Својства полупроводника, сопствена и примесна проводљивост.

Полупроводник P и N типа
- подела материјала у односу на провођење наелектрисања:
• проводници - имају доста слободних електрона
• полупроводници - нагло повећање електропроводљивости под
утицајем спољашњих фактора (температура, осветљеност, притисак,
електрично поље...)
• изолатори - електрони чврсто везани за атомска језгра –
концентрација слободних електрона занемарљиво мала
- разлика у проводљивости између материјала је условљена њиховом
различитом структуром и грађом
- материјали који добро проводе наелектрисање су проводници, а они који
не проводе или лоше проводе су изолатори
- најбољи проводници: метал, угаљ, графит, водени раствор соли, база и
киселина
- слаби проводници или изолатори: стакло, поливинил, парафин, смола,
чиста вода, суво дрво, хартија, гума, ваздух...
- не постоји оштра граница између проводника и изолатора
- неке супстанције су под једним условима проводници, а под другим
изолатори
- у физици (електротехници) се користе и тзв. ПОЛУПРОВОДНИЦИ чија се
електропроводљивост нагло мења у зависности од спољашњих услова
- полупроводници су материјали чија проводљивост зависи од:
• услова у којима се налазе
• концентрације примеса у њима
- полупроводници су елементи IV групе периодног система
• четворовалентни атоми
• у кристалној решетки су везани ковалентним везама
• сваки атом је окружен са 4 атома који се налазе на једнаким
растојањима
• свака два суседна атома имају заједнички пар електрона
• најчешће употребљавани полупроводници су германијум и силицијум
- сви електрони су везани за атом ковалентним везама, па нема слободних
електрона
- да би неки електрон постао слободан његова валентна веза мора да се
прекине
- најмања енергија потреба да изазове кидање, једнака је ширини
енергетског процепа (забрањене зоне):
• германијум - 0,7eV
• силицијум - 1,1eV
- место које је један електрон напустио постало је позитивно наелектрисано и
назива се ШУПЉИНА
- ово место може да буде попуњено валентним електроном из суседног
атома, тако да изгледа као да се шупљине померају у супротоном смеру
- без спољашњег утицаја кретање шупљина је потпуно неуређено,а под
дејством електричног поља кретање шупљина постаје усмерено
- КОНЦЕНТРАЦИЈА ШУПЉИНА у чистом полупроводнику је увек једнака
концентрацији слободних електрона
- електрони се налазе у проводној зони, а шупљине у валентној зони.
- на ниским температурама електрони у валентном нивоу немају довољну
енергију да савладају енергетски процеп тако да су сви везани за атоме, па се
тада чист полупроводник понаша као изолатор
- већ на собној температури један део електрона на валентном нивоу има
довољну енергију да савлада енергетски процеп и пређе на проводни ниво
- СОПСТВЕНА ПРОВОДЉИВОСТ ПОЛУПРОВОДНИКА - електрична
проводљивост чистих полупроводника; остварује се слободним електронима
и шупљинама
- ДОПИРАЊЕ - процес у коме се чистом полупроводнику додају примесе
- електрична проводљивост полупроводника се повећава додавањем
хемијских елемената III и V групе (тако се повећава број слободних носилаца
наелектрисања)
- петовалентне примесе повећавају концентрацију електрона, а тровалентне
повећавају концентрацију шупљина
- постоји могућност да се у кристалној решетки полупроводника (силицијума)
нађе атом неког петовалентног елемента: фосфора (P), антимона (Sb) или
арсена (As)
- један електрон петовалентног атома не улази у ковалентну везу; електрон
је слабо везан за атом и довољна је веома мала енергија да би се раскинула
веза и електрон постао слободан
- појава слободног електрона није праћена појавом шупљине, тако да је број
слободних електрона знатно већи од броја шупљина
- слободни електрони представљају главне носиоце електричне струје, а
шупљине су споредни носиоци електричне струје
- примесе које уношењем у полупроводник повећавају број слободних
електрона називају се ДОНОРИ
- тако добијени полупроводници називају се полупроводници n-типа
- пошто је потребна веома мала енергија да се електрон примесе одвоји и
пређе у проводну зону, то значи да је енергетски ниво (донорски ниво)
примесе врло близу проводној зони
- за ово побуђивање је довољна термичка енергија која одговара
температури око 50К
- неки од атома полупроводника (силицијума) у кристалној решетки може да
буде замењен тровалентним атомом - бор (В), инидијум (In), алуминијум (Al)
- атом примесе нема довољно електрона да би се успоставиле све
ковалентне везе са суседним атомима
- једна валентна веза по атому примесе недостаје
- потребна је веома мала енергија да неки од суседних атома
полупроводника преда један свој валентни електрон атому примесе (тада у
валентној зони полупроводника ће настати шупљина)
- пошто је електрон само прешао из једног атома у други, појава шупљина
није праћена појавом слободних електрона (број шупљина већи у односу на
број слободних електрона)
- шупљине представљају главне носиоце електричне струје, а слободни
електрони су споредни носиоци електричне струје
- примесе које уношењем у полупроводник повећавају број шупљина
називају се АКЦЕПТОРИ
- тако добијени полупроводници називају се полупроводници p-типа
- пшто је потребна веома мала енергија да би валентни електрон атома
полупроводника прешао на атом примесе, то значи да је енергетски ниво
(акцепторски ниво) примесе врло близу валентној зони
- проводљивост полупроводника изазвана примесама назива се ПРИМЕСНА
ПРОВОДЉИВОСТ