‫המחלקה להנדסת אלקטרוניקה‬

‫בחינת מעבר מועד א'‬

‫סמסטר ג' תשע"ט‬
‫מועד הבחינה ‪06.09.2019‬‬
‫משך הבחינה ‪ 3‬שעות‬
‫מותר להשתמש בכל חומר‬
‫מס' ת‪.‬ז‪_________________ :.‬‬
‫מס' נבחן‪________________ :‬‬

‫בחינה בשדות אלקטרומגנטיים )‪(0-3603827-20‬‬

‫פרופ’ ינקונסקו ראובן‬

‫‪-‬מותר להשתמש בכל חומר‬

‫שאלה מספר ‪ 36) 1‬נקודות(‬

‫נתונה מעטפת כדורית דקה עשויה ממוליך מושלם‪ ,‬בעלת רדיוס ‪ . a‬המעטפת עצמה מבודדת‬
‫מהסביבה ובעלת מטען ‪ . 0‬בתוך הכדור יש מטען ‪ Q‬במרחק ‪ D‬ממרכז הכדור‪.‬‬

‫)‪ (10‬א‪ .‬תנו ביטוי מפורש לפוטנציאל מחוץ לכדור‪,‬‬

‫כלומר באיזור ‪ . r≥a‬נא הביעו גם את הפוטנציאל‬
‫‪Q‬‬ ‫על פני הכדור ב ‪. r=a‬‬

‫‪D‬‬ ‫‪z‬‬
‫)‪ (10‬ב‪ .‬תנו ביטוי מפורש לפוטנציאל בתוך הכדור‪,‬‬
‫כלומר באיזור ‪. r≤a‬‬

‫)‪ (16‬ג‪ .‬יש לחזור על א' וב' כאשר המטען ‪ Q‬במרכז‬

‫‪Q‬‬ ‫הכדור‪ ,‬כבאיור‪.‬‬

‫‪z‬‬
 ‫שאלה מספר ‪ 33) 2‬נקודות(‬
‫‪y‬‬

‫נתון המבנה הדו מימדי שבאיור‪ ,‬בתחום בין ‪ 0x a‬ו‬

‫∞‪ . 0 y ‬השפה התחתונה שב ‪ y =0‬נמצאת‬
‫בפוטנציאל ‪ V 0‬והשפות הצדדיות שב ‪ x =0‬ו ‪x =a‬‬
‫מוארקות‪ ,‬כלומר בפוטנציאל ‪.0‬‬

‫‪a‬‬ ‫‪x‬‬ ‫)‪ (11‬א‪ .‬תנו ביטוי לפוטנציאל בכל מקום בתוך המבנה‪.‬‬
‫‪V0‬‬
‫)‪ (11‬ב‪ .‬תנו ביטוי להשדה החשמלי בכל מקום בתוך‬
‫המבנה‪.‬‬

‫‪y‬‬

‫)‪ (11‬ג‪ .‬להלן אותו מבנה עם תנאי שפה שונים‪ .‬נכנה את‬
‫הפתרון של סעיף א’ בשם ) ‪ . V A ( x , y‬תנו ביטוי‬
‫‪V0‬‬ ‫‪V0‬‬ ‫לפוטנציאל בכל מקום בתוך המבנה באמצעות‬
‫) ‪ . V A (x , y‬יש לנמק את התשובה היטב‪.‬‬

‫‪a‬‬ ‫‪x‬‬

‫שאלה מספר ‪ 36) 3‬נקודות(‬

‫נתון מבנה מלבני אינסופי ב ‪, z‬בתחום ‪ 0< x< a‬ו‬

‫‪y‬‬
‫‪ . 0< y< b‬במבנה יש שדה חשמלי‪:‬‬
‫^ =̄‪ , E‬כאשר ‪ω‬‬
‫) ‪y E 0 sin(π x /a) cos(ωt −β z‬‬
‫‪b‬‬ ‫ו ‪ β‬קבועים‪ .‬כמוכן‪ ,‬נתון שבתוך המבנה יש חלל‬
‫חופשי ללא זרמים ומטענים‪.‬‬

‫‪a‬‬ ‫‪x‬‬ ‫‪ H‬בעזרת המשוואה‬‫)‪ (18‬א‪ .‬תנו ביטוי לשדה ̄‬

‫‪z‬‬ ‫‪ , ∇×Ē =−μ0 ∂ t H‬ובידיעה שאין ל ̄‬
‫‪ H‬רכיב קבוע‬ ‫̄‬
‫בזמן‪.‬‬

‫‪ ∇×H‬והשוו את התוצאה לשדה‬ ‫‪ E‬בעזרת המשוואה ̄‪̄ =ϵ0 ∂ t E‬‬

‫)‪ (18‬ב‪ .‬תנו ביטוי לשדה ̄‬
‫החשמלי הנתון בראש השאלה‪ .‬מתוך השוואה זו‪ ,‬קבלו תנאי על הקשר בין ‪ β , ω‬ואורך הצלע‬
‫‪. a‬‬

‫בהצלחה‬