FIZIKA POLUPROVODNIKA

Električna svojstva materijala određena su strukurom

atoma materijala

• Elektroni na orbitama imaju tačno

određene energije
• Da bi elektron prešao iz jedne u drugu
orbitu neophodno mu je saopštiti
energiju, koja je jednaka razlici energija
elektrona na tim orbitama
• Elektroni na orbitama koje su
najudaljenije od atomskog jezgra imaju
najveću energiju i oni pripadaju valentnoj
zoni
• Elektroni u valentnoj zoni različitih atoma
međusobno formiraju valentne parove,
odnosno valentne veze
• Valentni elektroni su međusobno vezani i
kao takvi nisu nosioci struje
 Elektroni koji su imali iste energetske nivoe u različitim atomima, zbog
efekata koji se objašnjavaju u kvantnoj mehanici, ne mogu zadržati iste
vrednosti energija, već se svaki energetski nivo cepa na po više,veoma
bliskih, energetskih podnivoa, formirajući tzv. energetske zone

 Ukupni energetski opseg jedne zone je manji od termičke energije koju

elektron ima na sobnoj temperaturi, te se, stoga, elektron lako kreće unutar
zone. Razlika energije između dve susedne zone naziva se energetski
procep.
 Od posebnog značaja za elektroniku je energetski procep
između provodne i valentne zone
 Tek oni elektroni koji energiju veću od energije valentne zone
(energiju dovoljnu da se oslobode uticaja jezgra) u stanju su da budu
nosioci struje (njihovo usmereno kretanje predstavlja električnu
struju).

 Ti elektroni se zovu slobodni elektroni i pripadaju provodnoj zoni

 Provodna zona

Energija

Valentna zona

Provodnik Izolator Poluprovodnik

• Kod provodnika dolazi do preklapanja provodne i valentne zone (elektroni u

valentnoj zoni imaju dovoljno energije da samostalno pređu u provodnu zonu).
• Kod izolatora je veliko rastojanje između provodne i valentne zone. Prilikom
porasta temperature, elektroni u valentnoj zoni dobijaju više energije i samim
tim smanjuje veličinu energetskog procepa kod izolatora, pa se otpornost kod
izolatora smanjuje sa porastom temperature
• Kod poluprovodnika nema preklapanja provodne i valentne zone, kao što je to
slučaj sa provodnicima, ali je energetski procep znatno manji nego kod
izolatora. Ovak pak znači da malim dodavanjem energije spolja (zagrevanjem,
svetlošću ili električnim poljem) elektroni u valentnoj zoni dobijaju dovoljno
energije da pređu u provodnu zonu. Drugim rečima, otpornost poluprovodnika
veoma zavisi od spoljnih uticaja što se široko koristi u elektronici
Nosioci naelektrisanja u poluprovodniku
• Struktura poluprovodnika je u vidu kristalne rešetke u čijim se
čvorovima nalaze atomi ili molekuli povezani valentnim vezama
• Najpoznatiji poluprovodnici su silicijum (Si), Germanijum (Ge) i
Galijum – Arsenid
• Energetski nivoi atoma silicijuma su takvi da na sobnoj
temperaturi pojedini elektroni dobiju dovoljnu energiju da
napuste valentnu i pređu u provodnu zonu
• Samim tim javlja se upražnjeno mesto u valentnoj vezi, koje se
naziva šupljina
• Šupljina se u električnom smislu ponaša kao pozitivno
naelektrisanje
• Obzirom na način nastajanja elektrona i šupljina, njihove
međusobne koncentracije u hemijski čistom poluprovodniku su
jednake
• Ako sa ni obeležimo sopstvenu koncentraciju slobodnih
elektrona, a sa pi šupljina, važi ni=pi
Nosioci naelektrisanja u poluprovodniku

• Generacija – proces razbijanja valentne veze elektrona u

poluprovodniku i nastajanje para elektron u provodnoj
zoni – šupljina u valentnoj zoni
 Rekombinacija – proces uspostavljanja valentne veze između
elektrona u provodnoj zoni i šupljine u valentnoj zoni
 Broj razbijenih valentnih veza između elektrona je ni
 Broj novoformiranih valentnih veza elektrona iz provodne zone
i šupljina u valentnoj zoni je pi
 Procesi generacije i rekombinacije nalaze se u dinamičkoj
ravnoteži jer je ni=pi
 Dopiranje poluprovodnika

• Dopiranje četvorovalentnih poluprovodnika radi se dodavanjem

primesa čija je valenca za jedan manja ili za jedan veća od 4.
• Ako je valenca primese za jedan veća (petovalentna) od valence
poluprovodnika, primesa se naziva još i donor.
• Ako je valenca primese za jedan manja (trovalentan) od valence
poluprovodnika, primesa se naziva još i akceptor.
• Donori i akceptori su ne moraju biti poluprovodnici, već mnogu
biti i metali. Bitno je da im je valenca za jedan veća ili za jedan
manja od 4.
• Dodavanje primesa i u tragovima, već od 1:106 značajno
povećava provodnost poluprovodnika.
 Dopiranje donorskim primesama
• Donorske primese su petovalentne
• Atom primese ima jedan elektron više
u valentnoj zoni od atoma silicijuma
• To ima za posledicu da u kristalnoj
rešetki, atom primese koji je zauzeo Si Si Si
mesto atoma silicijuma sa okolnim
atomima može da ostvari četiri e-
valentne veze, dok jedan elektron
ostaje nepovezan jer nema sa kim da Si As Si
ostvari valentnu vezu
• Nepovezani elektron sa malim
dodatkom energije prelazi u
Si Si Si
provodnu zonu
• kod ovako dopiranih poluprovodnika
narušena dinamička ravnoteža
između broja elektrona i šupljina u
provodnoj zoni, jer je ni>pi
Poluprovodnici dopirani petovalentnim primesama
nazivaju se poluprovodnicima N tipa i u provodnoj
zoni imaju:

• Elektrone i šupljine nastale razgradnjom valentnih veza

• Elektrone koji su u provodnu zonu prešli iz donorskih atoma

U provodnoj zoni preovlađuju elektroni jer je broj elektrona i

šupljina nastalih razgradnjom valentnih veza jedanak, a slobodni
elektroni iz donorskih atoma koji prelaze u provodnu zonu čine da
je ukupan broj elektrona u provodnoj zoni veći od broja šupljina u
provodnoj zoni
 Dopiranje akceptorskim primesama
• Akceptorske primese su trovalentne
• Atom primese ima jedan elektron manje u
valentnoj zoni od atoma silicijuma
• To ima za posledicu da u kristalnoj rešetki,
atom primese koji je zauzeo mesto atoma
silicijuma sa okolnim atomima može da ostvari Si Si Si
tri valentne veze, dok jedan elektron iz
valentne zone nekog od atoma silicijuma iz p+
okruženja ostaje nepovezan
• Nepovezani elektron iz atoma silicijuma koji se Si Ga Si
nalazi u okruženju akceptorskog atoma privlači
jedan elektron iz provodne zone, ostavljajući u
provodnoj zoni šupljinu
• kod ovako dopiranih poluprovodnika narušena Si Si Si
dinamička ravnoteža između broja elektrona i
šupljina u provodnoj zoni, jer je pi>ni
 Poluprovodnici dopirani trovalentnim primesama
nazivaju se poluprovodnicima P tipa i u provodnoj
zoni imaju:

• Elektrone i šupljine nastale razgradnjom valentnih veza

• Šupljine u provodnoj zoni nastale vezivanjem elektrona iz
provodne zone i njegovim prelaskom u valentnu zonu
neuparenog elektrona atoma silicijuma u neposredno
okruženju donorskog atoma

U provodnoj zoni preovlađuju šupljine jer je broj elektrona i

šupljina nastalih razgradnjom valentnih veza jedanak, a nevezani
elektroni iz silicjumskih atoma koji su u okruženju akceptorskog
atoma privlače elektrone iz provodne zone i ostavljaju šupljine u
provodnoj zoni. Pokretljivost šupljina je oko 3 puta manja od
pokretljivosti elektrona, tako da su bipolarni PNP tranzistori
sporiji od NPN tranzistora
 Određivanje koncentracije slobodnih nosilaca

• Na konstantnoj temperaturi
sopstvena koncentracija
slobodnih nosilaca Eg 0

poluprovodnika je
ni  p  A0T e
2 2
i
3 kT

• A0 je eksperimentalno
atoma 2
utvrđena konstanta i iznosi A0  1,26  10 33

 C 3m6
eV
5
• Bolcmanova konstanta k  8,62  10
K
 Provođenje struje u poluprovodniku
• Provođenje pod dejstvom električnog polja (drift)
• Provođenje difuzijom

Difuzione komponente struje postoje ako:

• Postoji različita koncentracija slobodnih nosilaca u
prostoru
• Taj uslov se lako ostvaruje ako se poluprovodnik
različito dopira
• Većem gradijentu koncentracije slobodnih nosilaca
odgovara veća struja