4.

УНИПОЛАРНИ ТРАНЗИСТОРИ

Први транзистор са ефектом поља, Junction Field Effect Transistor (JFET), пројектовао је Шокли
(Shockley) 1952 године.

Транзистори са ефектом поља се називају и униполарни, јер је струја кроз

њих резултат усмјереног кретања само једне врсте (пола) носилаца
(шупљина или електрона).
Транзисторе са ефектом поља (FET-ове) можемо подијелити на:

22
• JFET,

/
• MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

21
FET-ове можемо подијелити према врсти канала, односно врсти полупроводника од кога је
канал, на:

• N канални FET,
а
ик
• P канални FET.

Канал код FET-а може бити технолошким путем уграђен, или напонски створен (индукован), па
он

FET-ове можемо подијелити и према начину, како се у њему канал формира, на:

• FET са уграђеним каналом,

тр

• FET са индукованим каналом.

ек

FET-ови имају три електроде:

• Сорс (Source - увод),

ел

• Дрејн (Drain – одвод),

• Гејт (Gate – врата).

дк

Сорс има улогу емитирајуће електроде, аналогно емитеру код биполарног транзистора.

Дрејн има улогу колектујуће електроде, аналогно колектору код биполарног транзистора.

Гејт има улогу управљачке електроде, аналогно бази код биполарног транзистора.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
4.2. JFET

Ове транзисторе можемо подијелити према врсти канала, на:

• N канални FET,

• P канални FET.

4.2.1. N канални JFET

22
За подлогу (основу, базу, супстрат) узима се слабо обогаћени полупроводник N типа (𝑵𝑵− ) на бази
силицијума. Са горње и доње стране те плочице се, одређеним технолошким поступком, формира

/
танак слој јако обогаћеног полупроводника P типа (𝑷𝑷+ ). Након тога се постављају контактне

21
плочице за изводе електрода, као што је приказано на слици 1.

а
ик
он

Слика 1.
тр

У току процеса уношења полупроводника P типа, на подлогу која је полупроводник N типа,

ек

долази до дифузионог кретања носилаца из подручја више у подручје ниже концентрације и

настанак потенцијалне баријере, која се шири на рачун слабије обогаћеног полупроводника
(подлога 𝑵𝑵− ). Баријера се налази и у полупроводнику P типа, али је она у том полупроводнику
ел

врло уска, пошто је тај полупроводник јако обогаћен (𝑷𝑷+ ). Ширењем баријере у унутрашњост
подлоге, један дио подлоге неће бити обухваћен баријером. Тај дио подлоге који није обухваћен
дк

баријером се назива канал.

Уграђена ширина канала зависи од односа обогаћености полупроводника подлоге и

полупроводника нанесеног на подлогу у облику танког слоја. Што је разлика у обогаћености већа
канал ће бити ужи.

JFET има два PN споја:

• (G-S) – управљачки (улазни) PN спој,

• (G-D)- излазни PN спој.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2
Како је код N каналног JFET-а сорс полупроводник N типа, то ће сорс емитовати електроне, као
већинске (главне) носиоце. Да би се ти носиоци усмјерено кретали према дрејну (да би текла
струја), потребно је:

• Да између сорса и дрејна постоји канал, јер се већински носиоци не могу кретати кроз
потенцијалну баријеру.

• Потребно је да између сорса и дрејн постоји напон, који ће својим поларитетом

усмјеравати носиоце од сорса према дрејну. Тај напон у каналу ствара електрично поље,
које усмјерава кретање носилаца кроз канал према дрејну.

Број носилаца који се усмјерено крећу (јачина струје) зависи од ширине канала.

22
Да бисмо могли утицати на ширину канала, те да да би се носиоци могли усмјерено кретати кроз

канал, JFET морамо поларисати. JFET треба тако поларисати да су му оба PN споја

/
21
инверзно поларисана. Ако би дошло до директне поларизације, тада би кроз PN спој
потекла струја већинских носилаца (у виду струје гејта), јер би нестала баријера која спрјечава
кретање већинским носиоцима и он би изгорео због превелике струје већинских носилаца.

а
На слици 2 је у пресјеку приказан поларисан N канални JFET и његов симбол.
ик
он
тр
ек
ел

Слика 2.

Гдје је:
дк

• 𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 – напон који инверзно поларишемо (G-S) PN спој FET-а.

• 𝑼𝑼𝑫𝑫𝑺𝑺 – напон којим усмјеравамо носиоце од сорса према дрејну.

• 𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫 – напон који инверзно поларишемо (G-D) PN спој.

Са слике 2 видимо да је 𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫 = 𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 + 𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫 .

Видимо да је излазни (G-D) PN спој, јаче инверзно поларисан, него улазни (G-S) PN спој, јер је
напон инверзне поларизације 𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫 већи од напона инверзне поларизације 𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 . Због тога ће
баријера бити шира на излазу JFET-а него на улазу.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3
Ширином канала управљамо мијењајући величину напона на гејту, тј. на управљачкој електроди,
односно (G-S) PN споју. Мијењање ширине канал називамо модулацијом канала. Јачина струје
кроз канал је директно пропорционална његовој ширини. Због ширења баријере, канал би се
сужавао и он би нестао при неком максималном напону 𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 , јер би се баријере додирнуле у
близини дрејна. Кажемо да је JFET затворен, јер се већински носиоци не крећу кроз баријеру.
Максимални напон 𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 , при коме се JFET затвара, означавамо са 𝑼𝑼𝑷𝑷 . Тај напон се назива пинч
напон (енгл. pinch - додир).

Посматрајући већинске носиоце, који се усмјерено крећу кроз канал од сорса према дрејну, ако
занемаримо рекомбинацију у каналу, долазимо до једнакости струје сорса 𝑰𝑰𝑺𝑺 и струје дрејна 𝑰𝑰𝑫𝑫 .

22
Ако занемаримо струју гејта 𝑰𝑰𝑮𝑮 , тада се може сматрати да је 𝑰𝑰𝑺𝑺 ≈ 𝑰𝑰𝑫𝑫 . Струју гејта
можемо занемарити, јер је то струја мањинских носилаца, који се усмјерено крећу кроз инверзно

/
поларисан (G-S) PN спој.

21
4.2.2. P канални JFET

а
ик
За подлогу се користи осиромашени полупроводник P типа, а за гејт се користи танак слој јако
обогаћеног полупроводника N типа. Приликом формирања FET -а, сви процеси су идентични као
он

и код формирања N каналног JFET -а.

На слици 3 је у пресјеку приказан неполарисан P канални JFET.

тр
ек
ел

Слика 3.
дк

На слици 4 је у пресјеку приказан поларисан P канални JFET и његов симбол.

Слика 4.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
4
4.2.3. СПОЈЕВИ И ПОЛАРИЗАЦИЈА JFET-а

JFET се у пракси користи у три споја, јер је као и биполарни транзистор

троелектродни елемент; има три електроде. Како се користи као четворопол у
споју једне заједничке електроде, која је заједничка за улаз и излаз четворопола,
имамо:

• Спој заједничког сорса (ZS). Најчешће се користи, јер обезбјеђује највеће

појачање снаге

22
• Спој заједничког дрејна (ZD). Користи се као добар струјни појачавач, али
напонски слаби.
• Спој заједничког гејта (ZG). Користи се као добар напонски појачавач, али

/
21
струјно слаби.

Све претходно наведене основе ће бити доказане кад се буду проучавали

појачавачи, у горе наведеним спојевима.
а
ик
Проучавајући потребну поларизацију JFET-а преко његовог приказа у пресјеку,
видимо да оба његова PN споја требају бити инверзно поларисана.
он

На слици 1 су приказани спојеви N и P каналног JFET-а са потребним распоредом

потенцијала на његовим електродама (поларизација у спојевима).
тр
ек
ел
дк

Слика 1.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
4.2.4. СТАТИЧКЕ КАРАКТЕРИСТИКЕ

Код фетова (JFET и MOSFET) имамо двије врсте статичких карактеристика:

• Преносне статичке карактеристике представљају зависност струје дрејна (𝐼𝐼𝐷𝐷 ), од

напона на гејту (𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 ), при константном напону између дрејна и сорса (𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 ):

𝑰𝑰𝑫𝑫 = 𝒇𝒇(𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 )|𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫 = 𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄.

• Излазне статичке карактеристике представљају зависност струје дрејна (𝐼𝐼𝐷𝐷 ), од

напона на дрејну (𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 ), при константном напону између гејта и сорса (𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 ):

𝑰𝑰𝑫𝑫 = 𝒇𝒇(𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫 )|𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 = 𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄.

22
Карактеристике могу бити приказане табеларно и графички, али се у каталозима углавном
приказују графички.

/
21
На слици 1 су приказане преносне, а на слици 2 излазне статичке карактеристике.

а
ик
он
тр

Слика 1. Слика 2.
ек
ел

До карактеристика транзистора долазимо лабораторијским мјерењима међусобне зависности

електричних величина (струја и напона) одговарајућих електрода транзистора у споју ZS, који
посматрамо као четворопол. Да бисмо вршили потребна мјерења, транзистор треба спојити као
дк

на слици 3.

Слика 3.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
Гдје је:

• 𝑈𝑈1 – DC напонски извор са регулацијом напона, којим обезбјеђујемо потребни напон на

гејту. Напон ћемо мијењати у границама 𝑈𝑈1 = (0 ÷ 10)𝑉𝑉.

• 𝑈𝑈2 – DC напонски извор са регулацијом напона. Прикључен је на дрејн, а мијењаћемо га у

границама 𝑈𝑈2 = (0 ÷ 15)𝑉𝑉.

• 𝑉𝑉1 – волтметар, којим мјеримо напон на гејту (𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 ).

• 𝑉𝑉2 – волтметар, којим мјеримо напон на дрејну (𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 ).

• A – милиамперметар, којим мјеримо струју дрејна (𝐼𝐼𝐷𝐷 ).

22
Детаљно објашњење поступка снимања и само снимање карактеристика радимо на вјежбама у
кабинету.

/
21
а
ик
он
тр
ек
ел
дк

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2
4.2.5. ПАРАМЕТРИ FET-а

Параметри су показатељи квалитета и могућности примјене, а у пракси користимо сљедеће

параметре:

• 𝒈𝒈𝒎𝒎 [𝒎𝒎𝒎𝒎] – преносна проводност или транскондуктанса,

• 𝑹𝑹𝒊𝒊 [𝒌𝒌𝛀𝛀] – унутрашњи отпор,

• 𝝁𝝁[/] - фактор напонског појачања.

ПРЕНОСНА ПРОВОДНОСТ: Представља ефикасност FET-а као појачавачког елемента, а

22
дефинише се као
𝚫𝚫𝑰𝑰𝑫𝑫
𝒈𝒈𝒎𝒎 [𝒎𝒎𝒎𝒎] = |𝑼𝑼 = 𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄.

/
𝚫𝚫𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 𝑫𝑫𝑫𝑫

21
Овај параметар даје податке о потребној промјени напона на управљачкој електроди Δ𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 , да би
дошло до промјене струје фета Δ𝐼𝐼𝐷𝐷 , при 𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐.

а
Проматрамо ли сигнал 𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 као улазни, а сигнал 𝐼𝐼𝐷𝐷 као излазни, логично је да са малим
ик
промјенама улазног сигнала добијемо што већу промјену излазног сигнала.

Можемо дакле констатовати да преносна проводност представља величину ефикасности

он

преноса сигнала са улаза на излаз фета.

тр

УНУТРАШЊИ ОТПОР: Овај параметар говори о потребној промјени напона на транзистору Δ𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 ,
да би дошло до одговарајуће промјене струје кроз транзистор Δ𝐼𝐼𝐷𝐷 , при 𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐. Унутрашњи
ек

отпор представља отпор канала фета, чија величина се повећава са сужавањем канала фета.
Разликујемо статички (за истосмјерну струју) и динамички (за наизмјеничну струју) унутрашњи
отпор. Динамички отпор дефинишемо:
ел

𝚫𝚫𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫
𝑹𝑹𝒊𝒊 [𝒌𝒌𝛀𝛀] = |𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 = 𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄.
𝚫𝚫𝑰𝑰𝑫𝑫
дк

ФАКТОР НАПОНСКОГ ПОЈАЧАЊА: Овај параметар представља потребну промјену напона на

улазу Δ𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 , да би дошло до одговарајуће промјене напона на излазу транзистора Δ𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 , уз
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐., а дефинишемо га као:
𝚫𝚫𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫
𝝁𝝁[/] = |𝑰𝑰 = 𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄𝒄.
𝚫𝚫𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 𝑫𝑫
1
Из израза за 𝑔𝑔𝑚𝑚 , је Δ𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 = ∙ Δ𝐼𝐼𝐷𝐷 ,
𝑔𝑔𝑚𝑚

а из израза за 𝑅𝑅𝑖𝑖 , Δ𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 = 𝑅𝑅𝑖𝑖 ∙ Δ𝐼𝐼𝐷𝐷 ,

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
добија се:

𝝁𝝁 = 𝒈𝒈𝒎𝒎 ∙ 𝑹𝑹𝒊𝒊
Израз 𝜇𝜇 = 𝑔𝑔𝑚𝑚 ∙ 𝑅𝑅𝑖𝑖 се назива Баркхаузенов образац. Он се користи да бисмо, познајући два
параметра, могли израчунати трећи.

На слици 1а је приказана еквивалентна шеме фет транзистора, а на слици 1б поједностављена

шема фета за случај када се излазна отпорност фета може занемарити (𝑹𝑹𝒊𝒊 → ∞).

/ 22
21
Слика 1.а.
а Слика 1.б.
ик
Фет (као и биполарни транзистор) је ограничен по:
он

• снази,

• напону,
тр

• струји и

• фреквенцији.
ек

На слици 2а је приказан фет са паразитним (међуелектродним) капацитетима, који га

фреквенцијски ограничавају, због чега постоје високофреквентни и нискофреквентни фетови,
ел

слично као и код биполарног транзистора, а на слици 2б је приказана еквивалентна шема фета
на високим фреквенцијама.
дк

Слика 2.а. Слика 2.б.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2
4.3. MOSFET

Ови FET-ови имају изолирани гејт, а пројектовани су с циљем да отклоне што већи број
недостатака које су имали биполарни транзистори и JFET-ови.

4.3.1. ВРСТЕ MOSFET-ова

Предност JFET-а у односу на биполарни транзистор, је много већи улазни отпор (отпор инверзно
поларисаног G-S PN споја), у односу на биполарни транзистор, код кога је емитерски PN спој

22
директно поларисан.

Код MOSFET-ова гејт је изолован од подлоге помоћу силицијумовог диоксида 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 . Основа на

/
21
којима се заснива принцип рада је подлога на бази силицијума и силицијумовог диоксида 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐
на тој подлози. Особине 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 су:

• 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 је изолатор,

• а
𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 у себи има јако позитивно наелектрисање.
ик
Изолационо својство 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 онемогућава да тече струја гејта, тј. 𝑰𝑰𝑮𝑮 = 𝟎𝟎.
он

Позитивно наелектрисање 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 извлачи из подлоге електроне, који се гомилају у површинском
дијелу подлоге, испод 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 , јер не могу проћи кроз 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 , пошто је 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 изолатор.
тр

MOSFET-ове можемо подијелити према врсти полупроводника који чини канал на:

• N канални MOSFET,
ек

• P канални MOSFET,

Ако 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 може сам формирати канал, у површинском дијелу подлоге, говоримо о уграђеном
ел

каналу (depletion MOSFET).

Ако 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 не може сам формирати канал, већ га формирамо напоном на гејту, тада говоримо о
дк

индукованом каналу (enhancement MOSFET).

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
4.3.2. N КАНАЛНИ MOSFET (УГРАЂЕНИ КАНАЛ)

Подлога је осиромашен полупроводник P типа (𝑷𝑷− ) у облику плочице. На једну страну те

подлоге се нанесе танак слој силицијумског диоксида 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 . На мјестима гдје ћемо формирати
сорс (S) и дрејн (D), 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 се уклони, и на тим мјестима, одређеним технолошким поступком,
унесемо у подлогу донорске примјесе. На тај начин у подлози P типа формирамо полупроводник
N типа.

На мјеста гдје смо формирали полупроводнике N типа, постављамо контактне плочице за изводе
(S) и (D). Између те двије контактне плочице постављамо на 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 контактну плочицу за извод

22
гејта (G). Тако је G изолован од подлоге преко 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 .

Захваљујући осиромашеној подлози P типа, позитивно дјеловање 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 на електроне ће бити јаче

/
од подлоге P типа, тако да ће у површинском дијелу подлоге између (S) и (D) доћи до формирања

21
полупроводника N типа. На тај начин је формиран канал технолошким путем (уграђен).

Ширина уграђеног канала зависи од јачине осиромашења подлоге. Што је подлога слабије
обогаћена, канал је шири.
а
ик
На слици 1 је приказан MOSFET у пресјеку, код кога је канал уграђеног типа, као и његов симбол.
он
тр
ек

Слика 1
ел

Пошто канал постоји, довољно је између (S) и (D) прикључити напон 𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫 да би потекла струја.
дк

То значи да ће FET бити отворен и без напона на гејту 𝑼𝑼𝑮𝑮 = 𝟎𝟎.

Ако на G прикључимо позитивни напон (+𝑼𝑼𝑮𝑮 ), са повећањем тог напона доћи ће до ширења
канала, односно до пораста струје кроз FET (𝑰𝑰𝑫𝑫 ). Позитиван напон јача позитивно дјеловање 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐
у односу на подлогу, због чега се канал шири.

Прикључимо ли на G негативни напон (−𝑼𝑼𝑮𝑮 ), његовим повећањем канал ће се сужавати, јер

негативним напоном на G, слабимо позитивно дјеловање 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 . При неком максималном
негативном напону на G, канал ће се расформирати, а FET ће се затворити. Тај напон, при коме се
FET затвара, назива се напон прага 𝑼𝑼𝑻𝑻 , (енгл. threshold – праг).

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2
На основу разматрања утицаја напона гејта на ширину канала, можемо нацртати преносну
карактеристику овог MOSFET-а, а користећи ту преносну карактеристику, можемо нацртати
излазне, са одговарајућим распоредом напона 𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 . Принципијелни изглед карактеристика је
приказан на слици 2.

/ 22
21
Слика 2

а
Сваки MOSFET има и другу управљачку електроду (други гејт). Код MOSFET-ова је
ик
означена са 𝑮𝑮∗ , а представља подлогу.

Ако се MOSFET користи за појачање сигнала, 𝑮𝑮∗ мора бити спојен на сорс.
он

Тамо гдје су потребне двије управљачке електроде, као што је код степена за промјену
учестаности, 𝑮𝑮∗ се одваја од сорса.
тр
ек

Како су излазне карактеристике MOSFET-ова идентичне као и код JFET-ова, то су им и

еквивалентне шеме исте. Параметри MOSFET-ова су идентични параметрима
ел

JFET-ова.
дк

Да би се произвео P канални MOSFET са уграђеним каналом, потребни су додатни

технолошки поступци, као нпр. уношење у подлогу акцепторских примјеса.

Акцепторске примјесе се уносе у подлогу између сорса и дрејна, а испод 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 . Тај се
технолошки процес назива јонска имплантација.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3
4.3.3. N КАНАЛНИ MOSFET (ИНДУКОВАНИ КАНАЛ)

Подлога је јако обогаћени полупроводник P типа (𝑷𝑷+ ). Таква подлога има јаче позитивно
дјеловање на електроне од 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 , због чега 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 неће моћи сам формирати канал, већ ћемо га
створити тек при неком позитивном напону на гејту (+𝑼𝑼𝑮𝑮 ). Тај напон, при коме се формира
канал (FET отвара), назива се напон прага 𝑼𝑼𝑻𝑻 . Видимо да је код овог FET-а напон прага позитиван
(𝑼𝑼𝑻𝑻 > 𝟎𝟎). Даљњим порастом тог напона канал ће се ширити, односно струја дрејна 𝑰𝑰𝑫𝑫 ће расти.

Како се код овог FET-а канал формира напоном на гејту, говоримо о индукованом каналу.

На слици 3 је приказан MOSFET у пресјеку, са N каналом индукованог типа, као и његов симбол.

/ 22
21
а
ик
Слика 3
он

Из објашњења како напон на гејту формира канал, можемо нацртати преносну карактеристику,
тр

а помоћу те карактеристике, можемо нацртати излазне карактеристике, правећи на њима

распоред напона 𝑼𝑼𝑮𝑮𝑮𝑮 . Принципијелни изглед карактеристика је приказан на слици 4.
ек
ел
дк

Слика 4

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
4
4.3.4. P КАНАЛНИ MOSFET (ИНДУКОВАНИ КАНАЛ)

За подлогу се узима полупроводник N типа. На овој подлози 𝑺𝑺𝒊𝒊 𝑶𝑶𝟐𝟐 не може сам формирати канал
(полупроводник P типа), већ на гејт морамо прикључити негативни напон.

На слици 5 је приказан MOSFET у пресјеку, са P каналом индукованог типа, као и његов симбол.

/ 22
21
Слика 5

а
Излазне и преносне карактеристика су приказане на слици 6.
ик
он
тр
ек
ел

Слика 6
дк

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
5