Vls Is Ys Course Cmos Basic

Transistor CMOS
Thi¸t k¸ H» thèng VLSI - Spring 2016
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü
Bë mæn Kÿ thuªt i»n tû M¡y t½nh

Khoa Kÿ thuªt i»n tû I
Håc vi»n Cæng ngh» B÷u ch½nh Vi¹n thæng (PTIT)
ver. 16a
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 1 / 76

C§u tróc MOS
C§u tróc MOS hai cüc ìn gi£n
MOS: Metal Oxide Semiconductor
C§u tróc ìn gi£n gçm 3 lîp:

¸ b¡n d¨n (body, bulk) pha t¤p.
Lîp SiO2 .
Cüc cûa kim lo¤i (ho°c polysilicon)
c Kang et
H¼nh: C§u tróc MOS ìn gi£n
ìn gi£n x²t ¸ b¡n d¨n pha t¤p lo¤i p
al.
np = ni2 (n, p l nçng ë h¤t d¨n ëng cõa electron v lé trèng, ni l nçng
ë h¤t d¨n gèc cõa Si).
Gi£ sû t§m ¸ ÷ñc pha t¤p ch§t nhªn (nguy¶n tè nhâm III) vîi nçng ë Na .
Ð i·u ki»n c¥n b¬ng nhi»t, chóng ta câ:
n2
= i
np 0 ∼ v pp 0 ∼
= Na
Na
C§u tróc MOS
Gi£n ç ph¥n bè mùc n«ng l÷ñng cõa c§u tróc MOS hai cüc ìn gi£n
(a) T§m ¸ Si lo¤i p (b) Ba lîp t¤o c§u tróc MOS ìn gi£n
c Kang et al.
H¼nh:
Mùc th¸ n«ng Fermi ΦF = EF − q

Ei
kT n kT N
I Φ
Fp = q ln Nia ; ΦFn = q ln ndi
Mùc n«ng l÷ñng c¦n thi¸t cho mët electron chuyºn tø mùc Fermi l¶n vòng
chuyºn ëng tü do:q Φs = q χ + (Ec − EF )
C§u tróc MOS
Gi£n ç ph¥n bè mùc n«ng l÷ñng cõa c§u tróc MOS hai cüc ìn gi£n (cont.)
(a) Tr÷îc khi gh²p (b) Sau khi gh²p

c Kang et al.
H¼nh:
Trong i·u ki»n c¥n b¬ng, c¡c mùc Fermi cõa t§m ¸, cüc cûa ð còng mët
mùc.
Mùc Fermi cõa t§m ¸ khæng chàu £nh h÷ðng nhi·u (¡ng kº) cõa vi»c b´
cong d£i n«ng l÷ñng.
C§u tróc MOS khi câ i»n ¡p ph¥n cüc
C¡c ch¸ ë l m vi»c
Gi£ sû i»n th¸ t§m ¸ ÷ñc nèi §t VB = 0
Tòy theo i»n th¸ °t v o cüc cûa m c§u tróc MOS câ c¡c ch¸ ë l m vi»c:
I T½ch lôy (accumulation); Suy gi£m (l m ki»t - depletion); £o (inversion)
(a) Ch¸ ë t½ch lôy (b) Ch¸ ë suy gi£m
(c) Ch¸ ë £o

C¡c ch¸ ë l m vi»c - Ch¸ ë t½ch lôy
H¼nh: Minh håa m°t ct vîi ph¥n bè h¤t d¨n v gi£n ç n«ng l÷ñng trong ch¸ ë t½ch
c Kang et al.
lôy
i»n th¸ °t l¶n cüc cûa VG < 0

I H¤t d¨n a sè (lé trèng) tªp trung t¤i b· m°t ti¸p xóc t§m ¸ v lîp SiO2 ).
I T¤i lîp ti¸p xóc, nçng ë h¤t d¨n a sè > nçng ë h¤t d¨n a sè ð i·u ki»n
c¥n b¬ng.
I T¤i lîp ti¸p xóc, nçng ë h¤t d¨n thiºu sè gi£m.
I i»n tr÷íng lîp SiO2 h÷îng vuæng gâc v· ph½a cüc cûa.
I C¡c d£i n«ng l÷ñng bà b´ l¶n g¦n b· m°t.
C¡c ch¸ ë l m vi»c - Ch¸ ë suy gi£m
H¼nh: Minh håa m°t ct vîi ph¥n bè h¤t d¨n v gi£n ç n«ng l÷ñng trong ch¸ ë suy
gi£m c Kang et al.
Mët mùc i»n th¸ d÷ìng nhä ÷ñc °t v o cüc cûa (VG > 0, nhä).
I i»n tr÷íng lîp SiO2 h÷îng v· ph½a ¸.
I C¡c d£i n«ng l÷ñng bà b´ xuèng g¦n b· m°t.
I G¦n vòng ti¸p xóc, h¤t d¨n a sè (hole) bà ©y v· ph½a ¸ ⇒ º l¤i vòng
ngh±o (ch¿ gçm c¡c ion ¥m cõa ch§t cho) ⇒ G¦n nh÷ khæng câ h¤t d¨n
C¡c ch¸ ë l m vi»c - Ch¸ ë suy gi£m: ë d y vòng ngh±o
Möc ½ch: xd = f (ΦS ) (ΦS : mùc th¸ n«ng b· m°t)
i»n t½ch bði c¡c lé trèng chuyºn ëng trong mët lîp mäng song song vîi b·
m°t:
dQ = −qNa dx
.
d ΦS = −x dQ qNa x
Si = Si dx
Rx qNa xd
⇒ ΦFS d ΦS = 0 d qN ax
RΦ 2
Si dx ⇒ ΦS − ΦF = 2Si
⇒ ë d y (s¥u) vòng ngh±o: xd = 2Si |Φ

q
S −ΦF |
qNa
Vòng ngh±o ch¿ chùa c¡c ion cè ành cõa ch§t nhªn vîi i»n t½ch:
Q = −qNa xd = − 2qNa Si |ΦS − ΦF |

p
I i»n t½ch vòng ngh±o n y âng vai trá quan trång trong c¡c ph¥n t½ch i»n ¡p
ng÷ïng cõa transistor MOS.
C¡c ch¸ ë l m vi»c - Ch¸ ë £o
c
H¼nh: Minh håa m°t ct vîi ph¥n bè h¤t d¨n v gi£n ç n«ng l÷ñng trong ch¸ ë £o
Kang et al.
Mët mùc i»n th¸ d÷ìng t«ng l¶n ÷ñc °t v o cüc cûa (VG > 0, lîn).
I Th¸ n«ng b· ↑ ⇒ c¡c d£i n«ng l÷ñng c ng bà b´ cong xuèng.
I Mùc n«ng l÷ñng Ei nhä hìn mùc Fermi EFp t¤i b· m°t:
F Vòng ¸ b¡n d¨n g¦n b· m°t trð th nh lo¤i n.
F Vòng n y t¤o th nh lîp £o, b· m°t £o: mªt ë h¤t d¨n thiºu sè (electron)
lîn hìn mªt ë h¤t d¨n a sè (hole)
F ⇒ Lîp £o câ thº ÷ñc sû döng cho vi»c d¨n dáng giúa c¡c cüc cõa Transistor
MOS.
C¡c ch¸ ë l m vi»c - Ch¸ ë £o (cont.)
B· m°t ÷ñc gåi l bà £o khi mªt ë electron chuyºn ëng tr¶n b· m°t c¥n
b¬ng vîi mªt ë lé trèng trong ¸ (lo¤i p).
Th¸ n«ng b· m°t ph£i câ còng ë lîn nh÷ng £o cüc so vîi th¸ Fermi cõa ¸
ΦS = −ΦF
⇒ ë rëng vòng ngh±o cüc ¤i:
s
2Si |2ΦF |
xdm =
qNa
Khi b· m°t ¢ bà £o, b§t cù mët sü gia t«ng n o cõa i»n th¸ cüc cûa ⇒
Gia t«ng nçng ë electron chuyºn ëng; Tuy nhi¶n khæng l m mð rëng vòng
ngh±o.
Vi»c t¤o lîp £o b· m°t d¨n i»n khi câ i»n ¡p ph¥n cüc ngo i th½ch hñp l
mët hi»n t÷ñng cì b£n trong qu¡ tr¼nh d¨n dáng cõa Transistor MOS.
C§u tróc v nguy¶n lþ ho¤c ëng cõa Transistor MOSFET
C§u tróc cõa Transistor MOSFET
c Kang et al.
H¼nh: C§u tróc cõa mët transistor MOSFET k¶nh d¨n n lo¤i t«ng c÷íng
Thi¸t bà bèn cüc: th¥n ¸ b¡n d¨n lo¤i p (B), vòng b¡n d¨n pha t¤p n+
t÷ìng ùng vîi cüc nguçn (S) v cüc m¡ng (D), lîp c¡ch ly cüc cûa SiO2 vîi
cüc cûa kim lo¤i (ho°c polysilicon)
Vòng cüc S v D ÷ñc pha t¤p n+:
I L c¡c cüc d¨n dáng cõa transistor.
I Câ c¡c k½ch th÷îc °c tr÷ng: L (chi·u d i k¶nh d¨n); W (b· rëng k¶nh d¨n).
I Chó þ: thi¸t bà ho n to n èi xùng v· m°t h¼nh håc vîi cüc S v D, vai trá c¡c
cüc n y ÷ñc quy¸t ành khi nèi vîi i»n ¡p ph¥n cüc ngo i v chi·u dáng i»n.
C§u tróc cõa Transistor MOSFET - ë d i k¶nh d¨n hi»u döng
Chi·u d i k¶nh d¨n thüc t¸ L minh håa trong slide 1 ÷ñc gåi l chi·u d i
k¶nh d¨n hi»u döng:
I L
eff = Ldrawn − 2LD
I Ldrawn : têng chi·u d i k¶nh d¨n x¡c ành khi v³ layout; LD : chi·u d i mð rëng
v o k¶nh do khu¸ch t¡n bi¶n.
I º ìn gi£n chóng ta sû döng L cho chi·u d i k¶nh d¨n hi»u döng
c Razavi.
H¼nh: Minh håa ành ngh¾a thüc t¸ ë d i k¶nh d¨n cõa Transistor MOS
L, W v dox (tox ): l c¡c tham sè quan trång quy¸t ành t½nh ch§t i»n (ho¤t
ëng) cõa Transistor.
⇒ Cæng ngh» CMOS ang cè gng ng y c ng gi£m d¦n L v tox qua c¡c th¸
h» m khæng £nh h÷ðng ¸n c¡cTransistor
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) tham sè kh¡c.
CMOS ver. 16a 12 / 76
C§u tróc cõa Transistor MOSFET - Ph¥n lo¤i
Lo¤i MOSFET k¶nh c£m ùng (E-MOSFET - Enhancement-type MOSFET):

I Khæng câ vòng k¶nh d¨n dáng ð i·u ki»n ph¥n cüc cüc cûa b¬ng 0.
I K¶nh d¨n ÷ñc t¤o ra b¬ng c¡ch cung c§p i»n ¡p ph¥n cüc v o cüc cêng lîn
hìn mët mùc ng÷ïng ⇒ t¤o lîp £o.
Lo¤i MOSFET k¶nh °t s®n (D-MOSFET - Deleption-type MOSFET):
I Câ vòng k¶nh d¨n dáng ð i·u ki»n ph¥n cüc cüc cûa b¬ng 0.
I K¶nh d¨n tçn t¤i s®n ngay khi ph¥n cüc cüc cûa b¬ng 0: sû döng vi»c c§y
gh²p ion chån låc v o vòng k¶nh t¤o k¶nh d¨n s®n.
Transistor MOSFET k¶nh d¨n n: nMOS
I ¸ b¡n d¨n lo¤i p , c¡c cüc S v D l vòng pha t¤p n+.
I K¶nh d¨n ÷ñc t¤o l lo¤i n.
Transistor MOSFET k¶nh d¨n p: pMOS.
I ¸ b¡n d¨n lo¤i n, c¡c cüc S v D l vòng pha t¤p p +.
I K¶nh d¨n ÷ñc t¤o l lo¤i p .

C§u tróc cõa Transistor MOSFET - Kþ hi»u
(a) Transistor MOSFET lo¤i k¶nh c£m ùng
(b) Transistor MOSFET k¶nh °t

s®n
c Kang et al.
H¼nh: C¡c kþ hi»u cõa Transistor MOSFET

Nguy¶n lþ l m vi»c - Quy ÷îc c¡c i»n ¡p tr¶n c¡c cüc
Ch¸ ë l m vi»c cõa Transistor MOSFET phö thuëc v o i»n th¸ tr¶n c¡c
cüc VG , VD , VS , VB
I V
GS = VG − VS .
I V
GD = VG − VD .
I V
DS = VD − VS = VGS − VGD .
I V
BS = VB − VS .
nMOS: cüc S câ i»n th¸ th§p nh§t, B ÷ñc nèi vîi i»n th¸ th§p nh§t
(th÷íng l §t).
pMOS: cüc S câ i»n th¸ cao nh§t, B ÷ñc nèi vîi i»n th¸ cao nh§t (th÷íng
l VDD ).
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) c Kang

H¼nh:Transistor CMOS et al. ver. 16a 15 / 76
Nguy¶n lþ l m vi»c - C¡c vòng l m vi»c
Nguy¶n lþ l m vi»c ìn gi£n
Thi¸t bà l m vi»c düa v o vi»c i·u khiºn dáng d¨n tr¶n k¶nh d¨n giúa cüc nguçn
v cüc m¡ng b¬ng c¡ch sû döng i»n tr÷íng t¤o ra bði sü thay êi i»n ¡p °t
v o cüc cûa.
Ch¿ câ mët lo¤i h¤t d¨n duy nh§t trong k¶nh d¨n.
I nMOS: S electron
−→ D
lé trèng
I pMOS: S −→ D
Electron câ ë linh ëng cao hìn lé trèng ⇒ c¡c transistor nMOS câ tèc ë
nhanh hìn c¡c transistor pMOS.
Transistor MOSFET câ 3 vòng l m vi»c:
I Vòng ngt (Cut-off).
I Vòng tuy¸n t½nh (Linear).
I Vòng b¢o háa (Saturation).
ìn gi£n xem x²t ho¤t ëng cõa mët nMOS k¶nh c£m ùng l m ¤i di»n.
Nguy¶n lþ l m vi»c - Ch¸ ë ngt
c Kang et al.
H¼nh: Ph¥n cüc ìn gi£n cõa nMOS k¶nh c£m ùng ð ch¸ ë ngt
i»n th¸ cüc cûa nhä: 0 < VGS < VT 0

I H¤t d¨n a sè (lé trèng) bà ©y khäi b· m°t v· ph½a t§m ¸.
I ⇒ B· m°t t§m ¸ bà l m ngh±o.
I ⇒ Vi»c d¨n dáng giúa c¡c cüc nguçn v cüc m¡ng l khæng thº: ID ≈ 0.

Nguy¶n lþ l m vi»c - Ch¸ ë tuy¸n t½nh
c Kang et al.
H¼nh: Gi£n ç n«ng l÷ñng v i»n ¡p ph¥n cüc cõa nMOS k¶nh c£m ùng
i»n ¡p cüc cûa ti¸p töc t«ng.

I Khi mùc th¸ n«ng b· m°t ¤t ΦS = −ΦF ⇒ T¤o lîp b· m°t £o ⇒ T¤o k¶nh
d¨n giúa S v D.
I Cho ph²p dáng i»n giúa S v D n¸u câ sü ch¶nh l»ch i»n ¡p giúa S v D
VGS > VT 0 (VT 0 : i»n ¡p ng÷ïng)

H¤t d¨n thiºu sè (electron) ÷ñc hót v· ph½a b· m°t t¤o th nh k¶nh d¨n.

Nguy¶n lþ l m vi»c - Ch¸ ë tuy¸n t½nh (cont.)
B§t cù gi¡ trà i»n ¡p VGS n o nhä hìn mùc i»n ¡p ng÷ïng VT 0 khæng õ
t¤o lîp £o.
I Transistor MOSFET khæng thº d¨n dáng giúa c¡c cüc S v cüc D.
Transistor MOSFET ch¿ câ thº d¨n dáng n¸u VGS > VT 0
Vi»c t«ng i»n ¡p VGS v÷ñt tr¶n mùc ng÷ïng hót c¡c h¤t d¨n thiºu sè v·
ph½a b· m°t t¤o k¶nh d¨n.
Vi»c ti¸p töc t«ng i»n ¡p VGS tr¶n mùc ng÷ïng s³ khæng £nh h÷ðng ¸n th¸
n«ng b· m°t v ë rëng (s¥u) vòng ngh±o.

Nguy¶n lþ l m vi»c - Ch¸ ë tuy¸n t½nh: X¡c ành i»n ¡p ng÷ïng VT 0 (1)
Mùc i»n ¡p VGS c¦n thi¸t º lîp ti¸p xóc b· m°t bà l m ngh±o ho n to n v
v÷ñt qua gi¡ trà n y câ thº t¤o lîp £o (t¤o k¶nh d¨n) ÷ñc gåi l i»n ¡p
ng÷ïng VT 0 .
C¡c th nh ph¦n vªt lþ cõa i»n ¡p ng÷ïng VT 0 :
I Sü ch¶nh l»ch cæng (work function) giúa cüc cûa v k¶nh d¨n.
I Th nh ph¦n i»n ¡p cüc cûa º thay êi th¸ n«ng b· m°t.
I Th nh ph¦n i»n ¡p cüc cûa º t¤o vòng ngh±o i»n t½ch b· m°t.
I Th nh ph¦n i»n ¡p º t¤o ch¶nh l»ch i»n t½ch cè ành trong vòng cüc cûa
æ-x½t v trong ti¸p gi¡o Si-SiO2
Ch¶nh l»ch cæng giúa cüc cûa v k¶nh: ph£n ¡nh th¸ n«ng ành s®n cõa h»
thèng MOS. Phö thuëc v o vªt li»u cüc cûa:
I Cüc cûa b¬ng kim lo¤i: Φ
GC = ΦF (¸) − ΦF (kim lo¤i)
I Cüc cûa b¬ng polysilicon: Φ
GC = ΦF (¸) − ΦF (polysilicon)
I ¥y l th nh ph¦n i»n ¡p ng÷ïng bò cho ph¦n i»n ¡p rìi tr¶n h» thèng
MOS.

Th nh ph¦n i»n ¡p cüc cûa c¦n ÷ñc thi¸t lªp º thi¸t lªp ÷ñc lîp £o.
I êi th¸ n«ng b· m°t mët mùc −2Φ
F
Th nh ph¦n i»n ¡p cüc cûa c¦n º t¤o vòng ngh±o i»n t½ch: −QB /Cox .
I Mªt ë i»n t½ch vòng ngh±o t¤i b· m°t £o (Φ = −Φ ):
S F
QB 0 = − 2qNa Si | − 2ΦF |.
p
I Mªt ë i»n t½ch vòng ngh±o câ kºp ¸n i»n th¸ t§m ¸ kh¡c mùc tham chi¸u
cõa i»n th¸ cüc nguçn: QB = − 2qNa Si | − 2ΦF + VSB |
I Cox : dung kh¡ng cüc cûa æ-x½t tr¶n mët ìn và di»n t½ch Cox = ox /tox
Th nh ph¦n i»n ¡p º gi£m i»n t½ch cè ành tr¶n æ-x½t cüc cûa v trong
ti¸p gi¡p Si-SiO2 : −Qox /Cox
I Luæn tçn t¤i mët l÷ñng i»n t½ch cè ành d÷ìng Qox t¤i ti¸p gi¡p Si-SiO2 (do
sü pha t¤p, ho°c do sü khæng ho n h£o cõa l÷îi tinh thº t¤i vòng ti¸p xóc)

i»n ¡p ng÷ïng khi khæng kº ¸n hi»u ùng th¥n:
QB 0 Qox
VT 0 = ΦGC − 2ΦF − −
Cox Cox
i»n ¡p ng÷ïng khi kº ¸n hi»u ùng th¥n:
QB Qox
VT = ΦGC − 2ΦF − −
Cox Cox
D¤ng têng qu¡t:
QB Qox QB − QB 0
VT = ΦGC − 2ΦF − − −
Cox Cox Cox
⇒
VT = VT 0 + γ( | − 2ΦF + VSB | − | − 2ΦF |)
p p
(2.1)
√
γ= 2qNa Si : h» sè hi»u ùng th¥n
Cox
Cæng thùc (2.1) trong slide 12 câ thº dòng vîi c£ nMOS v pMOS vîi mët
sè chó þ:
I Mët sè th nh ph¦n v h» sè câ d§u thay êi khi ¡p döng cho pMOS.
¤i l÷ñng nMOS pMOS

ΦF (¸) FFp < 0 FFp > 0
QB 0 v QB <0 >0
γ >0 <0
VSB >0 <0
VT >0 <0

Nguy¶n lþ l m vi»c - Ch¸ ë tuy¸n t½nh: X¡c ành i»n ¡p ng÷ïng VT 0 - Chó þ
Trong thüc t¸, do sü khæng chc chn v t½nh thay êi cõa nçng ë pha t¤p,
ë d y lîp SiO2 , v i»n t½ch ti¸p xóc æ-x½t, cæng thùc (2.1) trong slide 12
khæng cho gi¡ trà i»n ¡p ng÷ïng ch½nh x¡c.
Gi¡ trà danh ành v kho£ng gi¡ trà thèng k¶ cõa i»n ¡p ng÷ïng cõa b§t cù
qu¡ tr¼nh cæng ngh» MOS n o công th÷íng ÷ñc x¡c ành b¬ng c¡ch o ¤c
trüc ti¸p.
Trong h¦u h¸t c¡c qu¡ tr¼nh s£n xu§t MOS, i»n ¡p ng÷ïng câ thº ÷ñc i·u
ch¿nh b¬ng c¡ch c§y lo¤i ion t¤p ch§t câ lüa chån v o vòng k¶nh cõa
transistor.
I nMOS: gia t«ng sü pha t¤p lo¤i p ⇒ t«ng i»n ¡p ng÷ïng; gia t«ng sü pha t¤p
lo¤i n ⇒ gi£m i»n ¡p ng÷ïng.

Câ thº bi¸n nMOS k¶nh c£m ùng th nh nMOS k¶nh °t s®n (tçn t¤i k¶nh d¨n
F
ngay khi VGS = 0)

F Ngo¤i trø câ i»n ¡p ng÷ïng ¥m, nMOS k¶nh °t s®n công câ c¡c °c t½nh
ho¤t ëng gièng nMOS k¶nh c£m ùng.

I Mùc i»n ¡p ng÷ïng thay êi khi câ sü gia t«ng nçng ë pha t¤p: qNi /Cox
F N : nçng ë pha t¤p ÷ñc gia t«ng; gi£ sû V
i SB = 0 v bä qua sü thay êi cõa
ΦF do sü c§y gh²p ion t¤p ch§t.
Nguy¶n lþ l m vi»c - Ch¸ ë tuy¸n t½nh: X¡c ành i»n ¡p ng÷ïng VT 0 - Chó þ (cont.)
c Kang
H¼nh: Sü thay êi cõa i»n ¡p ng÷ïng do sü thay êi cõa i»n ¡p ph¥n cüc ¸
et al.
Khi câ sü thay êi i»n ¡p ph¥n cüc t§m ¸, i»n ¡p ng÷ïng công thay êi
¡ng kº.
⇒ nh h÷ðng cõa ph¥n cüc t§m ¸ l khæng thº tr¡nh khäi, khæng thº bä
qua ⇒ C¦n ph£i câ bi»n ph¡p th½ch hñp º gi£i quy¸t ho°c bò nâ khi thi¸t k¸
m¤ch.
Nguy¶n lþ l m vi»c - Ch¸ ë tuy¸n t½nh
VGS > VT 0
I T¤o lîp £o b· m°t ⇒ T¤o k¶nh d¨n.
I VDS = 0 ⇒ IDS = ID = 0
I VDS > 0 v cán nhä ⇒ ID ∝ VDS
F K¶nh d¨n ho¤t ëng gièng mët i»n trð ÷ñc i·u khiºn bði i»n ¡p
F VDS ↑ ⇒ lîp i»n t½ch £o v ë rëng k¶nh t¤i cüc D bt ¦u gi£m.
c
H¼nh: Minh håa ph¥n cüc trong ch¸ ë l m vi»c tuy¸n t½nh cõa nMOS k¶nh c£m ùng
Kang et al.

Nguy¶n lþ l m vi»c - Ch¸ ë b¢o háa
Khi VDS ↑−→ VDSAT ⇒ i»n t½ch £o t¤i cüc D gi£m ¸n 0: iºm ngt
(pinch-off).
VDS ↑> VDSAT :
I Vòng b· m°t ngh±o t¤o ra ð ph½a cüc D; Vòng ngh±o mð rëng v· ph½a cüc S
khi VDS ti¸p töc t«ng.
I Chi·u d i hi»u döng k¶nh ↓; i»n ¡p iºm cuèi k¶nh (iºm ngt) giú gi¡ trà
khæng êi b¬ng VDSAT ; ID khæng phö thuëc v o VDS
I ID khæng phö thuëc v o VDS
I Vòng bà ngt (iºm pinch-off → D) chi¸m h¦u h¸t mùc i»n ¡p rìi
VDS − VDSAT ⇒ Mët i»n tr÷íng m¤nh h¼nh th nh giúa cuèi k¶nh d¨n v bi¶n
cõa cüc B.

°c tuy¸n V-A cõa MOSFET
Ph²p x§p x¿ k¶nh d¨n ch²o d¦n d¦n - Möc ½ch
Möc ½ch:
ìn gi£n hâa vi»c ph¥n t½ch t¼m ra cæng thùc g¦n óng cõa mèi quan h»
dáng i»n - i»n ¡p.
Ph÷ìng ph¡p x§p x¿ k¶nh d¨n ch²o d¦n d¦n (gradual channel approximation -
GCA) cho ph²p ÷a c¡c b i to n ph¥n t½ch trong khæng gian nhi·u chi·u v·
khæng gian mët chi·u.
Chó þ:
Ph÷ìng ph¡p x§p x¿ çng thíi câ nhúng h¤n ch¸.
⇒ Vîi nhúng hi»u ch¿nh hñp lþ câ thº thu ÷ñc ë ch½nh x¡c mong muèn.

Ph²p x§p x¿ k¶nh d¨n ch²o d¦n d¦n - Quy ÷îc
c
H¼nh: Mæ h¼nh ph¥n cüc trong ch¸ ë l m vi»c tuy¸n t½nh cõa nMOS k¶nh c£m ùng
Kang et al.
VB = VS = 0
VGS v VDS l c¡c tham sè i·u khiºn dáng ID
I Gi£ thi¸t VGS > VT 0 º t¤o k¶nh d¨n l lîp £o giúa S v D.
I Gi£ thi¸t VT 0 khæng êi dåc theo k¶nh d¨n (ìn gi£n hâa thüc t¸).
X¥y düng mët h» tåa ë Oxy nh÷ h¼nh v³.
I i»n ¡p tr¶n k¶nh d¨n t¤i iºm câ tung ë y : Vc (y ).
I Th nh ph¦n i»n tr÷íng Ey trëi hìn Ex ⇒ Dáng trong k¶nh ch¿ ch£y theo
ph÷ìng tröc y.
Ph²p x§p x¿ k¶nh d¨n ch²o d¦n d¦n - i·u ki»n bi¶n
i·u ki»n bi¶n cho i»n ¡p k¶nh Vc : Vc (y = 0) = VS = 0; Vc (y = L) = VDS
To n bë vòng k¶nh giúa S v D bà £o: VGS ≥ VT 0 ;
VGD = VGS − VDS ≥ VT 0
c Kang et al.
H¼nh: Mæ h¼nh h¼nh håc cõa k¶nh d¨n
Têng l÷ñng i»n t½ch dàch chuyºn l¤i lîp £o b· m°t:
QI (y ) = −Cox [VGS − Vc (y ) − VT 0 ]
Ph²p x§p x¿ k¶nh d¨n ch²o d¦n d¦n - T½nh to¡n dáng ID (1)
Sü t«ng i»n trð dR cõa mët o¤n k¶nh

d¨n dy :
dy
dR = −
W µn QI (y )
µn : ë linh ëng h¤t d¨n (electron) lîp b· m°t £o.

I µn phö thuëc nçng ë pha t¤p t¤i vòng k¶nh d¨n.
I µn th÷íng b¬ng 1/2 ë linh ëng electron trong t§m ¸.
Sû döng ành luªt Ohm cho o¤n dy theo ph÷ìng tröc y , i»n ¡p rìi tr¶n o¤n dy :
ID
dVc = ID dR = − dy
W µn QI (y )

Ph²p x§p x¿ k¶nh d¨n ch²o d¦n d¦n - T½nh to¡n dáng ID (2)
Z L Z VDS
⇔ ID dy = −W µn QI (y )dVc
0 0
Z VDS
⇔ ID L = W µn Cox (VGS − Vc − VT 0 )dVc (gi£ sû ch¿ câ Vc l bi¸n)
0
µn Cox W 2 ]
⇔ ID = [2(VGS − VT 0 )VDS − VDS (2.2)
2 L
k0 W 2 ] (k 0 = µ C )
⇔ ID = [2(VGS − VT 0 )VDS − VDS n ox
2 L
k 2 ] (k = k 0 W )
⇔ ID = [2(VGS − VT 0 )VDS − VDS
2 L
¥y l cæng thùc ìn gi£n biºu di¹n ID l h m bªc hai cõa c¡c i»n ¡p ph¥n
cüc VGS v VDS
¥y l d¤ng thùc ìn gi£n nh§t biºu di¹n mèi quan h» giúa dáng v ¡p cõa
transistor MOSFET.
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS 0 ver. 16a 32 / 76
Ph²p x§p x¿ k¶nh d¨n ch²o d¦n d¦n - T½nh to¡n dáng ID : V½ dö minh håa
V½ dö
X²t mët nMOS câ c¡c tham sè: µn = 600cm2 /V .s, Cox = 7 × 10−8 F /cm2 ,
W = 20µm, L = 2µm, v VT 0 = 1.0V . Kh£o s¡t v v³ °c tuy¸n mèi quan h»
giúa dáng cüc m¡ng v c¡c i»n ¡p ph¥n cüc.
k = µn Cox WL = 0.42mA/V 2
⇒ ID = 0.21[2(VGS − 1.0)VDS − VDS2 ]
°t VGS c¡c gi¡ trà kh¡c nhau v³
ID = f (VDS )
ID = f (VDS ) ¤t cüc ¤i t¤i VDS = VGS − VT 0 ; V÷ñt qua iºm cüc ai câ
d¨n n¤p ¥m: khæng câ trong c¡c transistor thüc t¸.
I Cæng thùc ¢ ÷ñc x¥y düng vîi i·u ki»n V
GS ≥ VT 0 v
VGS = VGS − VDS ≥ VT 0
I ⇒ Cæng thùc ch¿ óng khi transistor l m vi»c trong ch¸ ë tuy¸n t½nh (vòng
tuy¸n t½nh)
Ph²p x§p x¿ k¶nh d¨n ch²o d¦n d¦n - T½nh to¡n dáng ID : Hi»u ch¿nh trong vòng l m vi»c b¢o háa
Vòng l m vi»c b¢o háa: VDS ≥ VDSAT = VGS − VT 0
Ð vòng l m vi»c b¢o háa, o l÷íng cho th§y r¬ng ID khæng phö thuëc nhi·u
v o VDS m t÷ìng èi ên ành xung quanh gi¡ trà ¿nh ¤t ÷ñc khi
VDS = VDSAT
µn Cox W
ID (sat ) = [2(VGS − VT 0 )(VGS − VT 0 ) − (VGS − VT 0 )2 ]
2 L
µn Cox W
= (VGS − VT 0 )2
2 L

Hi»u ch¿nh do thay êi ë d i k¶nh d¨n (1)
i»n t½ch lîp £o QI : têng i»n t½ch electron chuyºn ëng tr¶n b· m°t.
I Q (y = 0) = −Cox (V
I GS − VT 0 ); QI (y = L) = −Cox (VGS − VT 0 − VDS )
T¤i iºm bi¶n cõa tr¤ng th¡i b¢o háa (tr¤ng th¡i b¢o háa bt ¦u):
I V
DS = VDSAT = VGS − VT 0
I Q ( y = L) ≈ 0
I
Khi VDS > VDSAT , ë d i k¶nh d¨n hi»u döng L0 = L − ∆L
I ∆L: ë d i vòng k¶nh d¨n bà ngh±o giúa iºm ngt v cüc D.
I Q (y ) = 0 khi L0 < y < L

I
I V (y = L0 ) = V
c DSAT
c Kang et al.
H¼nh: Minh håa sü thay êi ë d i k¶nh d¨n

Electron chuyºn ëng tø cüc S ¸n D: i qua vòng k¶nh d¨n l lîp £o vîi
chi·u d i L0 , sau â xuy¶n v o vòng ngh±o (vòng tø iºm ngt ¸n bi¶n cüc
D).
Ph¦n lîp £o ÷ñc thay th¸ vîi k¶nh d¨n ÷ñc l m ngn v i»n ¡p cuèi
k¶nh l VDSAT
I Trong vòng n y: I µn Cox W
D (sat ) = 2 L0 (VGS − VT 0 )
2
F Do L0 < L ⇒ ID (sat ) t½nh ð ¥y câ gi¡ trà lîn hìn gi¡ trà khi khæng x²t ¸n sü
thay êi k¶nh d¨n.
F Khi VDS ↑ → L0 ↓ ⇒ ID (sat ) ↑ khi VDS ↑

µn Cox W (V − V )2
I ID (sat ) = 1
1− ∆L 2 L GS T0
L
F Th nh ph¦n ¦u ti¶n ¤i di»n cho hi»u ùng thay êi ë d i k¶nh d¨n

√
Bi¸t r¬ng ∆L ∝ VDS − VDSAT
Sû döng x§p x¿: 1 − ∆LL ≈ 1 − λVDS
I λ l h» sè thüc nghi»m, ÷ñc gåi l h» sè i·u ch¿nh ë d i k¶nh d¨n (channel
length modulation coefficient)

Gi£ sû λVDS << 1
µn Cox W
ID (sat ) = (VGS − VT 0 )2 (1 + λVDS ) (2.3)
2 L

Cæng thùc (2.3) mæ t£ mèi quan h» tuy¸n t½nh cõa dáng b¢o háa v i»n ¡p
VDS
M°c dò (2.3) khæng ph£n ¡nh ch½nh x¡c mèi quan h» vªt lþ giúa sü gi£m ë
d i k¶nh d¨n ∆L v ph¥n cüc cüc D nh÷ng õ ë tin cªy dòng trong c¡c t½nh
to¡n ¸n bªc 1.
H» sè i·u ch¿nh ë d i k¶nh d¨n λ quy¸t ành ë dèc °c tuy¸n dáng-¡p ð
vòng b¢o háa.

Hi»u ch¿nh do £nh h÷ðng ph¥n cüc t§m ¸
Thüc t¸ VSB > 0 ⇒ Ph£i xem x²t £nh h÷ðng cõa i»n ¡p ph¥n cüc t§m ¸.
Khi kº ¸n £nh h÷ðng cõa i»n ¡p ph¥n cüc t§m ¸, i»n ¡p ng÷ïng
VT = VT 0 + γ( |2ΦF | + VSB − |2ΦF |)
p p
⇒ Dáng ID ð vòng l m vi»c tuy¸n t½nh, (2.2) câ thº vi¸t l :
µn Cox W 2 ]
ID (vòng tuy¸n t½nh) = ID (lin) = [2(VGS − VT )VDS − VDS (2.4)
2 L
V dáng ID ð vòng l m vi»c b¢o háa, (2.3) câ thº vi¸t l :
µn Cox W
ID (vòng b¢o háa) = ID (sat ) = (VGS − VT )2 (1 + λVDS ) (2.5)
2 L
⇒ Chóng ta ¢ x¥y düng ÷ñc ph÷ìng tr¼nh °c tr÷ng bªc mët cõa dáng cüc D
nh÷ l h m phi tuy¸n cõa c¡c i»n ¡p ph¥n cüc:
ID = f (VGS , VDS , VBS )

Têng k¸t c¡c cæng thùc
nMOS: pMOS:
Ch¸ ë ngt: khi VGS < VT : ID = 0 Ch¸ ë ngt: khi VGS > VT : ID = 0
Ch¸ ë tuy¸n t½nh: khi VGS ≥ VT v Ch¸ ë tuy¸n t½nh: khi VGS ≤ VT v
VDS < VGS − VT : ID (lin) = VDS > VGS − VT : ID (lin) =
µn Cox W 2 µp Cox W [2(V − V )V − V 2 ]
2 L [2(VGS − VT )VDS − VDS ] 2 L GS T DS DS
Ch¸ ë b¢o háa: khi VGS ≥ VT v Ch¸ ë b¢o háa: khi VGS ≤ VT v
VDS ≥ VGS − VT : ID (sat ) = VDS ≤ VGS − VT : ID (sat ) =
µn Cox W 2 µp Cox W 2
2 L (VGS − VT ) (1 + λVDS ) 2 L (VGS − VT ) (1 + λVDS )
o l÷íng c¡c tham sè - Têng quan chung
º t«ng t½nh ch½nh x¡c cõa c¡c cæng thùc x¥y düng düa tr¶n x§p x¿ th¼ c¡c
tham sè trong cæng thùc ph£i ÷ñc o l÷íng b¬ng thüc nghi»m mët c¡ch
c©n thªn.
I i»n ¡p ng÷ïng vîi ph¥n cüc ¸ b¬ng khæng VT 0
I H» sè hi»u ùng th¥n ¸ γ
I H» sè thay êi ë d i k¶nh d¨n λ
I C¡c tham sè hé d¨n kn = µn Cox WL , kp = µp Cox WL
ìn gi£n xem x²t vi»c o l÷íng thüc nghi»m vîi nMOS k¶nh c£m ùng.

o l÷íng c¡c tham sè - kn , VT 0 v γ
H¼nh: Thi¸t lªp o l÷íng c¡c tham sè kn , VT 0 v γ

c Kang et al.
VSB = const ; VDS = VGS

I Dáng ID ÷ñc o l÷íng vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa VGS
I Do VDS > VGS − VT ⇒ Transistor luæn ð ch¸ ë b¢o háa
Bä qua hi»u ùng thay êi ë d i k¶nh d¨n
kn kn
r
ID (sat ) = (VGS − VT 0 )2 ⇒ ID = (VGS − VT 0 )
p
2 2
V³ ID (sat ) c¡c gi¡ trà o ¤c ⇒ X¡c ành ÷ñc kn , VT 0 , v γ
p

o l÷íng c¡c tham sè - kn , VT 0 v γ (cont.)
√
Ngo¤i suy c¡c iºm gi¡ trà o, iºm ct tröc ho nh cho bi¸t gi¡ trà i»n ¡p
ng÷ïng t÷ìng ùng vîi gi¡ trà ph¥n cüc t§m ¸ VSB
I N¸u V
SB = 0 ⇒ VT 0
I Gi¡ trà ngo¤i suy th÷íng khæng tròng vîi gi¡
q trà o l÷íng khi s£n xu§t.
ë dèc cõa ÷íng ngo¤i suy t÷ìng ùng vîi kn
2
X²t hai iºm ct tröc ho nh cõa ÷íng ngo¤i suy t÷ìng ùng vîi VSB = 0 v
VSB 6= 0. γ ÷ñc x¡c ành bði cæng thùc:
VT − VT 0
γ=p
|2ΦF | + VSB − |2ΦF |
p

o l÷íng c¡c tham sè - λ
c Kang et al.
H¼nh: Thi¸t lªp o l÷íng tham sè λ
VGS = VT 0 + 1
VDS ÷ñc thi¸t lªp õ lîn (VDS > VGS − VT 0 )
I ⇒ Transistor l m vi»c ð ch¸ ë b¢o háa.
o dáng ID (sat ) vîi hai gi¡ trà VDS1 v VDS2 .
ID (sat ) = k2n (VGS − VT 0 )2 (1 + λVDS ) = k2n (1 + λVDS ) (doVGS = VT 0 + 1)

I ) 1+λV
⇒ IDD ((sat
2
sat )
= 1+λVDS
DS
2
1 1
ë dèc cõa ÷íng cong l λkn /2

o l÷íng c¡c tham sè - V½ dö minh håa
V½ dö
Dú li»u o l÷íng cõa mët transistor MOSFET ÷ñc cho trong b£ng. X¡c ành lo¤i
transistor, t½nh c¡c tham sè kn , VT 0 , v γ . Gi£ sû ΦF = −0.3V
VGS [V] VDS [V] VSB [V] ID [µA]

3 3 0 97
4 4 0 235
5 5 0 433
3 3 3 59
4 4 3 173
5 5 3 347

o l÷íng c¡c tham sè - V½ dö minh håa (cont.)
Transistor d¨n dáng (ID > 0) khi VGS > 0 v VDS > 0 ⇒ Transistor l
nMOS.
Gi£ sû nMOS l lo¤i k¶nh c£m ùng ⇒ Transistor ho¤t ëng ð ch¸ ë b¢o háa
khi VGS = VDS .
√
ID = k2n (VGS − VT )
q
I Bä qua hi»u ùng do sü thay êi ë d i k¶nh d¨n ⇒
I L§y b§t cù hai c°p gi¡ trà (VGS1 , ID1 ) v (VGS2 , ID2 )
√ √
kn ID − ID2 433µA − 97µA
r p p
= 1
= = 5.48 × 10−3 A1/2 /V
2 VGS1 − VGS2 5V − 3V
⇒ kn = 60 × 10−6 A/V = 60µA/V 2

o l÷íng c¡c tham sè - V½ dö minh håa (cont.)
√
Ngo¤i suy ÷íng cõa ID theo VGS , giao vîi tröc ho nh (khi VSB = 0) cho
gi¡ trà VT 0 :
2ID
r
VT 0 = VGS − = 1.2V
kn
Mët c¡ch t÷ìng tü, i»n ¡p ng÷ïng ùng vîi VSB 6= 0, v½ dö VSB = 3V :
s
2ID 2 × 173µA
r
VT = VGS − = 4V − = 1.6V
kn 60µA/V 2
⇒
VT − VT 0 1.6 − 1.2
γ=p =√ √ = 0.36V 1/2
|2ΦF | + VSB − |2ΦF | 0.6 + 3 − 0.6
p

Vi»c thu nhä k½ch th÷îc v £nh h÷ðng cõa nâ
Têng quan
Vi»c thi¸t k¸ c¡c ch½p câ mªt ë cao trong cæng ngh» CMOS VLSI:
I Thu nhä k½ch th÷îc thi¸t bà xuèng mùc th§p nh§t câ thº (scaling).
I ⇒ °c t½nh ho¤t ëng cõa thi¸t bà s³ thay êi.
Chi¸n l÷ñc thay êi k½ch th÷îc thi¸t bà:
I full scaling (also called constant-field scaling)
I constant-voltage scaling
Vi»c thu nhä th÷íng ÷ñc thüc hi»n b¬ng c¡ch gi£m k½ch th÷îc tr¶n måi
chi·u thäa m¢n sü cho ph²p cõa cæng ngh» s£n xu§t trong khi cè gng b£o
to n c¡c t l» h¼nh håc.
I Phö thuëc v o k½ch th÷îc °c tr÷ng (ë d i k¶nh - feature length)
H» sè t l» thu nhä S > 1 (c¡c k½ch th÷îc mîi thu ÷ñc b¬ng c¡c chia cho
h» sè t l» n y)

Full Scaling
Full scaling - Constant-Field scaling
Vi»c thu nhä c¡c k½ch th÷îc theo t l» S nh÷ng £m b£o b£o to n ë lîn bi¶n ë
cõa i»n tr÷íng b¶n trong thi¸t bà.
T§t c£ c¡c th¸ n«ng công ph£i gi£m nhä vîi còng t l» S
I ⇒ nh h÷ðng ¸n i»n ¡p ng÷ïng VT 0
I ⇒ Ph÷ìng tr¼nh Poisson t«ng vîi h» sè S
Tr÷îc Sau Tr÷îc Sau

L L = L/S
0
W W = W /S
0
tox tox = tox /S

0
xj xj0 = xj /S
VDD VDD
0
= VDD /S VT 0 VT0 0 = VT 0 /S
Na Na = SNa
0
Nd Nd0 = SNd
xj : ë s¥u lîp ti¸p xóc (junction depth)

Full Scaling - C¡c £nh h÷ðng
Gi£ thi¸t ë linh ëng h¤t d¨n tr¶n b· m°t µn khæng £nh h÷ðng bði sü t«ng
t l» cõa nçng ë pha t¤p.
Tr÷îc Sau Tr÷îc Sau

Cox Cox = SCox
0
W /L Khæng êi
kn kn0 = Skn ID (lin) ID0 (lin) = ID (lin) /S
P = ID VDS P 0 = P /S 2 ID (sat ) ID0 (sat ) = ID (sat ) /S
Cg = WLCox Cg0 = Cg /S P /A Khæng êi
Cæng su§t ti¶u t¡n cõa transistor khi thu nhä ÷ñc gi£m bði t l» S .
I ¥y l mët trong c¡c °c t½nh quan trång cõa vi»c thu nhä k½ch th÷îc ¦y õ.
I Chó þ: Mªt ë cæng su§t ti¶u t¡n tr¶n mët ìn và di»n t½ch khæng êi
Cg = WLCox dung kh¡ng æ-xit cüc cûa
I Thíi gian phâng n¤p tö ÷ñc c£i thi»n ¡ng kº.
Vi»c thu nhä ¦y õ (full scaling) cán l m gi£m c¡c tö v i»n trð kþ sinh.
I Ch§t l÷ñng ho¤t ëng chung cõa thi¸t bà ÷ñc c£i thi»n.
Constant-Voltage Scaling
Vi»c gi£m nhä c¡c i»n ¡p câ thº khæng thüc t¸ trong nhi·u ùng döng trong
â m¤ch giao ti¸p câ y¶u c¦u mët mùc i»n ¡p chu©n.
I Vi»c thu nhä k½ch th÷îc vîi c¡c i»n th¸ khæng êi th÷íng ÷ñc sû döng
nhi·u hìn.
Constant-Voltage Scaling
Vi»c thu nhä b¬ng c¡ch gi£m t§t c£ c¡c k½ch th÷îc vîi h» sè t l» S trong khi
i»n ¡p nguçn cung c§p v c¡c i»n ¡p c¡c cüc khæng êi.
Mªt ë pha t¤p ph£i t«ng S 2 º £m b£o b£o to n quan h» i»n tr÷íng-i»n
t½ch.
¤i l÷ñng Tr÷îc Sau

C¡c k½ch th÷îc W , L, tox , xj Gi£m bði h» sè S
C¡c i»n ¡p VDD , VT Giú khæng êi
Nçng ë pha t¤p Na , Nd T«ng bði h» sè S 2

Constant-Voltage Scaling - C¡c £nh h÷ðng
C¡c °c t½nh cõa thi¸t bà khi thüc hi»n vi»c thu nhä k½ch th÷îc m v¨n giú
c¡c i»n ¡p khæng êi thay êi r§t kh¡c vîi tr÷íng hñp thu nhä ¢ bi¸t.
¤i l÷ñng Tr÷îc Sau

Dung kh¡ng lîp æ-xit Cox Cox = SCox
0
Tham sè d¨n n¤p kn kn0 = Skn

Dáng cüc m¡ng ID (lin) ID0 (lin) = SID (lin)
Dáng cüc m¡ng b¢o háa ID (sat ) ID0 (sat ) = SID (sat )
Cæng su§t ti¶u t¡n P P 0 = SP
Mªt ë cæng su§t P /A S 3 P /A
Sü gia t«ng mªt ë dáng cüc m¡ng, mªt ë cæng su§t ti¶u t¡n vîi h» sè S 3
d¨n ¸n mët v§n · nghi¶m trång vîi t½nh tin cªy cõa thi¸t bà.
I Sü di tró i»n tû, suy gi£m dáng h¤t, ¡nh thõng lîp æ-xit, sü qu¡ ¡p.

Sü thay êi k½ch th÷îc khæng to n di»n
Vi»c c¡c k½ch th÷îc bà thay êi çng lo¤t (systematically) ho°c b¬ng
full-scaling ho°c b¬ng voltage-constant scaling ⇒ Nhi·u giîi h¤n vªt lþ trð
n¶n khæng thº bä qua
I ⇒ H¤n ch¸ t½nh kh£ thi cõa vi»c thu nhä k½ch th÷îc ð mët sè chi·u cõa thi¸t
bà
Vi»c thu nhä k½ch th÷îc câ thº ch¿ ÷ñc thüc hi»n tr¶n mët sè chi·u nh§t
ành cõa thi¸t bà.
T½nh óng n cõa mæ h¼nh x§p x¿ k¶nh (GCA)?
I C¦n hi»u ch¿nh mèi quan h» giú dáng i»n - i»n ¡p ¢ x¥y düng

C¡c hi»u ùng vîi k¶nh d¨n ngn
Mët transistor MOS k¶nh d¨n ngn (short-channel)

I l mët thi¸t bà m ë d i k¶nh d¨n câ thº so s¡nh ÷ñc vîi ë d y vòng ngh±o
cõa ti¸p gi¡p cüc S v cüc D. Ho°c
I ë d i k¶nh d¨n hi»u döng Leff x§p x¿ b¬ng ë d y ti¸p xóc cüc S v cüc D, xj
Vîi k¶nh d¨n ngn, câ hai hi»n t÷ñng vªt lþ ph¡t sinh:
I Câ sü h¤n ch¸ vîi c¡c °c t½nh træi cõa electron trong k¶nh d¨n.
I Câ sü thay êi cõa i»n ¡p ng÷ïng.

C¡c hi»u ùng vîi k¶nh d¨n ngn - Sü h¤n ch¸ °c t½nh træi cõa electron
Th nh ph¦n i»n tr÷íng Ey t«ng.
I ⇒ Tèc ë træi v cõa electron → b¢o háa.
d
I ⇒ nh h÷ðng r§t lîn ¸n °c tuy¸n V-A cõa transistor.
Gi£ sû vªn tèc h¤t d¨n R Lefftrong k¶nh ¤t gi¡ trà giîi h¤n:
I I
D (sat ) = Wvd (sat ) 0 qn(x )dx = Wvd (sat ) |QI |
I L
eff ↓; i»n ¡p cuèi k¶nh d¨n b¬ng VDSAT
I ⇒ I
D (sat ) = Wvd (sat ) Cox VDSAT
F Vi»c vªn tèc h¤t d¨n b¢o háa l m gi£m ID (sat ) so vîi gi¡ trà t½nh to¡n cõa mæ
h¼nh k¶nh d¨n d i.
F Dáng cüc m¡ng b¢o háa khæng cán l h m bªc 2 cõa VGS ; Khæng phö thuëc
v o ë d i k¶nh d¨n.
Mët transistor k¶nh d¨n ngn ÷ñc cho l rìi v o ch¸ ë b¢o háa n¸u vªn
tèc h¤t d¨n trong k¶nh ¤t ¸n gi¡ trà kho£ng 90% vªn tèc giîi h¤n.
Vîi k¶nh d¨n ngn, £nh h÷ðng cõa th nh ph¦n i»n tr÷íng Ex l¶n vªn tèc
h¤t d¨n trong k¶nh khæng thº bä qua.
I Ex £nh h÷ðng ¸n sü ph¥n t¡n h¤t d¨n ⇒ ë linh ëng b· m°t gi£m i so vîi
ë linh ëng trong t§m ¸.

I µn (eff ) = 1+Θ
µn0 µn0
Ex = 1+ Θox (V
∼
=
µn0
1+η(VGS −VT )
tox Si GS −Vc (y ))
C¡c hi»u ùng vîi k¶nh d¨n ngn - Sü thay êi i»n ¡p ng÷ïng
Vîi k¶nh d¨n ngn, c¡c vòng cüc S v D pha t¤p n+ t¤o ra mët l÷ñng lîn
i»n t½ch vòng ngh±o ⇒ c¡c vòng ngh±o do ti¸p gi¡p P-N t¤i c¡c cüc S v D
khæng thº bä qua.
I Biºu thùc VT ¢ t½nh vîi mæ h¼nh k¶nh d¨n d i ¢ ¡nh gi¡ mët c¡ch th¡i qu¡
i»n t½ch vòng ngh±o do t¡c ëng cõa i»n ¡p cüc cûa.
I VT ¢ t½nh vîi mæ h¼nh k¶nh d¨n d i lîn hìn gi¡ trà i»n ¡p ng÷ïng cõa thi¸t
bà câ k¶nh d¨n ngn.
(a) L÷ñc ç vòng k¶nh (b) Vòng cüc m¡ng
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT)

c Kang
H¼nh:Transistor CMOS
et al. ver. 16a 56 / 76
C¡c hi»u ùng vîi k¶nh d¨n ngn - Sü thay êi i»n ¡p ng÷ïng (cont.)
V¼ i»n t½ch vòng ngh±o tr¶n th¥n ¸ gi£m ⇒ i»n ¡p ng÷ïng ph£i ÷ñc
thay êi º biºu di¹n sü suy gi£m n y.
I V
T 0(k¶nh d¨n ngn) = VT 0 − ∆VT 0
F VT 0 : i»n ¡p ng÷ïng vîi t§m ¸ nèi vîi i»n ¡p b¬ng 0, t½nh theo mæ h¼nh k¶nh
d¨n d i
F ∆VT 0 : ë suy gi£m i»n ¡p ng÷ïng do hi»u ùng k¶nh d¨n ngn.
Sü suy gi£m biºu di¹n sü kh¡c bi»t v· i»n t½ch vòng ngh±o h¼nh chú nhªt v
h¼nh thang.
i»n t½ch vòng ngh±o tr¶n
p th¥n ¸ (trong vòng h¼nh thang):
∆LS +∆LD
QB 0 = −(1 − 2L ) 2q Si Na |2ΦF |
I ∆LS v ∆LD : ë mð rëng vòng ngh±o cüc S v D theo ph÷ìng ngang.
I ∆VT 0 = ∆CQoxB 0
I ⇒ ∆LS v ∆LD =?

C¡c hi»u ùng vîi k¶nh d¨n ngn - Sü thay êi i»n ¡p ng÷ïng (cont.)
xdS , xdD : ë d y c¡c vòng ngh±o ti¸p gi¡p
P-N cüc S v D.
C¡c vòng bi¶n l c¡c cung 1/4 ÷íng trán
vîi b¡n k½nh b¬ng ë d y vòng ti¸p gi¡p xj
xdm : chi·u d y (theo ph÷ìng th¯ng ùng)
cõa vòng ngh±o tr¶n ¸
2Si Φ ; x = 2Si (Φ + V ); Φ = kT ln Nd Na
q q
⇒ xdS = qNa 0 dD qNa 0 DS 0 q ni 2
Φ0 : i»n ¡p built-in cõa ti¸p gi¡p

(xj + xdD )2 = xdm 2 + (xj + ∆LD )2 ⇒ ∆L2 + 2xj ∆LD + x 2 − x 2 − 2xj xdD = 0
D q dm dD
2 2 2 2 x
q
⇒ ∆LD = −xj + xj − (xdm − xdD ) + 2xj xdD = xj ∼ dD
1 + xj − 1
q
⇒ ∆LS ∼ = xj 1 + 2xxdSj
−1
x
q q
⇒ ∆VT 0 = C1ox 2q Si Na |2ΦF | 2Lj 1 + 2xxdS 2xdD − 1
p
j
− 1 + 1 + xj
xj
⇒ ∆VT 0 ∝ L : khæng thº bä qua trong k¶nh d¨n ngn; N¸u L >> xj th¼
∆VBi¶n
T 0so¤n: 0 V«n Sü (PTIT)
→Ph¤m Transistor CMOS ver. 16a 58 / 76
C¡c hi»u ùng vîi k¶nh d¨n hµp
Mët transistor câ k¶nh d¨n hµp n¸u b· rëng W cõa nâ câ thº so s¡nh ÷ñc
vîi b· d y cüc ¤i vòng ngh±o xdm .
Công gièng tr÷íng hñp ë d i k¶nh d¨n ngn, tr÷íng hñp k¶nh d¨n hµp công
d¨n ¸n mët sè thay êi khæng thº bä qua.
I Sü thay êi i»n ¡p ng÷ïng (sü t«ng l¶n) l mët hi»u ùng quan trång nh§t.
Lîp æ-x½t cüc cûa tr¶n vòng k¶nh câ

ë d y tox trong khi c¡c vòng l¥n
cªn ÷ñc bao phõ bði vòng æ-x½t
d y.
⇒ Câ mët vòng ngh±o mäng h¼nh
th nh ph½a d÷îi vòng æ-x½t d y.
⇒ i»n ¡p cüc cûa ph£i m§t mët ph¦n º bò ph¦n t÷ìng ùng vîi i»n t½ch
lîp ngh±o cõa vòng n y º câ thº h¼nh th nh ÷ñc k¶nh d¨n.
I i»n t½ch cõa vòng ngh±o r¼a n y ÷ñc bä qua trong mæ h¼nh k¶nh d¨n d i.

C¡c hi»u ùng vîi k¶nh d¨n hµp - Sü gia t«ng i»n ¡p ng÷ïng
VT 0(k¶nh d¨n hµp) = VT 0 + ∆VT 0

∆VT 0 = C1ox 2q Si Na |2ΦF | κW
xdm
p
I κ l h» sè thüc nghi»m, phö thuëc v o h¼nh d¤ng cõa vòng ngh±o r¼a h¼nh
th nh.
I N¸u vòng ngh±o r¼a câ d¤ng 1/4 ÷íng trán th¼ κ = π2
I Cæng thùc n y câ thº ÷ñc thay êi cho c¡c thi¸t bà câ c¡c h¼nh d¤ng kh¡c
nhau công nh÷ c¡c qu¡ tr¼nh s£n xu§t kh¡c nhau (LOCOS - LOCal Oxidation
of Silicon, LOCOS r¢nh s¥u, MOS vîi vòng æ-x½t d y).
∆VT 0 ∝ xW
dm
I ⇒ ∆VT 0 câ gi¡ trà ¡ng kº n¸u W câ thº so s¡nh ÷ñc vîi xdm
Chó þ:
Mët thi¸t bà ÷ñc thu nhä k½ch th÷îc m câ c£ chi·u d i k¶nh d¨n ngn v
b· rëng k¶nh d¨n hµp th¼ nhúng thay êi cõa i»n ¡p ng÷ïng do c¡c hi»u
ùng k¶nh d¨n ngn v k¶nh d¨n hµp câ thº tri»t ti¶u nhau.

C¡c £nh h÷ðng kh¡c
Vîi c¡c thi¸t bà k½ch th÷îc nhä, c¡c °c t½nh cõa dáng h¤t ch£y trong k¶nh
d¨n giúa S v D ÷ñc i·u khiºn bði v²c-tì i»n tr÷íng 2 chi·u (Ex , Ey )
I ⇒ N£y sinh mët sè h¤n ch¸ trong i·u ki»n l m vi»c cõa thi¸t bà công nh÷
giîi h¤n trong c¡c ùng döng thüc t¸ cõa thi¸t bà.
I ⇒ Vi»c x¡c ành v °c t½nh hâa c¡c hi»u ùng do sü thu nhä k½ch th÷îc câ vai
trá h¸t sùc quan trång, °c bi»t cho c¡c thi¸t bà câ k½ch cï nhä hìn µm
C¡c hi»u ùng c¦n quan t¥m khi thüc hi»n vi»c thu nhä k½ch th÷îc:
Dáng d¨n ng÷ïng thù c§p (subthreshold current).
Sü ¥m xuy¶n (punch-through)
Sü ¡nh thõng lîp æ-xit.
Hi»n t÷ñng "nâng" dáng h¤t (sü gia t«ng ëng n«ng cõa dáng h¤t d¨n - hot
carrier)
Sü ph¡ hõy k¸t nèi do hi»n t÷ñng di tró electron, sü phâng t¾nh i»n, v sü
qu¡ ùng su§t i»n (over-stress).
C¡c £nh h÷ðng kh¡c - Dáng d¨n ng÷ïng thù c§p
Ng÷ïng th¸ n«ng trong thi¸t bà k½ch th÷îc nhä ÷ñc i·u khiºn bði c£ VGS
v VDS
N¸u VDS ↑ → ng÷ïng th¸ n«ng ↓ ⇒ Sü suy gi£m ng÷ïng do i»n th¸ cüc D.
I ⇒ T¤o ra dáng d¨n ngay c£ khi V
GS < VT 0 : Dáng d¨n ng÷ïng thù c§p.
ID (subthreshold ) ∼ qDn Wxc n0 e qkTΦr e kTq (aVGS +bVDS )

=
LB
F xc : ë d y cõa k¶nh d¨n ð i»n ¡p ng÷ïng thù c§p; Dn : h» sè khu¸ch t¡n
electron; LB : chi·u d i vòng chnp; Φr : mùc th¸ n«ng tham chi¸u.
F Phö thuëc theo h m mô v o c£ i»n ¡p VGS v VDS
Vi»c x¡c ành hi»n t÷ñng d¨n dáng ng÷ïng thù c§p r§t quan trång trong c¡c
ùng döng m¤ch m ð â mët sü thay êi dáng nhä công câ thº g¥y £nh
h÷ðng ¸n ho¤t ëng cõa m¤ch.

C¡c £nh h÷ðng kh¡c - Sü ¥m xuy¶n
Trong c¡c thi¸t bà k½ch th÷îc nhä, L ë d y vòng ngh±o cõa c¡c ti¸p xóc cüc
S v D.
I N¸u c¡c i»n ¡p ph¥n cüc cüc D ↑ → Vòng ngh±o cüc D mð rëng v· ph½a cüc
S → Hai vòng ngh±o câ thº chçng l§n nhau ⇒ Sü ¥m xuy¶n

F i»n ¡p cüc cûa khæng cán t½nh i·u khiºn vîi dáng cüc m¡ng → Dáng cüc
m¡ng ↑ ët ngët.
Sü t«ng dáng ët ngët câ thº g¥y ra sü ph¡t häng v¾nh vi¹n thi¸t bà (l m
nâng ch£y cöc bë vªt li»u b¶n trong thi¸t bà)
⇒ C¦n ph£i ng«n ch°n hi»n t÷ñng n y trong c¡c thi¸t k¸.
I T«ng mùc ë pha t¤p cõa ¸ mët: ìn gi£n, khæng hi»u qu£.
I Sû döng c¡c ph÷ìng ph¡p c§y t¤p câ sü h¤n ch¸ khæng gian nh÷ pha t¤p
delta, halo, ho°c c§y tói.
c Michael Stockinger
H¼nh: C¡c ph÷ìng ph¡p pha t¤p ng«n ch°n sü ¥m xuy¶n

C¡c £nh h÷ðng kh¡c - Sü ¡nh thõng lîn æ-x½t
ë d y lîp æ-x½t cüc cûa khi thu nhä vîi h» sè t l» S : tox S
I Bà h¤n ch¸ bði giîi h¤n vªt lþ (sü khâ kh«n trong cæng ngh» ch¸ t¤o)
Sü h¼nh th nh khæng çng nh§t cõa lîp æ-x½t r§t mäng t¤o th nh c¡c vòng
khuy¸t (pinhole).
I Câ thº g¥y ra sü ngn m¤ch giúa cüc cûa v ¸
ë mäng cõa lîp æ-x½t cüc cûa công bà giîi h¤n bði hi»n t÷ñng ¡nh thõng
bði i»n tr÷íng vuæng gâc (câ gi¡ trà õ lîn).
I ⇒ Häng thi¸t bà.
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT)

(a) Pinhole (b) Gate Oxide Breakdown
Transistor CMOS ver. 16a 64 / 76
C¡c £nh h÷ðng kh¡c - Hi»n t÷ñng "nâng" dáng h¤t
Vi»c gi£m nhä c¡c k½ch th÷îc m v¨n giú nguy¶n i»n ¡p, çng ngh¾a vîi
vi»c t«ng nçng ë pha t¤p → C¡c th nh ph¦n i»n tr÷íng Ex , Ey trong k¶nh
d¨n t«ng m¤nh.
I C¡c h¤t d¨n ¤t ÷ñc ëng n«ng õ lîn: hi»n t÷ñng "nâng" dáng h¤t.
Dáng h¤t "nâng" câ thº ch½ch v o lîp æ-x½t cüc cûa g¥y ra sü thay êi cè
ành ph¥n bè i»n t½ch t¤i ti¸p gi¡p æ-x½t cüc cûa.
I L m x§u i °c t½nh V-A cõa thi¸t bà.
Sü suy gi£m do dáng "nâng" d¹ x£y

ra vîi vi»c gi£m k½ch th÷îc thi¸t bà.
L y¸u tè quan trång quy¸t ành
¸n mªt ë tèi a câ thº ¤t ÷ñc
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS
cõa c¡c ch½p VLSI. ver. 16a 65 / 76
i»n dung cõa Transistor MOSFET
Têng quan
Kh£o s¡t c¡c ¡p ùng trong ch¸ ë xoay chi·u cõa c¡c transistor MOS công
nh÷ c¡c m¤ch ùng döng sû döng transistor MOS
I B£n ch§t v trà sè i»n dung cõa thi¸t bà c¦n ph£i ÷ñc x¡c ành.
i»n dung cõa ch½p sû döng c¡c transistor MOS l mët h m phùc t¤p cõa
c¡c layout h¼nh håc v c¡c qu¡ tr¼nh s£n xu§t.
C¡c i»n dung n y ph¥n t¡n.
I Vi»c t½nh to¡n mët c¡ch ch½nh x¡c i»n dung cõa transistor th÷íng y¶u c¦u
c¡c mæ h¼nh i»n t½ch - i»n ¡p phi tuy¸n 3 chi·u r§t phùc t¤p.
I ⇒ C¦n mët mæt h¼nh t½nh to¡n x§p x¿ ìn gi£n nh÷ng câ ë ch½nh x¡c ch§p
nhªn ÷ñc.
i»n dung cõa ch½p gçm:
I i»n dung cõa c¡c thi¸t bà (c¡c transistor).
I i»n dung do c¡c lîp k¸t nèi (interconnection).

Têng quan (cont.)
L = LM − 2L D
L: ë d i k¶nh d¨n hi»u
döng
LM : ë d i cüc cêng theo
m°t n¤ layout.
LD : ë d i vòng bao tròm
cüc cêng tr¶n cüc nguçn v
cüc m¡ng.
I Kho£ng ∼ 0.1µm
I Gi£ thi¸t l b¬ng nhau

(èi xùng)
W : ë rëng vòng khu¸ch t¡n cüc S v L; Y : chi·u d i vòng khu¸ch t¡n cüc S
v cüc D.
C£ hai cüc S v D ÷ñc bao bði vòng khu¸ch t¡n p + gåi l vòng c§y ch°n
k¶nh
I Ng«n ch°n vi»c t¤o th nh k¶nh d¨n khæng mong muèn giúa hai vòng n + c¤ch
nhau, ph¥n t¡ch ri¶ng bi»t v· i»n giúa c¡c thi¸t bà tr¶n còng mët ¸.
Têng quan - Ph¥n lo¤i v kþ hi»u
Biºu di¹n ìn gi£n c¡c i»n dung th nh c¡c

th nh ph¦n tªp trung nh÷ h¼nh v³.
Düa v o nguçn gèc vªt lþ:
I C¡c i»n dung li¶n quan ¸n lîp æ-x½t.
I C¡c i»n dung li¶n quan ¸n ti¸n xóc.
Chó þ:
C¡c i»n dung trong thi¸t bà thüc t¸ l c¡c i»n dung ph¥n t¡n (distributed)
chù khæng tªp trung (lumped).
C¡c i»n dung k½ sinh n y g¥y ra bði c¡c mèi li¶n h» i»n t½ch-i»n ¡p ph¥n
t¡n 3 chi·u phùc t¤p.

C¡c i»n dung li¶n quan ¸n lîp æ-x½t cüc cûa
Th nh ph¦n ëc lªp vîi c¡c i»n ¡p ph¥n
cüc:
I Cgs (overlap) , Cgd (overlap) .
Th nh ph¦n li¶n quan ¸n t÷ìng t¡c giúa
i»n ¡p cüc cûa v i»n t½ch tr¶n k¶nh:
I Cgs , Cgd , Cgb .
Vòng bao tròm èi xùng câ ë d i LD v b· rëng W :
I C
gs (overlap) = Cox WLD
I C
gd (overlap) = Cox WLD
i»n dung cüc cûa-k¶nh d¨n
(a) Ch¸ ë ngt (b) Ch¸ ë tuy¸n t½nh (c) Ch¸ ë b¢o háa
C¡c i»n dung li¶n quan ¸n lîp æ-x½t cüc cûa (cont.)
Ð ch¸ ë ngt:
Khæng tçn t¤i k¶nh d¨n nèi b· m°t cüc cûa
vîi S v D: Cgs = 0, Cgd = 0
Cgb = Cox WL
Ð ch¸ ë tuy¸n t½nh:
Lîp £o ch°n t¡c ëng cõa i»n tr÷íng cüc
cûa l¶n ¸: Cgb = 0
Cgs ∼ = 12 Cox WL
= Cgd ∼
Ð ch¸ ë b¢o háa:
Lîp £o bà ngt (pinched off) t¤i cüc D:
Cgd = 0
V¨n tçn t¤i lîp £o: Cgb = 0
= 23 Cox WL
Cgs ∼

C¡c i»n dung li¶n quan ¸n lîp æ-x½t cüc cûa (cont.)
Dung kh¡ng Ch¸ ë ngt Ch¸ ë tuy¸n t½nh Ch¸ ë b¢o háa
Cgb(tng ) Cox WL 0 0
Cgd (tng ) Cox WLD 1 C WL + C WL Cox WLD
2 ox ox D
Cgs (tng ) Cox WLD 1 C WL + C WL 2 C WL + C WL
2 ox ox D 3 ox ox D
B£ng: Têng k¸t c¡c i»n dung kþ sinh li¶n quan ¸n lîp æ-x½t cüc cûa
Cgb + Cgs + Cgd :

Min: 0.66Cox WL (¤t ÷ñc ð ch¸ ë
b¢o háa)
Max: Cox WL (¤t ÷ñc ð ch¸ ë
ngt v tuy¸n t½nh)
Cgb , Cgs , Cgd câ thº coi mc song
song
H¼nh: Sü bi¸n thi¶n gi¡ trà c¡c i»n dung k½ Têng qu¡t, i»n dung li¶n quan ¸n lîp
sinh do lîp æ-x½t cüc cûa theo VGS c Kang
æ-x½t cüc cûa: Cox W (L + 2LD )
et al.Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 71 / 76
C¡c i»n dung li¶n quan ¸n c¡c ti¸p xóc
C¡c i»n dung phö thuëc v o i»n ¡p

ph¥n cüc:
Csb , Cdb
I Do vòng ngh±o i»n t½ch xung
quanh cüc S v cüc B gn tr¶n
t§m ¸
H¼nh: C§u tróc h¼nh håc ìn gi£n cõa mët
nMOS k¶nh c£m ùng c Kang et al.
Vi»c t½nh to¡n c¡c i»n dung do c¡c lîp ti¸p xóc phùc t¤p
I Li¶n quan ¸n h¼nh d¤ng 3-chi·u cõa vòng khu¸ch t¡n cüc S v D tr¶n t§m ¸.
C¡c vòng ti¸p xóc cüc S v D vîi t§m ¸ trong i·u ki»n l m vi»c b¼nh
th÷íng l ph¥n cüc ng÷ñc.
I C¡c gi¡ trà i»n dung s³ l h m cõa i»n ¡p ph¥n cüc.

C¡c i»n dung li¶n quan ¸n c¡c ti¸p xóc (2)
Vòng khu¸ch t¡n n+ t¤o ra mët
lo¤i c¡c m°t ti¸p xóc P-N vîi lîp ¸
xung quanh, ¡nh sè tø 1 ÷ 5
K½ch th÷îc cõa h¼nh hëp chú nhªt
mæ t£ vòng khu¸ch t¡n n+ l W ,
Y , v xj .
º ìn gi£n, gi£ sû c¡c ti¸p xóc H¼nh: C§u tróc h¼nh håc ìn gi£n cõa mët
P-N d¤ng b÷îc. nMOS k¶nh c£m ùng c Kang et al.
Ti¸p xóc Di»n t½ch Lo¤i khu¸ch t¡n Do sü kh¡c bi»t nçng ë pha t¤p,
1 Wxj n + /p c¡c i»n dung cõa c¡c lîp ti¸p xóc
2 Yxj n + /p + ph½a th nh ngo i (2 ÷ 4) kh¡c vîi
c¡c i»n dung c¡c ti¸p xóc kh¡c.
3 Wxj n + /p +
4 Yxj n + /p +
Chó þ: H¼nh d¤ng thüc t¸ vòng
khu¸ch t¡n phùc t¤p
5 WY
Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) n + /p Transistor CMOS ver. 16a 73 / 76
2Si Na +Nd (Φ − V )
q
ë rëng vòng ngh±o ti¸p gi¡p P-N: xd = q Na Nd 0
I Na , Nd : nçng ë pha t¤p tr¶n vòng p v n.
I V : i»n ¡p ph¥n cüc ng÷ñc
Na Nd
I Φ0 − kT
q ln ni2 : th¸ n«ng built-in cõa ti¸p xóc.
i»n t½ch chùa trong vòngsngh±o:

Qj = Aq NNa a+NNdd xd = A 2Si q NNa a+NNdd (Φ0 − V )
I A: di»n t½ch vòng ti¸p gi¡p

s
dQj AC

i»n dung ti¸p xóc: Cj (V ) = | dV | = A Si2 q NNa a+NNdd √Φ1−V = (1− Vj 0 )m
0 Φ0
I m: h» sè bªc dèc
F m = 1/2: d¤ng b÷îc; m = 1/3: d¤ng v¡t
s
Si q Na Nd
I Cj 0 = 2 Na +Nd
1
Φ0
: i»n dung ti¸p xóc tr¶n mët ìn và di»n t½ch vîi
ph¥n ¡p b¬ng 0.
Cj (V ) = (1+ACVj 0
)m
Φ 0
I Vi»c t½nh to¡n i»n dung ti¸p xóc ð ch¸ ë xoay chi·u r§t phùc t¤p
T½nh to¡n i»n dung ti¸p xóc trung b¼nh ð ch¸ ë t½n hi»u lîn: i»n dung
t÷ìng ÷ìng ð ch¸ ë t½n hi»u lîn
Z V2
∆Q Qj (V2 ) − Qj (V1 ) 1
Ceq = = = Cj (V )dV
∆V V2 − V1 V2 − V1 V1
ACj 0 Φ0 V2 ( V1 (

=− (1 − ) 1 − m ) − (1 − ) 1 − m)
(V2 − V1 )(1 − m) Φ0 Φ0
I Tr÷íng hñp vòng ti¸p xóc d¤ng b÷îc:
Ceq = − (2VAC−j 0VΦ0) V2 V1

r r
1− − 1−
2 1 Φ0 Φ0
= ACj 0 Keq
I Keq : h» sè t÷ìng ÷ìng i»n ¡p; 0 < Keq < 1

Di»n dung ti¸p xóc ph½a th nh ngo is
(vòng bao båc bði lîp ch°n k¶nh p+)
Na(sw ) Nd

tr¶n mët ìn và di»n t½ch: Cj 0(sw ) = epsilonSi 1
2 Na(sw ) −Nd Φ0(sw )
I Φ0(sw ) : th¸ n«ng built-in c¡c ti¸p xóc ph½a th nh ngo i.
C¡c th nh ph½a b¶n câ ë rëng x§p x¿ ë s¥u vòng khu¸ch t¡n xj
i»n dung lîp ti¸p xóc ph½a th nh b¶n tr¶n mët ìn và ë d i khi ph¥n ¡p
b¬ng 0: Cj (sw ) = Cj 0(sw ) × xj
H» sè t÷ìng ÷ìng i»n ¡p ph½a th nh b¶n ngo i
2 Φ0(sw ) q
p q
Keq(sw ) = − ( Φ0(sw ) − V2 − Φ0(sw ) − V1 )
V2 − V1
i»n dung lîp ti¸p xóc ð ch¸ ë t½n hi»u lîn
Ceq(sw ) = PCj (sw ) Keq(sw )
I P : chu vi cõa vòng ti¸p xóc th nh ph½a b¶n


Vls Is Ys Course Cmos Basic

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Vls Is Ys Course Cmos Basic

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Transistor CMOS

Thi¸t k¸ H» thèng VLSI - Spring 2016

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü

Bë mæn Kÿ thuªt i»n tû M¡y t½nh

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 1 / 76

C§u tróc ìn gi£n gçm 3 lîp:

Mùc th¸ n«ng Fermi ΦF = EF − q

(a) Tr÷îc khi gh²p (b) Sau khi gh²p

(a) Ch¸ ë t½ch lôy (b) Ch¸ ë suy gi£m

(c) Ch¸ ë £o

i»n th¸ °t l¶n cüc cûa VG < 0

⇒ ë d y (s¥u) vòng ngh±o: xd = 2Si |Φ

Q = −qNa xd = − 2qNa Si |ΦS − ΦF |

Lo¤i MOSFET k¶nh c£m ùng (E-MOSFET - Enhancement-type MOSFET):

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 13 / 76

(a) Transistor MOSFET lo¤i k¶nh c£m ùng

(b) Transistor MOSFET k¶nh °t

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 14 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) c Kang

i»n th¸ cüc cûa nhä: 0 < VGS < VT 0

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 17 / 76

i»n ¡p cüc cûa ti¸p töc t«ng.

VGS > VT 0 (VT 0 : i»n ¡p ng÷ïng)

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 18 / 76

Transistor MOSFET ch¿ câ thº d¨n dáng n¸u VGS > VT 0

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 19 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 20 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 21 / 76

¤i l÷ñng nMOS pMOS

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 23 / 76

lo¤i n ⇒ gi£m i»n ¡p ng÷ïng.

ngay khi VGS = 0)

ho¤t ëng gièng nMOS k¶nh c£m ùng.

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 26 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 27 / 76

Ph÷ìng ph¡p x§p x¿ çng thíi câ nhúng h¤n ch¸.

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 28 / 76

Sü t«ng i»n trð dR cõa mët o¤n k¶nh

µn : ë linh ëng h¤t d¨n (electron) lîp b· m°t £o.

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 31 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 34 / 76

I Q (y ) = 0 khi L0 < y < L

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 35 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 36 / 76

length modulation coefficient)

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 37 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 38 / 76

ID = f (VGS , VDS , VBS )

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 41 / 76

H¼nh: Thi¸t lªp o l÷íng c¡c tham sè kn , VT 0 v γ

VSB = const ; VDS = VGS

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 42 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 43 / 76

ID (sat ) = k2n (VGS − VT 0 )2 (1 + λVDS ) = k2n (1 + λVDS ) (doVGS = VT 0 + 1)

ë dèc cõa ÷íng cong l λkn /2

VGS [V] VDS [V] VSB [V] ID [µA]

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 45 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 46 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 47 / 76

Bi¶n so¤n: Ph¤m V«n Sü (PTIT) Transistor CMOS ver. 16a 48 / 76

Tr÷îc Sau Tr÷îc Sau

tox tox = tox /S

xj : ë s¥u lîp ti¸p xóc (junction depth)

Bë mæn Kÿ thuªt i»n tû M¡y t½nh

C§u tróc ìn gi£n gçm 3 lîp:

(a) Ch¸ ë t½ch lôy (b) Ch¸ ë suy gi£m

(c) Ch¸ ë £o

i»n th¸ °t l¶n cüc cûa VG < 0

⇒ ë d y (s¥u) vòng ngh±o: xd = 2Si |Φ

Q = −qNa xd = − 2qNa Si |ΦS − ΦF |

(b) Transistor MOSFET k¶nh °t

i»n th¸ cüc cûa nhä: 0 < VGS < VT 0

i»n ¡p cüc cûa ti¸p töc t«ng.

VGS > VT 0 (VT 0 : i»n ¡p ng÷ïng)

¤i l÷ñng nMOS pMOS

lo¤i n ⇒ gi£m i»n ¡p ng÷ïng.

ho¤t ëng gièng nMOS k¶nh c£m ùng.

Ph÷ìng ph¡p x§p x¿ çng thíi câ nhúng h¤n ch¸.

Sü t«ng i»n trð dR cõa mët o¤n k¶nh

µn : ë linh ëng h¤t d¨n (electron) lîp b· m°t £o.

H¼nh: Thi¸t lªp o l÷íng c¡c tham sè kn , VT 0 v γ

ë dèc cõa ÷íng cong l λkn /2

xj : ë s¥u lîp ti¸p xóc (junction depth)

¤i l÷ñng Tr÷îc Sau

¤i l÷ñng Tr÷îc Sau

Mët transistor MOS k¶nh d¨n ngn (short-channel)

ë linh ëng trong t§m ¸.

(a) L÷ñc ç vòng k¶nh (b) Vòng cüc m¡ng

Φ0 : i»n ¡p built-in cõa ti¸p gi¡p

Sü ¥m xuy¶n (punch-through)

Sü ¡nh thõng lîp æ-xit.

S → Hai vòng ngh±o câ thº chçng l§n nhau ⇒ Sü ¥m xuy¶n

Biºu di¹n ìn gi£n c¡c i»n dung th nh c¡c

C¡c i»n dung phö thuëc v o i»n ¡p

I Keq : h» sè t÷ìng ÷ìng i»n ¡p; 0 < Keq < 1