СОФИЙСКА ПРОФЕСИОНАЛНА ГИМНАЗИЯ ПО

ЕЛЕКТРОНИКА „ДЖОН АТАНАСОВ“

КУРСОВА РАБОТА
по
Автоматизация на проектирането в електрониката

на
Яна Иванова Иванова

Тема:
Широколентов усилвател

Дата: 08.06.2022

гр. София
 СЪДЪРЖАНИЕ

1. Теорeтична част 2 стр.

2. Зададени данни 3 стр.
3. Проектиране (изчисление) 3 стр.
4. Принципна схема 5 стр.
5. Данни от симулация 6 стр.
6. Спецификация 7 стр.
7. Литература 7 стр.

1
1. Теорeтична част
Широколентовия усилвател е променливотоков усилвател на напрежение и има
широка честотна лента, която се постига с елементи за ниска и висока корекция.
Характерно за широколентовите усилватели е, че отношението между горната и
долната гранични честоти е много по-голямо от единица, тъй като горната гранична
честота е в порядък от няколко мегахерца до стотици и повече мегахерца. Широка
честотна лента се постига чрез вериги за честотна корекция. Такива са емитерната
корекция и честотно зависима отрицателна обратна връзка, която е обща примерно за
две стъпала. Приложение този вид усилватели намират в телевизионната техника, в
измервателната техника, радиолокацията и в други области на електрониката. За да
бъде постигна широка честотна лента е необходимо коефициента на усилване по
напрежение на отелните стъпала да не е голям (обикновенно от 5 до 20 пъти). Затова
избираме схема с две стъпала.
На изхода на схемата можем да поставим емитерен повторител или двутактно крайно
стъпало заради големия изходен товар.Те съгласуват входния и изходния
сигнал ,преобразувт голямото входно в малко изходно съпротивление.Те не усилват
напрежението (Аu<1). Избираме двутактното стъпало заради по-високия коефициент
на полезно действие. За разработката с интегрална схема се използват три
операционни усилвателя с широка честотна лента. Използва се инвертираща схема на
свързване заради ниското входно съпротивление.

2. Зададени данни
Да се проектира Широколентов Усилвател при следните изходни данни:

Ko = 69; fн = 55 Hz; fв = 3MHz; Rт = 10кΩ ； Ст = 6 pF; Ruст = 600; Uвх. = 18mV; E = 11V;

3. Проектиране (изчисление)
По = √ 6 9 ≈ 8

1. Избор на транзистор

2
Транзисторът се избира при N = 2 (където N - брой стъпала):

20 Ко . 𝑓 в 20.69. 3.10 6 15.69

П1,2 = = = .106 =517,5.106
По 8 2

Площта на усилване може да се покрие с високочестотен транзистор, където:

 𝑓 т >10. 𝑓 в 𝑓 т> 30 М 𝐻𝑧 ;
 Малък капацитет на колекторния преход Стс;
 Малко 𝜏 𝑏𝑏;
 Ico = 1mA.

Избираме транзистор ГТИ 311U, със следните параметри:

Fт = 450MHz, h21e = (100÷300), Cтc = 2pF

Ucbmax = 12V Icmax = 0,05A, Pсmax = 0,15W

Площта на усилване е както следва:

0,16 0,16 12
П1max = = =0,002162. 10 =2162,16 𝑀𝐻𝑧
𝑟 𝑏𝑏 .Стс 37. 2.10 −12

П 1 𝑚𝑎𝑥 > П 1,2 , от което следва, че транзисторът е подходящ.

2. Определяне на колекторния резистор (при условие че 𝑅3 >𝑟 𝑏𝑏 ):

𝑅3 =( 10÷ 30 ) 𝑟 𝑏𝑏 =( 10÷ 30 ) .37=( 370÷ 1110 ) Ω

Избираме 𝑅3 =1𝑘 Ω

3. Определяне на резистор за високочестотна корекция:

𝑅3 1000
𝑅 4= − 𝑟 𝑒= −26=99 Ω
𝐾1 8

0,026 0,026
𝑟 𝑒= = − 3 =26 Ω
𝐼 𝑐𝑜 10

Избираме 𝑅 4=91 Ω

4. Определяне на кондензатора за високочестотна корекция

0,16 0,16
𝜏 е (времеконстанта)= + 𝑅3 .Стс = +1.103. 2.10− 12=¿
𝑓т 450. 10
6

−9 −9
¿ ( 0,35+2 ) . 10 =2,35.10 𝑠

3
 1,2. 𝐾 1 . 𝜏 𝑒 1,2. 8. 2,35.10− 9 − 12
𝐶 5= = =250.10 𝐹
𝑅4 91

Избираме С 5=270 𝑝𝐹

5. Определяне на емитерния резистор

𝑅5 ≤ 0,3. 𝑅3 =0,3.1000=300 Ω

Избираме 𝑅5 =300 Ω

6. Определяне на базовия делител

Uво = ( 0,6 ÷ 0,7 ) 𝑉 =0,6 𝑉

−3
Когато 𝐼 д > ( 5 ÷ 10 ) 𝐼 во=0,15.10 A
1 3
𝐸 − 𝐼𝑐𝑜 . 𝑅 5 10 . 300− 0,60 9,1
𝑅1= =10 − −3
= . 103=60,66 𝑘 Ω
𝐼д 0,15.10 0,15

Избираме 𝑅1=62𝑘 Ω

7. Определяне на елементите за нискочестотна корекция

𝑈 𝑅𝑒 1
𝑅6 = = − 3 =1𝑘 Ω
𝐼𝑐𝑜 10

Избираме 𝑅6 =1𝑘 Ω

3,2 3,2
𝐶 1= =
𝑓 н . 𝑅6 55.1. 10 =58,18 𝜇 𝐹 ¿
3
¿

Избираме 𝐶 1=100 𝜇 𝐹

8. Определяне на разделителителните и емиторните кондензатори

−3
6. 𝐼𝑐𝑜 6.10 −3
𝐶4 ≥ = =0,1.10 =100𝜇 𝐹
𝑓н 55

Избираме 𝐶 4 =100 𝜇 𝐹

𝑅вх =h21 𝑒𝑚𝑖𝑛 − ( 𝑆𝑜1 + 𝑅 )=100. ( 40.101

4 −3 )
+91 =100. 116=11600 Ω

0,16 160.10− 3 160

𝐶2 ≥ = = .10 −6=0,25𝜇 𝐹
55.11 600 55. 11,6. 10 638
3

Избираме 𝐶 2=1 𝜇 𝐹

4
 0,32 0,32 320 −6
𝐶3 ≥ = = . 10 =0,46 𝜇 𝐹
𝑓 н ( 𝑅 3+ 𝑅 вх ) 55 ( 1.10 +11 600 ) 693
3

Избираме 𝐶 3=1 𝜇 𝐹

4. Принципна схема
Схема каптуре

5. Данни от симулация
Симулация каптуре

5
6. Спецификация

Означение Стойност Количество

Кондензатори

C1 1 µF 1

C2 1 µF 1

Резистори

R1 18 kΩ 1

R2 20 kΩ 1

R3 1,8 kΩ 1

R4 1 kΩ 1

Транзистор

Q1 BC338: Fт = 100MHz, 1

6
 h21e = (100÷600), Cтc
= 12pF, Ucemax = 30V,

Icmax = 0,5A,

Pсmax = 0,625W

Vdc

V2 15 V 1

7. Литература

http://www.referati.org/shirokolentov-usilvatel/95816/ref/p4

https://pomagalo1.com/art/proektirane-na-shirokolentov-usilvatel/12649/p2

Учебник по Аналогова схемотехника на Величка Спасова