Professional Documents
Culture Documents
K T E T Osnovi elektrotehnike 1
Katedra za teorijsku
K1
elektrotehniku
www.ktet.ftn.uns.ac.rs
(I kolokvijum) 14.09.2016.
ZADACI
Slika 2.
TEORIJSKA PITANJA
Teorija 1. Objasniti ukratko šta predstavlja pojam „linijska raspodela naelektrisanja“. Koja je jedinica
za ovu veličinu?
Teorija 2. U delu prostora u kom postoji elektrostatičko polje, potencijal svih tačaka se računa u odno-
ELEKTROSTATIKA
su na referentnu tačku R1. Objasniti ukratko za koliko će se promeniti napon između dve proizvoljne
tačke na ekvipotencijalnoj površi, ako se referentna tačka potencijala premesti u tačku R2, pri čemu se
njen potencijal razlikuje za +2 V, u odnosu na potencijal tačke R1? Obrazložiti odgovor.
Teorija 3. U deo prostora sa homogenim elektrostatičkim poljem, nakon unošenja tanke provodne, ve-
oma dugačke i nenaelektisane ploče, primećeno je da je polje ostalo istog intenziteta sa leve i desne st-
rane ploče, kao i pre unošenja. Objasniti ukratko razlog ove pojave.
Teorija 4. Na koji način se proverava da li su dva kondezatora redno vezana? Skicirati rednu vezu i
objasnite kako se određuje ekvivalentna kapacitivnost.
Teorija 5. Objasniti ukratko šta predstavlja pojam „elektronske polarizacije molekula“?
Teorija 6. Objasniti ukratko zašto je u toku polarizacije bilo kog tela od dielektrika, ukupna količina
vezanog naelektrisanja jednaka nuli?
DIELEKTRICI
Teorija 7. Da li do proboja dielektrika prvo dolazi na unutrašnoj ili na spoljašnjoj elektrodi sfernog
kondenzatora? Obrazložiti odgovor.
Teorija 8. Vazdušni pločasti kondenzator, površina elektroda S = 10 m2 i njihovog međusobnog rasto-
janja d = 1 mm, priključen je na napon U = 1 kV. Tačno u sredini kondenzatora, u vazduhu, nalazi se
tačkasto naelektrisanje Q = 1 nC. Odrediti intenzitet, pravac i smer sile na to naelektrisanje. Ivične efe-
kte zanemariti.
PRAVILA POLAGANJA
Za pozitivnu ocenu neophodno je sakupiti više od 50% poena i na zadacima i na teorijskim pitanjima. Na
svakom zadatku se mora osvojiti najmanje 11 poena (od max 22), a na teoriji najmanje 28 poena (max 56).
STUDIJSKI PROGRAM ZA MEHATRONIKU
K T E T Osnovi elektrotehnike 1
Katedra za teorijsku
K2
elektrotehniku
www.ktet.ftn.uns.ac.rs
(II kolokvijum) 14.09.2016.
ZADACI
Brojni podaci: E1 = 20 V, E2 = 10 V, IS = 1 A, R1 = 15 Ω, R3 = 20 Ω,
R4 = R5 = R6 = 90 Ω, R7 = 45 Ω. Slika 1.
Brojni podaci: E1 = 10 V, E2 = 5 V, R1 = 16 Ω, R2 = 20 Ω, R3 = 40 Ω, R4 = 60 Ω,
IS = 1 A, RS = 5 Ω.
Slika 2.
TEORIJSKA PITANJA
Teorija 1. Kako glasi izraz za otpornost pravolinijskog segmenta provodnika? Navesti sve veličine u
tom izrazu.
VREM. const. STRUJE
Teorija 2. Ako isti intenzitet struje postoji u dve žice od istog provodnog materijala, jednoj poluprečni-
ka a, a drugoj poluprečnika 4a, odrediti koliko iznosi odnos zapreminskih gustina snaga Džulovih gubi-
taka u jednoj i drugoj žici.
Teorija 3. Šest realnih naponskih generatora, istih ems E1 i unutrašnjih otpornosti R1, vezani su redno.
Odrediti koliko iznosi ekvivalentni Tevenenov generator, u odnosu na krajeve ove redne veze.
Teorija 6. Skicirati način vezivanja ampermetra i voltmetra, prilikom merenja odgovarajuće veličine
pomoću ovih instrumenata.
Teorija 8. Objasniti ukratko da li je moguće izvršiti proširenje mernog opsega vatmetra i na koji način
se to radi.
PRAVILA POLAGANJA
Za pozitivnu ocenu neophodno je sakupiti više od 50% poena i na zadacima i na teorijskim pitanjima. Na
svakom zadatku se mora osvojiti najmanje 11 poena (od max 22), a na teoriji najmanje 28 poena (max 56).
Ispit iz OET1, 14.09.2016.
K1 Z1
a) dQ1
dE1 '
4 0 r 2
d E 1x ' d E1x '' 0 E1x 0
dQ1 Q ' dl Q ' a d
dE1 2 dE1 y 2 dE1 ' cos 2 cos 2 1 2 cos 2 1 cos
4 0 r 2
4 0 a 4 0 a 2
dQ2 Q ' dy
dE2 2 2
4 0 r 2
4 0 y
a b
Q2 ' dy Q ' 1 1 Q2 ' a
E2
b 4 0 y 2
2
4 0
b a b 4 0 b a b
Q '
E2 2
a
4 0 b a b
i y
Pretpostavimo Q3>0.
E3
Q3
4 0 2a b
2
i y
Q'
2 0 a
Q '
E O E1 E 2 E 3 1 i y 2
a
4 0 b a b
i y
Q3
4 0 2a b
2
iy
b)
EO 0 E1 E 2 E 3 0
Q1 '
2 0 a
Q '
iy 2
a
4 0 b a b
i y
Q3
4 0 2a b
2
i y 0
Q1 ' Q2 ' a Q3
/ 2 0
2 0 a 4 0 b a b 4 0 2a b 2
Q3 2 nC
K1 Z2
a) Granični uslov:
Et 0 Etd E
Dn 0 Dnd
D ds Qu S
S
SOM
D ds Q
OM 0
D0 ds
OM d
Dd ds Q
D0 2 r L x Dd 2 r x Q
0 E 2 r L x d E 2 r x Q
Q
E , ar b
0 2 r L x d 2 r x
Q
C
U AB
B b b
Q Q b
U AB E dl E dr dr ln
A a
2 r L x d 2 r x
a 0
0 2 L x d 2 x a
0 2 L x d 2 x
C
b
ln
a
b)
d 7 0 L3m x 0, 25 L
3 1
0 2 L 7 0 2 L
C 4 4 5 L 416,835 1012 F
0
1
C 416,835 pF
c)
Qmax
U max
C
Qmax
Emax E r a min Eč 0 , Ečd Eč 0
0 2 a L x d 2 a x
3 1
Qmax Eč 0 0 2 a L x d 2 a x Eč 0 0 2 a L 7 0 2 a L Eč 0 5 0 a L
4 4
Qmax 12,51 C
12,51 C
U max U max 30 kV
416,835 pF
Ispit iz OET1, 14.09.2016.
K2 Z1
Re R4 || R5 || R6 30
a)
RT:
RT RAB Re 30
R2 RT 30
b)
ET:
ET U AB I S Re 30 V
ET 30 V
I R 2 R2 I R 2 RT ET E2 0
ET E2
IR2
RT R2
I R 2 0,33 A
c)
U R 2 I R 2 R2 U R 2 10 V
d)
PE 2 E2 I R 2 PE 2 3,33 W
K2 Z2
R3 R4 40 60
R34 R3 || R4 24
R3 R4 40 60
E1 R1 I A 2 R34 I A 2 0
E1 10
I A 2 I A 2 0, 25 A
R1 R34 16 24
UV 3 0 V
UV 2 6
I A1 I A1 0,15 A
R3 40