第 39 卷 第 9 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.39 No.

9 May 5, 2019
2524 2019 年 5 月 5 日 Proceedings of the CSEE ©2019 Chin.Soc.for Elec.Eng.
DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.190510 文章编号：0258-8013 (2019) 09-2524-07 中图分类号：TM 914

薄膜太阳电池研究进展和挑战
张传军 1，褚君浩 1,2*
(1．中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海市 虹口区 200083；
2．国家能源投资集团有限责任公司，北京市 昌平区 100011)

Research Progress and Challenges of Thin Film Solar Cells

ZHANG Chuanjun1, CHU Junhao1,2*
(1. State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, CAS, Hongkou District,
Shanghai 200083, China; 2. China Energy Investment Corporation, Changping District, Beijing 100011, China)

ABSTRACT: In recent years, due to the introduction of a 0 引言

series of new materials, new structures and new technologies,
21 世纪，光伏(photovoltaic，PV)发电在可持续
the traditional solar cell technologies of a-Si, CdTe, and CIGS
发展的新型能源中是不可或缺的一部分。统计表明
have been improved significantly, and some emerging thin film
近十几 年世 界范围 内的 太阳能 电力 供给保 持了
solar cell technologies of PSC, CZTS, Sb2Se3 have also been
rapidly developed. To its credit that the power conversion
20%~30%强劲的年增长率。到 2017 年底，累计太
efficiency of CdTe, CIGS and PSC thin film solar cell is greater 阳电池组件产能将达到 401GW。仅在 2018 年就已
than 22%. The great progress has also been made in the 经安装了 95 万千瓦的太阳电池组件。晶体硅电池
industrialization and scale application of CdTe and CIGS thin 组件占据太阳电池组件市场的主导地位，虽然薄膜
film solar cells. After more than ten years of research, thin film 电池组件拥有相对较小的份额，但是绝对增长量有
solar cell technologies have laid a solid foundation for further 显著提高，其中 a-Si，CdTe 和 CIGS 电池组件已经
development. In this paper, the main technical progress, 实现了商业化量产。2017 年，薄膜电池组件有约
development trend, industrialization status and challenges of 4GW 的出货量，约占全部电池组件份额的 4%。近
a-Si, CdTe, and CIGS and PSC thin film solar cells were
十几年，由于一系列创新性研究成果(包括新材料、
reviewed.
新结构和新工艺)的引入，薄膜太阳电池的光电转换
KEY WORDS: thin film solar cells; photoelectric conversion; 效率取得了显著的提高。其中小面积 CdTe、CIGS
a-Si; CdTe; CIGS; PSC 和 PSC 薄膜太阳电池的转换效率都大于 22%[1-3]。
摘要：近十几年来，由于一系列新材料、新结构和新工艺的 稀有元素 Te、In 等的供应和有毒性元素 Cd、Pb 等
引 入 ， 传 统 薄 膜 太 阳 电 池 技 术 ， 如 非 晶 硅 (a-Si) 、 碲 化 对环境和人体健康的潜在危害是产业化和规模应
镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)都得到显著的提高，一些新兴 用面临的实际问题，因此一些“绿色”吸收层材料
薄 膜 太 阳 电 池 技 术 ， 如 金 属 卤 化 物 钙 钛 矿 (metal halide 的薄膜 光伏 电池技 术的 研究也 异常 活跃， 例如
perovskite，PSC)、铜锌硒硫(CZTS)、硒化锑(Sb2Se3)也得 Sb2Se3、CZTS[4-5]。薄膜太阳电池技术整体呈现出
到快速发展。其中 CdTe、CIGS、PSC 薄膜太阳电池的转换 加速发展的趋势。本综述分别选取 a-Si，CdTe、
效率都大于 22%。CdTe、CIGS 薄膜太阳电池的产业化和 CIGS、PSC 薄膜太阳电池，介绍近十几年其主要技
规模应用也取得了很大的进展。薄膜太阳电池技术经过这十
术进展和趋势，以及产业发展和面临的挑战。
几年的研究，厚积薄发，为今后的进一步发展打下了更加坚
实的基础。文中选取 a-Si、CdTe、CIGS、PSC 薄膜太阳电 1 薄膜太阳电池技术研究进展
池的主要技术进展、发展趋势、产业化现状和面临的挑战进 1.1 非晶硅薄膜太阳电池
行论述。
非晶硅(a-Si)薄膜的能带值在 1.7eV 附近，光吸
关键词：薄膜太阳电池；光电转换；非晶硅；碲化镉；铜铟 收系数高(~105 cm3)，几微米厚度的 a-Si 薄膜就能
镓硒；金属卤化物钙钛矿 够吸收绝大多数入射太阳光，是理想的太阳电池吸
第9期 张传军等：薄膜太阳电池研究进展和挑战 2525

收层材料。另一方面 a-Si 的无定形态是一种短程有 由于已知金属材料的功函数均小于 CdTe(5.8eV)，

序结构，体内存在大量的悬挂键，使电荷载流子的 如果 CdTe/金属电极界面形成肖特基势垒接触，将
传输距离短而且复合严重。虽然氢钝化非晶硅(α-Si: 会严重影响 CdTe 太阳电池的 J-V 性能。First Solar
H)可以减少悬空键密度几个数量级，改善少数载流 选取 CdTe/ZnTe:Cu/ Metal 后堆栈结构, 通过高掺杂
子扩散长度，但是仍然存在严重的光致衰退效应 ZnTe:Cu(6 at%)缓冲层调制 CdTe/ZnTe 界面价带匹
(Staebler-Wronski，S-W)，稳定性差。目前硅薄膜 配和空穴在高载流子浓度 ZnTe 层的低阻隧穿，使
太阳电池的最高转换效率较低(a-Si：10.2%，μc-Si： CdTe 和金属电极形成准欧姆接触，同时在导带的
[6-7]
11.9%) ，市场处于萎缩状态。硅薄膜太阳电池的 CdTe/ZnTe 界面形成电子反射，降低电子在背表面
发展方向是 a-Si/μc-Si 叠层太阳电池和硅异质结薄 的 复 合 [19] 。 First Solar 的 电 池 器 件 证 明 ， 采 用
膜太阳电池[8-9]。2015 年，Matsui 等报道通过调整 CdTe/ZnTe:Cu/金属电极结构可以改善欧姆接触性
等离子体化学气相沉积的速率可以降低 a-Si:H 吸收 能，钝化 CdTe 吸收层背表面和增大载流子寿命, 提
层亚稳态缺陷的数量和增大能带值，实现 a-Si/μc-Si 高电池器件的 Voc 和 FF。2016 年，First Solar 公布
[10]
叠层太阳电池转换效率 12.7% 。Sai 等引入了具 FTO/Buffer/CdSeTe/CdTe/ ZnTe BC/Metal 结构电池
有六边形酒窝阵列的纹理基板实现了更好的光捕 器件的冠军转换效率达到 22.1%[1]。2017 年，CSU
获，实现 a-Si/μc-Si/μc-Si 叠层太阳电池转换效率 也报道了 FTO/ ZMO/CdSeTe/CdTe/Cu/Te 结构的电
[11]
13.6% 。 池器件实现 19.1%的转换效率[20]。
1.2 碲化镉薄膜太阳电池 由于冠军 CdTe 薄膜太阳电池的 Jsc 已经达到
碲化镉(CdTe)是 II-VII 族化合物半导体，闪锌 31.69mA/cm3，接近理论极限。CdTe 薄膜太阳电池
矿晶体结构，具有较高的可见光吸收系数 效率从 22%到 25%的技术路线主要聚焦于提高 Voc
5 1
(>10 cm )，能带值 1.45eV，理论转换效率 29%。 大于 1eV，目前的技术的创新主要集中在以下方面：
1972 年 Bonnet 和 Rabnehorst 发展了 CdTe/CdS 异 1）提高 CdTe 薄膜 p 型载流子浓度，达到 1016~
质结薄膜太阳电池，通过气相沉积制备 CdTe 薄膜， 1017cm3，比效率为 22.1%的冠军 CdTe 电池高 2 个
高真空蒸发制备 CdS 薄膜，电池效率为 6%[12]。1993 数量级；2）提高多晶 CdTe 薄膜的载流子寿命与单
年 Britt 等通过控制 CdTe/CdS 界面的 Te、S 扩散形 晶 CdTe 的相当，或者更高。主要集中在 CdTe 材料
成 CdTexS1-x 界面过渡层，降低界面缺陷，改善性能， 缺陷和掺杂，薄膜表面和体钝化等。2016 年 Burst
[13]
得到 15.8%的电池效率 。 等对单晶薄膜 CdTe 进行磷(P)掺杂，得到 p 型电荷
在 CdTe 薄膜太阳电池的 FTO/HRT/CdS 前堆栈 载 流 子 ( 空 穴 ) 浓 度 浓 度 51016cm3, 载 流 子 寿 命
结构中，CdS 缓冲层吸收能量超过 2.45eV 的入射光 100ns，电池器件的开路电压大于 1eV[20]。Zhang 等
子，但是对器件 Jsc 没有做出贡献。此外，CdS 具有 采用 MBE 外延，制备厚度为 1000~1500nm 的 n 型
比 CdTe 更高的电子亲和能，在 CdS/CdTe 界面有 CdTe 层，采用 MgCdTe/CdTe 双异质结钝化，并与
“cliff”形状的负导带弯曲(CBO)影响 Voc 低于 p 型 a-SiCy:H 构成异质结太阳电池，其 CdTe 吸收
[14]
860mV。Wu 等 将 CdSO (Eg, 2.5~3.1eV)，Kephart 层的载流子寿命提高到 3.6μs，开路电压 1.11V，电
[15-16]
等 将 ZnMgxO1x(3.6~ 3.7eV)宽带隙半导体引入 池器件的转换效率 20.3% [21]。
作为缓冲层，通过改变 CdSO 薄膜中 O 含量和 1.3 铜铟镓硒薄膜太阳电池
ZnMgO 薄膜中 Mg 含量，增大 CdTe 薄膜太阳电池 铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2，CIGS)是 I-III-VI 族化
的短波量子响应，同时改变 CdSO 和 ZnMgO 薄膜 合 物 半 导 体 ， 黄 铜 矿 晶 体 结 构 ， 是 CuInSe2 和
的电子亲和能，调整 buffer/CdTe 界面的 CBO 为正 CuGaSe2 的混晶半导体，通过改变 Ga、In 元素的含
值的“spike”形状，提升电子传输过程的电势能， 量，其能带值可以在 1.02~1.67eV 范围内连续可调，
增大电池器件的开路电压(Voc)和填充因子(FF)。 CIGS 薄膜具有高可见光吸收系数(~105cm1)，理论
First Solar、Toledo 和 CSU 等通过 Se 掺杂 CdTe 薄 最高转换效率大于 30%。1976 年，Kazmerski 等首
膜形成 CdSeTe/CdTe 渐变带隙结构的吸收层，钝化 次制备 CuInSe2/CdS 异质结薄膜太阳电池，光电转
CdTe 薄膜前表面，延长电荷载流子寿命，提高开 换效率达到 4.5%[22]。CIGS 吸收层通常采用预制层
路电压，同时增加 CdTe 薄膜太阳电池的近红外光 硒化工 艺制 备，首 先采 用溅射 或者 热蒸发 制备
[17-18]
谱响应 。稳定的背部接触并没有明显的整流， Cu(In,Ga) Se2 预制层，然后在 Se 气氛中硒化退火。
2526
1981 年 ， Mickelsen 等 开 发 了 多 元 共 蒸 法 沉 积
CuInSe2 多晶薄膜的技术，制备的薄膜太阳电池光
电转换效率达到 9.4%[23]。1988 年，Mitchell 等采用
硒化法研制出光电转换效率为 14.1%的 CuInSe2 薄
膜太阳电池[24]。1994 年，Gabord 等采用三步共蒸
法制备的 CIGS 薄膜晶粒尺寸显著增大，改善了
CIGS 薄膜的质量，不仅提高了电池器件的开路电
压，并且由于 Ga 元素的纵向梯度分布形成了吸收
层的能带梯度，提高了光生载流子的收集，光电转
[25]
换效率达到 16.4% 。2010 年 ZSW 公布总厚度 4μm
[26]
效率为 20.3%的 CIGS 太阳电池
近十几年，为了制备更高效率的 CIGS 薄膜太
阳电池，通过引进半导体工业先进技术，开发了一
系列新的工艺比如：碱金属掺杂，无镉宽带隙半导
Ga 梯度分布以改善吸收层的载流子收集。
体缓冲层，
1993 年研究发现 Na 离子掺杂可以增大 CIGS 吸收层
的 p 型受主浓度，提高开路电压 Voc 和填充因子 FF。
2013 年，EMPA 采用 CIGS 吸收层的 NaF 沉积后处
理工艺，实现效率为 20.4%的柔性聚合物 CIGS 薄膜
[27]
太阳电池 。随后 ZSW 和 Solar Frontier 发现重碱金
+ + +
属 Ka 、Rb 或者 Cs 离子掺杂有更好的效果。通过
CIGS 吸收层的 KaF、RbF、CsF 沉积后处理工艺，
电池器件的转换效率分别达到 22.3%、22.6%和
[2,28-29]
22.9% 。其中 KaF 的沉积后处理可以降低缓冲
层界面和吸收层界面的载流子复合，增加吸收层的
电荷载流子浓度。Rb 和 Cs 可以排斥晶界处的 Na
和 K，导致晶界处的 Cu 缺失，形成晶界势垒，排
斥空穴，起钝化晶界的作用。Solar Frontier 采用硒
化后硫化的双退火工艺得到 Ga 和 S 在 CIGS 层纵
向的双梯度分布，在 CIGS 吸收层背表面有富集的
Ga，上表面有富集的 S，减少了 CIGS/Mo 和 CIGS/
buffer 界面的载流子复合，增大电池器件的短路电流
[30-31]
和开路电压 。采用无镉的宽禁带半导体薄膜缓
冲层可以有效利用紫外光谱区入射光，增大电池器
件短波量子响应。2018 年 Jakapan 采用 ZnMgO:Al/
ZnMgO 工艺得到电池器件的转换效率 20%
年 2 月 Solar Frontier 采用(Zn,Mg)O/ Zn(O,S,OH)工艺
得到电池器件的转换效率 23.35% [33]。
1.4 钙钛矿薄膜太阳电池
有机金属卤化物钙钛矿太阳电池(metal halide
perovskite ， PSC) 是 一 种 新 兴 的 薄 膜 太 阳 电 池 技
[34-35]
术 。金属–卤化物钙钛矿是一类具有 ABX3 结
构的材料，其中金属阳离子 B 占据八面体中心，X
位于八面体顶点，金属阳离子 A 位于相邻八面体间
中 国 电 机 工 程 学 报 第 39 卷
隙。对于 PSC 太阳电池，X 通常是一价卤素阴离子
I-1, Br-1，或者 Cl-1 的化合物，这些材料具有合理的
带隙，以达到最佳的光吸收。A 是单价金属阳离子
( 如 Cs+ 、 Rb+) 或 者 特 定 的 有 机 官 能 团 ( 如
CH3NH3)+ ，缩写 MA+)或者(如(CH (NH2)2)+，缩写
FA+)。B 是二价阳离子，一般是元素周期表的 IVA
簇(Pb2+、Sn2+)[36]。PSC 太阳电池源于染料敏化太阳
电池。2009 年人们发现在液体基染料敏化太阳电池
结构中，亚甲基铵、卤化铅钙钛矿吸附在纳米二氧
化钛表面上，可产生转换效率约为 3.4%的光电
。 流[37]。2012 年固态卤化物钙钛矿太阳能电池的转换
效率突破 10%[38]。2017 年 PSC 太阳电池最高转换
效率达到 22.7%显示了诱人的发展前景[3]。如果 PSC
太阳电池快速商业化的主要障碍大面积沉积、长期
稳定性以及铅污染对环境可能造成的影响等能够
在合理的时间内解决，PSC 太阳电池组件因其高效
率、低成本而具有巨大的经济潜力，是下一代太阳
电池应用市场的希望[39-42]。
单结 PSC 薄膜太阳电池的转换效率逐渐接近
Shockley-Queisser 极限。大幅度提高转换效率的途
径之一是发展 PSC 双结叠层太阳电池。例如如果双
结叠层太阳电池的顶电池和底电池的能带值分别
为 1.14 和 1.73eV，根据一个标准太阳光谱计算的
理论转换效率可以达到 36.7%[43]。钙钛矿具有可调
节能带值(1.2~2.3eV)可以作为顶电池高能带吸收
层，c-Si、CIGS、低能带钙钛矿薄膜可以作为底电
池低能带吸收层[44-45]。当前 PSC 双结叠层太阳电池
取得的进展包括：
1）PSC/PSC 叠层太阳电池。2017 年 Rajagopal
等选取 0.82eV 的 [MA0.9Cs0.1Pb(I0.6Br0.4)3] 作为顶
电池吸收层，1.22eV 的(MAPb0.5Sn0.5I3) 作为底电池
吸收层， ITO/PEDOT:PSS 作为连接层制备效率达
到 18.5%的 PSC/PSC 叠层太阳电池[46]。
2）PSC/c-Si 叠层太阳电池。 2018 年 Sahli 等
得 到 PSC/c-Si 两 端 叠 层 太 阳 电 池 最 高 效 率
[32]
。2019 25.2%[47]。2018 年 Oxford PV 宣布其 PSC/c-Si 四
端叠层太阳电池的效率达到 28%[48]。
3）PSC/CIGS 叠层太阳电池。钙钛矿(1.2~2.3eV)
和 CIGS(1.02~1.67eV)具有连续可调的能带值，满
足高效双结叠层太阳电池顶电池和底电池吸收层
的能带要求。2018 年 Han 等采用带隙 1.59eV 的半
透明 PSC 太阳电池为顶电池，带隙 1.00eV 的 CIGS
薄膜太阳电池作为底电池，底电池 TCO 层(i-ZnO
和 B 掺杂 ZnO(BZO))作为叠层电池可导连接层，得
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到转换效率为 22.1%的 PSC/CIGS 两端叠层太阳电 Avancis 的 CIGS 电池组件有效面积光电转换效率达

[49]
池 。2018 年 ZSW 发布其 PSC/CIGS 两端叠层电 到了 16.4%；汉能子公司 Solibro 点源共蒸 CIGS 玻
[50]
池组件的转换效率达到 24.6% 。 璃基底电池器件实验室效率 22.9%，大面积组件效
率达 17.52%；神华集团合作伙伴 Manz 量产玻璃基
2 薄膜太阳电池的产业化发展和挑战
底 CIGS 薄膜电池组件转换效率 16%；尚越光电柔
近十几年全球薄膜太阳电池产业化得到了迅猛 性 CIGS 薄膜电池组件效率 15.3%。目前我国在产
发展。首先是薄膜太阳电池组件的效率得到明显提 业技术进步方面面临如何实现引进技术的二次开
高，Green 等[51]在全球冠军太阳电池转换效率表中列 发，在比较高的起点上实现 CIGS 产业技术的进一
出了 a-Si、CdTe、CIGS、PSC 薄膜电池组件和 c-Si 步提高。
电池组件的转换效率。可以看到 CdTe(18.6%)和 2016 开始神华集团、上海电气和德国 Manz 三
CIGS(19.2%)薄膜电池组件的效率已经接近多晶硅 方合作共同发展我国 CIGS 电池组件的产业化和解
(19.9%)电池组件的水平。近几年薄膜电池组件的市 决持续的技术进步，其中通过 Manz 可以得到其合
场占有率相对下降，但是产量明显增大，其中硅薄 作伙伴 ZSW 的技术支持。ZSW 的 CIGS 团队拥有
膜电池组件出货量下降，CdTe 和 CIGS 薄膜电池组 先进的 CIGS 薄膜太阳电池和组件制备技术，其
件出货量迅速增加。2017 年全球薄膜电池组件有约 CIGS 薄膜太阳电池转换效率达到 22.6%，组件效率
4GW 的出货量，约占全部电池组件市场份额的 4%。 大于 17%，PSC/CIGS 两端叠层电池的转换效率达
碲化镉电池组件商业化比较早，但是产业核心 到 24.6%[50,55]。三方合资成立重庆神华薄膜太阳能
技术 VTD 工艺被 First Solar 垄断。2015 年 First Solar 科技有限公司，建设 306MWp 产能的 CIGS 电池组
公布其 CdTe 薄膜电池组件转化效率达到 18.6% 件生产线，利用 Manz 成熟技术发展 CIGS 电池组
(7038.8cm2)。2018 年，First Solar 生产线制备的第 件产业化；合资成立神华(北京)光伏科技研发有限
六代 CdTe 薄膜电池组件转换效率 18%(2.16m2)，输 公司，建设 44MWp 产能的 CIGS 薄膜太阳电池实验
出电功率 445W，生产成本仅为 0.20$/Wp，是一种 研究线，研究高效率光伏电池技术、工艺、整体解
低成本、高效率的太阳电池组件[52]。截止 2017 年 决方案；合资成立苏州曼兹新能源装备有限公司提
底，First Solar 公司的 CdTe 电池组件全球安装总量 供 CIGS 薄膜电池组件生产设备整厂解决方案。
超过 17GW。2010 年开始，杭州龙焱能源科技股份 目前，薄膜太阳电池组件商业化面临的挑战主
有限公司和成都中建材光电材料有限公司分别采 要有：1）部分产业化核心技术不成熟，一些实验
用 CSS 工艺，开展了 CdTe 薄膜电池组件的研发和 室高效薄膜太阳电池技术不适合大面积电池组件
生产实践，电池组件效率大约是 13%~14.5%。但是 制备；2）稀有元素的供给和有毒元素的回收和循
CSS 制程在连续生产时会发生 CdTe 蒸发源烧结和 环利用；3）晶体硅太阳电池组件迅速降低的成本
更换石墨坩埚带来的生产效率低和成本高，以及对 和价格。
玻璃衬底的软化点要求高等问题，需要在工业技术 未来薄膜太阳电池组件商业化的发展方向有：
创新中加以解决。 1）明确市场定位，目前有 2 个主要方向，即柔性
Solar Frontier 的 CIGS 电池组件已经实现商业 薄膜太阳电池组件和光伏和建筑一体化应用；2）
化 量 产 ， 2017 年 实 现 冠 军 电 池 组 件 转 换 效 率 针对产业化，研发薄膜太阳电池组件制备的核心技
19.8%(75cm2)和 19.2%(3030cm2)[53-54]。目前 CIGS 术；3）寻找稀有元素的和有 毒 元素的替代元素或
电池组件的生产成本可以达到 0.40$/Wp，当产量达 者减少稀有元素的和有毒元素用量的技术；4）提
到 GW 规模时，生产成本可以将至 0.23$/Wp[32]。 高薄膜太阳电池组件效率和扩大生产规模以降低
CIGS 电池组件产业化技术的难点在于沉积薄膜厚 薄膜太阳电池组件价格。
度和元素计量比的均匀性，硒化的均匀性和大面积
生产的均匀性、重复性和稳定性。在产业化进程中，
3 薄膜太阳电池关键技术发展
与工艺相比设备的因素起更关键的作用。近年来， 高效率薄膜太阳电池的研究首先需要加强对
我国企业主要采取海外并购取得知识产权，并大力 各类薄膜太阳电池物理过程的规律性研究，在此基
引进国外成套产线技术，在 CIGS 电池组件制备方 础上深入理解薄膜太阳电池的光吸收和光电转换，
面取得了很大的进步。例如，凯盛科技并购德国 光生载流子的传输和损耗，载流子的收集等机制。
2528 中 国 电 机 工 程 学 报 第 39 卷

在实验上针对消除影响电池效率的各种损耗开展 photovoltaic perovskite layers fabricated through

技术创新和工艺改进。今后需要发展的薄膜太阳电 intramolecular exchange[J]．Science，2015，348(6240)：
1234-1237．
池关键技术应包括下面的特征。
[4] Wen Xixing，Chen Chao，Lu Shuaicheng，et al．Vapor
1）宽带隙无镉缓冲层以增加紫外光区的利用
transport deposition of antimony selenide thin film solar
率 ， 同 时 调 整 缓 冲 层 和 吸 收 层 的 CBO 为 正 值
cells with 7.6% efficiency[J]．Nature Communications，
“spike”形状，而且满足 0<Ec<0.3eV 。 2018，9(1)：2179
2）吸收层薄膜表面和体钝化工艺。 [5] Yan Chang ， Huang Jialiang ， Sun Kaiwen ， et
3）满足吸收层梯度带隙、梯度组分或者梯度 al ． Cu2ZnSnS4 solar cells with over 10% power
晶格常数等要求的工艺和结构。 conversion efficiency enabled by heterojunction heat

4）稀有元素和有毒元素的吸收层替代技术，例 treatment[J]．Nature Energy，2018，3(9)：764-772．

[6] Matsui T，Bidiville A，Maejima K，et al．High-efficiency
如 CZTS、Sb2Se3 薄膜太阳电池；或者减少元素稀有
amorphous silicon solar cells：impact of deposition rate on
元素和有毒元素用量的技术。
metastability[J]．Applied Physics Letters，2015，106(5)：
5）吸收层高浓度载流子的掺杂工艺，
例如 CdTe 053901．
薄膜的 P、As 掺杂，CIGS 薄膜的碱金属掺杂技术。 [7] Sai H，Maejima K，Matsui T，et al．High-efficiency
6）高效双结叠层太阳电池技术，例如 PSC/c-Si、 microcrystalline silicon solar cells on honeycomb textured
PSC/CIGS 等双结叠层太阳电池。 substrates grown with high-rate VHF plasma-enhanced

7）吸收层和金属电极的欧姆接触技术，例如 chemical vapor deposition[J]．Japanese Journal of Applied

Physics，2015，54(8S1)：08KB05．
上层配置结构 CdTe/金属电极欧姆接触，下层配置
[8] Cashmore J S，Apolloni M，Braga A，et al．Improved
结构 CdTe/金属电极欧姆接触及其高温稳定性；上
conversion efficiencies of thin-film silicon tandem
层配置结构 CIGS/金属电极欧姆接触等。 (MICROMORPH™) photovoltaic modules[J] ． Solar
Energy Materials and Solar Cells，2016，144：84-95．
4 结论
[9] Ai Dao V， Kim S ， Lee Y， et al ． High-efficiency
根据上文的论述，可以得出以下结论： heterojunction with intrinsic thin-layer solar cells ： a
1）在过去的十几年里，由于一系列创新性研 review[J]．Current Photovoltaic Research，2013，1(2)：
究成果(新材料，新结构和新工艺)的应用，薄膜太 73-81．

阳电池技术取得巨大的发展，转换效率得到很大的 [10] Matsui T，Bidiville A，Maejima K，et al．High-efficiency

amorphous silicon solar cells：impact of deposition rate on
提高。在高效电池器件制备中越来越注重半导体工
metastability[J]．Applied Physics Letters，2015，106(5)：
业先进技术引进(例如掺杂、钝化、能带调控等)，
053901．
并取得显著成效。 [11] Sai H，Matsui T，Koida T，et al．Triple-junction thin-film
2）薄膜太阳电池组件的转换效率得到很大提 silicon solar cell fabricated on periodically textured
高，产业化也取得了很大进展。 substrate with a stabilized efficiency of 13.6%[J]．Applied
3）今后薄膜太阳电池技术仍然需要进一步发 Physics Letters，2015，106(21)：213902．
展新的技术创新，进一步提高转换效率才能满足新 [12] Bonnet D，Rabenhorst H．New results on the development
of a thin film p-CdTe/n-CdS heterojunction solar cell[C]//
能源产业技术和市场的要求。
Proceedings of the 9th Photovoltaic Specialists
参考文献 Conference．Freiburg，1972．
[13] Britt J，Ferekides C．Thin-film CdS/CdTe solar cell with
[1] First Solar Press Release．First solar achieves yet another 15.8% efficiency[J]．Applied Physics Letters，1993，
cell conversion efficiency world record[Z]．Nasdaq：First 62(22)：2851-2852．
Solar Press，2016． [14] Wu X，Yan Y，Dhere R G，et al．Nanostructured CdS：
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of 24.6 percent paves the way for flexible solar cells and mail.sitp.ac.cn；
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Württemberg，Germany：ZSW，2018 [2019-04-10]．https:/ 张传军
/www.zsw-bw.de/en/newsroom/news/news-detail/news/de *通信作者：褚君浩(1945)，男，博士，
tail/News/thin-film-tandem-solar-cell.html． 1984 年毕业于中国科学院上海技术物理
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Extended Summary
Research Progress and Challenges of Thin Film Solar Cells
ZHANG Chuanjun1, CHU Junhao1,2*
( 1. State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, CAS;
2. China Energy Investment Corporation)
KEY WORDS: thin film solar cells; photoelectric conversion; a-Si; CdTe; CIGS; PSC
In recent years, due to the introduction of a series of
new materials, new structures and new technologies, not
only the traditional solar cell technologies of a-Si, CdTe,
and CIGS but also the emerging thin film solar cell
technologies of PSC, CZTS, Sb2Se3 have all been
improved significantly. To its credit, the power
conversion efficiency of CdTe, CIGS and PSC thin film
solar cells is greater than 22%. The great progress has
also been made in the industrialization and scale
application of CdTe and CIGS thin film solar cells.
In the preparation of high-efficiency thin film solar
cells, some advanced technologies of semiconductor
industry have been introduced (such as doping,
passivation, bandgap modulating, etc), and achieved
remarkable results. The conversion efficiency of
a-Si thin-film solar cells is improved sluggishly with
poor stability due to the serious staebler-wronski effect.
The development of technology mainly focuses on
a-Si/c-Si tandem solar cells and a-Si thin film
heterojunction solar cells. For the CdTe thin film solar
cells, wide bandgap semiconductors of CdSO and
ZnMgO were introduced in the FTO/buffer/CdTe front
stacks. The structure of gradient bandgap CdSeTe/CdTe
absorber was formed by Se doping of CdTe absorber.
Quasi-ohmic contact was formed in the CdTe/ZnTe:Cu/
Metal back stacks. In 2016, first Solar announced the
champion conversion efficiency of 22.1%. The technical
improvement routes of device efficiency from 22% to
25% are mainly focused on the increase of Voc greater
than 1eV. For the CIGS thin film solar cells, alkali metal
element doping through NaF, KaF, RbF and CsF
post-deposition processes of the CIGS absorber can
increase the p-type acceptor density of the CIGS
absorber. The charge carrier collection was improved
with the gradient distribution of Ga and S in the CIGS
absorber by double annealing processes of sulfurization
after selenization. The Cd free wide bandgap
semiconductor buffer layers such as ZnMgO,
Zn(O,S,OH)), etc were introduced to increase the
short-wave quantum response of the PV devices. In 2019,
Solar Frontier announced the champion conversion
S2
DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.190510
efficiency of 23.35%. The emerging PSC thin film solar
cell has reached the highest efficiency of 22.7% in 2017.
The major obstacles to the rapid commercialization of
PSC thin film solar cells include large area deposition,
long-term stability and the lead pollution. One of the
development directions of high efficiency thin film solar
cells is PSC tandem solar cell. Perovskite with adjustable
band values (1.2 ~ 2.3eV) can be used as the absorber of
top cell, and c-Si, CIGS, and low-bandgap perovskite
film can be used as the absorber of bottom cell.
In recent years, the market share of thin-film PV
modules has declined relatively, but the output has
increased significantly, In 2017, the global thin-film PV
modules of 4GW was shipped, accounting for about 4%
of the market share of all PV modules. The challenges of
commercialization of thin-film solar cell modules are as
follows: 1）Some industrialization technologies are not
mature and some high-efficiency thin-film solar cell
technologies are not suitable for the preparation of
large-area modules; 2） Supply of rare elements and
recovery and recycling of toxic elements; 3） the rapidly
reduced cost and price of c-Si solar cell modules.
The commercial development direction of thin-film
solar cell modules includes: 1）Flexible thin-film solar
cell modules and photovoltaic and building integration;
2）Key technology of industrialization; 3）The alternative
technology for the absorber of rare and toxic elements;
4） Improve the efficiency of thin-film solar cell module
and expand industrial scale.
It is necessary to strengthen the research on the
laws of physical processes of various types of thin-film
solar cells in the future. The key technologies to be
developed should include the following characteristics:
1）Cd free wide bandgap buffer layer; 2）Surface and
bulk passivation; 3 ） Gradient band gaps, gradient
components or gradient lattice constants of the
absorption layer; 4 ） Alternative technology for the
absorber of rare and toxic elements; 5 ） Doping of
absorber; 6）Tandem solar cells; 7） Ohmic contact of the
back electrode.