‫עבודת הקורס במקצוע "מעגלים ספרתיים"‬

‫שאלה ‪.1‬‬
‫נתון מהפך המורכב משני טרנזיסטורים מסוג עידוד‪. PMOS‬‬
‫נתון ‪Vcc = 5V , Vt= -1V , Kp1/Kp2 = 9 :‬‬
‫‪.VOH,‬‬ ‫חשבו את ‪VOL, VIH, VIL‬‬

‫שאלה ‪.2‬‬

‫שאלה ‪.3‬‬

‫ג‪ .‬בנה מעגל מסעיף ב' בטכנולוגיה ‪.CMOS-PTL‬‬

‫‪1‬‬
 ‫שאלה ‪.4‬‬

‫שאלה ‪.5‬‬
‫תכנן שער מסוג ‪ NOR‬בעל ‪ 5‬כניסות עם עומס מסוג עידוד כך ש‪.VOH = 4V ,VOL = 0.2V -‬‬
‫הנח כי כל הטרנזיסטורים זהים (פרט לטרנזיסטור העומס וכי ידוע ש‪.Vcc = 5V -‬‬
‫מצא את מתח הסף ואת הקשרים בין גדלי הטרנזיסטורים השונים ‪.‬‬

‫שאלה ‪.6‬‬

‫שאלה ‪.7‬‬

‫‪2‬‬
 ‫שאלה ‪.8‬‬

‫שאלה ‪.9‬‬

‫‪3‬‬
 ‫שאלה ‪.10‬‬

‫שאלה ‪.11‬‬

‫שאלה ‪.12‬‬

‫‪4‬‬
 ‫שאלה ‪.13‬‬

‫שאלה ‪.14‬‬

‫‪5‬‬
 ‫שאלה ‪.15‬‬

‫שאלה ‪.16‬‬

‫שאלה ‪.17‬‬

‫‪6‬‬
 ‫שאלה ‪.18‬‬

‫שאלה ‪.19‬‬
‫נתון מעגל לוגי לפי איור הבא‪:‬‬

‫א‪ .‬נתח את המעגל וזהה את הפונקציה הלוגי הפשתני שהוא מבצע‪.‬‬

‫ב‪ .‬תכנן מעגל מפרק א' בטכנולוגיה ‪( CMOS‬בעזרת ‪.) PDN ,PUN‬‬
‫ג‪ .‬ידוע כי‪:‬‬
‫• כל הטרנזיסטורים הם באורך זהה ‪L = 1 m :‬‬
‫• במהפך בסיסי (‪ (W/L)n = 4/2 :CMOS )equivalent‬וגם ‪n / p = 2.5‬‬
‫חשב את השטח הכללי המחוסה במעגלים שתכננת‪ ,‬בשתי הטכנולוגיות‪.‬‬

‫רמז‪ :‬בכל מהפך ובכל ‪ ,PTL‬טרנזיסטורים הם משלימים (‪ ) MATCHED‬וטרנזיסטור ‪ NMOS‬זהה‬

‫לטרנזיסטור בסיסי‪ .‬עבור המעגל בטכנולוגיה ‪ CMOS‬יש לבצע ‪.SIZING‬‬

‫‪7‬‬
 ‫שאלה ‪.20‬‬
‫נתון מעגל לפי איור הבאה‪:‬‬

‫אם ידוע כי ‪ F = 50‬ו‪, VBE,on = 0.7 V , VBE, = 0.5 V , VCE,sat = 0.2 V ,R = 0.1 -‬‬

‫א‪ .‬זהה את סוג השער הלוגי ‪.‬‬

‫ב‪ .‬חשב את ההסתעפות המוצא המקסימלית )‪.(fan out‬‬

‫‪8‬‬
 ‫שאלה ‪.21‬‬
‫נתון מעגל לוגי לפי איור הבא‪:‬‬

‫א‪ .‬מהי הפונקציה הלוגית פשטני ויתר שהמעגל מממש בלוגיקה חיובית?‬
‫רמז‪ :‬מותר להציג את הפונקציה בצורה של תרשים מצבים‪.‬‬
‫ב‪ .‬תכנן מעגל מסעיף א' בטכנולוגיה ‪( CMOS‬בעזרת ‪.) PDN ,PUN‬‬
‫ג‪ .‬תכנן מעגל מסעיף א' בטכנולוגיה ‪.CMOS-PTL‬‬
‫ד‪ .‬ידוע כי‪ :‬כל הטרנזיסטורים הם באורך זהה‪ L = 2 m :‬ובמהפך בסיסי (‪:CMOS )equivalent‬‬
‫‪ (W/L)n = 2‬וגם ‪ , n/p = 2.5‬חשב את השטח הכללי המכוסה במעגלים שתכננת בסעיפים ב' ו‪ -‬ג'‪.‬‬

‫שאלה ‪.22‬‬
‫נתון מעגל רב‪-‬רטט חד‪-‬יציב בנוי בטכנולוגיה ‪ CMOS‬לפי איור הבא‪:‬‬

‫ידוע כי מתח הזנה ‪ ,Vdd = 5 V‬מתחי סף של שערים ‪.R = 1 K ,C = 1 nF ,VTh = 2.5 V‬‬
‫א‪ .‬הסבר מהו מצב היציב במוצא‪.‬‬
‫ב‪ .‬שרטט צורות המתחים בנקודות ‪ B ,A‬ו‪ Vout -‬לאחר נתינת אות דרבון ‪ Vin‬מתאים‪.‬‬
‫חשב וציין ערכים של מתח וזמנים בנקודות אופייניות של הגרפים‪.‬‬

‫שאלה ‪.23‬‬
‫אם ידוע כי קיבוליות של תא זיכרון במערכת ‪ DRAM‬שווה ‪ ,0.1 fF‬מתח הספקה של מערכת שווה‬
‫‪ ,V = 1.2 V‬וזמן מחזור של חידוש אינפורמציה בתא שווה ‪ ,1 ms‬חשב זרם זליגה של תא זיכרון‬
‫שמהפס את האינפורמציה תוך זמן מחזור‪.‬‬

‫‪9‬‬
 ‫שאלה ‪.24‬‬
‫נתון מעגל הבנוי בטכנולוגיה ‪ CMOS‬לפי איור הבא‪:‬‬

‫ידוע כי ‪,(W/L)N = 2 ,Vdd = 5 V ,VTN = -VTP = 1 V ,kp’ = 30 A/V2 ,kn’ = 90 A/V2‬‬

‫‪ ,C = 10 pF‬כל טרנזיסטורים הם באותו אורך ‪.L = 0.6 m‬‬
‫א' מהו המצב היציב של המעגל? מהו המתח בנקודות ‪ A, B, D, E‬ו‪ F-‬במצב זה?‬
‫ב' חשב רוחב של פולס מוצא (‪ 10‬נק')‪.‬‬
‫ג' מהו רוחב מינימלי של פולס כניסה שמבצע שינוי במוצא ?‬
‫ד' שרטט את המתחים בנקודות ‪. A, B, D, E, F‬‬

‫שאלה ‪.25‬‬
‫נתון תא של זיכרון מסוג ‪ NMOS-DRAM‬עם מתח הספקה ‪.Vdd = 4 V‬‬

‫ידוע כי ‪, 𝛄 = 𝟎. 𝟓𝑽𝟎.𝟓 ,2f = 0.6 V ,(W/L)N = 2 ,VTN = 0.8 V ,kn’ = 40 A/V2‬‬

‫כל טרנזיסטורים הם באותו אורך ‪ Q = "1" ,L = 0.6 m‬ו‪ , = "0"𝐐 -‬ניידות של אלקטרונים‬
‫במל''מ היא ‪.n = 1000 cm2/Vs‬‬
‫𝑩 נטענים עד ‪ Vdd/2‬ושורה "‪ W = "1‬נבחרה‪ ,‬חשב זמן שצריך לקבלת הפרש‬ ‫אם שני קווים ‪ B‬ו‪̅ -‬‬
‫פוטנציאלים 𝑽𝒎𝟎𝟓 = ̅𝑩𝑽 ‪.∆𝐕 = 𝑽𝑩 −‬‬

‫‪10‬‬