Bài 4 : Khuếch đại đa tầng

BÀI 4 : KHU CH Đ I ĐA T NG
(Multistage Amplifier)

› M C ĐÍCH THÍ NGHI M

Giúp sinh viên bằng thực nghiệm khảo sát :
1. Các đặc tính (độ lợi Av, tổng tr vào/ra,) của mạch khuếch đại đa tầng ghép RC
(ghép cascading) của các kiểu CE – CE và CE – CC.
2. Tìm hiểu nguyên tắc hoạt động của mạch khuếch đại vi sai (Differential
Amplifier).

› THI T B S D NG
1. Bộ thí nghiệm ATS-11.
2. Module thí nghiệm AM-103.
3. Dao động ký, đồng hồ VOM (DVM) và dây nối.

PH N I : C S LÝ THUY T
Phần này nhằm tóm lược những vấn đề lý thuyết thật cần thiết phục vụ cho bài thí nghiệm và
các câu hỏi chuẩn bị để sinh viên phải đọc kỹ và trả lời trước ở nhà.

I.1. KHÁI NI M V M CH KHU CH Đ I ĐA T NG

Các tầng khuếch đại đơn có thể được ghép lại với nhau theo một cách nào đó để tạo
nên mạch khuếch đại đa tầng (Multistage Amplifier) nhằm đạt đến mục tiêu thiết kế cụ thể
nào đó (chẳng hạn như đáp ứng về độ lợi, cải thiện đáp tuyến tần số, pha, triệt nhiễu, phối
hợp tr kháng,...).

Ii1 Io1 Ii2 Io2 Iin

+
Av1 Vo Vi Av2 Avn
Vi Z
- Zi1 Ai1 Zo Zi2 Ai2 Zo Zin Ain

Hình 4-1

Độ lợi tổng cộng của mạch :

AvΣ = ± Av1. Av2 ….Avn
AiΣ = ± Ai1. Ai2 ….Ain
Có 2 cách ghép cơ bản :
- Ghép gián tiếp (tức cách liên lạc AC) : dùng RC, biến áp, Optocouple,...
- Ghép trực tiếp (tức cách liên lạc DC) : ghép Darlington, ghép chồng (Cascode).

1. Ghép gián ti p :
a. Ghép RC (Hình 4.2)
Dùng tụ C để cách ly về mặt DC giữa các tầng ghép, điều này dễ dàng cho việc tính
toán thiết kế. Tuy nhiên, cách ghép này chỉ thích hợp với các dạng tín hiệu có tần số đủ cao,
do lúc này dung kháng XC của tụ nhỏ và độ tổn hao điện áp tín hiệu trên tụ thấp. Đối với các
loại tín hiệu có tần số quá thấp, biến đổi chậm hoặc không có tính chu kỳ thì tín hiệu tổn hao
trên tụ lớn và do đó phải dùng các tụ ghép có trị số điện dung lớn. Hơn nữa, cách ghép này
gây ra độ dịch pha và mạch khuếch đại bị giới hạn b i tần số cắt thấp fCL do qua mắc lọc RC.
 Bài 4 : Mạch ghép đa tầng
VCC

+ VCC
Rc1 Rb1-2 Rc2 T2
Rb1-1 C3
Vo
C2

+
R1
T2

+
C1
T1 C1

+
T1
Rb2-2
Vi Rb2-1
+
Ce1 Re2 + R3
Re1 Ce2 R2
C2

0 0
Hình 4-3: Mạch ghép biến áp
Hình 4-2: Mạch ghép RC

b. Ghép biến áp (Hình 4.3)

Giống như cách ghép RC, cách ghép này dùng biến áp để cách ly về mặt DC giữa các
tầng, dễ phối hợp tr kháng và cải thiện đáp ứng tần số cao. Cách ghép này thư ng dùng
các tầng khuếch đại cao tần, trung tần và khuếch đại công suất cung cấp trên tải. Hạn chế của
cách ghép này là kích thước và trọng lượng cồng kềnh.
2. Ghép trực ti p :
Một giải pháp dễ dàng và hữu ích là ghép trực tiếp DC. Với cách ghép này thì sự biến
động điểm làm việc tĩnh Q của các tầng đều có sự liên hệ với nhau (hiện tượng trôi mức
DC), vì thế vấn đề đặt ra là điểm làm việc tĩnh Q phải được chọn sao cho phù hợp với nhiều
tầng, tức cách sắp xếp hình thức ghép là công việc quan trọng. đây sẽ xuất hiện nhiều đòi
hỏi trái ngược nhau mà nhà thiết kế cần phải thỏa mãn.
BJT-Si thư ng được dùng do ICBO nhỏ, sự ổn định và tiên đoán được các thông số, độ
lợi dòng lớn dòng collector nhỏ. Tuy nhiên BJT-Si cũng có điểm bất lợi : β nhạy với nhiệt
độ,...
Với 2 BJT cùng loại, có thể có 32 = 9 cách sắp xếp sau :
- 6 cách ghép Cascode : CC-CB, CB-CC, CE-CB, CB-CE, CC-CE, CE-CC
- 3 cách ghép Darlington : CE-CE, CB-CB, CC-CC
a. Ghép Cascode :
+ VCC
+ VCC + VCC

R2
R1 R1 R1
T2
vo
T1 T2 vo T1 T2

vi R2
vo R1 vi
R1 R1

Ghép CE-CC T1
vi Ghép CC-CB

Ghép CE-CB
+ VCC + VCC
+ VCC
R2
R2 R1
vo R1
T1
T2
T1
T1 T2 vo
vi
vi T2 vi
vo
R1 R3 R2

Ghép CC-CE Ghép CB-CE Ghép CB-CC

Hình 4-4
Bài 4 : Khuếch đại đa tầng
b. Ghép Darlington : T1

T2
vo vi T2 vo
T1 vo T1
vi T2 vi

CE-CE CC-CC CB-CB

Hình 4-5

I.2. PHÂN TÍCH M CH KHU CH Đ I ĐA T NG GHÉP RC KIỂU CE-

CE
Hình 4-6a là sơ đồ mạch khuếch đại đa tầng ghép RC kiểu CE-CE.
VCC = 12V

Rc1 Rb1-2 Rc2

Rb1-1 1K 1K C7
100K Vo
10K C5

+
β2 =250
22MF

+
C1 T2

β1 =250
T1 22MF
+

22MF
Rb2-2
Vi Rb2-1
+ 27K Re2 +
4K7 Re1 C2 C6
4,7MF 120 0,1MF
470

0 Hình 4-6a 0

Zi
ib1 Zi2
B1 C1 Vo1 B2
ib2 C2 Vo2

Vi
Rb1-1//Rb2-1 Rc1 Rb1-2//Rb2-2 Rc2
hie1 hie2
RBB1 RBB2 hfe2.ib2
hfe1.ib1
E1 E2 Zo
Hình 4-6b Mạch tương đương AC

Khảo sát DC :

VBB1 = RBB1 =
- Với T1 : Rb1−1 Rb 2−1
R b 2−1
R b1−1 + R b 2−1
VCC Rb1−1 + Rb 2−1
VBB1 − V BE I E1 ≈ I C1 = βI B1
I B1 =
RBB1 + (1 + β ) Re1
⇒
= 25 mV
h fe1
hie1
R BB 2 =
- Với T2 : I C1 (mA) Rb1− 2 Rb 2− 2
Rb1− 2 + Rb 2− 2
VBB2 =
R b 2− 2
R b1− 2 + R b 2− 2
VCC

VBB 2 − V BE
⇒ = I E 2 ≈ I C 2 = βI B2
R BB 2 + (1 + β ) Re 2
I B2

= 25 mV
h fe 2
hie 2
I C 2 (mA)
 Bài 4 : Mạch ghép đa tầng
Khảo sát AC :
- Tổng tr ngõ vào của tầng T2 :
Z in 2 = R BB 2 // hie 2 = Rb1− 2 Rb 2− 2 hie 2
- Độ lợi điện áp Av1 của tầng T1 :

Av1 = out1 = o1 . b1 = −
v v i h fe1 ( Rc1 // R BB 2 // hie 2 )
vin1 ib1 vi1 hie1
- Độ lợi điện áp Av2 của tầng T2 :

= (− h fe 2 .RC 2 )⎜⎜
⎛ 1 ⎞
Av 2 = = ⎟⎟
vout 2 vo 2 ib 2
⎝ hie 2 ⎠
.
vin 2 ib 2 v i 2
- Độ lợi điện áp toàn mạch : Avo = Av1 x Av2

= (− h fe 2 .RC 2 )⎜⎜ − h fe1 .

⎛ ⎞⎛ 1 ⎞
Av 2 = = ⎟⎟⎜⎜ ⎟⎟
Hay: vout 2 vo 2 ib 2 ib1 RC1 // R BB 2
⎝ RC1 // RBB 2 + hie 2 ⎠⎝ hie1 ⎠
. .
vin 2 ib 2 ib1 vi 2
- Tổng tr vào toàn mạch : Zi = Zi1 = RBB1//hie1= Rb1-1 // Rb2-1 //hie1
- Tổng tr ra toàn mạch : Zo = RC2

I.3. PHÂN TÍCH M CH KHU CH Đ I ĐA T NG GHÉP RC KIỂU CE-

CC
Hình 4-7a là sơ đồ mạch khuếch đại đa tầng ghép RC kiểu CE-CC.
VCC = 12V

Rc1 Rb1-3
Rb1-1 1K

β3=250
27k
10K C3
+

C1 T3

β1=250
T1 22MF
Vo
+

22MF
Rb2-3
Vi Rb2-1
+ 47k Re3
4K7 Re1 C2
4,7MF 1K
470

0 0
Hình 4-7a

Zi
B1 ib1 C1 ib3 hie3
Vo1 Zi3 B3 Vo2

Vi
Rb1-1//Rb2-1 Rc1 Rb1-3//Rb2-3 Re3.hfe3
hie1
RBB1 RBB3
hfe1. ib1

E1 Zo

Hình 4-7b: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ

Giải tích tương tự như khi khảo sát mạch mục I.2, ta dễ dàng tìm được các kết quả sau :

hie1 = 25 mV
Khảo sát DC : h fe1
- Với T1 :
I C1 (mA)
hie3 = 25 mV
- Với T3 : h fe 3
I C 3 (mA)
Bài 4 : Khuếch đại đa tầng
Khảo sát AC :
- Tổng tr ngõ vào của tầng T3 :
Z in 2 = R BB 3 [hie3 + Re3 .h fe 3 ]

[ ]
- Độ lợi điện áp Av1 của tầng T1 :
⎡ 1 ⎤
Av1 = = . = − h fe1 [ Rc1 RBB 3 //( hie 3 + Re3 .h fe3 )] .⎢ ⎥ = −
vout1 vo1 ib1 h fe1 ( Rc1 Z in 3 )
⎣ hie1 ⎦
Av 3 = 1
vin1 ib1 vi1 hie1
- Độ lợi điện áp Av2 của tầng T2 mắc theo kiểu CC :
- Độ lợi điện áp toàn mạch : Avo = Av1 x Av3
- Tổng tr vào toàn mạch : Zi = Zi1 = RBB1//hie1= Rb1-1 // Rb2-1 //hie1
⎛ h + ( RC1 // RBB 3 ) ⎞
Z o = Re3 // ⎜ ie3 ⎟
⎜ ⎟
- Tổng tr ra toàn mạch :
⎝ h fe 3 ⎠
 Bài 4 : Mạch ghép đa tầng
PH N II : TI N TRÌNH THÍ NGHI M
Sau khi đã hiểu kỹ những vấn đề lý thuyết được nhắc lại và nhấn mạnh ở PH N I,
phần này bao gồm trình tự các bước phải tiến hành tại phòng thí nghiệm.

II.1. KHU CH Đ I GHÉP ĐA T NG RC (M ch A4-1)

1. Mạch thí nghiệm : (Hình 4-1)
2. Cấp nguồn +12V của nguồn DC POWER SUPPLY cho mạch A4-1.
II.1.1 Khảo sát DC t ng t ng đ n :
100
100uF 10K 1K 27K
100K 1K
IN J4 22uF
C7
J2 T3
T1 J3 330p 22uF
T2
22uF
J1
22uF
J5

4K7 470 4u7 27K 1K 27K 120 0.1

A
T1:T3 - C1815
Hình 4-1: Mạch khuếch đại ghép đa tầng (Mạch A4-1)
(Chú ý: Khi có tín hiệu nhiễu cao tần, tụ C6 để tạo mạch phản hồi âm khử nhiễu)
1. T ng T1 : Xác định điểm làm việc tĩnh Q1 (ICQ1, VCEQ1) của transistor T1 :
Đo điện áp tại điểm A : VA = .............................................................................
Đo điện áp VCEQ1 = ............................................................................
VA − VCEQ1
⇒ I CQ1 =
R3 + R4
= ...........................................................................

Vậy : Q1 (ICQ1, VCEQ1) = ...........................................................................

2. T ng T2 : Xác định điểm làm việc tĩnh Q2 (ICQ2, VCEQ2) của transistor T2 :
Đo điện áp VCEQ2 = ............................................................................
VA − VCEQ1
⇒ I CQ 2 =
R10 + R11
= ...........................................................................

Vậy : Q2 (ICQ2, VCEQ2) = ...........................................................................

3. T ng T3 : Xác định điểm làm việc tĩnh Q3 (ICQ3, VCEQ3) của transistor T3 :

VA − VCEQ 3
Đo điện áp VCEQ3 = ............................................................................
⇒ I CQ 3 = = ...........................................................................
R7
Vậy : Q3 (ICQ3, VCEQ3) = ...........................................................................
Bài 4 : Khuếch đại đa tầng

II.1.2 Khảo sát AC t ng t ng đ n: Vẫn cấp nguồn +12V cho mạch A4-1.
II.1.2.A Khảo sát AC t ng T1 :
1. Xác định độ lợi điện áp Av1 và độ lệch pha ΔΦ1 của tầng T1 :
♦ Khảo sát riêng tầng T1 như hình 4-2.
♦ Dùng tín hiệu AC từ máy phát sóng (FUNCTION GENERATOR) để
đưa đến ngõ vào IN của tầng T1 và chỉnh máy phát để có: Sóng Sin, f=
10Khz. Điều chỉnh biên độ máy phát tín hiệu đưa vào ngõ vào IN sao cho
biên độ tín hiệu tại ngõ ra OUT của T1 không bị méo dạng.

10K 1K

Function C1815 Osciloscope

OUT 22uF
Generator
ATS-11N In Ext

4K7 470 4u7

Hình 4-2: Mạch khuếch đại dùng tầng T1 (Mạch A4-1)

♦ Dùng dao động ký để quan sát tín hiệu và ghi nhận điện áp ngõ vào VIN
và ngõ ra VOUT (tại cực C của T1) ghi kết qủa vào bảng dưới.
Thông số c n đo Tr số đi n áp vào VIN (p-p) =
VOUT
VOUT(p-p)
Độ l i đi n áp Av1=
VIN(p-p)
Độ l ch pha ΔΦ

2. Xác định tổng trở vào của tầng T1 : (Hình 4-3)

Bước 1: Giữ nguyên biên độ tín hiệu vào VIN1 ,
Bước 2: Mắc biến tr VR 10K (trên thiết bị ATS) với ngõ vào IN của T1 như hình 4-
3.
Bước 3: Chỉnh biến tr VR cho đến khi biên độ tín hiệu ra VIN = 0,5 VIN1
 Bài 4 : Mạch ghép đa tầng
Bước 4: Tắt nguồn, dùng VOM (DVM) đo giá trị của VR.
Đây chính là giá trị tổng tr vào Zin1 = ……………

10K 1K

10K
Function C1815 Osciloscope
OUT VR 22uF
Generator
ATS-11N In Ext

4K7 470 4u7

Hình 4-3: Cách xác định tổng trở vào Zi của T1

3. Xác định tổng trở ra của tầng T1 : : (Hình 4-4)

Bước 1: Giữ nguyên biên độ tín hiệu vào VIN1. Đo VOUT1 = ………
Bước 2: Mắc biến tr VR10K (trên thiết bị ATS) với ngõ ra OUT của T1 như hình 4-
4.
Bước 2: Chỉnh VR cho đến khi biên độ tín hiệu ra VOUT = 0,5 VOUT1
Bước 3: Tắt nguồn, dùng VOM (DVM) đo giá trị của VR.
Đây chính là giá trị tổng tr ra Zout1 = ………

10K 1K

Function C1815 Osciloscope

OUT 22uF
Generator 10K VR
ATS-11N In Ext

4K7 470 4u7

Hình 4-4: Cách xác định tổng trở ra Zo của T1

So sánh các giá trị đo được trên với các kết qủa tính phần Câu hỏi chuẩn b
nhà (Ph n I) trong Báo Cáo Thí Nghi m. Ghi nhận xét vào bảng A4-1
Bài 4 : Khuếch đại đa tầng

Bảng A4-1
Thông số Tính toán lý thuy t Đo đ c thực nghi m
Av1
ΔΦ1
Zin1
Zout1
Nhận xét

II.1.2.B Khảo sát AC t ng T2 : Vẫn cấp nguồn +12 V cho mạch A4-1

♦ Ngắn mạch J2 để khảo sát tầng T2 như hình 4-5.

100K 1K
22uF

OUT IN J2
Funct i on 22uF Osci l oscope
Gener at or
C1815
ATS- 1 1N In Ext

27K 120 0.1

Hình 4-5 Mach khu ch đ i dùng t ng T2 (M ch A4-1)

♦ Tương tự đo các thông số Av2, ΔΦ2, Zin2, Zout2 ghi kết qủa vào bảng A4-2
♦ So sánh các giá trị đo được trên với các kết qủa tính phần Câu hỏi chuẩn b
nhà (Ph n I) trong Báo Cáo Thí Nghi m. Ghi nhận xét vào bảng A4-2
Bảng A4-2
Thông số
Tính toán lý thuy t Đo đ c thực nghi m
Av2
ΔΦ2
Zin2
Zout2
Nhận xét
 Bài 4 : Mạch ghép đa tầng

II.1.2.C Khảo sát AC t ng T3 : Vẫn cấp nguồn +12 V cho mạch A4-1
♦ Nối tín hiệu AC từ máy phát vào tụ C3 để khảo sát riêng tầng T3.
♦ Tương tự đo các thông số Av3, ΔΦ3, Zin3, Zout3 ghi kết qủa vào bảng A4-3
♦ So sánh các giá trị đo được trên với các kết qủa tính phần Câu hỏi chuẩn b
nhà (Ph n I) trong Báo Cáo Thí Nghi m. Ghi nhận xét vào bảng A4-3
Bảng A4-3
Thông số Tính toán lý thuy t Đo đ c thực nghi m
Av3
ΔΦ3
Zin3
Zout3
Nhận xét
♦ Dựa vào k t qủa đo được bảng A4-1, 2, 3 tính Av (Av tính) nếu ghép liên tầng
:
- T1&T2 : Av1,2 (tính) = Av1.Av2 =
…………………………………
- T1&T3&T2 : Av1,3,2 (tính) = Av1.Av3. Av2 =
…………………………………

II.1.3 Khảo sát m ch khu ch đ i ghép 2 t ng RC (dùng transistor T1 & T2) :

♦ Vẫn cấp nguồn +12 V cho mạch A3-1 (Hình 4-6)
♦ Ngắn mạch J1, J4 để ghép 2 tầng khuếch đại T1 & T2 bằng mạch C5-R8//R9.

100
100uF 10K 1K 27K
100K 1K
IN J4 22uF
C7
J2 T3
T1 J3 330p 22uF
T2
22uF
22uF
J1
J5

4K7 470 4u7 47K 1K 27K 120 0.1

T1:T3 - C1815
Hình 4- 6: Mach khu ch đ i đa tâng ghép RC dùng T1 & T2
♦ Đưa tín hiệu AC từ máy phát sóng để đưa đến ngõ vào IN của mạch khuếch đại.
Chỉnh máy phát tín hiệu : Sóng Sine, f= 10 Khz, và điều chỉnh biên độ máy phát
tín hiệu ngõ vào IN sao cho biên độ tín hiệu tại ngõ ra OUT của T2 không bị

1. Ghi nhận độ lợi Av1,2 và độ lệch pha ΔΦΣ1,2 của ngõ vào và ngõ ra ghi kết qủa
méo.

vào bảng A4-4.

2. Đo tổng tr ngõ vào của mạch liên tầng T1& T2 : Zin1,2 =
…………………..
3. Đo tổng tr ngõ ra của mạch liên tầng T1& T2 : Zout1,2 =
…………………..
Bảng A4-4
Bài 4 : Khuếch đại đa tầng
Thông số c n đo Tr số đi n áp vào VIN (p-p) =
VOUT
VOUT(p-p)
Độ l i đi n áp Av1,2 =
VIN(p-p)
Độ l ch pha ΔΦΣ1,2
Tổng tr vào toàn m ch Zín1,2
Tổng tr vào toàn m ch Zout1,2

♦ So sánh hệ số khuếch đại Av (tính) khi ghép liên tầng T1,T2 với kết qủa Av đo
được bằng thực nghiệm . Giải thích.
..........................................................................................................................................
............................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
♦ Tính h số m t mát khi nối liên t ng:
ΔAv (CR) [%] = [Av (tính) –Av (đo)].100/ Av(tính) = ............................................
II.1.4 Khảo sát m ch khu ch đ i ghép 2 t ng T1,T2 qua t ng lặp Emitter T3
(T1,T3& T2) :
♦ Vẫn cấp nguồn +12 V cho mạch A3-1, (Hình 4-7)
♦ Ngắn mạch J1, J3, J5 để ghép 2 tầng khuếch đại T1, T2 qua tầng lặp T3.

100
100uF 10K 1K 27K
100K 1K
IN J4 22uF
C7
J2 T3
T1 330p T2 22uF
J3 22uF
22uF
J1
J5

4K7 470 4u7 27K 1K 27K 120 0.1

T1:T3 - C1815

Hình 4-7 : Bộ khuếch đại với bộ lặp lại emitter ghép tầng

♦ Đưa tín hiệu AC từ máy phát tín hiệu để đưa đến ngõ vào IN của mạch khuếch
đại. Chỉnh máy phát tín hiệu : Sóng Sine, f= 10 Khz, và điều chỉnh biên độ máy
phát tín hiệu ngõ vào IN sao cho biên độ tín hiệu tại ngõ ra OUT của T2 không bị
méo.

1. Ghi nhận độ lợi Av và độ lệch pha của ngõ vào và ngõ ra ghi kết qủa vào bảng
A4-5.
2. Đo tổng tr ngõ vào của mạch liên tầng T1, T3 & T2 : Zin,1,3,2 =
…………………..
3. Đo tổng tr ngõ ra của mạch liên tầng T1, T3 & T2 : Zout1,3,2 =
…………………..
 Bài 4 : Mạch ghép đa tầng
Bảng A4-5
Thông số c n đo Tr số đi n áp vào VIN (p-p) =
VOUT
VOUT(p-p)
Độ l i đi n áp Av1,3,2 =
VIN(p-p)
Độ l ch pha ΔΦΣ1,3,2
Tổng tr vào toàn m ch Zin1,3,2
Tổng tr vào toàn m ch Zout1,3,2

♦ So sánh kết qủa Av1,3,2 (tính) khi ghép liên tầng T1,T3,T2 với kết qủa Av1,3,2 đo
được bằng thực nghiệm. Giải thích.
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
♦ Tính h số m t mát khi nối liên t ng:
ΔAv (T3) [%] = [Av1,2,3 (tính) –Av (đo)].100/ Av(tính) = ........................................

♦ So sánh giá tr h số m t mát h số khu ch đ i trong hai trư ng h p nối t ng

bằng m ch CR và bằng t ng lặp l i emitter. Giải thích k t quả
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
♦ Giải thích vai trò của t ng đ m trong các m ch ghép liên t ng.
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................

II.2. KHU CH Đ I VI SAI (M ch A3-2)

đồ nối dây : (Hình 4-8)
♦
II.2.1 S

♦
Cấp nguồn +12V cho mạch A3-2
Ngắn m ch cực E1 và E2 để bỏ qua vai trò của biến tr P2
♦ Nối J3, J4 để sử dụng các biến tr P1, P4 = 20K chỉnh phân cực cho T1, T2.
Bài 4 : Khuếch đại đa tầng
R1

R5 R6 100
R2 B C1
2K 2K OUT R10
10K V R7 1K
5K1
0.1
A J4
P1 P2 P4
20K 100K 20K

R3 P3 R9
47K 5K 47K
R8
1K5 390
D
T1:T3,T5:T6 -C1815

Hình 4-8: Sơ đồ khuếch đại vi sai

II.2.2 Các bước thí nghi m:

II.2.2A. Sử dụng tải là điện trở R4 :
♦ Nối J1 để sử dụng tải là R4.
1. Vặn cả hai biến tr về nối đất . UB(T1) = UB (T2) = 0.
2. Dùng đồng hồ đo chênh lệch thế giữa hai collector (C1 và C2) của cặp transistor vi
sai T1 - T2. Ghi giá trị Ura = ……………….. Nếu Ura = Uoffset ≠ 0 , giải thích
nguyên nhân vì sao?
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................

3. Xác định chiều thế Ura, để xem transistor nào trong T1 –T2 cấm hơn. Vặn từ từ biến
tr lối vào của nó cho đến khi thế ra Ura= 0. Đo thế UB0 tương ứng ghi vào bảng A4-6.
Bảng A4-6
Ura UB0 (T1) UB0 (T2)
=0v

4. Vặn các biến tr P1 và P4 để tăng dần từng bước UB (T1) hoặc UB (T2). mỗi bước,
đo các giá trị thế lối vào UB (T1) và UB (T2) và giá trị thế ra Ura tương ứng. Xác lập
giá trị hệ số khuếch đại vi sai ứng với từng cặp UB (T1), UB (T1) theo biểu thức :
Av = (Ura-Uoffset) / UB (T1) - UB (T2)
Bảng A4-7
UB (T1)
UB (T2)
Ura
Av

5. Xác định khoảng UB (T1) và UB (T2) mà hệ số Av không đổi.

..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
 Bài 4 : Mạch ghép đa tầng
II.2.2B. Sử dụng tải là nguồn dòng:
♦ Ngắt J1, nối J2 để sử dụng tải là nguồn dòng T3.
♦ Lặp lại thí nghiệm trên (bước 4, 5) ghi vào bảng A4-8
Bảng A4-8
UB (T1)
UB (T2)
Ura
Av

♦ So sánh kết quả cho 2 trường hợp. Giải thích vai trò của T3.
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
..........................................................................................................................................