Chương 4 :

Đại lượng Ký hiệu Đại lượng Ký hiệu

kB =
Bước sóng λ Hằng số Boltzman
1,38.10-23
Đáp ứng của APD RAPD Hệ số hấp thụ vật liệu α

Điện dung tiếp giáp C Hệ số khuếch đại APD M

Đáp ứng của bộ thu quang R Hệ số khuếch đại tối ưu (APD) Mopt
q= Hệ số nhiễu khuếch đại (hình
Điện tích nguyên tử : Fn
1.6 .10-19 ảnh nhiễu k.đại)
Điện trở tải bộ thu RL Hệ số nhiễu trội FA

Độ nhạy thu
PREC Hiệu suất lượng tử η
(Công suất thu tối thiểu)

Độ rộng băng tần

Δf Hệ số nhiễu trội x
(băng tần nhiễu hiệu dụng)

Dòng nhiễu hiệu dụng σ Nhiệt độ bộ thu quang T (K)

Dòng nhiễu nhiệt hiệu dụng σT Phương sai nhiễu tổng σ2

Dòng nhiễu nổ hiệu dụng σs Thời gian chuyển tiếp τTR

Dòng photo trung bình Ip Thời gian đáp ứng τRC

Dòng tối Id Thời gian lên Tr

Năng lượng giải cấm Eg Tỷ số nhiễu trên tạp âm SNR
h=
Năng lượng sóng E Hằng số flang
6.625.10-34

Năng lượng photon : E = hf = hc/ λ

1
Bước sóng dài nhất để p-i-n hoạt động là : E > Eg

λ < λth = hc/Eg

Với W là bề dày tấm bán dẫn

1
Đáp ứng của bộ thu quang : Rl= 2 πΔfC (điện trở tải)

với λ tính theo μm

Đáp ứng của APD

2
Nhiễu trong PIN

- Phương sai Nhiễu dòng tối: σs2= 2qIdΔf

- Phương sai Nhiễu lượng tử: σT2= 2qIpΔf
- Phương sai Nhiễu nổ : σs2= 2q(Ip+Id)Δf
- Phương sai Nhiễu nhiệt : σT2 = (4kBT / RL)FnΔf
- Phương sai nhiễu tổng : σ2 = σs2 + σT2
- Công suất nhiễu nhiệt Pσs = RL* σT2
- Công suất nhiễu nổ PσT = RL* σs2
- Công suất tín hiệu điện P = RL* Ip2

3
- Hệ số khuếch đại tối ưu của APD:

4
Độ nhạy thu (Receiver Sensitivity) là công suất thu tối thiểu để đạt được giá trị BER theo yêu
cầu

5
.

6
7