高良率生產的固晶工藝

主講: 張偉源先生

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 簡介
• 製程回顧
• 物料選擇
• 設備
• 品質檢測

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 一般製程回顧
• 銀漿固晶 (Epoxy Die Bonding)
• 共晶焊接 (Eutectic Die Bonding)
• 覆晶焊接 (Flip Chip Bonding)
• 熱超聲覆晶焊接 (Thermosonic Flip Chip
Bonding)

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 銀漿固晶

加熱 焊

基板

加熱 線
點膠 固晶 銀漿固化

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 共晶焊接
直接共晶

加熱
焊
固晶
基板

加熱 線
助焊劑
共晶
加熱
點印助焊劑 固晶 助焊劑加熱

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 覆晶焊接

1 2 3 4
焊頭 點印針

180°
覆晶
覆晶器
助焊劑點印碟

拾晶 利用覆晶器拾晶 上視監測 旋轉對位及點印助焊劑

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 熱超聲覆晶焊接
金球焊製 熱超聲覆晶焊接
壓力

超聲波
震動 ( ( ( ( ))))
LED 焊墊
金球
散熱基座

加熱

金球焊接於散熱基座

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 不同製程的比較
銀漿固晶 共晶焊接 覆晶焊接 熱超聲覆晶焊接
強項 • 可重焊 • 工藝簡易 • 更高焊接密 • 更高焊接密度
• 已成熟的 • 更佳發光 度 • 更佳發光及導
工藝 及導電性 • 更高焊接精 電性
• 可選有不 度
同銀漿已
應付需要
略遜一籌 • 需要固化 • 高焊接溫 • 難於監測焊 • 需於次襯墊上
• 工藝較複 度 接良率 焊製金球
雜 • 特別晶片/
引線框架
塗層

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物料選擇

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 簡介
• 吸嘴
• 頂針
• 點印針
• 基板

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吸嘴

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 吸嘴
• 不同吸嘴的物料
– 橡膠吸嘴
– 高溫吸嘴
– 碳化鎢吸嘴
• 不同吸嘴的設計
– 面貼式吸嘴
– 2邊/4邊吸嘴

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 高溫吸嘴
• 例子:
– 由一種廣受應用的纖維製成

特性
a) 硬度 25 – 48 Rockwell “E級” •• 吸嘴尖尺寸:
吸嘴尖尺寸:
b) 最高溫度 288°C – 連續式加溫 –– 外徑:
外徑: 0.20mm
0.20mm
482°C – 間歇式加溫 –– 內徑:
內徑: 0.10mm
0.10mm
c) 抗張強度最耐 62 MPa @ 23°C ASTM D-1708 方法 •• 最高可承受溫度
最高可承受溫度
30.3 MPa @ 23°C –– 480°C
480°C
d) 接長最耐 5.% @ 32°C ASTM D-1708 方法
e) 傳熱能力 0.46 W/m. °C @ 40°C ASTM F-433 方法
f) 抗壓縮力 ASTM D-695 方法
1%拉緊 22.8 MPa @23°C
10%拉緊 104.8 MPa @23°C
g) 抗衝擊力, 槽口 42.7 J/m @23°C ASTM D-256 方法

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 碳化鎢平面吸嘴
• 特性
鈷含量 (wt.%) 15 •• 吸嘴尖尺寸:
吸嘴尖尺寸:
結晶體大小 (um) 0.6 –– 外徑:
外徑: 0.30mm
0.30mm
–– 內徑:
內徑: 0.10mm
0.10mm
密度 (g/cm^3) 13.95
•• 較硬物質
較硬物質
硬度 HRA 89.9
抗破裂 (MPa) 3900
抗壓力 (MPa) 5000
楊氏模數 (GPa) 530
防斷裂 (MPa) 9.2
膨脹系數 (20-800oC MK^-1 6.1
傳熱能力 (W/m*K) 85.0

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 吸嘴撰擇
• 橡膠吸嘴
– 應用於大晶片(e.g. >40mil)
– 不適用於共晶焊接
• 高溫吸嘴
– 應用於一般固晶製程 與 共晶焊接
– 應用於小晶片(e.g. <40mil)
• 碳化鎢吸嘴
– 應用於一般固晶製程 與 共晶焊接
– 更長使用期
– 應用於小晶片(e.g. <20mil)
• 面貼式吸嘴及晶片的關係
– 吸嘴大小約為晶片的80%~90%
• 兩邊/四邊吸嘴
– 晶片表面有特別塗層
– 減少因接觸而損害晶片表面

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頂針

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 頂針 – 鋒利式

頂針尖放大圖
頂針尖放大圖 (鋒利式)
(鋒利式) 頂針尖
頂針尖

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 頂針 – 圓頭式頂針

頂針尖
頂針尖

頂針尖放大圖
頂針尖放大圖 (圓頭式頂針)
(圓頭式頂針)

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 頂針工具的選擇
• 鋒利式頂針
– 晶片與頂針接觸面較圓頭式頂針細
– 防止拾晶失敗
• 圓頭式頂針
– 可防止晶片破損
• 頂針頭是圓
• 在晶片底部較小壓力

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點印針

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 點印針
• 印尖的直徑與固晶所需之銀漿大小有關
• 槽口大小控制銀漿尾
– 愈長的槽口, 會有愈長的銀漿尾

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基板選擇

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 簡介
• 銀漿固晶
– 成熟工藝
– 對基板要求不多
• 共晶焊接
– 基板設計
– 表面粗糙度
– 物料

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 共晶焊接
• 一步式 / 兩步式製程
– 物料的要求
• AuSn 預附於晶片底部及基本預設銀(Ag)層
• Sn預附於晶片底部及基板預設銀(Ag)層
• 製程溫度
– Au (80%) /Sn (20%) 於塗銀基板
• 焊接溫度 ~ 320°C
– Au (10%) /Sn (90%) 於塗銀基板
• 焊接溫度 ~ 260°C
– Sn (100%) 於塗銀基板
• 焊接溫度 ~ 250°C

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 基板/引線框架的設計
• 引線框架的設計
– 堅固及表面平滑度
– 傳熱性

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設備

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 設備
• 位置精度
– 機械式對位 vs.圖像識別對位
• PR系統
– 圓圖配置
– 特別照明系統
• 工藝分享
– GaP 黃綠 LED 的處理
– 銅基質的共晶片的處理

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 工藝分享

• GaP 黃綠 LED 的處理

• 銅基質的共晶片的處理

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 晶片破損
• 晶片的邊角破爛: 破晶
• 經常性於 E-pole 發現破損

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解決破晶

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 總結
• 要達致高良率的固晶生產, 物料選擇是關鍵, 如吸
嘴材料與大小, 頂針尖銳度, 點印針大小及基板設
計
• 除上述硬體方面, 軟體方面如圖像識別對位, PR
系統, 輕觸式著陸, 頂針速度等, 提供工藝上的靈
活性, 亦有助達致高良率生產
• 品質監測有助於維持高良率生產

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題問時間

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完

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