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 ENlrnc: 11\ ~(11 .,\1{ f ()fO Vr!l .fA JI . ~

indica da rr·lo fal,ri, ,tnlr ,

. de referência), calcule a lensão de circuito abert o
.' 'ºª
. r:101:11
'
. . berto jJrev1sta teon camcnle.
.
·' ,, . de circui to a
tcns, 10 r _ 12 30%· b) 7]Jab = 11 ,44%; Pnc
= 24.69 W' 11 '' " - J() . 12º "· (
) 11 - ) )
,1
· o· a
50\uçª .
60
V; v;; = 39,30 V
0

'ͺ"::::: 39 ,
"(11
maFV6
proble
valores para as rnndiiJw, rir
, . d um módulo fotovoltaico indic.a os seguintes .
Ocatalogo e . _ = 3~ \ : /" _ J.X,\:
, . ara a reahzaçao de testes (STC ). P = 150 Wp; V
rcícrcnc1a P< l = 0.811! 11 1. () n,c~nH ,
, :::: 43,4 V; NOCT = 45ºC; Ns = 72; e = 1,622d. m; _
1ro . l ais dr opn.içào d11
, . ·ndica tamb ém os segumtes va ores para as con 1çoes norm
cata1ogo J
módulo (NOCT): P = 109 W; V = 31,2 V; Ice = 3,8
A; Vca = 39 ,9 \ '. Usr o n1ocklo
parâmetros do modr lo: h pa, ,1
de urn díodo e três parâmetros para calcular: a) os três
cia DC e da lrnsào dr rirrnit o
as condições NOCT, o erro cometido no cálculo da potên
aberto ; e) a relação entre o factor de forma nas condições
NOCT e o fartor dr li,nna 11;1,
condições STC.
= 145,35; I0 = 4,35 X 10- A; I~-c = 4,80 A; b) erro rDC' = - 5,1 o:
11
5
Solução: a) m
errovca. = - 1, 7%; c) relFF = 95,01 %

Problema FV7

reportadas na Tabela 8.1 O.

Considere um módulo fotovoltaico com as características

Tabela 8.10 Dados do Probl ema FV i

Silício mon ocris talin o

Potência-pi co pr 200 \\'p
DC
Corrente de maXJ, · ma poten .
• cia i,6 1 :\
IA,JP
Tensão de maxi, ·ma potência 26,3 \'
VJ\;IP
. .to
Corrente de curto-c1rcm I1'CC 8.2 l .-\
· . to aberto
Tensão de c1rcu1 vrca Jt9 \'
Temp o NOCT fr' C
C e:. ~ratura normal de fun cionament
oenc1.ente de temperatura de I 3 18 x 10-uJ .\ , ·('
coefic1ent d cc
{l I CC
'
- 'l , •)· >,. 10-lll , . . C
, e e temp eratura de V.ca /1 \lco - .)
Numero d , :i l
Comp . e celulas em série Ns
Largu;~nento C
L ll, t) l)l\ 1li

Cak:ut .
--::: _:_: _
e. a) e Lrês p· .•
-- -- ----- -= ----- -- -- . ,
saíd- )S
,, , ,
n~ b ,1 l''h th ._, ,,,
a do lllódulo ~'. amcLros cio modrlo ele um díndn
p ,1r.i1111 ·1n1, :

. . 11 tlh l ·' i 1 • t, •
pai ,1 as· c.:0 11 e1·1ÇOL's
~
nnrrnat s cll' oprra 1J\, 1: 111pn·\·1, 1,1 p,· ' ' ' \ ''
11 1
ll r r 1. ll 1>; C 1 ·\ '>

díodo e três padrn1ctrns (cfcctuc o cálculo d a tensão com ei-ro inferior a 0,0 V.
5
)clo mo delo ele um díodo e três p arâm e lJ·os, usando o processo sim i) l'r .. ), (2) Prr vj ..
l 1 1c,tclo d<' , ~t,1
rcsJ)ccti\·o ctTo com etido, c m p ercentagem d o valo r obtido cm b)( 1)·, C·) a f)Oten cakttlo
.·.
,
' 1 r,
. .
cio m ódulo JJara as condições no rm a is ele o p e ração, clcsprczanclo O c 1e1
r .
to d
Clct dr· saíd•
. <1
'
t(·mpcra tura no m oclu o.· ( l ) preV1sta
1- ' do e três , . ª v;ina Ç<trJ
· · p c 1o m o d e Io d e um dio >
d;,
. . pr.1ran1ctro .
0 J)roccsso simplificado d e cálculo; (2) prcV1sta pelo modelo «cstima
ti _ , . s, ttsanc1 0
. . Yct rap 1da» .
pccli\'O erro cornclldo, cm p ercentagem cio valor obtido em e)( I ). ' e; n r1•\.
5
Solução: a) m = 98,10; I ó. = 1 ,78 X 10- A ; I~~ = 8 ,21 A b) ( 1) p
- ' DC = 138 ·
= 160 W ,~O \\';
(2) P oc = 137 .56 \ •V; c1-ro = -0, 7 5%; e) ( 1) P Dc = 156,69 W ; (2) Poc
2, 1 l % ' erro :::

Probl ema FV8

Num local estão instalados 76 m ódulos fotovoltaicos de silicio multic1i sta lino , ligac1os a• redr·
Cada m ódulo é constituído por 72 células e te m as seguintes características• 1.ct1.raclas cio·
respectivo catálogo do fabricante: PP= 160 Wp ; VMP = 35,1 V; I MP = 4 55 A· I _
' , cr -
2
4 80 A; Vca = 44 ,2 V; NOCT = 47ºC; A = 1,2 m . M edições efectuadas
' ' " no 1ocal
reporta1·am , num d eterminado ano, os valores anua is: irradiação solar total na fachada.
H = 1118 k\1\Th/m 2 , temper atura ambiente m édia, 0ª = 16 ,3 º C , e energia entregue à
rede, E 0 = 11 ,96 l\ifvVh. Calcule : a) a irradiância sola r total incidente na fachada; b) a
temperatura m édi a a nual dos módulos; c) usando o modelo de um díodo e três parâmetros:
(1) a potência DC m édia anual d e saída d e cada módulo; (2) uma estimativa da energia
anual entregue à rede pelos módulos, admitindo um re ndim ento global do equipamento
de interface com a red e igual a 90%; (3) o erro com etido no cálculo do valor da energia.
Indiq ue as razões que explicam o valor d o e rro.
Solu ção: a) G = 127,63 W /m 2 ; b) 0rn = 20 ,61 º C; c) (1) PDc = 17,22 W; (2) Ea =
10,32 l\,f\A/h; (3) e n a =- 14%

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11' l'lltlll l.UI \ '-

Tabela 0.8 Dados d" l'nil1ll'1m FV,1

Silício monoc ristalin o --~

11<1t<' ncia-pir n 1) /1·)(' 1:)() .Í) \\'p
( :orrrn1 c de máxima potC·ncia
]'AI! ' '1-. 1 ,\
'l1·ns~o de m ;í.xim a p ol r ll<'ia vr
,\ 1 l ' ~H.íl \ '
C:orrr nt<' de curt o-cirruito r;.r ·1.H,\
Trns~o d(' r ircuit o aberto v;;, 1
l·l l \ '
Temperatura normal ele íun cionam cnt o NOCT ,~:{ (:
C:odicir ntl' de tempera tu ra de l er / 11rr 2.0 x 10 o:i ,\ / K
Coeficie nt e de tempera tura ele Vrn // \Iro - 1..iO X 10- 11 1 \ '/ K
NímlC'ro ele células cm série N,. 7'2
Comprim ento e 1'( j '22 111
Largura L 0,8 1-1 m

Tabela 8.9 Dados do Problema FV4

Mês G (Yv/m2 ) Mês G (W/m 2 )

J an 99,5 Jul 334,7
Fev 14 1,4 Ago 297 ,0
Mar 188,2 Set 237,5
Abr 259,7 Out 169,4
Mai 307,8 Nov 11 2,5
Jun 325,0 Dez 95,4

Soluçã o: a) EJul = 25 ,42 kWh; EDez = 7 ,10 kWh; hJul = 22,78%; hD, : = G.'.3íi'',.
b) erroJ 1,1 = 32,25% ; erroDez = 34,97%

Proble ma FV5

O catálogo de um módulo fotovolt aico indica os seguint es valores: P = 150

Wp: \' ==
3 4 V,
I CC = 4 , 8 A, T1/ ca = 43 , 4 V , NOCT = 45º C· N = 72· e = l.SSti r:.:
, S '
l = O,769 m. O mesmo catálogo refere que: The rela tive reduction of ,nodule ~Oici, 110
.,: ~ ·
irradia11ce of 200 W/ 11,2 in relatio11 to 1000 J.11l m2 both at 25ºC ce/1 temperature is 1° u. O c.ll.t.h
..•
do fabrica me indica ainda que o coeficie nte de temper atura da tensão de ciiYttÍ
) l l\l .ib<:t,·
•
é /Jv ca = - 0 , 152 V / º C . a) caJcule o rendim ento cio módulo m s condi,·ôr~ dr n·ktrl'·
n.a (SrfC)
, ; 1J) para as cond1.çoes,
- G = ?QO- e· ..
\i\l / 111-? L' 0111 = •)_ Jr º ,, ( ·11\ .u1\..· n·ndi1n,·n:
, . , . , . . . . , .. . ·11di11H·lll\> d•
do modulo md1cad o pelo rabn ca nt c, pote nna DC: prcnsta t conca11H l\l\ t 1'
, . . {
, _ ;- () • ( : 111.ltll\'tl\ ,,
modulo pn·v1sto teo11came11te; e) para a temper atura cio moc\11\0 , 0,11 · -i
 ENElt(; li\ SOl.,\R
l' CJ l í 1\ ' c11 1 \IC \

. berto para a tempera tura

,
0 ' 75ºC ' à irr·M r:
1
.
ianri;i clr- rcírri-n<i;,
, circuito a . ,
.; de potência de saida do modulo nestas condiçr)('s
;, 1cn~·10 v\l / in 2 e a . ..
0 00
G' ~ 10
Tabela 8.6 Dados do Problema FV3

~ cristali no -
- - - - - - - - - - ----;:~- - - -- - --
SilÍClO (Il
~µ•- - - - - -
prDC 170,0 Wp
~ - _ :rn I
po1ênc1a-p1co . , . 4,72 t\
Corrente
. de máx.11na potencia
A • v1NINIPp 36,0 V
, _ de 111 á_xima potencia Ir
1ensao . . 5,0 A
e de curto-ci rcuito cc
Correi1 t .
v;ª 44,2 V
.,... - de circuito aberto .
1 ensa
0
·atura normal de func10n amento NOCT 47º C
Te111pe1 µIce 3,3 X 10- 03 A/K
Coeficiente de tempera tura de I ce
µvca - l,60 x 10- 01 V/ K
Coeficiente de tempera tura de Vca
Ns 72
Número de células em série
Comprimento
e 1,580 m
L 0,783 m
Largura

Tabela 8. 7 Dados do Problema F\13

0 (º C) Vca M
o 48,5
25 44,2
50 39,5
75 35,0

Solução: a) r( 13,73%, ppr O,77; b) rJ 12 30%·' e) erro = 4'41 %· Poc·

' ]

130,04 \1\1

Problem a FV4

A Tabela 8 8
<lições d · reprodu z os valores do catálogo de um módulo fotovoltaico, para as con-
e referência e . d' , . m ensal m edrn , , . . . , . 11 1
. ' ª irra iancia mc1dent e no local :\. t" aprescmad.t -
'l'
labela 8.g ,
· Conside re _ , ,. , .
que nos m eses d e Verao a tem1)era tura do modulo e igual ,l ~tu ll m-
Peratura n ,
orrna1 d
de referência U e operaçã o e nos m eses de Inverno é igual à temperat ura eh; con<liçúc,
1
coniu . se o. rnodel0 d e um díodo e três parâme tros, e tome para rcnu1mrn ,J'
ll rni
j

J nto MPPT

nos rn + inversor O va1or d e 90%. Calcule: a) as enr rgrns . ckcuw.1, . s pn1c1llt .\u.,, i .
e eses de Jul
ltpress ho e d e D b . .. ~ ·. . -. -·1 1. · 1
for as em Perc ezern ro e as respectivas u11hzaçocs 111t· n sab cl.l pPll Ih ' pn i ·
usada en tagern · 1 ) 0 . . . 1 . 111 1' .
ª estirnativ , .' ) e rro com e i.ido no cálculo elas 1' lll'l'g"l:1s rdl'rn ,\, l ' · ' '
a rap1da.
1 1li I' IU l ll l. U 1.\ ~

rcsult
.
·iclos
'
rx Jnimc11tais. Conrl11i-sc- qu e os modelos ;1pr('sr nta 111 un, 1
. ,1 >r1111 clr·,(•111
cm parti cul ar o rigoroso, <' qur siio adr q11ados ao li111 a qur S<' drstin ;irn. P( nh,,.

8.6 PROBLEMAS

Problema FVl

Portu.gíl l consumiu cm 2006 ce rca ele 50 TWh de energia elén rica. J\ 1 ·

. . • . o , .
, e 11111,1 r1ur: 1 ,,,
l)ain<'- is íotovolta1cos tem um rcnchm cnto mecho de I O1/o e sao colocaclos <' .
. . 111 1,l \ iJq 1· )
c1 irradiação global média anu al recebida cm Lisboa é ele 1750 k\\ih/
111 2 . ·~ . ' ·'
• · d l' l)1•r~l
anualmente recebida cio Sol nunca é menor do que 90% ela qu e é recebida c,11 . . ."
dlH1 ll l1' d 11.
4-) 0 tcrrrno ocupado pelo conjunto das instalações é o dobro ela árt'íl úti l ,1 . . . .'·
' Os j),11 ili'(,
Calcul e: a) a área de terreno necessária para, usando painéis fo tovoltaicos fr1r11 r . , . ·
' ( ( I [11( 1;i d
energia elécu;ca consumida em Portugal em 2006; b) a potência total a inst·ihr t·ni . .
' ' ' ' p:1111r1,
fo tovoltaicos.
Solução: a) A = 634,92 krn 2 ; b) P1) = 31 ,75 GWp

Problema FV2

Para fornecer água a uma aldeia é necessário elevai~ dia1;amente, 20 m3 ele água a 1:J n1.
Pretende-se estudar a solução fotovoltaica em dois locais: Évora e Sul cio Egiplo. Sab('-\c·
que: 1) o rendimento médio do sistema de elevação é 60%; 2) o rendimento médio da r im-
versão fotovoltaica é 10%; 3) não há regularização com baterias; 4) as energia<; inciclrntc·i
(máxima e mínima) são: Évora - 180 kWh/ m 2 (Agosto); 108 kWh / m2 Qanciro1; Sul do
Egipto - 274 kWh / m 2 (1tfaio); 228 k\iVh/ m 2 (Dezembro). Para cada um destes dois c:t.,o\
calcule: a) a superficie dos painéis a instalar; b) a potência-pico dos painéis.
Solução: a) Évora: A = 3,78 m 2 , PP = 378 Wp; b) Sul do Egipto: A. = Lí9 m .
2

PP = 179Wp
Problema FV3

O catálogo de um módulo fotovoltaico indica, para as condições de refrrência. ~ c1r.t, ·

teristicas da Tabela 8.6. Das curvas I-V fornecidas pelo fabricante para din:'rW tc'll\f"'-"
raturas, retiram-se os valores para a variação da tensão de circuito aberto com :i trinf'<'·
ratura, com G = Gr = 1000 W / m 2 , reportados na Tabela 8.7. L's:rnd() o irnH.kki dt·
um díodo e três parâmetros, determine para o módulo fotovoltaico: a) o rcndinicnw i:.. •
condições de referência e o íactor de forma· b) o rendimento J)ara a irradi/1nri:i int·tdt•fl:,.
e -- 2r.:ü o \"'! 2 , •
'
. .
' \ m , a temperatura ele referencia, 01 = 25º C; r) o erro ron1t t1rc
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a Céu limpo

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· FV ao lo ngo de um di a
l)iagra111,1. d e car
f1!J!Í~ 8.26

; svMÁRIº
•" dos sistemas fotovoltaicos convencionais, isto é, os sistemas has(·a -
... ulo tratou-se..
u ri,ipH .. d 'licio mono ou multi cristalinos, operando segundo o princ ípio do c kit o
.rlll cns1a1~ e s1 '
,n1h,1ico.

1 modo a caracterizar
estes dispositivos, apresentou-se um modelo matemátic o simplifi-
:n de um díodo e três parâmetros, que permite calcular o valor d a p o tê ncia d e sa ída,
:: fonçào da irradiância e da temperatura, com base apenas e m dados forn ecid os pclm
j rira111es no catálogo do equipamento, evitando, portanto, a necessidade d e testa r o m ú -
-~, fo1orohaico em concreto. Muito embora se tenha concluído que o desempe nho de~tc:
-~rioera sarisfató1io, apresentou-se um modelo mais detalhado, d e um díod o e cinco p:.i-
:.,iriros. 0 qual permüe incluir alguns efeitos que não são d escritos p elo m odelo a nte rio r,
.'.r,,·1n ndo contudo , . d . ,1 d
,; . ' e ser alimentado apenas com base n o ca ta ogo o
, a caractenstica
-mcan1e. Dad0 • .
i;. d . . que ª potencia de saída é especialmente afectada p ela variaçã o das l u n -
_!i{i e 1rradi · .·
:•,>1.1 i·a. _ ancia e temperatura, d e u-se particular atenção à incorpo ração d o , cl~·i tl>--
naçoes nos d l
. · mo e os propostos.
-11n
01ll'(Jj)Ósito d .
,.· e estunar o va lor d a e n ergia e léctrica forn ecida p o r um Sl'\l . c' nu 1·uH>-
·..ui.r; C(Jllsti ,
,, · tu1do p 0 1_ ,
<>'liJ% Írarn-s(· modulo fotovoltaico seguidor d e 1)o tê n cia rnú:xinn (' i1 1H' l '-\ ►I.
·,'ll1r,rJ1·l1 . - rnod e Ios a prop . d ' ' . , . . 1· -.
., . >completo . na os para estes doi s ult1mos cq u1pamcmu~ . . \ .1p ll .h, ,ll'
¼11,11.lilf. a um caso d . . . . .
:,,,1 . ~ t rntl h•ctnte a e e st udo conduz a um valor d<' c-nc1~1a dcn n c,1 l' r\ 1-dn11~L1
i,,td . ,
tu1cªda à valid o ~utros· re ·s u lt a d os re poitaclos na lit cratura . . \ p .1rtl ' 1111,1
i· l l \,·, ti: ' -l·
açao dos· m occ . ..
1· l os (sin1pld1cacl<J -
e rigorosn) pn r 1·1,111 p, u , 11; . t. ' \ \ ) 1\\
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<: .\ t.( : \ ' 1.0 Ei':EIU , l :'\' I ( :()

fa crgia (kWli)
2íl'l-,5G

169,'.rn 168,77 I Gl '1-B

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Mês 1 Mês 2
• Resultados experimentais • Modelo de 5 parâmetros • Modelo ele 3 parâmetros
Figura 8.25 Estimativa da energia produzida· modelos de 3 e 5 parâmetros ... 1
• • ' < • C I CSLI l ar1os
cxpcnrnenta1s

observar que, para irradiâncias mais baixas, o modelo de 3 parâmetros apresenta mclhorl's
resultados, ao contrá1;0 do que acontece para valores mais elevados de irradiância, ondt
o modelo de 5 parâmetros assume um erro médio mais reduzido.

No entanto, do ponto de vista da energia estimada por ambos os modelos, o modelo de 5

parâmetros conduz a uma melhor previsão em ambos os meses de estudo apresentado,
na Figura 8.25. Tal deve-se ao facto de as altas irradiâncias contribuírem de modo mai~
significativo para o cálculo energético do sistema. Assim, os erros associados ao modelo
de 5 parâmeu-os para as baixas irradiâncias não se manifestam de maneira tão significacira
como os erros do modelo de 3 parâmetros para as altas irradiâncias. O modelo de j parâ-
metros é, pois, mais assertivo no cálculo da potência entregue pelo sistema foto\'Oltairo.

Por fim , mostra-se a evolução da potência injectada na rede (verificada expe1imentalmr,~_l'

e prevista pelos modelos) ao longo de um dia de céu limpo e um dia de céu nublad~ h-
. .
gura 8.26). Pode verificar-se o bom desempenho dos d01s modelos ap1.e5entado,·· \ :1k .1,
, . '. "'l JIH'l!'O~. qlll
pena destacar o excelente comportamento do modelo de um diodo e ti es pai ,
•,;ll\ ' Jll.l
consegue um desempenho semelhante ao de cinco parâmetros, não obstante :i su:i l.
simplicidade de implementação.