基礎物理實驗

巨磁阻測量實驗
週一班第十二組

( 右 ) 鄭晧均　 b09202039
( 左 ) 關駿曦　 b09202045
磁阻效應
在一塊有通入電流的導體，外加磁場時，導體內部的自由電子會因勞倫茲力改變其運動、

譲電阻因外部磁場而變化。在一般的材料下電阻的變化通常只具有数％

Rmax 為磁阻效應下的最大的電阻， Rmin 為磁阻效應下的最小的電阻

電子散射
磁矩平行的電子在傳導過程中較不會被散射，但與自發磁矩反平行的電子，
則很容易與自發磁矩碰撞而散射
巨磁阻效應
普通的金屬只具有数％的磁阻效應、但由厚度約為 1 nm 的鐵磁薄膜（ F 層）和非
鐵磁薄膜（ NF 層）組成的多層膜可顯示出数 10 ％以上的磁阻效應。我們将這種現
象稱為巨磁阻效應（ GMR ）。
（ 1 ）當第 1 層與第 3 層之磁矩排列相同方向時（図一）、其中一個自旋方向的電子
會較容易通過，所以呈現小電阻，因電子傳輸因磁矩方向相同其散射機率小而使得電
阻値變小。
（ 2 ）當第 1 層與第 3 層之磁矩排列相反方向時（図二）、二個自旋方向的電子會較
難通過，所以呈現大電阻，因電子傳輸因磁矩方向相同其散射機率大而使得電阻値變
大。

　 　 　 　 　 図一：相同方向
　 図二：相反方向
實驗儀器

１、磁鐵
２、指南針

３、電線 4( 香蕉 - 鱷魚
４、高斯計一台
５、漆包線圈一掴

６、 AAH002 巨磁阻感應晶片
７、 Keithley 220 可程式電流源

８、 Keithley 181 Nano Voltmeter

９、 G ｗ INSTEK PST-3202 可程式電源供應器

實驗方法、觀察與過程紀錄
1. 巨磁阻樣品有四個接點 (V+ ， V- ， OUT+ ， OUT-) ，分別對應到的是
(V+ ， V-) 為 Power Supply 、 (OUT+, OUT-) 為 Nanovoltmeter 。
2. 將接好的巨磁阻樣品放入線圈中。
3. 將電流輸入到磁場線圈內、讓線圈產生磁場。
4. 打開電腦上的 Labview 程式、
在程式中輸入合理的最大電流値與電流間隔
5. 我們可以得到 V-I 的関係
1. 改將高斯計測器放入線圈中。
2. 改變電流並利用高斯計測量磁場，找出電流與磁場的關係。
3. 將電壓對電流的關係轉為電壓對磁場的關係，預計會得到巨磁阻特性。
1. 將 Sensor 垂直、治若束西向、沿著南北向放置於桌面，比較其差異並說明原
因。 ( 注意：此部分需把 Seneor 從螺線圈中拿開。）
 V-I 図（様品放入線圏）
利用品測量電、我們由電腦的
様品 測 量 電 圧、 我 們 由 電 腦LabVIEW
的 系統得到以下図。我們得到每一個點的
V 和 I ，詳細列出圖一中每個點的 x,y 座標值。

最大電流 max:0.1A

step:0.001( 紀錄點之差距 )
I-H 圖（高斯計測器放入線圏）
利用高斯計測量磁場，找出電流與磁場的關係、我們用 LabVIEW 以拍影片的
方式記錄資料，讓 LabVIEW 自動改變電流
 I-H 圖
以及螺線管內部磁場為，我們可以把 H 和 I 的比值再除以 μ0 即為
線圈之匝數密度 n ，由電腦桌面的磁場與電流關係數值做回歸直
線後，可發現斜率約為 0.72(Oe/A) ，而除以並單位換算後可得
n=B/μ0I= 5.73*10^5
 將 V-I 圖轉成 H-V 圖
由於我們已經有 I-H 轉換表 ( 図： I-H 轉換表 ) 、經由 EXCEL 的轉
mA oe V 換，我們得了以下 V-H 圖
100 72.8 0.2273
90 65.1 0.2274
80 58.2 0.2275
70 50.9 0.2275
60 43.6 0.2274
50 37.7 0.2273
40 28.8 0.2271
30 21.5 0.2264
20 14.3 0.2246
10 7 0.2195
5 3.4 0.1112
0 0 0.0029
-5 -3.2 0.1088
-10 7.5 0.2164
-20 -15.1 0.2252
-30 -22.4 0.2279
-40 -30 0.2289
-50 -33.1 0.2292
-60 -37.1 0.2297
-70 -51.9 0.2302
-80 -59 0.2304
-90 -66.4 0.2307
因為我們實驗時，取得間隔太大了，沒辦法拿到精密的數值，所以我們取 20 到 -
20 之間的數值，製作表圖算出他的斜率，譲我們可以倒算出我們要的値。
分析 GMR Sensor 在各個方位的數據

方向 V H(oe)

北 0.027 0.5238

西 0.002 -0.2362

東 0.003 -0.2058
第二週
1. 利用巨磁阻樣品測量通電導線的磁場隨距離變化的關係

将 2A 導線固定、改變 GMR sensor 與 2A 導線之間的距離、測量通電導線的磁場

隨距離的變化

2. 利用巨磁阻樣品測量冰箱磁鐵隨距離變化的磁場

我們首先固定 GMR Sensor 的位置，並將冰箱磁鐵沿著上下、左右的方向移動。

測量冰箱磁鐵隨距離的變化
固定 GMR sensor 量測電流為 2A 導線的磁場隨距
離的變化
cm V H(oe)

0 0.03 0.615

5 0.028 0.5542

10 0.025 0.463

15 0.024 0.4326

20 0.019 0.2806

25 0.015 0.159

30 0.011 0.0374

40 0.009 -0.234

固定 GMR sensor 與磁場隨距離的變化圖得知，它呈現遞減的線性關係，但當中

由於我們全程都是肉眼和尺子來判斷距離，所以有一點距離和角度上的誤差。
GMR Sensor 量測冰箱磁鐵之磁場
我們首先固定 GMR Sensor 的位置，並將冰箱磁鐵沿著上下方向移動

到了 2cm 左右就電壓就快速下降，在 6cm 的距離電壓就不變，說明 6cm 是電線

的極限距離，也只有地磁的作用。
之後我們固定 GMR Sensor 的位置，並將冰箱磁鐵沿著左右方向移動

到了 2cm 左右就電壓就快速下降，在 12cm 的距離電壓就不變，說明 12cm 是電線的極限距

離，也只有地磁的作用。
GMR 的應用
巨磁電阻效應的最主要的應用是我們日常生活中都用得到的電腦
中的硬碟。由於讀取的時候是利用磁區之間磁場的大小和排列方
向來判斷 1 或 0 的數位訊號，因此可以避免因為雜訊所造成的誤
判，微小磁場的變化就會產生極大的電阻變化，有極高的靈敏度
所以不但大幅減少硬碟的體積並增加容量同時也更加省電。
 還有別的磁阻效應
異向性磁阻 (AMR): 是因物質的結構導致磁場和電流間的 s 軌域電子與 d 軌域做成電子散射，電阻具有
最大值時，電流方向平行於磁場。可用於地球磁場測量（電子羅盤），用作 GPS 導航和磁場探測應
用。

超巨磁阻 (CMR): 超巨磁阻效應存在於物質具有鈣鈦礦 ABO3 結構中，其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數

個數量級的變化。比巨磁效應 (GMR) 的電阻大上許多，所以被稱為「超巨磁阻」。

穿隧式磁阻 (TMR): 穿隧磁阻

效應是指在鐵磁 - 絕緣體

薄膜 ( 約 1 奈米 )- 鐵磁材料中

發生量子穿隧效得到穿隧電阻
實驗總結

知道設計一個有效的實驗是非常困難的，我們在放置導線的時候因兩端的導
線產生的磁場干擾了，所以我們盡量把多餘的電線藏起來或是縮短，再加上
導線所產生的磁場真的太小了再加上地磁的干擾，這也導致了大量的誤差，
也知道了巨磁阻效應是我們日常生活都非常有關，由於磁滯效應的影響同樣
的東西重複地測量又未完成去磁，所殘留的磁力所影響測量的數值，又由於
地磁影響所影響的關係、伏特計和儀器不準的因素所造成誤差，方位對不準
的問題，因為我們沒有精密的儀器，用的是手機和肉眼對著。
參考
巨磁電阻的原理 與應用
https://ejournal.stpi.narl.org.tw/sd/download?source=9706/9706-
07.pdf&vlId=228A75B2-511E-4A1C-98B0-86E669BC62E3&nd=0&ds=0
各種磁阻效應
https://highscope.ch.ntu.edu.tw/wordpress/?p=1631