ĐẠI HỌC QUỐC GIA

ĐẠI HỌC BÁCH KHOA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN ĐIỆN TỬ

***********

BÁO CÁO THÍ NGHIỆM

MẠCH ĐIỆN TỬ
BÀI 4: KHẢO SÁT ĐÁP ỨNG TẦN SỐ
MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP E CHUNG
Giàng viên hướng dẫn : Nguyễn Thanh Phương

Sinh viên thực hiện : Võ Dân Anh Kha 1910237

Nguyễn Huy Hoàng 1911198

Huỳnh Nguyễn Đức Phúc Hậu 1910170

Link record báo cáo : https://drive.google.com/file/d/16ClQPMuLILtV4F3-

j98GNJ2FnboRMzcI/view?usp=sharing

Thành phố Hồ Chí Minh – 2021

 I. Mục tiêu thí nghiệm

Bài thí nghiệm có mục đích cơ bản giúp chúng ta kiểm chứng nguyên lý hoạt động
và các thông số cơ bản của hai mạch khuếch đại dùng BJT: Mạch khuếch đại ghép E
chung không hồi tiếp và mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp. Hiểu rõ công
dụng cũng như các nguyên lý hoạt động của các mạch, góp phần trong việc hiểu chính
xác các cách tính toán lý thuyết cúng như vận dụng mạch vào thực tiễn và nâng cao
trình độ cũng như hiểu biết.

Cụ thể, bài thí nghiệm kiểm chứng tính toán lý thuyết của độ lợi áp dãy giữa của
mạch, tần số cắt thấp, tần số cắt cao từ các thông số đã cho, các thông số còn thiếu lấy
từ kết quả thí nghiệm của bài thí nghiệm 1.

Tiếp theo đó, bài thí nghiệm yêu cầu sử dụng dao động ký để quan sát dạng sóng
ngõ vào và ngõ ra của mạch ở các tần số khác nhau tính toàn được độ lơi áp. Từ các
độ lơi áp tính được từ tần số thấp đến tần số cao, vẽ đáp ứng tần số của các mạch.

Trong quá trình thí nghiệm, bài thí nghiệm đã giúp các bạn hiểu và thành thạo các
thao tác trong việc sử dụng các thiết bị đo trong phòng thí nghiệm giả lập (hộp thí
nghiệm chính, máy dao động ký…) cũng như trong thao tác thực hiện đi dây trong
mạch và thực hiện đo đạc để lấy số liệu cần thiết.

II. Thí nghiệm kiểm chứng

1. Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp

Hình 1: Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp

 Thay BJT 2SD468 bằng BJT 2SD592 được sử dụng trong kit thí nghiệm, theo
datasheet, ta có β = 128 (phân tích DC với hai mạch là tương tự nhau).

a. Kiểm chứng lý thuyết mạch DC

- Tính toán lý thuyết:

Ta có:

V cc R 2 R 1 R2
V th = =2.85V ; Rth = =4.27 kΩ
R1 + R 2 R1 + R2

V th −V BE
I B= =3.74 × 10−5 A
Rth + ( β+ 1 ) R E

I c =β × I β=0.004787 A

V CE =5.225 V

Ic β
gm = =0.1915 A /V ; r Π = g =668 Ω
0,025 m

Hình 2:Mạch phân tích DC

- Kiểm chứng lý thuyết I C , β bằng LTspice

- Sơ đồ mạch
.op kiểm chứng:

IC VCC

0 12

. R23
.
R10

R14
R12

R16
R7
R8

R22
R3
C1

C3

. . . . . . . R21

IB
FEEE - BEE
BK R20
TP.HCM C&M LAB 2SD592/3
Q3 .
0 S/N: BJTLABSN004
2SD592/2
. Q2 . R19
2SD592/1
Q1
.
C2 R9 R11 R18
R4

R17

. . .

IE

0
Hình 3: Sơ đồ đi dây LTspice kiểm chứng DC
 Khi đo ta thu được:

I(Ic): 0.00444359 device_current

I(Vcc): -0.0049749 device_current
I(Ib): 3.48145e-005 device_current
I(Ie): 0.00447841 device_current
I C =0.00444359 ; I b =3.48 ×10−5

Ic
β= =127.63 ≈ 128
Ib

Bên cạnh đó, chúng ta có thể xem các thông số khác trong mục Text (tại thư mục lưu
mạch hiện làm):

Semiconductor Device Operating Points:

--- Bipolar Transistors ---
Name: q:u1:3 q:u1:2 q:u1:1
Model: u1:2sd592q3 u1:2sd592q2 u1:2sd592q1
Ib: 0.00e+00 0.00e+00 3.48e-05
Ic: 0.00e+00 0.00e+00 4.44e-03
Vbe: 0.00e+00 0.00e+00 6.12e-01
Vbc: 0.00e+00 0.00e+00 -4.62e+00
Vce: 0.00e+00 0.00e+00 5.24e+00
BetaDC: 0.00e+00 0.00e+00 1.28e+02
Gm: 0.00e+00 0.00e+00 1.71e-01
Rpi: 1.84e+10 1.84e+10 9.06e+02
Rx: 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
Ro: 1.15e+11 1.15e+11 2.34e+04
Cbe: 5.00e-12 5.00e-12 1.79e-10
Cbc: 3.92e-11 3.92e-11 1.53e-11
Cjs: 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
BetaAC: 0.00e+00 0.00e+00 1.55e+02
Cbx: 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
Ft: 1.96e-01 1.96e-01 1.40e+08

Date: Mon Nov 15 16:58:06 2021

Total elapsed time: 0.069 seconds.
Các thông số chính có thể kể đến như:

β=128 ; C μ=15.3 ×10−11 ; C π =1.79× 10−10

I c =0.0044 ; I b=3.48 ×10−5 ;

gm =0.171; r π ¿ 906 Ω ; r 0 =23.4 kΩ

Kết luận:

Có thể thấy được giữa tính toán lý thuyết và phép đo có sự chênh lệch rất nhỏ, một
vài sai số có thể là do sự chênh lệnh giá trị của các thiết bị đo giả lập, nhưng không
đáng kể.

b. Khảo sát độ lợi áp tần số dãy giữa AM của mạch không hồi tiếp:

Tính toán lý thuyết:

Hình 4: Sơ đồ mạch tín hiệu nhỏ tần số dãy giữa của mạch không hồi tiếp

R B=Rb /¿ r π =578Ω

với r π=668Ω , Rb =Rth=4.27 kΩ

V 0 V o i c V be RB V
A M= = × × =−( r 0 /¿ R c /¿ R L ) × gm × =−57.43
V i i c V be V i Ri + RB V

| A M|=35.1828 ⅆB

- Sơ đồ mạch LTspice:
- Các thông số chính:
- Vin hình sin, 10mV, tần số f = 10kHz, các tụ có giá trị đều là 100uF, thời gian
giả lập là 0.4ms.
 Vout
VCC
SINE(0 10m 10k)

Vi
VCC
Vi

. R23
.

R10

R14
R12

R16

R22
R7
R8

R3
C1

C3
. . . . . . . R21
Vi VCC
FEEE - BEE
BK R20

12
TP.HCM C&M LAB
S/N: BJTLABSN004
2SD592/3
Q3 .
2SD592/2
. Q2 . R19
2SD592/1
Q1
.

R17
R18
R4

C2 R9 R11
. . .

.tran 0.4m

Hình 5: Sơ đồ mạch kiểm chứng Am

- Dạng sóng ngõ ra quan sát được so với dạng sóng ngõ vào:
V(vi)
10mV

8mV

6mV

4mV

2mV

0mV Vin

-2mV

-4mV

-6mV

-8mV

-10mV
V(vout)
700mV

600mV

500mV 619.1616mV
400mV

300mV

200mV

100mV

0mV
Vout
-100mV

-200mV

-300mV

-400mV

-500mV -649.20114mV
-600mV

-700mV
0µs 40µs 80µs 120µs 160µs 200µs 240µs 280µs 320µs 360µs 400µs
So sánh, nhận xét và kết luận:

V o p −p 619.1616+649.20114
Ta có giá trị V 0= = =634.18137 mV
2 2

V
A M 1 ≈ 63 =¿|A M1|≈ 36 dB
V

c. Khảo sát đáp ứng tần số mạch

- Tính toán lý thuyết tần số cắt cao và thấp:
- Đối với tần số cắt thấp, ta có:

Hình 6a: Xét tụ Ci Hình 6b: Xét tụ Co Hình 6c: Xét tụ CE

RC 1=R B 1 /¿ R B 2 /¿ r π + Ri=1578 Ω

RC 2=RC + R L =6.6 kΩ

r π + Rb ¿/ Ri
RC 3=R E /¿ =11.15 Ω
β+1

Từ đó ta tính được:

1 rad ω1
ω p 1=
R c1 ×C 1
=6.337
s ( )
=¿ f 1= =1.009 Hz
2π

1 rad ω2
ω p 2=
R c2 ×C 2
=1.51
s ( )
=¿ f 2= =0.24 Hz
2π

1 rad ω3
ω p 3=
R c3 ×C 3
=897
s ( )
=¿ f 3 = =142.76 Hz
2π

Vậy, ta có được f L =f 3=142.76 Hz

Với C 1=C2 =C3=100 μF

 - Đối với tần số cắt cao, áp dụng hiệu ứng Miller ta có:

Hình 7: Mạch tín hiệu nhỏ tần số cắt cao

C μ=15.3 pF ; C π =179 pF

C ¿=C π +Cμ× ( 1+ gm R'L ) =2.6 ×10−9F

1
C out =Cμ × 1+
( )
gm R'L
=15.4 pF

R'L=r 0 ¿ /R C /¿ R L =819 Ω

R'i=r π / ¿ ¿

1 rad
Suy ra: ω pi = '
R ×C ¿
i
=666981.9308
s ( )
=¿ f pi ≈ 164.552kHz

1 rad
ω po= '
R ×C out
L
=79298395.95
s ( )
=¿ f po ≈ 12.62 MHz

Vậy f H =f pi ≈164.552 kHz

d. Thí nghiệm kiểm chứng

- Sơ đồ nối dây LTspice

Trước hết ta vào Simulate – Edit Simulatin Cmd – AC Analysis

 Hình 8: Cấu hình AC Analysis
Vin

.ac dec 100 1 1G SINE()

AC 1

out
VCC
VCC
Vin

. R23
.
R10

R14
R12

R16

R22
R7
R8

R3
C1

C3

. . . . . . . R21
Vin VCC
FEEE - BEE
BK R20
TP.HCM C&M LAB 2SD592/3
.
12 S/N: BJTLABSN004 Q3
2SD592/2
. Q1 Q2 . R19
2SD592/1 .
R17

C2 R9 R18
R4

R11
. . .

Hình 9: Sơ đồ mạch kiểm chứng fL và fH

- Kết quả dạng sóng quan sát được

 V(out)
45dB -60°
142.31214Hz,32.934934dB 140.8604KHz,33.12286dB

36dB -90°

27dB -120°

18dB -150°

9dB -180°

0dB -210°

-9dB -240°

-18dB -270°

-27dB -300°

-36dB -330°

-45dB -360°

-54dB -390°

-63dB -420°
1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz 100MHz 1GHz

Hình 10: Đồ thị dạng sóng ngõ ra khi khảo sát

- Các giá trị f L , f H quan sát được: f L ≈ 142.31 Hz
f H ≈ 140.86 kHz

2. Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp

Hình 11: Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp

 a. Khảo sát độ lợi áp tần số dãy giữa AM của mạch hồi tiếp:

Hình 12: Sơ đồ mạch tín hiệu nhỏ tần số dãy giữa của mạch hồi tiếp

Tính toán lý thuyết:

r π=668Ω , Rb =Rth =4.27 kΩ, R E=R E 1=22 Ω

R B=Rb /¿ (r π + ( β+ 1 ) R E )=1925 Ω

V 0 V o i c ib V be
A M= = × × ×
V i i c i b V be V i

1 RB V
¿−(r 0 /¿ R c /¿ R L )× β × × =−19.67
r π + ( β +1 ) R E R B + Ri V

| A M|=25.8797 ⅆB

- Sơ đồ mạch LTspice:
- Các thông số chính:
- Vin hình sin, 5mV, tần số f = 10kHz, các tụ có giá trị đều là 100uF, thời
gian giả lập là 0.4ms.
 SINE(0 5m 10k)

Vout
VCC

Vin
VCC
Vin

. R23
.

R10

R14
R12

R16

R22
R7
R8

R3
C1

C3
. . . . . . . R21

Vin VCC FEEE - BEE

BK R20
TP.HCM C&M LAB 2SD592/3
.
S/N: BJTLABSN004 Q3
2SD592/2
12 . Q1 Q2 . R19
2SD592/1 .

R17
C2 R9 R18
R4

R11
. . .

.tran 0.4m

Hình 13: Sơ đồ mạch kiểm chứng Am

- Dạng sóng ngõ ra quan sát được so với dạng sóng ngõ vào:

V(vin)
5mV

4mV 4.9946418mV

3mV

2mV

1mV
Vin
0mV

-1mV

-2mV

-3mV

-4mV -4.9934297mV

-5mV
V(vout)
120mV

100mV

80mV 102.89254mV

60mV

40mV

20mV

0mV Vout

-20mV

-40mV

-60mV

-80mV -102.43456mV

-100mV

-120mV
0µs 40µs 80µs 120µs 160µs 200µs 240µs 280µs 320µs 360µs 400µs

Hình 14: Dạng sóng ngõ ra so với dạng sóng ngõ vào mạch hồi tiếp

So sánh lý thuyết:
 V o p −p 102.89254+102.43456
Ta có giá trị V 0= = =102.66355 mV
2 2

V
A M 1 ≈ 20.53 =¿| A M 1|≈ 26.25 dB
V

b. Khảo sát đáp ứng tần số mạch

- Tính toán lý thuyết tần số cắt cao và thấp:
- Đối với tần số cắt thấp, ta có:
 RC 1=R B=1925 Ω

RC 2=RC + R L =6.6 kΩ (tương tự mạch không hồi tiếp)

Hình 15a: Khảo sát Ci

r π + Rb ¿/ Ri
RC 3=R E 2 /¿( R E 1 + )=31 Ω
β +1

Hình 15b: Khảo sát Ce

Từ đó ta tính được:

1 rad ω
ω p 1=
R c1 ×C 1
= ( )
s
=¿ f 1= 1 =0.827 Hz
2π

1 rad ω
ω p 2=
R c2 ×C 2
=1.51 ( )
s
=¿ f 2= 2 =0.24 Hz
2π

1 rad ω
ω p 3=
R c3 ×C 3
=322.58
s( )
=¿ f 3= 3 =51.34 Hz
2π

Vậy, ta có được f L =f 3=51.34 Hz

Với C 1=C2 =C3=100 μF

- Đối với tần số cắt cao, áp dụng hiệu ứng Miller ta có:

r π + ( β+1 ) × R E 1 −gm R L r π
V 1=V b = ×V be; V 2=V 0 =−gm R'L V be=
rπ r π + ( β +1 ) R E 1

Theo hiệu ứng Miller ta có:

 z
z 1=

{
1−k
z
z 2=
1
1−
k
'
−g m R L r π
k= =−29.88
r π + ( β +1 ) R E 1

C μ=15.3 pF ; C π =179 pF

C ¿=C π +Cμ× ( 1−k )=6.515 ×10−10 F

( 1k )=1.58× 10
C out =Cμ × 1− −11
F

R'L=r 0 ¿ /R C /¿ R L =819 Ω

R'ⅈ=(R ¿ ¿ i¿ /R b +( β +1)× R E 1 )/¿ r π =565 Ω ¿

Hình 16: Khảo sát R'i

1 rad
Suy ra: ω pi = '
R ×C ¿
i
=2716671.534
s ( )
=¿ f pi ≈ 432.4 kHz

1 rad
ω po= '
R ×C out
L
=77278558.29 ( )
s
=¿ f po ≈ 12.3 MHz

Vậy f H =f pi ≈ 432.4 kHz

c. Thí nghiệm kiểm chứng

- Các bước tương tự như thực hiện với mạch không hồi tiếp
- Sơ đồ nối dây LTspice và kết quả quan sát được
 SINE()

VCC

Vin

Vout
AC 1
.ac dec 100 1 1G

VCC
Vin

. R23
.

R10

R14
R12

R16

R22
R7
R8

R3
C1

C3
. . . . . . . R21

Vin VCC
FEEE - BEE
BK R20
TP.HCM C&M LAB 2SD592/3
.
Q3
12
S/N: BJTLABSN004
2SD592/2
. Q1 Q2 . R19
2SD592/1 .

R17
R18
R4

C2 R9 R11
. . .

Hình 17: Sơ đồ mạch LTspice cho mạch hồi tiếp khảo sát fL, fH

V(vout)
50dB -40°

40dB -80°

30dB -120°
51.08866Hz,23.354713dB
422.29483KHz,23.297066dB
20dB -160°

10dB -200°

0dB -240°

-10dB -280°

-20dB -320°

-30dB -360°

-40dB -400°

-50dB -440°
1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz 100MHz 1GHz

Hình 8: dạng sóng quan sát ở ngõ ra với các tần số cắt cao và thấp

- Các giá trị f L , f H

quan sát được: f L ≈ 51.1 Hz

f H ≈ 422.3 kHz
 III. Nhận xét và kết luận
 Cả hai mạch đều cùng dạng DC nên khi khảo sát DC ta khảo sát cho
cả hai mạch.
 LTspice text giúp cung cấp thêm các công cụ cũng như số liệu để có
thể tính toán mạch lý thuyết một cách chính xác hơn.
 Kiểm chứng DC với sai số rất nhỏ, không đáng kể.
 Đối với độ lợi áp dãy giữa A M , mạch không hồi tiếp có sai số cao hơn
mạch hồi tiếp nhưng đều ở ngưỡng có thể chấp nhận, cụ thể:
63−57.43
- Với mạch không hồi tiếp : %Δ= 57.43 ×100 %=9.69 %

20.53−19.67
- Với mạch hồi tiếp : %Δ= 19.67
×100 %=4.37 %

- Sai số này là do các khâu làm tròn trong tính toán lý thuyết, thông số của
mạch mô phỏng, bên cạnh đó còn là do sai số trong chọn khoảng của
người thực hiện.
 Bên cạnh đó, đáp ứng tần số có sai số nhỏ hơn tại tần số thấp nhưng
sai số cao hơn tại tần số cao, cụ thể:
- Với mạch không hồi tiếp :%Δ f L=0.315% ; %Δ f H =14 %
- Với mạch hồi tiếp : %Δ f L=0.46 % ; %Δ f L=2.33 %
- Sai số lớn tại tần số cao có thể được giải thích là do sự đánh giá chủ quan,
cũng như sự làm tròn qua nhiều khâu tính toán, sai số trong phân cùng đồ
thị để đánh dấu tần số cắt.

Kết luận chung:

Bài thí nghiệm đã thực hiện toàn bộ mục tiêu đề ra, giúp sinh viên nâng cao kiến thức,
hiểu được cách nối dây, trình tự khảo sát và cách thực hiện khảo sát một mạch khuếch
đại BJT không hồi tiếp và hồi tiếp. Nhìn chung, mô phỏng thí nghiệm có thể giúp sinh
viên kiểm chứng lý thuyết khá an toàn và chắc chắn, nhưng có điểm yếu là không thể
cung cấp tới cho sinh viên những kỹ năng làm thí nghiệm thực tế nên có.