ШОТКИЈЕВЕ ДИОДЕ

Под одређеним условима усмерачки ефекат се испоаqава и код структуре која

представља спој полупроводника N типа и метала. Ова појава се назива
Шоткијев ефекат, према имену физичара који је то и открио. Диоде које немају
класичан РN спој, већ је у питању спој метал – полупроводник N типа, називају
се Шоткијеве диоде. Њихова структура и графички симбол у електричним
шемама приказани су на слици 1. Извор напона, везан као на слици, директно
поларише диоду.
Метал Област просторног
наелектрисања
Силицијум
N типа
Слика 1 а) Стуктура
(напонски извор везан као на
слици директно поларише
диоду) и б) симбол Шоткијеве
б) диоде
+ -
U
а)
Код ових диода долази до изражаја чињеница да донорски електрони
силицијума имају много већу потенцијалну енергију од електрона у металу.
Због тога ће доћи до њиховог кретања из полупроводника у метал и доћи ће до
формирања области просторног наелектрисања. Ова област биће формирана на
страни полупроводника, од раније је познато да већи део ње захвата област са
мањом концентрацијом носилаца, а мање је електрона у силицијуму него у
металу. Напон прикључен као на слици додатно поспешује овакво кретање
електрона, па имамо струју кроз спој. Још једном, директна струја Шоткијеве
диоде представља кретање електрона из полупроводника N типа (катода)
према металу (анода). Смер ове струје је супротан од смера кретања електрона,
дакле од матала ка полупроводнику. Када је прикључени напон супротног
поларитета од оног на слици, без обзира на чињеницу да у металу има много
више електрона него у полупроводнику, неће доћи до дифузије електрона из
метала у полупроводник, због већ поменуте чињенице да су електрони у металу
на нижем нивоу потенцијалне енергије. Диода је тада инверзнно поларисан и
кроз њу тече инверзна струја засићења РN споја, која је занемарљиво мала.
Шоткијеве диоде су веома брзе приликом искључивања. Када је било речи о
диодама као прекидачима, напоменуто је да се наглом променом поларитета
напона обичне диоде, тако да се стање промени са директне на инверзну
поларизацију, не успоставља одмах инверзна струја засићења. Разлог томе је
доста повећана концентрација мањинских носилаца, који су се дифузијом, док је
диода била директно поларисана, померили – електрони из N у Р област и
шупљина из Р у N област. Нагла промена поларитета напона диоде доводи до
тога да ови мањински носиоци нагло крену натраг и тече велика инверзна струја
– неко кратко време. Како се ови носиоци враћају одакле су дошли тако
инверзна струја опада и устаљује се на вредност инверзне струје засићења. Тада
се сматра да је диода искључена, када се и Р и N област растерете од мањинских
носилаца. Код Шоткијевих диода, приликом директне поларизације гомилају се
додатни електрони у металу. Како они у металу не представљају мањинске
носиоце неће се дешавати иста ствар као код обичних диода – нема потребе за
растерећењем од мањинских носилаца, па је време искључивања ових диода
веома кратко, реда величине 100ps. Због тога се користе као врло брзи
прекидачи у дигиталним колима.
Праг провођења код ових диода отприлке је два пута нижи него код обичних
силицијумскух диода и износи око 0,3 – 0,4V. Напонско струјна карактеристика
једне типичне Шоткијеве диоде приказана је на слици 2.
IF[mA]
15
Слика 2 Напонско – струјна
карактеристика Шоткијеве диоде 10

40 30 20 10
UR[V] 5 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 UF[V]
10
15

IR[μA]

Повећаном концентрацијом примеса напон прага се може још више смањити,

али ће се онда смањити и пробојни напон, а повећати инверзна струја засићења.
У зависности од типа, најважније вредности које се ограничавају, а дају се као
каталошки подаци су:
- инверзни напон: UR ≈ 5V до 100V
- директна струја: IF ≈ 10mA до 400mA
- снага дисипације: Ptot ≈ 0,1W до 0,4W
- температура диоде: θJ ≈ 100°С.
Као каталошки подаци често се дају и следеће карактеристичне вредности:
- време оппоравка приликом укључења: tfr ≈ 50ps
- време опоравка приликом искључења: trr ≈ 100ps
- капацитивност диоде: CD ≈ 10pF
- инверзна струја: IR ≈ 5μА.
Као што је напоменуто, ове диоде користе се као врло брзи прекидачи. Користе
се и у микроталасној техници, на учестаностима од преко 15GHz. Налазе
примену код логичких кола, као и код прекидачких модула за напајање.