УВОД У ЕЛЕКТРОНИКУ

Електроника је дио науке и технике који се бави проучавањем провођења електрицитета кроз
вакуум, гасове и полупроводнике.

Она се такође бави проучавањем компонената које се базирају на таквом начину провођења
електрицитета, а исто тако и са њиховом примјеном.

22
Назив електрон се први пут помиње године 1895. (Х. А. Лоренц), а његово постојање утврђује се
1897. (Ј. Ј. Томсон). Из овог времена потиче и назив електроника.

/
Усмјерачко дејство неких уређаја је уочено још у XIX вијеку. Тако је 1874. године Браун открио да

21
сулфид олова или гвожђа, притиснут металном опругом, проводи струју само у једном смјеру.

Усмјерач са бакарним оксидом је пронађен 1923. године.

Селенски усмјерач је пронађен око 1930. године.

а
ик
Германијумска диода се појавила око 1935., а силицијумска око 1939. године. Електронска цијев,
диода, пронађена је 1904. године (Флеминг).
он

Ли де Форист је 1906. пронашао електронску цијев триоду, помоћу које је направљен

електронски појачавач.
тр

Американци Бретејн и Бердин су пронашли биполарни транзистор 1948. године и за то откриће

добили Нобелову награду. Били су то тачкасти транзистори.
ек

Године 1951. је Американац Шокли патентирао легирани транзистор.

Планарни (равни) тип транзистора је направљен 1959. године.

ел

Спојни транзистори са ефектом поља (FЕТ-ови) пронађени су 1952. године (Американац Шокли),
али им је производња практично почела око 1963. године.
дк

Посебна врста транзистора са ефектом поља и изолованим гејтом (MOSFET - ови) направљена је
око 1960. године.

Фотоелектронски ефект је први примјетио Бекерел 1839. године.

Тиристори су пронађени око 1957. године.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
 1. PN СПОЈ

1.1. АТОМСКА СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКА

Сазнали смо у предметима хемија и основе електротехнике да су атоми најситније честице

материје. Атоми су састављени од још ситнијих честица које су распоређене у језгру и омотачу.
У језгру се налазе протони и неутрони, а око њега круже електрони. Протони су позитивно
наелектрисани, електрони негативно, док су неутрони неутрални. Електрична наелектрисања

22
протона и електрона су, по апсолутном износу, једнака, али су различитог знака. Број протона и
електрона у атому је исти и атом је електрично неутралан.

/
На слици 1.a приказан је атом силицијума (Si), a на слици 1.б атом германијума (Ge) у тзв. равни.

21
Пошто су електрони у спољашњој љусци битни за стварање валентних и ковалентних веза са
другим атомима, то се због лакшег проучавања тих структуралних веза атоми германијума и
силицијума приказују само са спољашњом љуском и наелектрисањем језгра које обезбјеђује

а
електричну равнотежу наелектрисању електрона у спољашњој љусци атома, као што је
ик
приказано на слици 1.в.
он
тр
ек
ел

Слика 1.
дк

Захваљујући валентним везама, међу електронима спољашњих љуски сусједних атома настаје
тзв. кристална решетка. изглед кристалне решетке чистог германијума, односно силицијума у
равни је приказан на слици 2.а. Такав изглед решетке би био на тзв. апсолутној нули. На тој
температури нема слободних електрона, јер су сви чврсто везани валентним везама. То значи да
је чист кристал Ge, односно Si на апсолутној нули изолатор.

Ако неком електрону повећамо енергију, тако да он савлада привлачну силу језгра, он ће
напустити спољашњу љуску и прећи у проводну област, тако да постаје слободан електрон, чије
усмјерено кретање даје струју. У љусци, из које је отишао електрон, остаће празан простор који
се назива шупљина.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2
Шупљина се понаша као позитивно наелектрисан простор. Разлог је што језгро има
наелектрисање (+4), а око језгра постоје три електрона који чине наелектрисање (-3). Тај процес
искакања електрона и настајање шупљине се назива генерисање.

У процесу генерисања настају у пару слободни носиоци електрон-шупљина, због чега је

кристална решетка чистог германијума или силицијума на температури која је виша од
апсолутне нуле као на слици 2.б.

/ 22
21
а
ик
Слика 2.
он

Пошто се шупљина понаша као позитивно наелектрисан простор, она ће из неке валентне љуске
привући електрон који има највећу енергију. Тада ће та шупљина нестати, али ће се појавити у
тр

љусци из које је дошао електрон. Долазак електрона на мјесто шупљине се назива

рекомбинација. Рекомбинацијом нестаје слободни пар носилаца који су настали генерисањем.
ек

То премјештање (кретање) шупљина је супротно од кретања електрона.

Шупљине се у физичком смислу не крећу, већ се премјештају. То кретање је фиктивно и назива

ел

се техничко кретање. Смјер струје, који представља усмјерено кретање шупљина назива се
технички смјер. Електрони се у физичком смислу стварно крећу, а смјер струје која је резултат
усмјереног кретања слободних електрона се назива физички смјер.
дк

На основу свега, видимо да у полупроводнику постоје двије врсте носилаца:

• Електрони (носиоци негативног наелектрисања),

• Шупљине (носиоци позитивног наелектрисања).

Да бисмо у полупроводнику повећали број слободних носилаца, као и да бисмо могли утицати
који ће носиоци бити већински (електрони или шупљине), чист полупроводник обогаћујемо.
Процесом обогаћивања у полупроводнику формирамо главне (већинске) носиоце, док споредни
(мањински) носиоци настају због ефекта генерисања, који настаје због температуре, али и због
других утицаја, као што су различити видови зрачења.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3
Обогаћивањем можемо у полупроводнику формирати:

• Електроне – као већинске (главне) носиоце,

• Шупљине као већинске (главне) носиоце.

Ако су електрони већински носиоци, ради се о тзв. полупроводнику N типа, ако су шупљине
већински носиоци, ради се о тзв. полупроводнику P типа.

1.2. ПОЛУПРОВОДНИК N ТИПА

22
У кристалу решетку чистог полупроводника (Si, Ge), одговарајућим технолошким поступком,
уносимо петовалентне атоме, нпр. антимон (Sb - stibijum). Атоме које уносимо називамо

/
примјесе (нечистоће). Тај процес називамо обогаћивање полупроводника. Уласком атома

21
петовалентне примјесе у кристалну решетку четворовалентног германијума, односно
силицијума, тај атом се веже преко своја четири електрона спољашње љуске са електронима
спољашњих љуски четири сусједна атома германијума, односно силицијума.

а
Веза електрона спољашње љуске атома примјесе са електроном спољашње љуске сусједног
ик
атома германијума или силицијума назива се ковалентна веза.

Након кристализације, тј. формирања кристалне решетке, један електрон те петовалентне

он

примјесе остаје неповезан (слободан). Према томе, петовалентна примјеса даје кристалној
структури силицијума или германијума један слободан електрон. Због тога се та примјеса назива
тр

донор (давалац). Како су електрони носиоци негативног наелектрисања, ови полупроводници

се зову полупроводници N типа.
ек

На слици 3.а је приказана кристална решетка силицијума или германијума са једном донорском
примјесом.
ел
дк

Слика 3.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
4
Посматрамо ли кристалну решетку германијума или силицијума са једном донорском примјесом,
видимо да је у ој један слободан електрон, те ту решетку можемо приказати симболички као на
слици 3.б.

Обогаћеност полупроводника зависи од броја примјеса које смо технолошким путем унијели у
кристалну решетку германијума или силицијума. На слици 3.в је симболички приказан
полупроводник N типа у облику „плочице“. Такав симболички приказ полупроводника ћемо
користити код проучавања тзв. PN споја.

Због ефекта генерисања у полупроводнику N типа настају парови електрон-шупљина.

Према томе, у полупроводнику N типа имамо двије врсте носилаца:

22
• Већинске (главне) носиоце - електроне,
• Мањинске (споредне) носиоце – шупљине.

/
21
1.3. ПОЛУПРОВОДНИК P ТИПА

а
ик
Овај полупроводник формирамо тако што у кристалну решетку германијума или силицијума,
одређеним технолошким поступком, уносимо тровалентне примјесе, као на примјер атоми
он

алуминијума (Al). Да би дошло до формирања кристалне решетке овој примјеси недостаје један
електрон, како би се повезала са четири сусједна атома кристалне решетке четворовалентног
германијума или силицијума.
тр

Због тога ће та примјеса узети из спољашње љуске неког атома германијума или силицијума
ек

електрон који има највећу енергију, стварајући у тој спољашњој љусци шупљину. Како је
шупљина носилац позитивног наелектрисања (енгл. positive), то се овај полупроводник назива
полупроводник P типа.
ел

Да би дошло до кристализације, тровалентна примјеса узима (акцептује) један електрон, па се

ова примјеса назива акцептор. На тај начин се код овог полупроводника формирају шупљине као
дк

главни (већински) носиоци.

Због генерисања, у полупроводнику настају и електрони као мањински (споредни) носиоци.

На слици 4.а је приказана кристална решетка у равни германијума или силицијума са једном
акцепторском примјесом. На слици 4.б је симболички приказ кристалне решетке германијума
или силицијума са једном акцепторском примјесом, а на слици 4.в је симболички приказана
„плочица“ полупроводника P типа одговарајућег степена обогаћености.

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
5
 / 22
Слика 4.

21
Због ефекта генерисања у полупроводнику P типа настају парови електрон-шупљина.

а
Према томе, у полупроводнику P типа имамо двије врсте носилаца:
ик
• Већинске (главне) носиоце - шупљине,
• Мањинске (споредне) носиоце – електроне.
он
тр
ек
ел
дк

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
6
1.4 ФОРМИРАЊЕ И ПОЛАРИЗАЦИЈА PN СПОЈА

PN спој формирамо одговарајућим технолошким поступком од полупроводника Р типа и N типа.

Ако технолошки поступак посматрамо као „спајање“ полупроводника Р типа и полупроводника
N типа, тада мјесто, гдје се та два полупроводника „спајају“ називамо PN прелаз. Такав PN спој
приказан је на слици 1.а.

2
/2
21
Слика 1

Током трајања процеса формирања PN споја, долази до природног кретања већинских (главних)
а
носилаца преко граничног прелаза из подручја више у подручје ниже концентрације. То
ик
усмјерено кретање се назива дифузионо кретање. Пошто је то усмјерено кретање носилаца,
можемо говорити о струји (струја дифузије).
он

Тако се електрони крећу из полупроводника N типа (подручја више), у полупроводник Р типа

(подручје ниже концентрације).
тр

Дифузионо (природно) кретање електрона из N типа у Р тип резултира рекомбинацијом у

полупроводнику Р типа уз гранични прелаз. То кретање има за посљедицу јонизацију
ек

акцепторских у Р типу и донорских атома у N типу полупроводника. Посљедица те јонизације је

настанак с обје стране PN прелаза јонизованих атома (јона). У Р типу настају негативни јони, а у
ел

N типу позитивни јони. То значи да се с обје стране PN прелаза формира тзв. просторно
наелектрисање. То просторно наелектрисање се назива баријерна област (потенцијална
баријера или запречни слој). Такав PN спој је приказан на слици 1.б.
дк

Назива се потенцијална баријера зато што спрјечава даљње природно кретање носилаца
(дифузију). Разлог што се носиоци не могу кроз баријеру природно кретати је просторно
наелектрисање у тој баријери. Прелазак електрона из N типа и Р тип спрјечава негативно
наелектрисање у полупроводнику P типа, а "кретање" шупљина из полупроводника P типа у
полупроводник N типа спрјечава позитивно наелектрисање и полупроводнику N типа.

Ширина потенцијалне баријере зависи од јачине обогаћености полупроводника код PN споја. Са

повећањем јачине обогаћености баријера се сужава, а са смањењем јачине обогаћености она се
шири. Баријера се шири на рачун слабије обогаћеног полупроводника. Према томе, одговарајућу
ширину потенцијалне баријере уграђујемо технолошким путем.
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
На слици 2.а је приказан PN спој који је јако обогаћен. На слици 2.б је приказан слабо обогаћен, а
на слици 2.в PN спој, код кога су полупроводници неравномјерно обогаћени. На тим сликама се
симболички види зависност ширине потенцијалне баријере од јачине обогаћености
полупроводника који чине PN спој.

а) б) в)

Слика 2

2
/2
Дјеловање потенцијалне баријере на природно кретање носилаца кроз њу може се еквивалентно

21
приказати тзв. дифузионом баријером (𝑬𝑬𝑫𝑫 ), односно прагом PN споја (𝑼𝑼𝜸𝜸 ) слика 3.

а
ик
он

Слика 3
тр

Треба запамтити да се кроз потенцијалну баријеру главни носиоци не могу кретати, док се
споредни носиоци крећу.
ек
ел
дк

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
2
ДИРЕКТНО И ИНВЕРЗНО ПОЛАРИСАНИ PN СПОЈ

Да бисмо управљали кретањем већинских (главних) носилаца (струјом кроз PN спој), морамо PN
спој поларисати. Напон (U) којим поларишемо PN спој називамо напоном поларизације. Тим
напоном мијењамо напон прага (смањујући га или повећавајући). Промјеном напона прага
омогућавамо или спрјечавамо усмјерено кретање већинским (главним) носиоцима кроз PN спој.
То значи да поларизацијом омогућавамо или спрјечавамо да кроз PN спој тече струја.

ДИРЕКТНА ПОЛАРИЗАЦИЈА. - Код директне поларизације користи се спољни извор, чији је

2
позитивни пол прикључен на Р, а негативан на N област (слика 4).

/2
21
а
ик
Слика 4. Унутрашње (𝑬𝑬𝒖𝒖 ) и спољно (𝑬𝑬𝒔𝒔 ) електрично поље код директне поларизације
он

PN cnoja

У Р области постоји много покретних шупљина, које су овдје главни носиоци електрицитета. У N
тр

области постоји много покретних електрона и они су главни носиоци електрицитета. У области
додира Р и N области формирано је просторно наелектрисање. На слици 4 пуним линијама је
ек

означена област просторног наелектрисања прије прикључивања спољног напона. Од њега

потиче унутрашње електрично поље усмјерено од N ка Р области, које је на слици 4 означено са
ел

𝑬𝑬𝒖𝒖 .
Ако се на крајевима неког електричног елемента мијења напон, кроз њега се мијења струја.
Зависност струје од напона се назива његова (струјно-напонска) карактеристика.
дк

На овако формиран РN спој се прикључује спољни извор, који ствара електрично поље 𝑬𝑬𝒔𝒔 и које
је на слици 4 усмјерено од тачке а1, ка тачки а4. Електрично поље 𝑬𝑬𝒔𝒔 потискује слободне и
покретне шупљине унутар Р области у смјеру поља, тј. ка споју а-а. Покретни електрони у N
области потискују се у смјеру супротном од смјера поља, такође ка пресјеку а-а. Уколико је споља
прикључени напон нижи од напона потенцијалне баријере, електрично поље 𝑬𝑬𝒔𝒔 се одузима од
унутрашњег поља 𝑬𝑬𝒖𝒖 . Укупно поље има смјер као и унутрашње поље 𝑬𝑬𝒖𝒖 , али је мање од њега. Ово
смањено поље мање потискује електроне у N област и шупљине у Р област, па је област
просторног наелектрисања сужена (слика 4 ), али струја не тече.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
3
Уколико је споља прикључени напон виши од потенцијалне баријере, спољно електрично поље
је веће од унутрашњег; резултантно електрично поље сада има смјер од тачке а1 до а4 и струја
протиче (слика 5).

2
/2
21
Слика 5. Протицање струје код директне поларизације за 𝑬𝑬𝒔𝒔 > 𝑬𝑬𝒖𝒖

Резултантно поље потискује шупљине у N област и електроне у Р област. Шупљине које дођу у N

а
област рекомбинују се са електронима који се овдје нормално налазе; на мјесто рекомбинованих
ик
шупљина стално долазе нове из Р области, а на мјесто рекомбинованих електрона долазе нови
из металног прикључка.
он

Слична појава се дешава и у Р области: електрони који долазе из N области овдје се рекомбинују
са шупљинама које се овдје нормално налазе; на њихово мјесто стално долазе нови електрони из
N области, а на мјесто рекомбинованих шупљина долазе нове, које настају одласком електрона у
тр

метални прикључак. Стално кретање шупљина у смјеру поља и електрона супротно од смјера
поља, које потиче од спољног извора, представља струју кроз РN спој. Треба напоменути да се
ек

електрони и шупљине не рекомбинују само на саставу Р и N области; то може да се деси у

близини споја а-а, али може и на удаљеним дијеловима N области. Шупљина и електрона има
ел

далеко мање него атома; вјероватноћа да се они сретну баш на мјесту споја а-а је релативно мала,
па они настављају да се крећу од овог споја. Слична појава се јавља са електронима у
Р области.
дк

Повишењем спољног напона струја нагло расте (слика 6) и најчешће је реда mA или А, мада може
да има и друге вриједности.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
4
 Слика 6. Карактеристика PN споја код директне поларизације. 𝑼𝑼𝒑𝒑 је напон

2
прага провођења

/2
На слици 6 се види да напон директне поларизације треба повишавати до неке вриједности и да

21
тек тада почиње да тече знатна струја. У суштини, најприје треба спољни извор да надвлада
потенцијалну баријеру у РN споју и тек тада почиње да тече струја. Вриједност напона 𝑼𝑼𝒑𝒑 на
слици 6 назива се, праг провођења РN споја и код силицијума је од 0,6V до 0,7V, а код германијума
од 0,2V до 0,3V.
а
ик
Најприкладнија дефиниција прага провођења је вриједност прикљученог напона када струја
достигне 1% од вриједности приликом нормалне употребе. На примјер, ако кроз PN спој у пракси
он

тече струја од 100mA, праг провођења се одређује код струје од 1mA

ИНВЕРЗНО ПОЛАРИСАНИ РN СПОЈ. - Нека је на РN спој прикључен спољни извор чији је

тр

позитиван пол спојен са N, а негативан са Р области. Сада електрично поље од спољног извора
има исти смјер као и унутрашње поље које потиче од потенцијалне баријере; вриједности оба
ек

поља се сабирају. Ово појачано електрично поље још више потискује електроне у N, а шупљине у
Р област. Област просторног наелектрисања се шири и означена је испрекиданим линијама на
ел

слици 7. Види се да ово поље још више удаљава електроне и шупљине од споја на мјесту пресјека
а-а и онемогућава њихову рекомбинацију. Струја практично не тече кроз РN спој.
дк

Слика 7. Проширење области просторног наелектрисања код инверзне поларизације

РN споја
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
5
Видјели смо раније да парови електрон-шупљина могу да постоје и у чистом полупроводнику.
Ови парови могу да настану због загријевања полупроводника, што се дешава већ на собној
температури. Овако добијене шупљине у N области под дејством поља се крећу ка Р области. Исто
тако, ослобођени електрони у Р области крећу се ка N области. Тада долази до њихове
рекомбинације. Оваквих случајева је релативно мало и струја која тече је релативно мала (на
примјер 1nA код силицијума). Ова струја се назива инверзна струја РN споја јер се појављује при
његовој инверзној поларизацији. Ако се инверзно прикључени спољни напон на слици 8.а
повишава, неће доћи до повећања инверзне струје. Она зависи само од споредних носилаца
електрицитета, чији број зависи од температуре полупроводника. Карактеристика РN споја,
која показује зависност инверзне струје од инверзног напона, приказана је на слици 8.б.

2
/2
21
а
ик
он
тр

Слика 8. Карактеристика PN споја код инверзне поларизације

ек

Види се да код почетног повећања инверзног напона долази до повећања инверзне струје. Ако
ел

се даље повећава инверзни напон, она остаје константна.

дк

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
6
1.5. ПРОБОЈИ РN СПОЈА

РN спој може да буде пробијен при директној (пропусној) и инверзној (непропусној)

поларизацији. Постоји више врста пробоја.

ТОПЛОТНИ ПРОБОЈ. - Нека је на РN спој прикључен инверзни напон, који је исувише висок.
Због високог инверзног напона тече инверзна струја кроз РN спој. Она изазива додатно
загријавање РN споја јер је напон на њему висок, па је и снага загријавања велика. Због додатног
загријевања РN споја повећава се број парова електрон-шупљина, тј. повећава се инверзна струја.
Ове појаве се међусобно потпомажу, па стално расте температура РN споја. Када температура

2
пређе дозвољену границу, долази до разарања РN споја. Овакав топлотни пробој се углавном

/2
јавља код геранијумских диода јер је код силицијумских инверзна струја обично занемарљиво

21
мала.
Једна врста топлотног пробоја може да се јави код свих врста полупроводника; приликом
проласка струје кроз РN спој долази од његовог загријавања; ако није обезбеђено одговарајуће

а
хлађење, температура полупроводника стално расте и долази до његовог разарања.
ик
ЛАВИНСКИ ПРОБОЈ. - Настаје код слабије обогаћених полупроводника који имају широку
потенцијалну баријеру, а PN спој је инверзно поларисан. На собној температури у
он

полупроводнику постоје слободни електрони. Код повишеног инверзног напона ови слободни
електрони се убрзавају у смјеру супротном од смјера електричног поља, које потиче од спољног
р

инверзног напона. Убрзани електрони ударају у атоме и предају им енергију. Примљена

кт

енергија у атому изазива ослобађање више нових електрона, који се такође крећу под дејством
истог електричног поља. Ослобођени електрони се убрзавају и сударају се са новим атомима и
е

производе још више слободних електрона. Видимо да број слободних електрона стално расте,
ел

што подсјећа на лавину. Нагло повећање броја електрона, који се крећу у одређеном смјеру,
значи нагло повећање струје. Повећана струја може да изазове разарање РN споја.
дк

ЗЕНЕРОВ ПРОБОЈ: Овај пробој настаје код PN споја, чији су полупроводници јако обогаћени, а
PN спој је инверзно поларисан. Како је код јаче обогаћених полупроводника који чине PN спој
потенцијална баријера ужа, то је у тој баријери и електрично поље јаче, јер је јачина поља
𝑼𝑼
𝑬𝑬 = ,
𝒅𝒅

гдје је:
• E - јачина поља,
• U - напон инверзне поларизације,
• d - ширина баријере, која је технолошки уграђена.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
7
Електрично поље "чупа" електроне из вањских љуски атома и усмјерава их да се крећу
супротно од дјеловања поља. На тај начин се ствара велика струја кроз PN спој. Због тога настаје
пробој PN-споја, који се назива Зенеров пробој.
• Зенеров пробој се јавља при напону инверзне поларизације мањем од 5V.
• Кад је напон инверзне поларизације већи од 8V, тада је и питању лавински пробој.
• Ако је напон инверзне поларизације између 5V и 8V, тада дјелује комбинација Зенеровог
и лавинског пробоја.
Важно је запамтити да је за Зенеров пробој битна минимална вриједност струје инверзне
поларизације PN споја Imin, која се код Зенерове диоде назива минимална струја Зенер диоде Izmin.
Напон инверзне поларизације, код кога настаје Зенеров пробој назива се Зенеров напон (Uz).

2
/2
На слици 9 се види да је карактеристика РN споја у области пробоја, у општем случају, доста
стрма. Иначе, на нижим пробојним напонима (на примјер 3V) карактеристика је мање стрма, док

21
је на вишим пробојним напонима стрмија.

а
ик
он
тр
ек
ел

Слика 9. Карактеристика РN споја у области пробоја

Инверзни пробојни напон се смањује са повишењем температуре до око 5,5V. На око 5,5V
дк

пробојни напон не зависи од промјене температуре, а изнад ове границе расте са порастом
температуре.
Уколико није обезбеђена одговарајућа заштита, послије свих врста пробоја долази до разарања
РN споја. Разорени РN спој обично се понаша као кратак спој, мада се понекад понаша и као
прекид. Интересантно је примијетити да до разарања неће доћи ако се неком спољном
отпорношћу струја пробоја ограничи на одређену вриједност која неће изазвати разарање РN
споја.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
8