‫‪04/05/2022‬‬

‫תרגיל בית מספר ‪ 6‬התקני מל"מ‬

‫שאלה ‪1‬‬
‫נתונה דיאגרמת הפסים של קבל ‪ MOS‬אידיאלי בטמפרטורת החדר‪ .‬המצע עשוי ‪ Si‬והתחמוצת עשויה ‪.SiO2‬‬
‫עובי התחמוצת ‪ .0.2m‬פונקציות העבודה של המל" והמתכת שוות‪ .‬אין מטענים בתחמוצת‪.‬‬

‫‪EFM‬‬

‫‪EC‬‬
‫‪EF‬‬
‫‪0.29eV‬‬
‫‪Efi‬‬
‫‪0.56eV‬‬
‫‪EV‬‬

‫א‪ .‬מהו סוג המצע? חשבו את ריכוז הסיגים‪.‬‬

‫ב‪ .‬חשבו את ‪ S‬אם ידוע ש – ‪ EF = Efi‬בפני השטח‪.‬‬
‫ג‪ .‬חשבו את המתח המופעל בשער‪.‬‬
‫ד‪ .‬חשבו את מפל המתח על שכבת התחמוצת ואת השדה החשמלי בתחמוצת‪.‬‬
‫ה‪ .‬חשבו את הגודל ‪ CT / Cox‬במתח השער שחושב בסעיף ג'‪.‬‬

‫‪1‬‬
 ‫פתרון שאלה ‪1‬‬

‫א‪ .‬המצע הוא מסוג ‪ n‬מכיוון שעפ"י דיאגרמת הפסים רמת פרמי קרובה לפס ההולכה‪.‬‬
‫𝑖𝑓𝐸 ‪𝐸𝐹 −‬‬ ‫‪0.29‬‬
‫( 𝑝𝑥𝑒 𝑖𝑛 = 𝑘𝑙𝑢𝑏𝑛 ≅ 𝐷𝑁‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒 ‪) = 1 ∙ 1010‬‬ ‫‪) = 6.98 ∙ 1014 𝑐𝑚−3‬‬
‫𝑇𝑘‬ ‫‪0.026‬‬
‫ב‪ .‬מכיוון ש – ‪ Efi = EF‬בפני השטח וכן )‪ S = 1/q(Efibulk – Eisurf‬ברור ש – ‪.S = -0.29V‬‬
‫ג‪ .‬המתח המופעל בשער מחושב עפ"י הביטוי הבא‪:‬‬

‫𝐷𝑁𝑞‪𝜖𝑆.𝐶. 2‬‬
‫‪𝑉𝐺 = 𝜑𝑆 − 𝑥0‬‬ ‫√‬ ‫) 𝑆𝜑‪(−‬‬
‫‪𝜖𝑂𝑥 𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬

‫‪11.8 2 ∙ 1.6 ∙ 10−19 ∙ 6.98 ∙ 1014‬‬

‫‪𝑉𝐺 = −0.29 − 0.2 ∙ 10−4‬‬ ‫√‬ ‫𝑉‪0.29 = −0.77‬‬
‫‪3.9‬‬ ‫‪8.85 ∙ 10−14 ∙ 11.8‬‬

‫ד‪ .‬מתח השער מתחלק בין המתח על התחמוצת והמתח על המל"מ‪ .‬המתח על המל"מ הוא ‪ ,0.29V‬ולכן מפל‬
‫המתח על התחמוצת מחושב עפ"י‪:‬‬
‫‪Vox = VG – VS.C. = -0.77 - (-0.29) = -0.48V‬‬
‫ה‪ .‬עבור מתח השער שחושב בסעיף ג'‪ ,‬הקבל במחסור‪.‬‬
‫‪𝐶0‬‬
‫=𝐶‬ ‫𝑤 𝜖‬
‫𝑥 𝑥𝑜 𝜖 ‪1 +‬‬
‫‪𝑆.𝐶. 0‬‬

‫𝐶‬ ‫‪1‬‬
‫=‬
‫𝑤 𝑥𝑜𝜖 ‪𝐶0 1 +‬‬
‫‪𝜖𝑆.𝐶. 𝑥0‬‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫‪2 ∙ 8.85 ∙ 10−14 ∙ 11.8‬‬

‫√=𝑊‬ ‫√ = ) 𝑆𝜑‪(−‬‬ ‫𝑚𝑐 ‪(0.29) = 7.36 ∙ 10−5‬‬
‫𝐷𝑁𝑞‬ ‫‪1.6 ∙ 10−19 ∙ 6.98 ∙ 1014‬‬

‫𝐶‬ ‫‪1‬‬
‫=‬ ‫‪= 0.45‬‬
‫‪𝐶0‬‬ ‫‪3.9 2.33 ∙ 10−5‬‬
‫‪1 + 11.8‬‬
‫‪0.2 ∙ 10−4‬‬

‫‪2‬‬
 ‫שאלה ‪2‬‬

‫דיאגרמות הפסים הנפרדות של כל אחת משלושת השכבות של קבל ‪ MOS‬נתונות להלן‪ .‬השכבות אינן במגע‬
‫ובטמפ' החדר‪ .‬ריכוז הסיגים במל"מ שווה ל – ‪.1.2·1015cm-3‬‬

‫מתכת‬ ‫תחמוצת‬ ‫מל"מ‬

‫‪E0‬‬ ‫‪E0‬‬ ‫‪E0‬‬

‫‪0.95eV‬‬
‫‪EC‬‬
‫‪4.1eV‬‬ ‫‪4.05eV‬‬

‫‪EC‬‬
‫‪Ef‬‬
‫‪8eV‬‬ ‫‪1.1eV‬‬
‫‪Ef‬‬
‫‪EV‬‬

‫‪EV‬‬

‫א‪ .‬לאחר שהשכבות במגע‪ ,‬מתרחש תהליך של מעבר מטען בין השכבות‪ ,‬עד להגעה למצב של ש"מ‪ .‬הסבירו‬
‫איזה מטען עובר‪ ,‬מאיזו שכבה עובר המטען ולאן וכיצד עובר המטען‪.‬‬

‫ב‪ .‬ציירו את דיאגרמת הפסים של הקבל בש"מ בטמפ' החדר (דיאגרמת הפסים לאחר שהשכבות במגע)‪.‬‬

‫ג‪ .‬ציירו את דיאגרמת הפסים של הקבל במצב של פסים ישרים (‪ .)flat band‬ציינו על גבי הדיאגרמה את ערכו‬
‫של מתח השער במצב זה‪.‬‬

‫ד‪ .‬ציינו את תחום מתחי השער שבהם הקבל נמצא במצב של אגירה‪ ,‬מחסור והיפוך‪ .‬הניחו שמתח הסף ידוע‬
‫ושווה ל – ‪.VT‬‬

‫‪3‬‬
 ‫פתרון שאלה ‪2‬‬

‫א‪ .‬מטען יעבור מן החומר בעל פונקציית עבודה הקטנה יותר מבין המתכת והמל"מ לחומר בעל פונקציית‬
‫עבודה הגדולה יותר‪.‬‬

‫כלומר אלקטרונים יעברו מן המתכת למל"מ‪.‬‬

‫המטען יעבור במעגל החיצוני דרך החוט המוליך ולא דרך שכבת התחמוצת שהיא מבודד מושלם‪.‬‬

‫ב‪ .‬דיאגרמת הפסים של הקבל במצב ש"מ‪:‬‬

‫‪E0‬‬

‫‪EC‬‬

‫‪EFi‬‬
‫‪EF‬‬

‫‪EV‬‬

‫ג‪ .‬דיאגרמת הפסים של הקבל במצב של פסים ישרים (‪.)flat band‬‬

‫) ‪𝑉𝐹𝐵 = −(𝜙𝑀 − 𝜙𝑆.𝐶.‬‬

‫𝐹𝐸‪𝐸𝑉 −‬‬
‫𝑒 𝑉𝑁 = 𝑝‬ ‫𝑇𝑘‬

‫𝐴𝑁‬ ‫‪1.2 ⋅ 1015‬‬

‫( 𝑛𝑙𝑇𝑘 = 𝐹𝐸 ‪𝐸𝑉 −‬‬ ‫( 𝑛𝑙 ∗ ‪) = 0.026‬‬ ‫𝑉𝑒‪) = −0.25‬‬
‫𝑉𝑁‬ ‫‪1.8 ⋅ 1019‬‬

‫‪4‬‬
 ‫𝑉‪𝜙𝑆.𝐶. = 4.05 + 1.1 − 0.25 = 4.9‬‬

‫𝑉‪𝑉𝐹𝐵 = −(𝜙𝑀 − 𝜙𝑆.𝐶. ) = −(4.1 − 4.9) = 0.8‬‬

‫‪E0‬‬

‫‪EC‬‬

‫‪EF‬‬
‫‪0.8V‬‬ ‫‪EFi‬‬
‫‪EF‬‬

‫‪EV‬‬

‫ד‪ .‬הקבל במצב של אגירה עבור ‪VG < -0.8V‬‬

‫הקבל במצב של מחסור עבור ‪-0.8 < VG < VT‬‬

‫הקבל במצב של היפוך עבור ‪VG > VT‬‬

‫‪5‬‬
 ‫שאלה ‪3‬‬

‫נתון קבל ‪ MOS‬בטמפרטורת החדר‪ .‬מצע הקבל עשוי ‪ Si‬והתחמוצת עשויה ‪ .SiO2‬אין מטענים בתחמוצת‪.‬‬
‫ריכוז הסיגים במצע שווה ל – ‪ .ND = 1·1015cm-3‬עובי שכבת התחמוצת שווה ל ‪ .50nm -‬פונקציית העבודה של‬
‫מתכת השער שווה ל –‪ .4.72V‬ה – ‪ electron affinity‬בשכבת המל"מ שווה ל – ‪.4.05V‬‬
‫א‪ .‬ציירו דיאגרמת פסים בש"מ‪ .‬ציינו באיזה מצב נמצא הקבל‪.‬‬
‫ב‪ .‬חשבו את מתח יישור הפסים וציירו את דיאגרמת הפסים כאשר מתח השער שווה למתח יישור הפסים‪.‬‬
‫ג‪ .‬חשבו את מתח הסף של הקבל‪.‬‬
‫ד‪ .‬נתון ‪S = 0.5V‬‬
‫‪ .1‬חשבו את רוחב שכבת המחסור בשכבת המל"מ‪.‬‬
‫‪ .2‬חשבו את מתח השער‪.‬‬
‫‪ .3‬ציינו באיזה מצב נמצא הקבל‪.‬‬
‫‪ .4‬חשבו את קיבול ליחידת שטח של הקבל‪.‬‬
‫ה‪ .‬חשבו את המתח הנופל על שכבת התחמוצת‪.‬‬
‫ו‪ .‬חשבו את השדה החשמלי בתחמוצת‪.‬‬

‫‪6‬‬
 ‫פתרון שאלה ‪3‬‬
‫א‪ .‬כאשר מקצרים שני חומרים בחוט מוליך‪ ,‬אלקטרונים יעברו מן החומר בעל פונקציית העבודה הנמוכה אל‬
‫החומר בעל פונקציית העבודה הגבוהה עד לשוויון פונקציות העבודה‪ .‬לכן אלקטרונים יעברו מן המל"מ אל‬
‫המתכת וישאירו אחריהם יונים חיוביים‪ .‬הקבל במצב של מחסור‪.‬‬
‫נצייר את דיאגרמת הפסים בש"מ‪:‬‬

‫‪Metal‬‬ ‫‪Oxide‬‬ ‫‪Semiconductor‬‬

‫‪EC‬‬ ‫‪E0‬‬

‫‪Ef‬‬ ‫‪EC‬‬
‫‪Ef‬‬
‫‪Efi‬‬
‫‪EV‬‬

‫‪EV‬‬

‫ב‪ .‬חישוב מתח יישור הפסים‬

‫𝑉‪𝑉𝐹𝐵 = 𝜙𝑀 − 𝜙𝑆.𝐶. = 4.72 − 4.05 = 0.67‬‬

‫‪Metal‬‬ ‫‪Oxide‬‬ ‫‪Semiconductor‬‬

‫‪E0‬‬
‫‪EC‬‬

‫‪EC‬‬
‫‪Ef‬‬
‫‪Efi‬‬
‫‪Ef‬‬
‫‪EV‬‬

‫‪EV‬‬

‫‪7‬‬
 ‫ג‪ .‬חישוב מתח הסף של הקבל‬
‫𝐵𝑄‬
‫‪𝑉𝑇 = 𝑉𝐹𝐵 −‬‬ ‫𝐹𝜙‪+ 2‬‬
‫𝑋𝑂𝐶‬
‫𝑉‪𝑉𝐹𝐵 = 0.67‬‬

‫𝐷𝑁 𝑑𝑥𝑞 = 𝐵𝑄‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫√ = 𝑑𝑥‬ ‫𝐹𝜙‪2‬‬
‫𝐷𝑁𝑞‬
‫𝑥𝑂𝜖 ‪𝜖0‬‬
‫= 𝑥𝑂𝐶‬
‫𝑥‪𝑑0‬‬
‫𝑇𝑘‬ ‫𝐷𝑁‬ ‫‪1 ∙ 1015‬‬
‫‪𝜑𝐹 = −‬‬ ‫( 𝑛𝑙 ⋅ ‪𝑙𝑛 ( ) = −0.026‬‬ ‫𝑉‪) = −0.3‬‬
‫𝑞‬ ‫𝑖𝑛‬ ‫‪1 ∙ 1010‬‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫‪2 ⋅ 8.85 ⋅ 10−14 ⋅ 11.8‬‬

‫√ = 𝑑𝑥‬ ‫√ = 𝐹𝜙‪2‬‬ ‫𝑚𝑐 ‪2 ⋅ |−0.3| = 8.85 ⋅ 10−5‬‬
‫𝐷𝑁𝑞‬ ‫‪1.6 ⋅ 10−19 ⋅ 1 ⋅ 1015‬‬

‫𝐶‬
‫‪𝑄𝐵 = 𝑞𝑥𝑑 𝑁𝐷 = 1.6 ⋅ 10−19 ⋅ 8.85 ⋅ 10−5 ⋅ 1 ⋅ 1015 = 1.416 ⋅ 10−8‬‬
‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫‪𝜖0 𝜖𝑂𝑥 8.85 ⋅ 10−14 ⋅ 3.9‬‬ ‫𝐹‬
‫= 𝑥𝑂𝐶‬ ‫=‬ ‫‪−7‬‬
‫‪= 6.9 ⋅ 10−8‬‬
‫𝑥‪𝑑0‬‬ ‫‪50 ⋅ 10‬‬ ‫‪𝑐𝑚2‬‬

‫𝐵𝑄‬ ‫‪1.416 ⋅ 10−8‬‬

‫‪𝑉𝑇 = 𝑉𝐹𝐵 −‬‬ ‫‪+ 2𝜙𝐹 = 0.67 −‬‬ ‫𝑉‪+ 2 ⋅ (−0.3) = −0.135‬‬
‫𝑋𝑂𝐶‬ ‫‪6.9 ⋅ 10−8‬‬
‫ד‪ .1 .‬חישוב רוחב שכבת המחסור במל"מ‪.‬‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫‪2 ⋅ 8.85 ⋅ 10−14 ⋅ 11.8‬‬

‫√ = 𝑑𝑥‬ ‫√ = | 𝑠𝜙|‬ ‫𝑚𝑐 ‪|−0.5| = 8.08 ⋅ 10−5‬‬
‫𝐷𝑁𝑞‬ ‫‪1.6 ⋅ 10−19 ⋅ 1 ⋅ 1015‬‬
‫‪ .2‬חישוב מתח השער‬
‫𝐵𝑄‬
‫‪𝑉𝐺 = 𝑉𝐹𝐵 −‬‬ ‫𝑆𝜙 ‪+‬‬
‫𝑋𝑂𝐶‬
‫𝐷𝑁 𝑑𝑥𝑞‬
‫‪𝑉𝐺 = 𝑉𝐹𝐵 −‬‬ ‫𝑆𝜙 ‪+‬‬
‫𝑋𝑂𝐶‬

‫‪1.6 ⋅ 10−19 ⋅ 8.08 ⋅ 10−5 ⋅ 1 ⋅ 1015‬‬

‫‪𝑉𝐺 = 0.67 −‬‬ ‫𝑉‪+ (−0.5) = −0.017‬‬
‫‪6.9 ⋅ 10−8‬‬
‫‪ .3‬הקבל במצב של מחסור כיוון שמתח השער גדול ממתח הסף‪.‬‬
‫‪ .4‬חישוב הקיבול ליחידת שטח‪.‬‬

‫‪8‬‬
 ‫‪1‬‬ ‫‪1 −1‬‬ ‫𝑑𝐶 𝑥𝑂𝐶‬
‫( = 𝑇𝐶‬ ‫= ) ‪+‬‬
‫𝑑𝐶 𝑥𝑂𝐶‬ ‫𝑑𝐶 ‪𝐶𝑂𝑥 +‬‬

‫‪𝜖𝑆.𝐶. 𝜖0‬‬ ‫‪8.85 ⋅ 10−14 ⋅ 11.8‬‬ ‫‪−9‬‬

‫𝐹‬
‫= 𝑑𝐶‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪1.29‬‬ ‫⋅‬ ‫‪10‬‬
‫) 𝐺𝑉( 𝑑𝑥‬ ‫‪8.08 ⋅ 10−5‬‬ ‫‪𝑐𝑚2‬‬

‫𝑑𝐶 𝑥𝑂𝐶‬ ‫‪6.9 ⋅ 10−8 ⋅ 1.29 ⋅ 10−9‬‬ ‫‪−9‬‬

‫𝐹‬
‫= 𝑇𝐶‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪1.26‬‬ ‫⋅‬ ‫‪10‬‬
‫‪𝐶𝑂𝑥 + 𝐶𝑑 6.9 ⋅ 10−8 + 1.29 ⋅ 10−9‬‬ ‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫‪ .5‬חישוב המתח הנופל על שכבת התחמוצת‪.‬‬

‫𝐷𝑁 𝑑𝑥𝑞‬
‫‪𝑉𝐺 = 𝑉𝐹𝐵 −‬‬ ‫𝑆𝜙 ‪+‬‬
‫𝑋𝑂𝐶‬
‫𝑆𝜙 ‪𝑉𝐺 = 𝑉𝐹𝐵 + 𝑉𝑜𝑥 +‬‬
‫𝑉‪𝑉𝑜𝑥 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝐹𝐵 − 𝜙𝑆 = −0.017 − 0.67 − (−0.5) = −0.187‬‬
‫‪ .6‬חישוב השדה החשמלי בתחמוצת‪.‬‬
‫מכיוון שאין מטענים בתחמוצת‪ ,‬השדה החשמלי בתחמוצת קבוע‪.‬‬
‫𝑥𝑜𝑉‬ ‫‪0.187‬‬ ‫𝑉‬
‫= 𝑥𝑜𝐸‬ ‫=‬ ‫‪−8‬‬
‫‪= 2.71 ⋅ 106‬‬
‫‪𝐶𝑂𝑥 6.9 ⋅ 10‬‬ ‫𝑚𝑐‬

‫‪9‬‬