ЈУ СШЦ „Голуб Куреш“

Билећа

ПОЛУПРОВОДНИЦИ P-N-P, N-P-N ТИПА

КРИСТАЛНЕ ТРИОДЕ- ТРАНЗИТОРИ

Семинарски рад из физике

Професор: Kaндидат:

Мира Салатић Дајана Самарџић

Билећа: 2022

poluprovodnici[Type text] Page 1

 ПОЛУПРОВОДНИЦИ
Полупроводнички материјали су коришћени још у 20. веку за детекторе радио
сигнала, али због лошијих карактеристика од вакуумских цеви, полупроводници су
били заборављени све до 1947. године, када је у Белловим лабораторијама
направљен први транзистор од германијумских (Ге) кристала. У тренутку,
полупроводничке компоненте постепено преузимају предност у односу на вакуумске
цеви јер су полупроводничке компоненте много поузданије, енергетски ефикасније,
брже и мање величине од електронских цеви. Следећи важан догађај у развоју
електронике је развој интегрисаних кола.

Прво интегрисано коло патентирао је Џек Килби 1959 . Практично се састојао

од два транзистора на једном кристалу германијума. Сложеност интегрисаних кола је
нагло расла у наредним годинама, тако да су од два интегрисана транзистора 1959.
године , данас, 50 година касније, стигла до интегрисаних кола са више од милион
транзистора. Овај тренд се наставља. Електроника је у данашњем свету ушла у све
области људске делатности од забаве, преко производње до медицине.

Полупроводници су нешто између изолатора и проводника. Полупроводници

су умерено супротстављени носиоцу електричне енергије. Најважнији
полупроводнички материјали су: силицијум (Си), германијум (Ге) и галијум-арсенид
(ГаАс). Полупроводници чине основу савремене електронике. Полупроводници су
материјали са мањим бројем слободних наелектрисања (електрона и шупљина).
Уношењем малих количина нечистоћа у полупроводнички кристал, он мења своја
електрична својства и постаје делимично проводљив. Број слободних носилаца
наелектрисања може се променити дејством спољашњих фактора: температуре,
светлости, електричног поља. Тада се број слободних ненаелектрисања значајно
повећава и полупроводник се претвара у проводнике. Величина која карактерише
полупроводничке материјале је енергетски јаз.

Енергетски јаз је разлика између валентног и проводног нивоа атома

састављеног од полупроводничког материјала и представља енергију потребну да
електрон пређе са валентног нивоа на ниво проводљивости, односно да напусти
матични атом. Јединица која се у пракси користи за карактеризацију енергетског јаза
је електрон волт (еВ). Полупроводнички материјали имају енергетски јаз од неколико
електрон волти до неколико десетина електрон волти.

poluprovodnici[Type text] Page 2

Полупроводнички елементи и једињења

Колоне на левој страни периодног система елемената садрже метале. Атоми

метала могу лако изгубити један или два електрона и постати позитивни јони. Они су
добри проводници електричне струје, јер је њихова веза између атома и електрона у
спољној орбити слаба, тако да се електрони могу релативно лако ослободити и
постати слободни. Елементи у колонама на десној страни периодног система имају
електроне чврсто везане у спољашњим мембранама; они су, дакле, изолатори. У
средњим колонама табеле налазе се елементи код којих је проводљивост много
мања него код добрих проводника, а много већа него у изолаторима. Они чине класу
полупроводника. Ово укључује 12 елементарних полупроводника: бор (Б), угљеник
(Ц), силицијум (Си), фосфор (П), сумпор (С), германијум (Ге), арсен (Ас), селен (Се),
калај (Сн) , антимон (Сб), телур (Те) и јод (Ј). Данас се силицијум користи скоро
искључиво од елементарних полупроводника, док се други, попут арсена, фосфора и
бора, користе за долазак до силицијума, који мења његову проводљивост.

Сви полупроводници, и елементарна и полупроводничка једињења, имају

кристалну структуру. Елементарни полупроводници имају кристалну решетку типа
дијаманта, док решетка полупроводничких једињења има модификовану структуру
дијаманта, тзв. сфалеритну структуру,

Решетке типа дијаманта формирају ковалентне везе, тј. атоми у центру

гравитације тетраедра су повезани са четири атома у врховима тетраедра. Структура
силицијума је иста као и дијаманта, али атоми у решетки нису исти. Дакле, у решетки
са дијамантском структуром, сваки атом је везан за четири оближња атома, тако да су
подједнако удаљени један од другог и на једнакој удаљености један од другог,
познато као „тетраедарски полупречник“.

poluprovodnici[Type text] Page 3

 СЛОБОДНИ ЕЛЕКТРОНИ И ШУПЉИНЕ
Атомски број силицијума је 14 , а његов 14електрони су распоређени у
орбитама око језгра. Прве две орбите су попуњене, јер садрже два, односно осам
електрона, док је последња, трећа орбита непопуњена и садржи четири електрона.
Електрони у унутрашњим, попуњеним орбитама називају се стабилним електронима,
јер су у нижим енергетским стањима од електрона у спољашњој, непопуњеној
орбити. Они не учествују у механизму провођења електричне енергије у
полупроводницима. Атом силицијума је шематски представљен позитивним језгром
(+4) окруженим са четири електрона из спољашње орбите (валентни електрони). У
савршеном силицијумском кристалу, сваки од ова четири електрона формира једну
валентну везу са једним валентним електроном оближњег атома.

Дакле, потпуно чист полупроводнички кристал, у коме су сви електрони

повезани валентним везама, деловао би као изолатор, пошто нема слободних носача
наелектрисања. Напротив, на нормалној собној температури, услед топлотних
вибрација кристалне решетке, одређени валентни електрони повећавају своју
енергију до те мере да се могу ослободити валентних веза и постати слободни
електрони. Са ослобађањем сваког електрона, једна валентна веза је остала
непопуњена. Атом који је изгубио електрон постаје електрично позитиван са
наелектрисањем једнаким наелектрисању електрона у апсолутном износу. На тај
начин се ствара позитивно оптерећење, чија се права природа тумачи помоћу
квантне физике, али се у много чему понаша као честица са позитивним
наелектрисањем једнаким наелектрисању електрона. Може се приписати одређеној
ефективној маси, брзини кретања и енергији. Ова честица се због свог порекла назива
шупљина.

Полупроводници се могу поделити у две основне групе: интринзичне

полупроводнике и полупроводнике са нечистоћама. Сопствени полупроводници су
потпуно чисти материјали, док се код полупроводника са примесама атоми другог
елемента (нечистоће) убацују у кристалну решетку и на тај начин значајно повећавају
концентрацију слободних носилаца наелектрисања. Наиме, чисти полупроводници су
„допирани“, па се ови полупроводници називају и допираним полупроводницима.
Силицијум има 4 валентна електрона у највећем енергетском опсегу. Ако се
силицијуму дода мала количина нечистоћа из материјала који има пет валентних
електрона (фосфор, арсен или други елементи групе 5), појавиће се вишак слободних

poluprovodnici[Type text] Page 4

електрона, што значајно повећава проводљивост силицијума. Такве нечистоће се
називају донорским нечистоћама јер дају електроне, а допирани силицијум се назива
силицијум Н-типа јер има више слободних носилаца негативног наелектрисања
(електрона) него шупљина.

Ако се силицијуму дода мала количина нечистоћа из материјала који има три
валентна електрона, појавиће се вишак шупљина, што такође повећава проводљивост
силицијума. Такве нечистоће се називају акцепторске нечистоће јер привлаче (приме)
слободне електроне, а допирани силицијум се назива силицијум П-типа, јер има више
слободних носилаца позитивног наелектрисања (шупљина) од електрона.

Чисти полупроводник, без нечистоћа, назива се сопствени полупроводник. За

полупроводник са концентрацијом нечистоћа која не прелази 10А17цм-3 се каже да
је недегенерисан или слабо допиран полупроводник. За полупроводник са
концентрацијом нечистоћа изнад 10А17цм-3 користе се термини дегенерисани или
јако допирани полупроводник. Енергетска зона може да садржи дупло више
електрона од броја енергетских нивоа у њој, јер према Паулијевом принципу
искључивости, сваки енергетски ниво може да садржи два електрона са супротним
спин оријентацијом. Полазећи од Хајзенберговог принципа неизвесности, изведен је
закон расподеле густине нивоа енергије по енергији п (Е) (енергетска густина стања),
који одређује број могућих стања по јединици енергије Е. Доказано је да је густина
енергије п ( Е) је пропорционалан квадратном корену енергије.

Положај Фермијевог нивоа полупроводника са примесама одређује се из

услова електричне неутралности, из чега следи да ниво Фермија у полупроводнику Н-
типа мора бити изнад, односно у полупроводнику П-типа испод половине појасног
размака. Да би полупроводник остао електрично неутралан, потребно је да укупно
негативно наелектрисање електрона и акцепторских јона буде једнако укупном
позитивном наелектрисању шупљина и јона донора.

Када имамо полупроводнике типа П и Н, њиховим повезивањем се добија ПН

веза и на тај начин се добија диода. ПН веза је основа електронске компоненте која
се зове диода, која омогућава проток електричног набоја само у једном правцу.

poluprovodnici[Type text] Page 5

 ТРАНЗИСТОР
Транзистор се састоји од два п-н споја, у којима је једно подручје заједничко
за оба споја, и назива се база. У зависности од типа заједничког подручја, разликују се
НПН и ПНП транзистори.

Површине са обе стране базе, иако су истог типа полупроводника, нису

идентичне. Наиме, једно се јаче додирује од другог. Веза на јаче допираној области
назива се емитер Е, а на другој области колектор Ц. Размотримо сада тзв. активни
начин рада НПН транзистора, при чему се слична анализа може извршити и за ПНП
транзистор. У активном режиму, база базе емитера мора бити директно
поларизована, док прикључак базе колектора мора бити инверзно поларизован, као
што је приказано на слици 20.

Транзистор је активни полупроводнички елемент са три извода (два приступа)

који се користи као појачање (најважнија примена), прекид струје , у колу
стабилизације напона, модулација сигнала и многе друге операције.

Назив транзистора је изведен од две речи ( пренос - пренос, отпорник -

отпор).

У почетку се звала и кристална триода , по еквивалентној електронској цеви

која се зове триода.

Према начину рада транзистори се деле у две главне групе: биполарни

транзистори ( БЈТ - Биполар Јунцтион Трансистор ) код којих проводљивост зависи од
мањинских носилаца електричног набоја (електрони у НПН или шупљине у ПНП типу)
и униполарни транзистори ( ФЕТ - Транзистор са ефектом поља ) код којег
проводљивост зависи само од већине носилаца електричног набоја ( електрона у Н-
каналу или шупљина у типу П-канала).

Под појмом транзистор најчешће се подразумева претходно откривени

биполарни транзистор , а када се говори о униполарном транзистору, редовно се
истиче о каквој се врсти униполарног транзистора ради.

poluprovodnici[Type text] Page 6

 РАЗВОЈ ТРАНЗИСТОРА
Термоелектрична триода , вакуумска цев , је проналазак из 1907. године који
је омогућио развој појачане радио технологије и телефоније на великим
удаљеностима.

Триода је, међутим, била крхка направа која је трошила значајне количине
електричне енергије. Године 1909, физичар Вилијам Еклис је открио осцилатор
кристалне диоде. Немачки физичар Јулијус Едгар Лилифелд поднео је патент за
транзистор са ефектом поља (ФЕТ) у Канади 1925. године, који је требало да буде
замена за чврсту триоду .

Лилинфелд је такође поднео идентичне патенте у Сједињеним Државама

1926. и 1928. године. Међутим, Лилинфелд није објавио своја истраживања о овом
уређају у научним часописима, нити су његови патенти наводили конкретне примере
радног прототипа. Пошто је производња висококвалитетних полупроводничких
материјала била још деценију далеко,

Лилинфелдове идеје о полупроводничким појачавачима неће наћи практичну

примену све до 1920-их и 1930-их, чак и када би уређаји били направљени. Године
1934. немачки проналазач Оскар Хајл патентирао је сличан уређај у Европи.

Први транзистор су направили Вилијам Шокли , Џон Бардин и Волтер Бретајн

23. децембра 1947. године . године у Беловим лабораторијама. Шокли, Бардин и
Британи су добили Нобелову награду за свој проналазак „за своја истраживања
полупроводника и откриће ефекта транзистора“.

poluprovodnici[Type text] Page 7

 РАД ТРАНЗИСТОРА
Основна функција транзистора је да контролише проток струје. Транзистор
ради тако да са малом струјом у колу емитер-база можемо контролисати много јачу
струју у колу емитер-колектор. Овај феномен се назива ефекат транзистора. Најбоља
аналогија која објашњава транзистор је славина за воду. Вентил на славини
контролише проток воде. У случају транзистора , овај вентил се назива база ( капија )
или капија ( гејт ) у ФЕТ-овима ( Фиелд Еффецт Трансистор ).

За правилан рад транзистора неопходна је поларизација транзистора

(довођење снаге) као и због његове преосетљивости на промене температуре,
стабилизација радне тачке у односу на колектор и емитер.

ПНП (позитивно-негативно-позитивно)

НПН (негативно-позитивно-негативно)

Биполарни транзистори се разликују у:

базу [Б]

емитер [Е]

колектор [Ц]

на које су спојене стезаљке којима је транзистор повезан са спољним електричним

колом . База и емитер формирају пропусни поларизовани ПН спој у нормалном
активном режиму (за НПН транзисторе), за разлику од колектора и база које
формирају водонепропусни поларизовани ПН спој у нормалном активном режиму.

Принцип рада транзистора заснива се на убризгавању мањинских носача из

емитера у базу и њиховом транспорту до колектора. Како је напон на споју база-
емитер мањи од напона на споју колектор-база, а струја која тече до базе је нижа од
струја емитера и колектора, транзистор омогућава контролу потрошње у колу веће

poluprovodnici[Type text] Page 8

снаге користећи кола ниже снаге. . У зависности од тога која је електрода заједничка
за оба кола, транзистор се може користити у три различите везе.

У вези са заједничком базом појачава се само напон, у вези са заједничким

колектором само струја, а у вези са заједничким емитером појачавају се и напон и
струја, па је повећање снаге највеће. .

За ефикасан рад транзистора важно је да струја која тече до базе буде што
мања. Два фактора која утичу на ово су фактор убризгавања и фактор транспорта.
Фактор убризгавања зависи од односа броја носача убризганих од емитера до базе и
броја носача убризганих од базе до емитера. Повољан однос се постиже када је
емитер знатно више допиран од базе.

Било да се ради о транзистору типа ПНП или НПН, оба обављају исту
функцију. Разлика је у поларитетима спољашњих напона и струја и у врсти носача
електричне енергије. Код транзистора ПНП типа главни носиоци електричне струје
шупљине су, а код транзистора НПН типа су електрони.

poluprovodnici[Type text] Page 9

 САДРЖАЈ
 ПОЛУПРОВОДНИЦИ
 СЛОБОДНИ ЕЛЕКТРОНИ И ШУПЉИНЕ
 ТРАНЗИТОР
 РАЗВОЈ ТРАНЗИТОРА
 РАД ТРАНЗИТОРА

poluprovodnici[Type text] Page 10