1.4.

ФОРМИРАЊЕ И ПОЛАРИЗАЦИЈА PN СПОЈА

PN спој формирамо одговарајућим технолошким поступком од полупроводника Р типа и N типа.

Ако технолошки поступак посматрамо као „спајање“ полупроводника Р типа и полупроводника
N типа, тада мјесто, гдје се та два полупроводника „спајају“ називамо PN прелаз. Такав PN спој
приказан је на слици 1.а.

Слика 1

Током трајања процеса формирања PN споја, долази до природног кретања већинских (главних)
носилаца преко граничног прелаза из подручја више у подручје ниже концентрације. То
усмјерено кретање се назива дифузионо кретање. Пошто је то усмјерено кретање носилаца,
можемо говорити о струји (струја дифузије).

Тако се електрони крећу из полупроводника N типа (подручја више), у полупроводник Р типа

(подручје ниже концентрације).

Дифузионо (природно) кретање електрона из N типа у Р тип резултира рекомбинацијом у

полупроводнику Р типа уз гранични прелаз. То кретање има за посљедицу јонизацију
акцепторских у Р типу и донорских атома у N типу полупроводника. Посљедица те јонизације је
настанак с обје стране PN прелаза јонизованих атома (јона). У Р типу настају негативни јони, а у
N типу позитивни јони. То значи да се с обје стране PN прелаза формира тзв. просторно
наелектрисање. То просторно наелектрисање се назива баријерна област (потенцијална
баријера или запречни слој). Такав PN спој је приказан на слици 1.б.

Назива се потенцијална баријера зато што спрјечава даљње природно кретање носилаца
(дифузију). Разлог што се носиоци не могу кроз баријеру природно кретати је просторно
наелектрисање у тој баријери. Прелазак електрона из N типа и Р тип спрјечава негативно
наелектрисање у полупроводнику P типа, а "кретање" шупљина из полупроводника P типа у
полупроводник N типа спрјечава позитивно наелектрисање и полупроводнику N типа.

Ширина потенцијалне баријере зависи од јачине обогаћености полупроводника код PN споја. Са

повећањем јачине обогаћености баријера се сужава, а са смањењем јачине обогаћености она се
шири. Баријера се шири на рачун слабије обогаћеног полупроводника. Према томе, одговарајућу
ширину потенцијалне баријере уграђујемо технолошким путем.
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
На слици 2.а је приказан PN спој који је јако обогаћен. На слици 2.б је приказан слабо обогаћен, а
на слици 2.в PN спој, код кога су полупроводници неравномјерно обогаћени. На тим сликама се
симболички види зависност ширине потенцијалне баријере од јачине обогаћености
полупроводника који чине PN спој.

а) б) в)

Слика 2

Дјеловање потенцијалне баријере на природно кретање носилаца кроз њу може се еквивалентно

приказати тзв. дифузионом баријером (𝑬𝑬𝑫𝑫 ), односно прагом PN споја (𝑼𝑼𝜸𝜸 ) слика 3.

Слика 3

Треба запамтити да се кроз потенцијалну баријеру главни носиоци не могу кретати, док се
споредни носиоци крећу.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
2
 ДИРЕКТНО И ИНВЕРЗНО ПОЛАРИСАНИ PN СПОЈ

Да бисмо управљали кретањем већинских (главних) носилаца (струјом кроз PN спој), морамо PN
спој поларисати. Напон (U) којим поларишемо PN спој називамо напоном поларизације. Тим
напоном мијењамо напон прага (смањујући га или повећавајући). Промјеном напона прага
омогућавамо или спрјечавамо усмјерено кретање већинским (главним) носиоцима кроз PN спој.
То значи да поларизацијом омогућавамо или спрјечавамо да кроз PN спој тече струја.

ДИРЕКТНА ПОЛАРИЗАЦИЈА. - Код директне поларизације користи се спољни извор, чији је

позитивни пол прикључен на Р, а негативан на N област (слика 4).

Слика 4. Унутрашње (𝑬𝑬𝒖𝒖 ) и спољно (𝑬𝑬𝒔𝒔 ) електрично поље код директне поларизације
PN cnoja

У Р области постоји много покретних шупљина, које су овдје главни носиоци електрицитета. У N
области постоји много покретних електрона и они су главни носиоци електрицитета. У области
додира Р и N области формирано је просторно наелектрисање. На слици 4 пуним линијама је
означена област просторног наелектрисања прије прикључивања спољног напона. Од њега
потиче унутрашње електрично поље усмјерено од N ка Р области, које је на слици 4 означено са
𝑬𝑬𝒖𝒖 .
Ако се на крајевима неког електричног елемента мијења напон, кроз њега се мијења струја.
Зависност струје од напона се назива његова (струјно-напонска) карактеристика.
На овако формиран РN спој се прикључује спољни извор, који ствара електрично поље 𝑬𝑬𝒔𝒔 и које
је на слици 4 усмјерено од тачке а1, ка тачки а4. Електрично поље 𝑬𝑬𝒔𝒔 потискује слободне и
покретне шупљине унутар Р области у смјеру поља, тј. ка споју а-а. Покретни електрони у N
области потискују се у смјеру супротном од смјера поља, такође ка пресјеку а-а. Уколико је споља
прикључени напон нижи од напона потенцијалне баријере, електрично поље 𝑬𝑬𝒔𝒔 се одузима од
унутрашњег поља 𝑬𝑬𝒖𝒖 . Укупно поље има смјер као и унутрашње поље 𝑬𝑬𝒖𝒖 , али је мање од њега. Ово
смањено поље мање потискује електроне у N област и шупљине у Р област, па је област
просторног наелектрисања сужена (слика 4 ), али струја не тече.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
3
Уколико је споља прикључени напон виши од потенцијалне баријере, спољно електрично поље
је веће од унутрашњег; резултантно електрично поље сада има смјер од тачке а1 до а4 и струја
протиче (слика 5).

Слика 5. Протицање струје код директне поларизације за 𝑬𝑬𝒔𝒔 > 𝑬𝑬𝒖𝒖

Резултантно поље потискује шупљине у N област и електроне у Р област. Шупљине које дођу у N
област рекомбинују се са електронима који се овдје нормално налазе; на мјесто рекомбинованих
шупљина стално долазе нове из Р области, а на мјесто рекомбинованих електрона долазе нови
из металног прикључка.
Слична појава се дешава и у Р области: електрони који долазе из N области овдје се рекомбинују
са шупљинама које се овдје нормално налазе; на њихово мјесто стално долазе нови електрони из
N области, а на мјесто рекомбинованих шупљина долазе нове, које настају одласком електрона у
метални прикључак. Стално кретање шупљина у смјеру поља и електрона супротно од смјера
поља, које потиче од спољног извора, представља струју кроз РN спој. Треба напоменути да се
електрони и шупљине не рекомбинују само на саставу Р и N области; то може да се деси у
близини споја а-а, али може и на удаљеним дијеловима N области. Шупљина и електрона има
далеко мање него атома; вјероватноћа да се они сретну баш на мјесту споја а-а је релативно мала,
па они настављају да се крећу од овог споја. Слична појава се јавља са електронима у
Р области.
Повишењем спољног напона струја нагло расте (слика 6) и најчешће је реда mA или А, мада може
да има и друге вриједности.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
4
 Слика 6. Карактеристика PN споја код директне поларизације. 𝑼𝑼𝒑𝒑 је напон
прага провођења

На слици 6 се види да напон директне поларизације треба повишавати до неке вриједности и да

тек тада почиње да тече знатна струја. У суштини, најприје треба спољни извор да надвлада
потенцијалну баријеру у РN споју и тек тада почиње да тече струја. Вриједност напона 𝑼𝑼𝒑𝒑 на
слици 6 назива се, праг провођења РN споја и код силицијума је од 0,6V до 0,7V, а код германијума
од 0,2V до 0,3V.
Најприкладнија дефиниција прага провођења је вриједност прикљученог напона када струја
достигне 1% од вриједности приликом нормалне употребе. На примјер, ако кроз PN спој у пракси
тече струја од 100mA, праг провођења се одређује код струје од 1mA

ИНВЕРЗНО ПОЛАРИСАНИ РN СПОЈ. - Нека је на РN спој прикључен спољни извор чији је

позитиван пол спојен са N, а негативан са Р области. Сада електрично поље од спољног извора
има исти смјер као и унутрашње поље које потиче од потенцијалне баријере; вриједности оба
поља се сабирају. Ово појачано електрично поље још више потискује електроне у N, а шупљине у
Р област. Област просторног наелектрисања се шири и означена је испрекиданим линијама на
слици 7. Види се да ово поље још више удаљава електроне и шупљине од споја на мјесту пресјека
а-а и онемогућава њихову рекомбинацију. Струја практично не тече кроз РN спој.

Слика 7. Проширење области просторног наелектрисања код инверзне поларизације

РN споја
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
5
Видјели смо раније да парови електрон-шупљина могу да постоје и у чистом полупроводнику.
Ови парови могу да настану због загријевања полупроводника, што се дешава већ на собној
температури. Овако добијене шупљине у N области под дејством поља се крећу ка Р области. Исто
тако, ослобођени електрони у Р области крећу се ка N области. Тада долази до њихове
рекомбинације. Оваквих случајева је релативно мало и струја која тече је релативно мала (на
примјер 1nA код силицијума). Ова струја се назива инверзна струја РN споја јер се појављује при
његовој инверзној поларизацији. Ако се инверзно прикључени спољни напон на слици 8.а
повишава, неће доћи до повећања инверзне струје. Она зависи само од споредних носилаца
електрицитета, чији број зависи од температуре полупроводника. Карактеристика РN споја,
која показује зависност инверзне струје од инверзног напона, приказана је на слици 8.б.

Слика 8. Карактеристика PN споја код инверзне поларизације

Види се да код почетног повећања инверзног напона долази до повећања инверзне струје. Ако
се даље повећава инверзни напон, она остаје константна.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
6
 ПРОБОЈИ РN СПОЈА

РN спој може да буде пробијен при директној (пропусној) и инверзној (непропусној)

поларизацији. Постоји више врста пробоја.

ТОПЛОТНИ ПРОБОЈ. - Нека је на РN спој прикључен инверзни напон, који је исувише висок.
Због високог инверзног напона тече инверзна струја кроз РN спој. Она изазива додатно
загријавање РN споја јер је напон на њему висок, па је и снага загријавања велика. Због додатног
загријевања РN споја повећава се број парова електрон-шупљина, тј. повећава се инверзна струја.
Ове појаве се међусобно потпомажу, па стално расте температура РN споја. Када температура
пређе дозвољену границу, долази до разарања РN споја. Овакав топлотни пробој се углавном
јавља код геранијумских диода јер је код силицијумских инверзна струја обично занемарљиво
мала.
Једна врста топлотног пробоја може да се јави код свих врста полупроводника; приликом
проласка струје кроз РN спој долази од његовог загријавања; ако није обезбеђено одговарајуће
хлађење, температура полупроводника стално расте и долази до његовог разарања.

ЛАВИНСКИ ПРОБОЈ. - Настаје код слабије обогаћених полупроводника који имају широку
потенцијалну баријеру, а PN спој је инверзно поларисан. На собној температури у
полупроводнику постоје слободни електрони. Код повишеног инверзног напона ови слободни
електрони се убрзавају у смјеру супротном од смјера електричног поља, које потиче од спољног
инверзног напона. Убрзани електрони ударају у атоме и предају им енергију. Примљена
енергија у атому изазива ослобађање више нових електрона, који се такође крећу под дејством
истог електричног поља. Ослобођени електрони се убрзавају и сударају се са новим атомима и
производе још више слободних електрона. Видимо да број слободних електрона стално расте,
што подсјећа на лавину. Нагло повећање броја електрона, који се крећу у одређеном смјеру,
значи нагло повећање струје. Повећана струја може да изазове разарање РN споја.

ЗЕНЕРОВ ПРОБОЈ: Овај пробој настаје код PN споја, чији су полупроводници јако обогаћени, а
PN спој је инверзно поларисан. Како је код јаче обогаћених полупроводника који чине PN спој
потенцијална баријера ужа, то је у тој баријери и електрично поље јаче, јер је јачина поља
𝑼𝑼
𝑬𝑬 = 𝒅𝒅 ,
гдје је:
• E - јачина поља,
• U - напон инверзне поларизације,
• d - ширина баријере, која је технолошки уграђена.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
7
Електрично поље "чупа" електроне из вањских љуски атома и усмјерава их да се крећу
супротно од дјеловања поља. На тај начин се ствара велика струја кроз PN спој. Због тога настаје
пробој PN-споја, који се назива Зенеров пробој.
• Зенеров пробој се јавља при напону инверзне поларизације мањем од 5V.
• Кад је напон инверзне поларизације већи од 8V, тада је и питању лавински пробој.
• Ако је напон инверзне поларизације између 5V и 8V, тада дјелује комбинација Зенеровог
и лавинског пробоја.
Важно је запамтити да је за Зенеров пробој битна минимална вриједност струје инверзне
поларизације PN споја Imin, која се код Зенерове диоде назива минимална струја Зенер диоде Izmin.
Напон инверзне поларизације, код кога настаје Зенеров пробој назива се Зенеров напон (Uz).

На слици 9 се види да је карактеристика РN споја у области пробоја, у општем случају, доста

стрма. Иначе, на нижим пробојним напонима (на примјер 3V) карактеристика је мање стрма, док
је на вишим пробојним напонима стрмија.

Слика 9. Карактеристика РN споја у области пробоја

Инверзни пробојни напон се смањује са повишењем температуре до око 5,5V. На око 5,5V
пробојни напон не зависи од промјене температуре, а изнад ове границе расте са порастом
температуре.
Уколико није обезбеђена одговарајућа заштита, послије свих врста пробоја долази до разарања
РN споја. Разорени РN спој обично се понаша као кратак спој, мада се понекад понаша и као
прекид. Интересантно је примијетити да до разарања неће доћи ако се неком спољном
отпорношћу струја пробоја ограничи на одређену вриједност која неће изазвати разарање РN
споја.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
8