Својства полупроводника, сопствена и примесна проводљивост.

Полупроводник P и N типа
- ПОЛУПРОВОДНИЦИ - материјали који могу проводити електричну струју,
али им је проводност мала у односу на проводнике
- представници хемијски чистих полупроводника: силицијум и германијум
- то су четворовалентни атоми који су у кристалној решетки везани
ковалентним везама - сваки атом је везан са најближим суседима са 4 пара
електрона
- на ниским температурама овакви кристали не проводе струју, јер по зонској
теорији нема електрона у проводној зони

Сопствена роводљивост
- на вишим температурама енергија топлотног побуђивања електрона је
довољна да они раскину ковалентну везу са атомом и постану слободни
- упражњено место које је настало раскидањем ковалентне везе од стране
електрона зове се ШУПЉИНА
- ТЕРМОДИНАМИЧКА РАВНОТЕЖА - број слободних електрона који се
генерише је једнак броју електрона који се рекомбинују
- РЕКОМБИНАЦИЈА - супротан процес од раскидања ковалентне везе, тј.
поновно "уграђивање" електрона у ковалентну везу
- што се тиче теорије зона, приликом раскидања ковалентне везе, електрон
прелази из валентне у проводну зону, чиме остаје исто толико шупљина у
валентој зони
- могуће је да електрон попуни шупљину - тај процес се зове рекомбинација
и праћен је ослобађањем енергије
- СОПСТВЕНИ ПОЛУПРОВОДНИЦИ - хемијски чисти полупроводници код којих
су једнаке концентрације термално створених електрона и шупљина;
проводљивост оваквих полупроводника зависи од температуре
- под дејством поља електрони добијају дрифтовску (усмерену) компоненту
брзине у супротном смеру од смера примењеног поља, а шупљине добијају
брзину у смеру поља

Примесна проводљивост
Ако се у кристалној структури силицијума један атом силицијума замени
неким петовалентним примесним атомом, један електрон који потиче од тог
петовалентног атома (он има 5 електрона у последњем енергетском нивоу)
не може ући у ковалентну везу с атомом силицијума који је четворовалентан.
За тај електрон довољна је мала енергија да би постао слободан. Појава
настанка овог електрона није праћена настанком шупљине, па је код оваквих
кристала концентрација електрона већа од концентрације шупљина. Главни
носиоци струје код ових кристала су електрони (они су већински носиоци), а
споредни (мањински) носиоци су шупљине.
- атом који је унео један електрон вишка зове се ДОНОР
- арсен (As) има улогу донора, он је петовалентан и он доноси електрон
- остала 4 његова електрона су потрошена на грађење ковалентних веза
Ако је неки од атома силицијума замењен тровалентним атомом (индијума
или бора) недостаје један електрон за успостављање ковалентне везе.
Упражњено место које се појављује јесте управо шупљина. Она се може
попунити када у њу пређе валентни електрон суседног атома силицијума,
али тада код тог другог атома остаје шупљина. Појава овакве шупљине није
праћена ослобађањем електрона па је код оваквих кристала концентрација
шупљина већа од коцентрације електрона. Зато су главни (већински)
носиоци електричне струје шупљине, а споредни (мањински) носиоци су
електрони.
- примесни атоми који обезбеђују вишак шупљина зову се АКЦЕПТОРИ
- бор (B) има улогу акцептора, он је тровалентан и он доноси шупљину
- он има свега 3 електрона за грађење 4 ковалентне везе
- једна веза не може бити израђена и то је шупљина (шупљина се понаша као
позитивна честица)
- ПРИМЕСНА ПРОВОДЉИВОСТ - проводљивост у кристалу изазвана
примесама и зависи од концентрације примесних атома (било тровалентних,
било петовалентних)
- P N спој је спој полупроводника p и n типа
- у n типу главни (већински) носиоци су електрони, а у p типу су шупљине
- када се споји p тип и n тип полупроводника добија се дифузија (кретање)
главних (већинских) носилаца из једног типа полупроводника у други
- у прелазном слоју око самог споја се тада успоставља контактно ектрично
поље које је усмерено од n ка p делу споја
- оно се супротставља дифузионим процесима односно, успоставља се
потенцијална баријера за проток главних (већинских) носилаца из једног
дела у други део p n - споја
- када се заврши дифузија и формира потенцијална баријера

Област ширине d је тзв. област

просторног товара, у којој нема
већинских (главних) носилаца
U - величина потенцијалне баријере
Еk - контактно електрично поље