Scribd Logo
Upload

Welcome to Scribd!

  • Optoelektronske Poluprovodničke Komponente PDF

    Uploaded by

    Sandra Minkek
    26 views15 pages

    Original Title

    333389686-Optoelektronske-poluprovodničke-komponente.pdf

    Copyright

    © © All Rights Reserved

    Available Formats

    PDF or read online from Scribd

    Did you find this document useful?

    Is this content inappropriate?

    Report this Document

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as PDF or read online from Scribd
    Flag for inappropriate content
    26 views15 pages

    Optoelektronske Poluprovodničke Komponente PDF

    Uploaded by

    Sandra Minkek

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as PDF or read online from Scribd
    Flag for inappropriate content
    of 15
    PRVIDEO_ GLAVA7 OPTOELEKTRONSKE POLUPROVODNICKE KOMPONENTE Optoctektronske ili fotoelektronske polu- provodnitke komponente pretvaraju svetlosnu energiju u elektrinu ili vrSe obrnutw transfor- ‘maciju. U ovo} glavi ée biti razmatrane samo one optoelektronske komponente, koje imaju iru primenu za emisiju svetlosti u indikatorima (dis- plejima), detekciju prisustva svetlosti u fotode- tektorima, i izvorima energije na bazi sunteve svetlosti. Vise detalja, narotito u vezi materijala iizrade fotoclektri¢nih sklopova, nalazi se u refe- renci [1] Svetlost je elektromagnetno zratenje koje ima talasno-korpuskularnu prirodu. Opseg talas- nih duzina svettosti ide od 10am — ultraljubiasti deo spekira, do 106m — infracrveni deo. Opseg Vidljive svetlosti za Ijudsko oko ide od 380nm - jubicasta boja, do 750nm — ervena boja. Spek- tralna karakteristika oka, definisana kao subjek- tivan oseéaj sa kojim oko vidi monohromatsku svetlost razligtih boja{istog intenziteta, prikaza- najenaslici 7.1. Vidi se da oko najbolje registruje zelenu boju, a znatno lo8ije ljubiéastu i ervenn Svetlosne eestice se nazivaju fotoni i imaju en- ergiju odredenu formulom: Wehpahy ty gde jeh = 4,137-10-eV-s Plankova konstanta, FiA su utestanost i talasna duzina svetlosti, a ¢ ‘njena brzina. Energija po prethodnyj formuli je izrazena u elektron-voltima (eV). 200 100 500 a0 Rad optociektronskih. poluprovounitkih komponenata se zasniva na prelasku elektrona izmedu valentnogi provodnog opsega. Smer kre- tanja elektrona pri prelasku je suprotan kod aps- ‘otpeije i kod emisije svetlosti. Pri apsorpeiji svetlosti poluprovodnik se iz~ lage dejstva fotona koji mu predaju energiju, ‘Tada se energija fotona pretvara u toplotu (ter- mitki cfckat)ilise generise par elektron-Supljina, ako je energija fotona ve¢a od energetskog pro- cepa u materijalu (kvantni efekat). Poslednji us- lov je potreban za povecavanje energije jednog valentnog elektrona i njegov prelazak u provod- ‘nu zonu, dime se stvara slobodan par elektron- Supljina. Pastoje dve vrste apsorpeionih opto- elektronskih poluprovodnikih elemenata na ba- zi kvantnog efekta. Fotokondukiivni elementi, od kojih s¢ pod dejstvom svetlosti menja kon- centracija slobodnih nosilaca, odnosno elektrigna provodnost i foronaponski elementi kod kojih se ‘generic veliki broj slobodnih nosilaca pod dejst- vom svetlosti, a zatim ve8i njihovo razdvajanje i transport uz pomoé PN spoja. Na taj nagin fo- tonaponski elementi daju struju na ragun ener- gije svetlosti. Enisija svetlosti iz, poluprovodnika nastaje pri rekombinaciji parova etektron-Supljina. Re- kombinacija se podstite propustanjem direktne struje kroz PN spoj kada glavni nosioci menjaju stranu i poveavaju verovatnoéu popunjavanja valentnih veza. Pri tome siobodan elektron pre- Tanasi fg budinatnmd SI. 7.1. Spektraina karakteristika oka, 7. Optoctektronske poluprovodnitke komponente lazi iz provodne u valentnu zonu emitujuéi foton dja je talasna duzina jednaka ili manja od hc /E,, de je E, energetski procep poluprovodnika, vi- deti jednaginu (7.1). Emisioni poluprovodnicki optoelektronski elementi mogu imati neko- herentno i koherentno zratenje. Izvori nekohe- rentnog zratenja daju fotone razli¢ite talasne du- ine, faze, polarizacije i pravea prostiranja u ne- kom opsegu i nose naziv svetlasne diode ili LED diode (Light-Emitting Diodes ). Izvori kohe- rentnog zraéenja su poznati kao laseri i oni neée biti razmatrani u daljem tekstu(), 7.1. Fotokonduktivni elementi _ Kao Sto je regeno, kod fotokondul (fotOprovodnin) elemenata se vr8i apsorpeija fo- tona svetlosti u poluprovodniku sto povecava koncentraciju njegovih slobodnih nositaca i me- nja elektritnu provodnost. Ako se na fotokon- duktivan elemenat prikljudi napon, onda sc kroz njega uspostavija struja, tija jagina zavisi od in- tenziteta svetlosti. Na tom principu je zasnovan rad fotootpornika. Konstrukeija fotctpornika je prikazana na slic 7.2a. Na keramitkoj plotici je postavijen ta- nak sloj poluprovodnika jednog tipa, na primer N, na dijim su krajevima vezane metalne cle- ktrode kao spoljni izvodi. Kuéiste ima stakleni prozor ili sotivo za prolazak svettosti do polupro- ‘vodnika. Otpornost fotootpornika je najveéa u mraku. Ako se izvrSi osvetljavanje sa svetloséu Gija talasna duzina daje enegiju fotona veéu. od energetskog procepa poluprovodnika, broj sio- bodnih nosilaca raste i otpornost opada. Spoljna karakteristika fotootpornoka pokazuje zavisnost njegove otpornosti od intenziteta svetlosti. Njen tipiéan oblik je pokazan na slici 7.2b u logari- tamskoj razmeri. Otpornost fotootpornika zavisi cod temperature jer njen porast podize sopstve- ‘nu koncentraciju slobodnih nosilaca, jednadina (1), Ovaj efckat treba minimizirati kod foto- konduktivnih elemenata da bi se postigla zavis- st hal nost Koncentracije slobodnih nosilaca, praktitno, ‘samo od svetlosti. To je moguée izvesti biranjem Poluprovodnika sa vecim energetskim proce- Pom, ili njegovim hladenjem. Oba procesa do- vode do smanjenja sopstvene koncentracije u poluprovodniku, a samim tim i do smanjenja ‘znataja njene varijacije sa temperaturom. Brzina rada fotokonduktivnih elemenata, ‘odredena vremenom koje protekne od nagle promene intenziteta svetiosti do postizanja de- finitivne promene otpornosti materijala, je mala — reda jecine milisekunde. To je posledica priro- de procesa stvaranja slobodnih nosilaca pod dej- stvom svetlosti. 7.2, Fotonaponski elementi Fotonaponski poluprovodni¢ki elementi sadrZe PN spoj. Pod dejstvom svetlosti u njima sestvaraju slobodni nosioci pretaskom elektrona, Koji je primio energiju fotona, iz valentne u pro- vodnu zonu. Elektroni i Supljine, koji se generis uu delu PN spoja dalje od oblasti prostornog tova- ra, ne mogu da opstanu zbog velike koncentracije ‘okolnih slobodni nosilaca sa kojima se rekombi- nuju. Medutim, elektroni i Supijine, koji se gene- rigu w oblasti prostornog tovara, nastaju u zoni jakog elektritnog polja. Posto je koncentracija slobodnih nosilaca u oblasti prostornog tovara mala, nema rekombinacije, ve¢ jako elektritno polje Salje fotogenerisane Supljine ka anodi, a clektrone ka katodi. Ako se krajevi fotonapon- skog elementa spoje, kroz njih protige struja pod dejsivom svetlostl. Ta struja, koju Cine svetioscu generisani nosioci, se naziva fotostruja I, i kroz ‘diodu ima smer od katode ka anodi. Njena jagina Je direktno srazmerna intenzitetu svetlosti. Fotonaponski elementi se koriste kao de- tektori prisustva ili intenziteta svetlosti u elek- tronskim kolima ili kao izvori elektritne energije na bazi sungeve svetlosti. U prvu grupu spadaju fotodiode i fototranzistori, a u drugu fotovolta- ine Celie. » SI.7.2. Fotootpornik: (2) konstrukeija, (b) prenosna karakteristika. 80 PRVI DEO - Poluprovodnitke komponente 7.2.1. Fotodiode Konstrukeija, simbol i statitke karakteris- {ike poluprovodnitke fotodiode su dati na slici 7.3, Kroz stakleni ptozor ili sotivo, svettost pada na PN spoj. Posto se fotogencrisani elektroni i Supljine na mestima dalje od spoja brzo rekom- binuju u uslovima velike koncentracije slobodni nosilaca, N sloj poluprovodnika se pravi kao ve- ‘oma tanak. Fotoni, kada dospeju u oblast pro- stornog tovara, stvaraju slobodne nosioce koji se dejstvom jakog polja u toj oblasti razdvajaju tako da Supljine ida prema anodi, a elektioui prema katodi. Na taj nagin se generi8e fotostruja sraz- ‘mera intenzitetu svetlosti. Ova struja je mala i ne moze dogi do izrazaja pri direktnoj polarizaciji diode. Stoga se fotodiode koriste iskljutivo uw reZimu inverzne polarizacije s tim da se preduz- mu sve konstruktivne mere da struja zasiéenja diode, definisana jednaginom (2.15), bude sto ‘manja (jaée dopiranje, niska radna temperatura fotodiode postignuta hladenjem i sino). Struja zasi¢enja fotodiode se naziva istruja mraka, kriva (a) na slic 7.3b. Prema tome, struja fotodiode ima dve komponente: fotostruju Ji struju kroz PN spoj ostvarenu dejstvom napona polarizacije Gl): (Up) F+15| ep|pe]-1]. 0.2) Zavisnost fotostruje od intenziteta svetlosti je linearna, jer se pri dvostrukoj jagini svetla gene- rie dvostruko vedi broj slobodnih nosilaca pu- tem apsorpcije fotona, Ucciliu pove¢anja brzine odziva na promene intenziteta svetlosti, fotodiode se kostruigu sa ubatenim slabo dopiranim slojem poluprovod- nika i izmedu'P i N oblast, slika 7.3a. Time se dobija mala kapacitivnost prostornog tovara, jer ‘se on ra8iri preko celog osiromaxenog sloja polu- provodnika, Tako konstruisane fotodiode se na- zivaju PIN fotodiode (I- intrinsic). Fotodiode daju mau fotostruju, nekoliko stotina mikroampera pri jatini svetlosti reda 0,1 Imjem?, Poveéanje struje kroz povetanje povrsi- ne PN spoja je neprihvatljivo zbog porasta kapa- citivnosti Koja usporava rad fotodiode. Uveéanje fotostruje se moze posti¢i inverznom polariza Jom diode tako, da ona ude w oblast lavinskog roboja, odnosno da se aktivira lavinski efekat, Odeljak 2.6. Time se svaki fotoelektron umnoza- va M puta, ali zavisnost struje od jatine svettostl nije vie linearna, Na opisanom principu rade lavinske fotodiode, koje predstavijaju najosetlji- viji fotonaponski element. Njihova brzina rada je neSto manja u odnosu na PIN fotodiodu zbog vremena potrebnog za multiplikaciju nosilaca. ‘Medutim, posto daje veéu struju, lavinsku foto- diodu je moguée opterctiti manjom otpornosén Potrosata sa koga se detektuje korisni signal Kako je minimalni prihvatljiv nivo korisnog sig- nala unapred odreden, sledi da ¢e lavinska foto- dioda raditi sa manjom vremenskom konstan- tom od PIN fotodiode, a toznaéi da 6e mati veeu brzinu odziva na promene intenziteta svetlosti. Spekiralna karakteristika fotodiode poka- zuje zavisnost njene struje od talasne duzine svet- losti konstantnog intenziteta. Njen oblik se odre- duje izborom vtste materijala poluprovodnika prema potrebnom energetskom procepu E, za dobijanje najvece osctljivosti na odabranu véstu svetlosti. Posebnosu interesantne infracrvene fo- todiode za detckciju toplih objekata u prirodi, koji emituju infracrvene zrake. 7.2.2, Fototranzistori Fototranzistori su bipolarni tranzistori koji koriste apsorpeiju svetlosti za generisanje slo- bodnin nosilaca kao i fotodiode, s tim da se po- S1.73.Fotodioda: (@) konstrukeja i simbol,(b) statidke Karakteristike. 7. Optoclektronske poluprovodnitke komponente 81 mo¢u mehanizma strujnog pojaganja, pri istoj jaGini svetlosti, dobija veéa kolektorska struja od struje fotodiode. Naime, inverzno polarisani ko- Iektorski spoj se izlaze dejstvu svetlosti. Generi- sana fotostruja dospeva u bazu fototranzistora i daje # puta veéu struju kolektora, ako postoji spoljai napon izmedu kolektora i emitora koji inverzno polarige kolektorski spo}. Ovaj napon je nuzan da obezbedi radne uslove tranzistora kojima on poseduje dovoljno veliko strujno poja- ganje B. Da bi ukupna kolektorska struja bila proporcionalna intenzitetu svetlosti i da bi se izbeglo njeno maskiranje, fototranzistor se ne polarise spoljnom baterijom u kolu baza - emitor. Na taj natin, u mraku struja fototranzistora je Jednaka struji curenja izmedu kolektora i emito- ra, koja se mode zanemariti. Kada se kolektorski spoj osvetli, fotostruja pobuduje bazu tranzis- tora. U cilju dobijanja sto veée kolektorske stru- je, treba usmeriti celokupnu fotostruju u bazu, St0 se lako postize ostavijanjem baznog prikljut- ka da bude slobodan. Prema tome, fototranzistor se koristi polarisan kaoza rad w aktivnom rezimu, ali sa neprikljuéenom bazom. Konstrukcija, simbol i statigke karakteristi- ke fototranzistora su pokazani na slici 7.4. Da bi se dobila sto ve¢a kolektorska struja za odreden intenzitet svetlosti, treba osvetliti Sto vecu povr- Sinu kolektorskog spoja, Sto sa druge strane po- veéava njegovu kapacitivnost iusporava rad tran- zistora. U cilju povecanja brzine odziva na pro- menu intenziteta svetlosti, funkeija braog foto- tranzistora se moze postici vezivanjem katode PIN fotodiode na kolektor i anode na bazu stan- dardnog bipolarnog tranzistora. Na taj nagin br2i fotonaponski clemenat pobuduje standardni brzi tranzistor. Treba istaéi da je zavisnost kolektorske struje fototranzistora od jadine svetlosti znatno oo netinearnija nego kog fotodiode, zbog nelinearne zavisnosti koeficijenta strujnog pojaéanja od ve- ligine struje kolektora, slika 4.5. Pored bipolarnog, postoje i fotofet-tranzis- tori. Kod njin se PN spoj gejt-kanal izlaze dejstvu svetlosti koja generige fotostruju gejta. Fotofet se koristi polarisan sa dve baterije tako, da radi u reZimu zakoéenja kada nema svetlosti. Pri tome se na red sa baterijom, koja inverzno polari8e spoj gejt-Sors, mora staviti otpornik na kome ée foto- struja gejta stvarati suprotan pad napona u od- nosu na bateriju. Time se postize da jati osvetljaj smanjuje inverznu polarizaciju gejt-sors i pove- €ava struju kanala. Postoje i fototiristori. Kod njih se dejstvom svetlosti vr8i ukljudivanje. Osvetljava se PN spoj koji odgovara kolektorskom spoju NPN tranzis- tora (videti sliku 6.1). Generisana fotostruja tete w gejt i izaziva ukljutenje tiristora na isti nagin kao i struja dovedena iz spoljne bater Zi Fotovoltaitne éelije Fotovoltaiéna ili solarna éelija radi na istom principu kao i fotodioda. Naime, osvetljeni PN spoj apsorbuje fotone i ako je njihova energija veéa od energetskog procepa poluprovodnika, dotazi do tvaranja slobodnih elektrona iSupljina. Dejstvom elektriénog polja u oblasti prostornog tovara vi8i se razdvajanje i transport fotogeneri- sanin slobodnih nosilaca, sto daje struju usmere- nu od Katode prema anodi, posmatrano kroz diodu Konstrukeija solame éelije je pokazana na slici 7.5. Svetlost pada na jaée dopiran i tanak N sloj, Koji je tako Konstruisan da bude transparen- tan ida ima malu otpornost. P sloj je siromasnije dopiran kao kompromisno resenje. Naime, jako dopiranje bi dalo malu inverznu struju fotodiode, Mo vodi minimalnom smanjenju fotostruje, jed- nagina (7.2). Sa druge strane, jako dopiranje SI.7.4, Fototranzistor: (@) konstrukeia, (b) izazne statitke karakteristike 82, PRVI DEO - Poluprovodnitke komponente smanjuje vreme Zivota i pokretijivost fotogeneri- sanih nosilaca, pa fotostruja J, opada. Preko N sloja je postavijena reSetkasta ¢lektroda za kato- du koja treba da propusta svetlost iima to manju ciektri¢nu otpornost. Poluprovodnitki materijal za izradu solarnih éclija treba da ima energetski procep od 2cV do 2,5eV, jer komponente (boje) uspektru sunéeve svetlosti imaju energiju, uglav- nom, u tom opsegu. Iako ne zadovoljava pre- thodni kriterijum, silicijum je jedini materijal od koga se danas prave komercijaine fotoelektritne Celije, jer je ta tehnologija veé razvijena za pot- rebe tranzistora i integrisanih kola. a ‘SL75. Struktura solarne éefije. Strujno-naponska karakteristika solarne Celie sa otpornim potrosatem R, data je na slici 7.6a, koja predstavija grafik formule (7.2). Na slici 7.60 je nacrtana snaga potroSaga koju daje fotovoltaiéna Celia. U cilju stvaranja najvece sna- ge, radnu tatku solarne éclije treba postaviti na maksimumu krive za snagu na slici 7.6b.Za kon- stantnu ja€inu svetlostitaj problem se lakorefava prikijucenjem fiksne otpornosti potrosata. Ako se, medutim, jaGina svetlosti menja, ucilju uzima- nja najvete snage iz solarne Celije, mora se me- njati i otpornost potrosaca. To je moguée izvesti ‘uz pomos specijainih elektronskih kola. Osnovni nedostaci solarnih ¢elija su visoka proizvodna cena inizak stepen korisnog dejstva (odnos dobi- jene elektrigne energije i energije apsorbovane svetlosti), koji je oko 10% za komercijaino raspo- lodive silicijumske éelije, 7.3. LED diode, optokapleri i indikatori LED ili svetlosne diode su izvori svetlosti Konstruisane su kao PN spoj i rade na principu odavanja energije emitovanjem fotona kada se u diodi izvr8i rekombinacija slobodnog elektrona i Supljine, odnosno kada slobodni elektron prede iz provodne u valentnu zonu. Talasna duzina emitovanog fotona zavisi od energetskog proce- 4 in ening veer invenzirer P cS) vyeds wwrenziver o8 i) SL.7.6. Elektrigne karakteristike solarne éelije: (2) strujno-naponska karakteristike, (b) 2avisnost korisne snage od napona na ¢elij pa poluprovodnitkog materijata od koga je LED Gioda napravijena, videti formulu (7.1). Svetlos- ne diode, koje emituju vidijivu svetiost, se prave od materijala sa energetskim procepom izmedu 1,7 €Vi3,5 eV. Najée8ée se koriste galijum fosfid (GaP, £, = 2,3 eV, zelena boja) i galijum arsenid fosfid (GaAsP, F, = 2 eV, nijansa ervene boje). ‘Zaemisiju svetlosti u infracrvenom delu spekira, svetlosne diode se prave od galijum arsenida (GaAs). LED dioda emituje nekoherentnu svet- lost, to znati da emitovani fotoni imaju razliite talasne dudine, faze i polarizacijc. Da bi LED dioda cmitovala svetlost, u njoj se mora izazvati rekombinacija slobodnih nosi- laca, To se postize direktnom polarizacijom po- ‘motu spoljnog izvora za napajanje. Tada se stva- rastruja direktne polarizacije i glavni nosioci me- njaju stranu, nakon ega se rekombinuju sa ve- inskim nosiocima suprotne strane kao i kod obitne diode. Prema tome, dioda ¢e jate da svetl ako je struja direktne potarizacije veéa. Da bi emitovani fotoni izali u okolinu kao svetlost,sloj LED diode bli prozoru, mora biti veoma tanak. Konstrukcija, simbol i stati¢ka karakteristika svetlosne diode su pokazani na slici 7.7. ‘Tanak P sloj dopusta izlazak fotona u oko- linu, a €esljasta anoda stvara ravnomernu gustinu struje dircktae polarizacije na celom PN spoju, 310 omoguéuje raynomernu sjajnost diode. Zbog veéeg energetskog procepa u odnosu na silicijum, ‘svetlosne diode imaju veti pad napona kod direk- tne polarizacije. Sto se tite brzine odziva, LED diode su sporije od standardnih dioda zbog vece 7. Optociektronske poluprovodnitke komponente kapacitivnosti PN spoja tije su dimenzije veée da bi svetleéa povrsina bila dovoljno velika. LED diode se primenjuju kao izvor svetlos- ti €ijaje efikasnost, definisana kao odnos energije emitovane svetlostii ulozene clektritne energije, vigestruko veca u odnosu na sijalice sa wharenim viaknom. LED diode se koriste kao indikatori kada emituju vidljiva svetlost, ili kao pretvarati eicktritnog signala u svetlost za potrebe prenosa signala kroz opticke kablove u telekomunikacija- ma. Poscbno je interesantna primena LED dioda uu kombinaciji sa fototranzistorima. Takva kom- ponenta se naziva optokapler (optocupler) i studi za prenos elektricnog signala iz jednog u drugo, galvanski odvojeno, elektriéno kolo. To se pasti- %e konverzijom struje u svetlost i obratno, slika 7.8. Zavisnost struje tranzistora od pobudne struje kroz diodu nije linearna i menja se sa nivoom pobude i temperature. Stoga se optokap- leri pretezno koriste u digitalnim kolima za pre- ‘nos informacije: ima signata — nema signala®). ‘Osnovni parametri optokaplera su probojni napon izmedu diode i fototranzistora, odreden osobinama materijala za izolaciju, ibrzina odziva. Brzina odziva se moze povecati upotrebom brze PIN fotodiode za pobudu standardnog tranzis- tora, slika 7.8b. LED diode se koriste i u indikatorima za pokazivanje cifara (numeri¢ki displej) i za poka- zivanje slova i cifara (alfanumeritki displej), slika tt ‘SI.7.7. Svetlosna (LED) dioda: (@) konstrukeija (b) strujno-naponska karakteristika 7.9. Kod indikatora sa segmetimase prave poseb- ne konstrukeije od galijum-fosfida u kojima svet- lost ima refleksije unutar segmenta tako, da ceo segment svetli, Svaki segment predstavija jednu. LED diodu. Jedna vrsta njihovih krajeva se veze zajertnitkn tatku, a ostali ostaju slobodni za dovodenje pobudnog napona kada se odgovara- ju6i segment pali. Ako su sve katode vezane u jednu tatku, dobija se displej sa zajedni¢kom katodom. Takode, postoje i indikatori sa zajed- nickom anodom. Taékasti indikatori, slika 7.9c, sadrie odreden broj svetiosnih dioda poredanih, uu formi matrice (obiéno 7 X 5), take da dopuk taju prikazivanje cifara i slova paljenjem odgova- rajuGih skupova dioda. I oni moraju biti sa zajed- ni¢kom anodom ili katodom. Tadikatori sa LED diodama zahtevaju po- budu iz spoljnjeg izvora da bi se proticanjem struje glavnih nosilaca ostvarili uslovi za njihovu rekombinaciju, odnosno za emisiju svetlosti. Za jati intenzitet svetlosti potrebna je veéa pobudna struja. To moze da stvori probleme u uredajima sa baterijskim napajanjem. Stoga je razvijena po- sebna vrsta indikatora sa tetnim kristalom koji imaju veoma malu struju potrosnje. Tako ne ko- riste poluprovodnitke materijale, tetni kristali se covde navode radi celovitog prikaza indikatora. Tetni kristal je dielektrik sa izduzenm moleku- lima koji pokazuju anizotropnost iu elektrignom 1 optitkom smislu. Sam indikator se pravi her- ; x pz i 4 Lines = |. fa i} (b) realizacija sa PIN diodom. 84 PRVIDEO - Poluprovodnitke komponente — I 0000 / 0000 0000 — = 0000 INI ©0000 yt UC US! Set S1.7.9.Indikatori sa LED diodom: (@) numerigk,(b) alfanumeritki, (¢) ta) in) te ‘athasth metitkim zatvaranjem tankog sloja tegnog kris- tala izmedu staklenin ploga, preko kojih se na- nose providne elektrode i plove za polarizaciju dolazeée svetlosti(. Konstrukcija indikatora omogucuje da dotazna svetlost prode kroz teéni kristal, odbije se od reflektora postavijenog ispod njega, ponovo prode kroz kristal i izade u praveu odakle je dosta, ali u suprotnom smeru. To se deSava kada nema pobudnog napona na‘elek- trodama, sto daje svetlu boju celom indikatoru. Ako se ukljudi pobuda, deo tetnog kristala ispod elektroda prestaje da bude transparentan 7a svetlost, pa je indikator na tim mestima taman. ‘Na taj nacin, polodajem i oblikom elektroda, mo- %e se oformiti znak koji se pokazuje na indika- toru. Posto primenjeni napon na elektrodama samo generige elektri¢no polje u tetnom kristalu (Gielektriku), ovi indikatori imaju veoma malu potrosnju energije. Treba zapaziti da teéni kris. tali ne emituju svetlost, veé samo menjaju svoju svetlosnu propustljivost, pa se stoga njihovo po- kazivanje mote videti jedino ako postoji spoljni izvor svetlosti. Brzina promene pokazivanja ovin indikatora pri promeni pobude na elektrodama je mala (10-100ms, tipitno)(), LITERATURA7 1. Nikolié P.M, Rakovié D. L: Elektrotehnigki rmaterijali, Nautna knjiga, Beograd, 1987, gl. 3. 2 Cvetkovi€ S., Cvetkovié Z: Elektronika, Vojnoizdavatki zavod, Beograd, 1985, 9. 3, Hewlett Packard : Optoelectronics Designer's Catalog, 1986, gl. 3.6.7. 4, TeSi€ S: Digitaina elektronika, Nauta knjiga, Beograd, 1988, st. 269-271. PRVI DEO GLAVA8, TEHNOLOGIJA INTEGRISANIH KOLA Kratak pregled integrisane tehnologije op- isan u ovo} glavi treba da posluZi gitaoca kao zaokruzenje materije prvog dela knjige u kome su obuhvaéene elektronske komponente i njihovi modeli._Biée razmatrani samo standardni po- stupei tehnologije integrisanih kota na silijjumu kao najsire upotrebljavanom poluprovedni¢kom materijalu. Prednostisiticijuma su u dobrim ele- Ktritnim svojstvima i moguénosti lake oksidacije 1 cilju formiranja izolatorskog sloja. Nakon opisa postupaka, koji se primenjuju 1 integrisanoj tehnologiji, biée prikazana izrada elektronskih komponenti u bipolarnoj i MOS tehnici. 8.1, Tehnoloski postupei Termin integrisano kolo oznagava izradu vie tranzistora, dioda, otpornika i kondenzatora povezanih medusobno u Zeljeno elektriéno kolo na istom komadu poluprovodnika, koji se naziva ‘osnova, podloga ili substrat (substrate). U cilju smanjenja troskova proizvodnje, nastoji se da se na istom substratu istovremeno obraduje vise identignih kola. Stoga postupci u integrisanoj teh- nologiji moraju biti planarni u smislu da je subs- trat pri obradi pristupaéan samo iz jednog pravea Osnovni procesi u integrisanoj tehnologiji su: (a) rast kristala; (b) oksidacija; (©) difuzijas (@) implantacija jona; (©) depozicija materijata iz gasovitog stanja na osnovu; (0 metalizacija (g) fotolitogratija (h) pakovanje (a) Rast kristala se obavija na paréetu Gistog, silicijuma, koji se naziva klica. Na nju se nadove- zuju atomi iz rastopa silicijuma u pravilnom ras- poredu wu vidu monokristala. On se formira u obliku cilindra pretnika oko 10cm i duzine do jednog metra pri izviagenju klice iz rastopa. Do- bijeni Sap je éelitno sive boje. Njegovim reza- njem formiraju se diskovi (wafer) debljine 0,2mm, koji se potom poliraju radi otklanjanja povrsinskih defekata. Opisani disk predstavija ‘osnovu (substrat) na kojoj se prave integrisana kola, Osnova se mote proizvesti kao dist silicijum ili kao poluprovodnik P ili N vrste ako se w rasto- pljeni silicijum doda akceptorska (bor) ili donor- ska (fosfor) primesa, respektivno. Postupak do- davanja primesa se naziva dopiranje. (b) Oksidacija se obavija zagrevanjem po- dloge do temperatura od oko 1000°Cu prisustvu kisconika. Da bi se izbeglo deponovanje neze- Ijenih netistoéa, postupak se obavija u vrlo Cistoj sredini. Oksidni slojsilicijuma je izuzetno dobar elektritni izolator (SiO,, staklo), pa se koristi za izolaciju pojedinih delova integrisanog kola ili kao diclektrik u kondenzatoru. Njegova osnovna funkeija uw integrisanoj tehnologiji je, medutim, maskiranje povrsine substrata u cilju njegove za- Stite od netistoéa, prijanja i ulaska akceptorski i donorskih primesa kod dopiranja. Oksid siiciju- ma je bezbojan i transparentan za svetlost (SiO>, staklo). Zbog poliranosti substrata, dolazi do in- terferencije svetlosti na tankim slojevima oksida koji tada pokazuju razliite boje pri posmatranju. To je, medutim, fisto optitki efekat. (©) Difuzija je proces ulaska atoma primese i gasovitog stanja u kristalnu regetku podloge sa ciljem da se od dela podioge napraw poluprovod- nik Zeljenog tipa i koncentracije nevistota. Postu- pak se obavija na visokim temperaturama. Dubi- na difuzije u podiogu i koli¢ina ubaéenih netisto¢a izrazito zavise od temperature i vre- mena trajanja procesa. Difuzija se ne mode izve- sti kroz oksid silicijuma. (d) Jonska implantacija je proces ubaciva- ja jona primese ubrzanih uz pomoé elektri¢nog polja u silicijumsku osnovu, sa ciljem da se for- mira poluprovodnik odredenog tipa i koncentra- cije netisto¢a. Kolitina implantiranih jona je pro- porcionalna jonskoj struji i zavisi od intenziteta 86 PRVI DEO - Poluprovodni¢ke komponente zagrevanja medijuma koji vrSi emisiju. Dubina prodiranja jona u podiogu je srazmerna jatini elektri¢nog polja (napona) koje vr8i njihovo ubr- zavanje, PoSto se jonska struja i napon, koji stva- ra elektritno polje za ubrzavanje, mogu jedno- stavno meriti, koligine ubadenih primesa pomoéu jonske implantacije se vrlo precizno kontroligu — 2natno preciznije nego kod difuzije. Sem toga, kod difuzije se ubaéene primese Sire i horizon- talno i vertikalno, dok je kod jonske implantacije prodiranje samo vertikalno, Sto dopusta znatno ‘vecu preciznost u slaganju zona poluprovodnil raznih tipova na istoj podlozi. Dodatna prednost implantacije nad difwzijom je u njenom izvo- enju na sobnim temperaturama. (©) Depozicija je tehnolo’ki proces u kome se pomotu hemijske reakcije materijala u gaso- vitom stanju dobijaju évrsti materijali natalozeni na substratu, Zavisno od hemijskog sastava ga- sova i radne temperature, dabija se depozicija razlititih materijala, Iz gasovitog silicijuma (SiH, ) i kisconika, talozi se silicijum-dioksid. Njegova izolaciona svojstva su loSija nego kod oksida dobijenog ter- mitkom oksidacijom, ali se proces odvija brie i ‘na manjoj temperatu Ako se kod depozicije koristi samo gasoviti silicijum (SiFT, ), zavisno od radne temperature, nna osnovu se talozi ili monokristalni silicijum ili polikristalnisilicijum. Monokristalni silicijum se talozi na temperaturama oko 1000°C. Takav pro- ces deporicije se naziva epitaksijalni rast ion daje epitaksijalni sloj (ureden sloj) koji moze bit! na- negen kao éist poluprovodnik ili kao poluprovo- nik dopiran primesama. U poslednjem sluéaju, primese se uvode preko gasovitog stanja u kor centracijama koje ne zavise od oni u podios Ako se depozicija iz gasovitog SiH, obavija na nizim temperaturama (oko 500°C), atomi silici- juma se sladu u neredu (ne postoje uslovi za formiranje monokristala silicijuma). Tako se do- bija polikristaini silicijum koji se obiéno veoma jako dopira da bise kao dobar provodnik koristio za kratko spajanje tagaka u integrisanom kolu. LAE OPA ets mm (O) Metalizacija se ostvaruje depozicijom aluminijuma iz gasovitog stanja na povrSinu os- nove na kojoj se pare aluminijuma kondenzuju. Pomoéu metalizacije se formiraju potrebne krat- ke veze izmedu taaka integrisanog kola, (g) Svtha fotolitogratskog postupka je da ‘omoguéi selektivnu obradu pojedinih delova substrata. To se postize uklanjanjem silicijum-di- oksida sa Zeljenih mesta tako, da podloga postane pristupatna za dalju obradu (difuziju, depoziciju i sli¢no). Hustracija fototitografskog postupka je pokazana na slic 8.1. Preko oksidisane povrsine Osnove nanosi se fotoosetijiva emulzija, koja se naziva fotorezist. Preko fotorezista se stavija ‘maska, koja sadréi Zeljenu Saru (patern), a potom se vr8i osvetljavanje, slika 8.1a. Osvetljeni delovi fotorezista se polimerizyju, a neosvetljeni se he- jskim putem uklanjaju pomotu razvijata, kao 1u fotografskom postupku. Naravno, maska je prethodno uklonjena. Potom se vrii fiksiranje Polimerizovanog fotorezista, slika 8.1, da bi on bio otporan na kisclinu sa kojom se u sledeéem koraku uklanja oksid silicijuma tamo gde nema fotorezista. Taj postupak se zove ecovanje, slika 8.1c. U prethodnom razmatanju je kori8éen ne- galivan foturezist jer se neosvetljeni delovi ukla- njaju razvijanjem. Kao i u fotografiji, postoji pozitivan fotorezist kod koga se razvijanjem od- stranjuju osvetijeni delovi. ‘Osnovna mera fino¢e fotolitografskog pos- tupka je njegova rezolucija odredena minimal- rim dimenzijama otvora koji se mogu napraviti na substratu, Ova rezolucija je definisana fino- om izrade maske za fotolitografiju. Glavni ogra- nigavajugi faktor w izradi maski je talasna duzina upotrebljene svetlosti. Stoga se izrada maski vi- soke rezolucije obavija sa elcktronskim zrakom koji ima mnogo manju talasnu dudinu od opti- kih talasa. Taj postupak se naziva litografija sa elektronskim zrakom i obavija se skaniranjem zraka pod kontrolom raéunara preko podloge sa rezistom osetlivim na ciektronski mlaz. Zbog visokih tro’kova, elektronska litografija nalazi primenu samo u izradi maski visoke rezolucije (spod 1 xm). upset | | SL.8.1. llustracija fotolitogratskog postupka. tel rT) 8, Tehnologija integrisanih kola 87 (8) U planarnoj integrisanoj tehnologij,is- tovremenose na jednom disku (wafer-u) izraduje vie integrisanih kola, ponckad i do 1000. Po zavr8enoj izradi i testiranju, disk se sede u kvad- ratiée radi odvajanja uradenih kola. Za pove- zivanje kontakata na integrisanom kolu sa spolj- nim izvodima na kuéiétu, koji se nazivaju pinovi, koristise zlatna ica. Samo kutiste, pored pinova, sadrZi nosa¢ substrata i poklopac za hermeti8ko zatvaranjem substrata u vakuumu ili inertnoj at- mosferi. Zavisno od vrste realizovanog elektron- skog Kola, pastoje raziicitltipovt kucista. U najsi- oj upotrebi se nalazi DIP (dual-in-line package) pakovanje pokazano na slici 8.2a. Ono ima od Sest do preko éetrdeset pinova. Kola sa manjim brojem izvoda se pakuju u okrugla kuéista TO- tipa, slika 8.2b (videti 17.9). 8.2, Iurada elektronskih komponenata u integrisanoj tehnologij U ovom poglaviju ¢e biti pokazana realiza- ij tranzistora, dioda, otpornika i kondenzatora u bipolarnoj i mas tehnologiji. Ova dva tipa teh- nologije su vezana za specifitnostiizrade bipolar- nog tranzistora i mosfeta kao najslozenijih kom- ponenti. it. SI. 8.2. Pakovanje integrisanih kola: (a) DIP kuéi8te, (b) TO kuéiste 8.2.1. Inrada elektronskih kamponenti bipolarnoj tehnologiji Standardni proces izrade komponenti u bi- polarnoj tehnologiji obuhvata Sest litografija, pet oksidacija, etiri difuzije, jedno naparavanje al- uminijuma za provodne veze i jedan postupak epitaksijalnog rasta. lustracija procesa je poka- zana na slici 83 kod izrade NPN tranzistora. Zbog veée pokretljivosti elektrona u odnosu na Supljine, NPN tranzistor ima ve¢e strujno pojatanje, formula (4.19), i veéu brzinu rada, izraz (4.36) u odnosu na PNP tranzistor pod istim uslovima. Pored toga tehnoloski postupak za NPN tranzistore je jednostavniji, pa se oni mnogo vise koriste u integrisanim kolima. Kompletna struktura integrisanog NPN tranzistora je pokazana na slici 83a. NPN struk- tura je formirana vertikalno ispod emitorske ele- rode. Sirina baze w se kontrolise dubinom difu- ja za bazno i emitorsko podrugje. Uz pomot ukopanog sloja ostvaruje se veza kolektorske ele- ktrode i podrugja kolektora putem koji ima malu ‘otpornost. Kolektorsko podrudje izmedu baze i tukopanog sloja je manje dopirano da bi se podig- la vrednost probojnog napona. Déepovi od jako dopiranog poluprovodnika p*, vric izolaciju ce- log tranzistora od ostatka integrisanog kola (u novijim realizacijama dZepovi se formiraju od SiO, ). Aluminijumska elektroda baze je depo- novana direktno na P poluprovodnik time se

    You might also like