공동 실험 실습관

1-1. 홀더높이에 맞춰 샘플을 붙이고

1-2. TEM용 grid를 수량에 맞게 설치한다. 이때 grid의 O형 구멍이 오른쪽으로 가도록

grid를 놓고 원형레버를 돌려 조인다.

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1-3. 잠금걸쇠를 열고 VENT버튼을 3초이상 눌러 게이트를 VENT한다.

1-4. VENT가 완료되면 게이트를 연다.

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1-4. 홀더를 사진과 같은 방향으로 설치한다.

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1-5. 잠금걸쇠를 다시 잠그고

Evac버튼을 3초이상 눌러 게이트의 진공을 잡는다.

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1-6. Evec버튼의 깜빡임이 멈추면

세워져있는 로드를 눕힌다. 이때 로드에는 진공
에의한 힘이 직용하고 있어 약간 당기는 힘으로
로드를 눕힌다.
그러나 너무 당기면 옆의 흰색 안전장치를 누를
수 없으므로 적당한 힘으로 당긴다

1-7. 로드를 끝까지 밀어 넣고 다시 끝까지뺀

후 들어올려 세워놓는다.
(로드 끝단의 홈이 흰색 화살표 표시선까지 오도
록 뺀다)

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1-8. 홀더를 넣으
면 자동으로 홀더
창이 뜨고 이때 알
맞은 홀더를 선택
한다
1-9. 홀더를 선택
하면 진공을 시작
하고 진공이 완료
되면 SEM의 빔을
켠다

1-10. SEM버튼을
눌러 스테이지를
SEM상태로 올린다

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1-10. SEM작동버튼

1-11. FIB작동버튼

스테이지 작동버튼

1-12. FIB 및 SEM 조정창

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1-13. Fzadj버튼을 누르면 작은창이 뜨는데 여기서 넥스트를 클릭하고 스텝에따라 진행한
다.
1-14. 스텝2에서 파란 가로줄에 샘플의기준위치가 오도록 스테이지를 움직이고 넥스트를
클릭하면 5도를 기울여 기준점에 있던 샘플이 어느정도 이동했는지를 알 수 있다.
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1-15. 이때 기준위치가 파란 가로줄에서 벗어났다면 U,D버튼을 이동하여 녹색 줄을 샘플의

기준위치에 오도록 이동시킨다.
(C버튼은 센터로 이동)
1-16. 넥스트를 클릭하면 스테이지가 다시 0도로 움직이고 다음스텝으로 넘어가면 53도로
움직인다.
1-17. 이때 기준위치가 움직인다면 녹색 가로줄을 다시 옮겨준다.
1-18. 다음으로 3000배에서 53도를 한번더 진행하고 마무리된다
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1-19. 튜닝버튼을 클릭하

고 먼저 ALP버튼을 클릭한
다.(FIB노즐의 형태를 잡아
주기위한 튜닝)
다음으로 30Kv버튼를 클릭
하고
컨트라스트 노브를 돌려 화
면이 원형테두리가 보일정
도로 밝기를 조절하고
좌우 화살표버튼을 눌러 원
형을 유지하면서 가장 작은
값을 찾는다.
1-20. 조정이 완료되면
Apply버튼을 눌러 설정값
을 저장한다.
(이때 사용할 전압은 모두
조정한다)

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1-21. 다음으로 sem화

면과 FIB화면을 일치시키
기 위하여
Coinsidence버튼을 클
릭한다.
이때 SEM화면과 FIB화면
의 이미지쉬프트를 초기
화 하기 위하여 리셋버튼
을 둘다 클릭한다.
(시작하기 전 샘플에 십
자모양의 홈을 파 놓으면
편하게 진행할 수 있음)
1-22. 스테이지를 움직
여 SEM화면의 중앙에 샘
플을 놓고 이때 FIB화면
에서도 샘플이 중앙에 오
도록 얼라인먼트값을 조
정한다.
조정이 완료되면 Apply
버튼을 눌러 설정값을 저
장한다.

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1-23. 다음으로 빔버튼을 클릭한다.

(빔의 크기에따른 위치가 달라지지 않도록 보정,
표면의 십자모양의 홈을 기준으로 맞춤)
(먼저 12번 빔을 클릭하여 보정한 후 나머지 빔
들을 12번에 맞춰 보정한다.)
12번 빔을클릭했으면 초점을 맞추고
아래 얼라인먼트값을 조정하여 이미지가 중앙에
오도록 맞춘 후 Apply버튼을 눌러 설정값을 저
장한다.
그리고 다운버튼을 클릭하여 데포용 GIS노즐이
내려왔을때도 얼라인먼트값을 조정하여 이미지
를 일치시킨 후 Apply버튼을 눌러 설정값을 저
장한다.
1-24. 12번 빔을 조정하였으면 13번 빔부터
모든빔을 차례대로 조정한후 OK버튼을 누른다.
(매 순간마다 Apply버튼을 눌러 설정값을 저장
한 후 다음으로 넘어가야 함)

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2-1. 가공을 위하여 FIB의 12번 빔을 선택한다.

그후 FIB 이미지창을 선택하고
스캔2 버튼을 클릭한 후 3회 스캔이 완료되면
FRZ버튼을 눌러 화면을 정지시킨다.

(화면이 정지하여야 도형버튼이 활성화됨)

2-2. 먼저 프로세스 세팅탭을 눌러 창을 활성화
시키고
도형버튼을 이용하여 가공하고싶은 모양을 그리
거나
오픈버튼을 눌러 기존 레시피를 불러올 수 있다.

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2-3. 도형을 그리면 하단에 내용이 표시되고 이것중 하나를 클릭하여 오른쪽에서 가공종류,
빔의 크기, 가공시간 등을 조정할 수 있다.
가공종류:데포, 라피드, 밀 , 가공시간:dose(가공시간), um(가공깊이) 선택
빔의크기:가공속도에따라 선택 도형의 크기, 위치 등을 정할 수 있음
2-4. 지정이 완료되면 목록에서 모두 체크한 후 플레이버튼을 클릭하면 가공을 시작한다.
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2-5. 가공이 완료되면 SEM버튼을 클릭하여 스

테이지를 SEM상태로 놓고 화면을 정지시킨 후
FIB가공을 이용하여
샘플을 그림과 같이 절단한다.

절단이 완료되면 니들을 샘플에 붙이고 나머지

부분을 절단하여 샘플을 떼낼 수 있다.

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3-1. insert버튼을 클릭하면 니들이 Park위치로 이동한다.

(이때 최저배율에서 니들 끝단이 보임)

3-2. Eucentric High를 클릭하고 GOTO버튼을 클릭하면 니들이 샘플 상단 300um위치

로 이동한다.

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3-3. X/Y버튼을 클릭하고 상하좌우버튼을 사용하여 니들을 SEM화면에서 샘플 상단으로 옮

긴다.
(숫자를 클릭하여 니들의 이동속도를 정하면 보다 안전하게 니들을 옮길 수 있다)

주의 : Port는 움직임의 기준이 니들에서 바라본 방향이고 Stage는 이미지 화면 기준임

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3-4. Z버튼을 클릭한 후 상하버튼을 클릭하여

FIB화면에서 니들이 샘플의 상단에 오도록 한다.
(배율을 높이고 니들 속도를 조절하여 샘플의
3um위까지 위치시킨다)

3-5 밸브의 진동으로 샘플과 부딛혀 샘플이 떨

어지므로 니들에 샘플을 붙이기 전에 진동이 발
생할 수 있는 것을 제거해야 함.
가. GIS버튼을 클릭하여 노즐을 삽입하고 밸브
를 연다.(넣기
(밸브를 장시간 열어놓으면 샘플에 데포가 많이
쌓이게 됨)

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3-6. Z의 상하버튼을 이용하여 니들을 샘플에 붙인후

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3-7. 프리즈 버튼을 클릭하여 FIB화면을 정지

시키고
도형버튼을 클릭하여 니들과 샘플 사이에 사각
형 도형을 그린다. (사진보강)
3-8. 사각형 도형을 클릭하면 하단에 상태창이
표시되고 여기서 데포버튼을 클릭하고 빔의 크
기를 선택한다.
(데포의 시간이 2.5분 이상되도록 선택 더작은
시간 선택 시 샘플에 데미지 생길 수 있음)

3-9. 리스트를 체크 후
플레이버튼을 눌러 데포를 진행한다

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3-10. 데포가 완료되면 GIS노즐을 닫고 샘플이

붙어있는 나머지부분을 떼어낸 다음 샘플을 들
어올린다. (사진보강)

3-11. Z의 상 버튼을 이용하여 샘플을 들어올

린다
3-12.Park를 클릭하고 GOTO버튼을 눌러 니
들이 안전한 위치로 가도록 한 후 니들을 빼낸다

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3-12.떼어낸 샘플이 안전한 위치까지 들어올린

후 GIS노즐을 빼내고
3-13.POS버튼을 눌러 POS창을 실행시킨다.

3-14.파일명 L1 클릭 후 move버튼을 클릭하

면 스테이지가 그리드의 위치로 이동한다
3-15.스테이지의 유센트릭을 확인한 후

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3-16. 그리드의 위치를 정하면

3-17.인서트버튼을 눌러 니들을 넣고 유센트릭
하이를 클릭한 후 GOTO버튼을 클릭한다.

3-18. SEM화면을 보면서 XY버튼을 클릭하여

샘플이 그리드 중앙에 오도록 한 후

3-19. FIB화면을 보면서 Z 하향버튼을 클릭하

여 샘플이 그리드의 상단에 오도록 한다
(하강도중에 SEM화면을 수시로 체크하여 다른
곳으로 이탈하지 않도록 해야 그리드와 니들의
충돌을 방지함

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