Chương I

TỔNG QUAN VỀ THÔNG TIN SỢI QUANG

1.1. Khái quát chung

Từ xa xưa, một trong những điều quan tâm chủ yếu trong cuộc sống của loài
người là tìm ra các hệ thống thông tin để gửi đi các bản tin từ nơi này đến nơi khác.
Bất kỳ một hệ thống thông tin nào cũng gồm các phần tử cơ bản như trên hình vẽ
1.1.

Hình 1.1. Các phần tử cơ bản của hệ thống thông tin quang

Các phần tử này cũng bao gồm cả nơi đầu tiên của nguồn tin là nơi đưa một
bản tin tới máy phát. Máy phát tập hợp các bản tin trong kênh truyền dẫn ở cùng một
dạng tín hiệu và sắp xếp theo đặc tính của kênh. Kênh truyền dẫn là cầu nối khoảng
cách trung gian giữa máy phát và máy thu, nó có thể là các đường truyền dẫn như cáp
kim loại, ống dẫn sống, hoặc truyền dẫn trong không khí. Khi tín hiệu lan truyền
trong kênh truyền dẫn nó có thể bị ảnh hưởng tới hai mặt đó là bị suy giảm và bị biến
dạng tín hiệu theo sự tăng của khoảng cách truyền lan. Chức năng của máy thu là thu
nhận tín hiệu đã bị suy yếu và méo dạng từ kênh truyền dẫn, khuếch đại chúng và hồi
phục chúng trở lại nguyên dạng giống như trước khi chúng được chuyển đến nơi nhận
tin.

1.1.1. Các hình thức của hệ thống thông tin

Trong lịch sử thông tin có rất nhiều các hệ thống thông tin xuất hiện. Sự thúc
đẩy chủ yếu sau mỗi một dạng mới là cải tiến cách thức truyền dẫn cũ nhằm tăng số
lượng đường kênh, tốc độ số liệu để có thể gửi đi được nhiều bản tin hơn nữa hoặc là
tăng cự ly giữa các trạm chuyển tiếp.

1
 Hình 1.2. Các ví dụ ứng dụng hệ thống thông tin liên lạc trong phổ điện từ.

Trước đây tất cả các hệ thống tất cả các hệ thống thông tin đều có tốc độ chậm
và chủ yếu là âm thanh và quang học như dùng tù và, trống, kèn và đèn tín hiệu. Một
trong những đường truyền dẫn quang sớm nhất được người ta biết tới đó là lửa của
người Hy lạp sử dụng vào thế kỷ thứ 8 trước công nguyên để gửi đi các tín hiệu báo
động gọi nhau khi cần cấp cứu hoặc thông báo về các sự kiện xảy ra, ở đây duy nhất
chỉ có một kiểu tín hiệu. Trong thế kỷ thứ 4 trước công nguyên, thông tin được truyền
qua các trạm chuyển tiếp và vào khoảng năm 150 trước công nguyên các tín quang
này được mã hoá trong sự giao tiếp theo một quy luật nhất định để bất kỳ một bản tin
nào cũng có thể được gửi đi. Song sự tiến triển của các hệ thống thông tin này là
không tích cực vì có sự hạn chế về công nghệ do máy thu tin là mắt người đòi hỏi

2
hướng nhìn theo đường thẳng và do tác động của khí quyển như mưa, mây mù,
sương... làm cho đường truyền không đáng tin cậy. Vì vậy khi này người ta chuyển
sang hình thức thông tin nhanh hơn và hiệu quả hơn là gửi tin bằng hình thức qua
người đưa thư trên các con đường.

Hình 1.3. Phổ điện từ

a. Phân bố tần số và bước sóng b. Phần nhìn tháy của phổ điện

Sự phát minh ra máy điện báo vào năm 1838 đã báo hiệu một kỷ nguyên thông tin
mới, đó là kỷ nguyên của thông tin điện. Dịch vụ điện báo thương mại đầu tiên được
sử dụng dây kim loại được thực hiện vào năm 1844 và sau đó nó được phát triển
nhanh chóng và rộng rãi trên khắp thế giới. Việc sử dụng cáp kim loại trong truyền
dẫn tin được mở rộng cùng với sự lắp đặt tổng đài điện thoại đầu tiên vào năm 1878.

Năm 1887 Henrich Hertz phát minh ra sự bức xạ sóng điện từ ở bước sống dài và
vấn đề này được chứng minh về Radio của Guylielmo Marconi năm 1895. Trong

3
những năm sau đó phổ của sóng điện từ được lợi dụng để truyền đạt tin tức từ nơi này
đến nơi khác, tin tức số liệu được truyền trên các kênh thông tin bằng cách xếp chống
các tín hiệu trong một bộ phận làm biến đổi sóng điện từ và nó được biết như là sóng
mang. Tại nơi nhận thì tin tức được tách khỏi sóng mang và chế biến theo yêu cầu.
Việc tăng tần số sóng mang trong băng tần truyền dẫn sẵn có làm tăng khả năng
thông tin lớn hơn. Vì vậy khuynh hướng phát triển của các hệ thống thông tin điện là
dùng các tần số cao hơn và tăng dần (tương đương với dùng sống ngắn hơn) tạo ra
tăng các giao tiếp trong băng tần. Khả năng thông tin được nâng lên, đây là bước
ngoặt dẫn đến sự ra đời của TV, radar và các đường vi ba.

Phần phổ của sóng điện từ được dùng trong thông tin điện được trình bày như
hình vẽ 1-2. Tần số trong phạm vi ứng dụng từ khoảng 300Hz trong băng âm tần đến
khoảng 90GHz trong băng sóng milimeter. Mối trường truyền dẫn sử dụng trong phổ
bao gồm ống dẫn sóng, dây kim loại và không gian. Các hệ thống thông tin dùng các
đường truyền này là tập hợp các máy điện thoại, máy phát thanh AM, FM, truyền
hình (television), bằng sóng radio của dân nghiệp dư CB (citizen's band radio), radar,
các đường vệ tinh (Satellite links)...

Một phần quan trọng khác của phổ sông điện từ bao quanh miền quang học, trong
miền này theo lệ thường người ta dùng ký hiệu bước sống để thay thế cho tần số Phố
quang học được sắp xếp từ khoảng 50m (miền cực tím) đến khoảng 100 um (miền
hồng ngoại), trong đó phổ ánh sáng nhìn thấy (bằng mắt người) từ 400 đến 700 nm.
Người ta đã sử dụng một số vùng bước sóng trong phổ quang học cho một hệ thống
thông tin sợi quang.

1.1.2. Sự phát triển của hệ thống thông tin quang

Điều đáng chú ý nhất trong thông tin quang là sự ra đời của nguồn laser vào
năm 1960. Vì các tần số ánh sáng cỡ 5 x 1014 Hz nên về lý thuyết nguồn laser có dung
lượng thông tin lớn hơn các hệ thống vi ba 105 lần, tương đương bằng 10 triệu kênh
TV.

Với khả năng truyền dẫn băng rộng rất lớn như vậy, trong đầu những năm
1960, người ta đã thực hiện một số các thí nghiệm sử dụng các kênh ánh sáng không
khí để truyền tín hiệu. Các kết quả thử nghiệm này cho thấy việc điều chế một sóng
mang ánh sáng kết hợp tại các tần số rất cao là rất khả thi. Tuy nhiên, chi phí lắp đặt,

4
giá các thành phần cần thiết rất cao và những hạn chế của kênh không khí do mưa,
sương mù, tuyết và bụi đã khiến cho các hệ thống có tốc độ rất cao này trở nên kém
hấp dẫn về mặt kinh tế so với nhu cầu dung lượng kênh thông tin lúc đó.

Đồng thời với các thực nghiệm trên là những nghiên cứu đối với sợi quang vì
chúng có thể tạo ra kênh quang tin cậy và linh hoạt hơn kênh không khí. Ban đầu thì
suy hao lớn vô cùng (lớn hơn 1000 dB/km) đã khiến chúng dường như trở nên không
thực tế. Điều này đã được thay đổi vào năm 1966 khi Kao, Hockman và Wertst gần
như đồng thời phán đoán ra rằng những giá trị suy hao lớn này là kết quả của độ
không tinh khiết của nguyên liệu sợi quang và cho rằng có thể giảm được những giá
trị suy hao này tới một giá trị mà ở đó các ống dẫn sóng ánh sáng trở thành môi
trường truyền dẫn khả thi. Điều này đã trở thành hiện thực vào năm 1970 khi Kapron
Keck và Muurer chế tạo một sợi silica có suy hao là 20 dB/km (hệ số suy hao công
suất tín hiệu là 100 lần/km). Tại giá trị suy hao này, khoảng cách bộ lập của các tuyển
sợi quang có thể so sánh với các hệ thống cáp đồng, do đó đã dưa công nghệ sóng ánh
sáng vào thực tế kỹ thuật.

Trong hai thập kỷ tiếp theo, các nhà nghiên cứu đã tập trung nghiên cứu để
làm giảm giá trị suy hao xuống còn 0,16 dB/km (suy hao công suất tín hiệu là 4
%/km) tại bước sóng 1550 nm, một giá trị gần với giá trị lý thuyết là 0,14 dB/km.

Sự phát triển và ứng dụng của các hệ thống sợi quang đã bùng nổ do sự kết
hợp của công nghệ bán dẫn, công nghệ đã cung cấp các nguồn ánh sáng và các bộ
tách quang cần thiết và công nghệ ống dẫn sóng quang. Kết quả là tạo ra tuyến truyền
dẫn thông tin có các ưu điểm nổi bật so với các hệ thống cấp đồng truyền thống:

1. Suy hao truyền dẫn thấp và độ rộng băng lớn. Sợi quang có các giá trị suy hao
truyền dẫn thấp và độ rộng bằng lớn hơn cáp đồng. Điều này có nghĩa là chúng ta
có thể truyền đi nhiều dữ liệu hơn với khoảng cách dài hơn bằng các hệ thống cáp
sợi quang, do đó giảm số lượng cáp và giảm số lượng các bộ lặp cần thiết dẫn đến
giảm chi phi và tính phức tạp của hệ thống.
2. Kích cỡ và trọng lượng nhỏ. Trọng lượng và kích cỡ của sợi quang nhỏ là một ưu
điểm nổi bật so với cáp kim loại kênh càng nặng nề khi lắp đặt trong ống dẫn cấp
ngầm chẳng chịt trong thành phố hay trong các tủ cấp treo trên tưởng. Ưu điểm
này cũng rất quan trọng trong lĩnh vực vũ trụ, về tình, tàu thủy và trong các ứng

5
 dụng chiến thuật quân sự yêu cầu việc lắp đặt và thu hồi một số lượng cặp lớn
trong thời gian ngắn.
3. Chống can nhiễu tốt. Đặc điểm quan trọng nhất này của cáp sợi quang liên quan
đến bản chất điện mới của chúng. Chính bản chất này cho phép các ống dẫn quang
có khả năng chống sét và chống can nhiễu điện từ trường cảm ứng từ các đường
dây mang tín hiệu. Đặc tính này cũng đảm bảo cáp quang không chịu ảnh hưởng
của các hiệu ứng xung, đây là lĩnh vực được đặc biệt quan tâm trong các ứng dụng
quân sự.
4. Cách điện tốt. Vì cáp quang được chế tạo bằng thủy tinh, là chất cách điện, nên
việc tiếp đất là không cần thiết, xuyên âm sợi sang sợi là rất nhỏ và các vấn đề
liên quan đến giao diện của thiết bị trở nên đơn giản hơn. Điều này cũng làm cho
việc sử dụng cáp quang trở nên hấp dẫn hơn trong môi trưởng có điện áp cao vì
cáp quang không tạo ra hổ quang và tia lửa.
5. Bảo mật. Sử dụng cáp quang để truyền dẫn sẽ tăng khả năng bảo mật tín hiệu vi
tín hiệu quang được truyền trong ống dẫn (không một bức xạ ảnh sang nào có thể
lọt ra ngoài vì đều bị hấp thụ bởi lớp vỏ chắn sáng bên ngoài) Điều này làm cho
cấp quang trở nên hấp dẫn trong các ứng dụng mà việc bảo mật thông tin là quan
trọng, thí dụ như ngân hàng các mạng máy tính và các hệ thống quân sự.
6. Nguyên liệu thô sẵn có. Silica là nguyên liệu chính để chế tạo cáp quang Nguyên
liệu này rất sẵn và rẻ vì nó có trong cát thường. Chi phí sản xuất cấp quang phát
sinh tập trung chủ yếu ở khâu tạo thủy tinh tinh khiết từ nguyên liệu thô.

Hình 1.4. Sự phát triển của các hệ thống thông tin quang

6
 Sự chuyển đổi bước sống hoạt động từ 800 nm lên 1300 nm đã cho phép tăng
khoảng cách truyền dẫn các tuyến trung kế thoại đường dài không dùng bộ lập. Trong
các ứng dụng thông tin liên lạc giữa các thành phố, thế hệ thứ nhất ban đầu sử dụng
sợi quang đa mốt nhưng từ năm 1984 chuyển hoàn toàn sang sợi đơn mốt, loại sợi có
suy hao nhỏ hơn và độ rộng bảng lớn hơn rất nhiều.

Tuyến cáp quang biển đầu tiên, gọi là TAT-8, hoạt động với tốc độ 296 Mbit/s
và sử dụng sợi quang 1300 nm đơn mode. Hệ thống này bắt đầu hoạt động từ năm
1988 Trong các mang nội hạt, sợi quang 1300 nm đơn và đa mốt đều được sử dụng.
tốc độ bit từ 10 đến 100 Mbits, khoảng cách thay đổi từ 500 m đến hàng chục km.

Các hệ thống đang hoạt động ở bước sóng 1650 nm cho mức suy hao thấp nhất
nhưng lại có múc tán xạ Lín hiệu lớn hơn ở bước sống 1300 nm. Vì mức tán xạ này
có thể được khắc phục bằng cách sử dụng các sợi quang được chế tạo đặc biệt nên thế
hệ các hệ thống truyền dẫn sợi quang này đã thu hút sự chú ý cho các tuyến truyền
dẫn dưới biển và trên lục địa có khoảng cách truyền dẫn dài và dung lượng lớn. Cả
hai cơ chế tách sóng trực tiếp và kết hợp hiện đang được nghiên cho các tuyến 1550
nm Tách sống kết hợp cho phép cải thiện độ nhạy thu và mức chọn lọc bước sống
nhiều hơn so với tách sóng trực tiếp, đồng thời cho phép sử dụng căn bằng điện để bù
lại các hiệu ứng tán xạ xung ánh sáng trong các sợi quang.

Đặc tính của các hệ thống sợi quang đã được nhanh chóng cải thiện trong một
thời gian ngắn. Trong nhưng năm 1980, tốc độ phát triển được tính bằng tích của tốc
độ bit và khoảng cách truyền dẫn không dùng bộ lập đã là 2 lần/năm. Tuy phát triển
nhanh chóng và có nhiều ứng dụng thành công song công nghệ sống ánh sáng thậm
chí vẫn chưa đạt tới múc hoàn thiện.

Trong tương lai, các hệ thống này còn có các mạng sử dụng toàn quang, bao
gồm cho chuyển mạch, bộ lập và các khối truy nhập mạng trên cơ sở công nghệ
quang. Các ứng dụng bao gồm các mạng cục bộ (LAM), các mạch vòng thuê bao và
phân bố TV. Ngoài ra, truyền dẫn soliton hiện đang được nghiên cứu Soliton là xung
không tấn xạ cho phép sử dụng đặc tính phi tuyến của sợi quảng để loại bỏ các hiệu
ứng tán xạ màu. Các nhà nghiên cứu của AT&T đã thực hiện truyền dẫn các xung
soliton với tốc độ 4 Gbit/s trên cự ly 196 km với sợi quang thông thường và đạt được
mức tán xạ xấp xỉ 15 ps/(nm.km). Đây là một trong những loại sợi quang có Lần xa

7
hạn chế. Sử dụng sợi quang có tán xạ dịch chuyển cho phép tăng khoảng cách truyền
dẫn (cỡ hàng nghìn km).

1.2. Các phần tử của tuyến truyền dẫn sợi quang

Mỗi tuyến truyền dẫn cáp quang thường bao gồm các phần tử như mô tả trong
hình 1.5. Những phần chính là phần phát bao gồm: một nguồn ánh sáng và mạch điều
khiển nguồn ánh sáng, một ống cáp bảo vệ về cơ lý và môi trường cho các sợi quang,
phần thu bao gồm: một khối tách sóng quang, mạch khôi phục và khuếch đại tín hiệu.
Các phần tử phụ là các bộ kết nối quang bộ chia, bộ ghép hay tách tia và bộ lặp. Sợi
quang được bọc cáp bảo vệ là một trong những phần tử quan trọng nhất trong một
tuyến cáp quang. Ngoài việc bảo vệ cho các sợi thủy tinh trong quá trình lắp đặt và
khai thác, ống cáp còn có thể chứa dây dẫn đồng để cấp nguồn cho các bộ lặp. Khi
tuyến cáp quang có khoảng cách truyền dẫn dài thì các bộ lặp là rất cần thiết, nó
khuếch đại và tái tạo lại hình dạng của tín hiệu.

Hình 1.5. Các phần tử cơ bản của hệ thống thông tin quang

8
Chương 2

CÁC BỘ TÁCH SÓNG QUANG

2.1. Khái quát

Tại đấu cuối của đường truyền dẫn quang phải có dụng cụ thu và chuyển đổi
các thông tin được chứa trong tín hiệu quang. Phần tử đầu tiền của máy thu là bộ tách
quang (hay còn gọi là bộ biến đổi điện quang). Bộ tách quang cảm nhận năng lượng
quang chiếu vào nó biến đổi các năng lượng quang thành dòng điện tương ứng. Do
tín hiệu quang nói chung là yếu và bị méo khi xuất hiện ở đầu cuối sợi quang, nên bộ
tách quang phải có yêu cầu là tái tạo lại dạng tín hiệu. Trong số những yêu cầu đầu
tiên là đáp ứng cao hoặc độ nhạy cao trong phạm vi bước sóng bức xạ của nguồn
quang đang sử dụng, sự tăng nhiễu là nhỏ nhất cho hệ thống, và tốc độ đáp ứng phải
nhanh hoặc là độ rộng bằng tần hiệu dụng phải tương ứng với tốc độ truyền của số
liệu được yêu cầu. Bộ tách quang cũng sẽ phải không nhạy với nhiệt độ, phải tương
hợp với kích cỡ của sợi quang, có gia thành hợp lý so với các thành phần khác của hệ
thống và phải có tuổi thọ cao. Tuy nhiên rất nhiều bộ tách không có một hoặc nhiều
các yêu cầu trên.

Có nhiều loại bỏ tách quang trong đó chủ yếu được chia thành hại nhóm:

Nhóm 1: bao gồm các bộ tách quang Phyroelectric liên quan đến sự chuyển
đổi của photon thành nhiệt nung nóng. Sự hấp thụ photon dẫn đến sự thay đổi nhiệt
của vật liệu tách quang. Điều này làm biến đổi hằng số điện mà nó thường được do
như là khả năng thay đổi. Đáp ứng của bọ tách này là khi bằng phẳng trên đà phố
rộng nhưng tốc độ của nó bị hạn chế bởi tốc độ làm mát của bộ tách sau khi nó đã bị
kích thích.

Nhóm này hầu như không được sử dụng trong các hệ thống thông tin.

Nhóm 2: Là các linh kiện hoạt động theo nguyên lý biến đổi trực tiếp lượng tử
ánh sáng thành tín hiệu điện được gọi là các bộ tách quang lượng tử (hay gọi đơn giản
là các bộ tách quang). Các bộ tách quang lượng tử lại được chia thành hai loại:

Loại thứ nhất: Là các linh kiện sử dụng hiệu ứng quang ngoại nghĩa là quá
trình phát xạ điện tử vào không gian khi có tác động của các lượng tử. Các linh kiện
này là các tế bào quang điện chân không hoặc các bộ nhân điện tử (Photomultiplier),

9
Bộ nhân quang (Photomultiplier) bao gồm một cực quang âm và một bó nhân điện tử
trong ống chân không có khả năng khuếch đại lớn và nhiều thấp. Thế nhưng kích
thước lớn và yêu cầu điện áp cao của chúng làm chúng không thích hợp với các hệ
thống sợi quang.

Loại thứ hai: Là các linh kiện sử dụng hiệu ứng quang nội, nghĩa là quá trình
tạo ra các phân tử mang điện trong chất rắn, các linh kiện này bao gồm: Thyristor,
Photoresitance, Phototransitor và Photodiode. Trong số các bộ tách quang bán dân,
photodiode được sử dụng với khả năng hầu như đọc chiếm đối với các hệ thống sơn
quang bởi vì kích thước nhỏ, vật liệu thích hợp, thời gian đáp ứng nhanh và phù hợp
với công nghệ vi điện tử. Hai kiểu photodiode thường dùng trong các hệ thống thông
tin quang là bộ tách quang kiểu PIN (Positiv Intrinsis Negativ) và diode quang thác
APD (Avalanche Photo Dioxic).

Ta sẽ xem xét chi tiết các đặc tính cơ bản của hai kiểu dioxle này trong các
mục sau. Trong việc mô là các loại này ta sẽ phải dùng các nguyên tác cơ bản của các
đặc tính vật lý của dụng cụ bún dẫn. Đặc biệt là hiệu ứng quang nội xảy ra ở vùng lân
cận tiếp giáp p-n.

2.2. Tách sóng quang.

2.2.1. Quá trình tách sóng quang.

Quá trình thu sóng điện từ bao gồm quá trình hấp thụ các photon của trường
tới. Tuy nhiên, do năng lượng photon tại các tần số sóng vô tuyến thấp nên khó nhận
thấy các tác động của quá trình lượng tử hóa sóng điện từ tại các tần số này. Tách
sóng quang về căn bản khác nhiều so với tách sóng rf vì có sự khác nhau rất nhiều
giữa năng lượng photon trong hai vùng phổ tần này. Với sóng “rf”, quá trình thu
sóng được thực hiện qua một chiếc anten làm bằng vật liệu dẫn điện tốt. Sau bước
đầu tiên này, dòng điện cảm ứng trong anten được khuếch đại và xử lý điện từ để thu
tín hiệu phù hợp cho giải điều chế và giai đoạn tách sống cuối cùng. Do vậy, sự tương
tác cơ bản trong quá trình thu sóng “rf liên quan đến đáp ứng của các điện tử vùng
dẫn với trường điện từ tới. Hiện nay, các vật dẫn tốt có rất nhiều điện tử trong vùng
dẫn phân bố đều trên các mức năng lượng. Do vậy, không có giới hạn dưới năng
lượng photon dối với quá trình hấp thụ tại tần số vô tuyến. Điều này rỗ ràng khác so
với hiệu ứng điện quang cũng như tách sóng quang nói chung.

10
 Khác với thu sóng vô tuyến, tách sóng tần số quang diễn ra giữa chùm sóng
quang tới và các điện tử vùng hóa trị giới hạn trong các nguyên tử trong bộ tách sóng.
Chùm ánh sáng bị hấp thụ bởi các nguyên tử nằm trong vùng hiếm của photo điốt là
điều cần quan tâm đầu tiên trong hệ thống truyền thông cáp quang. Quá trình tách
sóng được bắt đầu bằng quá trình hấp thụ photon và hiện tượng nhảy mức đồng thời
của các điện tử trong vùng hóa trị lên vùng dẫn. Để hiện tượng này xảy ra, năng
lượng của chùm photo tới phản dù lớn để cho điện tử vượt qua vùng trống. Không
giống như thu sóng vô tuyến, điều kiện này đặt ra yêu cầu về giới hạn dưới của tấn số
sóng quang mà photo điốt có thể thu được. Hiện tượng này biểu thị qua sự tồn tại của
tần số cắt dưới có thể quan sát được trong hiệu ứng quang điện. Đáp ứng của hệ
thống anten vô tuyến là phụ thuộc vào tần số, nhưng không có tần số cắt dưới một
cách rõ ràng. Hai loại thiết bị thu sóng được sử dụng trong hệ thống thông tin sợi
quang là bộ nhân photon và photo điốt.

2.2.2. Các bộ nhân photon.

Năm 1905, Einstein chứng minh rằng hiệu ứng quang điện là một bằng chứng
rõ ràng về sự lượng tử hóa ánh sáng thành các đơn vị năng lượng rời rạc gọi là các
photon. Ông đã giải thích thí nghiệm quan sát tần số cắt trong hiệu ứng quang điện
bằng cách chỉ ra rằng năng lượng photon cần thiết để xảy ra hiệu ứng quang điện phải
như sau:

Hf ≥ E g+Công thoát khỏi bề mặt

Công thoát khỏi bề mặt trong biểu thức này được quy định bằng động năng
cẩn thiết để thoát khỏi hàng rào thế luôn tồn tại ở đường biên các bề mặt. Không phải
tất cả quá trình hấp thụ photon thỏa mãn điều kiện tần số cắt đều dẫn đến bức xạ điện
tử; tuy vậy, trung bình trên một số lượng lớn các hiện tượng như vậy đều tạo ra dòng
đáp ứng tỉ lệ với cường độ ánh sáng tới. Nếu tần số sóng tới nhỏ hơn tần số cắt thì
không có dòng đáp ứng cho dù cường độ ánh sáng tới lớn đến đâu. Kích thích nhiệt là
những tia vũ trụ có cường độ cao sẽ tạo ra dòng "tôi" rất nhỏ ngay cả khi không có
ánh sáng chiếu vào bộ thu quang. Có thể giảm dòng sinh ra do nhiệt bằng cách làm
lạnh các bộ thu photo điốt, bảo vệ bộ khuếch đại photon bằng cách bọc kim bao phủ
xung quanh PMT để giảm ảnh hưởng của các phần tử năng lượng cao. Sơ đồ bộ
khuếch đại photon đơn giản được minh họa ở hình 2.1.

11
 Hình 2.1. Sơ đồ bộ nhân photon.

Quá trình thu được bắt đầu khi các photon tới đẩy điện tử ra khỏi cực âm và
những điện tử này sau đó được tăng tốc hướng về điốt thứ nhất. Khi điện tử đập vào
điốt thứ nhất sẽ phát ra các điện tử thứ cấp (chúng lần lượt tăng tốc tới các điốt kế
tiếp). Tại mỗi điốt, điện tử tới lại phát ra một số ngẫu nhiên các điện tử thứ cấp. Quá
trình này tiếp diễn cho đến khi điện tử đắp vào cực dương. Tại cực dương, xung điện
ngắn được phát ra trong mạch đầu ra. Trong hệ thống thu PMT điển hình, xung điện
này, bắt đầu bằng một quá trình hấp thụ quang điện. Nhờ tiếp tục khuếch đại, kết quả
có thể được ghi lại bằng bộ đếm tốc độ cao. Hình 2.1 minh họa cho PMT gồm bốn
điốt, nhưng với các PMT thực tế được thiết kế cho các thí nghiệm đếm photon thưởng
có 10 hoặc 14 đốt và hệ số khuếch đại qua các điốt thường lớn hơn 10 6. Tại mỗi điốt,
quá trình khuếch đại là ngẫu nhiên vì đáp ứng đối với mỗi photon là một biến ngẫu
nhiên. Tại điốt đầu, sử dụng hệ số đại trung bình thu lớn và các điốt sau giá trị trung
bình nhỏ hơn là cách duy nhất để giảm phương sai của dòng lối ra. Khi được bọc kim
và làm lạnh tốt, PMT là một trong những bộ thu nhạy nhất cho các mức ánh sáng
thấp. Điều này hoàn toàn đúng cho dù những thiết bị này chỉ thu được dưới 10% các
photon tới. Hơn nữa, tăng cường quá trình thu bằng cách thêm vào các bộ lọc phối
hợp; độ nhạy thu cao cho phép các hệ thống PMT có khả năng quan sát được các đáp
ứng điện tử. Quá trình thu này khác nhiều so với các dòng lớn tạo ra do quá trình tàu
với lượng photon lớn như trong các photo đốt thường gặp. Mặc dù chúng ta thường
coi số photon trên giây là đơn vị đo độ nhạy hệ thống, nhưng không có hệ thống
truyền dẫn sợi quang nào sử dụng quá trình đếm photon làm cơ cấu thu tín hiệu.

12
2.3. Photo điốt bán dẫn

2.3.1. Những đặc điểm chung

Tương tác chủ yếu trong quá trình tách sóng bằng photo điốt bán dẫn là sự hấp
thụ photon và đồng thời là sự kích thích điện tử từ vùng hóa trị lên vùng dẫn. Kết quả
mỗi lần hấp thụ này là phát sinh ra một cặp điện tử - lỗ trống. Tối thiểu, photon tới
phải đủ năng lượng để đưa điện tử tử định của vùng hóa trị sang đáy của vùng dẫn
qua vùng cấm. Năng lượng này được biểu thị bằng giá trị E g. Tuy nhiên, không như
hiệu ứng quang điện, các điện tử vùng dẫn duy trì trong chất bán dẫn và không cẩn
tính đến công để thoát khỏi bề mặt. Có thể biểu diễn ngắn gọn hiệu ứng này là bước
sóng của photon phải thỏa mãn điều kiện λ 0< λc ở đây:

1,24
λ c ( m )=
Eg (eV )

Hệ thức trên là điều kiện cần để tách một photon trong photo điốt, chứ không
phải là điều kiện đủ. Trường quang tới có thể được tách bằng photo điốt chỉ khi các
quá trình hấp thụ photon này sinh ra dòng điện đáng kể ở mạch ngoài. Nếu hiệu ứng
của cặp điện tử - lỗ trống sinh ra do quá trình hấp thụ photon bị khử do quá trình tái
hợp trước khi phát sinh ra dòng điện ngoài, quá trình được coi như chưa hể xảy ra.
Không giống như laser điốt, photo đốt được thiết kế để đáp ứng với một dải bước
sóng rộng, độ rộng vùng trống là tham số chính trong thiết kế photo điốt.

Mặc dù không sử dụng silicon cho điốt laser, nhưng có thể sử dụng photo điốt
silicon trong các hệ thống CD và CD-ROM thương mại. Giá trị λ c, đối với silicon là
1,06 m. Một điểm khác biệt quan trọng giữa các điốt laser và photo điốt là photo điốt
được thiên ấp ngược. Vì các tín hiệu quang thường là yếu, nhiệt phát sinh trong bộ
thu rất nhỏ. Tính chất riêng này đã tạo điều kiện dễ dàng dưa photo điốt vào các mạch
tích hợp quang điện (OEIC). Vấn để phát sinh và tản nhiệt là hạn chế rất lớn trong
chọn lựa thiết kế OEIC có laser điốt và đó là một trong những lí do được quan tâm
nhất trong laser có mức lượng tử nhỏ.

2.3.2. Diode tách quang PIN (Positive Intrinsis Negative)

2.3.2.1. Cấu trúc và nguyên lý hoạt động

Hầu hết các bộ tách quang bán dẫn thông dụng là diode PIN như hình 2.2.

13
 Hình 2.2. Sơ đồ cấu trúc và năng lượng của PIN.

Cấu trúc của loại này bao gồm miền bán dẫn p và n cách ly bởi miền tự dẫn rất
yếu (i). Trong sự hoạt động bình thường điện áp phân cực ngược khá lớn được cấp
cho dụng cụ để miền tự dẫn dùng hết hoàn toàn các hạt mang điện. Tức là mật độ tập
trung các hạt ở miền n và p là coi như không đáng kể khi so với độ tạp chất ở miền
này.

Khi có một photon bất ngờ (ngẫu nhiên có năng lượng lơn hơn hoặc bằng năng
lượng dải cấm) của vật liệu bán dẫn, photon có thể đưa ra năng lượng của nó và kích
thích một điện tử từ dải hóa trị lên dải dẫn. Quá trình này tạo ra các cặp điện tử - lỗ
trống tự do được gọi là các hạt điện quang (photocarriers), do chúng là các hạt mang
điện được sinh ra nhờ photon như được thể hiện ở hình 2.2. Bộ tách quang được thiết
kế bình thường để cho các hạt mang điện này được phát ra chủ yếu ở miền dùng hết
(miền tự dùng hết), ở đó hầu hết ánh sáng ngẫu nhiên được hấp thụ. Sự hiện diện của
điện trường cao tại miền dùng hết dẫn đến các hạt mang điện cách ly và bị tập hợp
ngang qua miền phân cực ngược. Điều này đưa ra sự tăng dòng chảy trong mạch điện
ngoài, với một dòng điện tử chảy đối với mọi cặp hạt điện được sinh ra, dòng điện
này được gọi là dòng quang điện

14
 Hình 2.3. Hệ số hấp thụ quang thay đổi theo bước sóng

Khi dòng các hạt mang điện chảy qua vật liệu, một cặp điện tử - lỗ trống sẽ tái
hợp và vì thế sẽ không xuất hiện. Trong hình, các hạt mang điện di chuyển một
khoảng cách Ln hoặc Lp . Thời gian và này và độ dài khuếch tán quan hệ bởi

Ln = (DnTn)1/2

Lp = (DpTr)1/2 .

Trong đó Dn và Dp là hệ số khuếch tán của điện tử và lỗ trống, nó được diễn

tả bởi đơn vị cm2/s.

Bức xạ quang lại hấp thụ trong vật liệu bán dẫn tuân theo luật hàm mũ.
−α s ( x ) x
P ( x ) =P0 ( 1−e ) (2.1)

Trong đó α s ( x ) là hệ số hấp thụ tại bước sóng

P0 là mức năng lượng quang ngẫu nhiên

P ( x ) là năng lượng bị hấp thụ trên khoảng cách x.

Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ quang vào bước sóng được cho ở hình 2.3 với
một vài vật liệu chế tạo diode. Như các đường cong đã chỉ rõ rằng, α s phụ thuộc vào
bước sóng. Vì thế vật liệu bán dẫn riêng biệt có thể chỉ được dùng trên một phạm vi
bước sóng giới hạn. Bước sóng giới hạn trên λ c được xác định bởi năng lượng dải
cấm Eg của vật liệu:

hc 1,24
λ c= = (2.2)
Eg Eg

15
 Nếu E g được biễu diễn theo đơn vị eV thì λ c được tính theo đơn vị μm.

Bước sóng giới hạn khoảng 1,06 μm với Si và 1,6 với Ge. Với các bước sóng
dài hơn năng lượng photon không kích thích có hiệu quả đối với một điện tử từ dải
hóa lên dải dẫn.

Ví dụ: Photodiode cấu tạo từ GaAs có năng lượng Eg = 1,43 eV tại nhiệt độ
300°K, ta có thể tính được bước sóng cắt:
−34 8
hc (6,625. 10 )(3.10 )
λ c= = =869 nm
Eg ( 1,43)(1,6. 10−19 )

Như vậy photodiode này sẽ không hoạt động với các photon có bước sóng lớn
hơn 869 nm.

Tại giá trị bước sóng thấp hơn, đáp ứng quang bị cắt như là kết quả của một
giá trị α s tại các bước sóng ngắn hơn. Trong trường hợp này các photon được hấp thụ
rất kín tới bề mặt photodiode ở đó thời gian tái hợp của các cặp điện tử - lỗ trống
được sinh ra là rất ngắn, do vậy các hạt tái hợp trước khi chúng tập hợp lại để tạo ra
dòng quang điện.

Nếu miền nghèo có độ rộng w thì từ phương trình 2.1 có năng lượng tổng
được hấp thụ trên khoảng cách w là:

P ( w ) =P0 ( 1−e w α ) (2.3)

s

Nếu xét tới độ phản xạ Rf tại bề mặt tiếp nhận quang của photodiode thì dòng
điện Ip lấy từ sự hấp thụ năng lượng ở 2.3 được cho:

q
I p= P0 ( 1−e−wα ) ( 1−Rf ) (2.4)
s

hf

Trong đó: P0 là năng lượng quang ngẫu nhiên trên photodiode

q là điện tích của điện tử

hf là năng lượng photon

2.3.2.2. Hiệu suất lượng tử hóa và thời gian đáp ứng.

Hai đặc tính quan trọng của bộ tách quang là hiệu suất lượng tử hóa và tốc độ
đáp ứng của nó. Các tham số này phụ thuộc vào dải cấm của vật liệu, bước sóng công
tác, hoạt chất và bề dày của các lớp bán dẫn p, i, n.

16
  Hiệu suất lượng tử hóa η

Là tỷ số số cặp điện tử - lỗ trống được sinh ra với số photon năng lượng hv:

Số cặp điện tử −lỗ trống được sinh ra

η=
số photon ngẫu nhiên

I p /q I p hf
η= = (2.5)
P0 /hf qP0

Trong đó: I p là dòng quang điện trung bình được sinh ra bởi năng lượng

quang.

P0 ngẫu nhiên xảy ra trên photodiode

Hình 2.4. Hệ số đáp ứng và hiệu suất lượng tử hóa của PIN.

Trong thực tế ở photodiode thì cứ 100 photon sinh khoảng 30 đến 95 cặp điện
tử - lỗ trống, do vậy hiệu suất lượng tử là từ 30% đến 95%. Để đạt được hiệu suất
lượng tử cao thì miền nghèo phải có độ dày đủ lớn, tuy nhiên độ dày miền nghèo lớn
làm cho thời gian trôi qua miền phân cực của các hạt mang điện sẽ lớn. Thời gian trôi
của các hạt mang điện xác định tốc độ đáp ứng của photodiode, phải làm hài hòa giữa
tốc độ đáp ứng và hiệu suất lượng tử hoá (vấn đề này sẽ thảo luận chi tiết tại các mục
sau).

17
  Hệ số đáp ứng

Hệ số đáp ứng được xác định như sau:

I p ηq
R= = (2.6)
P0 hf

Tham số này chỉ ra rằng dòng quang điện được sinh ra trên mỗi đơn vị quang.
Hệ số đáp ứng của photodiode PIN là một hàm của bước sóng được cho ở hình 2.4.

2.3.3. Diode quang thác APD (Avalanche Photo Diode)

2.3.3.1. Hiệu ứng thác

Các diode quang thác APD khuếch đại dòng quang điện của tín hiện quang đưa
từ sợi quang tới trước khi nó tới bộ khuếch đại phía sau. Điều này làm tăng độ nhạy
của máy thu quang. Để có được quá trình nhân các hạt mang điện thì các hạt mang
điện được sinh ra phải chuyển qua một miền mà ở đó có điện trường rất cao. Tại miền
có điện trường mạnh này các điện tử và lỗ trống có một năng lượng đủ lớn để chúng
ion hóa các diện từ hiên kết trong miền hoá trị trong quá trình và chạm. Sự nhân hạt
này gọi là quá trình ion hóa do va chạm. Các hạt thứ cấp cũng được gia tốc bởi điện
trường mạnh,

18
 Hình 2.5. Quá trình xảy ra như là một hàm của thời gian

a. Chỉ có điện tử gây ra quá trình nhân hạt mang

b. Cả các điện tử và lỗ trống gây ra quá trình nhân hạt mang

chúng lại tham gia vào quá trình ion hoá do va chạm làm tăng nhanh các số cặp điện
tử và lỗ trống. Hiện tượng này gọi là hiệu ứng thác lũ được thể hiện trên hình. Bên
dưới mức điện áp bị sụt của diode thì số lượng các hạt mang điện được tạo thành là
một số hữu hạn, còn ở trên mức sụt áp này số lượng các hạt được tạo thành là có thể
không hạn chế.

2.3.3.2. Cấu trúc của APD

Một cấu trúc thông thường được dùng để thực hiện quá trình nhận hạt được thể
hiện trên hình 2.6. Loại này được tạo nên bởi vật liệu loại p dẫn kém (có điện trở cao)
i(p) trên một lớp để p+ (bản dẫn p chia hoạt chất nặng). Một lớp khuếch tán loại p
(lớp tạo ion) và tiếp theo là lớp n+ (bán dẫn n chứa hoạt chất nặng). Đối với Si hoạt
chất dùng để tạo ra các lớp này thông thường là Photpho và Boron.

19
 Hình 2.6. Cấu trúc APD và trường điện vùng trôi

Khi một điện áp phân cực ngược đặt lên diode, hầu hết sụt áp trên lớp tiếp giáp
pn+ để tạo ra một điện trường mạnh, quá trình thác xảy ra tại đây. Lớp nghèo (miền
dùng hết) được làm rộng với sự tăng dòng phân cực là từ 5% đến 10% cho đến điểm
mà ở đó dẫn đến hiệu ứng thác.

Khi ánh sáng được đưa đến diode xuyên qua miển p+ và được hấp thụ trong
miền i(p), tại đây nó có tác dụng như là một miền tập hợp đối với các hạt quang điện.
Khi bị hấp thụ các photon đưa ra năng lượng của nó, vì vậy tạo ra các cặp điện tử và
lỗ trống. Các hạt mang điện này được cách ly nhau bởi điện trường trong miền i(p).
Quang điện tử trôi qua miền i(p) tới tiếp giáp pn+, nơi có điện trường mạnh tồn tại.
Tại miền này sự nhân các hạt xảy ra.

Số lượng trung bình các cặp điện tử và lỗ trống được tạo nên bởi một hạt ở
mỗi đơn vị độ dài trôi gọi là tốc độ ion hóa. Hầu hết các vật liệu thể hiện tốc độ khi
hoá điện tử α và tốc độ ion hoá lỗ trống β khác nhau. Tỉ số k = β /α của hai tốc độ ion
hóa là thông số đo của sự thực hiện photodiode.

Hệ số nhân M đối với tất cả các hạt được sinh ra trong APD được xác định
bởi:

IM
M= ( 2.7 )
Ip

I M là giá trị trung bình của dòng tổng được khuếch đại.

I p là dòng chính không được khuếch đại xác định bởi công thức 2.4.

20
 Thực tế, cơ chế thác là quá trình thống kê, do không phải mọi cặp điện tử - lỗ
trong được sinh ra trong diode đều trải qua sự nhân giống nhau. Vì thế giá trị đo được
M thể hiện như một sự định lượng trung bình.

Ví dụ: Một APD silic đã cho có hiệu suất lượng tử 65% tại bước sóng 09 μm.
Giả thiết 0,5 μw năng lượng tạo ra dòng quang điện đã được khuếch đại là 10 μA.
Tìm hệ số nhân M.

Từ 2.6 dòng quang điện chính:

ηq ηqλ
I P =R P0 = P0= P =0,235 μ A
hf hC 0

Từ 2.7 ta có:

M =I M /I p=10 /0,235=43

Độ khuếch đại dòng tiêu biểu đối với các bước sóng khác nhau như là hàm của
điện áp phân cực. Sự phụ thuộc của độ khuếch đại vào bước sóng kích thích có thể qui
về sự khởi đầu hỗn độn của quá trình thác bởi các điện tử và lỗ trống khi hầu hết ánh
sáng bị hấp thụ trong miền n+p kín tới bề mặt diode. Điều này là chú ý đặc biệt tại
bước sóng ngắn, ở đó tỉ số lớn hơn năng lượng quang bị hấp thụ kín tới bề mặt hơn ở
bước sóng dài hơn. Do hệ số ion hóa đối với lỗ trống nhỏ hơm với điện tử trong silic
do khuếch đại dòng tổng sẽ bị giảm tại bước sóng ngắn

Tương tự như ở PIN, việc trình bày một APD được đặc trưng bởi hệ số đáp ứng
RAPD :

ηq
R APD= M =R0 M (2.8)
hf

Trong đó R0 là đáp ứng khuếch đại đơn vị.

2.3.3.3. Tác động của nhiệt độ vào hệ số khuếch đại quang thác

Cơ chế khuếch đại của APD rất nhạy cảm với nhiệt độ điều này được giải thích
bằng sự phụ thuộc vào nhiệt độ của tốc độ ion hoá điện tử và lỗ trống. Sự phụ thuộc
vào nhiệt độ này đặc biệt nghiêm trọng tại điện áp phản cực lớn, ở đó sự thay đổi nhỏ

21
của nhiệt độ có thể làm biến đổi lớn hệ số khuếch đại, đối với photodiode silic. Nếu
điện áp phân cục không đổi, khi giảm nhiệt độ thì tốc độ ion hoá điện tử và lỗ trống sẽ
tăng lên và hệ số khuếch đại thác cũng tăng.

Để giữ cho hệ số khuếch đại không đổi khi nhiệt độ thay đổi thì điện trường ở
miền nhân của tiếp giáp pn phải được thay đổi, điều này yêu cấu mạch trộn và mạch
bù của máy thu phải điều chỉnh điện áp phản cực cấp cho bộ tính quang khi nhiệt độ
thay đổi.

Bằng lý thuyết và thực nghiệm người ta đã xác định được sự phụ thuộc vào
nhiệt độ của hệ số khuếch đại thác theo biểu thức sau:

1
M= (2.9)
U n
1−
UB( )

Trong đó:

U =Ua−I M R M với Ua là điện áp phân cực đang được cung cấp cho

diode, IM là dòng quang điện đã được khuếch đại và RM là điện trở tương đương của
diode và trở tải.

n là tham số biến đổi giữa 2,5 đến 7 phụ thuộc vào vật liệu

UB sụt áp tại M qua giai đoạn đầu và được xác định:

U B ( T )=U B ( T 0 ) [ 1+ a ( T −T 0 ) ] (2.10)

2.4. Nhiễu của bộ tách quang

Trong hệ thống thông tin sợi quang, Photodiodle nói chung được yêu cầu để
bảo vệ các tín hiệu quang rất yếu. Sự bảo vệ các tín hiệu quang yếu nhất có thể có yêu
cầu rằng bộ tách và mạch khuếch đại sau nó được tối ưu hoá để cho tỉ số S/N đưa ra là
chấp nhận được. Tỉ số công suất tấn hiệu trên nhiều tại đầu ra máy thu quang được xác
định bởi:

22
S Công suất tín hiệu từ dòng quang điện
= (¿)
N Công suất nhiễu của bộtách+Công suất nhiễu của bộ khuếch đại

Các nguồn nhiễu trong máy thu phát sinh từ nhiễu của bộ tách quang có từ bản
chất thống kê của quá trình chuyển đổi photon thành điện tử và nhiễu nhiệt liên quan
lớn bỏ khuếch đại.

Để thực hiện tỉ số S/N lớn, cần phải có các điều kiện sau:

1. Bộ tách quang phải có hiệu suất lượng tử cao để phát sinh năng lượng lớn.
2. Các nhiễu của họ khuếch đại và bộ tách quang sẽ được giữ thấp nếu có thể.

Đối với hầu hết các sự khuếch đại, các dòng nhiều mà nó xác định mức năng
lượng quang nhỏ nhất có thể được bảo toàn, do hiệu suất lượng tử của photodiode
thường vừa khớp với giá trị lớn nhất có thể xảy ra của các dòng nhiễu.

Độ nhạy của bộ tách trong hệ thống truyền dẫn quang được xem xét ở dạng
“Năng lượng quang nhỏ nhất có thể bảo vệ”. Đây là công suất quang cần thiết để tạo
dòng quang điện có độ lớn bằng độ lớn hiệu dụng tổng cộng của dòng nhiễu hoặc nói
cách khác S/N = 1. Việc nghiên cứu để hiểu nguồn gốc, đặc tính và mối quan hệ lẫn
nhau của rất nhiều các nhiễu trong bộ tách quang là cần thiết để thiết kế và đánh giá có
hiệu quả máy thu quang.

2.4.1. Các nguồn nhiễu

Hình 2.7. Cấu trúc bộ thu quang đơn giản và sơ đồ tương đương của nó.

Đế nhìn nhận các mối quan hệ của các loại nhiều khác nhau có ảnh hưởng đến
tỉ số S/N, ta hãy xét một dạng đơn giản của máy thu và mạch tương đương của nó như
ở hình 2.7. Photodiode có điện trở nối tiếp R s nhỏ, điện dung tổng Cd, bao gồm các

23
điện dung tiếp giáp và điện dung nhóm và điện trở phân cực R L (trở tải). Bộ khuếch
đại phía sau bộ tách có điện dung vào C a, và điện trở vào Ra. Đối với dự tính thực tế,
Rs là rất nhỏ so với RL và có thể được bỏ qua.

Nếu tín hiệu được đều chế có công suất quang P(t) rơi vào bộ tách, dòng quang
điện chủ yếu iph(t) sinh ra là:

ηq
i ph ( t )= P ( t ) (2.11)
hf

Dòng này bao gồm giá trị không đổi Ip, đó là giá trị trung bình của dòng quang
điện tuyến tính với công suất tín hiệu, và thành phần tín hiệu ip(t). Đối với PIN, giá trị
dòng bình phương trung bình là:

¿ i 2s > ¿<i 2p ( t ) >(2.12 a)

Với APD thì:

¿ i 2s ≥¿ i 2p ( t ) . M >( 2.12b)

Trong đó M là giá trị khuếch đại thống kê trung bình được xây dựng ti 2.7. Đối
với tín hiệu vào biến đổi dạng sin với hệ số điều chế m, thành phần tín hiệu ¿ i2p >¿ có
dạng:

m2 2
¿ i 2p ( t )= ( )
2 p
i (2.13)

Các nhiều cơ bản có liên quan tới các bộ tách quang không có độ khuếch đại
trong là nhiễu lượng tử, nhiều dòng tối phát sinh trong khối vật liệu của photodiode, và
nhĩều dòng dò hề mặt. Nhiễu lượng tử (hay là nhiễu bắn phá) phát sinh từ bản chất
thống kê của sự hình thành và tập hợp các quang điện tử khi tín hiệu quang là ngẫu
nhiên rơi vào bộ tách. Nó đã được chứng minh rằng các sự thống kê này tuân theo quá
trình poisson. Do đó sự thăng giáng của số lượng các hạt quang điện được phát sinh từ
hiệu ứng quang điện là đặc tính cơ bản của quá trình tách quang, chúng đặt ra giới hạn
độ nhạy máy thu khi tất cả các điều kiện khác được tối ưu. Dòng nhiễu lượng tử có giá
trị bình phương trung bình trong độ rộng băng B tỉ lệ với giá trị trung bình của dòng
quang điện Ip:

¿ i 2q≥2 q . I p . B . M 2 . F ( M ) (2.14)

24
Trong đó:

F(M) là hình dạng nhiễu có liên quan tới bản chất ngẫu nhiên của quá trình
thác. Từ kết quả thực nghiệm, có thể tìm thấy rằng sự xấp xỉ F(M)≈ Mx là hợp lý, trong
đó x (0 ≤ x ≤ 1) phụ thuộc vào liệu. Với diode PIN thì M và F(M) có giá trị là 1.

Dòng tối của photodiode là dòng mà nó nối tiếp chảy qua mạch phân cực của
diode khi không có ánh sáng ngẫu nhiên chiếu vào diode. Đây là sự kết hợp của các
dòng khối và dòng bề mặt. Dòng tới khối I DB phát sinh từ các điện tử hoặc (và) lỗ trống
được sinh ra do nhiệt trong miền tiếp giáp p - n của photodiode. Trong APD, các hạt
mang điện tự do này cũng được gia tốc bởi sự hiện diện của điện trưởng mạch tại tiếp
giáp p - n, và vì thế được nhân lên bởi cơ chế khuếch đại thác. Giá trị bình phương
trung bình của dòng này là:

¿ i 2DB ≥2 q . I D . M 2 . F ( M ) . B(2.15)

Trong đó ID là dòng tối khối chưa khuếch đại.

Dòng tối bề mặt còn được khảo sát như là dòng rò bề mặt hoặc đơn giản là
dòng rò. Nó phụ thuộc các ảnh hưởng như bề mặt bị di tật, độ sạch bề mặt, điện áp
phân cực và diện tích bề mặt. Một cách làm giảm dòng tối bề mặt là thông qua sự dùng
cấu trúc vòng gác mà nó đổi chiều dòng rò đi xa khỏi trở tải R L. Giá trị bình phương
trung bình của dòng tối bề mặt cho bởi:

¿ i 2DS ≥2 q . L L . B( 2.16)

Trong đó IL, là dòng đò bề mặt. Chú ý rằng sự nhân điện do thác là một tác động khối,
dòng tối bề mặt không bị ảnh hưởng bởi độ khuếch đại thác.

Sự so sánh các dòng tới tiêu biểu cho các photodiode Si, Ge, GaAs và InGaAs
là hàm của điện áp cung cấp được chuẩn học theo sụt áp UB.

Do các dòng tối và dòng tín hiệu là không tương quan do vậy tổng dòng nhiễu
bình phương trung bình của photodiode có thể được viết

¿ i 2N > ¿<i 2Q >+¿ i 2DB >+¿ i 2DS > ¿

¿ 2 q ( I P + I D ) M 2 . F ( M ) . B+ 2qI L . B(2.17)

25
 Để đơn giản cách phân tích của máy thu, ta sẽ giả thiết ở đây rằng trở kháng
đầu vào của máy mạch khuếch đại lớn hơn nhiều so với điện trở tải để nhiễu nhiệt nhỏ
hơn so với RL. Trở tái của photodiode tham gia vào bình phương trung bình của dòng
nhiễu nhiệt:

2 4kB
¿ iT ≥ B(2.18)
RL

Trong đó kB là hằng số Boltzman T là nhiệt độ tuyệt đối. Nhiễu này có thể giảm
bằng cách dùng trở tải lớn nhưng phải tương hợp với sự yêu cầu độ rộng băng của máy
thu.

2.4.2. Tỷ số tín hiệu trên nhiễu (S/N)

Thay thế các phương trình 2.12, 2.17 và 2.18 vào (*) với tỷ số tín hiệu trên
nhiễu tại đầu vào bộ khuếch đại, ta có:

S ¿i 2P > M 2
= (2.19)
N 2 B
2 q ( I P + I D ) M F ( M ) B+2 q I L B+4 k B T
RL

Tổng quát khi diode PIN được dùng, các dòng điện nhiễu chiếm ưu thể là ở trên
trở tải (dòng nhiễu nhiệt iT) và các phần tử tích cực của mạch khuếch đại (i AMP). Với
APD dòng nhiễu nhiệt của nó có tầm quan trọng ít hơn và nhiễu ở bộ tách quang là
chiếm ưu thế.

2.5. Đáp ứng thời gian của các bộ tách quang

2.5.1. Dòng quang điện ở miền trôi

Để hiểu được đáp ứng tần số của các photodiode, trước hết ta khảo sát sơ đổ.
Điện tử - lỗ trống được sinh ra ở miền trôi hoặc trong miền khuếch tán và bị cách ly
bởi điện trường tạo nên do điện áp phân cực ngược do vậy dẫn tới dòng chảy ở mạch
ngoài. Dưới các điều kiện tĩnh, tổng mật độ dòng J, chảy qua miền trôi được phân cực
ngược là:

Jl = Jdr + Jdiff (4.20)

Với Jdr là mật độ dòng trôi có từ các hạt được sinh ra ở miền trôi

26
 Jdiff là mật độ dòng khuếch tán (diffusion) phát sinh từ các hạt được
sinhra ngoài miền trôi ở các lớp khối bán dẫn (tức là ở các miền p và n) khuếch tán vào
tiếp giáp phân cực ngược. Mật độ dòng trôi có thể được tính từ

J dr =I p / A=q Φ 0 ( 1−e−α ) sw
(2.21)

Trong đó A là diện tích bề mặt photodiode và Φ 0 là độ chiếu sáng trên mỗi đơn
vị diện tích, nó được tính như sau:

P 0 ( 1−R f )
Φ 0= (2.22)
Ahf
Bề mặt lớp p của PIN thường rất là mỏng vì thế dòng khuếch tán cơ bản được
xác định bởi sự khuếch tán lỗ trống từ miền khối n. Sự khuếch tán lỗ trống trong vật
liệu này có thể xác định bởi phương trình:

∂2 Pn P n−P0
Dp − + G( x)=0 2.23
∂ x2 τP

Trong đó: Dp là hệ số khuếch tán

Pn là mật độ lỗ trống trong vật liệu p

τ p là thời gian sống của lỗ trống

P0 là mật độ lỗ trống cân bằng

G(x) là tốc độ phát sinh điện tử - lỗ trống

G ( x ) =Φ0 α s e−x α s (2.24)

Từ phương trình (4.23) mật độ dòng khuếch tán được tìm:

α s L p −α v D
J 1 diff =q Φ 0 e +q Pn 0 p
s
(2.25)
1+α s L p LP

Thay (2.21) và (2.25) vào (2.20) ta được mật độ dòng tổng qua lớp trôi được
phân cực ngược như sau:

e−α x D
( )
s

J T =q Φ 0 1 + q Pn0 p (2.26)
1+α s LP Lp

Số hạng có chưa Pn0 thường là nhỏ do vậy tổng dòng quang điện được sinh ra là
tỉ lện với độ chiếu sáng Φ 0

27
2.5.2. Thời gian đáp ứng.
Thời gian đáp ứng của photodiode cùng với mạch ra của nó phụ thuộc chủ yếu
vào 3 nhóm tham số sau:
1. Thời gian chuyển động của các hạt quang điện qua miền trôi
2. Thời gian khuếch tán của các hạt mang điện được sinh ra ở ngoài miền
trôi
3. Hằng số thời gian RC của photodiode và của mạch liên quan tới nó
Các tham số tương ứng liên quan tới 3 tham số trên là hệ số hấp thụ α s, độ rộng
miền trôi w, các điện dung nhóm và điện dung tiếp giáp của diode, điện dung của
mạch khuếch đại, điện trở tải, điện trở vào của bộ khuếch đại và điện trở nối tiếp của
photodiode. Điện trở nối tiếp của photodiode nói chung chỉ vài ohm do vậy có thể bỏ
qua khi so với điện trở tải và điện trở và bộ khuếch đại.
Trước hết xem xét thời gian trôi của các hạt quang điện ở miền trôi. Tốc độ đáp
ứng của photodiode bị hạn chế cơ bản bởi thời gian các hạt quang điện trôi qua miền
trôi. Thời gian trôi td này phụ thuộc vào tốc độ trôi của hạt vd và độ lày miền trôi w:
t d=w/ v d (2.27)
Như vậy cần điện trường của miền trôi là đủ lớn để cho các hạt mang điện đạt
được tốc độ phân tán giới hạn nào đó. Đối với silic tốc độ trôi lớn nhất của điện tử và
lỗ trống là 8,4.106 cm/s và 4,4.106 cm/s khi cường độ điện trường ở mức 2.10 4 V/cm.
Một photodiode silic tốc độ cao có bề dày miền trôi 10 μm thì sẽ cho đáp ứng là cỡ 0,1
ns.

Hình
Đối với quán trình khuếch tán thì chậm hơn so với quá trình trôi của các hạt ở
miền có điện trường cao. Vì thế để cho photodiode có tốc độ cao , các hạt quang điện
sẽ phải được sinh ra ở miền trôi hoặc phải bảo đảm rằng thời gian khuếch tán có thể
nhận thấy bằng cách khảo sát thời gian đáp ứng của photodiode. Thời gian đáp ứng
này được mô tả bởi thời gian tăng và thời gian giảm của đầu ra photodiode khi nó bị
chiếu sáng bởi một xung ánh sáng. Thời gian tăng được tính từ các điểm 10 đến 90%
giá trị sườn trước của xung ra như hình vẽ 2.7. Với các photodiode được dùng hết

28
hoàn toàn thì thời gian tăng nói chung giống thời gian giảm Tuy nhiên với các
photodiode không dùng hết hoàn toàn thì thời gian tăng và thời gian giảm là khác
nhau.

Thời gian đáp ứng tiêu biểu của một photodiode không dùng hết hoàn toàn
được cho như hình vẽ 2.8, các hạt tài diện nhanh cho phép đầu ra photodiode tăng tới
50% giá trị max của nó trong một thời gian xấp xỉ là 1 ns, nhưng do các hạt trội chậm
làm cho có thời gian trễ lớn trước khi đấu ra đạt giá trị max.

Để thực hiện được hiệu suất lượng tử hoá cao thì độ rộng lớp trôi phải lớn hơn
nhiều lần 1/α s để cho hầu hết ánh sáng bị hấp thụ. Đáp ứng của một xung vào hình chữ
nhật của một photodiode điện dung thấp có w>>l/ α , thời gian tăng và giảm của xung
ra theo xung vào là khá đẹp đẽ. Nếu điện dung của photodiode lớn hơn thì thời gian
đáp ứng trở nên bị hạn chế do hằng số thời gian RC của trở tải R L và điện dung của
photodiode, đáp ứng khi này sẽ lớn hơn so với trường hợp w>>1/2α s.

Nếu như bề dày của miền trôi quá mỏng, điện dung tiếp giáp sẽ trở nên đáng kể
và nó được tính:

εs
C j= A (2.28)
w
Trong đó: ε s: hệ số điện môi của chất bán dẫn ε s=ε 0 K s

Ks: hệ số cách điện của bán dẫn

ε s: hằng số điện môi chân không 8,8542.10-12 F/m

A: diện tích lớp khuếch tán

Sự đáng kể của điện dung trên sẽ gây ra hằng số thời gian RC lớn làm hạn chế
thời gian đáp ứng của diode. Sự hài hoà hợp lý giữa đáp ứng tần số cao và hiệu suất
lượng tử hóa lớn khi mà độ dày của miền hấp thu năm trong khoảng từ 1/α s và 2/α s
Nếu RT là điện trở tổng hợp của trở tải và trở vào bộ khuếch đại và C T là tổng
điện dung của photodiode khi này bộ tích quang coi như một bộ lọc thấp RC dm giản
với dải thông là:

1
B= (2.29)
2 π RT C T

2.6. Vật liệu chế tạo photodiode.

Độ đáp ứng của photodiode về cơ bản được xác định bởi cấu trúc của diode và
loại vật liệu được dùng. Hệ số hấp thụ α s của các vật liệu bán dẫn thay đổi mạnh theo

29
bước sóng như được đã biết ở hình 2.2. Đối với một photodiode thì hệ số đáp ứng tốt
nhất và hiệu suất lượng tử hoá cao nhất là có được khi vật liệu có độ rộng dải cấm nhỏ
hơn không đáng kể so với năng lượng của các photon tại bước sóng dài nhất mà ta
quan tâm. Thêm nữa để làm ổn định tốt hiệu suất lượng tử hoá và tốc độ đáp ứng, điều
kiện này được giữ đồng thời với dòng tới thấp
Bất kỳ số lượng các vật liệu khác nhau nào bao gồm Si, Ge, GaAs, InGaAsP,
cũng có thể được dùng làm diode hoạt động ở các dải phổ từ 800 đến 900 nm. Tuy
nhiên Si được dùng hầu như độc quyền vì công nghệ của nó phát triển nhanh chóng và
ưu điểm của nó là nhiễu nhân trong quá trình thác là thấp nhất vì thế sẽ làm tăng độ
nhạy của máy thu.
Đối với sự hoạt động tại các bước sóng lớn hơn 1000 nm thì hệ số đáp ứng của
các diode chế tạo từ Silic là thấp, do các photon tại bước sóng này không đủ năng
lượng để kích thích điện tử đi qua dải cấm có độ rộng 1,17 eV của Silic. Các bộ tách
quang độ nhạy cao dùng trong phạm vi bước sóng từ 1000 nm đến 1600 nm thường
được chế tạo từ các vật liệu như Ge, GaAsSb, InGaAsP. InP, GaSh, InGaAs....vật liệu
Ge là vật liệu của diodle quang ở bước sóng dài, nó có hệ số hấp thụ lớn xấp xỉ 10 4/cm
trên phạm vi bước sóng từ 1000 nm đến 1550 nm, điều này làm cho Ge trở thành vật
liệu lý tưởng để chế tạo các photodiode ứng dụng cho các bước sóng dài. Một số các
photodiode Ge với độ nhạy hợp lý và thời gian đáp ứng nhanh đã được chế tạo, những
vật liệu này thể hiện một số nhược điểm như tồn tại hệ số nhiễu dư đối với sự nhân do
quá trình thác, hơn nữa do dải cấm của Ge hẹp hơn của Si làm cho dòng tối lớn hơn
nhiều vì thế hạn chế khả năng ứng dụng khuếch đại do thác. Tuy nhiên diode quang
thức (APD) Ge đã được sử dụng thành công trên thực tế để truyền dân số liệu tốc dộ
cao.
Trong số các vật liệu kể trên được sử dụng đối với cả PIN và APD là hợp chất
bán dẫn InGaAs. Vật kiệu này có thế hấp thụ ánh sáng với bước sóng dài cỡ 1650 nm,
chúng đã sử dụng trong hệ thống thí nghiệm tốc độ cao trên độ dài trạm lập là 200Km
Các hợp chất của nhóm bán dẫn III – IV khác như là GaAsSb, InGaAsP, InP,
GaSb… cũng được xem xét đối với các ứng dụng bước sóng dài. Một số lí do để khảo
sát các vật liệu nầy là:
Dầu tiên do các dải cấm của các hợp kim này phụ thuộc vào thành phần các
phần tử của chúng, mép hấp thụ có thể lựa chọn chỉ trên bước sóng dài nhất của sự
hoạt động bằng cách thay đổi độ tập trung các phân tử của các phần tử cấu tạo của hợp
kim. Kết quả này làm cho bộ tách quang có hiệu suất lượng tử hóa cao, tốc độ đáp ứng
nhanh và dòng tối thấp.
Thứ hai là để khám phá đối với vật liệu có sự khác nhau lớn trong tốc độ ion
hóa điện tử và lỗ trống, Nhưng không may mắn là các tỷ số tốc độ ion hóa trong tất cả
các vật liệu nhóm III – IV là nhỏ hơn ở Silic. Điều này có khuynh hướng làm hạn chế
hệ số khuếch đại thác của các dụng cụ này vì vậy bình thường hệ số khuếch đại thác
của chung là thấp ở giữa 10 đến 30.
2.7. Cấu trúc nguyên lý bộ thu quang.

30
 Như chung ta đã biết, chức năng của các bộ tách sóng quang là biến đổi tín hiệu
ánh sáng thành tín hiệu điện. Phần lớn các hệ thống thông tin quang hiện nay thực hiện
truyền dẫn tín hiệu số. Có nhiều phương thức điều biến tín hiệu để gửi luồng tín hiệu
số tới phái thu. Đơn giản nhất và được sử dụng rộng rãi nhất là kỹ thuật điều biến
cường độ. Trong bộ thu quang, ánh sáng nhận được từ phái đường truyền sẽ được tách
và biến đổi trực tiếp thành tín hiệu điện rồi được khôi phục trở lại như dạng tín hiệu
điện ở đầu phát.
Sơ đồ khối bộ thu quang tiêu biểu đối với hệ thống truyền dẫn số như ở hình vẽ
2.9. Bộ tách sóng quang có thể là PIN hay APD thực hiện biến đổi công suất quang
thành tín hiệu điện. Bộ khuếch đại thực hiện biến đổi dòng này thành tín hiệu điện áp
với mức phù hợp cho các mạch điện tiếp sau. Bộ lọc ở đây giới hạn băng tần bộ thu,
làm giảm tối thiểu tạp âm phát ra từ bộ tách sóng và khuếch đại. Xung đồng hồ
(Clock) được lấy ra từ chùm tín hiệu số chung và được dùng để tái tạo lại tín hiệu số
trong mạch quyết định.

Hình 2.9: Sơ đồ khối bộ thu quang

Nhìn chung, đặc tính của bộ thu quang được đánh giá bằng độ nhạy thu, tức là
lượng công suất quang được yêu cầu để đạt được tỉ lệ lỗi bit đã cho. Đặc tính của bộ
tách sóng quang kết hợp với mạch tiền khuếch đại là yếu tố chính xác định độ nhạy thu
của bộ thu quang.

31
 Việc lựa chọn bộ tách quang thường dựa vào các yếu tố cần được quan tâm như
quỹ công suất hệ thống, dải động theo yếu cầu, tính phức tạp phần cứng và hiệu quả
kinh tế…
2.7.1. Module tách sóng PD
Module PD biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện. Nhuw ta đã biết có hai
loại bộ tách sóng quang được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống thông tin quang là
Photodiode PIN và Photodiode APD mà đã thảo luận ở trên. Việc lựa chọn bộ tách
sóng sẽ có ảnh hướng tới đặc tính bộ thu, vì có sự khác nhau về tạp âm giữa hai loại.
Khi sử dụng photodiode PIN, tỷ lệ tín hiệu trên tạp âm được xác định chủ yếu dựa vào
tạp âm nhiệt từ bộ tiền khuếch đại, vì ở đây trường hợp này rất có thể bỏ qua sự phân
bố tạp âm nhiệt photodiode, mà tạp âm này được xác định do dòng tối của bộ tách
sóng quang và công suất quang trung bình thu được. Còn khi sử dụng APD, tỷ lệ tín
hiệu trên tạp âm được xác định không chỉ từ tạp âm nhiệt của bộ khuếch đại, mà còn từ
cả tạp âm lượng tử do công suất quang trung bình đi tới được khuếch đại nhờ tăng ích
thác của bộ tách sóng.

2.7.2. Bộ khuếch đại và cân bằng.

Bộ này bao gồm 3 thành phần cơ bản là: mạch khuếch đại, mạch phản hồi
AGC, mạch phản hồi DC.
Bộ khuếch đại gồm một bộ tiền khuếch đại, một bộ khuếch đại thay đổi độ lợi,
một bộ khuếch đại sau và các bộ khuếch đại tín hiệu bên trong sau khi tín hiệu quang
được biến đổi thành tín hiệu điện bởi PD.
Mạch phản hồi AGC điều khiển độ lợi, do đó mức đầu ra của bộ khuếch đại cân
bằng sẽ duy trì một lượng không đổi với bất kì mức công suất quang đầu vào nào.
Mạch phản hồi AGC cũng phát ra một điện áp giám sát công suất quang đầu vào đưa
tới mạch giám sát.
Bộ khuếch đại cân bằng điều khiển mức đầu ra của PD khi công suất đầu vào
quá thấp và điều khiển độ lợi của bộ khuếch đại thay đổi độ lợi khi công suất quang
đầu vào quá cao.
MẠch phản hồi DC sẽ bù đấp cho phần bù DC đầu ra.

32
 Hình 2.10: Sơ đồ khuếch đại và cân bằng
2.7.3. Bộ biến đổi nguồn DC/DC
Bộ biến đổi nguồn DC/DC sử dụng độ rộng xung được điều chế để chuyển
mạch bộ điều chỉnh và điều khiển bộ máy biến thế để phát ra một điện ấp đủ lớn cho
PD.
Điện ấp đầu ra được điều khiển theo điện áp đầu ra của mạch phản hồi AGC.
Với mức công suất đầu vào nhỏ thì sẽ cho điện áp đầu ra lớn hơn.
2.7.4. Mạch điều chỉnh thời gian (TIM).
Mạch chỉnh thời gian sừ dụng mạch khung thời gian để tách ra tín hiệu đồng hồ
từ tín hiệu ra của bộ khuếch đại cân bằng, khuếch đại tín hiệu đồng hồ tới một mức xác
định và đưa tới mạch quyết định. Sơ đồ của mạch như hình 2.11.
Bộ lọc sóng âm thanh bề mặt (SAW) được sử dụng cho mạch khung thời gian.

Hình 2.11: Cấu hình của mạch chỉnh thời gian (TIM)
2.7.5. Mạch quyết định DEC.

33
 Sơ đồ khối như hình 2.12
Mạch quyết địn kiểm tra tín hiệu cân bằng nhằm xác nhận ra mức 0 hoặc mức 1
để phục hồi xung. Mạch quyết định bao gồm một khối DEC và một khối SHV (bộ
giám sát tốc độ cao).

Hình 2.12: Cấu trúc của mạch quyết định

Khối DEC bao gồm một bộ khuếch đại nhỏ, một mạch F – F kiểu D và một bộ
đệm thời gian.
Khối SHV bao gồm một mạch điều chê pha để điều chế pha của tín hiệu chính,
một mạch F – F kiểu D, một mạch chuyển mạch cho việc chuyển mạch hồi tiếp điện
và một mạch kiểu F – F kiểu T phân chia tín hiệu chính.

34