ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

BÁO CÁO ĐỒ ÁN MÔN HỌC

ĐỀ TÀI:

TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH KÍCH MOSFET/IGBT

TP. HCM tháng 6 năm 2008

 MỤC LỤC

Lời nói đầu ...................................................................................................3

Phần I: Tính giá trị tụ bootstrap ..............................................................4

I.1 Sơ đồ nguyên lý mạch sử dụng tụ bootstrap ..................................4
I.2 Tính giá trị tụ bootstrap .................................................................4
I.3 Một số lưu ý ...................................................................................5

Phần II: Quá trình kích đóng IGBT ........................................................6

II.1 Giới thiệu quá trình kích đóng .....................................................6
II.2 Phân tích quá trình kích đóng .......................................................7

Phần III: Quá trình kích ngắt IGBT ........................................................9

Phần IV: Tính giá trị điện trở kích ........................................................10

IV.1 Điện trở tới hạn .........................................................................10
IV.2 Điện trở kích đóng ....................................................................11
IV.3 Điện trở kích ngắt .....................................................................12

Phần V: Thiết kế mạch kích IGBT dùng IC Driver IR2114 ................13

V.1 Sơ đồ khối ..................................................................................13
V.2 Sơ đồ nguyên lý .........................................................................14
V.3 Mạch in ......................................................................................15
V.4 Kết quả thử nghiệm và đánh giá ................................................17

Tài liệu tham khảo .....................................................................................20

 Lời nói đầu.

Ngày nay, với sự tiến bộ của khoa học trong chế tạo linh kiện. MOSFET và IGBT
công suất đã khẳng định vị trí dẫn đầu trong ngành bán dẫn công suất. Và được ứng dụng
rộng rãi trong các ứng dụng liên quan đến đóng ngắt và khuyếch đại công suất.
Một trong những yếu tố giúp MOSFET và IGBT được sử dụng nhiều là nhờ khả
năng kích đóng và kích ngắt ở tần số cao khá dễ so với các linh kiện khác như BJT,
TRIAC, GTO…
Trên thị trường, có rất nhiều linh kiện hoặc module hoàn chỉnh dùng để kích
MOSFET và IGBT. Trong đó có dòng Driver SKHI, được biết đến như một chuẩn công
nghiệp và được sử dụng rộng rãi. IC SKHI sử dụng kỹ thuật bootstrap, là một phương
pháp cấp nguồn cho mạch kích khá đơn giản và rất kinh tế.
Nhắm đến mục tiêu làm chủ phương pháp kích IGBT và áp dụng thực hiện mạch
thay thế IC SKHI, tài liệu này sẽ đề cập đến các vấn đề sau:
Giới thiệu mạch cấp nguồn kiểu bootstrap và cách tính toán giá trị tụ bootstrap.
Giới thiệu và phân tích quá trình đóng ngắt của MOSFET và IGBT
Cách tính điện trở kích đóng và điện trở kích ngắt
I. TÍNH GIÁ TRỊ TỤ BOOTSTRAP
1. Sơ đồ nguyên lý mạch sử dụng tụ
bootstrap
4. Mạch kích trong IC: dòng tĩnh Iqbs
và năng lượng cần nạp để chuyển từ
mức áp thấp lên mức áp cao Qls
5. Khóa tầng cao: gồm năng lượng nạp
cổng Qg và dòng rò qua G-S: Ilk-GS
6. Khóa tầng thấp: sụt áp VCE-on

2. Tính giá trị tụ bootstrap

Năng lượng tối thiểu của tụ CBS để

cung cấp cho mạch.

QBSmin = (Qrr + Ilk-d.tHon) + (Ilk-c.tHon) +

(Qls + Iqbs.tHon)+(Qg + Ilk-gs.tHon)

Trong đó: tHon là thời gian tối đa khóa

trên đóng.
1
Hình 1: Mạch bootstrap t Hon  Tsw 
f sw
Như chúng ta đã biết, việc cấp nguồn cho
mạch kích khóa tầng dưới như bình
Tuy nhiên, ta có thể tính gần đúng
thường vì điểm 0V của nguồn trùng với
bằng cách bỏ qua các đại lượng ít ảnh
cực S của khóa (MOSFET).
hưởng đến kết quả tính. Và gấp đôi Qg
Tuy nhiên, vấn đề khó khăn hơn khi cấp
để đảm bảo năng lượng cho bất kỳ
nguồn mạch kích khóa tần trên, bởi vì
khóa nào. Khi đó, công thức tính được
điện áp cực S của MOSFET tầng trên
rút gọn là:
không cố định mà thay đổi liên tục từ giá
trị -VDC đến +VDC.
QBSmin = (Qls + Iqbs.tHon) + 2Qg
Giải quyết vấn đề này có 2 cách. Một là
tạo nguồn riêng (cách ly) cho mạch kích
Khi tụ cấp năng lượng cho các phần tử
tầng trên; hai là sử dụng kỹ thuật
nói trên, thì điện áp trên tụ sẽ sụt dần.
bootstrap. Phần sau đây giới thiệu và xác
ta gọi Vmin là điện áp trên tụ (VBS) tối
định linh kiện trong phương pháp
thiểu để mạch hoạt động. khi đó, độ
bootstrap.
thay đổi điện áp trên tụ trong lúc khóa
tầng cao đóng là:
Mạch kích tầng cao được cấp nguồn VBS
bởi tụ bootstrapb - CBS. Theo sơ đồ trên,
ΔVBS = VCC – VF – Vmin – VCE-on
có 5 phần tử ảnh hưởng đến hoạt động của
tụ CBS. Trong mỗi phần tử đó, ta chú ý
Như vậy, để đảm bảo tụ hoạt động ổn
đến các thông số chính sau:
định, giá trị nạp cho tụ phải được gấp
1. Điện trở Rboot: thường lấy giá trị
đôi giá trị trên. Điện dung tối thiểu của
bằng không.
tụ bootstrap được tính:
2. Diode Dboot: điện áp thuận VF , dòng
rò Ilk-d và năng lượng hồi phục Qrr.
3. Tụ bootstrap CBS: giá trị CBS cần
tính và dòng rò qua tụ Ilk-c
 2QBS min 2[5.10 9  800.10 6.10 4  2.96.10 9 ]
C BS min  C BS min 
VBS 15  1,7  10,3  2,7
2[Qls  I qbs .t Hon  2Qg ] C BS min  1,85.10 6 F  1,85µF
C BS min  C BS  15C BS min  27,7µF
VCC  VF  Vmin  VCE on

Theo khuyến cáo của các hãng, giá trị

tụ bootstrap nên lấy gấp 15 lần giá trị
tối thiểu trên.

C BS  15C BS min

3. Một số điểm lưu ý:

1. Tụ bootstrap phải có điện trở nội
(ESR) thấp để hạn chế dòng rò,
ta nên dùng tụ Tanlalum hoặc
mắc song song nhiều tụ gốm.
Nếu sử dụng tụ Electrotithic thì
phải tính đến dòng rò.
2. Diode phải là loại fast recovery,
có thời gian hồi phục nhỏ hơn
100ns. Điện áp ngược của diode
phải lớn hơn nguồn cung cấp cho
khóa. Dòng qua diode được tính:
IF =QBSmin*fsw

Ví dụ: Ta tính giá trị tụ bootstrap cho

IC Driver IR2114 kích IGBT
12N60A.

Qls = 5nC (5nC khi điện áp khóa

600V, 20nC khi áp khóa 1200V)
Iqbs = 800 µA (datasheet IR2114)
tHon = 1/fsw = 1/10KHz = 10-4s
(mạch kích tần số 10KHz)
Qg= 96nC (datasheet 12N60A)
VCC=15V
VF=1.7V (datasheet UF4007)
Vmin=10.3V (datasheet IR2114)
VCE-on =2.7V (datasheet 12N60A)

Thế vào công thức trên, ta được:

II. HOẠT ĐỘNG KÍCH ĐÓNG IGBT

1. Giới thiệu quá trình kích đóng Quá trình kích MOSFET được chia làm 3
phần chính.
IGBT được xem là sự ghép nối giữa
MOSFET và BJT, do đó nó có được ưu
điểm là kích đóng hoặc kích ngắt bằng
điện áp, và sụt áp khi dẫn điện thấp.
Vì vậy hoạt động kích đóng và kích ngắt
của IGBT hoàn toàn như của MOSFET.
Và ở đây sử dụng đại diện là MOSFET.
Việc phân tích cho IGBT hoàn toàn tương
tự, ta chỉ việc lần lược đổi tên cực D & S
của MOSFET thàng cực C & E của IGBT.

Hình 4: Dạng điện áp VGS khi kích đóng.

Phần 1: Nạp tụ CGS

Phần 2: Nạp tụ CGD do hiệu ứng Miller
Phần 3: Nạp tới giá trị đỉnh của áp kích

Ta sẽ phân tích quá trình từ khi có điện áp

kích đến khi MOSFET đóng hoàn toàn
Hình 2: Mô hình IGBT một cách chi tiết qua 4 thời kỳ, đó là một
đồ thị điện áp VGS theo thời gian
Hình sau giúp ta dễ hình dung sự ảnh
hưởng của các tụ ký sinh trong quá trình
kích.

Hình 5: 4 giai đoạn của kích đóng.

Hình 3: Các tụ ký sinh trong MOSFET

Điểm cuối của 4 thời kỳ tương ứng là
1. VT (t=t1): điện áp ngưỡng
(threshold)
2. VPL (t=t2): điện áp đầu độ dốc do
hiệu ứng Miller
3. VPR (t=t3): điện áp cuối độ dốc
4. VDR (t=t4): điện áp đỉnh của nguồn
kích.
Song song với sự thay đổi của điện áp VGS
ở trên, giá trị dòng điện nạp IGS, điện áp
máng nguồn VDS và dòng điện IDS cũng có
sự thay đổi tương ứng, được trình bày
trong hình sau:
Hình 6: Sự liên quan giữa các thông số
trong quá trình kích đóng.
2. Phân tích quá trình kích đóng.
1. Từ zero đến VTH
VGS tăng từ 0 đến VTH
iGS giảm từ giá trị max
iD =0
vDS không đổi
Điện áp Vgs trong tầm 0 đến VTH. Tại
thời điểm t=0, cực G được cấp nguồn
và điện áp vgs bắt đầu tăng, lúc này
hầu hết dòng qua cực G đều nạp cho
tụ CGS.
Thật ra, cũng có một lượng nhỏ dòng
nạp qua tụ CGD vì tụ này có giá trị nhất
định, nhưng do tụ CGS>>CGD nên có
thể xem đây là thời kỳ nạp cho tụ CGS
Giai đoạn này còn được gọi là
ON_delay, bởi vì cả dòng điện và điện
áp qua máng nguồn vẫn chưa thay đổi.
lúc này MOSFET vẫn đang ở trạng
thái ngắt (OFF)
2. Từ VT đến VPL
VGS tăng từ VT tới vPL
igs giảm
iD tăng nhanh
vDS bắt đầu giảm
Giai đoạn 2 này là giai đoạn đầu của
MOSFET khi chuyển từ trạng thái
ngắt sang đóng.
Điện áp ngưỡng VT được định nghĩa là
điện áp VGS lúc dòng iD bắt đầu chảy
từ cực máng D đến cực nguồn S. Lúc
này VDS bắt đầu giảm nên VGD tăng
(VGD=VGS-VDS).
Ta có:
dq d (C.v)
i 
dy dt
Kết quả là dòng nạp đã chảy qua tụ
CGD nhiều hơn so với giai đoạn 1,
trong khi dòng nạp tụ CGS vẫn không
đổi.
Theo hình ta thấy, dòng điện qua cực
G vẫn tuyến tính với điện áp vGS trong
2 giai đoạn đầu.
3. Từ VPL đến VPR
Như vậy, việc kích đóng của MOSFET
trong chuyển mạch cứng thì ảnh hưởng
của hiệu ứng Miller rất lớn. Và do đó, việc
kích MOSFET không đơn thuần là kích
bằng áp nữa, mà dòng kích cũng ảnh
hưởng nhiều đến tốc độ kích đóng của
khóa.

vGS tăng từ VPL đến VPR

iD đạt giá trị max
vDS giảm nhanh đến VDS(ON)

Đây là giai đoạn sau của việc kích

đóng và MOSFET gần như dẫn hoàn
toàn.
Trong giai đoạn này, áp vDS giảm
nhanh khiến VGD tăng nhanh. Dẫn đến
dòng nạp ít qua CGS mà chủ yếu là qua
CGD theo biểu thức i=d(C.v)/dt. Điều
này giải thích tại sao áp VGS tăng rất
chậm, hoặc thậm chí là một đường
nằm ngang nếu tích số (C.v) tăng đủ
nhanh.
Dòng máng nguồn tăng đến giá trị tối
đa và dừng lại ở đó. Giá trị max này
phụ thuộc vào thông số tải.
Đến cuối giai đoạn, điện áp vDS đạt giá
trị ID*RDS(ON) và ngừng giảm, làm CGD
ngừng tăng.

4. Từ VPR đến VDR

VGS tăng từ vPR đến vDR

iD là hằng số ở giá trị max
vDS là hằng số ở giá trị min

Giai đoạn hoàn thiện một chu kỳ kích

đóng MOSFET và không có gì thay
đổi lớn. Độ lớn VGS tăng tới giá trị
cuối cùng là áp kích VDR của IC
Driver.
Trong khi dòng nạp chia cho cả 2 tụ
CGS và CGD thì iD không đổi, vgs giảm
nhẹ do điện trở RDS(ON) giảm nhẹ.
III. HOẠT ĐỘNG KÍCH NGẮT IGBT

Hoạt động kích ngắt diễn ra ngược lại với

quá trình kích đóng nên ở đây không phân
tích nữa, chỉ lưu ý là quá trình này cũng
bao gồm 4 giai đoạn. bắt đầu với:
VGS bằng áp kích (VDR)
IG bằng 0
VDS bằng VDS(ON)=ID*RDS(ON)
ID phụ thuộc tải

4 giai đoạn được trình bày trong hình sau:

Hình 7: Sự liên quan giữa các thông số

trong quá trình kích ngắt.

Tóm lại, có thể chia quá trình kích đóng

và kích ngắt IGBT thành 4 giai đoạn mà
độ dài của mỗi gian đoạn này phụ thuộc
vào các giá trị tụ điện liên quan.
IV. TÍNH GIÁ TRỊ ĐIỆN TRỞ KÍCH
1. Điện trở tới hạn
Phần trước ta đã tìm hiểu sơ qua việc đưa
năng lượng vào MOSFET như thế nào để
MOSFET đóng ngắt.
Việc cấp năng lượng hay chính xác hơn là
cấp dòng điện cho MOSFET có giới hạn,
và giới hạn này được quyết định bởi điện
trở kích Rg (Gon và Goff).
Hình 8: quá trình kích đóng.
Hình 9: quá trình kích ngắt.
Trên hình 8 và hình 9 có tụ điện Ceff, là
giá trị tụ điện quy đổi của tất cả các tụ liên
quan đến quá trình kích đóng và kích ngắt.
Ta có thể sử dụng sơ đồ thay thế sau để
phân tích :
Hình 10: sơ đồ thay thế mạch kích.
Ở sơ đồ ta thấy có thêm phần tử điện cảm
LS, bởi vì từ mạch kích đến các khóa ta
phải có đường dây dẫn, và điện cảm sinh
ra bởi đường dây này. (Theo EMC thì ta
có thể ước lượng cho đường đi trong mạch
in là khoảng 2nH/1cm)
Theo lý thuyết mạch, để điện áp trên tụ
CISS không bị dao động thì giá trị điện trở
RG phải lớn hơn hoặc bằng điện trở tới
hạn.
LS
RTH  2
CISS
Trong đó, RG là điện trở tổng, bao gồm
điện trở ngõ ra RDR của Driver và điện trở
kích mình cần tính Rg.
RG = RDR + Rg
CISS là tụ điện ngõ vào, được tính:
CISS = CGS + CGD
Do đó, để kích đóng và kích ngắt được ổn
định, ta cần có:
RG  RTH
Tuy nhiên, thực tế điện cảm đường dây LS
thường nhỏ, dẫn đến RTH cũng nhỏ
(khoảng vài Ohm), nên khi chọn điện trở
kích RG còn phải quan tâm đến dòng điện
cho phép của mạch Driver. Phần sau sẽ
giới thiệu cách tính điện trở kích có xét
đến khả năng chịu dòng của IC Driver.
2. Điện trở kích đóng
Như đã thấy ở phần trên, dòng điện qua
cực G và điện áp VGS không có phương
trình nên không thể tính điện trở kích một
cách chính xác. Thực tế có nhiều cách tính
theo nhiều hướng. Ở đây xin trình bày một
phương pháp đơn giản nhưng hiệu quả
được hãng IR Rectifier giới thiệu như sau:
Gọi IAV là dòng kích trung bình, tsw là thời
gian chuyển mạch từ lúc bắt đầu đưa áp
kích đến khi MOSFET đã đóng, tức từ
thời điểm t=0 đến t=t3 trong phần phân
tích dạng áp kích (Hình 5) đã nói ở trên.
Ta có:
Qg = IAV*tsw
Ta dùng Qg chứ không phải (Qgs+Qgd)
như trên hình 4 và hình 5 vì thực tế các
linh kiện cùng tên thường chênh lệch nhau
chút ít. Và năng lượng cần nạp để đảm
bảo đầy đủ cho việc kích được khuyến cáo
là Qg.
VCC  VP
Với: I AV 
RG
VP là điện áp ngưỡng do hiệu ứng Miller,
bằng giá trị trung bình của vgs trong
khoảng (t=t2÷t3). Đó là một thông số
quan trọng của MOSFET và được cung
cấp trong datasheet dưới dạng đồ thị như
sau:
Hình 11: VGS theo năng lượng nạp.
Lưu ý là tsw lớn hay nhỏ phụ thuộc vào
dòng kích, tsw càng nhỏ thì thời gian
chuyển mạch càng nhanh và tổn hao trên
linh kiện càng giảm. bởi vậy tsw thường
được chọn theo tiêu chí thiết kế và phù
hợp tần số sóng mang.
Một giá trị tsw được đánh giá là rất tốt khi
sử dụng IC driver để kích khóa:
tsw = (3÷4) (td(on) + tr)
Với td(on) và tr là những thông số của
MOSFET được cho trong datasheet.
Từ các biểu thức trên, ta có:
V  VP
Qg  CC  t sw
RG
Suy ra:
(V  VP )t sw
RG  CC
Qg
Nhắc lại:
RG = Rg + RDR
VCC
RDR 
I OUT ,DR
IOUT,DR là dòng điện tối đa mà IC Driver
có thể kích được, được cho trong
datasheet của IC Driver.
Vậy, giá trị điện trở kích được xác định:
Rg = RG – RDR
3. Điện trở kích ngắt.

Thông thường IC Driver được cung cấp Ta có:

chân kích đóng và kích ngắt riêng biệt. dV
Khi đó điện trở kích đóng vẫn được tính Vge  ( Rgoff  RDR )  C RESoff
dt
như trên, còn điện trở kích ngắt nên được Ta cần tính sao cho Vge < VT của khóa.
chọn với giá trị nhỏ hơn bởi 2 nguyên Vậy:
nhân: VT
Thứ nhất: Để việc kích ngắt xảy ra nhanh Rgoff   RDR
dV
hơn, giúp giảm DeadTime. Để đơn giản, C RESoff .
ta có thể sử dụng giá trị điện trở kích ngắt dt
bằng với giá trị điện trở tới hạn.
Thứ hai: khi khóa dưới ngắt, khóa trên Nói chung, thực hiện một mạch kích thì
đóng, thì điện áp ngõ ra (tại điểm gắn với việc chọn giá trị điện trở kích phù hợp là
tải) sẽ chuyển từ mức thấp lên mức cao rất quan trọng, nó ảnh hưởng đến hiệu
của nguồn công suất trong thời gian ngắn. suất của mạch và tránh được nhiều hư
Tức là dV/dt có giá trị lớn. hỏng khác.

Hình 12. Dòng điện khi khóa dưới ngắt và

khóa trên đóng.

Khi đó sẽ có dòng điện chảy qua CRESoff,

Rgoff và RDR.
dV
Do: i  C RESoff
dt
Nếu dòng điện này đủ lớn và sụt áp trên
cực G cao hơn điện áp ngưỡng đóng (VT)
của khóa, thì khóa có thể tự đóng mặc dù
đã được điều khiển kích ngắt. Trường hợp
này nguy hiểm cho linh kiện và cho nguồn
công suất vì nó giống như hiện tượng
đồng dẫn.

Như vậy: Việc giảm điện trở kích đóng sẽ

giải làm giảm sụt áp trên cực G của khóa
dưới.
V. THIẾT KẾ MẠCH KÍCH IGBT SỬ DỤNG IC DRIVER IR2114

IR2114 là một trong những dòng Driver cho MOSFET và IGBT, được sản xuất bởi
International Rectifier. Là một trong những Driver dùng cho tầm công suất trung bình với
nhiều chức năng như:
Hoạt động với điện áp công suất 600V.
Khả năng chuyển mạch (kích ngắt) mềm khi có sự cố quá dòng.
Đồng bộ tín hiệu với các chopper khác.
Tích hợp DeadTime.
Chống quá áp và thấp áp.

1. Sơ đồ khối:

Hình 13: sơ đồ khối IR2114

Sơ đồ có 4 phần chính
1. Phần giao tiếp với vi xử lý.
2. Phần bootstrap.
3. Phần kích IGBT tầng dưới và tầng trên.
4. Phần hồi tiếp điện áp VC của IGBT để bảo vệ quá dòng.

Áp dụng lý thuyết đã phân tích ở phần trước để tính giá trị tụ bootstrap, điện trở kích
đóng và điện trở kích ngắt. Ta có sơ đồ nguyên lý và giá trị linh kiện như sau:
2. Sơ đồ nguyên lý.

Hình 14: sơ đồ nguyên lý mạch kích có cách ly.

Chi tiết linh kiện

STT Ký hiệu Tên Linh Kiện ghi chú STT Ký hiệu Tên Linh Kiện ghi chú
1 C1 22uF tantalum tụ bootstrap 15 R1 33Ω Ron
2 C2 121p 16 R2 3.3Ω Roff
3 C3 121p 17 R3 220Ω Rshutdown
4 C4 102p tụ restar/reset 18 R4 33Ω Ron
5 C5 104p ceramic tụ bootstrap 19 R5 3.3Ω Roff
6 C6 104p 20 R6 220Ω Rshutdown
7 C7 104p 21 R7 1K
8 C8 104p 22 R8 1K
9 D1 UF4007 fast recovery 23 R9 10K
10 D2 UF4007 fast recovery 24 R10 10K
11 D3 UF4007 fast recovery 25 R11 1K
12 IGBT1 12N60A 26 U1 IR2114
13 IGBT2 12N60A 27 U2 TLP2200 opto
14 L1 Led 28 U3 TLP2200 opto
3. Mạch in.

Thiết kế mạch in dùng chương trình Proteus.

Hình 15: layout IR2114

Sau khi gắn linh kiện đầy đủ:

Hình 16: board mạch hoàn chỉnh.

Sau khi gắn board vào hộp máy:

Hình 17. Gắn board vào thiết bị.

Sản phẩm hoàn chỉnh:

Hình 18. Sản phẩm hoàn chỉnh.

4. Kết quả thử nghiệm.

a. thời gian lan truyền tín hiệu:

+ thời gian lan truyền qua Opto TLP2200:
Thời gian từ lúc xung dương ở ngõ vào đến lúc xuất hiện xung dương ở ngõ ra của opto
đo được là 120ns. Đây chính là thời gian trễ khi qua opto. Giá trị này khá nhỏ chứng tỏ
opto có thời gian đáp ứng nhanh và tốt. (240ns)

Hình 19: Thời gian lan truyền qua Opto TLP2200

+ Thời gian lan truyền qua IC Driver:

Là thời gian tính từ lúc có xung dương ở ngõ vào đến khi có xung dương ở ngõ ra của
IR2114. Thí nghiệm đo được là 290 ns. (380ns)
Nhận xét: thời gian lan truyền qua IC nhanh, với tốc độ này có thể đảm bảo mạch kích
với tần số lên đến hàng trăm KHz

Hình 20: Thời gian lan truyền qua IC Driver IR2114.

b. Thời gian chuyển mạch của IGBT
+ Thời gian kích đóng IGBT:
Là thời gian tính từ khi có xung kích đóng (xung dương) đến khi dòng điện qua IGBT đạt
giá trị max (xác định theo tải). Kết quả thí nghiệm: 2.6 micro giây (10.6us)
Nhận xét: thời gian chuyển mạch rất nhanh, chỉ chưa đầy 3 micro giây, đây là thời
khoảng thời gian cực tốt. Nó giúp tổn hay công suất trên linh kiện giảm và có thể đẩy
nhanh tần số sóng mang lên cao

Hình 21: thời gian ON của IGBT.

+ Thời gian kích ngắt IGBT:

Là thời gian tính từ khi có xung kích ngắt (xung âm) đến khi dòng điện qua IGBT đat giá
trị min (Imin = 0). Kết quả thí nhiệm là 2,9 micro giây.
Nhận xét: Thời gian kích đóng lâu hơn thời gian kích ngắt một ít. Điều này hoàn toàn phù
hợp với thông số đưa ra của nhà sản xuất. Nhìn chung, với thời gian kích ngắt cũng chưa
đến 3 micro giây là kết quả hết sức khả quan.

Hình 23: thời gian OFF của IGBT

c. Kết luận về ảnh hưởng của thời gian lan truyền và thời gian chuyển mạch.

Kết quả thí nghiệm cho thấy: hệ số lan truyền của mạch nhỏ, thời gian kích đóng và kích
ngắt của IGBT cũng nhỏ. Đó là những mong muốn cho một sản phẩm tốt.

d. Một số kết quả khác:

+ dạng điện áp kích IGBT tầng dưới: thời gian kích là 510ns, một kết quả cũng rất tốt.

+ dạng điện áp kích IGBT tầng cao: thời gian kích là 650ns. Lâu hơn một ít so với tầng
dưới vì điện áp kích thấp hơn (do sụt áp trên diode bootstrap). Nhưng 650ns là một kết
quả tốt. (370ns)
+ dạng sóng điện áp trên tụ Bootstrap:

Nhận xét: áp trên tụ Bootstrap là một đường thẳng nằm ngang, điều này chứng tỏ phương
pháp cấp nguồn bằng kỹ thuật bootstrap hiệu quả.

Nhìn chung mạch kích IGBT làm việc với những kết quả đo được ở trên là cực kỳ ấn
tượng. Tuy nhiên, do thí nghiệm ở điện áp nguồn DC thấp nên kết quả trên chưa chính
xác. Theo lý thuyết đã phân tích ở phần trước thì khi dùng điện áp cao hơn, thời gian kích
IGBT sẽ nhanh hơn, nhưng không nhiều lắm.

Tài liệu tham khảo

1. DT 98-2a. Bootstrap Component Selection For Control IC’s. By Jonathan Adams
2. DT 04-4. Using monolithic high voltage gate drivers. By A.Merello
3. APT0201. IGBT Tutorial. By Jonathan Dodge .P.E and Jone Hess
4. APT0103. Making Use of Gate Information in MOSFET and IGBT Data Sheets.
By Ralph McArthur
5. Slup 169. Design And Applycation Guide For High Speed MOSFET Gate Drive
Ciruits. By Laszlo Balogh