Розрахунок параметрів

біполярних транзисторів
Технічний опис до виконання практичної роботи №2
з дисципліни

“Комп’ютерна електроніка”
 Практична робота №2

Назва роботи: Розрахунок параметрів біполярних транзисторів.

Мета роботи: Отримати навики в користуванні довідниковою літературою. Навчитись

розраховувати h-параметри транзисторів за статичними
характеристиками.

Короткі теоретичні відомості.

Транзистор – це перетворювальний напівпровідниковий прилад, який має не менше 3-х

виводів і придатний для підсилення потужності.
Як і будь-який електронний прилад, транзистор характеризується експлуатаційними
параметрами, граничні значення яких вказують на можливості практичного використання
того чи іншого транзистора.
Крім даних параметрів існують ще і функціональні (фізичні) h-параметри. Недолік
фізичних параметрів полягає в тому, що їх неможливо безпосередньо виміряти. В основу
розрахунку фізичних параметрів можна покласти електричні параметри. Між h-параметрами
і електричними параметрами існує певна залежність, яка виражається спеціальними
формулами переходу. Крім цього, якщо відомі h-параметри для схеми з СБ, то шляхом
перерахунку легко отримати h-параметри для схем з СЕ і СК.
h-параметри легко визначити графічним методом на основі статичних характеристик
транзистора. Ці параметри встановлюють зв’язок між змінними напругами і струмами на
вході і виході тракнзистора, який представлений як активний чотирьохполюсник.

1.Вхідний опір h11 =  UBX./  IBX., при UBИХ. = const.

2.Коефіцієнт зворотнього зв’язку h12 =  UBX./  UВИХ. , при IBX = const.
3.Коефіцієнт підсилення по струму h21 =  IBИХ./  IBX.,при UВИХ = const.
4.Провідність виходу h22 =  IВИХ/  UВИХ, при IBX = const.

В залежності від схеми включення в позначенні h-параметрів ставиться буква.

Наприклад:
 h11б – вхідний опір всхемі з СЕ.
 h21е – коефіцієнт підсилення по струму в схемі із СЕ.
Розглянем визначення h-параметрів для схеми з СЕ (див. мал. 1,2)

h11E =  UЕБ /  IБ , де  UЕБ = U’’ЕБ - U’ЕБ ,  IБ = I’’Б-I’Б. (див. мал. 1)

h12Е =  UЕБ/  UКЕ, де  UЕБ = U’’ЕБ - U’ЕБ ,  UKE = U’’КЕ – U’ КЕ (див. мал. 1)

h21 =  IK/  IБ , де  IK = I’K - I’’’K,  IБ = I”Б-I’Б. (див. мал. 2)

h22 =  IK/  UKE, де  IK = I”K - I’K,  UKE = U”KE - U’KE. (див. мал. 2)
Iк,mA(A)

Iк Iб
Iк Iб

Iк Iб=0

Uке Uке uке,В

Мал.1

Iб,mA
Iб Uке Uке

Iб

Uеб Uеб uбе,В

Мал.2
 Порядок виконання роботи.

1. Вибрати по довіднику тип транзистора.

2. Виписати електричні і граничні експлуатаційні параметри вибраного транзистора.
3. Намалювати на міліметровці вхідні і вихідні статичні характеристики.
4. Розрахувати h-параметри транзистора.

Зміст звіту

1. Тема і мета роботи.

2. Тип транзистора і його умовне позначення.
3. Електричні і граничні експлуатаційні параметри транзистора.
4. Вхідні і вихідні статичні характеристики.
5. Розрахунок h-параметрів.
6. Висновки по роботі.

Контрольні запитання:

1. Що таке біполярний транзистор?

2. Які параметри має біполярний транзистор?
3. Які параметри відносяться до фізичних?
4. Чому h-параметри транзистора називають гібридними?

Література.

1. В.А. Прянишников. Электроника. С-Петербург.: Корона, 1998.

2. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник.Под
редакцией А.В.Голомедова.-М.: Радио и связь, 1989.
3. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощностию Под
редакцией А.В.Голомедова.-М.:Радио и связь, 1989.
 Індивідуальні завдання
до практичних робіт №1,2
з предмету “Комп’ютерна електроніка”
№ Пр №1 Пр №2
п/п (діоди) (транзистори)
1. Д104 2Т819А
2. Д105Б КТ826А
3. Д208 КТ827А
4. Д229Б 2Т828Б
5. Д218 2Т831Г
6. Д223А КТ834Б
7. Д226 2Т839
8. Д229 КТ847А
9. Д237 2Т856Б
10. 2Д101 2Т862Б
11. 2Д102 КТ863А
12. МД3 КТ864А
13. 2Д104 2Т866А
14. КД108 2Т867А
15. МД218А 2Т882А
16. 2Д106 2Т884А
17. ГД107 КТ712А
18. 2Д213 2Т818Б
19. Д237Б 2Т825А
20. Д2И 2Т830Г
21. Д223Б 2Т836А
22. МД226 2Т837А
23. Д2Б 2Т842Б
24. Д209 2Т860В
25. Д2Д 2Т883А
26. Д105 КТ660А
27. Д2Ж 2Т966Б
28. Д2Г 2Т978Б
29. Д2В 2Т981А
30. Д223 КТ9115А