基礎物理實驗

巨磁阻測量實驗
週一班第十二組

(右)鄭晧均　b09202039
(左)關駿曦　b09202045
實驗簡介
物質因為外加磁場而改變電阻的現象，叫做「磁阻效應」，在一般情況下，普通的金屬只具有数％的磁阻效應
，但由厚度約為 1 nm 的鐵磁薄膜（F 層）和非鐵磁薄膜（NF 層）組成的多層膜可顯示出数10％以上的磁阻效
應。我們将這種現象稱為巨磁阻效應（GMR）。
彼得·格林貝格和艾爾伯·費爾發現巨磁阻效應（GMR）獲得2007年諾貝爾物理學獎。在上個世紀1988 年，他
們由實驗發現 Fe/Cr/Fe交替所組成的多層薄膜在磁場下會有很大電阻值的變化。產生GMR效應之薄膜簡
單示意圖如下所示，在外加磁場下：
（1）當第1層與第3層之磁矩排列相同方向時（図一）、其中一個自旋方向的電子會較容易通過，所以呈現小電
阻，因電子傳輸因磁矩方向相同其散射機率小而使得電阻値變小。
（2）當第1層與第3層之磁矩排列相反方向時（図二）、二個自旋方向的電子會較難通過，所以呈現大電阻，因
電子傳輸因磁矩方向相同其散射機率大而使得電阻値變大。

図一：相同方向 　 図二：相反方向

實驗儀器
１、磁鐵
２、指南針
３、電線4(香蕉-鱷魚
４、高斯計一台
５、漆包線圈一掴
６、AAH002巨磁阻感應晶片
７、Keithley 220 可程式電流源
８、Keithley 181 Nano Voltmeter
９、Gｗ INSTEK PST-3202 可程式電源供應器
實驗方法、觀察與過程紀錄
第一週：
1. 巨磁阻樣品有四個接點(V+，V-，OUT+，OUT-)，分別對應到的是(V+，V-)為Power Supply、
(OUT+, OUT-)為Nanovoltmeter。
2. 將巨磁阻樣品放入線圈中。
3. 將電流輸入到磁場線圈內、讓線圈產生磁場。
4. 打開電腦上的Labview程式、在程式中輸入合理的最大電流値與電流間隔、程式開始時電腦會自動
改變輸出到線圈的電流、並自動量到對應的電壓値。
5. 改變電流並利用高斯計測量磁場，找出電流與磁場的關係。
6. 將電壓對電流的關係轉為電壓對磁場的關係，預計會得到以下的巨磁阻特性。
7. 將Sensor垂直、治若束西向、沿著南北向放置於桌面，比較其差異並說明原因。(注意：此部分需把
Seneor從螺線圈中拿開。）
第一週
(1) V-I 図
當我們接好實驗器材中的各種導線、電流計(供給磁場用)、和伏特計後，我們由電腦的LabVIEW 系統得到
以下図。(其中，我們將最大電流MAX I設為0.1A，每一紀錄點之差距則設為0.001A)、我們得到每一個點的V
和I，詳細列出圖一中每個點的x,y座標值

（２）I-H図

利用高斯計測量磁場，找出電流與磁場的關係、我們用LabVIEW以拍影片的方式記錄資料，讓LabVIEW自
動改變電流　　　　
（３）將V-I圖轉成H-V圖

由於我們已經有I-H轉換表(図：I-H轉換表)、經由EXCEL的轉換，我們得了以下V-H圖、

　　　　　　　　　　　　　　　　　　V-H 図　　
mA oe V

100 72.8 0.2273

90 65.1 0.2274

80 58.2 0.2275

70 50.9 0.2275

60 43.6 0.2274

50 37.7 0.2273

40 28.8 0.2271

30 21.5 0.2264

20 14.3 0.2246

10 7 0.2195

5 3.4 0.1112

0 0 0.0029

-5 -3.2 0.1088

-10 7.5 0.2164

-20 -15.1 0.2252

-30 -22.4 0.2279

-40 -30 0.2289

-50 -33.1 0.2292

-60 -37.1 0.2297

-70 -51.9 0.2302

-80 -59 0.2304

-90 -66.4 0.2307

因為我們實驗時，取得間隔太大了，沒辦法拿到精密的數值，所以我們取20到-20之間的
數值，製作表圖算出他的斜率，譲我們可以倒算出我們要的値、

(3)分析GMR Sensor在各個方位的數據
方向 V H(oe)

北 0.027 0.5238

西 0.002 -0.2362

東 0.003 -0.2058

第二週：
1.請藉由GMR sensor量測電流翰出為2A導線的磁場隨距離變化的關係(量測前請先思
考放置方向與導線產生的磁場），並解釋之。
2.請思考並藉由GMR sensor量測冰箱磁鐵隨距離變化的磁場，並解釋之。
(1)與電線的距離改變的電壓
以下是我們將導線電流調2A，並將GMR Sensor放置於導線中央往外s公分處，得到的
結果
cm V H(oe)

0 0.03 0.615

5 0.028 0.5542

10 0.025 0.463

15 0.024 0.4326

20 0.019 0.2806

25 0.015 0.159

30 0.011 0.0374

40 0.009 -0.234

導線磁場中的磁場公式為:

(2)GMR Sensor量測冰箱磁鐵之磁場
我們首先固定GMR Sensor的位置，並將冰箱磁鐵沿著上下方向移動

之後我們固定GMR Sensor的位置，並將冰箱磁鐵沿著左右方向移動

問題討論：
1.實驗所做出來的巨磁阻特性圖， 為何與費爾的實驗結果正好是反相？
實驗中，我們先給予Sensor一個固定偏壓(5V)，而由電壓電流電阻關係(V=IR)可以知道
，當此Sensor受到磁場影響以後，其電阻下降，導致電流上升，此電流流入伏特計後，因
為伏特計的1工作原理是根據電流的磁效應，當電流通過線圈時，會產生一個磁場，而這
個磁場與原本在伏特計內部的磁鐵所產生的磁場會有相互作用力(通常是排斥力)，因此
線圈受到一力矩而轉動，電流越大時其力矩越大，電壓計的讀值也越大，因此我們會得
到一個磁場增加時，電壓上升的圖形，恰好與費爾實驗反相。
2.可否估計實驗中使用線圈之匝數密度？
由磁場B和磁場強度H的關係:，以及螺線管內部磁場為，我們可以發現H和I的比值再除
以即為線圈之匝數密度n，由電腦桌面的磁場與電流關係數值做回歸直線後，可發現斜
率約為0.72(Oe/A)，而除以並單位換算後可得
n=B/μ0I= 5.73*10^5

3.請簡述GMR的應用。
巨磁電阻效應的最主要的應用是我們日常生活中都用得到的電腦中的硬碟。由於讀取
的時候是利用磁區之間磁場的大小和排列方向來判斷1或0的數位訊號，因此可以避免
因為雜訊所造成的誤判，微小磁場的變化就會產生極大的電阻變化，有極高的靈敏度
所以不但大幅減少硬碟的體積並增加容量同時也更加省電。

4. 請簡述不同的磁阻效應。
1. 常磁阻 (OMR) 對所有非磁性金屬而言，由於在磁場中受到羅倫茲力的影響，使得電
子路徑變成曲線前進，所以電子的行走距離增加，使電子碰撞機率增大，進而增加材料
的電阻。

2. 異向性磁阻(AMR) 有些材料中磁阻的變化，是因物質的結構導致磁場和電流間的s軌
域電子與d軌域做成電子散射。

3. 巨磁阻(GMR) 由於多層薄膜在磁場下，相向和反向會影響使得電子產生程度不同的
磁散射而造成較大的電阻。

4. 超巨磁阻(CMR) 超巨磁阻效應存在於物質具有鈣鈦礦ABO3結構中，其磁阻變化隨
著外加磁場變化而有數個數量級的變化。比巨磁效應(GMR)的電阻大上許多，所以被稱
為「超巨磁阻」。
5. 穿隧式磁阻(TMR)隧磁阻效應是指在鐵磁-絕緣體薄膜(約1奈米)-鐵磁材料中，發生量
子穿隧效得到穿隧電阻。

實驗總結

知道設計一個有效的實驗是非常困難的，我們在放置導線的時候因兩端的導線產生的
磁場干擾了，所以我們盡量把多餘的電線藏起來或是縮短，再加上導線所產生的磁場真
的太小了再加上地磁的干擾，這也導致了大量的誤差，也知道了巨磁阻效應是我們日常
生活都非常有關，由於同樣的東西重複地測量又未完成去磁，所殘留的磁力所影響測量
的數值，磁滯效應，又由於地磁影響所影響的關係、伏特計和儀器不準的因素所造成誤
差，方位對不準的問題，因為我們沒有精密的儀器，用的是手機和肉眼對著。

參考
巨磁電阻的原理 與應用
https://ejournal.stpi.narl.org.tw/sd/download?source=9706/9706-07.pdf&vlId=228A75
B2-511E-4A1C-98B0-86E669BC62E3&nd=0&ds=0

各種磁阻效應

https://highscope.ch.ntu.edu.tw/wordpress/?p=1631