Физика усмено одговарање

5. Физика чврстомг стања

УВОД:
 Чврста тела деле се на кристална и амфорна
 Код кристалних тела молекули, јони, тј. атоми поређани су једни до других градећи једну
правилну геометријску структуру, која се периодично понавља у простору. Та структура је
кристална решетка
 Места на којима се налазе честице у к.р. су чворишта, а основна јединица к.р. је елементарна
ћелија
 У реалним условима ова периодичност се нарушава топлотним осцилацијама и различитим
дефектима
 Постоје монокристали (честице распоређене униформно по читавој запремини) и
поликристали(тела која се састоје од кристалних зрнаца која граде кристалне агрегате)
 Средине код којих су сва физичка својства у свим правцима иста су изотропне, а оне код којих то
није случај су анизотропне
 Кристалне решетке могу бити: молекулске, атомске и јонске
 Амфорн чврста тела су она тела код којих честице нису правилно распоређене, већ постоји
правилна распоређеност у малом делу тела уз централни атом.

5.1. Елекртична и топлотна проводљивост

 Једна од првих теорија која је објашњавала електричну и топлотну проводљивост метала била је
теорија електронсог гаса.
 У овом моделу говори се о директној повезаности коефицијента топлотне проводљивости
метала и његове електричне проводљивости, јер су према овој теорији носиоци оба процеса
били електрони
 Упркос релативном успеху ове теорије неке чињенице нису се могле усагласити са њом, нпр.
зависнот електричног отпора метала од његове температуре и специфичног топлотног
капацитета
 На слободне електроне у металима примењују се закони квантне механике. Према квантној
механици слободни електрони у металу могу имати само дискретне вредности енергије, а тог
ограничења нема у теорији електронског гаса. Такође квантна механика слободне електроне
посматра као талас одређене таласне дужине, где исте таласне дужине могу имати два електрона
на истом енергијском нивоу која су супротних спинова
 Према теорији електронског гаса утицај слободних електрона на специфични топлотни
капацитет био би знатан, док је данас утврђено да слободни електрони незнатно утичу на
специфични топлотни капацитет (према квантној механици).
 Кванти енергије осцилације решетке зову се фонони, а електрони се топлотно побуђују
апсорбовањем једног или више фонона
 На собној температури, према т.е.г. побуђују се сви слободни електрони, док је данас утврђено
да се побуђује само мали део укупног броја тих електрона у металу
 Такође, једна од основних разлика у овим теоријама је у тумачењу електропроводљивости, тј. у
схватању средње дужине слободног пута електрона (растојања два узастопна судара). У т.е.г. не
узимају се у обзир међусобни судари електрона, па је средња дужина слободног пута растојање
које електрон пређе између два суседна позитивна јона к.р. У к.м. кретање електрона кроз
метал посматра се као простирање Де Брољевих електронских таласа. Средња дужина
слободног пута дефинише се као растојање које електрон пређе без расејања на к.р.
 Метални проводник кроз који пролазе ови таласи, на овакав начин, не би пружао ел. Отпор, што
практично није могуће.
 РЕШЕЊЕ: Електрони се расејавају на фононима, а електрични отпор је последица електрон-
фононске интеракције

5.2. Супервроводљивост метала

 Холандски физичар Камерлинг, експериментално је проучавао електрична својства чисте живе на

ниским температурама и установио да се при снижењу температуре испод 4.2 К електрични отпор
живе нагло смањује на нулту вредност. Та појава назива се суперпроводљивост. Касније је ово
својство уочено код многи других метала и код различитих легура.
 На врло ниским температурама близу апсолутне нуле постоје два типа метала: нормални и
суперпроводници. Код нормалних метала приликом приближавања апсолутној нули њихов отпор
има приближно исте вредности (график а). Суперпроводници су они метали код којих се
приближавањем апсолутној нули ел. отпор нагло смањује до нуле (график б)
 Те температуре, које су прекретнице за нагло опадање ел. отпора називају се критичне температуре
и за различите суперпроводнике имају различите вредности.
 Објашњење суперпроводљивости дато је БЦС- теоријом. Њена основна идеја је да су у
суперпроводном стању слободни електрони спарени у Куперове парове, при чему ти парови имају
већу потенцијалну енергију него појединачни електрони. Пошто је спин Куперових парова
једнак нули, понашају се као бозони, тј. честице са целобројним спином. Када на такво стање
делује електрично поље успоставња се струја без електричног отпора.
 Поред провођења ел. струје без ел. отпора, суперпроводници имају још неке занимљиве особине.
 Дијамагнетизам суперпроводника: Ако се суперпроводник убаци у спољашње магнетно поље,
настаје унутрашње магнетнос поље суперпроводника које је супротног смера од спољашњег поља.
Као резултат тога, укупно м.п. више не постоји у телу, већ се ,,искривљује“ и обавија га. Дакле
супрепроводник потискује спољ. м.п. и та појава назива се Мајснеров ефектан
 Последица Мајснеровог ефекта је суперпроводничка левитација чија је најчешћа примена код
левитацијскиг возова
 Још неке примене: соленоид акцелератора, заштита од космичког зрачења, мерење магнетног поља
човековог мозга итд...
5.3. Енергијске зоне у атомима чврстог тела
 У т.е.г. учествују само периферни, валентни електрони а постојање других (не)попуњених
енергијских нивоа се занемарују. Није узета у обзир ни могућност постојања већег броја електрона
на највишем, валентном нивоу, нити њихов утицај на образовање слободних електрона
 Приликом образовања чврстог тела, енергијска стања електрона у атому се мењају у односу на
стања електрона у засебном, изолованом атому. Периодично електрично поље к.р. деформише, тј.
доводи до дељења енергијских нивоа електрона. Уместо издвојених нивоа карактеристичних
вредности енергије у чврстом телу јавља се низ нивоа са веома блиским вредностима енергије
који образују енергијску зону. Свака енергијска зона има своју ширину, која зависи од растојања
међу атомима кристалне решетке и удаљености нивоа од језгра атома. Са графика уочава се да
је ширина енергијских зона већа што су зоне удаљеније од језгра атома. Мања ширина зона ближих
језгру објашњава се тиме што су спољашњи утицаји на те зоне мањи, него на електронске зоне
удаљеније од језгра. Унутрашњи електрони атома су чврсто везани за језгро и практично је немогуће
да се ослободе, и не утичу на ел. својства тела. Ел. својства зависе од периферних електрона , на
највишим енергијским нивоима.
 Енергијске зоне су раздвојене областима у којима се не могу налазити електрони, тзв. процепима.
 Последња зона у којој се још увек налазе електрони је валентна зона, а зона у којој се
електрони слободно крећу назива се проводна зона. Код метала валентна зона није потпуно
попуњена ел, па је она уједно и проводна зона.

5.4. Зонска теорија метала, полупроводника и изолатора.
 У изолованом атому електрони могу прелазити између енергијских нивоа при чему апсорбују или
емитују енергију електромагнетног зрачења.
 Слично томе, електрони у чврстом телу могу прелазити из једне у другу дозвољену зону. То су
такозвани међузонски прелази, а ако електрони прелазе из једног у други енергијски подниво исте
зоне то су унутарзонски прелази
 Прва шема одговара металима, проводна и валентна зона су раздвојене забрањеном зоном
релативно мале ширине, стога је за прелазак из в.з. у п.з. потребна мала енергија. На ниским
температурама се повећава број електрона у п.з. чиме се објашњава њихова добра проводљивост
 Друга шема одговара полупроводнике, валентна зона је попуњена ел. и раздвојена од проводне
зоне забрањеном зоном одређене ширине. За прелазак из в.з. и п.з. потребна је енергија око и
мања од 1e.
 Трећа шема одговара изолаторима, валентна зона је попуњена ел. и раздвојена од проводне зоне
забрањеном зоном одређене ширине, која је већа од ширине између ових зона код
полупроводника. За прелазак из в.з. и п.з. потребна је енергија од 6еV до 10eV. Та енергија не
може се предати ел. пољем јер би дошло до ел. пробоја к.р.
 Тиме се објашњава мања концентрација слободних електрона полупроводника и изолатора

5.5. Полупроводници и њихова примена

 Кристална тела која су по степену електричне проводљивости између изолатора и проводника
називају се полупроводници
 Типични представници полупроводника: Si, Ge, Te
 Електрична проводљивост метала знатно се смањује када постоје разни дефекти кристалне
решетке, примесе, нечистоће... АЛИ код пп. примесе имају супротне ефекте.
 Нпр. ел. проводљивост германијум и силицијума се знатно повећава додавањем неке примеса
антимона, арсена...
 Поред промене температуре, на промену ел. провођења код полупроводника утичу и рендгенско
зрачење, гама зраци, јака ел. поља...
 Повећање броја слободних електрона у п.з. код пп. може се постићи : повећањем температуре,
осветљавањем, јаким ел. пољем и сл, примесом...
 ПОВЕЋАЊЕ С.Е. ПРИМЕСАМА:
На слици шематски је приказана атомска структура германијума, сваки атом германијума је ковалентно
везан за још 4 суседна атома. На температурама блиским апс. нули германијум се понаша као изолатор,
јер у њему практично нема с.е. Број слободних електрона се повећава са порастом температуре. Када
електрон напусти атом, на месту где се претходно налазио преовладава позитивно наелектрисање језгра,
тј. ствара се позитивна шупљина. Атом из којег је отишао електрон, привлачи валентни електрон из
другог атома, тако се једна веза поправља једна квари. На тај начин се шупљина преноси кроз кристал а
са њом и одговарајуће позитивно наелектрисање.
 У чистом полупроводнику број шупљина једнак је броју електрона, па је такав полупроводник
неутралан. Ако у пп. нема ел. струје шупљине и електрони се крећу хаотично, а ако има ел. струје
она усмерава то хаотично кретање
 Ел. струја чистих полупроводника, без примеса, која се остварује шупљинама и електронима назива
се сопствена проводљивост полупроводника.
 Ел. проводљивост германијума и силицијума (метала 4. групе) може се повећати примесама метала
из 3. тј. 5. групе п.с.е.
 Када се један атом германијума замени петовалентним атомом антимона, онда четири валентна
електрона антимона улазе у систем валентних веза са суседним атомом германијума а један
електрон се ослобађа. Дакле, додавањем петовалентног атома, повећава се број слободних
електрона у односу на чист полупроводник, и број слободних електрона знатно је већи од броја
шупљина. Ту су електрони главни носиоци ел. струје а шупљине споредни носиоци.
Тај пп. је n-типа
 Када се као примеса користи тровалентни хемијски елемент, нпр. индијум, тада тровалентни
атом може образовати само три везе са атомима германијума, док са 4. веза остаје непотпуна,
тј. настаје једна шупљина. Сада је већи број шупљина него слободних електрона, а те примесе
које повећавају број шупљина зову се акцептори. Такав пп. означен је као пп. р-типа

5.6. Споје p-n полупроводника. Полупроводничка диода

 Спајањем полупроводника p- и n-типа посебним технолошким поступком настаје p-n спој. Овај спој
је основни елемент полупроводничке технике
 Концентрација слободних електрона у полупроводнику n-типа је већа од концентрације с.е. у
полупроводнику р-типа па постоји тенденција да се она дифузијом изједначава са обе стране
споја. Исто тако долази до премештања шупљина у обрнутом смеру. Дифузија електрона и
шупљина одвијала би се до потпуног изједначавања њихових концентрација у обе области, али се
то не дешава. Пошто n-област напуштају електрони у близини додирне површине она постаје
позитивно наелектрисана, аналогно р-област постаје негативно наелектрисана јер њу
напуштају шупљине. Услед тога се између р- и n-области јавља контактна разлика потенцијала.
Та контактна разлика потенцијала условљава појаву ел. поља у прелазној области а-с, које је
усмерено од n- до р-области. То локално ел. поље почиње да спречава дифузију главних носилаца
наелектрисања кроз граничну површину, тј. електрона у р- а шупљина у n-област.
У прелазном слоју постоји постоје две супротне појаве: једна условљена дифузијом, друга
условљена контактним потенцијалом. Када се оне уравнотеже зауставља се кретање електрона
и шупљина кроз граничну површину. То значи да је ел. отпор у а-с области много велики.
 Полупроводничка диода: Када се р-n спој укуљчи на извор електричне струје добија се
полупроводничка диода. Први случај је да је р-полупроводник прикључен за позитивни пол извор
ел. струје а n-полупроводник прикључен за негативан пол извора. За р-n спој се каже да је
директно поларисан или поларисан у пропусном (позитивном) смеру. У том случај спољашње
поље Еѕ је супротног смера од смера од поља контактног споја. Услед тога електрично поље а-с
прелазног споја биће ослабљено, разлика контактног потенцијала смањена. Као резултат тога ел.
струја пролази кроз овај спој, а јачина струје нагло расте са порастом напона
 Када се је р-полупроводник прикључи за негативан пол извор ел. струје а n-полупроводник
прикључен за позитиван пол извора, повећава се разлика потенцијала у прелазној облсти. За р-n
спој се каже да је инверзно поларисан или поларисан у непропусном (негативном) смеру. Сада
спољашње ел. поље има исти смер као контактно ел. поље. На тај начин спречава се кретање
главних носилаца наелектрисања кроз контактни слој: електорна из n- у р-област и шупљина из р-
у n-област. Ел. струја потиче од споредних носилаца наелектрисања је много слабија од струје
која потиче од главних носилаца наелектрисања. Овакав р-n спој има велики ел. отпор и практично
не проводи струју
 Ако се пп. диода укључи у коло наизменичне струје, струја ће протицати само онда када је n-
полупроводник прикључен на позитиван, а р-полупроводник на негативан пол извора.
 Транзистор (кристална триода): Уређај састављен од три полупроводничка елемента посебним
технолошким поступком у порецима p-n-p или n-p-n назива се транзистор. Користе се за
појачавање или управљање електричним сигналима.
 Транзистор p-n-p типа се састоји од три дела: танка плочица n-полупроводника која се налази
између две плочице р-полупроводник. Ти делови се редом називају емитер Е, база В, колектор С.
Сваки слој има свој метални прикључак. Електрични извори за напајање прикључени су тако
 да спој ЕВ буде поларисан у пропусном, а спој СВ у непропусном смеру. То успоставља да ел.
поље контактног слоја ЕВ постаје слабије, а поље слоја СВ се појачава.
 У p-n-p транзистору главни носиоци струје у емитеру су шупљине. Све шупљине из емитра кроз
базу стижу до колектора, настављају кретање и ствара се колекторска струја. Та струја је нешто
мање вредности од струје емитера јер се један број шупљина рекомбинује и губи кроз базу.
 Ако је у емитерско коло p-n-p транзистора прикључен извор променљивог напона временом се
мења број шупљина које доспевају до колектора, тј. промене струје емитера доводе до промене
струје колектора. Зато се овај транзистор не може користити као појачивач.
 АЛИ ако се као улаз користи СВ спој, долази до појачавања улазне струје. Транзистор p-n-p
приказан на слици користи се као појачивач напона
 Транзистор n-р-n типа: Принцип рада је аналоган принципу рада p-n-p транзистора, разлика је
само што су сада главни носиоци ел. струје слободни електрони. Када је транзистор прикључен у
струјно коло као на слици, ствара се базна струја. Када се успостави базна струја, ел. почињу нагло
да прелазе из емитра у колектор, и скоро сви доспевају до истог. Због тога су струје емитера и
колектора готово једнаке, и због тога мале промене снаге ел. струје у емитеру изазивају велике
промене снаге ел. струје колектора. Овај транзистор делује као променљиви отпорник, чији се
рад регулише базном струјом.
 Фотопроводљивост: појава повећања електричне проводљивости полупроводника под утицајем
електромагнетног зрачења. Назива се још и унутрашњим фотоефектом.