‫פתרון תרגיל בית מספר ‪ 2‬התקני מל"מ‬

‫שאלה ‪1‬‬

‫נתונה צומת מדרגה עשויה ‪ Si‬במצב יציב‪ ,‬בטמפ' החדר‪.‬‬

‫צד ‪n‬‬ ‫צד ‪p‬‬

‫‪ND = 11016cm-3‬‬ ‫‪NA = 51018cm-3‬‬ ‫ריכוז הסיגים‬
‫)‪p = 210cm2/(VSec‬‬ ‫)‪n = 1000cm2/(VSec‬‬ ‫ניידות (של נושאי המיעוט)‬
‫‪p = 110-9Sec‬‬ ‫‪n = 110-9Sec‬‬ ‫זמן חיים (של נושאי המיעוט)‬

‫שטח החתך של הצומת ‪A = 50m100m‬‬

‫דרך הצומת עובר זרם של ‪.3.25mA‬‬
‫א‪ .‬חשבו את המתח החיצוני המופעל )‪ .(VA‬האם הדיודה תחת ממתח קדמי או אחורי?‬
‫ב‪ .‬חשבו את זרם החורים בקצה אזור המחסור ואת זרם האלקטרונים בקצה אזור המחסור‪.‬‬
‫ג‪ .‬חשבו את הזרם העובר דרך הדיודה כאשר הופכים את כיוון הממתח המופעל על הצומת‪.‬‬
‫ד‪ .‬ציירו את דיאגרמות הפסים המתאימות לסעיף א' ולסעיף ג'‪ .‬סמנו בדיאגרמה גם את הקוואזי רמות פרמי‬
‫של אלקטרונים וחורים‪ .‬סמנו על גבי כל אחת מן הדיאגרמות את כיוון זרם האלקטרונים‪ ,‬כיוון זרם‬
‫החורים ואת כיוון הזרם הכללי‪.‬‬

‫‪1‬‬
 ‫פתרון שאלה ‪1‬‬

‫א‪.‬‬
‫𝑉𝑞‬
‫]‪1. 𝐼 = 𝐼0 [𝑒𝑥𝑝 ( 𝑘𝑇𝐴) − 1‬‬

‫‪𝐷 𝑛2‬‬ ‫‪𝐷𝑝 𝑛𝑖 2‬‬

‫𝐿 ‪2. 𝐼0 = 𝑞𝐴 ( 𝐿 𝑛 𝑁𝑖 +‬‬ ‫𝐴 ‪) = 5.94 ∙ 10−15‬‬
‫𝑛‬ ‫𝐴‬ ‫𝑝‬ ‫𝐷𝑁‬

‫‪3. D = vt‬‬

‫מתוך משוואה מספר ‪:1‬‬

‫𝐼‬
‫𝑉‪𝑉𝐴𝑝𝑝 = 𝑉𝑡 𝑙𝑛 ( + 1) = 0.70273‬‬
‫‪𝐼0‬‬
‫הצומת ממתח קדמי‪.‬‬
‫שימו לב שבפתרון הערך של המתח מופיע בדיוק של ‪ 5‬ספרות אחרי הנקודה על מנת לקבל ערכים נכונים‬
‫בחישוב הזרמים בסעיף ב'‪ .‬מכיוון שהזרם תלוי אקספוננציאלית במתח‪ ,‬אם נעגל את ערכו של המתח מסעיף‬
‫א' ל – ‪ ,0.7V‬הזרמים לא יסתכמו לערך הנכון‪.3.25mA ,‬‬
‫ב‪ .‬זרם אלקטרונים בקצה אזור המחסור‪:‬‬
‫‪𝐷𝑛 𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬
‫𝐴𝑞 = ) 𝑝𝑥‪𝐼𝑛 (−‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫𝐴 ‪) − 1] = 1.41 ⋅ 10−5‬‬
‫𝐴𝑁 𝑛𝐿‬ ‫𝑇𝑘‬
‫זרם חורים בקצה אזור המחסור‪:‬‬
‫‪𝐷𝑝 𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬
‫𝐴𝑞 = ) 𝑛𝑥( 𝑝𝐼‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫𝐴 ‪) − 1] = 3.23 ⋅ 10−3‬‬
‫𝐷𝑁 𝑝𝐿‬ ‫𝑇𝑘‬
‫ג‪ .‬חישוב הזרם העובר דרך הצומת כאשר הופכים את כיוון הממתח החיצוני‪.‬‬
‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫‪−0.7‬‬
‫( 𝑝𝑥𝑒[ ‪𝐼 = 𝐼0‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[ ‪) − 1] = 5.94 ∙ 10−15‬‬ ‫𝐴 ‪) − 1] = −5.94 ∙ 10−15‬‬
‫𝑇𝑘‬ ‫‪0.026‬‬
‫ד‪ .‬דיאגרמת פסים בממתח קדמי‬

‫‪2‬‬
 ‫‪Itot‬‬
‫‪In‬‬

‫‪Ip‬‬

‫דיאגרמת פסים בממתח אחורי‬

‫‪Itot‬‬

‫‪In‬‬

‫‪Ip‬‬

‫‪3‬‬
 ‫שאלה ‪2‬‬

‫נתון צומת ‪ pn‬מסוג מדרגה עשוי ‪ Si‬בטמפרטורת החדר בעל הפרמטרים הבאים‪:‬‬

‫צד ‪n‬‬ ‫צד ‪p‬‬

‫)‪p = 200cm2/(VSec‬‬ ‫)‪n = 1000cm2/(VSec‬‬ ‫ניידות (של נושאי המיעוט)‬
‫‪p = 110-10Sec‬‬ ‫‪n = 110-10Sec‬‬ ‫זמן חיים (של נושאי המיעוט)‬

‫ריכוז נושאי המיעוט כפונקציה של המקום לאורך הצומת נתון בגרף להלן‪:‬‬

‫‪n‬‬ ‫‪p‬‬

‫‪p0 = 1∙106cm-3‬‬

‫‪n0 = 1∙105cm-3‬‬

‫‪x‬‬
‫‪-xp‬‬ ‫‪xn‬‬

‫עודף ריכוז האלקטרונים בצד ‪ p‬של הצומת בקצה אזור המחסור שווה ל – ‪.-6.32∙104cm-3‬‬
‫שני צדי הצומת אינסופיים‪ .‬ריכוז עודף נושאי המיעוט שווה ל – ‪ 0‬רחוק מקצוות אזור המחסור‪.‬‬
‫א‪ .‬חשבו את גודלו של המתח החיצוני המופעל על הצומת‪ .‬ציינו האם הצומת בממתח קדמי או אחורי‪.‬‬
‫ב‪ .‬חשבו את הביטוי המתאר את ריכוז עודף האלקטרונים כפונקציה של המקום בצד ‪ p‬של הצומת‪,‬‬
‫באזור הקוואזי ניטרלי‪ .‬יש להראות פיתוח מלא‪ .‬בסעיף זה אין צורך לחשב מספרית‪.‬‬
‫ג‪ .‬חשבו את הביטוי המתאר את צפיפות זרם האלקטרונים כפונקציה של המקום בצד ‪ p‬של הצומת‪,‬‬
‫באזור הקוואזי ניטרלי‪ .‬יש להראות פיתוח מלא‪ .‬בסעיף זה אין צורך לחשב מספרית‪.‬‬
‫ד‪ .‬חשבו את צפיפות זרם הזליגה דרך הדיודה‪.‬‬
‫ה‪ .‬ציירו גרף המתאר את זרמי האלקטרונים‪ ,‬החורים והזרם הכללי כפונקציה של המקום לאורך‬
‫הצומת‪.‬‬

‫‪4‬‬
 ‫פתרון שאלה מספר ‪2‬‬
‫א‪ .‬הממתח החיצוני המופעל מחושב מריכוז עודף האלקטרונים בצד ‪ p‬של הצומת בקצה אזור המחסור‪.‬‬
‫‪𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬
‫= ) 𝑝𝑥‪𝛿𝑛(−‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫‪) − 1] = −6.32 ∙ 104 𝑐𝑚−3‬‬
‫𝐴𝑁‬ ‫𝑇𝑘‬
‫ריכוז הסיגים בצד ‪ p‬של הצומת‪ ,‬מחושב מן הריכוז השיווי משקלי של אלקטרונים בצד ‪ ,p‬הנתון בגרף‪.‬‬
‫‪𝑛𝑖 2‬‬
‫= ‪𝑛0‬‬
‫𝐴𝑁‬
‫‪𝑛𝑖 2 1 ⋅ 1020‬‬
‫= 𝐴𝑁‬ ‫=‬ ‫‪= 1 ⋅ 1015 𝑐𝑚−3‬‬
‫‪𝑛0‬‬ ‫‪1 ⋅ 105‬‬
‫𝑉‪𝑉𝐴 = −0.026‬‬
‫הצומת בממתח אחורי‪.‬‬
‫ב‪ .‬חישוב ריכוז עודף האלקטרונים בצד ‪ p‬של הצומת כפונקציה של המקום‪.‬‬
‫משוואת רציפות‪:‬‬
‫𝑛𝛿 ‪𝑑 2‬‬ ‫𝑛𝛿‬
‫𝑛𝐷‬ ‫‪−‬‬ ‫𝑝𝑥‪= 0, 𝑥 ≤ −‬‬
‫‪𝑑𝑥 2‬‬ ‫𝑛𝜏‬
‫פתרון כללי‪:‬‬
‫𝑥‬ ‫𝑥‬
‫‪𝛿𝑛(𝑥) = 𝐶 ∙ 𝑒𝑥𝑝 (−‬‬ ‫𝑝𝑥‪) + 𝐷 ∙ 𝑒𝑥𝑝 ( ) , 𝑥 ≤ −‬‬
‫𝑛𝐿‬ ‫𝑛𝐿‬
‫תנאי שפה‪:‬‬
‫‪𝛿𝑛(𝑥 → −∞) = 0‬‬
‫‪𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬
‫= ) 𝑝𝑥‪𝛿𝑛(−‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫]‪) − 1‬‬
‫𝐴𝑁‬ ‫𝑇𝑘‬
‫ריכוז עודף האלקטרונים כפונקציה של המקום‪:‬‬
‫‪𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫𝑥 ‪𝑥𝑝 +‬‬
‫= )𝑥(𝑛𝛿‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒 ]‪) − 1‬‬ ‫𝑝𝑥‪) , 𝑥 ≤ −‬‬
‫𝐴𝑁‬ ‫𝑇𝑘‬ ‫𝑛𝐿‬
‫ג‪ .‬חישוב צפיפות זרם האלקטרונים כפונקציה של המקום בצד ‪ p‬של הצומת‬
‫צפיפות זרם האלקטרונים נתונה ע"י‪:‬‬

‫)𝑥(𝑛𝑑‬
‫𝑛𝐷𝑞 ‪𝑗𝑛 = 𝑞𝜇𝑛 𝑛(𝑥)𝑬(𝑥) −‬‬
‫𝑥𝑑‬

‫מכיוון שבאזורים הקוואזי ניטרליים השדה זניח‪ ,‬ניתן לרשום‪:‬‬

‫)𝑥(𝑛𝑑‬ ‫)𝑥(𝑛𝛿𝑑‬
‫𝑛𝐷𝑞 ≅ 𝑛𝑗‬ ‫𝑛𝐷𝑞 =‬
‫𝑥𝑑‬ ‫𝑥𝑑‬

‫‪5‬‬
 ‫‪𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫‪𝑥𝑝 + 𝑥 1‬‬
‫𝑛𝐷𝑞 = 𝑛𝑗‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒 ]‪) − 1‬‬ ‫)‬
‫𝐴𝑁‬ ‫𝑇𝑘‬ ‫𝑛𝐿‬ ‫𝑛𝐿‬

‫‪𝐷𝑛 𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫𝑥 ‪𝑥𝑝 +‬‬

‫𝑞 = 𝑛𝑗‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒 ]‪) − 1‬‬ ‫𝑝𝑥‪) , 𝑥 ≤ −‬‬
‫𝐴𝑁 𝑛𝐿‬ ‫𝑇𝑘‬ ‫𝑛𝐿‬

‫ד‪ .‬חישוב צפיפות זרם הזליגה‪:‬‬

‫‪𝐷𝑛 𝑛𝑖 2 𝐷𝑝 𝑛𝑖 2‬‬
‫( 𝑞 = ‪𝑗0‬‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬
‫𝐷𝑁 𝑝𝐿 𝐴𝑁 𝑛𝐿‬
‫𝑇𝑘‬
‫⋅𝜇=𝐷‬
‫𝑞‬
‫𝜏𝐷√ = 𝐿‬
‫‪1000 ⋅ 0.026‬‬ ‫‪1 ⋅ 1020‬‬ ‫‪200 ⋅ 0.026‬‬ ‫‪1 ⋅ 1020‬‬ ‫𝐴‬
‫( ‪𝑗0 = 1.6 ⋅ 10−19‬‬ ‫‪15‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪14 ) = 4.46 ⋅ 10‬‬
‫‪−8‬‬
‫‪√1000 ⋅ 0.026 ⋅ 1 ⋅ 10−10 1 ⋅ 10‬‬ ‫‪√200 ⋅ 0.026 ⋅ 1 ⋅ 10−10 1 ⋅ 10‬‬ ‫‪𝑐𝑚2‬‬

‫ה‪ .‬גרף סכמטי של צפיפויות הזרמים דרך הדיודה כפונקציה של המקום נתון להלן‪.‬‬
‫יש לשים לב שמכיוון והצומת בממתח אחורי‪ ,‬הזרמים שליליים‪.‬‬

‫‪j‬‬ ‫‪j‬‬

‫‪x‬‬
‫‪jn‬‬ ‫‪jp‬‬

‫צד ‪p‬‬ ‫צד ‪n‬‬

‫‪jp‬‬ ‫‪jn‬‬

‫‪-xp xn‬‬ ‫‪jtotal‬‬

‫‪6‬‬
 ‫שאלה ‪3‬‬
‫נתונים שני צמתי ‪( pn‬דיודות) עשויים ‪ ,Si‬מסוג מדרגה‪ ,‬במצב יציב‪ ,‬בטמפרטורת החדר‪.‬‬
‫הגרפים להלן מתארים את ריכוז האלקטרונים הכללי‪ )𝑛 = 𝑛0 + 𝛿𝑛( ,n ,‬כפונקציה של המקום באזור‬
‫הקוואזי ניטרלי של צד ‪ p‬בכל אחת מן הדיודות (קו המלא – ריכוז אלקטרונים בצד ‪ .p‬קו מקווקו – ריכוז‬
‫אלקטרונים שיווי משקלי בצד ‪.)p‬‬

‫דיודה ב'‬ ‫דיודה א'‬

‫אזור קוואזי‬ ‫)‪n (cm-3‬‬ ‫אזור קוואזי‬ ‫)‪n (cm-3‬‬

‫ניטרלי בצד ‪p‬‬ ‫ניטרלי בצד ‪p‬‬

‫‪2.25·1013‬‬
‫‪𝑛0‬‬ ‫‪1·106‬‬
‫‪𝑛0‬‬ ‫‪1·105‬‬
‫‪2.13·104‬‬
‫‪x‬‬ ‫‪x‬‬
‫‪-xp‬‬ ‫‪-xp‬‬
‫א‪ .‬מה קוטביות הממתח החיצוני המופעל על כל דיודה? הסבירו את קביעתכם‪ .‬חשבו את גודלו של הממתח‬
‫החיצוני המופעל על כל צומת‪.‬‬
‫כעת הניחו שריכוז הסיגים בצד ‪ n‬של דיודה ב' שווה ל – ‪.1·1016cm-3‬‬
‫ב‪ .‬קבעו את שאר תכונות דיודה ב'‪ ,‬כך שצפיפות הזרם הכללי העובר דרכה בממתח קדמי של ‪ 0.5V‬יהיה‬
‫בקירוב ‪.4·10-4A/cm2‬‬
‫ג‪ .‬ציירו את הגרף של צפיפות זרמי האלקטרונים‪ ,‬החורים והזרם הכללי כפונקציה של המקום לאורך‬
‫הצומת בדיודה ב' (אזורים קוואזי ניטרלים ואזור מחסור)‪.‬‬
‫ד‪ .‬ציינו על גבי הגרף את ערכן של צפיפויות זרמי האלקטרונים והחורים באזור המחסור ואת ערכה של‬
‫צפיפות זרם החורים באזור הקוואזי ניטרלי בצד ‪ p‬של הצומת‪ ,‬הרחק מקצה אזור המחסור‪.‬‬

‫‪7‬‬
 ‫פתרון שאלה ‪3‬‬
‫א‪ .‬על דיודה א' פועל ממתח אחורי כיוון שריכוז האלקטרונים בצד ‪ p‬של הצומת נמוך מן הריכוז השיווי‬
‫משקלי‪.‬‬
‫על דיודה ב' פועל ממתח קדמי כיוון שריכוז האלקטרונים בצד ‪ p‬של הצומת גבוה מן הריכוז השיווי‬
‫משקלי‪.‬‬
‫נחשב את הממתח החיצוני המופעל על הצומת מריכוז עודף האלקטרונים בקצה אזור המחסור‪ ,‬בצד ‪ p‬של‬
‫הצומת‪.‬‬
‫‪𝑛𝑖 2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬
‫= 𝑛𝛿‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫]‪) − 1‬‬
‫𝐴𝑁‬ ‫𝑇𝑘‬
‫𝐴𝑉𝑞‬ ‫𝐴𝑁 ∙ 𝑛𝛿‬
‫( 𝑝𝑥𝑒‬ ‫=‪)−1‬‬
‫𝑇𝑘‬ ‫‪𝑛𝑖 2‬‬
‫𝑇𝑘‬ ‫𝐴𝑁 ∙ 𝑛𝛿‬
‫= 𝐴𝑉‬ ‫( 𝑛𝑙‬ ‫)‪+ 1‬‬
‫𝑞‬ ‫‪𝑛𝑖 2‬‬
‫ריכוז נושאי העודף בדיודה א' שווה ל‪:‬‬
‫‪𝛿𝑛 = 𝑛 − 𝑛0 = 2.13 ∙ 104 − 1 ∙ 106 = −9.78 ∙ 105 𝑐𝑚−3‬‬
‫‪−9.78 ∙ 105 ∙ 1 ∙ 1014‬‬
‫( 𝑛𝑙 ∙ ‪𝑉𝐴 = 0.026‬‬ ‫𝑉‪+ 1) = −0.1‬‬
‫‪1 ∙ 1020‬‬
‫ריכוז נושאי העודף בדיודה ב' שווה ל‪:‬‬
‫‪𝛿𝑛 = 𝑛 − 𝑛0 = 2.25 ∙ 1013 − 1 ∙ 105 ≅ 2.25 ∙ 1013 𝑐𝑚−3‬‬
‫‪2.25 ∙ 1013 ∙ 1 ∙ 1015‬‬
‫( 𝑛𝑙 ∙ ‪𝑉𝐴 = 0.026‬‬ ‫𝑉‪+ 1) = 0.5‬‬
‫‪1 ∙ 1020‬‬
‫ב‪ .‬נחשב את זרם האלקטרונים בקצה אזור המחסור עבור מתח קדמי של ‪:0.5V‬‬
‫‪𝐷𝑛 𝑛𝑖2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬
‫𝑞 = ) 𝑝𝑥‪𝑗𝑛 (−‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫= ]‪) − 1‬‬
‫𝐴𝑁 𝑛𝐿‬ ‫𝑇𝑘‬
‫‪1‬‬ ‫‪1 ∙ 1020‬‬ ‫‪0.5‬‬
‫∙ ‪= 1.6 ∙ 10−19‬‬ ‫‪−2‬‬
‫∙‬ ‫‪15‬‬
‫( 𝑝𝑥𝑒[ ∙‬ ‫= ]‪) − 1‬‬
‫‪1 ∙ 10‬‬ ‫‪1 ∙ 10‬‬ ‫‪0.026‬‬
‫‪= 3.59 ∙ 10−4 𝐴/𝑐𝑚2‬‬
‫𝑝𝑗 ‪𝑗 = 𝑗𝑛 +‬‬
‫𝐴‬
‫‪𝑗𝑝 = 𝑗 − 𝑗𝑛 = 4 ∙ 10−4 − 3.59 ∙ 10−4 = 0.41 ∙ 10−4‬‬
‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫זרם החורים בקצה אזור המחסור בצד ‪ n‬נתון ע"י‪:‬‬
‫‪𝐷𝑝 𝑛𝑖2‬‬ ‫𝐴𝑉𝑞‬
‫𝑞 = ) 𝑛𝑥( 𝑝𝑗‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[‬ ‫]‪) − 1‬‬
‫𝐷𝑁 𝑝𝐿‬ ‫𝑇𝑘‬

‫‪8‬‬
 ‫𝑝𝐷‬ ‫) 𝑛𝑥( 𝑝𝑗‬ ‫‪0.41 ∙ 10−4‬‬ ‫𝑚𝑐‬
‫=‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪114‬‬
‫𝑝𝐿‬ ‫‪𝑛2‬‬ ‫𝑉𝑞‬ ‫‪1 ∙ 1020‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫𝑐𝑒𝑆‬
‫]‪𝑞 𝑁𝑖 [𝑒𝑥𝑝 ( 𝐴 ) − 1] 1 ∙ 10−19 ∙ 1 ∙ 1016 ∙ [𝑒𝑥𝑝 (0.026) − 1‬‬
‫𝐷‬ ‫𝑇𝑘‬

‫ג‪ .‬גרף סכמטי של צפיפויות הזרמים מצורף להלן‪.‬‬

‫‪j‬‬ ‫‪j‬‬
‫‪jtotal‬‬

‫‪jp‬‬ ‫‪jn‬‬

‫צד ‪p‬‬ ‫צד ‪n‬‬

‫‪jn‬‬ ‫‪jp‬‬

‫‪x‬‬
‫‪-xp xn‬‬
‫צפיפות זרם האלקטרונים באזור המחסור – ‪jn = 3.59·10-4A/cm2‬‬
‫צפיפות זרם החורים באזור המחסור – ‪.jp = 0.41·10-4A/cm2‬‬
‫צפיפות זרם החורים בצד ‪ ,p‬באזור הקוואזי ניטרלי‪ ,‬הרחק מקצה אזור המחסור‪ ,‬שווה לזרם הכללי‪,‬‬
‫‪.jp = 4·10-4A/cm2‬‬

‫‪9‬‬