‘Wstep ‘TRANZYSTORY POLOWE 6 61 Z ogdlnej Klasytikacji tranzystoréw, przedstawionej w poprzednim rozdziale, wynika, Ze obok tranzystoréw bipolarnych druga nie mnie) wang Klase tych clomentéw stanowia trunzystory unipolarne, inaczej nazywane polowyi. Sy to- trangystory, ktGrych dzialanie jest oparte na transporeic tylko jednego rodzaja nosnikow, tj. nognik6w wigkszosciowych (stad nazwa tranzystory unipolarne), pray ezym sterowanie pradu wyjéciowego odbywa sig za pomoey poprzecznego pola elektrycznego (stad nazwa tranzystory polowe). W kaigéce bedzie stosowana ta ostatnia nazwa, W literaturze Swiatowoj tranzystory polowe maja skrétowa. nazwe FET (ang. Field-Pffact Transistor), ktéra réwniot dobrao prayjela sic ‘w naszym jezyku technieznym ; nie nalezy jodnak popiorad Zargonu speojalistyoz- nego w rodzaju: juklad na fetach”. W pewnym stopniu paradoksalny jest fakt, ze og6lna idea dzialania tranzystora polowego- byla mana ok, 20 lat wezesniej nid nastapilo odkryeie tranzystora bipolamego,. a produkeje tranzystor6w polowych rozpoezeto niemal 10 lat pééniej nié produkeje tranzystoréw bipolarnych. Ponadto zasada dziatania tranzystora polowego jest. macznie prostsza niz tranzystora bipolarnego, 0 czym Czytelnik przekona sie, pordwaujge material zawarty w tym i popraeduim rozdzialuch, Romieg w skal alozonosei duiulania obu rodzajéw tranzystoréw potwierdza réwnict fakt, de ‘tranzystor polowy wynaleziono, a bipolarny odkryto”. Istnieje jodnak powna prewidlowosé w elektronice (a mote i w innych daiedzinach), 0 realizacja techniozna prostych idei stawin bardzo wysokio wymagania odnosnie do precyzji wykonawstwa (precyzji proeeséw technologicanyeh). Tak jest rowniez w pray padku tranzystorow polowyeh, WV poprzednim rozdziale probowalismy ,odkryé” tranzystor bipolarny, teraz zatem (ofmie~ Jeni sukcesem) bedziemy prébowaé ,,wynaleéé” tranzystor polowy, Idea dziatania. Elestroda sterujqca Z a T Rys. GL 1 Tlustracja najprostsze) koncepeji prayrzydu: Us iy czynnego sterowanego polem elekiryeznym D Nagrodg Nobla prayznano aa odleycie tranzystora bipslamego, a nie za wynalazek tran~ aystora polowego. Prayrzady pélpraewodnikowe...Tranzystory polowe — 35 Pry stalym napigcin Uz, moina sterowaé wartosé pradu w tym obwodzie praex zmia Porostajo odpowiedsieg na pytanie, jakim oddzialywaniem elektryeznym modna Wartosé prada w obwodzic zasilanym napigoiem Uz jest zatom sterowana waka bodajie najprostszego clementu wzmaeniajgcego na ciclo stalym nasuwa sama na podstawie znajomosei prawa Ohma i podstawowych praw clektrs: statyki, Woamy plytke ciala stalego przewodzacego prod elektronowy (zaléin chwilowo, ao jest to motal lub polprzewodnik typu n), wigezona w obwéd polka narys. 6.1. rexystaneji plyti ne qyendan ‘Teoretyemnie roxystancj¢ moi zmienia za posrednictwem pigeiu parametrow ti. L, Z, a, p, m (tylko ladunck elektronu g jest staly fizyeang). Prayjmuje tH je D, Z, ye sy wiolkoseiami stalymi. Wowezas Re on grubosé plytki i koncentracjg elektronéw? Oczywiseie grubosei plytii w se metalurgiczaym nie mogna zmicniaé, loez moina spowodowas taki stan, w kt gestos6 pradu nie bedzie jodnakowa w ealym prackroju plytki. W pra wyidealizowanym moana wytworayé tala sytuacie, Ze pkytka bedzio sie zZ warstw nieprzewodrace] i pracwodzaee]. Warstwe przewodzacq nnd ianatem i bedziemy zmieniaé jego gruboss. W tym ocl naleay umicsoié n plytke przewodzqeq drugy plytke metalowg, spetniajacy funkeje ele sterujace). Do tych dwa plytek tworaqoych kondensator doprowadzamy napigcia sterujgcego. Pole elektryczne, istniejgce migdzy cloktroda steruj a plytke, praewodzyeq, powodnje zaindukowanie tadunku (przegrapowanit, elektronéw) w plytce przewodzacoj. Niech na przyklad_potencjal elektrod sterujace) bedzie ujemny. Wéwozas elektrony sq wypychane od powierzeh w glib plytki praewodzqcej. Pray powierzchni powstaje warstwa poxbawio elektrondw, a wige nieprzewodzgca. Dodatni ladunek toj warstwy (ladunek: jond nieskompensowanych praoz clektcony) spelnia funkeje ekranu nic praepustea jacego linii sit pola elektryeznego W glyb plytki. Pod warstwa niepreewod unajduje sig warstwa przowodzqea (kanal), w ktérej koncentragja elektroné nie zmienia sig (pozornie moze sig wydawaé, de elektrony spychane w plytki spowodaja warost konoontracji w kanale, jednak oznacailuby to uj natadowanie kanahu, co byloby spraecane z zalozeniem braku poprzeczneg Po elektrycznego w kanale), Im wigkazy jest ujemny potoncjat clektrody steruj tym glebie} wnika pole elektrycane do plytki, a wigo wamnsta grubosé wa niopraewodzacej, a maleje gruboss kanalu, ezyli warasta calkowita rezystand plytki. W praypadin dodatniogo potencjatu na elektrodzic sterujgce} elektro sa przyeiagane ku powiorzchni plytki, czyli powstajo warstwa bardzo sila przowodmca 0 dwioj koneontraoji clektrondw. Poniewas ta warstwa boesnilcaje niejako pozostats ozesé plytki, moina jg réwnie# namwaé Kanalem. W praypadku warost dodatniego potenojulu elektrody stornjace} powoduje gto Wwarost konceatraoji nosnikéw w kanale (grubosé kanalu zmienia sig nieznacani exyli zmniejszenie calkowitej rezystangji plytki. oddziatywania clektrostatyeznego polem prostopadtym do plytki praewodzqer),‘step — 855. Bfektywnosé tego oddzialywania jest tym silniejsza, im glebiej wnika pole, a wige im mniejsza jest koneentragja elektronéw (w stanie bez pola). Dlatego efekt sterowania konduktaneji plytki poprzecznym polem elektrycanym jest. znaomnie siluiejszy dla polprzewodnika nid, dla metalu, W ten spossb dokonalismy ,,wynalazku” ezynnego przyrzadu_pélprzewodnikowego, sterowanego poprzecznym polem clektryeznym. Nie mozemy jednak ubiegaé ; sig o patent, gdy prayrzad identyezny % wyZej opisanym stanowil prasdmiot patentu wzyskanego praez, Heila w 1935'r. (O. Heil — inaynier niemiecki, weyskat ten patent w Wielkiej Brytanii). Jeszeze wozesniej —w latach 1925—1932 — 3. B. Lilienfeld uzyskat kilka patentéw w Kanadzie i USA na preyrzady pol praewodnikowe, duialajace w podobny sposéb. Prayraady pélpreewodnikowe, ‘wynalezione przez Lilienfeld i Heila, nalezy —wedlug obeenych pojeé — uznaé 2a pierwsze tranzystory polowe, Wynalazki te nie mialy jednak szans rychlego zastosowania w elektronice, na ezym zawatyly dwie podstawowe prayczyny : — w latach trzydziestyeh nie myslano jeszeze o zamianie ciagle modylikowanyeh i dalekich od szezytu swych mozliwosei lamp elektronowych ; — poziom wiedzy © wlaseiwoSeiach powierzeliniowyeh péprzewodnika i poziom technologii materialéw pélprzewodnikowych byly wowezas niewystarczajace i do opanowania produkeji tranzystoréw polowyeh. Dopiero w drugie} potowie lat ezterdziestyeh w luboratoriach Bell Telephone podjeto systematyczne badania tranzystora polowego. Jednalkie efekt polowy (dla Scistosei spreeyzujmy, de efektem polowym nazywa sie zmiang konduktywnosei cian stalego wskutek oddzialywania nari polem elektrycznym) obserwowany doswiadezalnie byt znacanie stabszy nid preewidywany na podstawie teorii, Okazalo sig, ze prawie ealy ladunek zaindukowany przy powierechni plytki polprzewodnikowej przez pole elektryezue, prostopadle do tej powierzehni, pozostaje wnieruchomiony w pulapkach wystepujaeych na powierzchni pél- prrewodnika, czyli nie wplywa na wartosé sterowanego pradu. Badania wta- SeiwoSei tych pulapek (ogdlniej stanéw powierzchniowych) doprowadzity w 1947 r. do prrypadkowego odkryecia tranzystora ostrzowego, dzialajacego na zupelnic innej zasadzie niz tranzystor polowy. Dalo to poezatek duzemu gaintere- sowanin tym nowo odkrytym przyraadem, z ktrego wyrosla rodzina tranzysto- réw bipolarnych, Zmalalo zarazem zainteresowanie tranzystorem polowyin. W 1952 r. Shockley przedstawil nowa koncepeje tranzystora polowego, w ktérym funkeje diclektryka rozdzielajacego elektrode sterujgca od kanalu przewodzacego speluia warstwa zaporowa zieza p-n spolaryzowanego zaporowo”. Takie rozwiazanie umofliwia odsunigeie kanalu od powierzchni, czyli usunigeie trudnosei zwiaze- nych ze stanami powierzchniowymi. Tranzystor polowy ze daezem p-n wykonano laboratoryjnie i przebadano juz w 1953 r., jednak dopiero opanowanic technologii planamej (ok. 1960 r.) stworzyto nieabedne przestanki techniczne dla produkeji tych elementdw na wielka skal, Nieco pééniej, na poczatku lat seesddziesintyeh, wykonano laboratoryjnie pierweze tranzystory polowe z warsiwa dielektryke migday elektrody sterujacg a plytka polprzewodnikows. W drugie} polowie lat sxeaddriesiqtych opracowano rownieh tranzystor polowy, w ktérym elektroda sterujqca jest oddzielona od kanalu warstwa zubozong zlqeza metal-pélprzewodnik, A zatem obecnie produkuje sig wiele roanych typéw tranzystorsw polowyeh. Ich og6Ing, Klasyfikacjg przedstawiono na rys. 6.2. Wszystkie tranzystory polowe dzieli sig na dwie grupy: ) WeShockley: A unipolar field-effeot transistor, Proc, WEB, 1962, Vol. 40, p. 1365.Tranzystory polowe — 3H Tranayaiory polowe (FET) Polprzew odnik Polprzcwodnix Paiprzcwodn Jnonokrystaliczny| monokrystaliczry| [polikrystallezs MIS, MISFE? MOS, Mos\ Ze ztaceom mae 2 bramka Schotticy “eco| MESPET Taare Tanti] [Faesics) oxen ‘ i caine [woutower| [=0et| | wanym nye puny l= Taoza <[ weboge von kaces| [corny ‘ets sone Kanak Kana typu_n typi p Rys. 6.2 Klasyfikacja tranzystoréw polowych — algezowe (JKET —ang. Junction Field-Bffect Transistor), — 2 izolowang, bramke (IGFET — ang. Insulated Gate Pield-Effect Transistor). “Tranzystory polowe zlacaowe moge byé ze zlyozem p-n (PNFET) lub ze zlaczem me polprzewodnik (MESFET —ang. Metal-Semiconductor FET). Warto aw uwage, de niektére z wymienionych nazw skrétowych na mocy tradyeji ut sie w nieco innym znaczeniu. Piorwszymi dostepnymi na rynku tranzysto polowymi byly tranzystory zo zlgozom p-n. Z uwagi na brak innych rodzaj tranzystoréw polowych namva FET oznaezata wéwezas to samo co ob nazwa PNFET. Wraz ukazaniem sig tranzystorsw polowych 2 izolo Ale i ta nazwa okazala sig zhyt ogdlna, gdy pojawily sig tranzystory ze zac metal-potprzewodnik. Zrozumiate, bezwindnosé w cwolugji terminologii powodye ie r6wnied obecnic nazwy JFET Iub FET sq czesto udywane do o tranzystoréw polowych ze zlgczem p-n, ktére jednak konsekwentnie bedzi nazywaé tranzystorami PNVET. Tranzystory PNFET sq wytwarzane pravl wylgemie krzemu i mog mieé kanat typa m lub p.— 357 story MESFET majy znaozenie wylgemnie jako elemonty mikrofalowe, dlatego 59 wytwarzane % GaAs typn m, tj. materiata o bardzo dudej ruchliwosei nognikéw. ikio tranzystory TERT sy wytwarzano 7 patprzewodnikéw monokrystaliornych. ‘sory 2 izolowang bramka moga byé wykonano 2 pélprzewodnika monokrystalion- nego (praktyeznio biorge w skali technioznej tylko x krzomu) Inb polikrystalion- nego (najezesciej sp to zwigzki typu Ay, By,, jak np. CdSe, Ca8 itp.). praypadku podstawowg stukturg tranzystora tworny warstwy metal-izolator- =pélprzewodnik, stad nazwa tranzystor MIS (ang. Metal-Insulator-Semiconductor) Tub MISFET, prey ezym najezeSoie} funkeje izolatora spehia warstwa SiO, ang. Oride), stad nazwa tranzystor MOS Inb MOSFET. W drugim preypadku przyjela sig nazwa traneystor cienkowarstwowy (skrétowa nazwa TFT, ang. Thin Film Transistor) 2 uwagi na spéjnosé technologii wytwarzania tych tran- zystorow % technologig wytwarzania ukladéw scalonyoh cienkowarstwowych (podstawowa struktura togo tranzystora jest réwnies typu MIS). Oba rodzaje tranzystoréw (MISFRT i TFT) moge mieé kanat typu ” lub p. Bardziej szeze- golowy podziat tranzystoréw MIS bedzie skomentowany w dalsaoj tredci ror dziaha. rymunkn 6.2 liniami grubymi zaznaczono najwainiejsze rodzajo tranzystorw, tj. PNFET i MISFET. Tym tranaystorom poSwiecimy najwigee) uwagi. Uktad rozdzialu przedstawiono na rys. 6.3. Podstawawe zasady delalanta ristiniowa Fraza Siatjome L Charakterystykt statycene Neer Parametry statycone Praca dynamicena nietintowat Schematy zastepere Schematy 2astepcze é parametry dia malych czestattinasei Praca 2 malymn sygnatem (liniowa) Schematy rasteocze é pararmetry dla duzych cxgstatliwogct Pojecie Czpstotliwaset graniczne) MISFET |—e Jak wydel dla PNFET Tranzystory poiowe MESFET Krétka informagia TET Krétha intormagia Rys. 6.3 Schomatyozny uktad rozdziatyPranzystory polowe 4 Tranzystory polowe ze zlaczem p-n (PNFET) Podstawowe struktury i symbole grafieane tranzystor6w PNET praedstanti na rys. 6.4. Dla ustalenia uwagi bedziemy dalej rozpatrywaé tronzystor z kun type x, przy ezym werystkic rozwazanin odnosza sig réwnied do zkanalem typu p po uwzglednienin odpowiednich zmian formalnych (jak np. na rodzaju nognikéw pradu i zmiana. polaryzacji). pone | “Spin, §) =~ ium s{ nt ef dotna bramka Q Bolna bramka kanal typu 9 Kanal typu p A 0 4 & gear f) S ¢ 2 oe! S d) g 4) oo a s 5 : 2) _ 6 J $ 650 ys. 64 ‘Podstawowe struktury (a), symbole grafieme (b, ¢, d, ¢) i typowy kestalt obudowy il zystorow PNFET 1yslory polowe. ze zlqczem p-n — 359 b wykonania tego tranzystora jest nastepujacy. Na podlodu kezemowym typn p* (dolna bramka) nanosi sig warstwe epitaksjalna typu a (kanal), w ktore} nastepnio wytwarza sig metoda dyfuzji lokalnej warstwe p* (gérna bramka). Korieowa operaej, jost wykonanic kontaktéw metalowyeh do warstw p* (ole- ktrody gérnoj i domnej bramki) oraz do kanalu typu » (clektrody érddla i drenu). Struktary tranzystoréw sy przedstawione na rys. 64a bez zachowania skali, gdyé chodzi tuo pracjrayste pokazanie poszezegdluyeh warstw. Dla lepszej orientacji w rzeezywistych proporejach na jednym 2 rysunk6w podano przy- blizone rozmiary. Najistotniejsze sq rozmiary lanatu. ktére oznaczono na- stepujaco: L—dlugosé (wyznaczona przez krawedsie warstwy dyfunyjne] gore} bramki), 2a —grubosé, Z—srerokos¢. Przedstawiona struktura’ jost calkowicie symetryczna, a wige réiniea migdzy érédlem a drenem jest. tylko umownsa. O ile w tranzystorach bipolarnych struktura symetryezna, tj. taka, w ktérej funkoje omitora i kolektora bylyby wzajemnie zamicnialne, jest raadko spotykana, o tyle tranzystory PNET bardzo oxesto maja budowe symetryezna. Zatem nazwy grédto, dren wynikaj ze sposobu polaryzacji tych elektrod. Prad w kanale jest stramieniem noSnik6w wiekszosciowych, dostarezanych przez jedng elektrode, ktéra nazywa sig #rédtem, i odbieranyeh praoz druga clektrode, ktéry nazywa sig drenem. W praypadku tranzystora z kanalem typu » (prad kanalu jest strumicniem elektronéw) drenem jest ta sposrod dwu roz- patrywanyeh elektrod, ktéra ma wyzszy potencjal dodatni. Natomiast w pray- padku tranzystora 2 kanatem typu p (prad kanalu jest strumieniem dziur) drenem jest ta sposirdd dwu rozpatrywanych elektrod, ktora ma wyiszy potenejal ujemny. ‘glue koicéwki tranzystora sq oznaczono nastepujacymi literami: S —drédlo (ang. Source), @—bramka (ang. Gate), D—dren (ang. Drain). jjaly stale elektrod wzglgdem pewnego wspélnego punktu odniesienia (masy) bedziemy oznaczaé nastepujgco: Us — potenejal 4rédla, U, —potenejal bramki, U,— potencjat drenu. ice potencjatow micdzy dwiema elektrodami oznaczymy np. Ugg (napigoie bramka- ~frodto), Ups (uapigeie dren-érddto) itp. le grafieme tranzystoréw, w ktorych sq wyprowadzono konoéwki obu bramek (g6rnej i dolne}) przedstawiono na cys. 6.4b, Obowigzuje ogélna zasada strzatko- wania od obszara P do N (zgodnie z konwonojonalnym kierunkiom przeplywu pradu, ezyli zgodnie z kicrunkiem strumionia daiur). Najezesciej obie bramki sy zwarte wewngtrz obudowy i tranzystor PNFET jost olementem trdjkoneswko- wym, ktérego symbole grafiezne (trey warianty) przedstawiono na rys. 6.40, 4, e, Normy TEC zalecaja symbole pracdstawione na rys. 6.40, jednak dwa porostate warianty symboli sq eaesto stosowane ao wzgledu na Iatwoss ich kreslenia (w tej ksigzee bedzie stosowany wariant 0). Typowy ksztalt obudowy tranzystorw PNFET (widzianej od strony wyprowadzen) i uklad wyprowadzen cloktrod przedstawiono na rys. Of. opréea symetrii tranzystora PNI'ET uwzglednimy réwnied, 2e pracuje on tylko prey polaryzaeji zaporowej zlgeza bramka-kanat, to uzyskamy tylko jedon spoab polaryzaoji tego tranzystora (rys. 6.5) (0 ileé to progeiej niZ w praypadku tran-Tranzystory polowe ys. 6.5 Sposéb polaryzacji Kanal type Kanal typu ‘PNFET aystora bipolarnego, w ktérym byty eztery warianty polaryzacji i wynika stad zakresy: odcigcia, nasyeenia, normalny i inwersyjny). W praypadku kanalu typu 1: Ugs <0 Ups >0 W praypadku konalu typu p: Ues > 0 Uys <0 Rozpairzmy teraz jakosoiowo clementarne zasady dzialania tranzystora PNFET, pi a dokonamy analizy iloseiowe} podstawowych charakterystyk, parametréw i mi tych tranzystonow. Zasady deialania tranzystora PNFET — opis jakosciowy Poniewas najistotniojszo gjawiska zachodzy w obsrarze kanalu znsjduji sig pod bramka gérna, dla uproszezenia bedziemy ropatrywaé wyidealia ” “a ae Ne Rys. 6.6 Wyidealizowana stnukt tranzystora PNFET strukture przedstawion na rys. 6.6 (stanowi ona jakby wyoinck ree struktury planamej). Interesujace 6 dwie charakterystyki tranzystora, — prerjéciowa Tp(UosMovs = cont — wyjsciowa Tp(Ons\laes = consi wyznaezane w ukladach pracdstawionyeh na rys. 6.7. Zjawiska okreslajgce prachiog charukterystyki przojéoiowej, tj. zaloimosé predu (pradu wyjsciowego) od napigeia bramka-Arddto (napigeia wejéciowego) ikzystory polowe ze 2lgczem p-n — 361 Rys. 6.7 Uklady wlaczenia tranzystora pray pomiarze charakterystyki projéeiowo} (a) oraz wyikeio- we} (b) Pravkré], oreez ktory alynte arqd kanal gy Ung=6 Up | Ue Rys, 6.8 Hustracje profili kanalu, wyjasniajace praebieg charalcterystyki przojsciowej prackroje tranzystora praedstawione na rys. 6.8. Dla uproszezenia jest rozwatany praypadek bardzo malego napigcia dren-Zrédto (Ups > 0). W stanie bez po- laryzacji bramki (Ugs = 0) warstwa zaporowa zlyeza bramku-kunak wnika na niewielk glebokosé do obszaréw typu p* in. Poniewaz obszar bramki (p+) jest o kilka mgdéw wartogei silniej domieszkowany niz obszar kanalu (n), ‘warstwa zaporowa wnika o wiele glebiej do kanalu niz do bramki. Dlatego w dal- azych rysunkach w ogéle pomija sig warstwe zaporowg w obszarze bramki. 7 rordzialu 3 wiadomo, ze warstwa zaporowa jest obszarem o zubosonej kon- centracji nosnikéw, a wiee o bardzo duzej rezystywnosei. Stqd wnioskujemy, ze prad kanalu plynie tylko w obszarze ogranicaonym przez keawedaie warstw zaporowych (przekréj zamaczony na rys, 6.84). W aniare jak wzrasta wjemna wartosé napigcia Ugs, warstwy zaporows rozszerzaja sig, powodujge zmniejszenie przekroju kanatu (rys. 6.8b). Warasta zatem regystancja kanalu, czyli pray Ups = const moleje prad drenu. W miare dalsxego zwigkszanin napigeia Ugs dochodzi do xetknigcia sig obu warstw zaporowyeh, czyli kanal preewodzaey przestaje istnied i prad drenu osiaga wartosé zerowa (rys. 6.8¢). Taki stan jest nazywany odcigciem lub zatkaniem, a wartoS¢ napigeix Ugs, pray ktore} zostaje on zapoezatkowany, jest nazywana napigciem odeigeia lub zatkania (ang. pinch-off voltage) i omaczana przez U,. Dalsxy warost ujennej wartosci napiecia wejioio- wego (\Uosl > [Upl) nie zinienia pradu dreau, a moze tylko doprowadsié do przebivia zlqoza bramka-kanal. Rezystaneja dren-érédio w stanie zatkania jest bardzo dua i wynosi kilka gigaoméw dla tranzystoréw’ malej mocy (jest toTranzystory polowe ig Jeteli przyjmiemy model zlaoza skokowego (prey zalozeniach uprasacaajycyeh: &. wartosé poréwnywalna z rezystancja #tgera p-» spolaryzowanego zap Dotychozas rozpatrywaligmy tylko polaryzacjg zaporowa zhycza braml Tooretyeznio tranzystor mote pracowaé réwnick przy polaryzacji w przewodzenia, jezeli napigeie Ugs nie jest wigkere ni napigeio dyfuzyjno. takie warunki polaryzacji nie maja sonsa praktycznego”, gdyz efekt m przckroju kanal jest bardzo slaby (wezenie warstwy naporowej znacznie 4 500} od kanalu), a pray tym w obwodrie bramka-érédlo plynio duzy prad j wodzenin, ezyli tranzystor traci sw najwigksza zalote —duia reaytil wojiciowa (rezystancja wejéeiowa pray polaryzacji raporowej zlacza br -kanal jest redu gigaoméw w tranzystorach malej mocy). Chociad roxy te maja charakter tylko jakosciowy, to jednak bez truadu moina zapro prosty zapis analityczny eharakierystyki przojseiowej dla makych w napigcia Ups. Pray Ups = const prad drenn jest odwrotnie proporojou do rezystancji kanaka 1 ~ He Korzystajae x omaczei wprowadzonych na rys. 6.6: Ty 1 Bom Xe = 2a-d) Zastom, Ip ~ 2(a—d) dla Ugs = 0 oraz napigeie dyfuzyjne zlgeza bramkn-kanat py = 0), to: dx (Ces)? daa da Ug =U, Toft Uas=0) 4) ofloos=ahe 7 a5 Gallet a5 0 Welt Os o Rys. 6.9 Charakterystyki przojéoiowe Ip (Les)? 8) pray Uns % 0: b) pray Uns # 0 Taki spos6b polaryzacji jost stosowany w trangystorach jednozlaczowyeh (ro! tds maja, budowg podobna do tranzystoréw PNFET, lez dzinlajg na zupelnie i sudzie.ystory polowe ze alqezem p-n. —~ 363 a wieo Ines) od oy (Has) TnWes = 0) ~ 2a VG, » Na rysunku 6.9a wykreslono charakterystyke przojfoiowa, obliezona wedlug tej zaleinosei. Nalezy podkreslié, zo jest to charaktorystyka dla, bardzo mabyeh wartosei napigeia Ups. pray ktérych tranzystor mona traktowaé po prosiu jak rerystor liniowy sterowany napigciom (sterowanic jest nieliniowe). Na tysunku 6.9) przedstawiono wykresy charakterystyki 1p(Ugs) dla réznyeh wartosel Ups. mjmy teraz przebieg chatakterystyki wyjSeiowej. Korzystajae 2 rys. 6.10 rozpatrzymy najpierw najprostezy praypadek dla Ugs = 0. Prey malych (6.1) 9 6 4) é Se aa) TL Ss) oon as} y 73 axetil, FS (ai as 6 Us=0 O| 4 | Rys. 6.10 Tlustracjo profili kanata, wyjasniajace przebieg charakterystyki wyiseiowe] dla Ugs— 0 wartogciach napigcia Ups ~ jak stwierdzono wyiej — tranzystor zachowuje sig jak rezystor liniowy, ezyli prayrosty pradu drenu sq wprost proporejonalne do prayrostu napigein Ups. Jednak w miare zwigkszania napigcia Ups nalezy uwzglednié rozktad potencjata wzdtué kanalu, utworzony wekutek spadku napigeia na rezystancji kanalu od przepkywajacego pradu kanalu (prad kanal jest réwny pradowi drenu). Obraxowo ilustruje te sytuacig rys. 6.10e dla konkret- nego praypadku Ups = 2 V. Bramks stanowi powierzchnig ekwipotencjalna © potencjale zerowym. Kanal jest reprezentowany przez laficuch reaystoréw, na ktérych powstaja spadki napieé od praeplywajacego pradu kanalu, Wekutek réiniey napieé migdzy bramka a kanalem zlzeze bramka-kanal jest polaryzowane w kierunku zaporowym, pray caym im blizej drenu, tym ta polaryzacja jost silniejsza. Na przyklad dla przekroju 4-4 zlycze bramka-kanal jest polaryzo- wane zaporowo napigciem 1,5 V. Odpowiednio do te} polaryzaeji rozsaerza sig warstwa zaporowa zlgcza bramka-kanal, czyli maleje efektywny praekrdj (Xo). Taki stan ilustruje rys. 6.10b, na ktorym widad, te geubos¢ warstwy za- porowej jest wieksza w poblizu drenu. Prad kanatu plynie w obszarze typuTranzystory polowe no keztalcie Klina, ktérego profil wyznaczajq krawedzie warstw zal Rezystancja kanalu jest w tym praypadku wigksza nis dla Ups = warost napigoia Ups powoduje dalsze ,zaciskanie” kanatu, zwigksea si rezystanoja kanalu i prayrosty pradu drenu nie moga byé wprost propor do prayrostéw napigeia drenu, Rezystancja dren-Zrddlo Rps jest wige nis a prayrosty pradu drenu, odpowiadajace kolejnym jednakowym napieoia drenu, sq coraz mniejsze. Nalezy rownie zauwazy’, Ze ror tonojatu wadlut kanalu nie moze byé réwnomierny, jak to przyjeto na Gdyby podzielié kanat na sckoje o jednakowych dlugoseiach, w6 pologone blizej drenu mialyby wieksza rezystancje 2 uwagi na mniejezy p kanalu, Weskutek tego spadek napiecia odklada sig glownie na odei dujacym sie w poblizu drenu, a praekr6j kanalu praypomina swym przekr6j pucharu spoczywajycego dnem na krawedzi, 2 ktérej jest wyprows hoticéwka drenu. Jezeli wreszcie napiecie Ups osiggnie wartoSs Ups =| to obie warstwy zaporowe zetkna sig w punkcie polozonym w poblift (punkt ¥ na rys. 6.10c) i nazywanym punktem odcigcia (napieoie U, jesh wen jué zdefiniowanym napieciem odeigcia). Dalszy wzrost napigeia Ups nie pove prawie dadnych zmian prada drenu, gdyz caly przyrost napigcia U7; wartosé [U,| odklada sig na rozszerzajgeym sig obszarze zuboionym (ol Y, ¥’ na rys, 6.10d). Méwi sie w tym przypadku o nasyeeniu pradu drenu Calq charakterystyke pradowo-napigciowa Lp(U ps) dla Ugs = 0 przedstawiono 2 Gla, na ktorym zaznaczono charakterystyerne punkty: napigcio odéi Q lp Un sat Zakros I ee aienasycenia. nasyreni ratieg=— f= (pantadeng) D) No ! Ung=0 oss fc 0 Tore Us ss ke * Yas, Rys. 6.11 Charakterystyki wyiéeiowe Ip(Ups/Ugs: a) dla modelu uproszczonego; b) » uwagled nachylenia w gakrosio nasyoonia U,, prad nasyconia Ipss oraz punkty a, 6, ¢, d, odpowiadajqee profilom pl stawionym na rys. 6.10a, b, ¢, d. We wstepie do tego rordziakn sugerowalismy, Ze tranzystor polowy jest elemen skomplikowanym (w sonsie zlo¢onosci zjawisk fizyeznych). Jezeli nawet eras prezentowany opis dzialania tranzystora PNFET potwierdza te t na pewno nie dotyezy ona zjawisk w stanie odcigcia. Interpretacja zjawisk kresie Ups > |U,| nie jest prosta i kilka wydoj podanyeh faktow wyn datkowego komentarza, Niejasne moga byé praede wszystkim dwie §Teanzystory polowe ze zlaczem pr — 365 4, — Dinczogo w opisie charakterystyki wyjéciowe} pojawila sig wartoSé napigcia od , _ digein U,, ktéra byla wprowadzona pray opisio charakterystyk przejéciowej? 4: — Skoro warstwy zaporowe zetknely sig pray drenie, to kanal zostal przerwany, dlaczego wigs prad drenu jest staly, a nie maleje do zera? i wiedd na, piorwsze pytanic jest nastepujaca, Omawiajge charakterystyke przojsciowa. i 1 Wprowadzono pojecio napigcia odeigeia jako takiej wartoSei napigoia Ugs, pray s — Ktérej nastepuje zetknigcie krawedzi warstw zaporowych, ezyli grubosé kaide} 4 warstwy zaporowoj staje sig réwaa polowie metalurgiezne} grubosci kanal | ; (d =a). 0 ile w praypadku omawiania charakterystyki praejéoiowej zmieniano- q potoncjal bramki wgledem ustalonego potenejatu dréda (konatu), o tyle w prry- padku charakterystyk wyjSciowych wystepuja zmiany potencjahi kanaku wagle- dem ustalonogo potencjalu bramki. Dia pracy ziqeza pt-n istotna jest tylko rétniea napieé migdzy obu warstwami. Warunek d = a gaistnicje wowenas, ] gdy ta réimicn napieé osiggnie wartosé U,, co stanie sig najpierw pray drenie, i jezoli potonejal Uy w punkoie Y (rys. 6.10c) mierzony wagigdem potonejalu } bramki (dla Ugs = 0 jest to potencjat zerowy) osiagnie wartosé |U,|. Waranek | Uy = |Upl i mozno utozsamiaé 2 warunkiem Ups = [Upl tylko w tym przypadku, jezeli pominie sie spadek napigeia na odeinku od punktu ¥ do elektrody drenu, Rezystaneje tego odcinka nazywa sie rezystancja azeregour, | drenw i omncza przer rp. Prez Uysq omnaczymy napigeic drenu, przy ktérym. rozpoezyna sig stan odeigeia, ezyli prad drenu wehodzi w zakres nasyoonia (in- i deks sat od ang. saturation —nasycenie). Zatem dla | H Ves =0 Dose = |Upl pray rp = 0 (6.2) Iub Vnsu > Up] pray ty 20 (6.3) Mdpowieds na drugie pytanie jest trudniejsza. Istotnic, konsekwenoja, zalozenia o braku | © Przeplywu pradu w obszarze warstwy zaporowej jost przorwanie drogi pradu f w punkeie Y przy polgczeniu sig obu warstw zaporowyeh. Oznaczaloby to jednak, I 20 Tp = 0, a wige miktaby prayezyna rozszerainia sie warstw zaporowych (brak | pradu oznacza brak spadku napigcia w kanale, ezyli brak polaryzaoji myeza i bramka-kanal}. Jest to logieme zapraeezenie nie tylko modliwosei spadku war- | tosei pradu drenu do zera, leox w ogéle jakiegokolwiek zmnicjszenia sie pradu dronw. Bo przeciez jesli zaloty sie, 4e warost napigcia Ups powodujo mnniejszenic pradu Ip, to konsckwentnie: » maleje spadek napigcia w kanale maleje szerokoké warstwy zaporowej 4 warasta przekréj kanaln 7 + warasta, prad drona 1 0 przecny postawionej texie. | 5Tranzystory polowe _ Prad dronn zatem moze tylko sig zwigkszaé lub nie zmieniaé sig. Zeby weasadnié snot praoplywn pradu mimo odeigcia kanalu, trzeba prayjaé, Ze istnicjo tea nognikow rdwnies w obszarze zubozonym. W istooio na odeinku Y, ¥" 6.104) istnieje skladowa w2dtuima, pola cloktryemnego, unoszaca elektrony wt ne drenu, podobnie jak dla elektronéw wymiatanyoh z bazy prez pole elel ne warstwy zaporowej baza-kolektor w tranzystorze biplarnym. MoZna rv prayiaé, %¢ do calkowitego zetknigeia warstw zaporowyeh nie dojde w miarg zwedania sig kanalu natezenie pola clektryeznego w niewielkim od praylogajgeym do drenu uzyskuje tak duze wartosci, 2 nastepuje nas} szybkoéei unoszenia elektcondw (szybkosé nio nwigksza sie pray dalszym nateZenia pola), Powoduje to oozywiseie naayoonio pradu, a dalszy pr napigeia deenu odklada sie na odcinku kanalu o nasyconoj szybkosei uno clektronéw, pray ezym dlugosé tego odcinks zwigksaa sig. Niezaleénie of te Ktérg z tych dwu interpretaoji prayjmie sig, waine jest, Ze kanal sktada sie jak! z dwu obsaardw, tj. obszara od érédla do punktw ¥, na ktorym odkdada sie nap cio réwne |U,)}, oraz obszarn ograniczonego punktami ¥, Y’ (moze to byé ob ladunku przestrzennego albo bardzo cienki kanal, w ktérym szybkosé uno nognikéw jest nasycona), na ktérym odkdada sig réznica napieé (Ups—| Pomija sie w pierwszym przyblizeniu spadek napigcia na odoinku od Y" do elektr dy drenu (rp = 0). ‘Na rysunkn 6,Lla opréez charakterystyki Ip(Ups) dla Ugs = 0 pracdstawiono dwie chataktorystyki dla Ugs #0. Wplyw napigcia Uss #0 na charakterystyki wyjéciowe} moina Iatwo wyjasnié na podstawie przel tranzystora, pokazanych na rys. 6.12. W stanie Ugs #0, Ups = 0 kanal j Rys. 6.12 , age acon at, ia YoanO bas beUes| rystyki wyfleiowej dla avetony réwnomiernie na cule] swej dlugosei (rys. 6.12a). W miare zwiek napigeia Ups kanal mveza sie pray drenie, az dochodsi do odeigeia pray Gciach napigcia Ups i pradu Ip mniejszych, nié to byto dla Ues = 0. pordwnanic charaktorystyk wyjSeiowyeh dla Ugs = 0 i Uas #0 jest jak poréwnanie charakteryatys dwu tranzystoréw roznigeyoh sic tylko gral kanatu, Odcigeio w tranzystorze o viehszym kanale nastapi oezy wisel mnigjyzych wartoSciach napigein Ups i pradu Zp. Poniewas warunkiem ode jest istnienie rémicy potenojaléw miedzy elektroda bramki a punktern ¥ 6.12b) rownej U,, przyjmujye, te Uy = Ups (cxyli ty = 0) otraymnje sig Uy Ues~ Uns exyli Unsa = Ues-U, prayrn.= 9Tranzystory polowe ze zlaczem p-n — 367 ‘Jereli uwzgledni sig spade: napigoin na odeinku od punktu odcigeia do elektrody drenn, to Unser > Uss~Up pray tp > 0 (6.5) WrdGny jeszezo do rys. 6.10d, teby wyjasnié rzccaywisty prrchieg pradu drenu w stanio po odcigoiu kanalu (rys. 6.1Lb). Gdyby odeinck ¥, ¥’ byt nieskotezenio krdtkt, wowoms % uwagi na niezaleinosé potenciala Uy = Upiq od napiceia Ups (przypomina sig, ze caly prayrost napigcia Ups ponad wartosé Upyg, odkinda ste na odoinku ¥, Y") oraz brak zmian keztalin kanalu w obszarze od drédia do punktu Y, prad drenn nie zmieniatby sig w funkeji napiecia U,,. Poniewad iednak odeinck Y, ¥' nieznacznie wydluza sig w miarg zwigkszania napigoia Uys, kanal (od arédia do punktu Y) skraca sig, exyli jego rezystancja maloje, co pray stalosci potenejahn Uy = Up, oznacza mvigkszanie sig pradu deem. To zjawisko, nanywane skrucaniom kanalu, wyjasnia réine od zeta nachylenic charuktorystyki Ip(Ups) w stanie po odeigeiw kanaln (rys. 6.11b). Pole charakterystyk wyjSetowych Ip(U ps) —rys. 6.lla—drisli sig na diva gakrosy (obszary). Jest to zakres nienasycenia (caysto nazywany triodowym lub liniowym) orwa zakres nasycenia (exesto nazywany pontodowym). Punkty o wspélraednyeh Zo seis Ungar (Prd Ip i napigcie Ups odpowiadajgco poozatkowi stanu odcigeia) wyznaczaja parabole (linia przerywana nu rys. 6.1la) rozdzielajyea oba te ua. ay: Reasumnjge dotychezasowe ronwazania stwierdzamy, Zo tranzystor PNEWT moze pra- cowaé Ww jednym % trzech zakresdw: — nieprzewodzenia (zatkania) dia [Ugs| > |Up|, Ups dowolne; — nienasyconin dla |Ugs} <|U | oraz |Oos| © [U pouli — nasyeenia dla [Ugs| <|U,| orax [Ups| > |Upaarl- Charakterystyki i parametry statyezne — analiza iloseiowa 6.2.2 Statyczne charakterystyki pradowo-napigeiowe rozpatraymy oddzicinie dla gakros6w nienasyeenia i nasyeonia. Prebieg charaktorystyk statyeznych w istotny sposéh zalezy od rozktadn koncontracji domieszek w kanale tranzystora. Bockemnchl) wyprowadzit réwnania cha- rakterystyk pradowo-napigciowyeh tranzystora PNEWT, wogdlnione dia do- wolnego rozkladu domieszek. Wprawdzie wyprowadzenie Bockemuohla jest bardzo blyskotliwe i cleyanekie, jest ono jednak zhyt specjalistyezne (wyrazenin. Koheowe, maja dos stozona posta calkowa), by je powtarzad w tej ksiydeo. Diatego przyjmiemy inny spos6b postepowania, a mianowieie wyprowadzimy: réwnania charakterystyk dla dwéch skrajnio rémmych praypadk6w rozklada Koneentracji domieszek, przedstawionyoh na rys. 6.13. Oba przypadki dotyeza tranzystoréw epiplanarnych (na podtoze typu p jest nanoscona warstwa epitaksjalna typu m, w kt6rej nastepnie jest wytwarzana warstwa p*), réznin~ cych sig tylko gruboseiy kanalu (gruboscia warstwy epitaksjalne)). W' prry- padku dusej gruboSei kanalu (rys. 6.130) przcjécia od obszaru p+ do n oraz od n do p sy ,,strome” w pordwnanin z gruboseig Kanata i moina prayjaé, de rozkdad koncentracji domieszek w kanale jest réwnomiorny. Aproksymowany rozklad koneentracji domieszek w iakim ‘tranzystorzo praedstawiono na rys. 6.13b. » Bookomuohl R. Re: Analysis of fiokd-effect trancistons with arbitrary charge disivibution. IEEE Crans., January 1963, Vol. ED-10, pp. 31—34.Trnazystory polowe Zakres nienasycenia g) Nah (haa) ip 0 arama | Sramka of mie rant | Ti gy Sram gira | Kent (oodiaze) 9 Alaa) Rye. 13 4 Horklady koneentraeji domieszek dia dwieh przypadkow: a), b) duza grabodd kansla ( Jdad rownomicrny); ¢), 4) mals grubo% kanalu (rozklad szpilkowy) W pmypadin cionkiego kunalu (rys. 6.130) prrejéeia od obsrara p* dor oT od. do ps4 ,lagodne” w pordwnaniu z gruboseig, kanalu i koncentracja domiesat tilnio waraste-w kioruntca od krawedai Kanata do jego osi syanetrii. Nieco wyolb niajae te sytnacie mozna przyjaé aproksymaojg rozkladu koneentrae}i domi pizedstawiona na rys. 6.13d. Jest to talk zwana aproksymacia s=pilhoua, Ot prumy charaletorystylci pradowo-napigeiowe dia obu praypadk6w, preedstavt przy okarji dwie motody wyprowarzenia tych charakterystyk, €)- vijhowania potenojaka wedluz kanalu (metoda Shookleya) dia pierwszogo pif padiew (rorklad réwnomioray) oraz metodg Indunkows, (metoda Middlebroo tla drugiego praypadku (rozklad saplikowy). Nalezy od xazu merdoiG ww fe im grabery jest Kanal, tym wigksza jost wartosé napigeia odeigeia, dla pierwazy peaypadek dotyoxy tranzystoréw o duzych wartofeiach Uy (killa Woltéw), a drugi— tranaystorow o matych wartoseiaeh U,, (kilka wolt6w). 623 Rozklad réwnomierny domieszek w kanale Zanim wyprowadzimy zulednosei opisujyce charakterystyki statyemne w cal akresie nicnasyconia (0 < Ups < Ups), warto przedstawié prosta Gla przypadkn bardzo matych napieé dronu (0 < Uns < Unsu)» sive teanzysior pracuje Ww tym zakresie jako liniowy rozystor sterowany nap Proypadek 0 < Ups < Uns Praybiizony prachieg charakterystyki prze} dla Ups © 0 jest jus many % poprzedniego punktu. Terax bed, wyprow dokladniejsze zaloinoSei, Poniewas tranzystor mozna traktowaé jak reaystor wy, atem Ty = Gos UpsTranzystory polowe ze 2lqczem p-n — 369 pray ezym: Gos = 0 Ah —konduktaneja, kana 627) Oc =Gn™ + —KonduktywnoSé pélprzewodnika w obszarze kanalu (przyjmuje sie dalej 2, ~ Vp) (68) Xe = 2(a—d) (6.9) Moina zapisaé nastepujgce zaleznoSci mane 7 teorii skokowego tlacza pen: d = ulps—Ues)? (6.10) d= a dla Ugs = U,, zatom a= 2(pp— Up)? (6.11) pray caym | ae, |? n= oe qo Na podstawie zaleimoSei (6.6) do (6.11) otrzymuje sig 4 Fy = 66-F 2L (Gu Up)? — (py — Tes)" os (6.12) lub inaczej Ip = ps0 i! - (me) Je (6.12a) , oa—U,/) ”° prry. exym Goso = 0 at Ckondultancja kanalu 0 grubogei_metalurgicznej (6.18) oniewaz napigcie odeieoia U, przyjmuje wartosei od kilkn do kilkudziesigcin woltéw, : 8 Ga © 0,7 V (dla tranaystorow krzemowyeh), najezescie) moi prryias, x: | oa <0y| vn < [Test Stad wyradenie (6.120) moina uprogeié do postaci znanej jud 2 p. 6.2.1 U, uz Tn = G50 [-( Yes) ]ers (6.14) . > Teraz wyprowadzimy réwnanio charakterystyki pradowo-napigeiowej w calym zakresio nicnasycenia. Caly zaleces nicnasyconia (0 < Ups < Upea:)- Charakterystyke Ip(Uns, Ves) wyanacsymy calkujge wadluz kanalu spadii napigé na clementarnyeh wy- cinkach kanaka (rys. 6.14). Cayni sig pray tym dwa zalozenia: 24 Prayready polpreewodnikows...Tranzystory polowe - L Rys. 6.14 “ycementany wycinek Piveked} struktury tsanzystora, na Klay (tana zaznaczono clementarny wycinek kanal — prad kanaki dla dowolne} wspéhzgdnej y jest réwny pradowi drenu, ¢0 z nasady oigglosei praca w stanio statyczmym ; — ako napigcic Ups odklada sig na kanale 0 dlugosei L, ozyli pomija. sig 9 napieé na obszarach miedzy rédlom a poczatkiom kenakt oraz migdzy kotiva kanal a drenom. Spadek napigcia na elomentarnym wyeinku kanalu dy, zaznaczonym na rys. 6.14 dy AU = [pd Re = Ip — ode = In cZ> 2{a—d(y)] potangjatga anaha w punkoie y. Zetem wnalogiezaie do (6.10) Ay) = Aga Ves + Uy)? Po podstawionin (6.16) do (6.15) otrzymnje sie réwnanio rétniozkowe pierwszogo rit kt6re po rozdzicleniu zmionnych calkuje sig od #rédla (pray ozym y = 0, U = 0) do drenu (pray ozym y = L, U(L) = Upg). Po wykonanin i wvaglednieniu (6.13) 28 . = Ooo | os | ~ thee Ves + Uns? —lna— Ves} Poniowas awykle |p| < |Uesl. [Uosl, w prayblizenin zatem 2 In ® aso Uos~ pe Wes- Vexi?— Weel} Do tych réwnai podstawia sig napigcia z wlageiwyini znakami, tj. dla tranzy z kanalom typu n Ups ze anokiem +”, a Ugs se zuakiem ,,—” Rozklad szpilkowy domieszek w kanale Zastosnjomy analiag Indunkowa, w ktérej podstawowa zaleznoseig, jest zig miedzy pradem i ladunkiem ruchomym w kanale oraz ezasem jego praclotu | 1) = 2 tp W praypadkn tranzystora PNET mona preyjaé, éo Indunck rachomy Kanan Qe) jest rowny rééniey oalkowitego ladwnku mchomego, jak, w kanale pray napieciu. Ug = 0 i tadunku praestrzennego w warstwie zap woj (rys. 6.15) 1@el = 1Gol-|@nlranzystory polowe ze 2laczem p-n - = 37r (se-%e) Rys. 6.15 Tlustracjo Jadunkéw Ww traneystorze ©. szpilkowym’ rorkladzie “koncentracji domieszek Calkowity Indunck w kenale—Qo3 po- wiorzchnia zakrosiowans w kanale — Qo 5 powierzchnie,zakropkowana — Qe; IQal+1@cl = IQol pray ozym: Qo—eatkowity lndunek ruchomy w kanale pray Mas = 0, Qe — jadunek przestrzenny (nieruchomy) w warstwie zaporowe}. uly ladunk6w waigto dlatego, 2 Qo jost ujemne (elektrony w kanale typ), & Qp— dodatnie, Zachownjqo znaki nalezatoby napisat Qc = Qo+ On (6.208) Z kolei czas prrelotn waa przy ezym v, — szybkosé unoszenia clektrondw. pierwszym przyblizeniu przyjmuje sig, Z¢ natgéenie pola elektryemego nie zmicnia sig - wadluz kanatu, o7yli E =p, nD = poy a wiee LP p= (6.21 Po Halos ) Wyrazenie (6.19) mozna zatem zapisaé w postaci l= Qo vo Inl'ps (6.22) Poniowad dla Ug = 0 ladunck Qy = 0 oraz Ip = GosqVns, podstawinjao zatem do (6.22) Qy = 0 otraymuje sig Gnso = Un Be (6.23) Nie naledy praywiqzywaé zadnej wagi do tego, te podstawienie ujemnej wartosoi Qo daje ujemna wartoss Gpso. Konduktancja Gyso jest w sensie figyemnym zawsze dodatnia, co wzyskalibyémy formalnie uwzgledniajac konweneje znakowa- nia pradu. Wéwezas nalezaloby do rownania (6.22) wprowsdzié anak .,—", gdy2 prad drenu -powinien byé dodatni, odpowiednio (6.23) mialoby postaé Goso = — thn eeTranzystory polowe 4 Se to jednak uscislenia formalne, wige pominiemy je w dalszyech rozwataniach, ‘A wige (6.22) moina przepisaé w postaci Ty = Capo(t + 84) 5 8s Porostaje tyIko okreélié aalcinosé Indunk Qy od napigé Vos, Ups. Joéeli_pominiomy egéé Indunku Qz, ktéra jest zawarta w obszarzo stabo domieszkowanym (6 cinek b na rys. 6.13, 6.15) oraz prayjmiomy, te praktyennie biorge b ~a, to m ~ zastosowaé’ model’ Kondensatora plaskiogo. Prayjmuje sig wico, #0 1 Qp jest. gromadazony niejako w okladeo Kondensatora pluskiego, pray 6 odlegloss migdzy okladkami jest réwna a. Ton kondensator jest polaryzo nicjednakowo wadhv kanalu, a, mianowisie pray Zrddle napicoie na old wynosi Ugs, ale pray drenio jest ono réwne (U¢s—Ups). Prayjmiemy, #e ladun Qn jost proporojonainy do wartosei érednicj napigeia bramka-kanal liczba 2 wynika % symetrii kanatu. Po podstawieniu (6.25) do (6.24) uvzgledniajge, ze Q a y= oe ( otrzymuje sig Ubs In = B| Wes—0,Uos-—2 @. ry eaym B = Apso/U,. Kornystajne % (6.23), (6. 27) p przepiszemy wspélezynnik 8 -w innej postaci p-tre, Moéna tez wprowadzié pojecie pojemnosci OF, obliczane} na jednostke powierzehni (Cf | 2ZL) i woweras uwzgledniaje (6.26) otrzvmuje sie rr ba Reasumujac — Goso tng _ tn ZCS ba (6 Zobacrymy dalej, ze rownanie (6.28) jest stuszne réwnies dla tranzystora MIS, co 1a bardzo duze maczenie, gdyz pozwala ujednolicié metody analizy dla obu roda jéw tranzystor6w (PNFET i MISFET).mezystory polowe ze 2lqczem p-n — 373 nasycenia 6.2.2.2 ozktad réwnomierny domieszek w kanale Rownania (6.17), (6.18) maja sens tylko w zakrosio |Ups| < |p .sael- W takresie nasycenia (\Ups| > |Upzql) moana prayjaé w pierwarym prayblizenin, te prad drenu nie zmienia sig i jest roway Ip = Ipser dla Ups = Ups. Po podstawienin (GA) do (6.18) otrzymuje sig u 2) 0.\ Tous = oso = St 4 Vast 2 (Her) "Ih 630) , Poniewas psa: = Ipss, dla Ugs = 0, zatem Tost _ 13 Vos 49{ Yas)” Tee +2 ) (31) przy ezym vu, Tass = —Gos0- SP (622) ozktad szpilkowy domicszek w kanale Podobnie jak w poprzednim praypadku prayjmuje si, #e prad drenn w zakresie nasycenia nie zalety od napiecia Ups i jest rowny wartosei ‘Fy sq dla Ups = Up sate Po podstawieniu (6.4) do (6.28) otrzymuje sie Jo sat ( Fes) =(1- (6.33) Toss TU, (6.23) pray exym . U, Loss = ~ ps0 (6.34) Rys. 616 Charalstorystyki przojéciowe wedlug (6.81) (krzywa 1) orax wedlug (6.33) (kraywa 2)Pranzystory polowe —§ Tub w inne} postaci Isa = 8 Was — Uy? Charakterysiyki przejsciowe zgodue x wyrazeniami (6.31) i (8.83) poréwnano 6.16, na ktérym pokarano réwniok sposh wyznaczania, konduktancji wedlug zalezosei (6.32), (6.34). Wi dokladniejsze} analizie charakterystyki pradowo-napigoiowej w zakrosie nm nalozy uwzgledaié w obu priypadkach ofekt skracania kanal, ktory po) de charakterystyka Ip(Ups) aa nachylenie rane od zora (rys. 6.11b). czas ae 15 = Toul) pray ezyin 6 — odeinek Y, ¥’ na rys. 6.10d. . Oadzicmym i truduym problemem jest wyznaczenie zale¢nosei 5 od napigola Upsy'! ogo nic bedziemy dalej rozwijaé wyrazenia (6.36) traktujae je Q wakaz6wke informujgea, w jaki sposéb cfekt skracania kenalu modyfi prrchiog charakterystyki pradowo-napigeiowej. Parametry statycene Dwa zdefiniowane wezoSniej patametry statyezne: — T, —napigcio odcieoia, — Ipss — prad nasyeonia dla Ugs = 0, wyrazimy w funkeji parametrow firyemych i konstrukeyjnyeh Na podstawie (6.11) otrzymujemy dla rozkladu réwnomiernego w kanale Na podstawie (6.27), (6.26) otraymnjemy dla rozkladu szpilkowego dom w kanale (prayjmuje sig Qo = 2¢N LZ) _ gN pea U,p= > - Na podstawie (6.82), (6.37) dla pierwszego przypadku (rozklad réwn Goso | na? Loss = wo (2 p ~on) 3 pry ozym 2e, Pat, S50 = Un N op Na podstawie (6.34), (6.38) dla drugiego praypadku (rozklad szpilke Enso INvca Logs = SEmzystory polowe ze 2luczem p-n — 375 przy ezym inNoch G50 = 2 a? 2 dee tych dwéch parametrow w katalogach zwykle podaje sig jeszcze nastepujgee parametry statyeane: — Ppscoyy —rezystancja dren-érédlo pray Ugs =0, Ups © 0, jest to inaczej ‘ps0 — Tess —prad bramki pray duiym napigcin Ugs i zwareiu drenu ze érddtem (os 3 — BU gs5—napievie przebicia bramka-xGdlo pray Ups = 0; przebieie okresla sig jako taki stan, w ktérym prad bramki osigga pewng dosé duia wartosé (up. I = 1p). foiel otatycany tranzystora PNEBT 62.24 . Najprostezy model statyemy tranaystora PNFET przedstawiono na rys. 6,178, na ktérym Rye jest rexystanc)y dyeza brama-kanal spolaryzowanego w kieranku zaporovym (kilka megaomdw do kilku gigsaoméw), a zulezne Zrddto pradowe De ode “i a) In(blees Los) of s go SS Rys, 6.17 Dwa modele statyezne tranzystora PNFET 1—symbol sterowanego érédla pradowego opisanego réwoaniami charakterystyk tranzy+ stora PFET. a BY nto mm postaé odpowiednicgo réwnania charakterystyki pradowo-napiceiowej (6waania (6.18) lub (6.28) dia zakresu nienasyeenia oraz (6.31) Inb (6.38) dls, zakresu nasyeenia). dokladniejszym modein nalezy uwzglednié rezystancje sxeregowe drédia i dren (rys. . 6.17), ktdryeh wartoSei sy awyklo mniejsze niz kilkadziosint oméw. dynamiczna nieliniowa 6.2.3 Roakeja tranzystora PNFET na szybk zmiang warunkéw polaryzaeji nie jest natychmiastowa wskutek dwu zjawisk: — Isdowanie warstwy caporowej ziyoza bramka-kanal, — skofiezony ezas preclotu nosnikéw przez kanal. sania, przeprowadzimy dwustopniawo. Najpierw rozpatrzymy exgéé wewngtrena tranzystora (taw. tranzystor idealny), ngodnie z podzialem struktury trenzystora, pracdstawionym na rys. 6.18. Nastepnie uwzglednimy clementy reprezentujaoePranzystory polowe. Rya, 6.18 Struktura teanzystora PNFET, ilust sons fizyozny poseczogélnych 2 hal schematu zastepezego. Kierumek: Cops wewnigtrana bratoki odpowiada skokowi napigtia, (tranzystor ideainy) ‘od zora do wartofei ujemne} exeSé zewnetrana, otrzymujge w ten spossb model taw. tranzystora rze go. W stanie ustalonym prad bramki jest, praktyomie biorge, rowny zeru, a prady i drenu sq sobie réwne. Natomiast w stanie nicustalonym, spowodowan gwaltowng aimiang napigcia Ugs, plynie prad bramki (prad przesuniecia zany z ludowaniom warstwy zaporowej), a wige 7godnie z prawem Kirchli prady arédla i drenu réinia sie. Réwnanic prodéw, wwzgledniajac ich rzeczywiste kieranki (rys. 6.18), dla tran z kanalem typu 2 ma postad ig = ip—is Poniewa% prady érddla i drenu sq mwiqzane x ladunikiem kanalu, zatem Qc ipwis = HE Zaklada sie, te aiaiany tadunica kanal sy quasi-réwnowagowe, eo oznacza, Ze bie wartosciom napieé vgs, Ups odpowiadaja niemal ustalone rozkledy tad Qc. Zaloienie to omacza inaeze} pomninigcie wplywu skoiezonego ezast pr nognikow w kanale. W rzeczywistych warunkach jest to zalozenie uspra wione, gidyi zwykle ezasy natastania lub opadania napies polaryzacji s4™ niz ezas przelotu. W granioznym przypadku dla skoku jednostkowego napiecia ues ze axédla napi stala ezasowa procesu przeladowania warstwy zaporowej zlgeza bramba! jest réwna ezasowi przclotu nognikéw pracz kanat. Gdyby ezas praek uiszy niz stala ezasowa przcladowanin warstwy zaporowej, wowers Jadunku Qy (w warstwie zaporowej) powodowalyby ladowanie kanaky, elektrony usuwane z warstwy zaporowej do kanalu nie bylyby odpoy seybko unoszone z kanal do obwodu zowngtranego. Taki stan bytby fi nierealny, gdyé kanal, tak jak baza w tranzystorze bipolarnym, jest obojetny ‘elektrycznie. Zatem stala ezasowa procesu przekulowania want zaporowej jest Téwna ezasowi przclotu w praypadku sterowania x ideals drédia, napieciowego (ten wniosek potwierdzimy odpowlednimi wzorami j omawianiu ezestotliwosci granieznoj). Jozoli jednak wemiemy pod uystory polowe ze zlqczem p-n — 377 storowanio z0 rédla o skohozonoj rozystaneji wewngtrzne] i ponadto uwrglednimy wplyw zjawisk inoreyjnych, wnoszonych praoz ezedé zowngtrang tranzystora, to czasu przolotu mogna nie uwzglednia¢ jako macanie krotszego ni stala ezasowa procesn przcladowywania warstwy zaporowej. Takie jest uzasadnienic zatozenia © quasi-réwnowagowych zmianach ladunku w kanale. Prayjmnje sig wie, % Qc zmicnia sig w funkoji ozasu wskutek zalezmosci podrednie), tj. Qc jest funkeja, napiccia, a napieeie jest funkejg czasu Qc = fUas, tas~Yns) (6.43) ileay zouwatyé, Ze jako drugy zmienng niezalezna wybrano nie tps, lees %es—tps = = Ucp. Takie podejgeie umodliwia uzyskanie bezposredniej reprezentacji mo- dolowej tak wainego zjawiska, jakim jest sprzezenie bramka-dren, Na podstawie (6.43), (6.42), (6.41) Me, dltes , Oe. ducn cs dt * Cugp dt Prayrosty Tadunku kanalu sq wywolane odpowiednimi przyrostami ladunkw warstwy zaporowej (6.44) AQc = —AQs jujmy pojemnosei réinicakowe: Cyr = 22) — pojemnosé bramba-irédlo dla tranzystora idealnego Ques on yu: = — 228! pojomnosé bramka-dren dla. tranzystora. idealnego uga Vos Stad ig = Oye: es Oper Sao (6.45) Pierwaza skdadowa pradu bramki plynie w obwodzie bramka-érédlo, draga skladowa —w obwodzie bramke-dren, Jezeli uwaglednimy, ze przez zaciski érédia i drenu plynie ponadto prad przewodzenia J), to moina skonstruowaé schemat zastepezy, przedstawiony na rys. 6.19. W ezesci zewnetrznej tranzystora (rys. 6.18) sq pojemnosci warstwy zaporowej Cyse, Cyae OTA% renystancje zere~ @ fe, 20 . P @ Rye, 6.19 ‘Dwa modole dynamiczne nicliniowo tranzystora PNFETTranzystory polowe = gowe fr6da rs i drenu rp. Blomenty O,.9. 75 oraz Ogio, tp maja wartosei voz ktére jednak dia prostoty zastapimy obwodami o statych skupionyeh, whyca pojemnosei migdzy bramka a zaciskami struktury wewngtezne}. W ten s otrzymuje sig sohomat zastepozy, przedstawiony na rys. 6.19b, na ktérym: Cos = Cosi + Case Coa = Cgai + Cote Obie pojoranoéei a zaledne od napigé Ugs, Ups. Charakterystyki pojemnoseio -napigeiowe sy zwykle podawano w katalogach. Maja one praobieg hiperboli typowy dla pojemnogei warstwy znporowoj ztgoza p-n. Przecietne wa poszezogdélnych pojomnosei w tranzystorzo malo] mooy pray zerowej polary sq nastepujace: Cys: % 5 PF, Cys ® 2 PF, Onsen Cyue % 1 PF. Zmiany tych pojemnosei w tual napigcia sq ok. 2-krotne. Praca z malymi sygnatami 6, Podobnie jak dla tranzystora bipolarnego, wlasehwosei tranzystora, P. pray sterowaniu matym sygnalem mozna opisaé modelami eawérnikowymmi modelami fizyezaymi (schematami zasteperymi). % modeli omwérniko najezeseie] jest stosowana macierz typu y, gay? impedanoje wyjseiows, i wa tranzystorow polowych sq duze, cayli tatwo jest spelnié warunek na wejéeiu i wyjéeiu przy pomiarze paramotréw tej macierzy. Zapis tej mac oraz definieje parametrow admitaneyjnych, podane w poprzednim ron odnosza sig réwniez do tranzystora polowego, giyz modele sformalize obwodowo % samej ich istoty nie zaleig od wlaseiwosei fizyeznych elema Wystarezy wige rozpatezyé modele fizyezne. Otraymamy proste modele malych i duzych czestotliwosei linearyzujge elementy modell _niclini Mule i duze exestotliwosei sg rozumiane tak samo jal dla tranzystora bipoli nego, cayli w modelu dia malyeh ezestotliwosei nie ma elomentow roakta nych. Modele i parametry dla matych czestotliwosci 6: Model dia malych ezestotliwosei, czyli model quasi-statyezny, otraymujé s Inearyzujge elementy modelu statyesnego (rys. 6.17). Prayjmuje sig, 26 Rye rozystancjy liniowa, ktéra w zwigaku x tym pozostaje bex zatian (ry = Funkeje [5 (Wes. Ups) opisujuea érddto pradowe nalezy rozloiyé w saerog T i uwzglednié wyrazy raedu pierwszego Wg aly oUes pray o7ym igy Uggs tgs — malo amplitudy sygnaléw zmiennyeh. Zostany torax nidefiniowane nastepujgce dwwa pojecia: — transkonduktaneja gm = fe (oa os Oy — konduktancja wyjéeiowe gy, = 3y°- Ds‘vanzystory polowe ze ztaczem p-n — 381 Club koraystaé x bardzie} rozbudowanych modoli o stalych skupionych, w ktérych jednak niektére parametry musza byé uzaloznione od czestotliwosei. Jeden % wariantéw takiego modelu praedstawiono na rys. 6.21b. Nie bedaicmy go szorgoj komentowaé, zauwazmy tylko, 40 rq jost rezystancjy doprowadzenia bramki, zas ry, ry stanowig olxeslono ezeéoi rezystaneji kanaka, lalozy w ogdlo stwiordzié, zo analiza wlageiwosci tranzystora PNEWT w zakresie bardzo F duaych cagstotliwosei jest zaguduieniom bardzo trudnym, rozwazanym wyhemio W spoojalistyeznych monografiach, Oméwimy tylko zagadnionie maksymalnej cagstotliwosei pracy tego tranzystora. Pojeoie ezestotliwo%ei maksymalno} w tranzystorach polowyeh jest zwiyzane ze skofiezonym czasem przelotia nogni- kéw prion kanal i ze staly ozasowg, ludowania pojemnogei bramka-kanal. Czas przelotn L i =— = 6.55) Pally ~ TinUos (6.58) stad may = 2 = Las. (6.56a) Tp Stal, caasowa Jadowania, pojemnofei bramka-kanal w tranzystorse idealnym prey wy: sterowanin ze érédla napigeiowego okresia iloczyn pojemnosei C, prace rozystan- cig Kanata 7r¢ 1 nee =a (6.56) Dirge, sytuacja nie jest tak prosta, gdyé pojemnosé bramka-kanal i rezystanoja maja wartosci rozlozone wedlvi. kanatu, jednak moina je w pierwszym prayblizeniu zastapi¢é dwoma elementami, taw. drednig. pojemnoseia. G, i srednig Tonystancja 7c. W stanio nasyeenia (da tranzystora o rownomiernym tozktadzio koncentracji domieszek w kanale) pray Ugs = 0 G= 2 et (6.37) 1 ic — wot? 2 2 2 = _ (6.4 re aca (6.58) Po podstawienin (6.57) i (6.58) do (6.56) otraymuje sig PatteNn =? (6.59) Ona De, L? (6.59) loina tex udefiniowaé ezestotliwosé granieang jako taka ezestotliwosé, pray kktérej prad wejiciowy, plyngey przez pojemnok C,, jest rowny wydajnosel wyjSeiowego fxGdla prudowego Yn'tyy max Cylon = Initigs nex = (6.60)Tranzystory polowe — Po podstawieniu do tego wzorn (6.50) i (6.29) otraymuje sig max a Males Us| ela ( Bardzo intersnjaee jest, Ze dla zakresu nasyeonia pray Ugs = 0 (wowexas Ups = \Oph) cagstotliwosei graniozne, okreslone wzorami (6,55a) i (6.61) sq jednako Podstawiajae Ups = Unya = |U,| do (6.658) oraz Ugs = 0 do (6.61) oteny. mujemny: nas = FEIT pl (6.8) Soteli do (6.62) podstawimy U, = gNpa?/2e,, to otraymamy dosézaskakujaey’ w. a mnianowivie ezestotliwosei graniczne, okreslone wzorami (6.62) i (6.59), jednakowe, Rownosé traech roimie 2definiowanyeh eagstotliwosel granics wwekaguje na dwa fakty: — caas praclotu nognikéw przez kanal jest rowny stalej ezasowej obwodu br -ér6dlo (méwiono o tym juz w p. 62.3); ten wniosek dotyoazy oozywiseie ty tranzystora idealnego, — tranakonduktangja gq jest réwna odwrotnoéei rezystancji kanshi. Wyraenie (6.59) przepisamy w postaci 2 we [@ fae = 288) ” i mwréémy. uwage, ‘do awigkszenin ezestotliwogei maksymalnej sprayjaje nase pujace ezynniki: — duia konduktywnosé kanalu (trenzystory: z kenatem typu 1 sq ,,saybsze” 8 nkanalom typu p, gay? ruchliwosé elektrondw jest wigksza), — duia grubosé Kanalu (niestety zwiekszenie grubosei kana prowadzi do mle korzystnego warostu. napigeia Up), — mala diugosé kanaln (tg wielkosé ograniezaja modliwosci technologii). Naleiy zauwaiyé, 2e exestotliwosé maskymalna nie zalezy od szerokosei kanalu, Trae pamietaé, e wytazenio (6.63) wyprowadzono dia tranzystora idealnego. W thak rystorze recrywistym ozestotliwosé maksymalna jest mniejsza x uwogi na W, dodatkowych pojemnogci. © ‘Tranzystor MIS ‘Cranzystor MIS stanowi dojrzaly technicanie realizacje idei elementu wma jacego, zilustrowanoj na rys. 6.1, Zatem tranzystor MIS nalezy do rods jranzystoréw z izolowang bramkg, (IGFET), w ktéryeh przewodnosé ke pélpreewodnikowego jest sterowana poprzecznyi polem clektryeznym, jaeym poprzez warstwe diclektryka, izolujacy Ianst od bramkki. Do tej rodziny tranzystoréw IGFET naleta jeszoze tranzystory cienkow: (LET). Jak jui oxeSciowo wyjaéniono w p, 6.1, zasadnicza réinica migdzy zystorem MIS a tranzystorem cionkowarstwowym polega na tym, #0 w pierws Kanal powstaje w monokrystaliczne) warstwie pdlprzewodnika, stanov zwykle jednolita catosé z plytka podtozowa, spelniajaes funkejg nosnike meeLranzystor MIS — 383 nicznego”, a w drugim kanak powstaje w cienkiej warstwie potprzewodnika polikrystalicmego, naniesione} na podioze dielektryeme (ptytle szkdana. lub ceramiczna). Znaczenie praktyezne tranzystorw MIS jest niepor6wnywalnie wi¢ksze niz tranzystoréw cienkowarstwowych, dlatego ezesto nazwy IGFET, MISFRT s9 uzywane jako synonimy, Tstnicje wiele analogii w zasadzie dziatania i whasciwoSciach tranzystota MIS i PNFET. Zeby maksymalnie wykorzystaé to podobiefistwo, prryjmiomy uklad materiaka w niniejszym punkeie niemal identyezny jak w p. 6.2 Zaklada sie, ze sq mane podstawowe wlaseiwosei struktury MIS, opisane w roze ziale 3 (p. 3.3). Budowa i zasady dziatania tranzystora MIS — opis jakosciowy 6.3.1 Z kdasyfikaoji podanej na rys. 6.2 wynika, ze istnieje kilka typéw tranzystoréw MIS. Zanim jednak wyjagnimy te klasyfikacje, rozpatramy najpierw elementarne rasady drialania tranzystora 7 kanalem typu p, ktérego budowe praedstawiono schematyemie na rys. 6.222. W plytce monokrystaliczne) kraemu typu 7 0 re- Addto Bramka rea Ss? oy Be Rys. 6.22 Schomatyezna ilustracja budowy tranzystora MIS z kanalom typa p zystywnogei ok. 0,01...0,.1 Qem wytworzono przez dyfuzje ub implantacje dwa obszary silnfe domiesekowane o odmiennym od podtoia typie przewodnictwa, tj. p* @ koncentracja domieszki 10°4.,,102© m~3, Jodon z tyeh obszardw silnic domieszkowanych, nazywany érédlom, znajduje sie w odlogloéei killeu do Ikilicu- dziesigoiu mikrometrw od drugiego, nazywanego drenem; oba sq pokryte kontak- towymi warstwami metalicanymi, Powierzchnia pélprzowodnika miedzy arédtom a drenem jest pokryta warstwa diclektryka (najezeScioj SiO, 0 gruboSei ok. 100...150 um), Elekiroda motalowe, znajdujgee sig na powierzchni dielektryka, nosi nazwe bramki. Omaczenia literowe poszozegélnych elcktrod sq takie jak da tranzystora PNET, tj, $—#rédto, @—bramka, D— dren. Mose tot byé wyprowadzona kofedwka podioza oznaczona litera B (ang. base). Obw6d prada preoplywajuoego od érédia do drenu zamyka sie przez obszar przypowicrzchniowy pélprzewodnika, lozaoy pod warstwa dielokteyezng. Od konduktanoji tego obszaru zalozy wigo wartosé ‘pradu drddlo-dron. W zaleénoéei od polaryzacji bramki ©» Wyjatkowo w taw, technologii $O8 (kraem na szafirze — ang, Silicon on Sapphire) plytha podlozowa jest izolntorom (por. p. 8.1.1.2), 2)"Ten rodenj tranzystora MIS ocograt najwigksza”rol Ww romwoju technologii ultadsw soa- lonych MIS. .Tranzystory polowe - oraz od innych czynnikow (np. kontaktowa réénica potencjaléw, ladunck x skompensowany w dielektryku i stanach powierzchniowyoh) w pétlprzewodn pod bramka tworzy sie warstwa akumulacyjna (duio elektronéw i bardzo m dziur), zubozona (mato elektronéw i mato dziur) lub inwersyjna (malo elektr: i bardzo duio dziur), W praypadku akumulaeji lub zubozenia droga od 4 do drenu odpowiada dwu zlyczom p*-n whezonym szeregowo przeciwe! Wowezas niezaleznie od polaryzacji drenu w stosunku do Zrédla (dodatniej ujemnej) prad Zrédio-dren ma znikomo mak, wartos6, gdyi moze to byé tyl prad wstecany jednego 4 wymienionych zlaczy. Natomiast w praypadku inwersji obszary p* drddia i drenu sq polgezone warstwa inw na, ktora w seusie fizyeznym ma ten sam typ przewodnictwa (duéo dziur i m elektronéw, ezyli typ p). Warstwe inwersyjng lyczacg drédlo z drenem bedzier nazywaé kanalem. Istnienie kanalu typu p umotliwia przeplyw duiego pr dziurowego miedzy frédtem a drenem, Zmiany napigcia bramki mod konduktancje kanalu, sterujgc w ten sposdb wartoSé pradu Zrédlo-dren, ‘T jest elementarna zasada sterowania pradu w obwodzie érodlo-dren (w obw ‘wyjéeiowym) za pomocg napigcia bramka-zrédto (napigcia, wejseiowego). Majac ogéiny obraz sposobu dzialania tranzystor6w MIS, praystapimy teraz do ich Ibi syfikacji. q moéna podzielié na dwa rodzaje: : — teanzystor MIS x kanulem typu p (na podloiu typu 2), w ktérym wystepule przewodnietwo dziurowe: — tranzystor MIS kanalom typu n (na podlotu typu p), w ktorym wystep przewodnictwo elektronowe. Dalszy porinial tranzystordw MIS aalviy of prayietych Ixyteri6w. Pomijumy ks ‘technologiczno-koustrukeyjne. Dokonamy podziatu ze wugledu na kryteria, ktére umownie nazwiemy fizyeznymi” i wkd dowymi”, tj. podzielimy tranzystory biorge pod uwage istotue réiniee w xi wiskach fizyeznych lub w przebiegu podstawowych charakteryatyk. Ze wagledu na réinive w ajawiskach fizycenyeh tranzystory MIS dzieli sig na dwa rodeal — 2 kanalem caindukowanym, ezyli« kanalem 'w postaci warstwy inwersyjuej: — 2 kanatem whudowanym, vzyli % kanalem w postaci warstbwy domieszkow © przeciwnym typie praewodnictwa ni podloie. Wystepuja tu rowniez ocaywiste rodnice technologiezne, lez nie sy one w tej chwili wainiejsze, Najistotniejsze ze wegledu na wlaseiwosei fizyeane su rbimice sobie modulacji przewodnosei kanalu, co obrazowo praedstawiono na ys. na praykladzie tranzystoréw 2 kunalami typu n, Dogodnie bedzie zastapié opisowe nazwy tych tranzystoréw kxr6tkimi nazwami: tranzystor .,L” (x kan indukowanym), trangystor ,W" @% kanatem whudowanym). Zeby tatwiej pordwnaé zjawiska najistotniejsze w tej fazie rozwadan, prryjmiemy, de wl tranzystorach przewodnosei kansléw sy identyecne pray napieciu Uses: (asady oznaczanin napigé i pradéw w tranzystorze MIS sq identyezue jal dla tranzystora PNFET). 1 Poniewar tranzystory MIS maja nieporéwnywalnio wigksze znaczenie jako uukladéw scalonych nit jako elementy indywidualne, bardzie} sxczegdlowy opis ikonstrakeji tych tranzystoréw bedzic zamieszezony w rozdziale 8.MPranczystor MIS — 885 Traneystor .W" Tranaystor 1” a) Wao ft’ 6 8 © Ae “oA 1, eon ed on 8A 25, Ao Ao fe 2 9° Ao )4° Palace typ} ) _ wse » Ao Ao Ao Ao 2° Ao 2 & 0 a 2 go 2 Bo £0 22 AP £0 A? on ae do % Ao @ a Ao ae 42 £o og o., Yo yoo gcd y>o a © ~ efoktywne ladiuaki staném pomierechnionyel 3 — kanal 4. — jong tomivszeki akceptoronej — warsiwa zuboiona @ —jony domieszki donoromes oa = dziury © = ericony Rys. 6.23 Tustracja zjawisk w tranzystorach typu ,,W” orez typu ,1” dla trzech standw polaryzacjit 8) stan neutralny, Ugs = Ups = 0; b) Ucs # 0, Ups = 0; ©) Uses # 0, Uns ¥ 0; rysunku 6.230 pracdstawiono aytuacje w obu tranzystorach dia stanu_neutralnego (wszystkie napigcin rowne zoru). W tranzystorze ,,W” kanatom jest warstwa typu » domioszkowana donorami. W tranzystorze ,,[”” konalom jest, warstwa inworsyjna typu n, powstaln wekutck pracciagnigcia duzoj liezby clektronow do powiorzehni prez dodatni ladunek powicrachniowy @,,. Jednakowg prae- srednagé obu kanaléw aymboliauje jednakowa Iiceba clekérondw. (po ves). Pod kanalem w tranzystorze ,,[” jest warstwa mbozona, W stanie neutralnym nie ma. joszoze istotnych réinic migdzy obu tranzystorami poza ta, %¢ kanal w tranzystorze ,,W” jest obojetny elektrycznie (rownowaga ladunku clektronéw i jonéw dodatnich), a w tranzystorze ,,1” jest naludowany ujemnic. W praypadku ujemnej polaryzaoji bramki (rys. 6.23b) clktrony sq odpychane w glab pol- potprzewodniikowe...Tranzysiory polowe - przewodnika, co powodujo w tranzystorze ,,W” powstanie praypowierzchniowe warstwy zubozonej, w tranzystorze »l” natomiast — zmniejszenie laduniel oloktronéw w kanale. Linie sit pola elektryoznego, narysowane na rys. 6.28 umoiliwiaja dokladne praosledzenie, w jaki sposb jest zachowana rownowagi ujemnyeh i dodatnich ladunkéw w obu tranzystorach, Prrewodnosei kanatéw w obu tranzystorach zmionily sie identyeznie, jednak’ wyradst widaé podstawowg ré’miog w ich dziataniu, polegajaey na tym, Ze kanal w zystorze ,,W” odsuwa sig od powierzchni (duze podobieiistwo z tranzysto PNFET), a w tranzystorze ,,[” pozostaje zawsze pray powierzchni. Rysunsk 6.230 juz w bardzie} uproszezone) postaci pracdstawia profile kanaléw w ob tranzystorach pray polaryzaeji bramki i drenu. Poréwnanie obu tranzystor) wskaznje na to, #e dzialanie tranzystora ,,I” jest bardaioj zalezne od ‘zjan powierzchniowyeh (gléwnie od rozpraszania nognikéw na powierzebni). Na sz Scie te réimice migdzy obu tranzystorami majy niowielki wplyw na ich chara rystyki i parametry, dlatego w analizie uproszezone] (a taka, nas tylko interesu)e moina ich nie uwzgledniaé. Rozpatrzamy zatem tylko jeden typ tranzyston a mianowicie tranzystor kanatom indukowanym, traktujge wszystkie wynid i wnioski jako sluszne w pierwszym przyblifenin réwnie? dla, tranzystora 2 kt: nalem whudowanym 1 Jaki jest podzial tranzystorow MIS ze wzgledu na kryteria, ktére nazweno umovaile jukladowymi”, tj. ze wegledu na réznice w pracbiegu podstawowych charakte styk? W ‘tym aspekeio wyrdznia sig dwa rodzaje tranzystorow MIS, a mi wicie: — tranzystor 2 kanalem zuboianym. (ang. depletion mode), inaczej nazywany rane slorem normalnie wlgezonym. (ang. normally on), — tranzystor z hanatem wzhogacanym (ang. enhancement mode), inacze} ne traneystorem normatnie wylaczonym (ang. normally off). Oba tranzystory, przedstawione na rys. 6.23, naleza do grupy tranzystoréw % kane zubozanym. Kanat w tyeh tranzystorach istnicje bez polaryzacji brambki, 625 pizy Ugs = 0 moze ptynaé duzy prad dronu (tranzystor jest normalnie whaey) ny), a dyialajae ujemnym napigeiem bramki mofna zmnicjsayé kondukt kanaku (,zbozyé” go w sensie posiadania mniejszej liezby nosnikéw). W ps padku tranzystora 7 kanalom indukowanym mozna sobie wyobraeié inny acje niZ przedstawiona na rys. 6.23. Na prayktad gdyby nie byto tadunka datniego Q,,, wowezas pray Ugg = 0 kanal by nio istniat i nie mégtby ply prad drenu’ (tranzystor bylby normalnie wylaezony), Dopiero dzialajac 0 wiednio duzym dodatnim napigciem bramki moina by zaindukowaé (wigczyé tranzystor) i dalezy wzrost napigcia bramki powodowalby zwi Konduktaneji kanata (,,wzbogacenie” kanaln w sonsi¢ posiadania coraz wig liezby nosnik6w). Bylby to tranzystor x kanalem wzbogacanym. W przypadku podloza typu x dodatni Iadunek Q,, wywolnje akumulacje elektronis cayli przy Ugs = 0 nie ma kanal (nie ma warstwy inwersyjnej typu p). Obs nosé dodatniego tadunku powierzchniowego Q,, jost niejako naturalna wh woseig struktur M-Si0,-Si (por. p. 3.3.8), eo prowadzi do inwersji w potprzewo ku typu p oraz akumulacji w pélprzewodniku typu 7. Nie wige dziwnego, ie tranzystor z indukowanym kanatom mbozanym kojarzy sig z podlozem p (kanattypu n), tranzystor zaé z indukowanym kanntem wabogacanym — % Jozom typu m (kanal typu p). Sq jednak mosliwo konstrukeje tranzystora 1 k nalem zubozanym na podlozu typu n oraz tranzystora 2 kanalem wzbogacanyy na podtoin typu p.Tranzystor MIS —~ 387 Dla Seislosei nalezy dodaé, %e w tranzystorach % kanatem zuboanym modliwa jest rownies praca ze wzbogacaniem, Na prayklad w tranzystorach pokazanych na rys. 6.23 mozna uryskaé mwviekszenic konduktaneji kanal (zwigksconie pradu’ dronu) polaryzujae bramke napigciem dodatnim. W awvigzku z tym nickiedy mozna spotkaé nazwe: tranzystory typi zubotanio/wzbogacanie. Bedziemy jednal stosowaé tradyeyjng nazwa: tranzystory z kanatem zubozanym, Reasumujge romvaéania nad klasyfikacja tranzystorow MIS, prayjmiomy podaiak na tranzystory 7 kanalem mubozanym lub wzbogacanym jako nadrzedny, przy omym pierwsze mogy mieé kanak whudowany Iub indukowany, a drugio tylko induko- wany. Stwierdzono juz wezednicj, #0 w uproszezonej analizio nie ma istotnych réimic migday tranzystorem z kanalem whudowanym, a tranzystorem z kanalem indukowanym. Naledy teraz dodad, Ze réimiee miedzy tranzystorem % kanalem wrbogaeanym a tranzystorem 7 kanalem zuboZanym daja sig sprowadzié do jednej formalnej rézniey wartosci napicvia progowego (napigcie Ugs, prey ktorym hastepnje przejécie ze stann nieprzowodzenia do przowodzenia). Diatego szcze- gotowe rorwatania pracprowadzimy dla jednogo rodzaju tronzystora, tj. dla tranaystore 7 kanatem wzbogacaym typu p. Wyaiki tych rozwazal modna bez trudu odniesé do pozostatyeh rodzajéw tranzystoréw MIS po wwzygleduieniu odpowiednich zmian. formalnyoh {jak np. zmiana wartosei napigeie progowego, zmiana polaryzacji itp.). Tak jak dla tranzystora PNFET rozpatraymy procesy fizyeme, warunkujace okredlone pracbiegi podstawowych charakterystyk tranzystora, tj. — pracjéciowe} Zp(Ues)|vos-const — wyfseiowe) Zp (Uns) eios=conse -W tranzystorze MIS nalezy réwnied uwagledniaé wptyw polaryzacji podtoia (Ups # 0) na te charakterystyki, Charakterystyka praejSciowa — pojecie napigcia progowego 631.2 Rozpatrzymy zjawiska okreslajgco prechieg charakterystyki praejseiowej, t). zalemosé pradu drenu (pradu wyjéeiowego) od napicoia bramka-érédlo (napieeia wejsciowego) dla przypadku bardzo matego napigeia dren-érddlo (Ups < 9). Prayjmuje sig rawnie#, Ze érédlo jest awarte z podloiom i uziemione. Zmieniajac napiecie Ugs od wartosei dodatnich do duzych wartosei ujomnych uzysluje sie w pélprzewodniku stany akumulacji, zubozonia Iub inwersji, Ograniczymy sie do zilustrowania ladunkéw oraz pozioméw enorgetycanyeh w obszarse pélprzewodni- ka majdujacym sig pod bramkg dia najbardzioj interesujacego praypadku inwersji (rys. 6.24). Na cysunku 6.24a praedstawiono laduuki i linie sil pola clektryeznego pod bramka tranzystora. Rozidad ladunkéw ilustcuje rys. 6.24b. Eadunek omaczony pracz @Q, Toprezontuje ofektywne dzialanie wszystkich exynnikow wewnetrmych, powodujacych zagigoic pasm energetyeznych pét- prmewodnika, tj. kontaktowej romicy potoncjaléw, stanéw powiexzchniowyeh i hdunkéw nieskompensowanych w warstwie diclektryka (ezynnikiem zewngtra- nym jest napiecio Ugs # 0). Na rysunku 6.240 praedstawiono zagiecie pasm energetyemnych przy powierzchni pélprzewodnika, odpowiadajgee wartoSei potenojaka powierzchniowego g, = 2p, przy ktérej rozpoezyna sig silna in- wersja w obszarze praypowierzebniowym pélprzowodnika (por. p. 3.3.1), Wartosé > W rozdaialo 3 prz0z Qu oznazono efektywny ladunele stanéw powierzchniowych, nato- miast Qy wwegigdnia ponadto wplyw kontaktowoj réinicy ‘potenojal6w gry cZyli Gir = = On= Pas Cr (Or — pojemnrg¢ dielektryka),Tranzystory polowe $8 08 08 8 Go 2 0% 09 99.9.8. Obszar Ineutralny Rys. 6.24 Thustracja ladunkéw oraz poziomdw energotyeanych w obszarze pélprzewodnike, 2naj sie pod bramka: a) wycinck tranaystora przcdstawiajacy ladunki i linio sit pola elektn nego; b) rorklad Indunk6w w praekroju poprzecznym tranzystora; ¢) energetyceny mh pasmowy pray powierzchni pélprzewodnike dla stanu ipwersji napigcia Ugg, pray ktérej potencjat powierzehniowy p, = 2pp, nar, napigciem progowym i bedzie omnaczane priex Ur" (ang. thershold ‘olla tego parametru w opisie wlasciwosci tranzystoréw MIS jest podobna j napigcia U, w tranzystorach PNFET. Warost napiesia ujemnego Ugs pi wartosei U, odpowiada watostowi wartoéei potencjali powierzchnio powyzej wartosei 2p, zapoczatkowuje zatem powstanie kanatu typu czacego obszary p* érédla i drenu. W sensie fizyemnym napigeie prog najmniejszy wartoseia, napigcia bramki, niezbedng do wytworzenia ls bramki Q¢, kompensujacego ladunck @, oraz ladunek domieszek zjonizo w polprrewodniku Q, (taw. ladunek podloza). Dowolny prayrost Ucs (njemnego dla kanalu typu p) powyzej wartosoi U, tworzy dod Indunek bramki, ktéry jest kompensowany ladunkiem nognikéw mnie} wych (dziur) w powstajgcym kanale. Na rysunku 6.25 przedstawiono i objagniajace pojecie napigcia progowego. Na rysunku 6.25a przedstawiond wyprostowanych pasm, tj. Ugs = Uy. W_ stanie wyprostowanych ph indunek pélprzewodnika jest rowny zeru, a wis potenejal powiers rownied jest réwny zeru (p, = 0). Ponicwad napigcie Ugs jest rowne spadkéw napigoia na diclektryku i pélprzewodniku (Ugs = git), 2a Qn GQ ") Napigcio progowo w katalogach jest oznaczano jako Ussuw- Ure = pe = —Pranzystor MIS — 389 Of er a ste $ 4a | oe | | a i Le dos Uss=Up a k Trete x | at $ | pt ‘Warstwe zubodona { (ladunek Qs) \ Later Os) | anal ty {ladunek Qc) Rys. 6.25 Musteacjo ladunkbw i potencjaléw w strukturze MOS dla trzoch standws a) Uos ~ Uras b) Ucs = Ur: e) |Uos| > [Ori ‘Uwzgledniajge praypis 1) na stronie 387 obraymuje sie wyrazenie zane z rozdziakn 3 (wadr (8,04)) Qe Tew = Ome TE Na rysunku 6.25b preedstawiono sytuacje dla Ucs = Up. Wéweras Ves = Ur = pi t2yp co ilustruje rysunck % prawej strony. Napigoie y; jest w tym praypadku wigksce nit dla Ug. = Upg o wartosé —Q,/C;. Zatem Oy = Ury— & +20pTranzystory polowe — 36 Uwagledniajge zaleznoSé na Upg otraymuje sig napigcie progowe w postaci _ Qer Qn ee ee 6 pray ezym tadunek Qp mofna wyznaczyé poslugujge sie zalemogeia, znana x tes zigena pn Qu = BegNy 2p)! 6. Na rysunlat 6.25¢ przedstawiono sytuacje dla |Ugs| > |U;|. Poniewad ba male przyrosty potenejalu powierzchniowego powodujy daze przyrosty lad kanal (zaleinogé wykladnicza), zatem — praktyemnie bioryo— ealy pr napigcia |Ugs| powyde] wartogei [Uy] odldada sig na dielektryku, a @, posos niemal stale i réwne 2yy. Moina zutem napisaé proste wyrazenie na ladi kanaka Qc = C,(Uos— Ur} (6.60 prey czym ©, = OL —pojemnosé kondensatora, ktérego okladki stanoyi kanal i elektroda. braml Poniewad Qe zalezy liniowo od napigeia Ugs, prad drenu jest réwnied liniowa fun napigcia Ugs (pray Ups © 0)- Wyrazonie na charakierysiyke przejseiows dla dowolnyeh wartosei napigsia Ups 0 mamy w analizie iloseiowe} (p. 6.3.2). Oharaktorystyka wyjsciowa 6.318 Jedeli napigcie drenu Ups jest mate w poréwuaniu x napigciem brawki U to kanal speluia fankeje rezystora liniowego, lgczacego irédio x drenem (iy 6.26a i odpowiadajgey mu punkt a na charakterystyee Jp (Ups)). W tym zake as os 6 g a (Odeigcie kanalu | Gbszar 2ubotony ) {Wes bsl Lys [esl lust [ost =I4o eas| Rye. 6.26 Schematycane ilustraojo stanéw w tranzystorze MIS, objadniajace prrchieg chorakte wyjsciowej: a) zakres nienasycenia; b) odeigcie kanalu; e} zakres nasycenix; d) charakt styka Ip (Ups)Treazystor MIS — 391 napigé drenu zmiany pradu L, w funkeji napigcia Ups sq liniowe. W miare ‘warostu ujemnej wartosei Ups awigksza sie wartosé pradu Ip i na rezystancji kanalu odkdada sig znaczny spadek napigcia. Zatem — identyeznie jak w tran- zystorze PNERE — wadlu kanalu wystepuje rozklad potenojalu wrastajacego (co do wartogei bezwzgledaoj) od érddia do drenu. Spadek napiecia w kanale powoduje zmniejscenie riiniey potencjat6w migdzy bramka a kanztem, tj. maniejszenie nateienia pola elektrycznego, prostopadlegs do powierzchni pélprzewodnike, Poniewai spadek napiecia w kanale xwigksea sig w kierunku od #rddta do denn, zatem w tym samym kierunku zinniejsza sig natezenie poke elektryeznego bramki, maleje wiee rowniez grubos¢ kanalu. 'To zjawisko powoduje modulaeje rezystaneji kanal pod wplywem zmieniajacego sig napigeia dren, cayli rostaje naruszona liniowa zaleznosé pradu Ip w tunkeji napigeia Ups. Dalszy wrrost napigeia ujemnego Ups prowadzi do ealkowitego usunigeia ine wersji w ozesei kanalu sqsiadujgce| 2 drenem, Taki stan nazywa sig odeieniem kanate, Wartosé napigvia Ups, ktére] odpowinda zanik inwersji w punkeie Y = b (rys. 6.26b) i odpowiadajgcy mu punkt b na charakterystyee Ip (Ups), nosi nazwe napigcia nasycenia Upyar, Pry ezym. Unset = Ues—Ur (6.67) ‘Dia zakresu napieé |Tp5| > [Up .ae| prad deenu osinga, praktyeznie biorge, wartosé stala | (punkt cna charaktorystiveo Zp(Ups)). Warost napigoia ujemnego Ups powyée} ; wartosci Up sq powoduje rozszerzenie sie obszaru zuboZonego pray drenie i punkt odeigeia, oznaczony na rys. 6.266 litera Y, przesuwa sig w strone 4rédla. Jednakie spadek napigoia na ongéoi przowodzacej kanata (odeinck od érédla do punktu Y) pozostaje staly i réwny wartosei Up sr. W punkeic Y nogniki ladunku sy watray- kiwane do obszarn mbosonego, ktory spelnia podobna funkeje jak ladunek przestrzenny ziqora, baza-kolektor w tranzystorze bipolamym. Dyskusja zjawisk zachodzqeych po odeigcin kanaky jest rownie trudna jak dia tranzystora PNFET. Jozli przyjmic sig, %e nwicksronie napigcia Ups powoduje niowiclkie zmiany srerokosei obszara zuhozonego (odoinel: od punkin Y do L), to prad drenu— praktycmie biorge — nie zmienia sig. Tak jak dla tranzystora PNFET méwi sig wowezas, 70 tranzystor MIS pracuje w zakresio nasyeonin, Wylye napigcia potion, Vag # 0 63.14 Spolaryzowanie podkoza w stosunku do Zrédla usiemionego powoduje modulacjg konduktancji kanalu. Zatem podlode moze by¢ uwadane za swego rodzaju deuga bramke w tranzystorze MIS, Wplyw polaryzaeji podlo’a na konduktacjy kanalu thunacay sie nastepujaco. Podloge stanowi wraz ze srédlem zlaczo apt oraz z kauatem zlacze n-p (nie w sonsie metalurgieznym, leez fizyeznym). Jezoli to ziyeze spolaryzuje sie zaporowo, to jego warstwa zaporowa (obszar zubozony) tozszerza sig w glab polprzewodnika, tj. do podloss oraz do kanalu. Powoduje to zarazem zmniejszenie ladunku nognikéw pradu w waratwic inwersyjnej, eryli zmniejszenie grubosei kanalu, tj. warost rezystancji kanalu. Pray statych napigciach Ugs, Ups maleje prad drenu, eo odpowiada wzrostowi wartosei bezwaglednej napigcia progowego. Modnu wykanad, Ze w przyblizenin U7 (Gus) & Ur(Uas = 0) +k Y [as] (6.68)Tranzystory polowe — 392! pray czym wspéterynnik _ V2e,0Np boo Stad wynika, ie wplyw polaryzuoji elektrody podloza jest tym mnicjszy, im jest wieksza rezystywnoté podloza (mniejsza koncentraeja domieszek). Wraz warostem rezystywnosei podtoza warstwa ladunku przestrzennego ztqoza ke -podtoze znacmie glebiej rozszeraa sig w strone stabo domicszkowanego podtoit: niz w strong kanaka. Wéwozas modulacja gruboéei kanaku jest stabsza. Oharakterystyki i parametry statyozne — analiza ilosciowa 6.3.2 Rozpatzymy statycme charakterystyki pradowo-napigciowe oddziclni zakvos6w nienasycenia i nasycenia. Preeprowadzimy uproszezong analize ladun wa, podobng jak dia tranzystora PNFET 0 szpilkowym rozkladzie domi w konale, Zakres nienasyconia (0 < Uns < Usa) 833 Punktem wyjécia jest zaloznos¢ (6.19), ktéra przepisujemy jako stuszng réwn dla tranzystora MIS. _& ; Ip = te (6.63) W pierwszym praybligenin przyjmuje sig, te natezenie pola clektryeznego nie zu sig wadlus kunalu, cayli nie zmienia sig rownied szybko%é unoszenia nosnik Stad czas praclotu nognikéw przez kanat 4 ~ Ff B (60 Uyly Un Us Najpierw rozpatrzymy ogdlny przypadek polaryzacji grédla, bramki i dreni w stosunku do uziemionego podloja (Us #0, Ug #0, Up #0, Up=@ Jezoli Us # Uy (inacze] Ups #0), to istnieje okreslony rozklad potencjalt Uy) wdhii Kanata. Ladunck Qf(y) zaindukowany w kanale (w jednost powierzchni) dla wspélraednej y Oly) = CVa~Ur—- TY) (er Zolotono, ie potencjat U(y) zmienia sig liniowo, mofna zatem wprowad pojgeie éredniego potencjala w kanale Ust+Up 2 Wowezas catkowity tadunck kanalu o j Ge = 0,(vo—v,~ U4") aTranzystor MIS — 393 Po podstawieniu wyrazet (6.70), (6.72) do podstawowoj zaleiosei (6.69) (pray Ups = Up—Us) obraymuje sie uae 4] Ip =a Wo Une vy HIG (6.73) pray ezym postuzyligmy sie znanym z analizy trangystora PNFET parametrem p= tinGs "pa ZC, B L Rownanie (6.73) w praypadku uziemionego irddla (Uy = 0, Ug = Ucs, Up = Uns) prayjmuje postac identyozng jak dla tranzystora, PNEET (6.74) U2 b= | Ost" bs ; | (6.75) Zakres nasycenia (\Uys| > [Co sal) 63.22 Analizujgo réwnanie (6.75) moina wyznaczyé granice miedzy zakresem niena- syeenia a zakresem nasycenia, Dla stale] wartogci napigeia bramki Ug, warasta- Jaco napigoie drenu Ups powodnje coraz wigkszy whlad ezlonu Ups/2, zatem preyrosty pradu drenu J» sq coraz mniejsze —eharakterystyka pracstaje byé Tiniowg, a prad Zp dyzy do maksymalnej wartoSei ustalonej, Dyskusja for- malna wzoru (6.75) (pray matozenin, Ze jest on sluseny dia dowolayeh wartosei Uys) doprowadzitaby do wniosku, %e dla wystarezajgeo duzych napigs Ups prad 7, powinien sig zmnicjszad. Jest to oezywikcie wniosek nieprawdziwy, gdyi w zakresie [Ups| > |Vas—Ur| jest konieczny inny model tranzystora i inne rownanie charakterystyki pradowo-napieviowej. Poszukujge wartosei napigcia Ups, dia ktore} prad drenu osigga maksimum, rédniczkuje sig rownanie (6.75) wegledem Ups i pierwsza pochodna przyréwauje do zera, Rozwigzanie Ww postaci wyrazenia Uosa = Ues~Ur jest zgodne ze wzorem (6.67), wysnacconym na podstawie rozwazai jakoscio- wych. Napigcie Up... jest taky wartoscig napieeia drenu, pray ktorej prad Ip wehodzi w zakres nasycenia, cxyli wyznacza ono granice migdzy zakresem nie- nasyeonia a zakresem nasycenia. Zatem dla zalcresu nasycenia naledy do réwnania (6.75) podstawié wartos Ups = Unser = (Ues—Ur). Stad to= é (os—Ury? (6.76) Z rownania (6.76) wynika, ze prad drenu I, w zakresie nasyeenia nie zalezy od napigcia Ups, jest natomiast funkejq kwadratowa napigeia bramki Ugs. Jest to wynik identyozny jak dla tranzystora PNFET ze szpilkowym rozkladem j Koncentracji domieszek w kanale. Na rysunku 6,27 przodstawiono charakterystyki wyjéoiowe wyznaczone zgodnie % rows . uaniami (6.75) i (6.76). Nalezy podkreslié, ie te rownania opisuja tylko w pier- wszym przyblizeniu rzecaywiste charakterystyki pradowo-napigciowe tranzysto- ra MIS. W bardziej dokladnej analizie nalezaloby uwzglednié szeveg pominigtychTranzystory polowe - mA) fh Zakres nienasycenia ak (liniowy, tricdowy) —figs—U)=90 Zasres rasyecnia (pentadowy ) Rye. 6.27 ‘Teoretycane charakterystyki w Sciowe tranrystora MIS zjawisk, a przede wszystkim efekt skracania kanalu w zakresie nasyeenia, wply mmian Jadunku podioza w fankeji dugodci kanala, zaleznosé ruchliwosei od nap polaryzacji itd. Na przyklad efokt skracania kanalu, kt6ry mozna opisaé podo zaleinoseiy, jak dln tranzystora PNEET (war (6.36)), powoduje, 4 pad d Rye, 6.28 Ricorywisto charaktoryetykt sf Seiowe dla tranzystore BWE nieznacmnie mmienia sig w zakresic nasyeenia, Jest to zgodne x racerywistys ptzebiegiem charakterystyk wyjéeiowych, co pokazano na rys. 6.28 ne pra Kladzie charakterystyk tranzystora BWP 80 (produkeji polskie). Charakterystyki i oznaczenia cxterech rodzajéw tranzystora, MIS 63 Réinice w przebiegu charaktorystyk dla ezterech rodzajéw tranrystore Ml pajbardzie) obrazowo przedstawia zbiorezy wykres charakterystyk przejSeio Ww zakresie nasycenia, przedstawiony na rys. 6.29, W tabliey 6.1 zestawiono hole grafiezne oraz charakterystyki przojiciowe i wyjéeiowe. Symbole gra sa kreslone 2 uwzglednieniem nastepujacyeh zasad:Tranzystor MIS = 895 1 Kanal ti Dp “ON, Rys. 6.29 Charaktorystyki przojéciowe dia exterech rodzajéw tranzystorow MIS 1 — tranzystor z kenalem rubolanyr; 2—tranzystor kenalem wzbogacanym Symbole grafiezns i podstawowe charakterystyki ezterech typéw tranzystoréw MIS Pablicn 8.1 Hoda trangystora, MIS Charalttorystykea ‘wyjsciowa Kanat mubozany typu p Kanst ‘wabogacany typa p aubotany typu Kana? wabogacany typn Ww tranzystorach 7 kanalem wzbogacanym pray erowym napiyeiu bramki prad drenu jest, proktyeznie biorge, rowny zeru, dlatego odvinek migdzy drédlem a drenem rysuje aig linia przerywana (obwéd przerwany), natomiast w tran- aystorach z kanalem mbozanym przy zerowym napigeiu bramkd praeplywa prad w kanale, dlatego odeinek 4réilo-dren rysuje sig linia ciagla;Tranzystory polowe - Parametry statycene 63, Poxa tym do wa: -— bramka tranzystora jost odizolowana od kanalu, dlatego przedstawia sig ja w p staci symbola kata prostego, ktérego jedno ramig jest rownolegle do kan punkt zaé Igezgey dwa ramiona tego symbolu (wierzcholek kata prostego) jé skierowany ku elektrodzie érédia; — podloge wraz z kanalem stanowi zlgeze p-n, dlatego praedstawia sig je w posta linii prostopadlej do kanalu ze straalkg, ktérej zwrot wskazuje, jaki jest Kanalu, eo zarazem jednoznacanie definiuje typ podtoia. Najwainicjszym parametrem statyemym jest napigeie progowe Uz, okre wzorem (6.64). W katalogach parametr ten jest podawany jako Us») (nieki Uesiro) la tranzystorow « kanalem wzbogaeanym oraz Ugscesy dla tranz, row z kanalem zubozanym; napigcie Ussiyp, praex analogig do tranzyston’ PNEFET jest ezesto nazywane napigeiem odciecia). Napigeie Up, niezaleiie rodzaju tranzystora, jest technicznie definiowane jako taka wartosé napig Ues, pray ktdrej prad drenu osigga okredlona wartosé, np. L lub 10 uA (pay ustalonym napigeiu Ups). ‘ yeh parametrow statyeznyeh podawanyeh w katalogach naleiy wali exyé: d — BUgss —napiceio prechioia miedzy bramka a podlozem pray zwartych elekti dach drenu i Zrédla, mierzone pray okreslone} wartosei pradu Zg”; — BU pss —napigeio praobicia mieday drenem a Zrédlem pray zwareiu bramki urddiom (U¢s = 0): jest to przebicie lawinowe; — Ings — prad nasycenia tranzystora, gdy elektrody bramki i grédla ss (Ucs = 0) oraz pray okreslonym napigeiu Ups; w tranzystorach 2 ke zubotanym prad Ipss jest mierzony w zakresie nasycenia charakte Ip(Ups), natomiast w tranzystorach. 2. kanalem wzbogacanym jest to pt wstecany alqeza dren-podloze ; — Jess —prad uplywu bramki w preypadku zwartych elektrod érédta i drei Ups = 0) oraz dla okreslonego napigcia Ugs, zawierajacego sig w granic 50...80% napigoia preebicia BUgss: — rscom — Tezystaneja statyemna migdzy drenem a Zrédlem w warunkach mat ksymalnogo pradu Jp; — Tysorr) — roeystancja statyozna miedzy drenem a irédlem w warudl wylgezonego kanalu (dla. |Ucs|_<|Ucsem| W praypadku tranzystora 7 ka wabogacanym oraz |Ugs| > |\Uoscgn| W praypadku tranzystora ” kat aubodanym). Motlele statycane 632) Najprostszy model statyeany trunzystora MIS praedstawiono na rys. 6.305 na ktérym zaleine érdlo pradowe ma postaé odpowiedniego réwnania chara 1) Tnterosnjaca, wlageiwodeig tranzystondw MIS jest mozliwoS pracbicia dicleletrykn Dramka i nicodwracalnego uszkodzenia tranzystora pod wplywem dotylu rely do Ie bramki. Jeat to powodowane duis, rezystancjy diclektcyka (ok. 10‘ (2) i brakie Jndunin dostarezanogo do bramki. No prayklad wystarezy dostarezyé do bramki 1 1 nG, by spowodowaé precbicio w tranzystorze 0 Cy = 4 pF i napigciu przebieia 250 V tego polezas manipulowania tranrystorem (przy montazu) nalody preostrzcgaé okreélony asad — najezeéeie} reka, operntora jest uziemiana za pomoca bransolety nakladenoj ne p gub, 0 weaystkio Kovedwki tranzystors sq zwierane.