SADRŽAJ

UVOD

Standardno napajanje električnom energijom vrši se iz naizmenične električne mreže (AC) a ređe
jednosmernom strujom (iz baterije, kontaktnog voda itd). Naizmenična monofazna ili trofazna napojna
mreža se odlikuje konstantnom frekvencijom i približno konstantnim naponom sinusnog oblika.
Baterijaski napon je jednosmerni (DC), približno konstantne vrednosti. Međutim potrebe u radu
pojedinih uređaja i mašina su takve da zahtevaju parametre koji se razlikuju od onih koje imaju baterija
ili napojna mreža. Kod baterijskog napajanja to može biti na primer potreba za stabilnim naponom
nezavisnim od opterećenja i ispražnjenosti baterije. Takođe može se tražiti i napon koji se po potrebi
može menjati u širokom opsegu na primer od nulte vrednosti pa do napona većeg od ulaznog, a u nekim
slučajevima i promena njegovog polariteta. Kod uređaja koji se napajaju naizmeničnim naponom opet
može da se zahteva, na primer, njegova veća stabilnost ili pouzdanost. Takođe uređaj može da zahteva
neku drugu vrednost napona, frekvencije, broja faza itd. U svim slučajevima kada uređaji zahtevaju neke
druge parametre od onih koje imaju postojeći izvori napajanja, mora postojati pretvarač za njihovo
prilagođenje. Jedno važno polje primene ovih pretvarača su elektromotorni pogoni i potreba za
regulacijom brzine elektromotora.

Pronalaskom tiristora (šezdesetih godina 20. veka) i postizanjem odličnih naponsko-strujnih

karakteristika, on je brzo potisnuo sve do tada korišćene tehnike i zajedno sa silicijumskom diodom
postao glavni element regulacije jednosmernog napona. Tiristori i diode snage, poluprovodničke
(elektronske) komponente sada nalaze primenu u napajanju uređaja velikih snaga (energetika). Polako
se gubi do tada jasna granica između tehnike slabe i jake struje (elektronike i energetike) i formira nova
oblast “Energetska elektronika”.

Najvažnija oblast energetske elektronike su “Energetski pretvarači”. Pored energetskog dela pratvarača
energetska elektronika obuhvata i upravljačka, zaštitna, merna signalna kola, itd. Osim dobijanja
jednosmernog napona, tiristor je omogućio i druge vrste pretvaranja energije i napajanja uređaja iz
domena energetike. Oblast tiristorskih pretvarača doživela je svoj puni razvoj sedamdesetih godina 20.
veka. Vrlo brzo su rešena sva najvažnija teorijska pitanja i postavljeni osnovni principi pretvaračke
tehnike.

Svakako da osim regulacije brzine elektromotora i primene u elektromotornim pogonima, postoje o

druge primene pretvarača snage. Danas oni nalaze primenu u gotovo svim oblastima, počev od
domaćinstva (kućni aparati, osvetljenje, itd), preko autoindustrije (uređaji u vozilima) do industruje
(indukcioa grejanja, besprekidna napajanja, punjenje baterija, zavarivanje itd).
ENERGETSKI PRETVARAČI
U okviru energetske elektronike, posebnu važnost imaju energetski pretvarači. Sam naziv možda nije
potpuno korektan, i zato će se dalje pokušati njegovo preciznije definisanje. U literaturi se sreće više
definicija pretvarača. Ovde će pod pretvaračem biti podrazumevan uređaj koji pomoću snažnih
poluprovodničkih komponenata, na kontrolisan način može da prenosi energiju iz jednog električnog
sistema u drugi ili da napaja potrošače. Ova dva električna sistema u opštem slučaju mogu da imaju
različit karakter (AC ili DC), različite veličine, oblike i frekvencije napona i struja, broj faza itd. Sledeća
karakteristika ovih pretvarača je da se radi o statičkim uređajima (bez pokretnih delova) tako da nema:
inercije, habanja, zamora, starenja i slično.

Sl. 1

Po svojoj strukturi, pretvarač energetske elektronike se sastoji od energetskog i upravljačkog dela (sl. 1).
Energetski deo prertvarača prenosi energiju, a upravljačko kolo kontroliše njegov rad. Veza između ova
dva dela je u opštem slučaju dvosmerna. U upravljački deo se uvode podaci o stanju pojedinih ulaznih i
izlaznih električnih veličina (naponi, struje, ...), ograničavajućih faktora (na primer temperatura) itd.
Pored ovoga, upravljačkom uređaju se zadaju; željene vrednosti izlaznih veličine (na primer napon,
frekvencija ...) i granične vrednosti (limit napona, struje, temperature, ...). Na osnovu ovih podataka
upravljačko kolo generiše signale kojima vrši upravljanje energetskim delom. Stvarni pretvarači mogu
biti jednostavniji ili složeniji od ovog modela. Jednostavniji bi bili na primer diodni ispravljači, a kod
složenijih mogu postojati i druge vrste upravljanja, povratne sprege po raznim veličinama (brzina,
moment, temperatura, ...), programirano upravljanje itd.
Postoje AC i DC sistemi. Pretvaranje se može vršiti unutar svakog od njih (DC/DC i AC/AC) ili međusobno
(DC/AC i AC/DC), tako da postoje četiri kombinacije (sl. 2), odnosno i četiri vrste pretvarača.

1. DC/DC (čoperi),

2. DC/AC (invertori),

3. AC/DC (ispravljači),

4. AC/AC (ciklokonvertori).

Sl. 2.

Svaki od ovih pretvarača može biti direktan ili indirektan.

Direktni pretvarači su po pravilu jednostavniji i imaju veći stepen iskorišćenja od indirektnih. Stepen
iskorišćenja pretvarača prvenstveno zavisi od radnog napona, opterećenja, broja transformacija energije
itd. Direktni pretvarači sa radnim naponom od nekoliko stotina volti, mogu imati stepen iskorišćenja od
skoro 99 %. Sa tog aspekta direktni pretvarači spadaju u grupu najefikasnijih.

AC/DC i DC/AC pretvaranja se obično vrše direktno, a prilagođenje po naponu (i struji) može da se
postigne transformatorom na AC strani.

Direktni pretvarači AC/AC su na primer ciklokonvertori (f2≠f1) i regulatori naizmeničnog napona (f2=f1).

Primer direktnih DC/DC pretvarača su čoperi.

Pretvarač može da se napaja iz izvora krutog napona ili struje. Ovde se onda govori o takozvanom
međukolu. Ono može biti naponsko (paralelni kondenzator) i strujno (redna prigušnica). Pošto se
direktni pretvarač sastoji od prekidača koji na neki način, trenutno spajaju i razdvajaju ulaz i izlaz, kod
pretvarača sa naponskim napajanjem, na izlazu ne sme da se nalazi paralelni kondenzator. Takođe, za
strujno napajan pretvarač, na izlazu ne sme da stoji redna prigušnica.
Indirektni pretvarači se sastoje od dva ili više kaskadno vezanih direktnih pretvarača. Ovde je broj
mogućih kombinacija znatno veći od četiri. Kao primer indirektnog pretvarača možemo navesti
frekventni regulator brzine asinhronog motora. On se najčešće sastoji od dva direktna pretvarača (sl. 3).
Prvi je ispravljač koji ispravlja ulazni naizmenučni napon (AC/DC pretvarač). Ovaj napon se preko drugog
direktnog pretvarača (invertora) pretvara ponovo u naizmenični, promenljive veličine i frekvencije
(DC/AC pretvarač).

Kola za upravljanje
Sve složeniji zahtevi za kvalitetom upravljanja rezultirali su kroz nekoliko generacja upravljačkih kola.
Prva generacija se zasnivala na primeni diskretnih komponenata (tranzistora, dioda, otpornika, ...). Zatim
su došla analogna i digitalna integrisana kola opšte namene, kao što su operacioni pojačavači i logička
kola. Dalje su se razvijaja namenska upravljačka kola za pojedine vrste pretvarača. Danas se u
upravljačkim kolima sve više koriste mikroprocesori.
PREKIDAČKI TRANZISTORI I DIODE
Permanentni razvoj tehnologije poluprovodnika omogućava izradu komponenata sve boljih
karakteristika. Naročito brzo napreduje tehnologija izrade raznih vrsta tranzistora, tako da se danas nude
tranzistori za rad sa kilovoltnim naponima i strujama reda kA. Tako, od pojave prvog tranzistora 1948.
(Belove laboratorije) do danas, tranzistor je od komponente “slabe struje” postao element energetske
elektronike ravnopravan sa snažnim tiristorima i diodama. Tranzistor kao element slabe struje se koristi
u raznim elektronskim kolima. Međutim za polje energetske elektronike poseban zanačaj imaju
poluprovodnički prekidački elementi za rad sa velikim strujama i visokim naponima (velike snage).

Do sredine sedamdesetih godina na tržištu su postojali tranzistori za napone nekoliko stotina volti i
struje nekoliko desetina ampera. Za potrebe energetske elektronike ovo je jako skromno, tako da
dominantnu ulogu u pratvaračima snage imaju tiristori. Bez paralelnog i rednog vezivanja, sa tiristorima
su postignute snage pretvarača reda MW. Sa brzim i ultra brzim tiristorima radi se na frekvencijama do
oko 10 kHz. Međutim kod njih nije uspešno rešen problem isključenja. Pojavom GTO tiristora on je samo
delimično ublažen.

Osamdesetih godina pojavljuju se bipolarni tranzistori (BT) i tranzistorski moduli za velike struje i visoke
napone. Vrlo brzo se pojavljuju i moduli za struje više stotina ampera i napone reda 1000 V. Izolacija
tranzistora prema kućištu, učinila ih je veoma pogodnim za montažu na hladnjak. Različite kombinacije
(darlington, jednostuki, višestruki tranzistori, tranzistorsko diodni mostovi i td.) doprinele su njihovoj
popularnosti i primenljivosti.

Veća potražnja inicirala je brži tehnološki razvoj i drugih vrsta tranzistora. Vrlo brzo se postižu dobre
karakteristike i kod tranzistora tipa MOSFET. Njegove odlične dinamičke karakteristike i naponsko
upravljanje učinile su ga veoma prihvatljivim. Međutim sa njim nisu postignute zadovoljavajuće statičke
karakteristike, tako da se razvijaju tranzistori tipa IGBT. Njihove ulazne karakteristike su kao kod
MOSFET-a a izlazne BT. Dobri rezultati postignuti na ovaj način, učinili su da se napusti dalji razvoj
bipolarnih tranzistora i težište stavi na IGBT. U ovom trenutku se sa IGBT, bez paralelnog i rednog
vezivanja, mogu postići snage reda stotine kW pa čak i 1 MW, sa tendencijom daljeg rasta.

Sl. 1-1 sasvim okvirno, prikazuje trenutne granične naponsko-strujne mogućnosti pojedinih prekidačkih
elemenata u poređenju sa graničnim mogućnostima diode. Na tržištu su dostupne komponente nešto
skromnijih karakteristika. Na primer, Semikron u svom katalogu za 2004. godinu nudi inteligentne
energetske module (IPM) tipa IGBT za napon do 1700 V i struju do 2400 A (SKiiP 2403GB172-4DW).

Sl. 1-2 uporedno prikazuje mogućnosti pomenutih prekidačkih elemenata u pogledu frekvence i snage.
Kao što se vidi sa te slike, snaga pretvarača koja se može postići sa IGBT tranzistorima gotovo je jednaka
snazi sa GTO, ali ih prevazilazi u pogledu frekvencije.
 Sl. 1-1 Sl. 1-2

U pogledu frekvencije naročito se ističu MOSFET-ovi. Velika brzina uključenja i isključenja MOSFET-ova
stvorila je problem veoma kratkih naponskih pikova koji dodatno naprežu izolaciju uređaja. Osim toga
pojavljuje se uticaj dužine priključnih kablova jer dolazi do izražaja konačna brzina prostiranja struje
(talasno kretanje, refleksije i slično).

Na tržištu postoji dosta proizvođača ovih komponenata. Pojavljuju se i nova imena, neki se ujedinjuju i
nastupaju zajedno i sveukupno teško je pratiti ko je ko. Trenutno, najveža imena u ovoj oblasti su: Fuji,
Toshiba, Semikron, IRF, (Westinghouse, General Electric &, Mitsubishi Electric - Powerex), (Aeg &
Siemens - Eupec), i td.
BIPOLARNI TRANZISTORI

Statičke karakteristike
Na sl. 1-3, prikazane su izlazne karakteristike bipolarnih tranzistora. Pri radu, tranzistor se može naći u
četiri karakteristične oblasti (ili stanja).

Oblast zasićenja (saturacije)

U ovoj oblasti napon na tranzistoru UCE sat je mali (reda 0,5 do 2 V). Struje mogu biti od nulte vrednosti
do maksimalno dozvoljene (ICmax). Kada je na red sa tranzistorom vezan i potrošač, napon na njemu je
približno jednak ulaznom naponu napajanja. Napon na tranzistoru se tada tretira kao gubitak (paad)
napona. Tranzistor u ovoj oblasti se ponaša slično zatvorenom prekidaču (uključen). Zbog malog pada
napona na tranzistoru i gubici snage u ovom stanju su relativno mali.

Oblast zakočenja (blokiranja)

Ovo stanje je suprotno prethodnom. Struja tranistora je veoma mala (praktično nulta) a napon može biti
od nultee do maksimalno dozvoljene vrednosti UCE max. Kada je na red sa tranzistorom vezan i
potrošač, napon na njemu je približno jednak nuli. Tranzistor u ovoj oblasti se ponaša slično otvorenom
prekidaču (isključen). Zbog veoma male struje kroz tranzistor, gubici snage i u ovom stanju su veoma
mali. Uz ogovarajuće hlađenje, tranzistor u ova dva stanja može ostati trajno.

Linearna radna oblast

U ovoj oblasti naponi na tranzistoru i njegova struja imaju značajne ili čak velike vrednosti istovremeno,
tako da snaga koju se razvija na njemu može biti veoma velika. Postoje uređaji koji koriste linearni režim
rada tranzistora. Takvi su na primer linearni stabilizatori napona, izlazni pojačavači u klasama A, B i td.
Zbog velike snage disipacije i ograničene snage tranzistora, snage ovih uređaja su ograničene na nekoliko
desetina ili stotina vati. Pored toga ovi uređaji su prepoznatljivi po veoma velikim hladnjacima za
odvođenje toplote sa tranzistora. Njihov stepen iskorićenja je mali i može biti ispod 30 %.
Pretvarači koji će biti analizirani u ovom radu zasnivaju svoj rad na prekidačkom režimu rada. To znači da
tranzistori najveći deo svog vremena provode u stanju zasićenja i zakočenja a kroz linearnu oblast
prolaze samo pri prelasku iz jednog u drugo stanje. Ovaj prelazak, kod tranzistora, je veoma kratak i
iznosi od nekoliko desetina ns, do oko 1 µs. I pored toga, kad god je moguće teži se da ovaj prelazak ide
kroz oblast malih snaga (komutacija po osama).

Zbog svega toga, tranzistorski pretvarači koji rade u prekidačkom režimu rada imaju veoma male gubitke
i sa njima je onda moguće postići veoma velike snage. Stepen iskorićenja ovih uređaja može biti i do 99
%.

Zbog ovako dobrih osobina, neki uređaji koji su kiristili linearni režim rada, danas prelaze na prekidački.
Tako se umesto linearnih rednih stabilizatora napona koriste pretvarači tipa BUCK, BOOST ili slično.
Štaviše, već postoje rešenja da se izlazni audio pojačavači rade u prekidačkoj tehnici (PWM).

Prekidački tranzistori nisu predviđeni za rad u linearnoj oblasti i ne treba ih koristiti za linearne uređaje.

Oblast inverzne polarizacije

Sve tri prethodne oblasti karakteriše rad u prvom kvadrantu I C-UCE koordinatnog sistema (direktna
polarizacija). Tranzistor nema mogućnost akumulacije energije, tako da pri promeni polaritea napona i
struja menja smer. Ovo je oblast inverzne polarizacije (III kvadrant).

Tranzistori ne podnose veliki inverzni napon između kolektrora i emitera. Prelazak maksimalno
dozvoljene vrednosti (desetak volti) može dovesti do njihovog oštećenja. Da bi se tranzistor zaštitio,
između emitera i kolektrora vezuje se dioda (antiparalelno) tako da je maksimalni inverzni napon
ograničen na oko 1 V. Ova dioda se bira da bude iste strujne i naponske klase kao i tranzistor, tako da
pored zaštitne uloge ona postaje i sastavni deo pretvarača.

U praksi se često susreću veze dva ili tri kaskadno vezana tranzistora, čime se dobija veće pojačanje, ali
se malo usporava njihov rad. sl. 1-4 prikazuje varijantu sa dva kaskadno vezana tranzistora (Darlington).

sl. 1-4

Tranzistor T2 je glavni (izlazni), a T1 pomoćni (pogonski). Uloga otpornika R B1 i RB2 je da poveća imunitet
na smetnje u blokirnoj oblasti tranzistora. Dioda D 1 treba da omogući prolazak inverzne bazne struje za
T2 dovoljnog intenziteta pri isključenju tranzistora. Dioda D 2 štiti tranzistor od previsokog inverznog
napona -UCE.

Ovakva konfiguracija se ponaša kao ekvivalentni tranzistor čije je pojačanje () u linearnoj oblasti
približno jednako proizvodu pojačanja tranzistora T1 i T2. U linearnoj oblasti ovo pojačanje dostiže
vrednosti i do nekoliko stotina (pa i hiljadu). U oblasti zasićenja (nizak napon U CEsat) ono pada na nekoliko
desetina do stotinu. Još veća pojačanja se postižu kaskadnom vezom tri ili više tranzistora.

Kod tranzistora (tranzistorskih modula) emiterski izvod je obično izveden na dva izvoda. Prvi (gabaritno
veći) je namenjen povezivanju u energetsko kolo, a na drugi (manji) se dovodi upravljački napon (struja).
Na ovaj način je tačno definisano mesto (tačka) sa emiterskim potencijalom.
TRANZISTORI UPRAVLJANI POLJEM

Od idealnog prekidača se očekuje da:

1. U isključenom stanju podnosi što viši napon (poželjna su oba polariteta) ,

2. U ukjučenom stanju podnosi što veću stuju (poželjna su oba smera),

3. U ukjučenom stanju ima što manji pad napona (male statičke gubitke),

4. Se uključuje i isključuje što je moguće brže (male dinamičke gubitke),

5. Se upravljanje (uključenje i isključenje) vrši sa što manjom snagom,

6. Postoji galvanska odvojenost upravljačkog i energetskog kola.

Razvojem bipolarnog tranzistora (BT), prva tri zahteva su u dobroj meri postignuta (ali za jedan polaritet
napona i jedan smer struje). Postignuti su naponi preko 1 kV i struje od više stotina ampera. Brzina
uključenja i isključenja (četvrti zahtev) je na nivou nekoliko mikrosekundi, što je nešto ispod željenih
vrednosti. Najveći problem BT je međutim to što je za njegovo upravljanje potrebna velika snaga. Velika
bazna struja BT, i potreba da se ona održava na toj vrednosti za sve vreme dok je tranzistor uključen,
predstavlja veliki nedostatak BT (čak i u odnosu na tiristore). Kod BT za velike struje, bazna struja dostiže
vrednosti i nekoliko ampera, što zahteva veoma jaka dodatna napajanja i veoma snažna pogonska
(drajverska) kola.

Značajno smanjenje velike bazne struje kod BT postignuto je kaskadnim vezivanjem dva ili tri tranzistora
(Darlingtonova veza) ali su time pogoršane dinamičke karakteristike i smanjena frekventna oblast
njihove primene.

Sledeći nedostatak BT je i negativan temperaturni koeficijent napona U CE. Smanjenje ovog napona sa
povišenjem temperature je dobro jer smanjuje statičke gubitke, ali pretstavlja problem pri paralelnom
vezivanju tranzistora zbog pojave temperaturne nestabilnosti.

Galvanska odvojenost (šesti zahtev) uglavnom, do danas nije rešena na zadovoljavajući način, ni kod
jedne poluprovodničke komponente.

Ovi i drugi problemi i zahtevi, razlog su permanentnog rada na razvoju novih tipova tranzistora, posebno
onih za primene u energetskoj elektronici. Kao rezultat tih napora nastalo je više novih komponenata
(FET, MOSFET, IGBT).
FET

U okviru tehnološkog razvoja tranzistora, razvijen je i tranzistor sa efektom polja sa skraćenim nazivom
FET (Field Effect Transiastor). Na osnovnu pločicu poluprovodnika (p ili n) tipa, između sorsa (izvor) i
drejna (odvod), nanešen je uzan sloj poluprovodnika drugog tipa koji pretstavlja geit (kapija). Ako gejt
nije polarizovan, između drejna i sorsa je provodno stanje uz reletivno malu otpornost.

Ako se gejt (prema sorsu) polariše inverzno, električno polje sužava prostor ispod gejta (kanal) za
prolazak struje i tranzistor sve slabije provodi struju. Pri dovoljno visokom inverznom naponu gejta
prolazak struje potpuno je blokiran i FET je neprovodan. Zbog inverzne polarizacije gejta prema sorsu, i
njegova struja je veoma mala (reda pA) pa se kaže da je upravljanje FET-om naponsko (slično vakumskim
cevima).

Sa FET-ovima nisu postignute visoke naponske i strujne karakteristike, tako da je njihova primena
ograničena na elektronska kola slabe struje. Međutim njegovom realizacijom otvoren je put za razvoj
novih vrsta tranzistora sa naponskim upravljanjem.

MOSFET

Savršenija verzija FET-a je MOSFET (Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transiastor). Kod njega je
metalni sloj gejta, oksidom (SiO 2) potpuno izolovan od sorsa. Radi se o veoma tankom sloju oksida
(debljine oko 0,1 µm) koji može da podnese napon od nekoliko desetina volti. Mali električni kapacitet i
nizak probojni napon čine mosfet veoma osetljivim na statički elektricitet.

Za razliku od FET-a koji ima najveću provodnost pri nultom upravljačkom naponu, napravljeni su i
MOSFET-ovi koji dolaze u stanje provođenja tek kada im se dovede napon na geit. Prva vrsta MOSFET-
-ova nazvana je tranzistorima sa formiranim kanalom. Tranzistori koji se blokiraju nultim, a dovode u
provodno stanje odgovarajućim upravljačkim naponom na gejtu, su sa indukovanim kanalom.

Takođe treba istaći i to da strukture FET-a i MOSFET-a omogućavaju znatno manje dimenzije od
bipolarnog tranzistora zbog čega su oni veoma pogodni za primenu u integrisanim kolima. Kod malih
snaga i primene u integrisanim kolima gotovo da su ravnopravni MOSFET-ovi p i n tipa. Za veće snage,
bolje karakteristike posignute MOSFET-ovima sa n kanalom. Zbog toga će se dalnja razmatranja
prvenstveno odnositi na MOSFET-ove n tipa.

Prvi MOSFET-ovi su bili tranzistori sa planarnom (površinskom) strukturom kod koga su svi izvodi sa iste
strane (sl. 1–37.).

sl. 1–37.

Dalji razvoj tehnologije pokazao je da se bolje naponsko strujne karakteristike mogu postići sa
takozvanom vertikalnom strukturom ćelije (sl. 1–38.), kod koje se drein nalazi sa suprotne strane ćelije.

sl. 1–38.

Dalje razlike postoje u obliku geita. Na prethodnim slikama prikazane su ćelije sa planarnim (ravnim)
geitom. Pored ovog postoje i strukture udubljenim geitom trench-gate - (V-geit, U-geit i td.).

Veliki broj ovakvih ćelija (više desetina ili stotina hiljada), na zajedničkoj podlozi (spojenih paralelno),
grade jedan snažan MOSFET.

Na ovaj način razvojem MOSFET-a dobijen je gotovo idealan prekidački tranzistor.

Postignuto je naponsko upravljanje, velika brzina ukjučenja i isključenja ali uz skromne naponsko strujne
mogućnosti.

Sl. 1–39 prikazuje dva često korišćena simbola MOSFET-a. Radi se o tranzistoru n tipa sa antiparalelnom
diodom. Za tranzistor p tipa, strelica i dioda imaju obrnut smer.

Sl. 1–39

MOSFET ima tri izvoda. Drein (D) i sors (S) su izlazni priključci a geit (G) je ulazni. Da bi se izbegli neželjeni
uticaji prelaznog otpora priključka sorsa i smanjila njegova indiktivnost, kod MOSFET modula, izvodi se i
upravljački priključak sorsa (S1). Na njega se priključuje masa upravljačkog kola. MOSFET-ovi manjih
snaga imaju samo tri izvoda.

Nazivne vrednosti MOSFET-a

Pri izboru MOSFET-a mora se voditi računa o maksimalnom radnom naponu, maksimalnoj stuji, snazi
disipacije, obliku kućišta i td.

Nazivni napon
U pogledu napona, bira se tranzistor čiji je maksimalno dozvoljeni napon između drejna i sorsa (U SD,max)
veći od maksimalnog radnog napona koji se može pojaviti u radu uređaja u kome se primenjuje. Zbog
moguće pojave prenapona, pri izboru tranzistora treba uzeti u obzir i odgovarajuću rezervu. Ako postoji
dobra zaštita od prenapona, rezerva može biti manja (reda 50 %). U suprotnom, ona mora biti velika
(100 % ... 200 %).
Maksimalna struja
Kod MOSFET-a se definiše maksimalno dozvoljena kontinualna struja pri temperaturi kućišta tranzistora
od 25 0C. Pored probojnog napona, ovo je jedan od najvažnijih parametara tranzistora prema kome se
vrši njegov izbor.

Sa povišenjem temperature i maksimalno dozvoljena kontinualna struja (DC) opada tako da pri
temperaturi kućišta pd 150 0C postaje jednaka nuli (sl. 1–47).

sl. 1–47.

Proizvođači tranzistora ponekad daju veličinu ove struje i za neku radnu temperaturu (na primer 80 0C).

Oblast bezbednog rada (SOA)

Maksimalna dozvoljena veličina neponovljivog strujnog impulsa pri uključenju tranzistora zavisi od
njegovog trajanja. Ovu zavisnost prikazuje karakteristika koja se naziva oblast bezbednog rada - SOA
(Safe Operating Area). Primer SOA prikazan je na sl. 1–48.
 sl. 1–48.

Granice unutar kojih se moraju kretati napon i struja pri uključenju su maksimalni napon, maksimalna
impulsna struja i limit određen otpornošću R DS(on).

Pri kontinualnoj struji (DC) granica je određena hiperbolom snage koja u log 2 dijagramu prelazi u pravu.

Za razliku od BT, ovde se ne pojavljuje ograničenje zbog sekundarnog proboja.

Sa ovog dijagrama se vidi, da pri TJ=25 0C, posmatrani MOSFET može, na primer, u trajanju od 1 ms da
podnese oko tri puta veću struju od nazivne, pri oko pet puta nižem naponu U DS od nazivnog. Pri
nazivnom naponu, tranzistor može da izdrži jedan impuls trostuke nazivne struje u trajanju od oko 50 µs.

Kod BT, definiše se i oblast bezbednog isključenja (RBSOA) i ogleda se u sniženju maksimalno
dozvoljenog napona usled impulsa negativne bazne struje.

Kod MOSFET-a ovo sniženje napona ne postoji, tako da je pri isključenju dozvoljena svaka vrednost
napona i struje do UDSmax i IDmax.

Pri prekidanju struje (-di/dt), indukovani naponi na unutrašljoj parazitnoj induktivnosti između drejna i
sorsa (LDS) pridodaje se dovedenom naponu tako da se napon na kristalu povećava. Da nebi došlo do
proboja, napon na priključcima UDS mora se smanjivati za vrednost indukovanog napona.
Na sl. 1–49, prikazana je jedna takva karakteristika. Veličina ove induktivnosti je reda do nekoliko
desetina nH.

sl. 1–49

Na primer za LDS=20 nH, pri isključenju struje brzinom od di/dt=–1A/ns, indukovani napon je 20 V. Za ovu
vrednost se sada mora smanjiti radni napon kako nebi došlo do proboja. Zbog toga tranzistori sa višim
probojnim dozvoljavaju brže prekidanje struje.

IGBT
I pored velikih istraživačkih napora sa MOSFET-ovima nisu postignute zadovoljavajuće naponske i
strujne (energatsje) karakteristike. Čak je i pad napona u provodnom stanju pri većim opterećenjima veći
nego kod BT. Zbog toga je razvoj krenuo u smeru traženja komponente koja objedinjava njihove dobre
osobine, što je dovelo do razvoja IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors). IGBT su nova vrsta
prekidačkih tranzistora koji objedinjuju jednostavno naponsko upravljanje MOSFET-a i velike radne
napone i struje BT-a. Svojom pojavom osamdesetih godina, brzo su po karakteristikama prevazišli i
praktično potisnulili BT.

Struktura ćelije IGBT prikazana je na sl. 1-58. Kao što se vidi on je veoma sličan MOSFET-u satim što je sa
donje strane osnove dodat još jedan p + sloj, i tako umesto drejna dobijen kolektor.

Analizom strukture IGBT dobija se da njegova ekvivalentna šema izgleda kao na sl. 1-59. Na njoj su
ucrtani i odgovarajući parazitni elementi (otpornosti, kapacitivnosti i n tranzistor).

Dva tranzistora p i n tipa su spojeni u konfiguraciju koju ima tiristor. To znači da bi pod određenim
uslovima moglo doći u stanje da IGBT neće da se isključi (Latch- up). To može da se dogodi pri jako
velikoj struji ili kada se tranzistor pregreje. Da bi se to izbeglo, otpornost R W treba da je što manja (skoro
kratki spoj), tako da blokira n tranzistor i pri najvećim radnim strujama. Zbog postojanja ovog parazitnog
tranzistora kod IGBT pojavljuje se pojavljuje problem isključenja velikih struja kao što su pri kratkom
spoju. Tranzistor ne gubi upravljivost čak i pri vrlo velikim strujama i to prikazuje karakteristika SCSOA
(Short Circuit SOA). Ovo isključenje zavisi i od brzine rasta struje kratkog spoja (dI C,SC/dt).

sl. 1–58. sl. 1–59. sl. 1–60.

Pažljivom izradom, teži se da se uticaj i ostalih parazitnih elemenata što više smanji. Sa tim
zanemarenjem, IGBT se može pretstaviti kao pnp BT upravljan MOSFET-om (sl. 1-60).

Da bi se sprečio napon inverzne polarizacije (koji bi mogao da ošteti tranzistor), između emitera i
kolektora dodaje se diode. Za razliku od MOSFET-a kod koga je inverzna dioda sastvni deo njegove
strukture, kod IGBT ona je poseban element. Samim tim i njene karakteristike su znatno bolje.

Na sl. 1–61. prikazana su dva alternativna simbola IGBT-a. Kod snažnih tranzistorskih modula energetski
upravljački emiter se vode razdvojeno (Kelvinov spoj). Time se izbegava uticaj prelaznoh otpornosti i
drugih smetnji na rad tranzistora. Radi povećanja otpornosti prema smetnjama neki proizvođači
preporučuju i držanje malog negativnog napona (oko –5 V) na gejtu u blokiranom stanju tranzistora.

sl. 1–61.

Kod IGBT-s za male struje, ne izvodi s upravljački emiter tako da tranzistor ima samo tri priključka (C, G i
E). U tom slučaju i simbol je bez priključka E1.
Karakteristike IGBT-a
Na sl. 1-62 prikazane su uporedne karakteristike IGBT i MOSFET tranzistora približno istih probojnih
napona (500 V) i maksimalnih struja (70 A). Vidi se da je pri malim opterećenjima, kod MOSFET-a manji
pad napona UDS, dok je pri većim opterećenjima bolji IGBT.

sl. 1–62

Dalji prikaz karakteristika IGBT dat je kroz primer karakteristika ktanzistora tipa SKM 200 GB 125 D
(Semikron).

sl. 1–63 - Izlazne karakteristike IGBT-a, pri 25 0C i 125 0C.

Kod izlazne karakteristike (sl. 1-63) može se zapaziti povišenje napona U CE sa porastom temperature, što
govori o pozitivnom temperaturnom koeficijentu napona.

To ukazuje na mogućnost paralelnog rada više modula, bez opasnosti od termičke nestabilnosti.
Međutim ovo nije opšti slučaj.

Ulazna (sl. 1-64) i prenosna (sl. 1-65) karakteristika imaju već opisan oblik. Razlika je samo u veličini
pojedinih parametara. Sa njih se može zapaziti da ovaj tranzistor zahteva nešto više ulazne napone UGE
kao i da je napon praga provođenja UGE(th) (u ovom slučaju oko 6 V).

sl. 1–64 – Ulazna karakteristika sl. 1–65 – Prenosna karakteristika

Dinamičke karakteristike zavise od otpornosti u kolu geita (sl. 1-70). Manja otpornost smanjue vremena
ali izaziva veliki premašaj inverzne struje zamajne dode. Proizvođači daju i detaljnije dijagrame u kojima
se vidi i ovaj uticaj kao i zavisnost energije W on i Woff od ove otpornosti.

Na sl. 1-71, prikazana je maksimalna energija gubiaka u tranzistoru pri uključenju (W on) i isključenju
(Woff).

sl. 1–70. – Prekidačka vremena sl. 1–71

Sl. 1-72 prikazuje već poznatu zavisnost maksimalno dozvoljene snage disipacije kompletnog
tranzistorskog modula u zavisnosti od temperature kućišta (T C).

Termička impedansa odvojeno se daje za tranzistorski i diodni deo modula. Oblik njihovih karakteristika
je sličan. Na sl. 1-73 prikazana je termička impedansa tranzistorskog dela.

sl. 1–72 – Zavisnost snage disipacije od T C sl. 1–73 – Termička impedansa

Dioda je kod IGBT-a poseban element i proizvođači se trude da obezbede, i njene što bolje
karakteristike. Ovde se neće zalaziti u dublje razmatranje toga, već je samo prikazn (sl. 1-74)
karakteristika direktnog pada napona ove diode od njene struje (U F=f(IF)), za nekoliko radnih
temperatura.

sl. 1-74
DIODE

Dioda je poluprovodnička komponenta sa dva priključka koja provodi struji samo u jednom smeru. Po
svojoj tehnološkoj strukturi, ona se satoji od jednog p-n spoja sa svojim izvodima. Prve diode bile su
male površine (tačkaste) i za male struje. Povećanje struje postignuto je povećanjem površine p-n spoja i
tako su dobijene slojne diode za primenu kod znatno većih struja.

sl. 1-75.

Na sl. 1-75b, prikazana je statička karakteristika diode. Ona pokazuje da dioda radi u prvom (direktna
polarizacija) i trećem kvadrantu (inverzna polarizacija). Dalje će detalnije biti analiziran rad u ovim
uslovima. Pri tome će posebno biti posmatrana prelazna i stacionarna stanja.

Direktna polarizacija
U trenutku kada napon Ui (sl. 1-75a) trenutno naraste sa –U i na +Ui, broj slobodnih nosilaca
naelektrisanja na p-n spoju je mali i potrebno je izvesno vreme za njihovo uspostavljanje. Zbog toga
napon na diodi u prvom trenutku postaje znatno veći od stacionarnog (sl. 1-76) i može da naraste do vrlo
visokih vrednosti (reda 300 V). Posle toga on brzo pada na na U D. Na primer kod brze diode BY298
trajanje ovog naponskog impulsa iznosi oko 100 ns, a kod dioda serije 1N5400 je reda mikrosekunde.
Važno je da ovaj premašaj napona bude što manji i što kraćeg trajanja.

sl. 1-76.

Kod čopera, raznih topologija invertora, (induktivno opterećenje) i slično, pri prekidu vođenja jednog
tranzistora, struju treba da preuzme antiparalena dioda drugog, iz iste grane. Visok početni napon ove
diode izaziva prenapon na tranzistoru koji se isključuje. Takođe i isključenje tranzistora se odvija pod
težim uslovima. Pažljivom izradom kod tranzistorskih modula ovaj prenapon je smanjen ispod 100 V.

Kada prođe ovaj prelazni proces dioda je došla u stacionarno stanje direktne polarizacije.

Stacionarno stanje direktne polarizacije

Kada se uspostavi stacionarno stanje, napon na diodi pada na vrednost od oko 1 V. Veličina ovog napona
zavisi od struje i tu zavosnost prikazuje statička karakteristika u prvom kvadrantu (sl. 1-75.).

Direktni pad napona na diodi zavisi i od temperature (sl. 1-77.). Sa povišenjem temperature napon na
diodi opada (negativan temperaturni koeficijent, oko 2 mV/ 0C). Ovo je sa jedne strane povoljno jer dioda
sve bolje provodi (smanjuje se snaga disipacije). Međutim kod paralelnog vezivanja pojavljuje se
problem sa ujednačavanjem raspodele i mogućnost pojave termičke nestabilnosti. Pogledajmo dalje kao
nastaje do termičke nestabilnosti pri paralelnom vezivanju.
 sl. 1-77

U paralelnoj vezi napon na svim diodama je jednak. Dioda koja iz nekih razloga ima višu temperaturu, na
sebe preuzme veću struju a ostale se malo rasterete. Povećana struja diode razvija veću snagu na njoj i
dalje joj povećava temperaturu, što joj dalje povećava struju a ostalim diodama smanjuje. Proces se
odvija u smeru takvom da ova dioda preuzme svu struju. Ova pojava se naziva termičkom nestabilnošću i
pretstavlja ozbiljan problem. Problem termičke nestabilnosti, može se rešavati na više načina.

- Klasiranjem dioda prema direktnom padu napona i paralelno vezivanje dioda sa približno jednakim
padovima napona.

- Dodavanjem rednih otpora male vrednosti i pažljivom geometrijom energetskih veza. Dodavanje
otpornika nije povoljno jer povećava provodne gubitke.

- Termičkom spregom hladnjaka paralelnih dioda (zajednički hladnjak). Na ovaj način se diode dovode u
približno jednake termičke uslove.

Za diode koje se nalaze unutar tranzistorskog modula definiše se struja kolektora (I C), za BT i IGBT. Zbog
toga se se ponekad direktni diodni napon označava kao napona između kolektora i emitera sa
negativnim znakom (UD= –UCE). Slično važi i za direktnu diodnu struju (I D=–IC).
Nazivna struja
Jedna od najvažnijih karakteristika, za izbor dioda, je njena nazivna struja. Ona se definiše kao trajna
struja koju dioda može da podnese pri odgovarajućoj temperaturi kućišta (na primer pri 20 0C). Kod
dioda za ispravljače vodi se računa i o obliku struje. Sa povišenjem temperature i dozvoljenja strujna
opteretivost se smanjuje.

Pri izboru diode mora se uzeti u obzir najveće strujno opterećenje koje može da se pojavi pri radu
uređaja (ne i kratki spoj). Čak i u odnosu na tu vrednost uzima se izvestan faktor sigurnosti. Ako se ne
radi detaljna termička analiza, veličina ovog faktora može biti od 3 do 5.

Pored nazivne struje proizvođači često daju i podatke o:

- struji preopteređenja

- maksimalnoj impulsnoj struji (na primer sinusni impuls 10 ms)

- efektivnoj vrednosti struje određenog oblika, itd.

Strujni impuls
Pri kratkom spoju struja višestruko premašuje nazivnu vrednost. Toplota se razvija veoma intezivno i
temperatura p-n spoja raste brzo. Ovde se praktično sva energija u obliku toplote akumulira u diodi.
Pošto je direktni napon približno konstantan, ova energija ptoporcionalna je veličini strujnog impulsa (I 2
t).

Svaki udar velikom strujom ostavlja posledice na diodu tako da posle više ponovljenih udara može doći i
do njenog oštećenja. Kod nekih uređaja (na primer ispravljača) veličina strujnog impulsa diode važna je
kod izbora zaštite (ultrabrzih osigurača).

Inverzna polarizacija
Prelaz u stanje inverzne polarizacije
Ovde se razlikuje ponašanje pri čisto omskom opterećenju od induktivnog. Ponašanje diode u ova dva
slučaja prikazano je na sl. 1- 76. Slika pokazuje da pri promeni polariteta napona, pojavljuje se inverzna
struja koja teče kroz diodu još izvesno vreme.

Slučaj omskog opterećenja nije od značaja, jer su vremena unutar kojih se odvijaju ove promene tako
kratka da moraju uzeti u obzir i induktivnosti spojnih veza. Zbog toga će dalje biti posmatran samo
prelazno stanje sa induktivnim opterećenjem.
Pri promeni polariteta ulaznog napona, zbog prisustva induktivnosti, struja opada na način prikazan na
sl. 1-78. Pri dolasku na nulu dioda bi trebala da prestane sa vođenjem. Međutim zbog nagomilanih
nosilaca naelektrisanja dioda nastavlja vođenje i u suprotnom smeru.

Važni pokazatelji ponašanja diode u ovom prelaznom stanju su amplituda inverzne struje (I RRM) i trajanje
inverzne struje (trr).

sl. 1-78.

Amplituda inverzne struje zavisi od ulaznog napona i karakteristika kola (prvenstveno induktivnosti), ali i
od same diode.

Vreme oporavka trr (reverse recovery time) je vreme koje protekne od prolaska struje kroz nulu, pa do
trenutka kada se ona smanji na 10% od maksimalne vrednosti reverzne struje (I RRM).

Prema veličini ovog vremena diode se dele na:

- ispravljačke (trr = više µs),

- brze (trr = reda µs i kraće),

- ultrabrze (trr = desetine ili stotine ns).

Ovo vreme se dalje može podeliti na vreme kašnjenja isključenja t a i vreme opadanja struje oporavljanja
tb. Vreme ta zavisi od ulaznog napona, elemenata kola (induktivnosti) i temperature spoja a t b od
konstrukcije diode. Postoje diode sa “naglim” (snappy) i “mekim” (soft) oporavljanjem. Naglo
oporavljanje može da izazove visoke indukovane napone, a u ekstremnom slučaju i nekontrolisano
otvaranje tranzistora preko parazitnog kapaciteta spoja kolektor-baza, (B T) ili kolektor-geit (kod IGBT),
što dalje može da dovede do trajnog oštećenja tranzistora. Odnos t b/ta se ponekad naziva i relativnom
mekoćom diode. Ispravljačke diode opšte namene su veoma meke i kod njih su ova dva vremena
približno jednaka (tb/ta≈1). Kod brzih dioda tb/ta≈0,5 dok se ultra brze diode oporavljaju naglo i kod njih
je tb/ta≈0,2. Optimiranje ovih vremena još uvek je predmet istraživanja proizvođača.
Površina ispod vremenske ose na sl. 1-78 pretstavlja količinu elektriciteta oporavka (Q rr) diode. Veličine
trr i Qrr nisu konstantne već zavise od direktne struje (I D) i brzine pada struje (–dI D/dt), kao i temperature
spoja (Tj).

Stacionarno stanje
Stacionarno stanje pri inverznoj polarizaciji karakteristično je po visokom inverznom naponu i maloj
struji. Maksimalna visina ovog napona ograničena je naponom proboja diode (U R,BR). Probojni napon je
jedna od najvažnijih karakteristika diode. On definiše naponsku klasu diode, prema kojoj se vrši njihov
izbor. Pri izboru diode prema naponu, uzima se maksimalni inverzni napon koji se može pojaviti na diodi
i množi sa naponskim koeficijentom sigurnosti. Veličina ovog koeficijenta sigurnosti se obično kreće od 2
do 3.

Zbog velike osetljivosti diode na prenapone, u kola se uvode razne mere prenaponske zaštite (ulazni
filtri, varistori, R-C članovi i td.).

Pored ove vrednosti napona proizvođači daju i podatke o raznim karakterističnim naponima kao što su
na primer:

- Neponovljivi impuls inverznog napona (U R,SM)

- Ponovljivi impuls inverznog napona (U R,RM)

- Maksimalna trajna vrednost jednosmernog napona (U R) pri čemu je (UR < 0,5⋅UR,RM), i td.

Današnje diode dostižu inverzne napone i do nekoliko kV.

Inverzna struja je veoma mala i pri 20 0C obično je manja od 1 mA. Ova struja veoma brzo raste sa
temperaturom.

Pri izboru diode važan parametar je i njena termička otpornost (R th) i mogućnost odvođenja toplote.

Šotki diode
ostvaruje na mestu gde sa poluprovodnika treba izvući priključak. Ispravljački spoj se ponaša slično p-n
spoju i ima karakteristike slične diodi. Diode koje se zasnivaju na ovom principu nazivaju se šotki
diodama.

Struktura šotki diode satoji se od dva aluminijumska spoja sa poluprovodnikom i to jedan omski a drugi
ispravljački.

Praktična primena ovih dioda počela je tek negde oko 1960. godine.
Prednosti šotki diode
Manji direktni pad napona (0,3 do 0,8 V).Ovo je jedna od osnovnih prednosti šotki dioda nad klasičnim.

Direktni pad napona zavisi od maksimalnog dozvoljenog inverznog napona. Maksimalni inverzni naponi
današnjih šotki dioda idu do oko 150 V.

Za klasične diode i struje do nekoliko desetina ampera, ovaj pad napona je od oko 0,85 do oko 1 V.

Šotki diode sa nižim probojnim naponom imaju niže padove napona tako da za diodu od 15 V on je oko
0,3 do 0,4 V.

Kod diode inverznog napona oko 40 V, pad napona je oko 0,4 do 0,6 V.

I kod šotki diode za najviše napone (reda 150 V), pad napona je manji bar za 0,15 do 0,2 V od klasične.

Zahvaljujući manjem padu napona, manji su gubici i veći stepen iskorišćenja ispravljača. To je naročito
važno kod ispravljača za niske napone (ispod 10 V) gde je pad napona od oko 1 V pretstavlja veliki udeo
u ukupnom naponu.

Nedostaci šotki diode

Manji inverzni probojni naponi (ispod 150 V).

Šotki diode se proizvode za niske inverzne napone, do oko 150 V. Zbog toga im je primena ograničena
isključivo pri radu sa niskim naponima. U novije vreme se pominju i dide za napone reda 1 kV i
tehnologija SiC.

Veće inverzne struje.

I ovo je nedostatak šotki diode u odnosu na klasične, ali ne pretstavlja značajnije ograničenje u primeni
sve dok je temperatura u normalnim granicama. Veća osetljivost na temperaturu zahteva nižu
temperaturu i kraće trajanje lemljenja.

Zastupljenost šotki dioda je mala u odnosu na snagu ovih uređaja ali veoma visoka u odnosu na njihov
broj. One se primenjuju kod gotovo svih napojnih jedinica niskih napona i struja od oko 5, do više stotina
ampera.

Primena
Šotki diode se primenjuju kod prekidačkih napajanja kada je izlazni napon nizak (ispod 10 V). Do skoro su
se primenljivale i kod izlaznih napona nižih od 5 V. Danas se to češće rešava primenom sinhronih
ispravljača sa MOSFET-ovima.

Velika brzina oporavka čini ih primenljivim i na frekvencijama reda MHz. Niski inverzni naponi i još uvek
male direktne struje čine ove diode primenljivim samo u oblasti niskih napona i malih struja.
Granični inverzni naponi, direktni naponi i struje kao i vremena oporavka pojedinih vrsta dioda prikazake
su u tabeli 1-5.

Tab. 1-5

Na ovom mestu treba pomenuti i mnoge druge vrste dioda. Takve su na primer: signalne diode, zener
diode, LED (Light Emithing Diode), varikap diode itd. Ove diode uglavnom nalaze primenu u
upravljačkim, mernim i signalnim kolima uređaja energetske elektronike.
ZAKLJUČAK

Postavljeni zadaci za smanjenjem napona u provodnom stanju, smanjenjem prekidačkih gubitaka,

povećanjem struje i napona, smanjenjem dimenzija i cene, optimizacijom brzine, ugradnjom kola za
upravljanje, nadzor, zaštitu, galvansko odvajanje i td. ostaju i dalje predmet sadašnjih i budućih
istraživanja.

Poslednjih godina ovladano je tehnikama ultra tankih slojeva, optimirane su horizontalne i vertikalne
ćelijske strukture što je omogućilo dalja istraživanja u ovoj oblasti. Zahvaljujući tome razvijene su
superfine strukture kao što je S-FET (Siemens), sa izuzetno malim gubicima.

Struktura MOSFET i IGBT sa udubljenim gejtom (trench-gate) omgućila je veću aktivnu površinu
silicijuma, jednostavnije upravljanje presekom provodnog kanala, manju otpornost a samim tim i manje
gubitke provođenja. Postignuta je i veća gustina struje, smanjene dimenzije i povećan probojni napon.

Značajan napredak kod visokonaponskih MOSFET-ova napravljen je sa CoolMOS (Siemens). Sa njima je

postignuto smanjenje provodnih gubitaka od oko 5 puta u odnosu na standardni MOSFET, sa istom
površinom čipa. Pri istoj struji, zbog smanjenih dimenzija, znatno je smanjen i ulazni kapacitet.

Očekuje sa da bi dalji napredak mogao biti postignut sa drugim poluprovodnim materijalima kao što je
silicijum karbid (SiC). SiC izdržava skoro deset puta veće polje od sulicijuma, što omogućava znatno veći
probojni napon (više kV). Takođe se očekuje drastično smanjenje otpornosti provodnog stanja. Veliki
energetski procep omogućava pouzdan rad u oblasti visokih temperatura (do oko 500 0C) i oko 2,5 puta
veći napon upravljanja. Ova komponenta je još u fazi razvoja tako da treba rešiti još dosta tehnoloških
problema.

Osim u pogledu poboljšanja energetskih mogućnosti tranzistora, tehnološki razvoj ide i u pogledu
integracije drajverskih funkcija, nadgledanja, zaštite pa i čitavih kola energetske elektronike na jedan čip.
Tako se tržištu, sve češće nude razne vrste inteligentnih energetskih modula (IPM).

Dalja tendencija je da se naprave čipovi sa kompletnom funkcijom energetskih pretvarača (sa

kompletnim upravljačkim i energetskim kolima). Sve ovo pokazuje da se tehnologija snažnih
poluprovodničkih prekidača brzo razvija što će dati još snažnije pretvaračke uređaje, smanjiti dimenzije,
proširiti oblasti njihove primene, sniziti cenu i zaoštriti konkurenciju. Ovu trku diktiraju najmoćnije
multinacionalne kompanije sveta. Kada se neka oblast razvija tako brzo, veoma je teško predvideti
posledice.
LITERATURA

1. Z. Benčić, Z, Plenković: Energetska elektronika I; Školska knjiga, Zagreb 1978.

2. T. Brodić: Energetska elektronika; Svjetlost, Sarajevo 1986.

3. R. Radetić: Tranzistorski pretvarači snage; Institut za bakar Bor 1995.

4. R. Radetić: Tranzistorski pretvarači snage (drugo dopunjeno izdanje); Nauka Beograd

2002.