FIZIKA POLUPROVODNIKA

Elektrina svojstva materijala odreena su strukurom

atoma materijala

Elektroni na orbitama imaju tano

odreene energije
Da bi elektron preao iz jedne u drugu
orbitu neophodno mu je saoptiti
energiju, koja je jednaka razlici energija
elektrona na tim orbitama
Elektroni na orbitama koje su
najudaljenije od atomskog jezgra imaju
najveu energiju i oni pripadaju valentnoj
zoni
Elektroni u valentnoj zoni razliitih atoma
meusobno formiraju valentne parove,
odnosno valentne veze
Valentni elektroni su meusobno vezani i
kao takvi nisu nosioci struje

 Elektroni koji su imali iste energetske nivoe u razliitim atomima, zbog

efekata koji se objanjavaju u kvantnoj mehanici, ne mogu zadrati iste
vrednosti energija, ve se svaki energetski nivo cepa na po vie,veoma
bliskih, energetskih podnivoa, formirajui tzv. energetske zone
Ukupni energetski opseg jedne zone je manji od termike energije koju
elektron ima na sobnoj temperaturi, te se, stoga, elektron lako kree unutar
zone. Razlika energije izmeu dve susedne zone naziva se

energetski

procep.
Od posebnog znaaja za elektroniku je energetski procep
izmeu provodne i valentne zone
Tek oni elektroni koji energiju veu od energije valentne zone
(energiju dovoljnu da se oslobode uticaja jezgra) u stanju su da budu
nosioci struje (njihovo usmereno kretanje predstavlja elektrinu
struju).
Ti elektroni se zovu slobodni elektroni i pripadaju provodnoj zoni

Energija

Provodna zona

Valentna zona
Provodnik

Izolator

Poluprovodnik

Kod provodnika dolazi do preklapanja provodne i valentne zone (elektroni u

valentnoj zoni imaju dovoljno energije da samostalno preu u provodnu zonu).
Kod izolatora je veliko rastojanje izmeu provodne i valentne zone. Prilikom
porasta temperature, elektroni u valentnoj zoni dobijaju vie energije i samim tim
smanjuje veliinu energetskog procepa kod izolatora, pa se otpornost kod
izolatora smanjuje sa porastom temperature
Kod poluprovodnika nema preklapanja provodne i valentne zone, kao to je to
sluaj sa provodnicima, ali je energetski procep znatno manji nego kod
izolatora. Ovak pak znai da malim dodavanjem energije spolja (zagrevanjem,
svetlou ili elektrinim poljem) elektroni u valentnoj zoni dobijaju dovoljno
energije da preu u provodnu zonu. Drugim reima, otpornost poluprovodnika
veoma zavisi od spoljnih uticaja to se iroko koristi u elektronici

Nosioci naelektrisanja u poluprovodniku

Struktura poluprovodnika je u vidu kristalne reetke u ijim se

vorovima nalaze atomi ili molekuli povezani valentnim vezama
Najpoznatiji poluprovodnici su silicijum (Si), Germanijum (Ge) i
Galijum Arsenid
Energetski nivoi atoma silicijuma su takvi da na sobnoj
temperaturi pojedini elektroni dobiju dovoljnu energiju da
napuste valentnu i preu u provodnu zonu
Samim tim javlja se upranjeno mesto u valentnoj vezi, koje se
naziva upljina
upljina se u elektrinom smislu ponaa kao pozitivno
naelektrisanje
Obzirom na nain nastajanja elektrona i upljina, njihove
meusobne koncentracije u hemijski istom poluprovodniku su
jednake
Ako sa ni obeleimo sopstvenu koncentraciju slobodnih
elektrona, a sa pi upljina, vai ni=pi

Nosioci naelektrisanja u poluprovodniku

Generacija proces razbijanja valentne veze elektrona u

poluprovodniku i nastajanje para elektron u provodnoj
zoni upljina u valentnoj zoni
Rekombinacija proces uspostavljanja valentne veze izmeu
elektrona u provodnoj zoni i upljine u valentnoj zoni
Broj razbijenih valentnih veza izmeu elektrona je ni
Broj novoformiranih valentnih veza elektrona iz provodne zone
i upljina u valentnoj zoni je pi
Procesi generacije i rekombinacije nalaze se u dinamikoj
ravnotei jer je ni=pi

Dopiranje poluprovodnika

Dopiranje etvorovalentnih poluprovodnika radi se dodavanjem

primesa ija je valenca za jedan manja ili za jedan vea od 4.
Ako je valenca primese za jedan vea (petovalentna) od
valence poluprovodnika, primesa se naziva jo i donor.
Ako je valenca primese za jedan manja (trovalentan) od valence
poluprovodnika, primesa se naziva jo i akceptor.
Donori i akceptori su ne moraju biti poluprovodnici, ve mnogu
biti i metali. Bitno je da im je valenca za jedan vea ili za jedan
manja od 4.
Dodavanje primesa i u tragovima, ve od 1:106 znaajno
poveava provodnost poluprovodnika.

Dopiranje donorskim primesama

Donorske primese su petovalentne

Atom primese ima jedan elektron vie
u valentnoj zoni od atoma silicijuma
To ima za posledicu da u kristalnoj
reetki, atom primese koji je zauzeo
mesto atoma silicijuma sa okolnim
atomima moe da ostvari etiri
valentne veze, dok jedan elektron
ostaje nepovezan jer nema sa kim da
ostvari valentnu vezu
Nepovezani elektron sa malim
dodatkom energije prelazi u
provodnu zonu
kod ovako dopiranih poluprovodnika
naruena dinamika ravnotea
izmeu broja elektrona i upljina u
provodnoj zoni, jer je ni>pi

Si

Si

Si
e-

Si

As

Si

Si

Si

Si

Poluprovodnici dopirani petovalentnim primesama

nazivaju se poluprovodnicima N tipa i u provodnoj
zoni imaju:

Elektrone i upljine nastale razgradnjom valentnih veza

Elektrone koji su u provodnu zonu preli iz donorskih atoma

U provodnoj zoni preovlauju elektroni jer je broj elektrona i

upljina nastalih razgradnjom valentnih veza jedanak, a slobodni
elektroni iz donorskih atoma koji prelaze u provodnu zonu ine da
je ukupan broj elektrona u provodnoj zoni vei od broja upljina u
provodnoj zoni

Dopiranje akceptorskim primesama

Akceptorske primese su trovalentne

Atom primese ima jedan elektron manje u
valentnoj zoni od atoma silicijuma
To ima za posledicu da u kristalnoj reetki,
atom primese koji je zauzeo mesto atoma
silicijuma sa okolnim atomima moe da ostvari
tri valentne veze, dok jedan elektron iz valentne
zone nekog od atoma silicijuma iz okruenja
ostaje nepovezan
Nepovezani elektron iz atoma silicijuma koji se
nalazi u okruenju akceptorskog atoma privlai
jedan elektron iz provodne zone, ostavljajui u
provodnoj zoni upljinu
kod ovako dopiranih poluprovodnika naruena
dinamika ravnotea izmeu broja elektrona i
upljina u provodnoj zoni, jer je pi>ni

Si

Si

Si
p+

Si

Ga

Si

Si

Si

Si

Poluprovodnici dopirani trovalentnim primesama

nazivaju se poluprovodnicima P tipa i u provodnoj
zoni imaju:

Elektrone i upljine nastale razgradnjom valentnih veza

upljine u provodnoj zoni nastale vezivanjem elektrona iz
provodne zone i njegovim prelaskom u valentnu zonu
neuparenog elektrona atoma silicijuma u neposredno
okruenju donorskog atoma
U provodnoj zoni preovlauju upljine jer je broj elektrona i
upljina nastalih razgradnjom valentnih veza jedanak, a nevezani
elektroni iz silicjumskih atoma koji su u okruenju akceptorskog
atoma privlae elektrone iz provodne zone i ostavljaju upljine u
provodnoj zoni. Pokretljivost upljina je oko 3 puta manja od
pokretljivosti elektrona, tako da su bipolarni PNP tranzistori
sporiji od NPN tranzistora

Odreivanje koncentracije slobodnih nosilaca

Na konstantnoj temperaturi
sopstvena koncentracija
slobodnih nosilaca
2
poluprovodnika je

ni p A0T e

A0 je eksperimentalno
utvrena konstanta i iznosi

Bolcmanova konstanta

2
i

A0 1,26 10

Eg 0
kT

33

eV
k 8,62 10
K
5

atoma 2
C 3m 6

Provoenje struje u poluprovodniku

Provoenje pod dejstvom elektrinog polja (drift)
Provoenje difuzijom

Difuzione komponente struje postoje ako:

Postoji razliita koncentracija slobodnih nosilaca u
prostoru
Taj uslov se lako ostvaruje ako se poluprovodnik
razliito dopira
Veem gradijentu koncentracije slobodnih nosilaca

odgovara vea struja