Professional Documents
Culture Documents
V1
9Vdc
RB RC
C2 0
VOUT
Q1 1n
C1
VIN
1n
Q2SC1815
RE
Phân tích như sau: Rõ ràng trong mạch tương đương, RB có vai trò hoàn toàn tương tự
R1//R2 trong mạch khuếch đại E chung phân cực bằng cầu chia áp đã phân tích ở bài 2.
zi R B / /z B
với vi .re .i b 1 R E .i b
zb .re 1 R E re R E R E
ib ib
zi
Độ lợi dòng : Ai A V .
RC
vo
Trở kháng ngõ ra: zo RC
io
V1
9Vdc
R2 R1
1.2Meg 4.7k
C2
0
Q1
C1
10u V
10u
V2 V
Q2SC1815 R4
VOFF = 0 20k
VAMPL = 50mV
FREQ = 1k R3
AC = 1k
0
0 0
RC / / RL 4.7k / /20k
Av 3.7
re RE 26mV
1k
0.9mA
Dùng mô phỏng:
184mV
Av 3.68
50mV
Tiếp tục khảo sát đáp ứng tầng số của mạch trong trường hợp có tụ hồi tiếp:
V3
9Vdc
R6 R5
1.2Meg 4.7k
C5 C4
0
C3
330pF 10u
Q2
V
10u
V
Q2SC1815 R8
V4 20k
1Vac
0Vdc R7
1k
0 0 0
V3
9Vdc
R6 R5
1.2Meg 4.7k
C5 C4
0
C3
330pF 0.1u
Q2
V
0.1u
V
Q2SC1815 R8
V4 20k
1Vac
0Vdc R7
1k
0 0 0
Nhận thấy tín hiệu vùng tần số thấp bị giảm biên khá sâu. Hiện tượng này xảy ra
vì dung kháng của các tụ nhỏ trở nên cao với các tín hiệu tần số thấp