Klasifikacija cvrstih tela Materijali u cvrstom stanju mogu biti amorfni i kristalni.

U amorfnim cvrstim telima je raspored atoma ili grupa atoma nepravilan. Kristalna cvrsta tela se karakterisu pravilnim rasporedom atoma, odnosno molekula od kojih su ta tela sacinjena. Moguce je izvrsiti vise nacina podele kristala, i jedna od njih je prema tipu veze: jonski, metalni, kovalentni i molekulski krisali. Poluprovodnici oluprovodnici se mogu podeliti na dve osnovne grupe: sopstvene i primesne poluprovodnike. !opstveni poluprovodnici su potpuno cisti materijali, dok se kod primesnih poluprovodnika u kristalnu resetku ubacuju atomi drugog elementa "koji se zovu primese# i na taj nacin znatno povecava koncentracija slobodnih nosilaca naelektrisanja. Sopstvena provodnost poluprovodnika $ist poluprovodnik, bez primesa, zove se sopstveni poluprovodnik Koncentracije nosilaca naelektrisanja pri termodinamickoj ravnotezi Kod izracunavanja koncentracije nosilaca naelektrisanja pri termodinamickoj ravnotezi mora se voditi racuna o vrednosti koncentracije primesa. %a poluprovodnik kod koga koncentracije primesa nisu vece od &'&( cm) kaze se da je nedegenerisan, odnosno slabo dopirani poluprovodnik. %a poluprovodnik sa koncentracijama primesa iznad &'&( cm) koriste se izrazi degenerisani ili jako dopirani poluprovodnik. Transport nosilaca naelektrisanja 1.4.1 Drift nosilaca naelektrisanja Kada se poluprovodnik podvrgne spoljasnjem elektricnom polju, elektroni dobijaju komponentu brzine koja se naziva driftovska brzina i njihovo kretanje postaje usmereno. *va brzina, usled cestih sudara i promena pravca kretanja elektrona, nece se stalno povecavati, vec ce postici jednu srednju vrednost vn. okretljivost nosilaca naelektrisanja jako zavisi od temperature i koncentracije primesa, i pri sobnoj temperaturi pokretljivost elektrona je priblizno dva puta ve ca od pokretljivosti supljina. !truja koja nastaje kretanjem elektrona i supljina pod uticajem elektricnog polja predstavlja driftovsku struju. Difuzija nosilaca naelektrisanja Kada na poluprovodnik nije prikljuceno spoljasnje elektricno polje, elektroni i supljine se nalaze u stalnom kretanju usled termicke energije kristala. *vo kretanje nosilaca naelektrisanja je haoticno, i svi smerovi su podjednako verovatni. Medjutim, ukoliko u poluprovodniku postoji razlika u koncentraciji nosilaca onda nastaje njihovo kretanje od mesta vise koncentracije ka mestu nize koncentracije, tezeci da se koncentracije nosilaca izjednace. *vo kretanje nosilaca prouzrukuju difuzionu struju, koja je proprocionalna gradijentu koncentracije nosilaca. Ajnstajnova relacija Koeficijent difuzije i pokretljivost jedne vrste nosilaca naelektrisanja u slabo dopiranom poluprovodniku + jako dopiranom poluprovodniku sa konstantnom koncentracijom primesa povezani su ,jnstajnovom relacijom:

gde je UT - kT/e termicki potencijal koji na sobnoj temperaturi T - )''K iznosi UT ./mV . p n spoj *blast na granici dva poluprovodnika, jednog n i drugog p tipa, naziva se pn spoj. rovodnost poluprovodnika n tipa zavisi od koncentracije donorskih atoma, a p tipa od koncentracije akceptorskih atoma. *snovni poluprovodnicki materijali koji se koriste za dobijanje poluprovodnika p i n tipa, a samim tim i p0n spojeva su germanijum "1e# i silicijum "!i#. !snovne oso"ine P # spoja Kada bi se dva bloka p i n tipa poluprovodnika sastavila "2priljubila2#, i na taj nacin formirao p0n spoj, doslo bi do difuzije elektrona iz n u p oblast, zbog toga sto je koncentracija elektrona u n oblasti mnogo veca od koncentracije elektrona u p oblasti. +z slicnih razloga dolazi do difuzije supljina iz p oblasti u n oblast. kako je primesna koncentraciji supljina u p oblasti mnogo veca od sopstvene koncetracije supljina u n oblasti, supljine ce teziti da se njihove koncentracije izjednace. 3o dovodi do kretanja supljina iz p u n oblast, sto u sustini, fizicki posmatrano, predstavlja kretanje 2vezanih2 elektrona 2preskakanjem2 sa jednog upraznjenog mesto na drugo. $ner%ijski dija%rami

!l. 4nergijski dijagrami a# p tipa i b# n tipa poluprovodnika u odsustvu kontakta.

!l. 4nergijski dijagram p0n spoja Kapacitivnost p n spoja U prelaznoj oblasti, kao sto je pokazano, postoji prostorno naelektrisanje od nekompenzovanih jonizovanih primesa. ,ko je prostorno naelektrisanje u p oblasti sirine xp postojace negativno naelektrisanje Qp - -eSxpNA "S je povrsina pn spoja#, a u n oblasti sirine xn pozitivno naelektrisanje Qn - eSxnND. 5aelektrisanja Qn + Qp se mogu smatrati kao naelektrisanja na oblogama jednog kondenzatora, pri cemu je rastojanje izmedju tih obloga - xp 6 xn. Kapacitivnost takvog 2kondenzatora2 je: gde je !s dielektricna konstanta poluprovodnika, i ova kapacitivnost se naziva kapacitivnost prostorno" nae#ektrisanja ili $arijerna kapacitivnost.

Strujno naponska karakteristika p n spoja % - %o"e7p V/UT - &# *vo je jedna od osnovnih relacija poluprovodnicke elektronike, i ona opisuje usmeracko svojstvo p0n spoja. *va 8ednacina je poznata pod nazivom strujno-naponska karakteristika pn spoja ili strujnonaponska karakteristika &io&e, i ona je u dobroj saglasnosti sa eksperimentom, narocito kod germanijumskih dioda.

!l. !trujno9naponska karakteristika p0n spoja. Poluprovodnicke diode :ad poluprovodnickih dioda zasniva se na usmerackim osobinama p9n spoja. &oto dioda ;otodioda je zasnovana na unutrasnjem fotoefektu. ,ko se inverzno polarisan p0n spoj izlozi dejstvu svetlosnog zracenja, pokazuje se da inverzna struja raste i da je ovaj porast srazmeran osvetljenosti spoja. 3o znaci da upadno svetlosno zracenje proizvodi nove slobodne nosioce naelektrisanja: elektrone i supljine. Kada se inverzno polarisan p0n spoj nalazi u tami, kroz njega i spoljasnje kolo protice struja koja se naziva 'tamna' struja (oto&io&e. Pro"oj p n spoja <rednost napona koji dovodi do skokovitog porasta struje naziva se pro$ojnim naponom, a sama pojava pro$ojem p n spoja. Kada jednom dodje do proboja, inverzna struja se ogranicava na dozvoljenu vrednost pomocu spoljasnjeg otpora u kolu u kome se nalazi dioda. U protivnom dolazi do unistenja diode usled preteranog zagrevanja "tzv. toplotni proboj p0n spoja#. 'enerov pro"oj %enerov "tunelski# proboj je narocito izrazen pri vecim koncentracijama primesa u p i n oblasti, i on je vezan za porast intenziteta polja u barijeri, pod dejstvom spoljasnjeg inverznog napona. !truju u %enerovom proboju ne cine sporedni nosioci iz p u n oblast, vec elektroni koji iz valentne zone p oblasti prolaze kroz p0n spoj + stizu u provodnu zonu n oblasti. (avinski pro"oj =avinski proboj se sustinski razlikuje od %enerovog proboja, i on nastaje udarnom jonizacijom atoma poluprovodnika u prelaznoj oblasti p9n spoja. od uticajem jakog elektricnog polja, sporedni nosioci iz p + n oblasti prolazeci kroz barijeru sticu kineticku energiju koja je dovoljna za prekidanje velentnih veza elektrona u kristalu. !udarajuci se sa vezanim elektronima izazivaju proces jonizacije atoma, stvarajuci na taj nacin nove nosioce. 5ovi nosioci naelektrisanja mogu nastaviti proces umnozavanja, stvarajuci na taj nacin lavinu. roces lavinskog proboja je dominantan kod dioda sa manjim koncentracijama primesa, jer se kod njih %enerov proboj javlja pri vecim inverznim naponima. Tranzistori 3ranzistori su poluprovodnicki elementi sa dva p0n spoja, dok su diode poluprovodnicki elementi sa jednim p0n spojem. !vi tranzistori se dele u dve grupe: bipolarni i unipolarni tranzistori. Princip rada "ipolarnih tranzistora >ipolarni tranzistori u svom radu koriste oba tipa nosioca naelektrisanja, elektrone i supljine. U osnovi bipolarnih tranzistora lezi cinjenica da se strujom direktno polarisane

diode moze upravljati strujom inverzno olarisane diode, ako su one u neposrednom kontaktu. Princip rada unipolarnih tranzistora Unipo#arni tran)istori su poznati i pod nazivom tranzistori sa efektom polja ";43 tranzistori#, i oni koriste samo jednu vrstu nosilaca, ili elektrone ili supljine. U zavisnosti od vrste nosilaca naelektrisanja, unipolarni tranzistori ili tranzistori sa efektom polja se dele na tranzistore 5 i tipa.