
διαγωγιμότητας, αφού ρεύματος, αφού σταθεροποιεί την
σταθεροποιεί τη διαγωγιμότητα. ενίσχυση ρεύματος.
• Επίσης, αυξάνει τις αντιστάσεις • Επίσης, μειώνει την αντίσταση

εισόδου και εξόδου (λόγω των εισόδου (λόγω της παράλληλης
σειριακών συνδέσεων), ιδιότητες σύνδεσης) και αυξάνει την
επιθυμητές σε ενισχυτές αντίσταση εξόδου (λόγω της
διαγωγιμότητας. σειριακής σύνδεσης), ιδιότητες
επιθυμητές σε ενισχυτές ρεύματος.
R if = R i (1 + βG m ) R if =
Ri
1 + βA i
io Gm
A f = G mf = G mf = R of = R o (1 + βG m ) io Ai
vs 1 + βG m A f = A if = A if = R of = R o (1 + βA i )
is 1 + βAi
Επίδραση ανατροφοδότησης στο εύρος ζώνης Επίδραση ανατροφοδότησης στο εύρος ζώνης
Στην 3η ενότητα είχαμε καταλήξει ότι η συνδυασμένη απόκριση του ενισχυτή Εάν εφαρμοστεί αρνητική ανατροφοδότηση με λόγο ανατροφοδότησης β, τα
κοινού εκπομπού λόγω της δράσης όλων των πυκνωτών (εξωτερικών και χαρακτηριστικά του ενισχυτή δίνονται από τις παρακάτω τροποποιημένες σχέσεις:
εσωτερικών) έχει την παρακάτω μορφή:
Η αρνητική
fL Am
f Lf = A fm = ανατροφοδότηση
A m ⋅ τ Ls Am (1 + βΑ m ) 1 + βA m ελαττώνει την ενίσχυση
A(s) = = και αυξάνει το εύρος
(τHs + 1) ⋅ (τLs + 1) ⎛ f ⎞ ⎛ f ⎞
⎜⎜1 + j ⎟⎟ ⋅ ⎜1 − j L ⎟ f Hf = f H (1 + β Α m ) BWf = fHf - fLf
ζώνης ενισχυμένων
⎝ fH ⎠ ⎝ f ⎠ συχνοτήτων.
Συνήθως, οι fL, fLf είναι πολύ μικρές,

Κατώτερη 1 ω 1 συνεπώς: BW ≈ fH και BWf ≈ fHf
συχνότητα ωL = ⇒ fL = L =
αποκοπής τL 2π 2πτL BW = fH - fL
A fmf Hf = A mf H
Ανώτερη Εύρος ζώνης
1 ω 1 ενισχυμένων δηλ. τo γινόμενο ενίσχυσης μεσαίων
συχνότητα ωH = ⇒ fH = H =
αποκοπής τH 2π 2πτH συχνοτήτων συχνοτήτων επί BW είναι σταθερό,
fLf fL fH fHf συνεπώς ότι «χάνεται» σε ενίσχυση
«κερδίζεται» σε BW.
Παράδειγμα 2ο: απόκριση ενισχυτή με ανατροφοδότηση Παράδειγμα 2ο: απόκριση ενισχυτή με ανατροφοδότηση
Η απόκριση ενός ενισχυτή καθορίζεται από την παρακάτω σχέση:
Am
Ao = , A m = 1000, f H = 10 4 Hz
1 + j (f/f H )
20 log1000 = 60 dB
Εάν εφαρμοστεί αρνητική ανατροφοδότηση με β = 0.1, να χαραχθούν 60 – 3 = 57 dB
σε κοινό διάγραμμα οι αποκρίσεις συχνότητας μέτρου του ενισχυτή
με και χωρίς ανατροφοδότηση.
Ενίσχυση μεσαίων συχνοτήτων Am 1000

με ανατροφοδότηση: A mf = = = 9.901
1 + βΑ m 1 + 0.1 ⋅ 1000
20 log9.9 20 dB
Για τον ενισχυτή χωρίς ανατροφοδότηση, η ανώτερη συχνότητα αποκοπής ισούται 20 – 3 = 17 dB
με fH και η κατώτερη συχνότητα αποκοπής είναι μηδενική, οπότε:
fH fHf
f Hf = f H (1 + βΑ m ) = 1.01⋅10 Hz = 1.01 MHz = BWf
6
1 2 3 4 5 6
BW = f H = 10 4 Hz Παρατηρούμε ότι: A m BW = A mf BWf = 10 MHz

Ανατροφοδότηση και παραμόρφωση ενισχυτών Ανατροφοδότηση και παραμόρφωση ενισχυτών

• Η παραμόρφωση του σήματος εξόδου Θεωρούμε ότι στο σήμα εξόδου
των ενισχυτών οφείλεται στη μη προστίθεται μία συνιστώσα vd
γραμμική λειτουργία τους. + που εκφράζει την παραμόρφωση
Α
• Η γραμμικότητα ενός ενισχυτή - του σήματος εξόδου:
προσδιορίζεται από τη χαρακτηριστική
μεταφοράς του η οποία εκφράζει τη β
σχέση εισόδου-εξόδου.
• Η κλίση της χαρακτηριστικής μεταφοράς Μετά την εφαρμογή αρνητικής ανατροφοδότησης:
εκφράζει την ενίσχυση του ενισχυτή, η
οποία μειώνεται με εφαρμογή αρνητικής
ανατροφοδότησης.
• Με μικρότερη κλίση η χαρακτηριστική
παραμένει γραμμική για μεγαλύτερη
διαδρομή. Επομένως, η συνιστώσα που εκφράζει
• Αποτέλεσμα αυτού είναι ένα σήμα την παραμόρφωση μειώνεται μετά την
Χαρακτηριστική μεταφοράς εφαρμογή αρνητικής ανατροφοδότησης.
εξόδου (πλάτους V) να παρουσιάζεται
ενισχυτή χωρίς (α) και με
λιγότερο παραμορφωμένο όταν Με παρόμοιο μηχανισμό επιτυγχάνεται και η μείωση του προστιθέμενου
εφαρμόζεται αρνητική ανατροφοδότηση. ανατροφοδότηση (b)
θορύβου στον ενισχυτή, με εφαρμογή αρνητικής ανατροφοδότησης.
Ανατροφοδότηση και παραμόρφωση ενισχυτών Συμπεράσματα
Ανάλογα προσδιορίζεται και το ποσοστό παραμόρφωσης (δηλ. • Στους ενισχυτές εφαρμόζεται αρνητική ανατροφοδότηση με στόχο την βελτίωση
το κατά πόσο αλλάζει η μορφή του σήματος εξόδου λόγω της
των χαρακτηριστικών τους.
παραμόρφωσης) μετά την εφαρμογή αρνητικής ανατροφοδότησης.
D: ποσοστό παραμόρφωσης χωρίς ανατροφοδότηση • Με εφαρμογή αρνητικής ανατροφοδότησης μπορούν να επιτευχθούν:
Df : ποσοστό παραμόρφωσης με αρνητική ανατροφοδότηση
9 Σταθερότητα ενίσχυσης.
9 Τροποποίηση αντιστάσεων εισόδου και εξόδου για καλύτερη προσαρμογή

των ενισχυτών στην πηγή και το φορτίο τους.
9 ∆ιεύρυνση του εύρους ενισχυμένων συχνοτήτων.
9 Μείωση της παραμόρφωσης του σήματος εξόδου και του παραγόμενου

θορύβου.
• Ανάλογα με τον τρόπο λήψης και εφαρμογής του σήματος ανατροφοδότησης,

χρησιμοποιούνται συνήθως τέσσερις περιπτώσεις ανατροφοδότησης:
ανατροφοδότηση τάσης σε σειρά ή παράλληλα με την πηγή σήματος εισόδου,
Σήματα εισόδου-εξόδου ενισχυτή Σήματα εισόδου-εξόδου ενισχυτή
ανατροφοδότηση ρεύματος σε σειρά ή παράλληλα με την πηγή σήματος εισόδου.
χωρίς ανατροφοδότηση με αρνητική ανατροφοδότηση
Άσκηση 1η
Σε μία εφαρμογή απαιτείται να ενισχύσουμε ένα σήμα μέσης συχνότητας κατά 100 φορές.
Για τεχνικούς λόγους, όπως σταθερότητα ενίσχυσης και μείωση παραμόρφωσης, επιλέγουμε
να χρησιμοποιήσουμε για την εφαρμογή αυτή ενισχυτή με ανατροφοδότηση στον οποίο η
ενίσχυση του βρόχου ανατροφοδότησης είναι ίση με 9.
Να προσδιορίσετε: (α) την ενίσχυση με ανοιχτό βρόχο ανατροφοδότησης του ενισχυτή
που θα χρησιμοποιηθεί για την εν λόγω εφαρμογή, (β) το ποσοστό του σήματος εξόδου
που επιστρέφεται (αφαιρείται) στην είσοδο του ενισχυτή, (γ) τη μείωση της ενίσχυσης
του ενισχυτή λόγω ανατροφοδότησης σε dB.
Αφού απαιτείται ο ενισχυτής με ανατροφοδότηση να ενισχύσει το σήμα κατά 100 φορές,
τότε Αf = 100. Επίσης, δίνεται ότι η ενίσχυση του βρόχου ανατροφοδότησης ισούται με 9,
δηλ. β⋅Α = 9. Επομένως, η ενίσχυση με ανοιχτό βρόχο ανατροφοδότησης έχει ως εξής:
Ασκήσεις 5ης ενότητας Af =

A
⇒ A = A f (1 + βΑ) ⇒ Α = 100 (1 + 9) ⇒ A = 1000
1 + βΑ
Ποσοστό του σήματος εξόδου 9

που αφαιρείται από την είσοδο:
β⋅A = 9 ⇒ β = = 0.009 ⇒ 0.9%
1000
A f σε dB = 20 log A f = 20 log 100 = 20 ⋅ 2 = 40
A − A f = 60 − 40 = 20 dB
A σε dB = 20 log A = 20 log 1000 = 20 ⋅ 3 = 60
∆ίνεται το βασικό κύκλωμα ενισχυτή τάσης του παρακάτω σχήματος με στοιχεία
Α = 1000, Ri = 100 kΩ, Ro = 100 Ω, R1 = 90 kΩ, R2 = 10 kΩ, RL = 1 kΩ, όπου Πρόκειται για ενισχυτή με
εφαρμόζεται αρνητική ανατροφοδότηση μέσω του διαιρέτη τάσης που αρνητική ανατροφοδότηση
σχηματίζεται από τις αντιστάσεις R1 και R2. Να προσδιοριστούν: η ενίσχυση τάσης σε σειρά με την είσοδο.
τάσης πριν και μετά την εφαρμογή της ανατροφοδότησης και οι αντιστάσεις Συνεπώς, αναμένεται
εισόδου και εξόδου μετά την εφαρμογή της ανατροφοδότησης. Υποθέστε ελάττωση της ενίσχυσης
ιδανικές συνθήκες ανατροφοδότησης, δηλ. ότι η είσοδος και το φορτίο δεν τάσης, αύξηση της αντίστασης
επηρεάζουν το μονοπάτι ανατροφοδότησης. εισόδου και μείωση της
αντίστασης εξόδου.
Ενίσχυση τάσης RL
A vi
πριν την εφαρμογή vo R L + R o RL
ανατροφοδότησης Av = = ⇒ Av = A = 909
vi vi RL + Ro
R2 Ενίσχυση τάσης
vo Av
vf R1 + R 2 R2 A vf = = 9.9 μετά την εφαρμογή
β= = = = 0.1 1 + βΑ v ανατροφοδότησης
vo vo R1 + R 2
Στο παρακάτω κύκλωμα η παρουσία της Rf = 1 kΩ δημιουργεί
ανατροφοδότηση της εξόδου προς την είσοδο. Να προσδιοριστούν:
η διαγωγιμότητα του κυκλώματος πριν και μετά την εφαρμογή της
ανατροφοδότησης και οι αντιστάσεις εισόδου και εξόδου μετά την εφαρμογή
της ανατροφοδότησης. Για το τρανζίστορ δίνονται: rπ = 5 kΩ, ro = 300 kΩ και
gm = 100 mS. Υποθέστε ιδανικές συνθήκες ανατροφοδότησης, δηλ. ότι η
είσοδος και το φορτίο δεν επηρεάζουν το μονοπάτι ανατροφοδότησης.
R if = R i (1 + βΑ v ) ⇒ R if = 9,19 MΩ
Ro
R of = ⇒ R of = 1,09 Ω
1 + βΑ v
⇔ ⇔
Πρόκειται για ενισχυτή με αρνητική ανατροφοδότηση ρεύματος σε σειρά με την ∆ιαγωγιμότητα

είσοδο. Συνεπώς, αναμένεται ελάττωση της διαγωγιμότητας και αύξηση των
Gm
μετά την εφαρμογή G mf = ⇒ G mf = 1 mS
αντιστάσεων εισόδου και εξόδου. ανατροφοδότησης 1 + βG m
∆ιαγωγιμότητα i o g m vi
πριν την εφαρμογή
ανατροφοδότησης
Gm =
vi
≈
vi
= g m ⇒ G m = 100 mS R if = R i (1 + βG m ) ⇒ R if = rπ (1 + βG m ) ⇒ R if = 505 kΩ
β=
vf R f io
= = R f ⇒ β = 1000 Ω R of = R o (1 + β G m ) ⇒ R of = ro (1 + βG m ) ⇒ R of = 30.3 MΩ
io io
Στο παρακάτω σχήμα δίνονται δυο ίδιοι ενισχυτές, ο ένας χωρίς
ανατροφοδότηση και ο άλλος με ανατροφοδότηση. Τα τρανζίστορ και στους
Πρόκειται για ενισχυτή με
δύο ενισχυτές βρίσκονται στη ίδια κατάσταση πόλωσης. Η ενίσχυση ρεύματος
ανατροφοδότηση ρεύματος
του ενισχυτή χωρίς ανατροφοδότηση είναι Αi = io / is = − 705, η αντίσταση
παράλληλα με την είσοδο.
εισόδου Ri = 71 kΩ και η αντίσταση εξόδου Ro = 61 kΩ. Να προσδιορίσετε τα
Συνεπώς, αναμένεται μείωση της
μεγέθη αυτά και για τον ενισχυτή με ανατροφοδότηση. Υποθέστε ιδανικές
ενίσχυσης ρεύματος, μείωση της
συνθήκες ανατροφοδότησης, δηλ. ότι η είσοδος και το φορτίο δεν επηρεάζουν
is αντίστασης εισόδου και αύξηση της
το μονοπάτι ανατροφοδότησης.
αντίστασης εξόδου.
RE
− io
i RE + Rf RE
β= f = =− = − 0.0123
io io RE + Rf
is is
Το αρνητικό πρόσημο που προκύπτει για το β δεν μας ανησυχεί αφού το Α i που
δίνεται στην εκφώνηση είναι επίσης αρνητικό, με αποτέλεσμα η ενίσχυση βρόχου
ανατροφοδότησης (βΑi) να προκύπτει θετική, γεγονός που υποδεικνύει αρνητική
Ενισχυτής χωρίς ανατροφοδότηση Ενισχυτής με ανατροφοδότηση ανατροφοδότηση.
Στο παρακάτω σχήμα δίνεται ενισχυτής που περιλαμβάνει αντίσταση
ανατροφοδότησης Rf = 120 kΩ και αντίσταση στο συλλέκτη του τρανζίστορ
RC = 2 kΩ. Η διεμπέδηση του ενισχυτή χωρίς την αντίσταση ανατροφοδότησης
είναι Rm = − 0.1 ΜΩ. Να προσδιορίσετε τη διεμπέδηση του ενισχυτή με την
αντίσταση ανατροφοδότησης. Υποθέστε ιδανικές συνθήκες ανατροφοδότησης,
δηλ. ότι η είσοδος και το φορτίο δεν επηρεάζουν το μονοπάτι ανατροφοδότησης.
is
VCC
Για τον ενισχυτή με ανατροφοδότηση τα ζητούμενα στοιχεία έχουν ως εξής: RC

Rf
if +
Ai Ri
A if = = −72.9 R if = = 7.3 kΩ
1 + βA i 1 + βA i ii vo
is
R of = (1 + βA i ) ⋅ R o = 590 kΩ −
Στο παρακάτω σχήμα δίνονται δυο ίδιοι ενισχυτές διεμπέδησης, ο ένας χωρίς
Πρόκειται για ενισχυτή διεμπέδησης ανατροφοδότηση και ο άλλος με ανατροφοδότηση. Τα τρανζίστορ και στους δύο
με ανατροφοδότηση τάσης ενισχυτές βρίσκονται στη ίδια κατάσταση πόλωσης. Η διεμπέδηση του ενισχυτή
παράλληλα με την είσοδο. Συνεπώς, χωρίς ανατροφοδότηση είναι Rm = − 1 ΜΩ, η αντίσταση εισόδου Ri = 71 kΩ και
VCC η αντίσταση ανατροφοδότησης η αντίσταση εξόδου Ro = 70 Ω. Να προσδιορίσετε τα μεγέθη αυτά και για τον
προκαλεί μείωση της διεμπέδησης. ενισχυτή με ανατροφοδότηση, καθώς και την ενίσχυση τάσης πριν και μετά την
RC εφαρμογή της ανατροφοδότησης. Υποθέστε ιδανικές συνθήκες ανατροφοδότησης,
Rf vi − vo − vo δηλ. ότι η είσοδος και το φορτίο δεν επηρεάζουν το μονοπάτι ανατροφοδότησης.
if + i Rf Rf 1
β= f = ≈ ⇒β = − = − 8.33 ⋅ 10 − 3 mS
ii
vo vo vo Rf
vo
is
− R m = − 0.1 MΩ 1 + βR m = 1.83
is is
Rm
R mf = = − 54.6 kΩ
1 + βR m
Ενισχυτής χωρίς ανατροφοδότηση Ενισχυτής με ανατροφοδότηση
Πρόκειται για ενισχυτή διεμπέδησης

με ανατροφοδότηση τάσης
παράλληλα με την είσοδο. Συνεπώς,
αναμένεται μείωση της διεμπέδησης
και των αντιστάσεων εισόδου και is
is
εξόδου και σταθερή ενίσχυση τάσης.
vo
vi − v o − vo
Ενίσχυση τάσης χωρίς vo i R
if Rf Rf 1 1 + βR m = 9.33 ανατροφοδότηση: Av = = i = m ⇒ A v = −14.08
β= = ≈ ⇒β = − = − 8.33 ⋅ 10 − 3 mS vi vi Ri
vo vo vo Rf
ii
Με όμοιο τρόπο
Rm Ri Ro R mf
R mf = = −107 kΩ R if = = 7.6 kΩ R of = = 7.5 Ω υπολογίζεται η ενίσχυση A vf = = − 14 .08 = σταθερή
1 + βR m 1 + βR m 1 + βR m τάσης με R if
ανατροφοδότηση:
Η απόκριση ενός ενισχυτή καθορίζεται από τη διπλανή log10 = 1 log 100 = 2
σχέση. Εάν εφαρμοστεί αρνητική ανατροφοδότηση με 100 A m = 100 ⇒ 20 ⋅ log 100 = 40 dB
Ao =
β = 0.09 στον ενισχυτή αυτόν, να προσδιοριστούν η ⎛ j100⎞ ⎛ jf ⎞
ενίσχυση μεσαίων συχνοτήτων και το εύρος ζώνης ⎜1 − ⎟ ⋅ ⎜1 + ⎟ A mf = 10 ⇒ 20 ⋅ log 10 = 20 dB
⎝ f ⎠ ⎝ 5 ⋅104 ⎠
ενισχυμένων συχνοτήτων με και χωρίς ανατροφοδότηση.
|A| (dB) Απόκριση συχνότητας μέτρου
χωρίς ανατροφοδότηση
Am Αm = 100 40
Ao = 37
⎛ jf L ⎞ ⎛ jf ⎞
⎜1 − ⎟ ⋅ ⎜⎜1 + ⎟⎟
⎝ f ⎠ ⎝ fΗ ⎠ BW = fH – fL = 5⋅104 – 100 =49.9 kHz Απόκριση συχνότητας
μέτρου με ανατροφοδότηση
20
fL Am
1 + β ⋅ A m = 10 f Lf = = 10 Hz A mf = = 10 17
1 + βA m 1 + βA m
f Hf = (1 + βA m ) ⋅ f H = 5 ⋅ 105 Hz BWf = fHf – fLf = 499.99 kHz

1 2 3 4 5 Log f
• Στην έκτη ενότητα, θα μελετήσουμε τον τελεστικό ενισχυτή, ΤΕ, (operational
amplifier, op-amp) που αποτελεί το πιο χρήσιμο αναλογικό κύκλωμα.
• Εισαγωγή στον τελεστικό ενισχυτή.
• Ιδανικός τελεστικός ενισχυτής και εφαρμογές τελεστικού ενισχυτή.
• Ενισχυτής θετικής ενίσχυσης (μη αναστρέφων) και αρνητικής ενίσχυσης
(αντιστροφέας) .
• Ανάλυση κυκλωμάτων με τελεστικούς ενισχυτές.
• Ενισχυτής διαφοράς και κυκλώματα αθροιστών με τελεστικό ενισχυτή.
6η ενότητα • Κυκλώματα ολοκληρωτή και διαφοριστή.
ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ • Ενισχυτής διαφορικής εισόδου και ενισχυτής διαφορικής εισόδου και εξόδου.
• Ενισχυτές οργανολογίας.
• Μετατροπέας ρεύματος σε τάση, κυκλώματα ανορθωτών και συγκριτές τάσης.
• Απόκριση συχνότητας τελεστικών ενισχυτών.
Εισαγωγή στον τελεστικό ενισχυτή (TE) Ιδανικός τελεστικός ενισχυτής (ΙΤΕ)

• Οι ΤΕ κατασκευάζονται ως ολοκληρωμένα κυκλώματα (integrated circuits) με όλα τα • Στον ΙΤΕ, η ενίσχυση τάσης ανοικτού βρόχου
στοιχεία τους στην ίδια ψηφίδα (chip) και βρίσκουν πλήθος εφαρμογών. (ή ενίσχυση στο συνεχές) θεωρείται ότι έχει
• Ο ΤΕ διαθέτει 5 βασικούς ακροδέκτες: δύο εισόδους, μία έξοδο και δύο τροφοδοσίες άπειρη τιμή και ανεξάρτητη της συχνότητας
(οι οποίες όμως δεν διακρίνονται στο σύμβολο αφού συνήθως ενδιαφερόμαστε για τη (άπειρο εύρος ζώνης), αλλά ο ΙΤΕ δεν
συμπεριφορά των ενισχυτών στο εναλλασσόμενο). χρησιμοποιείται χωρίς ανατροφοδότηση, Ισοδύναμο
• ∆ιαφορική είσοδος στον ΤΕ: ακροδέκτης αντιστροφής (-) και ακροδέκτης μη αντιστροφής οπότε στις εφαρμογές του η ενίσχυση κύκλωμα
(+). Η έξοδος είναι σε φάση (ίδιο πρόσημο) με v1 και σε διαφορά φάσης 180ο με v2. εξαρτάται από το κύκλωμα ανατροφοδότησης. ITE
• Ο ΤΕ είναι ένας ενισχυτής τάσης πολλαπλών βαθμίδων απευθείας σύζευξης που είναι Στον ΙΤΕ, η διαφορά δυναμικού
κατασκευασμένος για να ανιχνεύει τη διαφορά των σημάτων τάσης που εφαρμόζονται (Αο = ∞)
στους ακροδέκτες εισόδου είναι
στους ακροδέκτες εισόδου (v1 – v2), να πολλαπλασιάζει τη διαφορά αυτή με Αο (ενίσχυση ⇒ μηδενική, οπότε οι τάσεις στους
τάσης ανοικτού βρόχου) και να προκαλεί την εμφάνιση του αποτελέσματος Αο (v1 – v2)
στον ακροδέκτη εξόδου. ακροδέκτες εισόδου είναι ίσες
(ιδιότητα αντιγραφής τάσεων).
• Η διαφορική ενίσχυση τάσης ανοικτού βρόχου Αο (ενίσχυση τάσης χωρίς ανατροφοδότηση)
του ΤΕ είναι πολύ υψηλή, η αντίσταση εισόδου είναι υψηλή και η αντίσταση εξόδου χαμηλή. • Ο ΙΤΕ δεν «τραβάει» ρεύμα από τις εισόδους του (i1 = i2 = 0), δηλ. ο ΙΤΕ δεν
φορτώνει τα κυκλώματα προς τα οποία συνδέεται, συνεπώς η αντίσταση εισόδου
Σύμβολο ΤΕ θεωρείται άπειρη.
• Η έξοδος του ΙΤΕ δρα ως ακροδέκτης ιδανικής πηγής τάσης ελεγχόμενης από
τάση, δηλ. η τάση εξόδου δεν επηρεάζεται από το φορτίο στο οποίο συνδέεται,
συνεπώς η αντίσταση εξόδου θεωρείται μηδενική.
Εφαρμογές τελεστικού ενισχυτή Ακολουθητής τάσης
• Ο ΤΕ χρησιμοποιείται σε πολλές εφαρμογές που εντάσσονται κυρίως στην
κατηγορία της επεξεργασίας αναλογικών σημάτων.
vo
• Κυκλώματα ΤΕ με ανατροφοδότηση χρησιμοποιούνται για την εκτέλεση v+ = v− = vo ⇒ vs = vo ⇒ Av = =1
αρκετών μαθηματικών λειτουργιών, όπως: vs
9 Πολλαπλασιασμός σήματος με θετική σταθερά (ενισχυτής θετικής

ενίσχυσης ή μη αναστρέφων ενισχυτής).
• Εφαρμόζεται ολική ανατροφοδότηση (β=1) και η ενίσχυση του κυκλώματος
9 Πολλαπλασιασμός σήματος με αρνητική σταθερά (ενισχυτής αρνητικής είναι μοναδιαία, που σημαίνει ότι η τάση εξόδου είναι ίση με την τάση εισόδου.
ενίσχυσης ή αντιστροφέας).
• Ο ΤΕ είναι κατάλληλος για την εφαρμογή αυτή επειδή έχει πολύ υψηλή
9 Πρόσθεση και αφαίρεση σημάτων. αντίσταση εισόδου και πολύ μικρή αντίσταση εξόδου.
9 Ολοκλήρωση και διαφόριση σήματος. • Η αντίσταση εισόδου είναι πολύ υψηλή, συνεπώς δεν επηρεάζει την τάση
εξόδου του κυκλώματος στο οποίο συνδέεται, ενώ η αντίσταση εξόδου είναι
9 Ανόρθωση και σύγκριση σημάτων. πολύ μικρή, συνεπώς το κύκλωμα δεν επηρεάζεται από το φορτίο που του
συνδέεται.
• Τα κυκλώματα ΤΕ που εκτελούν τις λειτουργίες αυτές μπορούν να
συνδυαστούν για την υλοποίηση πιο σύνθετων λειτουργιών. • Έτσι, ο ακολουθητής τάσης είναι χρήσιμος απομονωτής μεταξύ πηγής και
φορτίου (π.χ. μεταξύ ενός αισθητήρα και μίας συσκευής ένδειξης).
Ενισχυτής θετικής ενίσχυσης (μη αναστρέφων) Ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης (αντιστροφέας)

• Το κύκλωμα ανατροφοδότησης του ενισχυτή • Ο ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης έχει παρόμοια
αυτού, υλοποιείται με έναν ωμικό διαιρέτη τάσης: τοπολογία με εφαρμογή του σήματος στον
ακροδέκτη αντιστροφής και με τον ακροδέκτη
R1 v − = v + = vs
R + R2
v− = vf = vo ⇒ vo = 1 vs μη αντιστροφής γειωμένο.
R1 + R 2 R1
• Το ρεύμα στις εισόδους του ΙΤΕ είναι μηδενικό:
vo R
⇒ Av = = 1+ 2
vs R1 vs − v − v − − vo
i1 = i R 2 ⇒ = ⇒
• Συνεπώς, πρόκειται για έναν ενισχυτή τάσης R1 R2
θετικής ενίσχυσης, η οποία καθορίζεται ⎛ 1 1 ⎞ v v
αποκλειστικά από το κύκλωμα ανατροφοδότησης. ⎜⎜ + ⎟⎟ v − = s + o
• Η ενίσχυση δεν μπορεί να γίνει μικρότερη του 1.
R
⎝ 1 R 2 ⎠ R 1 R 2
• Στην περίπτωση όπου οι αντιστάσεις του κυκλώματος ανατροφοδότησης • Λόγω της ιδιότητας αντιγραφής τάσεων του ΙΤΕ, ο ακροδέκτης αντιστροφής
αντικατασταθούν από εμπεδήσεις, η ενίσχυση του κυκλώματος παύει να είναι συμπεριφέρεται ως εικονική γη (virtual earth):
Συνάρτηση μεταφοράς
πραγματικός αριθμός και γίνεται συνάρτηση της συχνότητας, η οποία εκφράζει
κυκλώματος:
στην ουσία τη συνάρτηση μεταφοράς του κυκλώματος ενίσχυσης με ΙΤΕ:
Ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης (αντιστροφέας) Παράδειγμα 1ο: ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης
• Ο αντιστροφέας έχει πεπερασμένη αντίσταση εισόδου (Ri = vs / i1 = R1) σε Για το κύκλωμα με ΙΤΕ του παρακάτω σχήματος προσδιορίστε μία έκφραση για την
αντίθεση με τον μη αναστρέφοντα ενισχυτή που έχει άπειρη αντίσταση ενίσχυση. Στη συνέχεια χρησιμοποιείστε το κύκλωμα αυτό για να σχεδιάσετε έναν
εισόδου. ενισχυτή αρνητικής ενίσχυσης με ενίσχυση -100 και αντίσταση εισόδου 1 ΜΩ. Για το
σχεδιασμό δεν μπορούν να χρησιμοποιηθούν αντιστάσεις μεγαλύτερες του 1 ΜΩ.
• Επομένως, ο αντιστροφέας φορτώνει την έξοδο του κυκλώματος προς στο
οποίο συνδέεται. v1 = 0 R2 R4
x
vi v1 vi vi R3
i1 = i2
R1 0
vi + +
v1
vx v1 vi vi +
vo+
vx
vi vi
vo vx vi vi
• Η συνάρτηση μεταφοράς του συνολικού κυκλώματος στην περίπτωση του
μη αναστρέφοντα ενισχυτή είναι H(s)⋅A, ενώ στην περίπτωση του αντιστροφέα vi
vi vο ⎡R R ⎛ R ⎞⎤ R ⎛ R R ⎞
αυτό δε συμβαίνει αφού ο αντιστροφέας φορτώνει το υποκύκλωμα H(s) Av = = − ⎢ 2 + 4 ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟⎥ = − 2 ⎜⎜1 + 4 + 4 ⎟⎟
αλλοιώνοντας τη συνάρτηση μεταφοράς του. vi ⎣ R1 R1 ⎝ R 3 ⎠⎦ R1 ⎝ R 2 R 3 ⎠
Παράδειγμα 1ο: ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης Ανάλυση κυκλωμάτων με τελεστικούς ενισχυτές

• Ανάλυση κυκλώματος με τη μέθοδο ανάλυσης των κόμβων:
v ⎡R R ⎛ R ⎞⎤ R ⎛ R R ⎞
A v = ο = − ⎢ 2 + 4 ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟⎥ = − 2 ⎜⎜1 + 4 + 4 ⎟⎟ 9 Εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff σε κάθε κόμβο του κυκλώματος εκτός των
vi R
⎣ 1 R 1 ⎝ R 3 ⎠⎦ R 1 ⎝ R 2 R3 ⎠ κόμβων εισόδου και εξόδου ως εξής: το άθροισμα των αγωγιμοτήτων (δηλ. των
αντίστροφων αντιστάσεων ή εμπεδήσεων) που ξεκινούν από τον κόμβο εφαρμογής
πολ/σμένο με την τάση του κόμβου εφαρμογής ισούται με το άθροισμα των
Με δεδομένο ότι Ri = R1 = 1 MΩ, εάν επιλέξουμε και R2 = 1 MΩ, τότε θα πρέπει οι
γινομένων των αγωγιμοτήτων αυτών με τις τάσεις των κόμβων στους οποίους
τιμές των R3 και R4 να είναι τέτοιες ώστε Αv = -100. Εάν επιλέξουμε R4 = 1 MΩ: καταλήγουν.
R 2R 4 9 Χρησιμοποιούμε την ιδιότητα αντιγραφής τάσεων στους ακροδέκτες του ΙΤΕ.

R3 = − ⇒ R 3 = 10.2 kΩ
A v R1 + R 2 + R 4 9 Επιλύουμε το σύστημα των εξισώσεων που προκύπτει και υπολογίζουμε την τάση
εξόδου του κυκλώματος.
Στην κλασσική τοπολογία του ενισχυτή αρνητικής ενίσχυσης:
• Ανάλυση κυκλώματος με την αρχή της επαλληλίας:
v R 9 Σε κυκλώματα στα οποία υπάρχουν πολλά σήματα εισόδου, το σήμα εξόδου μπορεί
Av = ο = − 2
vi R1 να προκύψει από το άθροισμα των επιμέρους σημάτων εξόδου που προκύπτουν εάν
κάθε φορά λάβουμε υπόψη μόνο ένα σήμα εισόδου και θεωρήσουμε τα υπόλοιπα
Συνεπώς, με δεδομένο ότι η αντίσταση εισόδου είναι R1 = 1 MΩ, για να μηδενικά.
πετύχουμε ενίσχυση Αv = -100, θα χρειαζόμασταν την πολύ μεγάλη 9 Πηγή τάσης με μηδενική τιμή λαμβάνεται ως βραχυκύκλωμα, ενώ πηγή ρεύματος
αντίσταση R2 = 100 MΩ (πρακτικά μη υλοποιήσιμη). με μηδενική τιμή λαμβάνεται ως ανοικτό κύκλωμα.
Ενισχυτής διαφοράς τάσεων Ενισχυτής διαφοράς τάσεων
ΜΕΘΟ∆ΟΣ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΚΟΜΒΩΝ v3 ΑΡΧΗ ΕΠΑΛΛΗΛΙΑΣ v3
Κόμβος v3: Μηδενισμός της v1:

Το κύκλωμα λειτουργεί ως ενισχυτής v4
v4 θετικής ενίσχυσης με κύκλωμα

ανατροφοδότησης που αποτελείται από τις
R1 και R2, είσοδο v4 και έξοδο vo, οπότε:
Κόμβος v4:
Εάν επιλέξουμε: Μηδενισμός της v2:
Το κύκλωμα λειτουργεί ως ενισχυτής
αρνητικής ενίσχυσης με αντίσταση
Ιδιότητα αντιγραφής τάσεων εισόδου ΙΤΕ: ανατροφοδότησης την R2, αντίσταση εισόδου
την R1, είσοδο v1 και έξοδο vo, οπότε:
Αντιστρέφων αθροιστής Μη αντιστρέφων αθροιστής

Με χρήση αρχής επαλληλίας, η έξοδος για τον
μη αντιστρέφων αθροιστή υπολογίζεται ως εξής:
⎛ R ⎞
v 2 = 0 ⇒ v o = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ v +
⎝ R1 ⎠ ⎛ R ⎞v
v o = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ 1
R v ⎝ R1 ⎠ 2
v+ = v1 ⇒ v + = 1
R+R 2
• Ο αντιστρέφων αθροιστής είναι ένας ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης, στην
είσοδο του οποίου συνδέονται περισσότερα από ένα σήματα.
⎛ R ⎞
v1 = 0 ⇒ v o = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ v +
• Με χρήση της αρχής επαλληλίας καταλήγουμε στην πρόσθεση των σημάτων
⎝ R1 ⎠ ⎛ R ⎞v
εξόδου που προκύπτουν από ενισχυτές αρνητικής ενίσχυσης: v o = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ 2
R v ⎝ R1 ⎠ 2
v+ = v2 ⇒ v+ = 2
R+R 2
• Εξυπακούεται ότι οι αντιστάσεις εισόδου μπορούν να αντικατασταθούν από Εάν επιχειρήσουμε να αυξήσουμε τον αριθμό των εισόδων, κάθε νέα
εμπεδήσεις για την υλοποίηση άθροισης πιο σύνθετων λειτουργιών. είσοδος επηρεάζει το ποσοστό των υπολοίπων.
Ολοκληρωτής ∆ιαφοριστής
Στην είσοδο του ΙΤΕ το ρεύμα είναι μηδενικό: Στην είσοδο του ΙΤΕ το ρεύμα είναι μηδενικό:
t (1)
(1)
0
Η (1) εκφράζει την έξοδο του κυκλώματος στο πεδίο του χρόνου. Η συνάρτηση Η (1) εκφράζει την έξοδο του κυκλώματος στο πεδίο του χρόνου. Η συνάρτηση
μεταφοράς του κυκλώματος (πεδίο συχνότητας) προσδιορίζεται εάν αναγνωρίσουμε μεταφοράς του κυκλώματος (πεδίο συχνότητας) προσδιορίζεται εάν αναγνωρίσουμε
ότι το κύκλωμα είναι ένας αντιστροφέας με χωρητική εμπέδηση στη θέση της ότι το κύκλωμα είναι ένας αντιστροφέας με χωρητική εμπέδηση στην είσοδο:
αντίστασης ανατροφοδότησης:
H (2) μπορεί να προκύψει από την (1)
H (2) μπορεί να προκύψει από την (1)
Vo Z R και με μετασχηματισμό Laplace, αφού:
Vo Z Z 1 και με μετασχηματισμό Laplace, αφού: A (s ) = =− R =− = − RCs (2)
A (s ) = =− C =− C =
{∫ x(t) dt}= 1s ⋅ X(s)
(2) Vs ZC ZC ⎧ dx ⎫
V1 ZR R RCs t
L ⎨ ⎬ = s ⋅ X (s )
L ⎩ dt ⎭
0
Παράδειγμα 2ο: εφαρμογή αρχής επαλληλίας Παράδειγμα 2ο: εφαρμογή αρχής επαλληλίας
Η είσοδος v1 του κυκλώματος του παρακάτω σχήματος είναι σταθερή τάση − 4 Volt, ενώ η
είσοδος v2 είναι σήμα τάσης το οποίο μεταβάλλεται γραμμικά κατά 2 Volt κάθε δευτερόλεπτο.
Οι δύο είσοδοι εφαρμόζονται στο κύκλωμα για χρονικό διάστημα 5 sec. ∆ίνεται ότι: R = 5 kΩ
και C = 100 μF. Με χρήση της αρχής επαλληλίας, να προσδιορίσετε την vo και να χαράξετε τις
γραφικές παραστάσεις των vo, v1 και v2 ως προς το χρόνο στους ίδιους άξονες.
Εάν v2 = 0, το κύκλωμα v+ = v− = 0
αποτελεί ενισχυτή R
vo = − v1 = − v1
αρνητικής ενίσχυσης: R
Εάν v1 = 0, το κύκλωμα dv 2
αποτελεί διαφοριστή: v o = − RC
dt
Με εφαρμογή και των δύο τάσεων εισόδου:
⎛ dv ⎞ ⎛ d(2 ⋅ t ) ⎞
v o = − ⎜ v1 + RC 2 ⎟ ⇒ v o = − ⎜ − 4 + 5 ⋅103 ⋅100 ⋅10 − 6 ⋅ ⎟
⎝ dt ⎠ ⎝ dt ⎠
⇒ v o = − (− 4 + 0.5 ⋅ 2) ⇒ v o = 3 V
Ενισχυτής διαφορικής εισόδου Ενισχυτής διαφορικής εισόδου
Έχουμε ήδη μελετήσει τον ενισχυτή διαφοράς
τάσεων όπου προέκυψε ότι: και
Ενίσχυση
διαφοράς τάσεων:
R1 = R3 : αντιστάσεις
R2 = R4
Ενίσχυση σημάτων κοινού τρόπου:
R1 = R3 Ολοκλήρωση διαφοράς τάσεων:

ACM = 0
R2 = R4 αντίσταση, πυκνωτής
• Εάν γειώσουμε τη μία από τις δύο εισόδους στον ενισχυτή διαφορικής εισόδου
τότε μπορούμε να υλοποιήσουμε ενισχυτή θετικής ή αρνητικής ενίσχυσης.
Παραγώγιση διαφοράς τάσεων:
• Με τον ενισχυτή διαφορικής εισόδου μπορούμε να υλοποιήσουμε διάφορες πυκνωτής, αντίσταση
λειτουργίες με χρήση συνδυασμού ωμικών και χωρητικών εμπεδήσεων στις
θέσεις των αντιστάσεων του κυκλώματος.
Ενισχυτής διαφορικής εισόδου και εξόδου Ενισχυτής οργανολογίας

• Ο ενισχυτής διαφορικής εισόδου και διαφορικής • Επειδή τα παρεχόμενα σήματα από αισθητήρες συχνά συνοδεύονται από
εξόδου έχει τη δυνατότητα να ενισχύει διαφορικά
ανεπιθύμητα σήματα παρεμβολών ή θόρυβο, για την ενίσχυσή τους και την
σήματα και να παρέχει διαφορική έξοδο.
v2 προετοιμασία τους ώστε να γίνουν κατάλληλα και να τροφοδοτήσουν
• Οι τάσεις εισόδου, «αντιγράφονται» στις εισόδους μετατροπείς σημάτων (A/D), χρησιμοποιείται ο ενισχυτής οργανολογίας.
αντιστροφής των ΙΤΕ και τα ρεύματα στις
εισόδους των ΙΤΕ είναι μηδενικά, επομένως: • Ο ενισχυτής αυτός θα πρέπει να έχει υψηλή αντίσταση εισόδου, ώστε να μην
«φορτώνει» τους αισθητήρες, χαμηλή ενίσχυση σημάτων κοινού τρόπου
v 2 − v1 (επομένως και υψηλό λόγο απόρριψης σημάτων κοινού τρόπου) και σταθερή
i R1 =
R1 διαφορική ενίσχυση.
v1
• Ο ενισχυτής αυτός αποτελείται από έναν ενισχυτή διαφορικής εισόδου και
⎛ R ⎞
v o = i R1 ⋅ (R 1 + 2 ⋅ R 2 ) = ⎜⎜1 + 2 2 ⎟⎟ ⋅ (v 2 − v1 ) εξόδου, ο οποίος ακολουθείται από έναν ενισχυτή διαφοράς τάσεων.
⎝ R1 ⎠
• Η πρώτη βαθμίδα εξασφαλίζει υψηλή αντίσταση εισόδου, υψηλό λόγο
∆ιαφορική ενίσχυση (μπορεί να ρυθμιστεί Μηδενική ενίσχυση σημάτων κοινού τρόπου, απόρριψης σημάτων κοινού τρόπου και δυνατότητα ρύθμισης της διαφορικής
από τη μεταβλητή αντίσταση R1): χωρίς ταίριασμα τιμών των αντιστάσεων ενίσχυσης μέσω μίας και μόνο αντίστασης.
(στην πράξη όμως δεν είναι μηδενική):
• Η δεύτερη βαθμίδα παρέχει τη δυνατότητα λήψης απλής εξόδου (δηλ. μη
διαφορικής) και συνεισφέρει στην ενίσχυση τάσης και στο λόγο απόρριψης
σημάτων κοινού τρόπου.
Ενισχυτής οργανολογίας Μετατροπέας ρεύματος σε τάση
• Το κύκλωμα του διπλανού σχήματος
μετατρέπει μία πηγή ρεύματος με μεγάλη
Ενισχυτής
εσωτερική αντίσταση σε μία πηγή τάσης με
διαφοράς
A τάσεων μικρή εσωτερική αντίσταση.
• Πρόκειται δηλ. για έναν ενισχυτή διεμπέδησης
vo1 που λειτουργεί ως μετατροπέας ρεύματος σε
τάση.
B • Τάση εξόδου του κυκλώματος:
Ενισχυτής v− − vo v
διαφορικής is = i R = = − o ⇒ v o = −i s ⋅ R
εισόδου R R
και εξόδου
R4 R • Η τάση στην έξοδο του κυκλώματος είναι
vo = ⋅ (v B − v A ) = − 4 ⋅ v o1 ανάλογη του ρεύματος στην είσοδο, ενώ η
R3 R3
⎛ R ⎞ αντίσταση εξόδου είναι σχεδόν μηδενική.
v o1 = ⎜⎜1 + 2 ⋅ 2 ⎟⎟ ⋅ (v 2 − v1 )
⎝ R1 ⎠ • Συγκρίνοντας τον μετατροπέα με τον διαφοριστή που εξετάσαμε, συμπεραίνουμε
⎛ R ⎞ R
v o = ⎜⎜1 + 2 ⋅ 2 ⎟⎟ ⋅ 3 ⋅ (v1 − v 2 ) ότι όταν το ρεύμα εισόδου του ενισχυτή διεμπέδησης διέρχεται από πυκνωτή,
⎝ R1 ⎠ R 4 τότε η τάση στην έξοδο του είναι το διαφορικό σήμα της τάσης εισόδου.
Κυκλώματα ανορθωτών Κυκλώματα ανορθωτών

• Με συνδυασμό τελεστικών ενισχυτών και
διόδων μπορούμε να επιτύχουμε ανόρθωση
σημάτων πλάτους λίγων mV δηλ. αρκετά • Στο διπλανό σχήμα (προσθήκη
μικρότερα από την τάση αγωγής των της D2) όταν η τάση εισόδου είναι
διόδων. θετική η D1 άγει και η D2 είναι σε
αποκοπή.
• Στο διπλανό κύκλωμα, όταν η τάση εισόδου
είναι θετική, η δίοδος άγει και η τάση εξόδου • Αφού η D2 είναι σε αποκοπή,
είναι μηδενική για ιδανική δίοδο ή λίγο
η αντίσταση ανατροφοδότησης
αρνητική για πραγματική δίοδο λόγω της
δεν συνδέεται στην έξοδο του
πτώσης τάσης στην αντίσταση αγωγής.
τελεστικού ενισχυτή v (η οποία v
• Όταν η τάση εισόδου είναι αρνητική, η για πραγματική D1 είναι ελαφρώς
δίοδος βρίσκεται σε κατάσταση αποκοπής, αρνητική και όχι μηδενική), αλλά
επομένως: με τον ακροδέκτη αντιστροφής
του ενισχυτή (εικονική γη, αφού Βελτιωμένος ανορθωτής
R
v out = − v in = − v in v− = v+ = 0) και επομένως η τάση μισού κύματος
R εξόδου είναι απολύτως μηδενική.
• Το κύκλωμα λειτουργεί ως ανορθωτής μισού
κύματος.
Κυκλώματα ανορθωτών Συγκριτές τάσης
• Με συνδυασμό ανορθωτή μισού κύματος (με αλλαγή της φοράς των διόδων) • Όταν ένας ΤΕ λειτουργεί με ανοικτό βρόχο (χωρίς ανατροφοδότηση), τότε λόγω
και αντιστρέφοντα αθροιστή, δημιουργούμε ανορθωτή πλήρους κύματος. της πολύ υψηλής ενίσχυσης που εμφανίζει, η έξοδος του ενισχυτή θα οδηγηθεί
σε κατάσταση θετικού ή αρνητικού κόρου (δηλ. σε θετική ή αρνητική τιμή λίγο
μικρότερη από την τάση τροφοδοσίας), ανάλογα με τον αν η διαφορά
δυναμικού στους ακροδέκτες εισόδου είναι θετική ή αρνητική.
vo
• Επομένως, οι δύο καταστάσεις εξόδου του ΤΕ δίνουν πληροφορία για τη
σύγκριση χαμηλών δυναμικών στους δύο ακροδέκτες εισόδου, με αποτέλεσμα
ο ΤΕ να λειτουργεί ως συγκριτής τάσης (voltage comparator).
• Συνήθως επιδιώκουμε σύγκριση μεταξύ μίας τάσης μεταβλητού μεγέθους και
μίας τάσης σταθερού μεγέθους.
• Οπότε σε έναν συγκριτή τάσης, εάν γειώσουμε τον έναν ακροδέκτη ή εάν τον
vout συνδέσουμε σε δυναμικό σταθερής στάθμης, τότε η σύγκριση του δυναμικού
του άλλου ακροδέκτη γίνεται ως προς το 0 ή ως προς τη σταθερή στάθμη.
⎛R R ⎞
v out = −⎜ v in + v o ⎟ = − v in − 2v o • Μπορούμε λοιπόν να αναφερόμαστε σε κυκλώματα ανιχνευτών μηδενός ή σε
⎜R R ⎟ 0 κυκλώματα ανιχνευτών στάθμης.
⎝ 2 ⎠
• Ο ΤΕ όταν λειτουργεί ως συγκριτής, ισοδυναμεί με διακοπτική βαθμίδα (on-off).
Ανιχνευτές μηδενός και στάθμης Ανίχνευση μηδενός με σκανδαλιστή Schmitt

• Εάν το σήμα εισόδου εμπεριέχει
θόρυβο μπορεί να προκληθούν
αλλαγές κατάστασης εξόδου εάν
το σήμα είναι κοντά στη στάθμη
-V V
διάκρισης (0) με αποτέλεσμα V
• Στον ανιχνευτή μηδενός, η τάση λανθασμένη διάκριση του σήματος.
εξόδου οδηγείται σε θετικό ή
• Η κατάσταση βελτιώνεται εάν
αρνητικό κόρο ανάλογα με το αν η δημιουργηθεί υστέρηση στην
vi είναι μικρότερη ή μεγαλύτερη αλλαγή κατάστασης στην έξοδο του Οι αντιστάσεις σχηματίζουν διαιρέτη τάσης,
από 0 V. κυκλώματος με εφαρμογή θετικής ο οποίος δημιουργεί στον μη αντιστρέφοντα
ανατροφοδότησης (κύκλωμα ακροδέκτη δυναμικό V που είναι θετικό ή αρνητικό
σκανδαλιστή Schmitt). ανάλογα με την κατάσταση της εξόδου.
• Στην περίπτωση που επιθυμούμε η • Για μετάβαση από αρνητικά σήματα Έστω VCC και –VCC οι δύο καταστάσεις εξόδου:
στάθμη διάκρισης των σημάτων να σε θετικά, η αλλαγή κατάστασης
είναι διαφορετική του 0 (ανίχνευση εξόδου γίνεται σε στάθμη σήματος R1 R1
στάθμης), συνδέουμε τον μη εισόδου V, ενώ για αντίθετη μετάβαση v+ = VCC = V v+ = (−VCC) = −V
R1 + R 2 R1 + R2
αναστρέφοντα ακροδέκτη του ΤΕ η αλλαγή γίνεται σε στάθμη –V.
σε πηγή συνεχούς τάσης με την • To εύρος βρόχου υστέρησης
κατάλληλη πολικότητα. καθορίζεται να είναι ευρύτερο από τα Εύρος βρόχου
όρια θορύβου του σήματος εισόδου. υστέρησης:
Ανίχνευση στάθμης με σκανδαλιστή Schmitt Απόκριση συχνότητας τελεστικών ενισχυτών
• Ο ιδανικός ΤΕ υποθέσαμε ότι διαθέτει άπειρη τιμή ενίσχυσης ανοικτού βρόχου

και άπειρο εύρος ζώνης (δηλ. η ενίσχυση που παρέχει είναι σταθερή σε σχέση
με τη συχνότητα).
Ε • Ωστόσο, η ενίσχυση ανοικτού βρόχου ενός πραγματικού ΤΕ είναι πεπερασμένη

και ελαττώνεται με την αύξηση της συχνότητας.
Ε
• Εσωτερικά οι ΤΕ αποτελούνται από τρεις βασικές βαθμίδες: μια βαθμίδα
διαφορικού ενισχυτή με πηγές σταθερού ρεύματος που παρουσιάζει υψηλή
αντίσταση εισόδου, μία ενδιάμεση βαθμίδα ενισχυτή (διαφορικού ή απλού) με
• Στην περίπτωση που επιθυμούμαι ο βρόχος υστέρησης να δημιουργηθεί γύρω μεγάλη ενίσχυση τάσης και μία απλή βαθμίδα ισχύος εξόδου (κοινού συλλέκτη)
από μία στάθμη διάκρισης Ε και όχι γύρω από το 0, αρκεί να προσθέσουμε μία η οποία προσδίδει στον ενισχυτή χαμηλή αντίσταση εξόδου.
πηγή συνεχούς τάσης Ε.
• Η διαφορική απόκριση συχνότητας των ΤΕ είναι βαθυπερατή (συνήθως με
• Η προσθήκη αυτή ισοδυναμεί με την ενσωμάτωση θετικής ανατροφοδότησης τρεις πόλους στη συνάρτηση μεταφοράς τους) λόγω της βαθυπερατής
στο απλό κύκλωμα του ανιχνευτή στάθμης. συμπεριφοράς των βαθμίδων που τους απαρτίζουν.
Απόκριση συχνότητας τελεστικών ενισχυτών Απόκριση συχνότητας τελεστικών ενισχυτών

• Για να εξασφαλιστεί η ευστάθεια των ΤΕ, εφαρμόζεται αντιστάθμιση ∆ιαφορική ενίσχυση ανοικτού βρόχου (Open Loop)
συχνότητας (τροποποίηση της απόκρισης) που υλοποιείται με την προσθήκη 1
= ωc = 2πf c
ενός απλού πυκνωτή ή ενός δικτυώματος RC που συνδέεται εξωτερικά στους τc
ακροδέκτες του ενισχυτή ή εσωτερικά κατά την κατασκευή του.
Συχνότητα αποκοπής
• Ο πυκνωτής αντιστάθμισης χρησιμοποιείται για αποφυγή ταλαντώσεων υψηλής
συχνότητας στην έξοδο των ΤΕ, που οδηγούν σε αστάθεια.
• Ο πυκνωτής αντιστάθμισης μειώνει το μέτρο της ενίσχυσης του ΤΕ στις υψηλές

συχνότητες, δηλ. περιορίζει το εύρος ζώνης του.
Απόκριση
• Χωρίς πυκνωτή αντιστάθμισης, στις υψηλές συχνότητες θα υπήρχε υψηλή συχνότητας
ενίσχυση, έτσι ώστε όταν μέρος του σήματος εξόδου ανατροφοδοτεί θετικά τυπικού
την είσοδο να προκαλούνται ανεπιθύμητες ταλαντώσεις και ο ενισχυτής να μη Συχνότητα τελεστικού
μπορεί να ελεγχθεί πλέον από το σήμα εισόδου. μοναδιαίας ενισχυτή
Συχνότητα ενίσχυσης
• Η προσθήκη πυκνωτή αντιστάθμισης δημιουργεί έναν πόλο στη συνάρτηση αποκοπής
μεταφοράς του ενισχυτή, έτσι ώστε ο ενισχυτής να έχει συμπεριφορά
βαθυπερατού κυκλώματος με μεγάλη σταθερά χρόνου, η οποία και καθορίζει
τη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή.
Απόκριση συχνότητας τελεστικών ενισχυτών Συμπεράσματα
• Οι τελεστικοί ενισχυτές (ΤΕ) είναι διαθέσιμοι ως ολοκληρωμένα κυκλώματα με
Το γινόμενο του μέτρου A o ⋅ ωc = 1 ⋅ ωT ⇒ ωT = A o ⋅ ωc = Α ο 2π f c την καθιερωμένη ονομασία «op-amp».
ενίσχυσης επί το εύρος
ζώνης ενισχυμένων • Υπάρχουν πολλές εφαρμογές στις οποίες συναντά κανείς κυκλώματα τελεστικών
συχνοτήτων είναι σταθερό ω Α 2 πf c ενισχυτών.
fT = Τ = ο = A ofc
2π 2π • Ο ΤΕ είναι πολύ χρήσιμο στοιχείο στην επεξεργασία αναλογικών σημάτων, αφού
αρκετές μαθηματικές λειτουργίες μπορούν να υλοποιηθούν με εφαρμογή
fT: συχνότητα μοναδιαίας ενίσχυσης, δηλ. η συχνότητα όπου |Α(jω)|=1 κατάλληλης ανατροφοδότησης σε μία βαθμίδα ΤΕ:
(δηλ. 0 dB) που αποτελεί χαρακτηριστικό μέγεθος για κάθε ενισχυτή.
9 Πολλαπλασιασμός σήματος με θετική σταθερά ή αρνητική σταθερά.
9 Πρόσθεση και αφαίρεση σημάτων.
Ao 1 1 1 9 Ολοκλήρωση και διαφόριση σήματος.
A OL (s) = = = =
τcs + 1 τ 1 1 1 1 1 9 Ανόρθωση και σύγκριση σημάτων, κ.α.
c
s+ s+ s+
Ao A o A o ωc A o ωT Ao • Οι ΤΕ προσφέρονται συνήθως για λειτουργία στην περιοχή συχνοτήτων έως
10 ΜHz. Ωστόσο, υπάρχουν στο εμπόριο και ΤΕ που λειτουργούν μέχρι 100 ΜΗz.
Άσκηση 1η
Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει ΙΤΕ, η τάση vs είναι
ημιτονική πλάτους 1 V και συχνότητας 1 ΚΗz, ενώ η τάση VE είναι συνεχής πηγή
τάσης 1 V. Προσδιορίστε με βάση την αρχή της επαλληλίας την τάση εξόδου και
χαράξτε στους ίδιους άξονες τις κυματομορφές της τάσης vs και της τάσης εξόδου.
Όταν VE = 0 το κύκλωμα λειτουργεί

ως ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης:
R 1 = 1K R 2 = 1K
R2
vo = − vs = −vs
R1
vs −
Ασκήσεις 6ης ενότητας Όταν vs = 0 το κύκλωμα λειτουργεί
ως ενισχυτής θετικής ενίσχυσης: +
vo
VE = 1V
⎛ R ⎞
v o = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟VE = 2VE = 2 V
⎝ R1 ⎠
Επομένως: vo = −vs + 2
vo = −vs + 2 f = 1 KHz ⇒ T = 1 ms ημιτονική πλάτους 1 V και συχνότητας 1 ΚΗz, ενώ η τάση VE είναι συνεχής πηγή
τάσης 2 V. Προσδιορίστε με βάση την αρχή της επαλληλίας την τάση εξόδου και
4.0V χαράξτε στους ίδιους άξονες τις κυματομορφές της τάσης vs και της τάσης εξόδου.
Όταν VE = 0 το κύκλωμα λειτουργεί R 1 = 1K R 2 = 1K

ως ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης:
2.0V −
vo R2 vs R 3 = 2K vo
vo = − vs = −vs +
R1
R 4 = 2K
VE = 2V
0V
vs Όταν vs = 0 το κύκλωμα λειτουργεί
ως ενισχυτής θετικής ενίσχυσης:
⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞⎛ R4 ⎞
v o = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ v + = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ ⎜⎜ ⎟ VE = VE = 2 V
⎝ R 1 ⎠ ⎝ R 1 ⎠ ⎝ R 3 + R 4 ⎟⎠
-2.0V
0ms 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms
Επομένως: v o = −vs + 2 Οι κυματομορφές είναι όμοιες με
Time
εκείνες της προηγούμενης άσκησης.
Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει ΙΤΕ, η τάση v1 είναι
ημιτονική πλάτους 1 V και συχνότητας 1 ΚΗz, ενώ η τάση v2 είναι συνεχής πηγή v o = − ( 2 v 1 + v 2 ) = −2 v 1 + 2
τάσης -2 V. Προσδιορίστε την τάση εξόδου και χαράξτε στους ίδιους άξονες τις
κυματομορφές της τάσης v1 και της τάσης εξόδου.
i f = i1 + i 2 v1
R 1 = 1K vo
i1 R f = 2K
v v
if = 1 + 2 i2
v2 if
R1 R 2 −
R 2 = 2K vo
+
⎛R R ⎞
v o = − R f i f = −⎜⎜ f v1 + f v 2 ⎟⎟ v1
⎝ R1 R2 ⎠
v o = − ( 2 v 1 + v 2 ) = −2 v 1 + 2 Το κύκλωμα αποτελεί
αντιστρέφων αθροιστή
Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει ΙΤΕ, Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει ΙΤΕ,
προσδιορίστε την τάση εξόδου συναρτήσει των τάσεων v1, v2 και v3 προσδιορίστε την τάση εξόδου συναρτήσει των τάσεων v1 και v2
εφαρμόζοντας την αρχή της επαλληλίας. εφαρμόζοντας την αρχή της επαλληλίας.
Όταν v3 = 0 το κύκλωμα λειτουργεί Όταν v2 = 0 το κύκλωμα λειτουργεί

ως αντιστρέφων αθροιστής: ως ενισχυτής θετικής ενίσχυσης:
R 1 = 2K
⎛R R ⎞ ⎛ Rf ⎞ +
v o = −⎜⎜ f v1 + f v 2 ⎟⎟ = −( v1 + v 2 ) R f = 2K v o = ⎜⎜1 + ⎟⎟ v 3 = (1 + 2) v 3 = 3 v 3 vo
R R −
⎝ 1 2 ⎠ ⎝ ( R 1 // R 2 ) ⎠
v1 v1
−
Όταν v1 = 0 και v2 = 0 το κύκλωμα λειτουργεί R 2 = 2K vo Όταν v1 = 0 το κύκλωμα λειτουργεί R 1 = 2K R f = 2K
ως ενισχυτής θετικής ενίσχυσης: + v2 R 2 = 2K

v2 ως ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης:
v3
⎛ Rf ⎞ Rf
v o = ⎜⎜1 + ⎟⎟ v 3 = (1 + 2) v 3 = 3 v 3 vo = − v2 = −v2
⎝ ( R 1 // R 2 ) ⎠ R1
Επομένως: v o = 3 v 3 − v1 − v 2 Επομένως: v o = 3 v1 − v 2
ημιτονική πλάτους 1 V και συχνότητας 1 ΚΗz. Προσδιορίστε τo ρεύμα iL και 1.0V
χαράξτε τις κυματομορφές της τάσης vs και του ρεύματος iL.
Πρόκειται για ενισχυτή αρνητικής

0V
ενίσχυσης που συνδέεται με αντίσταση R1 = 1K R 2 = 10K vs
φορτίου RL. Η αντίσταση Rs δεν έχει
καμία επίδραση στη λειτουργία του vo
κυκλώματος, αφού το ρεύμα στον μη
− vo 10 v s -1.0V
+ iL = =−
αναστρέφων ακροδέκτη (+) του iL RL RL 10mA
ενισχυτή είναι μηδενικό. Επίσης, ο vs

αντιστάτης RL δεν επηρεάζει την R L = 1K iL
R s = 1K
ενίσχυση του ενισχυτή, αφού η έξοδος 0A
του κυκλώματος (ΙΤΕ) έχει

συμπεριφορά ιδανικής πηγής τάσης.
-10mA
0ms 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms
R2 vo 10 v s Time
vo = − v s = −10 v s iL = =−
R1 RL RL
Προσδιορίστε τις συναρτήσεις μεταφοράς των κυκλωμάτων του παρακάτω Βασισμένοι στη μέθοδο ανάλυσης των Λόγω της παρουσίας του πυκνωτή,
σχήματος θεωρώντας τους τελεστικούς ενισχυτές ιδανικούς. κόμβων, εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα χρησιμοποιούμε φάσορες κατά την
Kirchhoff στον κόμβο Α: εφαρμογή του 1ου κανόνα Kirchhoff,
που σημαίνει ότι λειτουργούμε στο
⎛1 ⎞ 1 1
⎜ + Cs ⎟ V+ = Vi + 0 ⇒ V+ = Vi πεδίο της συχνότητας.
⎝R ⎠ R RCs + 1
Εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff

στον κόμβο B:
⎛ 1 1 ⎞ 1 1 V+ = V− Β
⎜⎜ + ⎟⎟V− = Vo + Vi ⇒
⎝ Ra Ra ⎠ Ra Ra
2 1 1 Α
V+ = Vo + Vi ⇒ Vo = 2V+ − Vi
Ra Ra Ra
Vo 2 RCs − 1
A(s) = = −1 = −
Vi RCs + 1 RCs + 1
Βασισμένοι ξανά στη μέθοδο ανάλυσης Βασισμένοι ξανά στη μέθοδο ανάλυσης
των κόμβων, εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα των κόμβων, εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα
Kirchhoff στον κόμβο Α: Kirchhoff στον κόμβο Α:
⎛1 ⎞ 1 1 Β
⎜ + Cs ⎟ V+ = Vo ⇒ V+ = Vo ⎛ 1 1⎞ 1 1 1
V+ = V− = 0
⎝R ⎠ R RCs + 1 ⎜ + ⎟ V− = Vi + Vc ⇒ Vc = − Vi
Α ⎝ 2R R ⎠ 2R R 2
Εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff Α
στον κόμβο B: Β
Εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff
στον κόμβο B:
⎛ 1 1 ⎞ 1 1 V+ = V−
⎜⎜ + ⎟⎟ V− = Vi + Vo ⇒
⎝ Ra Ra ⎠ Ra Ra ⎛1 1 ⎞ 1
⎜ + + Cs ⎟ Vc = Vo ⇒ Vo = (RCs + 2)Vc
⎝ R R ⎠ R
2 1 1
V+ = Vi + Vo ⇒ Vo = 2V+ − Vi
Ra Ra Ra
Vο 1
V RCs + 1 A(s) = = − (RCs + 2)
A(s) = o = − Vi 2
Vi RCs − 1
Στον κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει ΙΤΕ, να δείξετε ότι:
io 1
=
Πρόκειται για τοπολογία ενισχυτή vi R
αρνητικής ενίσχυσης:
Αφού τα ρεύματα στις εισόδους του ΙΤΕ
V Z είναι μηδενικά, το ρεύμα εξόδου ισούται
A (s) = o = − 2 ⇒
Vi Z1 με το ρεύμα της αντίστασης R και η
αντίσταση Rs δεν έχει καμία επίδραση
στη λειτουργία του κυκλώματος:
R RCs
A(s) = − =−
1 RCs + 1 v− v v
R+ io = i R ⇒ i R = = + = i ⇒
Cs R R R
io 1
=
vi R
Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει δύο ΙΤΕ, Ο δεύτερος ΙΤΕ λειτουργεί ως ενισχυτής θετικής ενίσχυσης όταν εφαρμοστεί
προσδιορίστε την εμπέδηση εισόδου. μόνο η είσοδος vo στον αντιστρέφων ακροδέκτη, ενώ λειτουργεί ως ενισχυτής
αρνητικής ενίσχυσης όταν εφαρμοστεί μόνο η είσοδος va στον αντιστρέφων
ακροδέκτη, οπότε με την αρχή της επαλληλίας προκύπτει η επόμενη σχέση:
⎛ R ⎞ R
V Vb = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟Vo − 2 Va
Zi = i 2 ⎝ R 3 ⎠ R3
Ii
R5
Vo = Va
Ρεύμα ακροδέκτη (+) R 5 + Z4
μηδενικό:
Παρόμοια είναι και η δράση
1
V − Vb του πρώτου ΙΤΕ:
Ii = i
R1 ⎛ R ⎞ R
Va = ⎜⎜1 + 3 ⎟⎟ Vi − 3 Vb
⎝ R2 ⎠ R2
Για το κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει ΙΤΕ,
προσδιορίστε την απόκριση (συνάρτηση μεταφοράς) και την τιμή του
⎛ R ⎞ R
Vb = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ Vo − 2 Va πυκνωτή ώστε η συχνότητα αποκοπής του κυκλώματος να είναι 1 kΗz.
⎝ R3 ⎠ R3 R 3R 5 + R 3 Z4
Va = Vb Βασισμένοι στη μέθοδο ανάλυσης των κόμβων,
R 3R 5 − R 2 Z4 εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff στον κόμβο Α:
R5
Vo = Va
R 5 + Z4 ⎛1 1 ⎞ 1 1 + − V + Vo
V =V
⎜ + + Cs ⎟ V+ = Vs + Vo ⇒ V− = s
⎝ R R ⎠ R R 2 + RCs A
⎛ R ⎞ R Εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff στον κόμβο B: B

Va = ⎜⎜1 + 3 ⎟⎟ Vi − 3 Vb R 2 R 3 R 5 − R 22 Z 4 + R 32 R 5 − R 2 R 3 Z 4 = R1
⎝ R2 ⎠ R2 Vb = Vi = R2
R 2 R 3 R 5 + R 32 R 5 ⎛ 1 1 ⎞ 1 R2 R 4
⎜⎜ + ⎟⎟ V− = Vo ⇒ Vo = 1 2 V− ⇒ Vo = V−
⎝ R1 R 2 ⎠ R1 R1 + R 2 3
R 3R 5 + R 3 Z4
Va = Vb Vi − Vb R 2 Z4 R 1R 3 R 5
R 3R 5 − R 2 Z4 Ii = = Vi Zi = Cs Vo 4
R1 R 1R 3 R 5 R2 A (s) = =
Vs 3 RCs + 2

Για να υπολογίσουμε τη συχνότητα αποκοπής του κυκλώματος, θα πρέπει Για το κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει ΙΤΕ να
να φέρουμε τη συνάρτηση μεταφοράς στην παρακάτω μορφή: προσδιορίσετε την απόκριση (συνάρτηση μεταφοράς), τη συχνότητα για την
οποία το μέτρο της απόκρισης συχνότητας του κυκλώματος είναι 3dB κάτω
A από τη μέγιστή του τιμή και να προτείνεται τις μεταβολές που πρέπει να γίνουν
A(s) = A( jω) = στο κύκλωμα ώστε η ενίσχυση για το συνεχές να διπλασιαστεί.
⎛ω⎞
1 + j ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ωc ⎠ Βασισμένοι στη μέθοδο ανάλυσης των κόμβων,
εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff στον
4 4 2 κόμβο Α: A B
A (s ) = ⇒ A( jω) = ⇒ A( jω) =
3 RCs + 2 3 RCjω + 2 1 + (3 / 2) RCjω ⎛ 1 ⎞ V =V =0
1 1 1 1+ −
⎜⎜ + + Cs ⎟⎟ VA = Vi + V− ⇒ VA = Vi
R
⎝ 1 R 1 ⎠ R 1 R 1 2 + R 1Cs
1 1 1 1
ωc = ⇒ fc = ωc = ⇒ C= = 10.6 nF
3 2π 3πRC 3πRf c Εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff στον
RC κόμβο B:
2
V =V =0
⎛ 1 1⎞ 1 1 +
R −
Vo ⎛R ⎞ 1
⎜⎜ + ⎟⎟ V− = VA + Vo ⇒ Vo = − VA
H συνάρτηση μεταφοράς έχει έναν πραγματικό πόλο sp = − 2 / (3 RC) στον
⎝ R R ⎠ R R R A (s) = = −⎜⎜ ⎟⎟
οποίο αντιστοιχεί η συχνότητα αποκοπής ωc = 2 / (3 RC) του κυκλώματος
1 1 1
Vi R
⎝ 1⎠ 2 + R 1Cs
Η συχνότητα για την οποία το μέτρο της απόκρισης συχνότητας του Έχετε στη διάθεσή σας ένα ιδανικό τελεστικό ενισχυτή και αντιστάσεις.
κυκλώματος είναι 3dB κάτω από τη μέγιστή του τιμή, είναι η συχνότητα Προτείνετε κυκλώματα, που να πραγματοποιούν τις αριθμητικές πράξεις:
αποκοπής του κυκλώματος που υπολογίζεται στη συνέχεια:
⎛ R ⎞ όπου vo η τάση εξόδου του ενισχυτή και v1, v2 ιδανικές πηγές τάσεων.
− ⎜⎜ ⎟
⎛R⎞ 1 ⎛ R ⎞ 1/ 2 ⎝ 2R 1 ⎟⎠
A(s) = − ⎜⎜ ⎟⎟ = − ⎜⎜ ⎟⎟ ⇒ A( jω) =
⎝ R 1 ⎠ 2 + R 1Cs ⎝ R 1 ⎠ 1 + R 1Cs RC
1 + jω 1
2 2
Η πρώτη πράξη πραγματοποιείται εάν
H συνάρτηση μεταφοράς έχει έναν χρησιμοποιήσουμε το κύκλωμα του μη
πραγματικό πόλο sp = − 2 / R1C στον 2 ω αντιστρέφοντος αθροιστή, στο οποίο
ωc = ⇒ f c = c = 15.9 kHz θα πρέπει οι τιμές των αντιστάσεων R1
οποίο αντιστοιχεί η συχνότητα αποκοπής R1C 2π
ωc = 2 / R1C του κυκλώματος και R2 να είναι ίδιες.
Τέλος, η πιο προφανής μεταβολή που μπορούμε να κάνουμε στο κύκλωμα για
να διπλασιάσουμε την ενίσχυσή του στο συνεχές είναι ο διπλασιασμός της
τιμής της αντίστασης R.

Για να παράγουμε την ποσότητα 2v1 απαιτείται ένας ενισχυτής
θετικής ενίσχυσης με όμοιες αντιστάσεις, ενώ για να παράγουμε
το –v2 αρκεί ένας ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης με όμοιες
αντιστάσεις. Με βάση την αρχή της επαλληλίας προκύπτει το
απλό κύκλωμα του τελευταίου σχήματος.
Η δεύτερη πράξη πραγματοποιείται εάν χρησιμοποιήσουμε το κύκλωμα

του ενισχυτή διαφοράς τάσεων, στο οποίο θα πρέπει οι τιμές όλων των
⎛ R ⎞ R2
αντιστάσεων να είναι ίδιες και οι θέσεις των πηγών εισόδου να αλλάξουν v o = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ v1 vo = − v2
⎝ R1 ⎠ R1
Για το κύκλωμα του παρακάτω σχήματος που περιλαμβάνει ΙΤΕ, Όταν v1 = 0, v2 = 0 εφαρμόζουμε τον 1ο
προσδιορίστε την τάση εξόδου συναρτήσει των τάσεων εισόδου v1 και v2. κανόνα Kirchhoff στους δύο εσωτερικούς
κόμβους:
Ακολουθώντας την αρχή της επαλληλίας,
όταν v2 = 0, Ε = 0 το κύκλωμα λειτουργεί
ως ενισχυτής αρνητικής ενίσχυσης: ⎛ 1 1 ⎞ 1
⎜⎜ + ⎟⎟ v − = vo
⎝ R1 R 2 ⎠ R2 v+ = v−
R2 vo = E
vo = − v1
R1 ⎛ 1 1 ⎞ 1
⎜⎜ + ⎟⎟ v + = E
Όταν v1 = 0, Ε = 0 εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα ⎝ R1 R 2 ⎠ R2
Kirchhoff στους δύο εσωτερικούς κόμβους:
Ε=
⎛ 1 1 ⎞ 1 Προσθέτοντας τις τρεις επιμέρους τάσεις εξόδου
⎜⎜ + ⎟⎟ v − = vo Ε= καταλήγουμε στην παρακάτω έκφραση:
⎝ R1 R 2 ⎠ R2 v+ = v− R
vo = 2 v2
⎛ 1 1 ⎞ 1 R1 R2 R
⎜⎜ + ⎟⎟ v + = v2 vo = ( v 2 − v1 ) + E ⇒ v o = 2 ( v 2 − v1 ) + 2 V
R1 R1
⎝ R1 R 2 ⎠ R1

Θεωρώντας ότι οι τελεστικοί ενισχυτές στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος Εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff
είναι ιδανικοί προσδιορίστε τη συνάρτηση μεταφοράς του κυκλώματος στον κόμβο B:
⎛ 1 1 ⎞ V Γ
⎜⎜ + + sC1 ⎟⎟ VB = sC1VA + o Α Β
R
⎝ 1 R 2 ⎠ R1
sC R V + Vo
Γ ⇒ VB = 1 1 A (2) v+ = v− = 0
Α Β R
1 + 1 + sC1R1
R2
Εφαρμόζουμε τον 1ο κανόνα Kirchhoff Αντικαθιστώντας την vA από την
στον κόμβο Γ: (1) στην (2) και στη συνέχεια την
vB από την (2) στην (3) προκύπτει
⎛ 1 ⎞ V VB
⎜⎜ + sC 2 ⎟⎟ Vo = B ⇒ Vo = (3) η παρακάτω συνάρτηση
⎝ R1 ⎠ R1 sC 2 R 1 + 1 μεταφοράς του κυκλώματος:
Λόγω της παρουσίας του ενισχυτή ⎛ R ⎞ Vo − 10 R1 C1 s

θετικής ενίσχυσης στο πρώτο VA = ⎜⎜1 + B ⎟⎟ Vi (1) A(s) = =
Vi ⎛ R1 ⎞
⎝ RA ⎠
2
τμήμα του κυκλώματος: R1 R 2 C1 C2 s + ⎜1 + ⎟ R 2 C2 s + 1
⎝ R2 ⎠
• Στην έβδομη ενότητα, θα μελετήσουμε τους ενισχυτές ισχύος που χρησιμοποιούνται

συνήθως ως βαθμίδες εξόδου πριν το φορτίο και σχεδιάζονται έτσι ώστε να αποδίδουν
σημαντική ισχύ στο εφαρμοζόμενο φορτίο.
• Εισαγωγή στους ενισχυτές ισχύος.
• Χαρακτηριστική μεταφοράς, γραμμική λειτουργία και παραμόρφωση σήματος εξόδου.
• Τάξεις λειτουργίας (Α, Β, ΑΒ) ενισχυτή.
• Ενισχυτές ισχύος σε τάξη Α:
9 Ενισχυτής ΚΕ με απευθείας σύνδεση φορτίου στο συλλέκτη.
7η ενότητα
9 Ενισχυτής ΚΣ με απευθείας σύνδεση φορτίου στον εκπομπό.
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ 9 Ενισχυτής ΚΕ με χωρητική σύνδεση φορτίου.
9 Ενισχυτής ΚΕ με σύνδεση φορτίου μέσω μετασχηματιστή.
• Ενισχυτής ισχύος push-pull με μετασχηματιστή (σε τάξη λειτουργίας Α, ΑΒ).
• Ενισχυτής ισχύος push-pull με συμπληρωματικά τρανζίστορ.
Εισαγωγή στους ενισχυτές ισχύος Χαρακτηριστική μεταφοράς τρανζίστορ

• Σε ενισχυτικά συστήματα πολλών βαθμίδων, οι ενισχυτές ισχύος αποτελούν
τις βαθμίδες εξόδου πριν το τελικό φορτίο και σχεδιάζονται με τέτοιο τρόπο
ώστε να αποδίδουν σημαντική ισχύ στο φορτίο.
• Αφού η ισχύς αποτελεί το γινόμενο ρεύματος και τάσης του φορτίου, για
να αποδοθεί σημαντική ισχύς στο φορτίο θα πρέπει οι διαδρομές τάσης και
ρεύματος στους ενισχυτές ισχύος να είναι μεγάλες.
• Για μέγιστη απόδοση ισχύος θα πρέπει να αξιοποιούνται τόσο η μέγιστη

επιτρεπόμενη κατανάλωση ισχύος των τρανζίστορ, όσο και τα όρια της
ενεργού περιοχής τους.
• Οι ενισχυτές ισχύος λειτουργούν ως ενισχυτές μεγάλων σημάτων και ο • Η χαρακτηριστική μεταφοράς ενός κυκλώματος περιγράφει τη σχέση μεταξύ ενός
μεγέθους εισόδου με ένα μέγεθος εξόδου.
τρόπος πόλωσης των τρανζίστορ σε πολλούς από αυτούς είναι διαφορετικός
από αυτόν που έχουμε έως τώρα μελετήσει σε ενισχυτές μικρών σημάτων. • Στο διπολικό τρανζίστορ σε σύνδεση κοινού εκπομπού υπάρχει διέγερση ρεύματος (δηλ.
ως μέγεθος εισόδου λαμβάνουμε το ρεύμα βάσης) και ως μέγεθος εξόδου λαμβάνουμε
• Η παραμόρφωση του σήματος εξόδου αυξάνεται εκθετικά με την αύξηση το ρεύμα συλλέκτη.
της ισχύος στην έξοδο, οπότε όταν αυξάνονται οι απαιτήσεις για μείωση της • Η χαρακτηριστική μεταφοράς προκύπτει από τις χαρακτηριστικές του τρανζίστορ και
παραμόρφωσης στην έξοδο, μειώνεται η μέγιστη τιμή ισχύος του ενισχυτή. τη γραμμή φορτίου και προφανώς εξαρτάται από τα υπόλοιπα στοιχεία του κυκλώματος
(VCC, RC) τα οποία διαφοροποιούν τη γραμμή φορτίου.
Χαρακτηριστική μεταφοράς τρανζίστορ Γραμμική λειτουργία
• Η χαρακτηριστική μεταφοράς του διπολικού τρανζίστορ παρουσιάζει στο μέσο
C
της ένα σχετικά ευθύγραμμο τμήμα, ενώ στα πολύ μικρά ρεύματα βάσης
(περιοχή αποκοπής) και κυρίως στα μεγάλα ρεύματα βάσης (περιοχή κόρου)
(mA)
παρουσιάζει καμπυλότητα.
• Εάν το σημείο λειτουργίας βρίσκεται μέσα στο ευθύγραμμο τμήμα της c

χαρακτηριστικής μεταφοράς, τότε η σχέση των ρευμάτων βάσης και συλλέκτη CQ
είναι γραμμική και το σήμα εξόδου θα έχει την ίδια μορφή με το σήμα εισόδου
(γραμμική λειτουργία κυκλώματος).
• Εάν όμως το σημείο λειτουργίας βρίσκεται σε καμπύλο τμήμα της BQ

χαρακτηριστικής μεταφοράς ή εάν το εφαρμοζόμενο σήμα παρουσιάζει αρκετά
μεγάλο πλάτος, τότε η σχέση των δύο ρευμάτων δεν είναι γραμμική και το B
σήμα εξόδου παραμορφώνεται (δηλ. έχει διαφορετική μορφή από το σήμα (μA)
εισόδου).
b
• Παραμόρφωση σήματος εξόδου έχουμε λοιπόν όταν το τρανζίστορ εισέρχεται
στην περιοχή αποκοπής ή όταν το τρανζίστορ εισέρχεται στην περιοχή κόρου.
Παραμόρφωση εξόδου Παραμόρφωση εξόδου
C C
(mA)
c
CQ
c
CQ
BQ
BQ B B
(μA)
b b
Τάξεις λειτουργίας ενισχυτικής βαθμίδας Τάξεις λειτουργίας ενισχυτικής βαθμίδας
• Οι ενισχυτικές βαθμίδες κατατάσσονται ανάλογα με τη κυματομορφή του ρεύματος Τάξη Β
συλλέκτη που προκύπτει όταν εφαρμόζεται σήμα στην είσοδό τους.
• Εάν μία ημιτονική τάση εφαρμόζεται στη βάση του τρανζίστορ μίας ενισχυτικής
βαθμίδας και η πόλωση του τρανζίστορ επιτρέπει αγωγή ρεύματος συλλέκτη και στις
δύο ημιπεριόδους του σήματος εισόδου (δηλ. κατά τη διάρκεια όλου του κύκλου),
τότε η βαθμίδα λειτουργεί σε τάξη Α.
Τάξη Α
• Το τρανζίστορ πολώνεται με ρεύμα συλλέκτη μεγαλύτερο από το πλάτος του ρεύματος
συλλέκτη που προκαλεί το σήμα εισόδου και το σημείο λειτουργίας βρίσκεται συνήθως
στο ευθύγραμμο τμήμα της χαρακτηριστικής μεταφοράς του τρανζίστορ.
• Οι ενισχυτές τάξης Α λειτουργούν όπως οι ενισχυτές μικρού σήματος (που ήδη έχουμε
μελετήσει) όπου το σημείο λειτουργίας του τρανζίστορ τοποθετείται στην ενεργό περιοχή. Τάξη ΑΒ
• Μία ενισχυτική βαθμίδα λειτουργεί σε τάξη Β όταν το τρανζίστορ πολώνεται στην αποκοπή
δηλ. το ρεύμα συλλέκτη είναι μηδενικό. Για ημιτονικό σήμα εισόδου, προκαλείται ρεύμα
συλλέκτη μόνο κατά τη θετική ημιπερίοδο του σήματος εισόδου.
• Στην ενδιάμεση τάξη ΑΒ, το τρανζίστορ πολώνεται σε μικρό μη μηδενικό ρεύμα
(κοντά στην αποκοπή και αρκετά χαμηλότερο από το πλάτος του ρεύματος συλλέκτη
που προκαλεί το σήμα εισόδου), με αποτέλεσμα το τρανζίστορ να άγει για διάστημα
ελαφρώς μεγαλύτερο του μισού κύκλου του σήματος εισόδου.
Ενισχυτές ισχύος σε τάξη Α ΚΕ με απευθείας σύνδεση φορτίου στο συλλέκτη

• Οι ενισχυτές ισχύος σε τάξη Α, λειτουργούν όπως οι ενισχυτές μικρού σήματος, • Για τον ενισχυτή του σχήματος, η γραμμή φορτίου
δηλαδή το σημείο λειτουργίας των τρανζίστορ βρίσκεται στην ενεργό περιοχή στο συνεχές συμπίπτει με τη γραμμή φορτίου στο
των χαρακτηριστικών. εναλλασσόμενο.
• Ωστόσο, στους ενισχυτές ισχύος οι διαδρομές τάσεων και ρευμάτων θα πρέπει • Για απλούστευση της μελέτης δεν περιλαμβάνεται
να είναι οι μέγιστες δυνατές. το κύκλωμα πόλωσης του τρανζίστορ.
• Για το λόγο αυτό, η παραμόρφωση του σήματος εξόδου λόγω μη γραμμικής • Για μέγιστη ισχύ, το σημείο λειτουργίας τοποθετείται
λειτουργίας των τρανζίστορ απαιτεί ιδιαίτερη προσοχή. μέσα στην ενεργό περιοχή των χαρακτηριστικών.
• Όπως ήδη έχουμε μελετήσει, η εφαρμογή αρνητικής ανατροφοδότησης μπορεί • Ωστόσο, δε θα πρέπει η γραμμή φορτίου να τέμνει
να μειώσει την παραμόρφωση του σήματος εξόδου σε αποδεκτό επίπεδο. την υπερβολή μέγιστης επιτρεπόμενης κατανάλωσης
• Υπάρχουν αρκετές τοπολογίες ενισχυτών σε τάξη Α, αλλά από αυτές τέσσερις του τρανζίστορ, που είναι ο γεωμετρικός τόπος των
είναι οι σημαντικότερες: σημείων για τα οποία ισχύει:
9 Ενισχυτής ΚΕ με απευθείας σύνδεση φορτίου στο συλλέκτη. v CE ⋅ iC = PD max

9 Ενισχυτής ΚΣ με απευθείας σύνδεση φορτίου στον εκπομπό. • Επίσης, η κλίση της γραμμής φορτίου εναλλασσόμενου
9 Ενισχυτής ΚΕ με χωρητική σύνδεση φορτίου. θα πρέπει να είναι τέτοια ώστε να μη γίνεται υπέρβαση
των ορίων μέγιστης επιτρεπόμενης τάσης (VCEmax) και
9 Ενισχυτής ΚΕ με σύνδεση φορτίου μέσω μετασχηματιστή. ρεύματος (ICmax) του τρανζίστορ.
ΚΕ με απευθείας σύνδεση φορτίου στο συλλέκτη ΚΕ με απευθείας σύνδεση φορτίου στο συλλέκτη
Κάτω από τις συνθήκες αυτές, Μέγιστη ισχύς στο ωμικό φορτίο:
εάν το σημείο λειτουργίας
τοποθετηθεί στο μέσο της
γραμμής φορτίου, τότε
επιτυγχάνονται οι μέγιστες
δυνατές διαδρομές τάσης και Απόδοση ισχύος (conversion coefficient) του ενισχυτή:
ρεύματος.
Πλάτη τάσης εξόδου και

ρεύματος φορτίου:
Συνεπώς, το 1/4 της παρεχόμενης ισχύος συνεχούς μετατρέπεται σε ωφέλιμη

ισχύ στο φορτίο.
Βασικά μειονεκτήματα ενισχυτών τάξης Α: χαμηλή απόδοση και κατανάλωση
ισχύος στο τρανζίστορ VCE ⋅ IC ακόμη και κατά την απουσία σήματος εισόδου
(δηλ. στην κατάσταση ηρεμίας)
Παράδειγμα 1ο: ενισχυτής ισχύος ΚΕ σε τάξη Α Παράδειγμα 1ο: ενισχυτής ισχύος ΚΕ σε τάξη Α
∆ιαθέτουμε πηγή τροφοδοσίας 40 V και τρανζίστορ με μέγιστες επιτρεπόμενες Πλάτη τάσης εξόδου και ρεύματος φορτίου:
τιμές κατασκευαστή PDmax = 20 W, ICmax = 0.5 A και VCEmax = 250 V και επιθυμούμε
να σχεδιάσουμε ενισχυτή ισχύος σε τάξη Α με στόχο την απόδοση της μέγιστης
δυνατής ισχύος σε ωμικό φορτίο 80 Ω, το οποίο συνδέεται απευθείας στο συλλέκτη
του τρανζίστορ.
Η γραμμή φορτίου στο συνεχές Μέγιστη (θεωρητικά αναμενόμενη) ισχύς στο ωμικό φορτίο:
συμπίπτει με τη γραμμή φορτίου
στο εναλλασσόμενο. Για την
επίτευξη της μέγιστης δυνατής
ισχύος στο φορτίο, θα πρέπει το
σημείο λειτουργίας να τοποθετηθεί Μέγιστη απόδοση ισχύος του ενισχυτή:
στο μέσο της γραμμής φορτίου, η
οποία τέμνει τον άξονα ρεύματος
στην τιμή iC = VCC / RL = 500 mA …250
και τον άξονα τάσης στην τιμή

vCE = VCC = 40 V. Οπότε, το Η πρακτικά αποδιδόμενη ισχύς στο φορτίο εξαρτάται από το αποδεκτό ποσοστό
σημείο λειτουργίας θα πρέπει να της παραμόρφωσης του σήματος εξόδου, το οποίο αυξάνεται όταν αυξάνεται το
τοποθετηθεί ως Q (20V, 250mA). μέγεθος του σήματος εισόδου.
Ενισχυτής ισχύος ΚΕ με οδηγό και ανατροφοδότηση ΚΣ με απευθείας σύνδεση φορτίου στον εκπομπό
• Ο ενισχυτής αυτός λειτουργεί παρόμοια με τον

προηγούμενο σε σχέση με τον οποίο παρουσιάζει
αναστροφή φάσης στην έξοδο.
• Με όμοιο τρόπο προκύπτει ότι η μέγιστη

απόδοση ισχύος είναι n = 25 %.
Η ενίσχυση ισχύος μπορεί να αυξηθεί με την προσθήκη οδηγού βαθμίδας

και η παραμόρφωση του σήματος εξόδου μπορεί να μειωθεί με εφαρμογή
αρνητικής ανατροφοδότησης τάσης σε σειρά με την είσοδο.
ΚΕ με χωρητική σύνδεση φορτίου ΚΕ με χωρητική σύνδεση φορτίου

• Στην περίπτωση της απευθείας σύνδεσης φορτίου Μέγιστος πλάτος τάσης εξόδου
στον εκπομπό, το συνεχές ρεύμα πόλωσης του χωρίς ψαλιδισμό:
τρανζίστορ διέρχεται από το φορτίο, γεγονός που
δεν είναι επιθυμητό σε μερικές εφαρμογές, όπου
το φορτίο απομονώνεται από το συνεχές μέσω
ενός πυκνωτή.
• Στην περίπτωση αυτή, η γραμμή φορτίου στο Μέγιστος πλάτος ρεύματος
συνεχές δε συμπίπτει με τη γραμμή φορτίου στο στο φορτίο:
εναλλασσόμενο αφού: R'L = RC // RL < RC.
• Η γραμμή φορτίου εναλλασσόμενου έχει 1
RC = R L ⇒ ic = − vo
μεγαλύτερη κλίση από τη γραμμή φορτίου συνεχούς R ′L
και συνεπώς οι διαδρομές τάσης και ρεύματος στον R ′L = R C / 2 ⇒ Μέγιστη ισχύς στο φορτίο:
ενισχυτή είναι μικρότερες.
I C R ′L = I C R C / 2 ⇒
Απόδοση ισχύος
• Μέγιστη μεταφορά ισχύος στο φορτίο επιτυγχάνεται I C R ′L = VCC / 4 ενισχυτή:
όταν RC = RL οπότε και η γραμμή φορτίου
εναλλασσόμενου συναντά τον άξονα της τάσης Το σημείο λειτουργίας έχει
Το φορτίο απομονώθηκε αλλά η απόδοση είναι
στα ¾ της τάσης τροφοδοσίας (VCC). τοποθετηθεί στο μέσο της
γραμμής φορτίου dc.
πολύ μικρή, λόγω θερμικής απώλειας στην RC.
ΚΕ με σύνδεση φορτίου μέσω μετασχηματιστή ΚΕ με σύνδεση φορτίου μέσω μετασχηματιστή
• Ένας άλλος τρόπος να απομονωθεί το φορτίο • Η μέγιστη διαδρομή της τάσης
εξόδου διπλασιάζεται:
από το συνεχές (δηλ. να εμποδιστεί η συνεχής
συνιστώσα ρεύματος να περάσει από το φορτίο)
είναι η σύνδεσή του μέσω μετασχηματιστή.
• Στην περίπτωση αυτή, η γραμμή φορτίου στο
συνεχές είναι κατακόρυφη αφού δεν υπάρχει
αντίσταση στο συλλέκτη: VCE = VCC.
• Η γραμμή φορτίου στο εναλλασσόμενο διέρχεται
από το σημείο λειτουργίας και έχει κλίση -1/R’L.
n: λόγος • Η απόδοση αυτή είναι η υψηλότερη

μετασχηματισμού που μπορεί να επιτευχθεί από
ενισχυτές σε τάξη Α.
• Για το συγκεκριμένο φορτίο, ο λόγος n μπορεί να • Η κατανάλωση ισχύος του
επιλεγεί κατάλληλα ώστε το σημείο λειτουργίας τρανζίστορ σε κατάσταση ηρεμίας
να βρίσκεται στο μέσο της γραμμής φορτίου (PQ = VCC ⋅ IC) δεν πρέπει να
εναλλασσόμενου, επομένως ο Μ/Τ χρησιμοποιείται ξεπερνά την μέγιστη επιτρεπόμενη
και για προσαρμογή του φορτίου στον ενισχυτή. ισχύ του κατασκευαστή.
Παράδειγμα 2ο: ενισχυτής ισχύος σε τάξη Α με Μ/Τ Παράδειγμα 2ο: ενισχυτής ισχύος σε τάξη Α με Μ/Τ
∆ιαθέτουμε πηγή τροφοδοσίας 40 V και τρανζίστορ με μέγιστες επιτρεπόμενες 40 V
500 mA
τιμές κατασκευαστή PDmax = 20 W, ICmax = 0.5 A και VCEmax = 250 V και επιθυμούμε
να σχεδιάσουμε ενισχυτή ισχύος σε τάξη Α με μετασχηματιστή με στόχο την
απόδοση της μέγιστης δυνατής ισχύος σε ωμικό φορτίο 20 Ω. 20 Ω
Για την επίτευξη της μέγιστης δυνατής ισχύος στο φορτίο θα πρέπει η γραμμή 2.83 : 1 250 mA
φορτίου εναλλασσόμενου να τέμνει τον άξονα των τάσεων στην τιμή 2VCC = 80 V.
Επίσης, με βάση το δεδομένο μέγιστο επιτρεπόμενο ρεύμα συλλέκτη η τομή της
ευθείας φόρτου με τον άξονα του ρεύματος θα είναι στην τιμή 0.5 Α.
Επομένως, για μέγιστη απόδοση ισχύος θα πρέπει να προσδιορίσουμε το λόγο

μετασχηματισμού ώστε το σημείο ηρεμίας να βρίσκεται στο μέσο της γραμμής
φορτίου εναλλασσόμενου: Q (40 V, 250 mA). 40 V 80 V
Ενισχυτής ισχύος push-pull με μετασχηματιστή Ενισχυτής ισχύος push-pull με μετασχηματιστή
• Η απόδοση των ενισχυτών σε τάξη Α είναι χαμηλή επειδή υπάρχει μία μόνιμη • Κατά τη θετική ημιπερίοδο
του σήματος εισόδου άγει
κατανάλωση (ΙC ⋅ VCE) στο τρανζίστορ. το Q1, ενώ κατά την αρνητική
• Στις ενισχυτικές βαθμίδες που λειτουργούν σε τάξη Β, το τρανζίστορ πολώνεται ημιπερίοδο άγει το Q2.
στην αποκοπή (ΙC = 0) και προκαλείται ρεύμα συλλέκτη μόνο κατά τη μισή • Ο Μ/Τ εισόδου προσφέρει
περίοδο του σήματος εισόδου στα δύο τρανζίστορ το σήμα
διέγερσης με διαφορά φάσης
• Στους ενισχυτές αυτούς είναι εφικτό να αυξηθεί η απόδοση ισχύος και 180ο.
ταυτόχρονα να αποφεύγεται η κατανάλωση ισχύος στο τρανζίστορ κατά την • Στην έξοδο (φορτίο) ρέει ρεύμα
απουσία σήματος. σε όλη τη διάρκεια της περιόδου
του σήματος εισόδου.
• Η συνηθέστερη τοπολογία κυκλώματος που μπορεί να λειτουργήσει όταν τα
τρανζίστορ που περιλαμβάνει λειτουργούν στην αποκοπή, αναφέρεται ως • Ωστόσο, για να αρχίσουν να
ενισχυτής ισχύος push-pull. άγουν τα τρανζίστορ θα πρέπει να
ξεπεραστεί η τάση VBE (~ 0.7 V).
• Στην τοπολογία αυτή χρησιμοποιούνται δύο διπολικά τρανζίστορ με παρόμοιες • Έτσι, υπάρχει ένα μικρό χρονικό διάστημα στην αρχή κάθε ημιπεριόδου όπου δεν υπάρχει
χαρακτηριστικές (ταιριασμένα – matched – τρανζίστορ) τα οποία διεγείρονται ρεύμα στο συλλέκτη, που δημιουργεί το φαινόμενο που αναφέρεται ως παραμόρφωση
από το σήμα εισόδου μέσω μετασχηματιστή. cross-over.
• Η προσαρμογή του φορτίου γίνεται επίσης μέσω μετασχηματιστή. • Για να ξεπεραστεί το φαινόμενο αυτό τα τρανζίστορ πολώνονται σε πολύ μικρό ρεύμα ΙC
με αποτέλεσμα τα τρανζίστορ να λειτουργούν σε τάξη ΑΒ.
Ενισχυτής ισχύος push-pull με μετασχηματιστή Ενισχυτής ισχύος push-pull με μετασχηματιστή

Λειτουργία σε τάξη Β Λειτουργία σε τάξη ΑΒ • Για να δημιουργήσουμε την κυματομορφή της τάσης εξόδου του ενισχυτή,
αναστρέφουμε τις χαρακτηριστικές του Q2.
• Η γραμμή φορτίου εναλλασσόμενου διέρχεται από το σημείο λειτουργίας που
βρίσκεται μέσα στην περιοχή αποκοπής και των δύο τρανζίστορ.
Λειτουργία push-pull: το Q1 σπρώχνει (push) ρεύμα προς το φορτίο όταν το σήμα

διέγερσης είναι θετικό και το Q2 (pull) τραβάει ρεύμα από το φορτίο όταν το σήμα
διέγερσης είναι αρνητικό.
Ενισχυτής ισχύος push-pull με μετασχηματιστή Ενισχυτής push-pull με συμπληρωματικά τρανζίστορ
Το διπλά ανορθωμένο ρεύμα στους συλλέκτες συνεπάγεται μία συνεχή
συνιστώσα ρεύματος, η οποία προκαλεί κατανάλωση ισχύος στο κύκλωμα Εάν δεν χρησιμοποιήσουμε
παρόλο που το ρεύμα ηρεμίας είναι σχεδόν μηδενικό. δύο όμοια τρανζίστορ, αλλά
δύο συμπληρωματικά
Το ρεύμα κάθε τρανζίστορ λόγω του ότι αποτελείται μόνο τρανζίστορ (npn και pnp με
από θετικά τμήματα εμπεριέχει συνεχή συνιστώσα που παρόμοιες χαρακτηριστικές),
προσδιορίζεται από τη μέση τιμή του ρεύματος: δεν απαιτείται Μ/Τ εισόδου,
αφού το ένα τρανζίστορ θα
λειτουργεί στη θετική και το
άλλο στην αρνητική ημιπερίοδο
του σήματος εισόδου.
⇒
• Οι δίοδοι χρησιμοποιούνται για να εξασφαλιστεί η κατάλληλη πόλωση των

Συνολική καταναλισκόμενη Μέγιστη απόδοση τρανζίστορ για λειτουργία του κυκλώματος σε τάξη ΑΒ (αποφυγή cross-over).
ισχύς στο κύκλωμα: ισχύος του ενισχυτή:
2
• Εφαρμόζεται συμμετρική τροφοδοσία συνεχούς, οπότε το φορτίο μπορεί να
συνδεθεί απευθείας στους εκπομπούς των τρανζίστορ.
• Η μέγιστη απόδοσης ισχύος του ενισχυτή παραμένει 78.5 %.
Συμπεράσματα
• Οι ενισχυτές ισχύος είναι ενισχυτές μεγάλων σημάτων που χρησιμοποιούνται
για να αποδίδουν σημαντική ισχύ στο φορτίο.
• Τα τρανζίστορ των ενισχυτών ισχύος πολώνονται με διάφορους τρόπους

δημιουργώντας τις διαφορετικές τάξεις λειτουργίας των ενισχυτών ισχύος
(τάξη Α, τάξη Β, ενδιάμεση τάξη ΑΒ).
• Η απόδοση ισχύος των ενισχυτών ισχύος μπορεί να φτάσει το 78% περίπου

(για μη παραμορφωμένο σήμα εξόδου), ανάλογα με το σχεδιασμό τους.
• Η προσαρμογή του φορτίου στους ενισχυτές ισχύος μπορεί να γίνει απευθείας,

μέσω πυκνωτή ή μέσω μετασχηματιστή. Ασκήσεις 7ης ενότητας
• Λόγω της μη γραμμικής συμπεριφοράς των τρανζίστορ για μεγάλα σήματα,
τα σήματα στην έξοδο μπορεί να είναι αισθητά παραμορφωμένα.
• Όσο μεγαλύτερη είναι η απαίτηση ισχύος, τόσο μεγαλύτερη είναι και η

παραμόρφωση.
Στον ενισχυτή ισχύος του σχήματος το ρεύμα συλλέκτη είναι 250 mΑ. Να Στον ενισχυτή ισχύος του σχήματος το ρεύμα συλλέκτη είναι 250 mΑ. Να
υπολογίσετε τη μέγιστη ισχύ που αποδίδεται στο φορτίο. υπολογίσετε τη μέγιστη ισχύ που αποδίδεται στο φορτίο (αγνοήστε την RE).
V1 = I C R C + VCE ⇒ VCE = V1 − I C R C
V1 = I C R L + VCE ⇒ VCE = V1 − I C R L
⇒ VCE = 20 V = V1 / 2
⇒ VCE = 20 V = V1 2
Πρόκειται για ενισχυτή ΚΕ με χωρητική
σύνδεση φορτίου:
VCE V
v om = = 10 V = 1
2 4
IC V
i om = = 125 mA = 1
2 4R L
Pac = 2.5 W
Pac = 0.625 W
Στον ενισχυτή ισχύος του σχήματος να προσδιορίσετε την πόλωση του Στον ενισχυτή ισχύος του σχήματος να προσδιορίσετε την πόλωση του
τρανζίστορ εάν η μέγιστη δυνατή (επιτρεπόμενη) ισχύς στο φορτίο είναι 2.5 W. τρανζίστορ εάν αποδίδεται στο φορτίο μέγιστη ισχύς 1 W.
V1 = I C R L + VCE (1)
Πρόκειται για ενισχυτή ΚΕ με απευθείας Όπως είδαμε στην προηγούμενη άσκηση,
σύνδεση του φορτίου στο συλλέκτη. Η αλλά και στην 1η άσκηση της ενότητας, εάν
μέγιστη επιτρεπόμενη ισχύς στο φορτίο θέταμε το σημείο λειτουργίας στο μέσο της
επιτυγχάνεται εάν το σημείο λειτουργίας
γραμμής φορτίου δηλ. Q (20V, 250mA), τότε
τοποθετηθεί στο μέσο της γραμμής φορτίου:
η διαθέσιμη ισχύς του κυκλώματος θα ήταν
2.5 W. Επειδή όμως επιθυμούμε η μέγιστη
(2)
ισχύς να περιορίζεται στo 1 W, θα πρέπει το
σημείο λειτουργίας να τοποθετηθεί
Από τις (1) και (2) για V1 = 40 V και χαμηλότερα, ώστε να αποφύγουμε άσκοπη
Pac = 2.5 W προκύπτει:
κατανάλωση ισχύος στο τρανζίστορ.
VCE = 20 V IC = 250 mA
Στον ενισχυτή ισχύος του σχήματος το ρεύμα συλλέκτη είναι 250 mA. Nα
προσδιορίσετε τη μέγιστη ισχύ στο φορτίο RL.
vo io i ⋅R i
Η θέση του σημείου
Pac = v o ( rms ) ⋅ i o ( rms) =
⋅ = o L⋅ o ⇒
2 2 2 2
λειτουργίας
υπολογίζεται με 0.25 ⋅10 ⋅ 0.25
γεωμετρικό τρόπο.
Pac = = 0.312 W
2
Πρόκειται για ενισχυτή ΚΕ με απευθείας σύνδεση
του φορτίου στον εκπομπό, στον οποίο δεν
αποδίδεται στο φορτίο η μέγιστη δυνατή ισχύς,
IC 0. 5 V αφού το σημείο λειτουργίας δεν είναι τοποθετημένο
= ⇒ 40 I C = 20 − CE ⇒ I C = 0.5 − 0.0125 VCE (1) στο μέσο της γραμμής φορτίου:
40 − VCE 40 2
40 − VCE I C (1) VCC = VCE + VR L ⇒ VCC = VCE + I C R L
Pac = v o ( rms ) ⋅ i o ( rms ) =
⋅ = 1 ⇒(40 − VCE ) ⋅ (0.5 − 0.0125 VCE ) = 2
2 2 ⇒ VCE = VCC − I C R L ⇒ VCE = 17.5 V > VCC 2
⇒ VCE = 27.4 V ή 52.6 V (1) ⇒ I C = 0.16 A
Άσκηση 6η Βιβλιογραφία
Στον ενισχυτή ισχύος του σχήματος να υπολογίσετε τις τιμές των αντιστάσεων
R1, R2, R3 και R4, ώστε τα ρεύματα και οι τάσεις να είναι οι αναγραφόμενες.
12 − 0.8 Γ. Χαριτάντη, Ηλεκτρονικά ΙΙ (Αναλογικά Ηλεκτρονικά),

R1 = Ω = 24.3 kΩ Πανεπιστημιακές Εκδόσεις Αράκυνθος, 2007.
460 ⋅10 −6
12 − 6.8 Γ. Χαριτάντη, Ηλεκτρονικά Ι (Εισαγωγή στα Ηλεκτρονικά),

460μΑ R2 = Ω = 52 Ω
100 ⋅10 −3 Πανεπιστημιακές Εκδόσεις Αράκυνθος, 2006.
R4
(6.8 − 5.2) = 6 − 5.2 ⇒ Α. Sedra, K. Smith, Μικροηλεκτρονικά Κυκλώματα, τόμοι Α & Β,
R3 + R4
Εκδόσεις Παπασωτηρίου, 2010.
R4
1.6 = 0.8 ⇒
R3 + R4 A. P. Malvino, D. G. Bates, Ηλεκτρονική - Αρχές και εφαρμογές,
R4 Εκδόσεις Τζιόλα, 2012.
= 0.5 ⇒
R3 + R4
R 4 = 0.5 (R 3 + R 4 ) ⇒
Οι R3 και R4 μπορούν να λάβουν οποιαδήποτε τιμή,
αρκεί να είναι ίσες. R3 = R4

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε.

• Οι ενισχυτές αποτελούν και το βασικό αντικείμενο του μαθήματος.

• Οι ενότητες που θα μελετηθούν είναι οι παρακάτω:

Περιεχόμενα 1ης ενότητας Ανασκόπηση: 1ος κανόνας Kirchhoff

• Εισαγωγή στους ενισχυτές και στις απλές βαθμίδες ενισχυτών.

Το αλγεβρικό άθροισμα των M ∆ιαιρέτης τάσης

V1(ωt) = Vm1 sin(ωt) = Vm1 sin(2πf t)

Προηγείται η κυματομορφή της V1 κατά φ

• Το τρανζίστορ προσεγγιστικά λειτουργεί ως δρόμος ρεύματος από τον

Χαρακτηριστικές εισόδου Χαρακτηριστικές εξόδου

2V VCE Περιοχή κόρου

Σύνδεση κοινού συλλέκτη

Εισαγωγή στους ενισχυτές Απλές βαθμίδες ενισχυτών

Με τις σχέσεις αυτές

Παράδειγμα 1ο: σταθερή πόλωση Πόλωση από το συλλέκτη

VCE = VCB + VBE ⇒ VBC = VBE – VCE = − 4.3V ⇒

Ισοδύναμο κύκλωμα κατά Thevenin

⇒ Q (VCE, IC) = Q (5V, 2mA)

Πόλωση με συμμετρική πηγή τάσης Πόλωση με σταθερή πηγή ρεύματος

Το κύκλωμα αυτό έχει το πλεονέκτημα ότι το ρεύμα Ι που

Με 2ο κανόνα VCC − VBE β

Kirchhoff: VCC = VBE + I R R ⇒ I R = VCC IC + 2 ⋅ I B − I R = 0 ⇒ ⋅ ΙR ⇒

Εάν θεωρήσουμε ότι β >> 1 τότε IC = I = 1 mA. Κύκλωμα

Ισοδύναμα μοντέλα διπολικού τρανζίστορ Ισοδύναμα μοντέλα διπολικού τρανζίστορ

ή ρεύματος) με γνωστές όλες τις παραμέτρους της.

Η παρουσία της vo στο

0.98 Η τάση εξόδου παρουσιάζεται εξασθενημένη σε σχέση με την

• Απλή βαθμίδα ενισχυτή ΚΒ:

Ενισχυτές απομόνωσης Γραμμή φορτίου ενισχυτή στο εναλλασσόμενο

Ισοδύναμο κύκλωμα ενισχυτή κοινού εκπομπού

+ VCE + I C ⋅ R 'L = Μέγιστο πλάτος

• Η απόκλιση που εμφανίζεται στην περιοχή των χαμηλών συχνοτήτων

• Η συμπεριφορά του ενισχυτή στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων

Ανασκόπηση: λειτουργία τρανζίστορ MOSFET Ανασκόπηση: χαρακτηριστικές εξόδου MOSFET

κανάλι και το ρεύμα απαγωγού (ID)

Το MOSFET σε σύνδεση κοινής πηγής αντιμετωπίζεται στο εναλλασσόμενο ως s

1 β λ ID Θεωρήθηκε αμελητέα η διαμόρφωση

Παράδειγμα 10ο: ενισχυτής κοινής πηγής Συμπεράσματα

VCC Εφαρμόζουμε το 2ο κανόνα Kirchhoff στους δύο

Ασκήσεις 1ης ενότητας

Όπως αναμενόταν, οι τιμές ηρεμίας (ρεύμα συλλέκτη και τάση συλλέκτη-

249 ⋅103 ⋅ vi 249 ⋅103 ⋅ 0.333 ⋅ v s

RΑ Η τάση εξόδου είναι

Άσκηση 10η Άσκηση 10η

O ενισχυτής αυτός, στο εναλλασσόμενο

Άσκηση 11η Άσκηση 12η

Άσκηση 13η Άσκηση 13η

VDS = VDD − I D R D − I D R 3 ⇒ VDS = 4.5 V

Σημείο ηρεμίας: Q (4.5 V, 0.5 mA)

Το MOSFET έχει πολωθεί με G D

Περιεχόμενα 2ης ενότητας

• Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε με τη λειτουργία των τρανζίστορ, που

• π-ισοδύναμο μοντέλο του διπολικού τρανζίστορ που περιγράφει ικανοποιητικά

• Τροποποιημένο κατά Miller π-ισοδύναμο μοντέλο διπολικού τρανζίστορ.

• Ισοδύναμο μοντέλο του MOSFET στις υψηλές συχνότητες.

• Συμπεράσματα και ασκήσεις.

• Στην προηγούμενη ενότητα μελετήσαμε τη συμπεριφορά των ενισχυτών στην

• Για το σκοπό αυτό δημιουργήσαμε για το διπολικό τρανζίστορ, το υβριδικό h-

• Η απόκριση συχνότητας των ενισχυτών με βάση το υβριδικό h-ισοδύναμο

π-ισοδύναμο μοντέλο διπολικού τρανζίστορ Τροποποιημένο κατά Miller π-ισοδύναμο μοντέλο

Η r′bc είναι πολύ

Με βάση το θεώρημα τάσεων