MEMS TECHNOLÓGIÁK

MEMS-EK ALKALMAZÁSI PÉLDÁI

Dr. Bonyár Attila, adjunktus

bonyar@ett.bme.hu

Budapest, 2015.10.13.

BUDAPEST UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND ECONOMICS

DEPARTMENT OF ELECTRONICS TECHNOLOGY
Tematika
MEMS: Micro Electro-Mechanical Systems

I. Az alkalmazott technológiák áttekintése

 CMOS technológia,
 felületi és tömbi mikromechanika.

II. MEMS eszközök, alkalmazási példák

 érzékelők,
 beavatkozók.

Online tananyag (www.ett.bme.hu):

 MEMSEdu,
 SENSEdu.

Ajánlott irodalom: Harsányi G. – Érzékelők, beavatkozók

2/33
1. CMOS technológia
A CMOS (Complementer Metal-Oxide Semiconductor) technológia főbb
technológiai lépései (ismétlés):

1) Si egykristály szelet előállítása:

 polikristályos Si előállítása homokból,
 Si egykristály húzási eljárások,
 in situ adalékolási eljárások.
2) Si adalékolási technológiák:
 diffúzió,
 ionimplantáció.
3) Rétegtechnológiák:
 CVD: kémiai gőzfázisú leválasztás (chemical vapour deposition),
 maszk-réteg: pl. Si3N4 ,
 dielektrikum: pl. SiO2, PSG, BPSG (bór-foszfoszilikát üveg),
 vezetőréteg: pl. Cu, poli-Si.
 Epitaxiális rétegnövesztés.
 Szilícium-dioxid (SiO2) növesztés
 száraz oxidáció,
 nedves oxidáció.
4) Litográfiai (mintázatkialakítási) eljárások
3/33
1. CMOS technológia

CMOS inverter

4/33
2. Felületi és tömbi mikromechanika
Alapvető szilícium mikromegmunkálási technológiák
 Anizotróp maratás,
 Tömbi mikromechanika,
 Maratás p+-stop réteggel,
 Elektrokémiailag megállított maratás.
 Felületi mikromechanika áldozati réteggel.
 LIGA eljárás.
 Kombinált CMOS és MEMS technológia. Létrehozható alakzatok (példák)
 Si szeletek bondolása (összekötése).

LÁSD:
SENSEDU:
technologies/semiconductor technologies
MEMSEDU:
technologies

5/33
2. Felületi és tömbi mikromechanika
Anizotróp maratás
A KOH kristályorientációtól függő
sebességgel marja az Si szeletet
(leglassabb az <111> (legsűrűbb) irányban.
Létrehozható alakzatok:
 árok,
 membrán,
 híd,
 félhíd (konzol).

A Si szelet orientációjának megválasztása fontos (MEMS -> (100))

6/33
2. Felületi és tömbi mikromechanika
Az anizotróp maratás megállítása
1) p+ stop réteg

2) elektrokémiai stop

7/33
2. Felületi és tömbi mikromechanika
Felületi micromechanika áldozati réteggel
SiO2 áldozati
áldozati oxid réteg
leválasztása
Poli-Si konzol
poli-Si (cantilever)
leválasztása
(2 mm)
áldozati oxid
marása
Felhajlás Letapadás Létrehozható alakzatok:
híd,
Tipikus hibák: félhíd (konzol).

8/33
2. Felületi és tömbi mikromechanika
LIGA eljárás

 Német eredetű elnevezés (Lithografie Galvanoformung Abformung),

 Nagy magasság-szélesség arányú struktúrához.

(Érdeklődőknek további technológiák MEMSEduban (pl. SIMPLE, SCREAM)).

9/33
2. Felületi és tömbi mikromechanika
Kombinált CMOS és MEMS technológia

1. 6.
2. 7.
3. 8.
4. 9.
5. 10.

CMOS MEMS

10/33
2. Felületi és tömbi mikromechanika
Si szeletek anodikus bondolása

 Si szelet bondolása üveghez

 Si szelet bondolása egy másik Si szelethez (Si-Si, ill. SiO2-SiO2)

11/33
II. MEMS érzékelők, beavatkozók
1. Ismétlés: szenzorikai alapfogalmak
- érzékenység,
- detektálási küszöb (LOD),
- ofszet,
- ideális karakterisztika,
- nemlinearitás,
- hiszterézis,
- generátor/modulátor,
- precizitás/helyesség,
- ismételhetőség, reprodukálhatóság,
- szelektivitás,
- fizikai/kémiai/bioérzékelők.

12/33
2. Nyomásérzékelő - piezorezisztív
Ismétlés: piezoelektromos jelenség
 szigetelő anyagokban fordul elő,
 mechanikai feszültség/deformáció az anyagban polarizáció változást hoz létre,
 elemi dipólusok dipolmomentuma megváltozik <-> töltéssúlypont eltolódás,
 szimmetriaviszonyoktól függ, pl. centrálszimmetrikus kristályszerkezet esetén nics.

Pl. kvarc, BaTiO3, PZT

13/33
2. Nyomásérzékelő - piezorezisztív
Elméleti áttekintés!
- piezoelektromosság
- piezorezisztivitás
(Gauge faktor, Poisson
tényező, a piezorezisztivitás
fizikai okai különböző
anyagtípusok esetén)
LÁSD: SENSEDU:
effects/mechanical
/piesoresistive effect

14/33
2. Nyomásérzékelő - kapacitív

15/33
3. Gyorsulásérzékelő – piezorezisztív

16/33
3. Gyorsulásérzékelő – kapacitív/tömbi

17/33
3. Gyorsulásérzékelő – kapacitív/felületi

Interdigitális struktúra!
(IDT)
Beavatkozóként is
alkalmazható (lásd később)

18/33
3. Gyorsulásérzékelő – termodinamikus

Eldöntve:
Dőlésszög érzékelő

19/33
4. Rezgésérzékelő

20/33
5. Giroszkóp

Felfüggesztett IDT

Forgó síkok

21/33
6. Termikus sugárzás érzékelők
Átismételt alapfogalmak (SENSEDU/Effects/thermal effects):

1. Termorezisztivitás
- Termisztor, PTC, NTC, TK stb.
- Ellenállás hőmérő
- Terjedési ellenállás hőmérő („Si termisztor”, lásd a képen)
2. Termoelektromos jelenség
- Seeback feszültség,
- Hidegpont, melegpont
- Termoelem
3. Piroelektromos jelenség

22/33
6. Termikus sugárzás érzékelők
Bolométer és termopile

23/33
7. Beavatkozók – elektrosztatikus
mikroszelep és mikropumpa

mikroszelep

mikropumpa

24/33
7. Beavatkozók – fésűs meghajtó

Comb-drive

25/33
8. Beavatkozók – optikai kapcsoló

26/33
8. Beavatkozók – optikai kapcsoló

27/33
8. Többállapotú, forgótükrös optikai
kapcsoló

28/33
9. Beavatkozók – mikromotor

29/33
10. Beavatkozók – elektrosztatikus
meghajtású deformálható tükör

30/33
11. Beavatkozók – Digital Micromirror Array
Pl. megjelenítőkben

Pl. fényszóróban

31/33
Összefoglalás

32/33
Ellenőrző kérdések:

1. Ismertesse részletesen az alábbi Si mikromegmunkálási

technológiát: a) tömbi mikromechanika (anizotróp maratás
és megállítása), b) felületi mikromechanika áldozati
réteggel, c) LIGA technológia.
2. Ismertesse részletesen az alábbi MEMS érzékelő
kialakítását és működését: a) piezorezisztív vagy a
kapacitív elvű nyomásmérő, b) ~ gyorsulásmérők, c)
termikus sugárzásmérők.
3. Ismertesse az alábbi MEMS beavatkozó kialakítását és
működését: a) fésűs meghajtó (comb drive), b)
elektrosztatikus mikroszelep/pumpa, c) optikai kapcsoló,
d) elektosztatikus meghajtású deformálható tükör (és
DMA), e) Si mikromotor.

33/33