3.

FENOMENOLOGIJA ENERGETSKIH POLUVODIČKIH VENTILA

3.1. OSNOVNE STRUKTURE ENERGETSKIH POLUVODIČKIH VENTILA

Inženjeri koji se bave energetskom elektronikom neprestano teže za pronalaskom idealne

sklopne komponente. Takva komponenta morala bi imati veliku naponsku i strujnu
opteretivost, mali pad napona u stanju vođenja, sposobnost rada na visokim temperaturama i
radijaciji, veliko srednje vrijeme između kvarova, velike brzine uklapanja i isklapanja.
Pronalaskom poluvodiča na čijoj osnovi su izgrađene mnoge poluvodičke sklopne
komponente, te težnje već su dijelom i ostvarene. Tako su danas razvijeni mnogi poluvodički
ventili sa svrhom zadovoljavanja idealnih svojstava. Poluvodičkih ventila ima oko pedeset
vrsta. Za sada svih njih nije potrebno učiti, jedino treba znati da unutar monokristala silicija
(pravilne kristalne rešetke) može se naći šest različitih osnovnih struktura poluvodičkih
komponenata i to su: PN-diodna struktura, PiN-diodna struktura, troslojna PNP ili NPN
trazistorska struktura, četveroslojna PNPN-tiristorska struktura, struktura metal poluvodič i
MOS struktura (poluvodič odvojen od metala slojem oksida). Navedene strukture prikazuje
donja slika.

P N

Diodne
strukture
P I N

Tranzistorske
P N P N P N strukture

Tiristorska
P N P N struktura

metal metal

ili
P N

metal metal

ili
P N

oksid oksid

Sve navedene strukture sreću se u pojedinim poluvodičkim ventilima.

1
3.2. FENOMENOLOGIJA ENERGETSKE DIODE

Energetska dioda je troslojna P+-NS-N+ ili N+-PS-P+ struktura unutar monokristala silicija. S
dvoslojnom P-N strukturom pločice monokristala poluvodiča ne može se istodobno postići
malen pad napona u propusnom smjeru i visoki probojni napon u zapornom smjeru.
Uvođenjem trećeg, slabo dopiranog sloja, gotovo intrinsičnog (čisti = jednak broj elektrona i
šupljina) sloja, postiže se vrlo visoki probojni napon, a da se pri tom nije bitno povećao pad
napona u propusnom smjeru.

mm

mm

P mm

Sl. 1. Unutarnja struktura pločice monokristala energetske diode

1 – područje malog specifičnog otpora
2 – područje velikog specifičnog otpora
3- područje malog specifičnog otpora
A – anodna strana
K – katodna strana

Slika 1. prikazuje shematsku strukturu pločice monokristala silicija energetske diode. Između
jako dopiranih P+ i N+ područja nalazi se slabo dopirano područje NS ili PS tipa, debljine oko
100 – 400 m (ovisno o probojnom naponu). Metalni kontakt koji se nadovezuje na P+
područje je anoda, a drugi metalni kontakt uz N+ područje je katoda.
Dioda s troslojnom P+-NS-N+ ili P+- PS-N+ strukturom odlikuje se slijedećim osobinama:

- imaju malen pad napona u propusnom smjeru (1-3 V),

- imaju vrlo malu zapornu struju,
- imaju veliku dopuštenu gustoću struje u propusnom smjeru i
- imaju visoki probojni napon

Propusno i zaporno polarizirana P+-NS- N+ struktura

Kako je navedeno, diodna struktura može se nalaziti u dva stabilna stanja i to: propusno stanje
ili stanje vođenja i zaporno stanje i stanje zapiranja.
Slika 2. prikazuje propusno polariziranu P+-NS- N+ strukturu. Na P+ područje narinut je plus
(+) a na N+ područje minus (-) pol baterije. Centralno N S područje je „preplavljeno“
elektronima i šupljinama. U NS području koncentracija elektrona jednaka je koncentraciji
šupljina i za nekoliko redova veličina veća od koncentracije pozitivnih donorskih atoma (i
akceptorskih, ali nešto manje). Dakle u siliciju je uskladišten naboj, elektroni i šupljine,
takozvani slobodni nosioci nabija.

2
 Sl. 2. Propusno polarizirana P+-NS- N+ struktura

Slika 3 prikazuje zaporno polariziranu P+-NS- N+ struktura. Zaporni napon na sebe preuzima
P+-NS prijelaz. Drugim riječima zaporni napon „liježe“ na P+-NS prijelaz. Povećanjem
zapornog napona, zona prostornog naboja se širi od P + područja prema N+ području i to
pretežito u slabo dopiranom NS području. Koncentracija slobodnih nosioca naboja u zapornoj
zoni je mala pa ona praktički predstavlja dielektrik, na koje se nadovezuju neutralna P + i N+
područja koja su dobro vodljiva zbog velike količine slobodnih elektrona u N+ području
odnosno šupljina u P+ području.

Sl. 3. Nepropusno polarizirana P+-NS- N+ struktura

Zaporna zona (prostorni naboj) na P+ -NS –prijelazu ima svojstva kapacitivnosti sa širinom
dielektričnog sloja jednakoj širini zaporne zone d, pa kapacitet (kao kod pločastog
kondenzatora) iznosi

S
C 0  r
d

gdje je 0 = 8,86 10-12 As/Vm – dielektrična konstanta vakuuma

r – relativna dielektrična konstanta poluvodiča
S – površina ploča pločastog kondenzatora
d – širina zaporne zone (razmak između ploča pločastog kondenzatora)

Gornja relacija pokazuje da će zaporna zona moći zaprimiti to veći napon što je njezina širina
d veća. Iz toga razloga je centralno slabo dopirano područje i ugrađeno u strukturu energetske
diode, da bi se zona prostornog naboja duboko širila unutar tog područja i na taj način ovakva
struktura na sebe može zapriti visoke napone što je vidljivo iz sljedeće jednadžbe:

Q Q
U   d
C S

3
 STATIČKE I DINAMIČKE KARAKTERISTIKE ENERGETSKE DIODE

Kako je već navedeno, dioda posjeduje dva stabilna stanja i to:

- stanje vođenja i
- stanje zapiranja.

Karakteristike koje opisuju ta dva stabilna stanja nazivaju se statičke karakteristike diode.
Karakteristike koje opisuju prijelaz diode iz stanja zapiranja u stanje vođenja (uklapanje) i iz
stanja vođenja u stanje zapiranja (isklapanje), nazivaju se dinamičke karakteristike diode.

Statičke karakteristike

Slika 4. prikazuje i objašnjava nazive i oznake statičke karakteristike diode. Kako se vidi sa
slike, postoji propusna U-I karakteristika ili statička karakteristika u stanju vođenja i zaporna
U-I karakteristika ili karakteristika u stanju zapiranja. Propusna karakteristika daje vezu
između trenutne vrijednosti struje u propusnom smijeru IF (engl. forward current) i trenutne
vrijednosti pada napona UF na diodi tijekom vođenja. Pad napona se sastoji od pada napona
na silicijevoj pločici (zonama prostornog naboja) i pada napona na omskim priključcima
silicijeve pločice.

Sl. 4. Definicije nazivi i oznake statičkih karakteristika diode

Za analitički proračun gubitaka propusna karakteristika se aproksimira dvama pravcima: a i

b, koje prikazuje slika 5. Apscisa sjecišta pravca b s U-osi definira napon praga UF0.
Koeficijent smjera pravca b je dinamički otpor diode rF. Prema tome, pad napona tijekom
vonenja na diodi je:

u F  U F 0  rF iF

Pravac b povlači se (u skladu s IEC preporukama) kroz točke A i B koje označavaju pad
napona kod 0,5 i 1,5-struke granične srednje vrijednosti struje sinusnih poluvalova
frekvencije 50 Hz. Napon praga i dinamički otpor temperaturno su ovisni. Napon praga
opada, a dinamički otpor raste s porastom temperature.

4
 Sl. 5. Aproksimacija propusne karakteristike diode

Gubici u ventilu sastoje se od propusnih gubitaka (gubitaka u stanju vođenja), zapornih

gubitaka, gubitaka uklapanja i isklapanja.
U primjeni na mrežnim frekvencijama (50Hz) gdje se upotrebljavaju spori energetski ventili
skoro se uvijek mogu zanemariti svi gubici osim propusnih gubitaka. Zaporne gubitke treba
uzeti u obzir kod visokonaponskih ventila, a dinamičke gubitke na višim frekvencijama ili u
uvjetima velike brzine porasta propusne struje ili zapornog napona.
Trenutni iznos propusnih gubitaka dobiva se množenjem trenutne vrijednosti pada napona uF
s trenutnom vrijednošću propusne struje iF, tj.:

p (t )  u F (t )iF (t )

Srednja vrijednost propusnih gubitaka je:

PF  U F 0 I F ( AV )  rF I F2

gdje je
- IF(AV) srednja vrijednost propusne struje kroz diodu
- IF efektivna vrijednost propusne struje kroz diodu

Primjetimo da propusni gubici ovise o srednjoj i efektivnoj vrijednosti struje, a također može
se iz zadnje jednadžbe vidjeti da se poluvodički ventili ne zagrijavaju proporcionalno
kvadratu efektivne vrijednosti struje. Primjetimo i to da sinusni impulsi stvaraju manje
gubitaka od pravokutnih jednakog trajanja i jednake srednje vrijednosti.

Dinamičke karakteristike diode

5
Kao što je u uvodu rečenu postoje dinamičke karakteristike uklapanja i dinamičke
karakteristike isklapanja. Slika 6. prikazuje struju i napon na diodi tijekom uklapanja.

Sl. 6. Strujno- naponski valni oblici na diodi tijekom uklapanja

Kod uklapanja, kada napon na izvoru promjeni polaritet, nosioci naboja trebaju konačno
vrijeme da bi stigli iz visokodopiranih područja u centralno slabo dopirano područje i
preplavili ga. Zato je otpor u početnim trenutcima uklapanja znatan, a pad napona je veći od
stacionarnog pada napona. Trajanje ove dinamičke pojave kratko je u usporedbi s vremenom
oporavljanja pa se uglavnom i malo govori o karakteristikama kod uklapanja. Iz istog razloga
o gubicima uklapanja ne treba voditi računa jer su u pravilu jako maleni pa se
zanemaruju.Vrijeme tfr iznosi tipično 10 ns, a propusni napon oporavljanja (engl. forward
recovery voltage Vfr) iznosi 10-30 V.

Kod isklapanja, kada napon izvora promjeni polaritet, propusna struja počinje opadati prema
nuli. U trenutku pada struje na nulu u centralnom području ima još mnogo slobodnih nosioca
naboja. Zato se dioda ne može suprostaviti toku struje u zapornom smjeru, te struja mjenja
smjer i teče u zapornom smjeru. Tek kada u centralnom području ponestane nosilaca naboja,
djelom zbog izvlačenja zapornom strujom, a djelom zbog rekombinacije, dioda se počinje
suprostavljati toku struje i preuzimati zaporni napon. Slika 7. prikazuje struju i napon na diodi
tijekom isklapanja i to za slučaj kada je u krugu s diodom spojeno čisto induktivno trošilo.

6
 Sl. 7. Strujno –naponski valni oblici tijekom oporavljanja diode u induktivnom krugu

Na slici 7. vrijeme koje protekne od trenutka kada struja prođe kroz nulu pa do približno
prestanka toka struje naziva se vrijeme oporavljanja tq. Kako se vidi sa slika vrijeme
oporavljanja se dijeli na vrijeme zatezanja isklapanja tqd i na vrijeme opadanja struje
oporavljanja tqr. Vrijeme zatezanja isklapanja tqd je vrijeme koje protekne od trenutka prelaska
struje kroz nulu do trenutka maksimuma struje oporavljanja. Tek kada struja oporavljanja
počne opadati, dioda počinje preuzimati zaporni napon. Vrijeme opadanja struje oporavljanja
tqr je vrijeme koje protekne od trenutka maksimuma struje oporavljanja do trenutka kada struja
oporavljanja padne na 10% maksimalne vrijednosti IRM.
Vrijeme zatezanja isklapanja tqd i vršna vrijednost struje oporavljanja IRM ovise o temperaturi
silicija, o propusnoj struji prije oporavljanja, o brzini opadanja propusne struje diF/dt i o
zapornom naponu. Vrijeme oporavljanja produžuje se sa smanjenjem zapornog napona, jer
kod manjeg zapornog napona električno polje manje potpomaže izvlačenje slobodnih nosioca
naboja iz centralnog područja.
U kataloškim podacima diode navodi se i količina naboja koja se izvlači iz poluvodičke
strukture tijekom vremena oporavljanja i označava se s Qrr (engl. reverse recovery charge).

Važno je reći da postoje tri tipa energetske diode:

1. Standardne ili sporooporavljajuće diode

2. Brzooporavljajuće diode
3. Shottky-jeva dioda

Diode tipa 1 i 2 imaju poluvodičku strukturu kao što je opisano. Diode tipa 2 imaju ubrzan
proces rekombinacije tako da im je vrijeme oporavljanja kraće, ali im je veći pad napona
tijekom vođenja. Npr. brzooporavljajuća dioda POWEREX tipa CS340602 ima poznate
sljedeće podatke: struja vođenja 20 A, blokirni napon 600 V, pad napona na diodi tijekom
vođenja 1,5 V, IRM=5 mA, tq=0,8 μs i Qrr=15 μC. Standardne diode imaju veće vrijeme
oporavljanja ali manji pad napona tijekom vođenja.
Shottky-jeve diode se koriste tipično za manje blokirne napone i kada se zahtjeva mali pad
napona na diodi (tipično 0,3 V), kao što su visokofrekvencijski krugovi. Sadrže metalno-

7
poluvodički spoj. Npr. Shottky-jeva dioda tipa 6TQ045 ima struja vođenja 6 A, blokirni
napon 45 V, pad napona na diodi tijekom vođenja 0,51 V, I RM=0,8 mA. U kataloškim
podacima ove diode nije navedeno vrijeme oporavljanja, međutim za sličnu diodu tipa
SBE812, 60 V, 1 A, proizvođača Sanyo maksimalno vrijeme oporavljanja iznosi 10 ns.

3.3. FENOMENOLOGIJA ENERGETSKOG BIPOLARNOG TRANZISTORA

Od sedamdesetih godina pa naovamo sklopna snaga i karakteristike bipolarnog spojnog

tranzistora (engl. bipolar junction transisitor, BJT) imaju trend naglog poboljšanja, pa i
njegova primjena na području uređaja energetske elektronike je sve veća.
Srce energetskoga bipolarnog tranzistora je troslojna P+-N-P ili N+-P-N struktura unutar
monokristala silicija. Oba su vanjska sloja jako dopirana (iako je jedan više) i obiluju
slobodnim nosiocima naboja. Srednji sloj je slabo dopiran ( za nekoliko redova veličine manje
od vanjskih slojeva) stoga posjeduje veoma malo nosilaca naboja. Troslojna N +-P-N struktura
i simbol tranzistora s njegovim oznakama priključaka dat je na slici 8.

Prijelaz 1 Prijelaz 2

Priključak Priključak
E C emitera kolektora
N+ P N
E C

UCC
R Priključak
- + B baze

Sl. 8. Troslojna N+-P-N struktura i simbol tranzistorska

Na slici je prikazana i priključeni naponski izvor na ovu troslojnu N-P-N strukturu, pri čemu
je za zadani polaritet napona istosmjernog naponskog izvora, zaporno polariziran kolektorski
P-N prijelaz (prijelaz 2). Međutim, bez obzira na polaritet napona priključenog na kolektor i
emiter (vanjska N-područja), uvijek će jedan od P-N prijelaza bit će zaporno polariziran, i na
taj način struja kroz ovu strukturu ne može teći. Tranzistorska struktura na slici 8. dolazi u
stanje vođenja ako se kroz emiterski P-N prijelaz (prijelaz 1) održava struja u propusnom
smjeru iz vanjskog izvora što prikazuje slika 9.

8
 IC

N
--

+
UCC
Prijelaz 2 -
Zona prostornog naboja
IB
--
-- -- --
-- -+ B
P -- -+
Prijelaz 1
-- --

+
UBB
--
-- -- --
-
R1
N+

R2
E

Sl. 9. Objašnjenje rada N-P-N tranzistora

Ubacivanjem šupljine (struja IB) u područje baze (P-područje), one kreću prema propusnom
emiterskom P-N prijelazu i dospijećem u emitersko N+ područje izazivaju čitavu lavinu
elektrona (N+ područje je jako dopirano) u područje baze. Samo malen broj injektiranih
elektrona, zbog specifične konstrukcije (uska baza, dugo vrijeme života elektrona u bazi),
skuplja metalni kontakt baze. Najveći dio elektrona ulazi u zonu prostornog naboja
kolektorskog P-N prijelaza (prijelaz 2), ubrzava se i prelazi na omski kontakt N područja.
Upravo taj proces, sakupljanja naboja dao je i ime ovom kontaktu-kolektor (C). Struju kroz N-
P-N tranzistor uglavnom vode elektroni, jer je emiterski P-N prijelaz jako asimetričan; baza je
puno slabije dopirana od emitera. To je bitno za djelovanje tranzistora.
Rad P-N-P tranzistora temelji se na istim zakonitostima kao i rad N-P-N tranzistora. Glavna
razlika je u tome što kod P-N-P tranzistora struju uglavnom vode šupljine. Zbog te razlike
polaritet priključnih napona je suprotan.
Slika 10. prikazuje osnovnu strukturu energetskog bipolarnog tranzistora.

Sl. 10. Osnovna struktura energetskog tranzistora (BJT)

Energetski bipolarni tranzistor (BJT) odlikuje se velikom strujnom i naponskom

opterećenošću, zbog relativno širokog epitaksijalnog N – sloja unutar koga se može nakrcati
velika količina slobodnih nosioca naboja tijekom stanja vođenja, a unutar toga sloja može se
duboko širiti zona prostornog naboja tijekom stanja blokiranja i na taj način bipolarni
energetski tranzistor na sebe može primiti velike blokirne napone.

9
Kako se strujno pojačanje energetskih bipolarnih tranzistora mijenja s promjenom kolektorske
struje i temperature ono je maleno (od 5 do 10). Postoje i takozvani Darlington-tranzistori čija
se strujna pojačanja kreću oko 100. Njihov je nedostatak veliki pad napona tijekom vođenja i
smanjena sklopna frekvencija.
Istraživanja na području energetskih poluvodičkih sklopnih komponenti, uvela su bipolarne
tranzistore velikih sklopnih mogućnosti tako da se oni primjenjuju i na snagama iznad
nekoliko stotina kilovata i sklopne frekvencije iznad čujnog područja (16-20kHz). Jedna od
tih komponenti je bipolarni tranzistor sa ekstra finom staničnom strukturom koju je razvila
firma Siemens pod nazivom SIRET (Siemens Ring Emitter Transistor). Njezine su
karakteristike kratka sklopna vremena (isklapanje od 1 µs pa do 3 µs) i niski gubici.
Primjena energetskih bipolarnih tranzistora je kod izmjenjivačkih uređaja s pulsno širinskom
modulacijom i kod rezonantnih izmjenjivačkih uređaja čije snage se kreću od nekoliko
kilovata pa do nekoliko stotina kilovata (čak iznad 200 kVA) i sklopne frekvencije od 500 Hz
pa do 20 kHz. Trenutno se na tržištu mog naći bipolarni energetski tranzistori u modularnoj
izvedbi s karakteristikama 1200 V, 800 A.

3.4. FENOMENOLOGIJA ENERGETSKOG TIRISTORA

Po funkciji u električnim krugovima tiristor odgovara živinom ventilu i tiratronu. U jednom

smjeru od katode prema anodi, tiristor uvijek sprječava tok struje. U suprotnom smjeru, od
anode prema katodi, tiristor blokira tok struje dok impuls u upravljačkom krugu ne prebaci
tiristor u stanje vođenja. Nakon prebacivanja u stanje vođenja, upravljački impuls nije više
potreban (regenerativni proces uklapanja). Nikakav zahvat u upravljačkom krugu ne može
prekinuti strujni tok. Tiristor poprima sposobnost blokiranja kada struja padne ispod neke
minimalne vrijednosti, takozvane struje držanja.

Srce energetskoga tiristora je četveroslojna P+-NS-P-N+ struktura unutar monokristala silicija.

Oba su vanjska sloja jako dopirana i obiluju slobodnim nosiocima naboja. Unutarnji slojevi su
slabo dopirani (za nekoliko redova veličine manje su dopirani od vanjskih slojeva) stoga
posjeduju veoma malo nosilaca naboja. Simbol tiristora s njegovim oznakama priključaka dat
je na slici 7.

STANJE VOĐENJA

STANJE BLOKIRANJA STANJE ZAPIRANJA

Vrijeme odmaranja

Sl. 11. Simbol i stanja u kojima se tiristor može beskonačno dugo nalaziti

Na slici 11. dat je simbol tiristora te prikazano slikovito tri stabilna stanja u kojima se tiristor
može beskonačno dugo nalaziti.
Tiristor se može nalaziti u tri stabilna stanja i ona se opisuju pomoću potencijala priključaka.
Ta tri stabilna stanja su su:

10
- stanje zapiranja (kada je potencijalna razlika između anode i katode negativna, tj. dok
vrijedi A - K < 0, pri tome potencijalna razlika između geita i katode može biti
proizvoljna G - K 0),
- stanje blokiranja (kada je potencijalna razlika između anode i katode pozitivna, tj. dok
vrijedi A - K > 0, pri tome potencijalna razlika između geita i katode je negativna ili
jednaka nuli G - K  0) i
- stanje vođenja (idealni tiristor može prijeći samo iz stanja blokiranja. Dakle, neposredno
prije prijelaza mora biti zadovoljen uvjet A - K > 0, i nakon davanja impulsa na geit, tj.
kad je potencijalna razlika između geita i katode pozitivna G - K > 0).

Zaporno, blokirno i propusno polarizirana P+-NS-P-N+ struktura tiristora

Kako je prethodno navedeno, četveroslojna P +-NS-P-N+ tiristorska struktura može se nalaziti u

tri stabilna stanja s priključenim odgovarajućim polaritetom napona na njegove priključke.
Slika 12. a. prikazuje zaporno polarizirana P+-NS-P -N+ tiristorsku struktura. Na P+ područje
narinut je minus (-) a na N+ područje plus (+) pol baterije. Vanjski P-N prijelazi su zaporno
polarizirani. Gotovo cijeli zaporni napon leži na anodnom P+-NS prijelazu. Ostatak zapornog
napona (približno do desetak volti zbog visoke koncentracije primjesa s obije strane P-N
prijelaza) preuzima P-N+ prijelaz do katode.
Slika 12. b. prikazuje blokirno polarizirana P+-NS-P -N+ tiristorsku struktura. Na P+ područje
narinut je plus (+) a na N+ područje minus (-) pol baterije. Srednji N S-P prijelaz blokira tok
struje. Vanjski P-N prijelazi su propusno polarizirani. Povećanjem blokirnog napona zona
prostornog naboja uglavnom se širi u NS-područje (slično kao i kod energetske diode).

Sl. 12. Četveroslojna P+-NS-P-N+ struktura tiristora u

a) stanju zapiranja
b) stanju blokiranja

Slika 13. prikazuje četveroslojna P+-NS-P-N+ struktura tiristora u stanju vođenja. Anoda je
pozitivnija od katode, svi P-N prijelazi i srednje NS-područje preplavljeni su ogromnom
količinom slobodnih nosilaca naboja (elektroni i šupljine-plazma) i na taj način otpor
četveroslojne strukture je jako malen, odnosno električna vodljivost strukture je jako velika.

11
 Sl. 13. Četveroslojna P+-NS-P-N+ struktura tiristora u stanju vođenja

Slika 14. prikazuje presjek kroz osnovnu strukturu energetskog tiristora. Vrijeme uklapanja
sporih tiristora je ograničeno brzinom porasta propusne struje, što je poboljšano s
integriranom geit-emiterskom konstrukcijom.

Sl. 14. Osnovna struktura energetskog tiristora

Nadomjesna temperatura silicija je veoma važan parametar koji je uobičajeno

ograničen na 125 0C u nazivnim uvjetima rada. U slučaju kratkotrajnih opterećenja dopušta se
prekoračenje ove maksimalne temperature.
Karakteristike tiristora i njegova sklopna snaga se je tijekom ovih četrdeset i vše godina stalno
povećavala, tako da danas postoje tiristori nazivne propusne struje do 5000 A i zapornog

12
napona od 8000 V. Primjene: kao sklopke u elektroenergetici, za regulaciju jalove snage,
čoperi, punjači baterija, i kao dijelovi izmjenjivača. Sklopna frekvencija je do 500 Hz.

Proces uklapanja tiristora

Dovođenje četveroslojna P+-NS-P-N+ struktura tiristora u stanju vođenja može se provesti na

tri načina, i to:
- povišenjem napona (bilo blokirnog bilo zapornog) iznad probojnog napona,
- brzi porast blokirnog napona između anode i katode (du/dt-efekt) i
- injekcijom naboja iz jednog visoko dopiranog područja u susjedno nisko dopirano
područje.

Prva dva načina treba izbjegavati, naročito kod visokonaponskih tiristora, jer može doći do
uništenja monokristala silicija. Treći način će bit objašnjen uz pomoć slike 15. i sljedećeg
teksta.

Sl. 15. Tok blokirne struje kroz tiristor i objašnjenje okidanja tiristora
impulsom na geitu tiristora

U mislima se tiristor može rastaviti na dva komplementarna tranzistora međusobno spojena

kao na slici 15. U stanju blokiranja kolektorski N S-P prijelazi obaju tranzistora su zaporno
polarizirani. Vanjski emiterski P+-NS i P-N+ prijelazi su propusno polarizirani. Tranzistori su
povezani tako da između njih postoji jaka strujna povratna veza; struja kolektora jednog
tranzistora predstavlja struju baze drugog i obratno. Signali na bazama se međusobno
pojačavaju, te je potreban mali poticaj da bi se smanjio otpor tiristora, tj. tiristor prebacio iz
stanja blokiranja u stanje vođenja.
Prebacivanje u stanje vođenja izvodi se strujnim impulsom na geit tiristora. Preko geita
injektiraju se šupljine u bazu B2 donjeg tranzistora. Mnoštvo elektrona iz emitera E2 (emiter

13
E2 je mnogo jače dopiran od baze B 2) ulaze u bazu B2 i gotovo u nesmanjenom broju stiže u
područje kolektora C2. Struja kolektora C2 predstavlja signal na bazi B1. Emiter E1 injektira
šupljine u bazu B1, a ove šupljine skuplja kolektor C1 i krug se zatvara. Signal na bazi B 2 je
pojačan. Proces se nastavlja sve intenzivnije. Uskoro je zona prostornog naboja oko N S-P
prijelaza preplavljena nosiocima naboja, napon na tiristoru pada, kroz tiristor počinje teći
struja. Zona prostornog naboja postepeno nestaje i postiže se novo stanje ravnoteže. Opisani
način rada dao je i ime tiristoru. Riječ tiristor je nastala kombinacijom grčkih riječi thyra
(vrata) i riječi tranzistor.

Radno područje energetskog tiristora

Na slici 16. dano je područje rada u u-i dijagramu. Na ovom mjestu bit će date samo
karakteristike idealnog tiristora jer nam ta informacija omogućava da iznesemo osnovno o
radu sklopova energetske elektronike bez prethodno studiranja realnih karakteristika
energetskog tiristora.

Sl. 16. Područje rada (karakteristike) tiristora (a) i strujno naponski valni
oblici na tiristoru tijekom isklapanja (b)

Na slici 16.a. su prikazane idealne karakteristike u propusnom, zapornom i blokirnom stanju.

Na slici 16.b. dati su strujno naponski valni oblici tijekom procesa isklapanja tiristora, te je
definirano vrijeme odmaranja. Vrijeme odmaranja je vrijeme koje mora biti veće ili najviše
jednako vremenu oporavljanja.
Kako je već navedeno, tiristor iz stanja vođenja ne može izravno prijeći u stanje blokiranja,
već se mora prethodno unutar određenog vremenskog intervala nalaziti u stanju zapiranja, a
taj vremenski interval se naziva vrijeme oporavljanja. Ovo svojstvo koje izvire iz samih
fizikalnih pojava u realnom tiristoru ne smije se zanemariti već na ovoj razini kad se izgrađuju
najjednostavniji modeli tiristora. Dakle, već na razini osnovne analize sklopova s idealnim
ventilima treba uvesti vrijeme oporavljanja jer u mnogim slučajevima diktira i shemu
pretvaračkog sklopa.

14
Statičke i dinamičke karakteristike tiristora

Kako je navedeno u poglavlju o fenomenologiji tiristora, on posjeduje tri stabilna stanja i to:
- stanje vođenja
- stanje zapiranja i
- stanje blokiranja.
Karakteristike koje opisuju ta tri stabilna stanja nazivaju se statičke karakteristike glavnog
strujnog kruga tiristora. Osim ovih karakteristika postoje i statičke karakteristikeupravljačkog
kruga (geita).
Karakteristike koje opisuju prijelaz tiristora iz stanja zapiranja u stnje vođenja (uklapanje) i iz
stanja vođenja u stanje zapiranja (isklapanje), nazivaju se dinamičke karakteristike tiristora.
U osnovne dinamičke pojave kod tiristora spadali bi i efekt brzine porasta blokirnog napona
du/dt i efekt brzine porasta propusne struje di/dt, međutim njima se nećemo baviti. Ipak važno
je reći da svaki tiristor ima svoj maksimalni du/dt i di/dt i on se ne smije prekoračiti.

Statičke i dinamičke karakteristike glavnog strujnog kruga

Slika 17. prikazuje i objašnjava nazive i oznake statičke karakteristike glavnog strujnog kruga
tiristora. Kako se vidi sa slike, postoji propusna U-I karakteristika ili statička karakteristika u
stanju vođenja, zaporna U-I karakteristika ili karakteristika u stanju zapiranja i blokirna U-I
karakteristika u stanju blokiranja. Propusna karakteristika daje vezu izmenu trenutne
vrijednosti struje u propusnom smijeru iT i trenutne vrijednosti pada napona uT na tiristoru
tijekom vođenja. Pad napona se sastoji od pada napona u silicijevoj pločici (zonama
prostornog naboja) i pada napona u omskim priključcima silicijeve pločice.

Sl. 17. Statičke karakteristike tiristora

VFBD – prekretni napon u propusnom smjeru (engl. forward breakdown voltage)

VRBD – probojni napon (engl. reverse breakdown voltage)

Zaporna karakteristika daje vezu između trenutne vrijednosti zaporne struje iR i trenutne
vrijednosti zapornog napona uR mjerenog na priključcima tiristora tijekom zapiranja. Blokirna
karakteristika daje vezu između trenutne vrijednosti blokirne struje i trenutne vrijednosti
blokirnog napona mjerenog na priključcima tiristora uz definiran potencijal geita. Osim
navedenih karakteristika postoje dvije karakteristične veličine propusne struje, a to su struja

15
držanja IH (engl. hold current) i struja prihvaćanja IL (engl. latching current). Struja držanja IH
je ona najmanja struja pri kojoj se još održava vođenje tiristora. Struja prihvaćanja IL
definirana je kao najmanja struja potrebna da tiristor pređe u stanje vođenja i da u tom stanju
ostane i poslije uklanjanja signala na geitu. Za analitički proračun gubitaka propusna
karakteristika se aproksimira dvama pravcima: a i b, koje prikazuje slika 18. Apscisa sjecišta
pravca b s U-osi definira napon praga UT0. Koeficijent smjera pravca b je dinamički otpor
tiristora rT. Prema tome, pad napona tijekom vođenja na tiristoru je:

uT  U TO  rT iT

Pravac b povlači se (u skladu s IEC preporukama) kroz točke A i B koje označavaju pad
napona kod 0,5 i 1,5-struke granične srednje vrijednosti struje sinusnih poluvalova
frekvencije 50 Hz. Napon praga UT0 i dinamički otpor rT temperaturno su ovisni. Napon praga
opada, a dinamički otpor raste s porastom temperature.

Sl. 18. Aproksimacija propusne karakteristike tiristora

Gubici u ventilu sastoje se od propusnih gubitaka (gubitaka u stanju vođenja) od zapornih

gubitaka, od blokirnih gubitaka, od gubitaka kruga geita, od gubitaka uklapanja i isklapanja.
U primjeni na mrežnim frekvencijama (50Hz) gdje se upotrebljavaju spori energetski ventili
skoro se uvjek mogu zanemariti svi gubici osim propusnih gubitaka. Zaporne gubitke treba
uzeti u obzir kod visokonaponskih ventila, a dinamičke gubitke na višim frekvencijama ili u
uvjetima velike brzine porasta propusne struje ili zapornog napona.
Trenutni iznos propusnih gubitaka dobiva se množenjem trenutne vrijednosti pada napona uT s
trenutnom vrijednošću propusne struje iT , tj.:

p (t )  uT (t )iT (t )

Srednja vrijednost propusnih gubitaka je:

PT  U T 0 I T ( AV )  rT I T2

gdje je

16
- IT(AV) srednja vrijednost propusne struje kroz tiristor
- IT efektivna vrijednost propusne struje kroz tiristor

Primjetimo da propusni gubici ovise o srednjoj i efektivnoj vrijednosti struje, a također može
se iz gornje jednadžbe vidjeti da se poluvodički ventili ne zagrijavaju proporcionalno
kvadratu efektivne vrijednosti struje. Primjetimo i to da sinusni impulsi stvaraju manje
gubitaka od pravokutnih jednakog trajanja i jednake srednje vrijednosti.

Kao što je u uvodu rečeno, postoje dinamičke karakteristike uklapanja i dinamičke

karakteristike isklapanja. Na ovom mjestu bavit ćemo se samo procesom isklapanja jer on
značajno utječe na rad tiristora u sklopovima energetske elektronike.
Uz sam proces isklapanja vezan je i proces oporavljanja tiristora. Proces oporavljanja je
process zadobivanja sposobnosti blokiranja napona nakon vođenja tiristora. Fizikalno
objašnjenje se može dati uz pomoć slika 4. koja prikazuje struju i napon na tiristoru tijekom
isklapanja.
Kod isklapanja, kada napon izvora promjeni polaritet, propusna struja počinje opadati prema
nuli brzinom diT/dt. U određenom trenutku pada struja na nulu i mijenja predznak i raste u
suprotnom smijeru. Kroz tiristor počinje teći struja oporavljanja. Unatoč toku struje
oporavljanja tiristor je u stanju vođenja, jer u siliciju postoji obilje slobodnih nosilaca naboja.
Pad napona na tiristoru je pozitivan, jer se prostorni raspored nosilaca naboja u siliciju još nije
stigao bitno promjeniti.

Sl. 19. Struja kroz tiristor i napon na tiristoru tijekom isklapanja

Na slici 19. vrijeme koje protekne od trenutka kada struja prođe kroz nulu pa do trenutke
pojave blokirnog napona na tiristoru, a ta pri tome tiristor ne provede, naziva se vrijeme
odmaranja tq. Tijekom ovog intervala napona na tiristoru je približno konstantan.
U kataloškim podacima za pojedini tiristor se navodi vrijeme tq kao i maksimalna brzina
porasta napona na tiristoru pri kojoj tiristor neće provesti nego blokirati.
Vrijeme oporavljanja trr produžuje se sa smanjenjem zapornog napona, jer kod manjeg
zapornog napona električno polje manje potpomaže izvlačenje slobodnih nosioca naboja iz
centralnog područja.

17
Za vrijeme oporavljanja u siliciju tiristora nastaju gubici. Množenjem struje oporavljanja sa
zapornim naponom dobiva se vremenski tijek gubitaka. Ove gubitke nazivamo gubici
oporavljanja. Kod viših frekvencija oni čine nezanemarini dio ukupnih gubitaka.

3.5. ENERGETSKI MOSFET TRANZISTOR

MOSFET (engl. metal–oxide–semiconductor field-effect transistor)

Energetski MOSFET-i su naponski kontrolirane unipolarne komponente (samo većinski

nosioci naboja vrše osnovnu funkciju unutar komponente), pa MOSFET-ovi iz tog razloga
posjeduje veoma veliku ulaznu impedanciju kruga upravljačke elektrode (geita). Ova
komponenta posjeduju velike brzine sklapanja. Vrijeme isklapanja se kreće u granicama od
0,3 µs do 0,5 µs.
Otpor vođenja se povećava s naponskom veličinom same komponente uzrokujući velike
gubitke u stanju vođenja kod velikih propusnih struja. Važno svojstvo ove komponente je
otpor u stanju vođenja ima pozitivni temperaturni koeficijent (omski otpor u stanju vođenje se
povećava s temperaturom) što omogućava paralelno spajanje velikog broja komponenti.
Omski otpor u stanju vođenja se eksponencijalno povećava s blokirnim naponom uzrokujući i
velike sklopne gubitke. Stoga ova komponenta nije primjerena za velike blokirne napone.
U proteklih godina, karakteristike i sklopna snaga energetskih MOSFET-ova su se naglo
povećavale i s daljnjim trendom povećanja uz istovremeno nagli pad cijene koštanja. Iz tog
razloga energetski MOSFET-i su ozbiljna konkurencija drugim poluvodičkim sklopnim
komponentama (prvenstveno bipolarnim tranzistorima) na malim snagama. Energetski
MOSFET-ovi danas se općenito primjenjuju u izmjenjivačkim uređajima s pulsno-širinskom
modulacijom i rezonantnim izmjenjivačkim uređajima snage od pet vata pa do pet kilovata i
sklopne frekvencije od 5 kHz pa do 200 kHz. MOSFET-ovi koji se danas mogu naći na tržištu
su napona od 1000V i struje do 140A.
Napon uGS mora biti stalno narinut ukoliko želimo da MOSFET ostane u stanju vođenja.
Na slici 20 je prikazan simbol MOSFET tranzistora i njegova izlazna karakteristika (N tip+
obogaćeni mod).

Sl. 20. Simbol i statička karakteristika MOSFET tranzistora N tipa

Osnovna struktura monokristala silicija MOSFET-a s N-kanalom prikazana je na slici 14.

18
 Sl. 14. Osnovna struktura monokristala silicija MOSFET-a s N-kanalom

Parazitni tranzistor je svojstven strukturi MOSFET-a (ne može se izbjeći). On ne smije

uklopiti. Zato je njegov emiter kratko spojen s bazom. No, stvorena je parazitna (tzv.
ugrađena) dioda. Dakle, energetski MOSFET nema zapornih svojstava, on u inverznom
smjeru vodi struju. Parazitna dioda može se iskoristiti u sklopovima autonomnih
izmjenjivača.

3.6. IGBT tranzistor

Vrlo je sličan MOSFET tranzistoru. Jedina je razlika u tome što je na n+-sloj dodan p+-sloj,
sada se n+ sloj naziva razdvojni sloj. Razdvojni n+ sloj omogućava uže n– područje
(smanjuje pad napona u stanju vođenja) time što onemogućava širenje zone prostornog naboja
prema n+ području. p+ područje injektira šupljine u n– područje i time smanjuje pad napona u
stanju vođenja. Ovaj pad napona tipično iznosi 2-3 V za blokirne napone od 1000 V.

kanalno područje

driftno područje
razdvojni sloj
injektirajući sloj

Sl. 15. Osnovna struktura monokristala silicija IGBT-a s N-kanalom

Električna oznaka IGBT-a prikazana je na slici 16, a realna i idealna u-i karakteristika na slici
17.

19
 Sl. 16. Oznaka IGBT-a

Sl. 17. Idealna i relana statička karakteristika IGBT-a

Dinamičke karakteristike sklapanja IGBT-a prikazane su na slici 18.

20
 Sl. 18. Dinamičke karakteristike sklapanja IGBT-a

Karakteristični podaci za IGBT tranzistor 3300 V/ 1200 A prikazani su na slici 19. Njegova
fotografija prikazan je na slici 20.

Sl. 19. Karakteristični podaci IGBT tranzistora

21
 Sl. 20. Fotografije tranzistorskih modula

3.7. GTO tiristor

GTO (engl. gate turn-off thyristor)=geitom isklopivi tiristor

Simbol GTO-a, realna u-i karakterisitka i idealna u-i karakteristika su prikazani na slici 21.

Sl. 21. Simbol GTO-a (a), realna u-i karakterisitka (b) i idealna u-i karakteristika (c)

Kao i obični tiristor, GTO se uklapa kratkotrajnim strujnim impulsom na geit i ostaje u stanju
vođenja nakon uklanjanja ovog impulsa. Međutim, može se isključiti nagativnim strujnim
impulsom na geit. Ova negativna struja mora teći samo nekoliko mikrosekunda, ali mora
imati veliku amplitudu, tipično veću od jedne trećine struje tiristora koja se isklapa.
Važno je istaknuti da GTO ne može isklapati induktivna trošila bez odgovarajućeg prigušnog
kruga (engl. snubber circuit), slika 22.

22
 Sl. 22. Prigušni krug GTO-a (a) i dinamička karakteristika isklapanja (b)

Pad napona tijekom vođenja GTO-a iznosi 2-3 V i nešto je veći nego kod tiristora. Vrijeme
sklapanja im iznosi od nekoliko mikrosekunda do 25 μs. Tipično se primjenju za napone do
4,5 kV i struje do nekoliko kA.

23