TRANZYSTOR BIPOLAR. ‘Prumystory warstwowo, ktdre pojawily sig w killa Ine po odkryein tranny ‘Tranzystor jost to 60 najmniej (i przewainie) teojkoneswkowy element pétpraen Nazwa tranaystor wywodzi sig @ jgzyku angielskiego TRANSfer ve co po polsku oznacza element transformujacy rerystangj ‘Pak nazwano pélprzewodnikowy element wzmaeniajacy, bedacy funkejonalaym oj Liem lampy prédniowej (triody). Odkryeie taw. triody pélprzewodni stapilo w 1048 r. w Stanach Zjednocaonyeh, a autorami tego epe lazkn sq Bardeen i Brattain”. Opracowany praca nich element byt to catrzowy, ktory wprawdzic nio miak istotnego anacaenia praktyerngo, 4 poceatek opracowaniu wielu doskonalszye kenstrukeji ‘tranzystor6w. ‘wego, {iia w pierwsze] potowie lat pigédziesigtyeb. skuteoznie konkcurowity pami clektronowymi w wiel urzadzeniach clektronieznyeh. Zaréwno teal batrzowy, majacy tylko znnezenie historyczne, jak i ciagle modyfikow rystor warstwowy s_ to tzw. tranzystory bipolarne, Nazwa tranzystor obejmuje tranzystory o strukturze p-n-p lub n-p-R, W ‘ktéryeh di tole odgrywaja jednoczosnie oba rodzaje nosnikéw (dziury i elektron hanwn tranzystor, oznaczajqca pierwotnie , clemont trunsformujgey tdnoeila sig do clementéw znanyeh obeenie jako tranzystory bipolar Tardzo trafua jest ta nazwa, bedzie sig moana praekonaé niveo dale) wianiu fizyoznyeh podstaw daistania tranzystora pipolarnego. W bdkryoiu tranzystara bipolarnegy Shockley opisat triode pélp Grialajaoy na zupelic odmionne] zasadzie?. Ton element nacwand vem wnipolarayia, dy w jogo diatanin istotny udziat ma tyTko j hosnikow (dziury lub olcktrony). ‘Tranzystor unipolarny, nazywany ipolowym ub skrdtowo FET (ang. Pield-Hffect-Transistor) nie jost Jeanstormujacym rerystancjg” w takim sonsic jak tranzystor bipa nazwa tranzystor ohojmuje obeenie grup elementow potprrowod pvorsza, nid to wynika 70 znaczenia nadanogo jej préed laty. Co to jest a nic tranzystor? olny do wamacniania sygaakow prac stalego i zmiennego, Kaidy tr jest ate wamacniaerem, A eo to jest wamacniaest ‘Yo — pozornie 4} Wwialne — pytanie warte jest jeduoznaeznoj odpowiedzi. Cresto rozut Wy ten sposb: ,,Wamacninez — jak wskazujo nazwa — jost, prayr te Zgoym do wamacnianin, ezyli do powiekszania ezegos”. Przykladowo It b Hiistoryoana pablikacia tyeh dwu autorow wlazala sig w 1948 n(2- Brattain, Phys. Rev, LY4S, 74, 230). Diy drial w wynalazku mint W- er tymn samyra roku prasdstawit toorie daialania tranzystora (W. Shockley: 34 No 3, 440). Dlatozo un odkryeia tranzystora prayznano w 1960. nagrolle lowi: W. Schockloy, J. Bardeen, W. II. Brattain. 2) W, Shockley: Proc. (RE, 1052, 40, 1865.wowd struktura tranzystora bipolarnego — 241 lornetka teatralna powigkszaja obraz, déwignia mechaniezna zwicksza site, transformator zwigksza napigcie (tub prad). Czy te prayrzady sy wzmacnia- exami? Nie. Nie sj, to wamacniacze, gdyi: ,,Wamacniaes jest prayrzadem umoi- liwiajacym storowanie wieksze] mocy mniejszs”. Aby nastapit efekt wzmoenic- nia, 8 konieczne dwie rzecry: Zrédto energii i prayraqd do sterowania preepkywa tej onorgii —wrmacniacz. Jeieli na praykdad strumieh wody % wea ogrodni- ozego skicrujemy na lopatki turbiny, ktéra obracajac sig bedzie wykonywata jakas prace, to prackrgeajge kran wodny (jest to ozynnosé nie wymagajaca du- aych energii) moina powodowaé znaczne zmiany energii obracajqcoj sig turbiny. W tym prayktadzie kran jest przyrzadem sluzacym do sterowania duzej mocy za pomocy malej, czyli jest wzmacniaezem. Wamacniaczem w ogélnym sensie jest réwniez wylgomik sieci oswietleniowej, wylaeanik radiowy itp, Transfor- mator natomiast nawet 1000-krotnie podwytszajgey napigeie lub prad nie jest wamacniaczem, gdyz moc wydziclana na jego wyjeiu moze byé co najwyte] réwna moey dostarezanoj na wejScie. ‘stor jost wzmaoninczom stosowanym zaréwno do liniowego (wprost proporejonal- nego) mwickszania mocy sygnala jak réwnies do nieliniowego, pray ezym ozesto dyskrotnego (skokowego, klueujacego) sterowania mocy. Stad genoralnio momma wymicnié dwa rodzaje zastosowai trauzystoréw; — liniowo, . _, — nieliniowe (analogowe nicliniowe oraz impulsowe — giéwnie eyfrowe). Oprées tranzystoréw bipolarnych i unipolarnych, ktére maja bardzo liezne zastosowania, rozrdimia sie wiele typow tranzystorsw, np. jednozlaezowe, tyrystory itp., przemaczonych tylko do pewnych zastosowan specjalnych. Formalnic hiorge, 89 to tranzystory bipolarne, jednak sklasyfikujemy je w odrgbnoj grupic jako tranzystory speojalne. Tanzysiony | Cite [enzo | [ | 2. Rys. 6.1 7 L 7 2 Ogélny podeiat wend teanzystorsw ‘Stad wynika najbardzioj ogdiny podzial tranzystoréw przcdstawiony na rys. 5.1, Nicktére : tranzystory speejalne bedy omawiane w rozdziale 11, tranzystory unipolarne sq rozpatrywane w nastepnym rozdziale, w kolejnyeh natomiast punktach tego rozdaiahn rozpatezymy konstrukejg, zasadg dzialania, charaktorystyki, para metry i schematy zastepoze tranzystora bipolarnego, Uklad waéniejszych zagad- nief rozwazanyeh w tym rozdziale przedstawiono na rys. 5.2. Podstawowa straktura tranzystora bipolarnego BA | Sprébajmy wymysli¢ tranzystor. Na ogét odkrywanie rzeczy znanych jest zaje- ciem mato pozytecznym, ale w tym przypadku moze byé wzasadnione zo wegle- déw dydaktyeanych. ‘Tranzystor powinion micé wejécie i wyjScie, Do wejécia doprowadzimy sygual sterujacy, wyjseio zaé whaczymy w obwéd sterowany. Najpierw rozpatraymy wlaseiwosei 16 Prayriasy pétprawodnikows...> £ 3 r 8 yi Pack 12boW. wees eEsoAeer vporden: Jemot92 Ape [pao] [amoxnapmeay creer; 2Mo%mosUOy asTocoyy o1epow wr iqozad a (psoumoysoes uAD oman (esemmosiz9 t>K70u vr) Barres Sosa Ayeusyss wear szadayson Aways Suz ARS TA =shiayie20y5 ] J T wéenp T uonipesy op) a sue Geysisenb amon Ll omopead steno wiBoTouer pioynasuoy casuT smog [(SeomeVspod erobIody] zaminas, rasa a mounisou Tova Jxs92u0% peony; (Amodoasy Anowimaon (Sureaeraddoy Amowdua.pte struktura tranzystora bipolarnego — 243 la sterowaneyo (wyjSeiowego). Z uwagi na dazenie do uzyskania jak naj wamocnienia napigeiowego obwéd wyjsciowy powinien mieé wlasel ‘arodla prudowego, Zrddlo pradowe mona obcigiyé bardzo dude rorystanoja; niewielkie prayrosty pradu wywoluja bardzo duze praytosty napigoia neji obeiazenia, Z rozdzialu 3 wiadomo, ie zlgeze p-n, spolaryzowane u zaporowym, ma wlaseiwosei érédla © stale) wydajuose! pradowoj, ly# w srerokim zekresie zmian napigcia polaryzagji Tub reaystaneji obcigzonia w obwodzie jest wielkoseig stala, okreslona pradem nasycenia zlqoza, p-n ). Jezeli potratimy sterowaé prad /,, tn uzyskamy wamaeniaez o bardzo ols => i® a. % 58 ys. Get pa spolaryzowane w kierunku ra- Zminny eharakterystyki I,(0) spowodo- ‘Porowym jako grédlo o stale) wydajnosei wane zmianami koncentracji nosnikow js Re — rezystaneja obciazenia; I,— _ mniejagosciowyeh wekutek - odwietlenia prad nasycenia zlyer pen rlacza je Werost 4 z duzym wamocnienin napicciowym. (Cheielibysmy, aby wamaeniaoz dzialal tylko w kierunku od wojicia do wyjscia. Prod J, powinion wige zaleicé tylko od | Aygualu wejgeiowego, Zauwazmy, ze brak zaleznogei pradu Z, od napigein. wy} ‘Seiowego jest cochy korzystna nie tylko ze wagledu na modliwodd uzyakania wamnoniaeza napigciowego, lecx rownies, dlatego, xe zostaje wyelimi- J nowane niepozadane oddzialywanie sygnalu wyciowogo na wojfciowy). Z ror F driatu 3 wiadomo, 2 prad F, jest pradem nogaikéw mniejszogeiowyeh, zaled- = uym wprost proporejonalnie od koncentraeji tyeh nognikéw. Z koici koncen- tragje nognikow mniejszogciowych moina zmieniaé réznymi sposobami. Migdzy fnnymi oSwictlonic zlgeza Iub warost temperatury powodnja zwigkszenie kon- © eentracji nognikéw mniejszoseiowyeh — practo mvigkszenie pradu I, (rys. 5.4). Dodatkowg liezbe nognikéw muni jszoSeiowych mozna réwniez wprowadzié do bazy alyezs p-n 2 obwodu zewngtrznego, jeseli kontakt bazy z obwodem zewne- temym bedzic miat wlasciwosei wstrzykiwania, Takie wlasciwogei ma aiqone pen spolaryzowane w kierunku, przewodzenia, Zatem kontakt metal z baza zlacza nalezy zamienié na zlgcze n-p. W ten spos6b powstaje struktura dwuzlaexowa »2-p-t Polaryzacja rlycza pierwszego w kierunku przewodzenia pawoduje watrzy- . Kiwanie elektronéw z obszaru NV do obszarn P bodgeego wapélng baza obu ayczy. Rloktrony dostarezane do obszaru P — jako nogniki mniejszosciowe — - biory udaiat w pradzie I, drugiego zlacza spolaryzowanego w kierunku zapo- vowym (oeaywiseie pod waruukiem, Ze baza bedzie eienka). W ten spossh obwéd wyjsciowy ma. whase: sterowanego drddin pradowego, gély? wazelkie amiany pradu plyngcego przez pierwsze alyozo w kierunku przewodzenia. powo- § duja proporejonalne zmiany pradu J, drugiego zlgcza. Kolojne fazy rommmowa- ) nia prowadzacogo do utworzenia tranzystora, eayli struktury majqee] potdane wlaseiwosei wemacniacza sygnalow elektrycznych, przedstawiono na rys. 5.5. ie rozumujae moma by zaproponowaé rownies tranzystor Ww postaci struktury Prep. Ww ktorym pierwsze zlacze spolaryzowane w kierunku przewodzenia wsteny-Tranzystor bipolarny A a) Lode X (Permian: (ir \ Zien lcebe +(e roblem: \ elekteondw “ | "Sax omieniné 2) Specie sterowanta Nw [ : E Yoni { Watraykiwac z sqstedntego ataeza n=p spoiaryzowanego w klerunks preewadzoria i 9) Sterawane arédto pradowe—tranyster t = Ly"? Leg b> lug a Rys. 5.5 Sakic kolejnych faz rorurowania prowadzacego do ubworenia tranzystora kuje dziury do obsearu N, skad sq one odbierane przez drugie zlgeze wane w kicrunku zaporowym. Oczywiseio 4rédia polaryzujace obu 2yoza, odwrotny biogunowoéé nik w praypadku struktury wp-n. Tray kolejne tranzystora 2-p-n lub p-a-p sq nazywane zgodnie ich funkejami: — emiter (picrweza warstwa, ktéra dostaroza nognikéw mniejszosciowyeh ao) gioj warstwy); —~ baza (drugs warstw — kolektor (warstwa, zbicrajqou nogniki wstrzykiwane z emitera do bazy’. Na rysunku 5.6 przedstawiono obie struktury tranzystora bipolamego wraz % tych tranzystordw. Symbole sq kreslone % zachowaniem tej zasady, 26 omacaajyen omiter ma zwrot egodny % kierunkiem preeplywu prada wi konwenoji preyjete} w elektrotechnice (od plusa do minusa), Jest to awzat nyz kierunkiem przeplywu ladunk6w dodatnich (dziur), a przceiwny do przeplywu Iadunkéw ujemnych (elektronéw). PO—ale Kotektor a Emiter + S struktury tranzystora bipolarnego i ieh symbole clektryozne: a) tranzystor n-p-n: ‘irtiheystor p-n-p ja i technologia tranzystora bipolarnego 52 ‘oiggu bez mala 30 lat roxwoju technologii pélpraewodnikowej pojawito sig udziesigt réinych rozwiguah Koustrukeyjno-technologieznych tranzystorow mnyeh. A oto w porzadktt chronologieznym najwabniejsze x nich: . Ys S tranzystor mesa (stopowo-dyfuzyjny), Sianzystor planamny, jystor epitaksjalno-planarny _(upiplanarny). e wylwarzane tranzystory snaja_praewadnie strukture epiplanarna, dlutego nowimy praede wsuystkima ten rodzaj konstrukeji. Inne konstrukeje tranzy- maja W zasadzie maczenie historyome, a ich opis moina maleéé w wiela ioj wydanych podrgeznikach. Z dwu powodéw warto jednak zwrdeié uwa- natranzystor stopowy, ten rodzaj tranzystorow jest jeszeze wybwarzany w niewielkich iloseiach ‘we atwngi ba jego preydatnos6 w pewnych rodzajach uldadéw (zalety tego tranzy- stora to: duze wartosei napigcia pracbicia ziqeza baza-emiter oraz motliwosé g patient ukladu klucza symetrycznego). gio, cala teorie dzialania tranzystora bipolarnego, opracowana w latach pigédziesiq- yeh, dotyezyla tranzystora stopowego, ktory charakteryzuje sig réwnomiernym ladem koncentracji domieszek w bazie, ‘Lranzystory planarne i epiplanarne (wytwerzane metoda dwuktotnej dyfuzji) maja nierswnomierny rozktad koncen- ii domieszck w bazie, co istotnie wplywa na dzialanie i wladeiwosei tyeh yatorow. W zwigzku z tym przyjeto podzial tranzystoréw bipolarnyeh na: Hranzsstory 2 jodnoredi bast (nuay wane nickiedy bedryftowymt Iub dyfuzy}- dronsyntory 2 nigjednorodna base, (naxywane rowniek dryflowymt). okresie, gdy pojawily sie pierwsze tranzystory z niejednorodna bara, byla juz untowann teoria iranzystora z jednorodna baz, wiasciwosei tych pierwszych 6pisywano modytikujge istniejgea teorig. Taka chronologia zdarzen zacigzyla na iduie tresci wielu podrecanikow, w ktérych najpierw szczegélowo i wyezer- ijaco jest rozwazany tranzystor % jednorodna bam, po ezym mnie} wyezerpu-Tranzystor bipolarny jaco rozpatruje sig tranzystor % niejednorodus baza — niejako na zasadrie st golnego przypadku wymagajaeogo niewielkich modytikacji wynikow wer srych rozwaan. Zachowanie takiego ukladu tresei nie wydaje sig eelowe, g wspdlezesnie podstawowym rodzajem. tranzystora bipolaraego jest tran a x niejednorodny bare. Moana by nawet ogranicayé rozwazania tylko do rodzaju tranzystoréw, co jodnakze nie byloby uzasadnione ze wzgledow tyemych. Sprébujmy to hlizoj waasaduié. Dla dziatania tranzystora naj niejsze jest zjawisko transportu nognikéw w baaie, W ogdlaym przypadke port moze byé dyfuzyjny i unoszeniowy (dryftowy). W tranzystorze 1 jed baza istnieje tylko transport dyfazyjny (stad nazwa tranzystor bexdryfto dyfuzyjny, chociaz ta ostatnia nazwa nie jest zaleeana, gdyz mode nieprawidl kojarzyé sig x tranzystorem wytwarzanym metody dyfuzji domieszel). W zystorze 7 niejednorodng baz, zdecydowanie przewaia transport unoszeni ale w niowielkim stopnin istnioje réwnied dyfuzja noSnikéw. Stad wynika, najbardziej racjonalne byloby rozpatrazenie uogélnione} teorii tranzystora jednorodna bazy (2 wwaglednioniom zaréwno wnoszenia jak i dyfuxji), pry tranzystor % jednorodny haz nalezaloby potraktowaé jako praypadek s ny. Taki uklad maja nicktére specjalistyezne monografie, co jednak wymagn: sowania dosé ztozonego aparatu matematyeznego. Dazac do uproszezenia, wasah teoretyeznych tranzystor z nicjednorodna baza potraktujemy jako dp towy w doslownym sensie, tj. pominiemy wplyw dyfuzji nosnikow, Aby jedi mozna byto jakoSeiowo wyjasnié pewne zjawiska drugiego rzedu, spowodows dytuzjq zostanie réwnic? rozpatrzony tranzystor x jeduorodny baza. a ) Mon 10?5 OR Neldgluzja emitera) alata emer al 8 10° °, Boe \o 7 4, Sigeat |g, Aelearstn x) 5 § loodgedooos go < ab SL 3 Boren 8 3 \ mii 024) 3 8 c Ds Yn g € & t g So * §4 S| > ’ 8 Rys, 3.7 Rozklady koneentracji domioszek w ivanzystorze stopowym (a, b) | epiplanarnym (ed w skali logarytmicznoj (a, 0} i liniowej (b, 4)Konstrukeja i technologia tranzystora bipolarnego — 247 rysunku 5.7 praedstawiono rorklady koneentraoji domieszek w tranzystorze stopowym ftowym) i tranzystorze epiplanarnym (dryftowym), ‘To, Ze jeden tran zystor jest typu p-n-p, a drugi n-p-n, nie ma istotnego znaczenia, Obie tochnologie umoiliwiaja wytwarzanio tranzystoréw zaréwno p-n-p jak i n-p-n, loez najezes cio] tranzystor germanowy stopowy jest typu p-n-p, a krzemowy planarny — typu n-p-n. Na rysunku 5.7a, © przedstawiono rozklady koncontracji Ny. Ny oraz Np4 = (Np—N 4). Dla lepszej przejrzystogei na rys. 5.7, d pokazano w skali Tiniowej nicco wyidealizowane rozklady Np4(x) w obu tranzystorach, Najistotniejazy jest réiny rozktad koncentracji domieszek w obszarze bazy obu tranzystoréw, tj. stala wartosé Ny, w bazie tranzystora stopowego i malojaca zaleinosé N p4(2) w baxie tranzystora epiplanarnego (maleje wartosé bezwzgled- na [Vp4l)- a Warstna Wycinek do model gpitaksjaina Jednowymiarowego / Be \ / » { tum [ an s Struktura tranaystora\ S$ Sinat+ “e Rys, 3.8 Schomatycany prackrs} struktury tranzystora, epiplanarnego: a) rysunek szezegdlowy bez zachowania skali; b) rysunek w skali jure tranzystora epiplanarnego praedstawiono na rys. 5.8a, b, kolejne zas fazy jego wytwarzania — na rys, 5.9. Jest to tranzystor typu n-p-n, choé, Scisle biorge, ma on bardziej zlozona struktury n?-p'-n-n**, Podlozw typu n** jest to bardzo silnie domiesrkowana plytka lazemu o grubosei ok, 150 pm. Podloze spelnia funkeje nognika mechanieznego dla wlaéeiwoj struktury tranzystora, a pod wagledemn wlasciwosei elektrycznyeh wymaga sig, by metaria? podloza mial jak najmniejsxa rezystywnoté (chodzi o to, by rezystancja szcregowa kolektora byla jak najmniejsza). iécie w silnie domiesrkowanym pélprzewodniku typu 2t+ nie motna wytworzyé tranzystora, gdy% nie ma moéliwosei przckomponsowania bardzo dugej koncen- tracji domieszek, tj, nie moina uzyskaé warstwy typu p spelniajace| fankeje bazy. Dlatego na powierachni podloza osadza sig stabo domieszkowang warstwe epitaksjalna typu n, w ktrej jest wykonywana whéeiwa straktura tranzystora. Warstwa ta spelnia funkojg obszaru kolektora, przy ezym koneswka kolektora, moze byé wyprowadzona od spodu” lub ,.na wierzehu” plytki, W procesie dwukrotnej dyfuzji lokalnej wytwarza sig najpicrw warstwe typ p*, stano- wigea obszar bazy, a nastepnie — warstwe typu nt *, stanowiqe, obszar emi- tera. Jezeli kovieéwka kolektora jest wyprowadzona ,.na wierzchu” plytki, to jeduoexesnie z emiterem wytwarza sig rownied warstwe x** w obszarae kolek-Pranzystor bipolarny Cawarty proces fotoiltegraril (fotomaska sciedek metaticznych { pal kontaxtowych) Rys. 5.9 Wainiejsce fazy proces wytwarzonia trenzystora epiplanacnego Si-att TST y Pierwszy proces fotolitografii (fotomaska baz: Y ef CE ne Drugi proces fotolitegrafit. (fotomaska emitera] ’ P FR FERS att] pt} att} mek ¥ Traeci proces fotolitogratti (fatomaska okien kontaxtowych} + PES ood 2 - al py ae] | pete TT + ¥ PE aa ner} Testowanic Cigle plytei ¥ Hikromontaz ¢ zamknigcie w obuaowie Osadzanie warstwy epitaksjane) ) Sil Oyfzia tokatna bors dyfuzja lokalna + fosforz aniestenie metalizagy? Wytrawienie metalizaryive zasady dzialania tranzystora bipolarnego — 249 w eelu uzyskania omowego styku koiedwki metalowej z warstwa kolektora. ‘aa, po dytuaji rozidad koneentraoji domieszek jest w przyblizenin wyktad- no malejacy, uatem koncentracja akeeptorow w basic zmienia sig od ok. 10°8 m= przy rlaecu emiter-baza do ok. 5+ 10° m-3 pray zlacm baza-kolok- W cela wykonania doprowadzen do struktury pélprzewodnikowej tranzy- ma Wykonuje sig proces naparowywania metalu (najezesciej Al) na caly po- ¢ plytki, po czym w proeesie fotolitografii warstwa motalu jest wytra- tak, by pozostaly sciezki metalizacji w obszarach kontaktow z warstwami , bazy i kolektora. Naleiy zauwazyé, Ze w ten sposdb jednoczesnio wykomm- ‘w jednej plytce o Srednicy kilku centymetrow kilkaset do kiln tysicey yeh tranzystoréw. Po povieciu plytki na krysztatki (taw. mikropkytki struktury) odpowiadajace pojedynezym tranzystorom wykonuje sie proces omontaz. Mikromontay polega na przylutowaniu mikroplytki do podstawki viedniej obudowy, wykonaniu polgezeit cienkim drutom (najozesciej drat ¥ 0 Sredniey ok, 25 um) pol kontaktowych 2 tzw. praepustami, cayli z kor. i wychodzgeymi na zewnatrz obudowy i hermetyoanym zamknigoiu budowy. Jest to oczywiseie bardzo zgrubny opis procesu wytwarzania tranzy- epiplanarnego, Caly proces wytwarzania tranzystora sktada sig z killkaset eraoji szezegétowych, x ktérych warto jeszeze wspomnieé o testowaniu wy- przed poeigciem plytiki na mikroplytki. Chodzio to, by wadliwie daia- e struktury nie byly poddawane bardzo pracochtonnym i drogim operaojom kromontain i obudowywania. fizyeanej tranzystora bedziemy rozwazaé pewng wyidealizowang, jednowymia- @ strukture n**-p*-n-n**, odpowiadajacy wyeinkowi reeczywistej struk- y —zamacronemu na rys. 5.8a linia przerywang. Jednowymiarowa ideali- ja tranzystora omnacza, Ze uwzglednia sig tylko przeptyw nosnikéw w kierunku tym do powierzchni plytki, ezyli pomija sig prady plyngce przez bocz- powierzchnie zlgezy. Jest to usprawiedliwione w tym praypadku, gdy roz miary Tiniowe, okreslajace powierzchnie struktury tranzystorowej, sy znaeznie igksze nit grubosei warstw emitera i bazy. Pierwszy rzut oka na rys. 5.80 ‘Rate powatpicwac, cay ten warunek spelnia rozpatrywana struktura, Jednak cnalety uwzglednié, ze schematyemy prackréj struktury tranzystora pracdsta- na rys. 5.8a ber zachowania skali, gdyz chodzi tu 0 preejrayste pokazanie ‘possezegélnych warstw. Na rys. 5.8b przedstawiono strukturg identyeana jak rys. 5.80, lez 7 zachowaniem skali, Ten rysunck uwidacenia, jak bardzo ka jest struktura tranzystora, eo w pelni usprawiedliwia pominiecie zjawisk ‘avviqzanych z krawedziami hocenymi. Tylko niektére wlasciwosei tranzystora, . mechanizm prachicia, moga silnie zaledeé od zjawisk krawedziowyeh iw tych adkach analiza oparta na modeln jednowymiarowym moze okazaé sig nie- ‘stuszna. W bardziej pogiebionej analizie konieczne bedzie rownied uwzglednienie _ftuktu, ze prad hazy plynie w kiermku réwnolegtym do powierzchni. we zasady dzialania tranzystora bipolarnego _ 5.3 | Jak stwierdzono w poprzednim pinkie, dziatanie tranzystora moina analizo- " waé korzystajac % wyidealizowancj jodnowymiarowej struktury n-p-n bedgeo} ‘wycinkiom struktury raceaywiste] (Scisle biorge jest to struktura n**-p*-n-a** przedstawiona na tys. 5.10). Rozpatrzmy przepkyw pradéw w tej strukturze pray polaryzacji vqeza E-B w kicrunku przcwodzenia, a zigeza B-C w kiernnkaTranzystor bipolarny -® 5 eo n Finiter — @bza Kolexter foi. mt] pt a ne © Rys. 5.10 i Wyidealizowana jednowymiarowu: TT tura tranzystora epiplanarnegy aepen (xycinek straxtury reo zaporowym. Pesy takie) polaryzaeji tranzystor spelnia funkoje elementa’¢ nego, t}. moze skuzyé do liniowego wamacniania sygnalow elektryeznyeh.2 bardzie} uproszezony obraz zjawisk zachodzaeyeh w tranzystorze pracdsti na trys. 6.11, Podobnie jak w analizie zlqcza p-n prayjmnjemy, 7 napigoia' Najbardziej uproszezona ilustraoja zjawisk 2ashodeaeych w tranzystore: a) obrax fi przoplywu prada: b) ukled winezonia tranzystora pracujacogo jako wemacniacz ryzacji Upp. Uca odkladaja sie wylgcanie na odpowiednich warstwach zap) wyeh. Wskutek polaryzacji zlaoza #-B w kierunku przewodzenia x emit do hazy sy wstraykiwane elektrony. W bazie istnieje taw. whudowane pole trycene Ey, spowodowane nieréwnomiernym rozktadem koncentracji Zjawisko powstawania pola clekttyemego w niejednorodnym materiale potp wodnikewym jest znane z p. 1.9. W rozwazanym przypadku koncentrae] i mieszki akceptorowej w bazie maleje w kieranku od emitera do kolektora. tego pole cloktryczne E,y, przeciwdzialajace dyfurji dziur, jest skierowane | potencjaa dodatniego przy kolektorze do potencjahi ujemnego pray emit Elektrony wstrzykniete z emitera do hazy sq unoszone przez H,, w kiertit ! kolektora””, Po przejsein praez baze elektrony dostaja sie do warstwy zapo : zlyera B-C, w ktére} istnieje silne pole elektryezne ,,wymiatajace” te ele I dalej do obwodu, kolektora, Strumien elektronéw wstrzykiwanyeh 7 hazy tworzy prad emitera w obwodzie wejsciowym, a strumion clektrondw ranych przez kolektor tworzy prad kolektora w obwodzie wyjSciowym. Strut clektrondw odbieranych przez kolektor jest rowny strumieniowi Dn watrzykiwanych przez emiter, ezyli prad kolektora nie zalezy od napigsia| 4 Tstnienie pola whudowanego W bazie nie jest warunkiom koniceznym dla pracy tranzys W tranzystorze bordeyftowym nie ma pola Hs, a transport nosnikéw w bazio (od I do kolektora) odbywa sie wskutek dyfaxjidzialonia tranzystora bipolarnego — 251 fimkeja napigeia U gy. Zgodnio z konwencjy prayjety w elvktrotechnioe akicrowany praceiwnie do strumienia elektronéw. W tak uprosnezo- tu tranzystora prud wyjéeiowy I¢ jest réwny pradowi wejSeiowemu I, ik wzmoenienia pradowego definiowany jako Iyy/Typ %. jest wamoenioniom dla pradu stalego. Wamocuienie dla malyeh y pradu jest tez réwne jednogei ptmédno oprzeé sig odruchowi zwatpienia w jakakolwiek udytecznosé ele- ti ktéry bez wamocnienia przenosi prad % wejéeia do wyjseia. Moina jod- wykazaé, ze moo wydziclana w obwodzie wyjseiowym jest wigksza «dostarezona do wejscia tranzystora. przedstawionym na rys. 5.11b tranzystor jest polaryzowany x baterii ‘ce, ® ponadto w obwodzie wejteiowym jest wlaczone irdlo ¢, malego Snmusoidalnego. Baterie Uss, Ucc powoduja praeplyw pradbw. statych r obwodzie wejsciowym prad sinusoidalny é, l ktéry powoduje praeplyw pradu sinusoidalnego i, 0 ampli- tem w obwodzie wyjéciowym. Obliezamy moc sygnatu sinusoidalnego sein i wyjéeiu tranzystora, do tranzystora na wejseiu GA) Ay Tue — roxystancja wejéeiowa tranzystora, ‘Ww obciatonin R,, (5.2) pksimum mocy w obcigzeniu uxyskuje sig pray spetnieniu warunku dopasowania ray = By (6.3) Uwngledniajge (5.1) do (5.3) moina wyrazié wamoenienie mocy w postaci Fink, Beate fe = Thee Teatac (64) Biorgo pod uwage, He. = Teu/lems 40 (54a) Poniewad w rozpatrywanym modelu uprosceronym x = 1, wiee ky = co) "weTranzystor bipolarny — 252 Stosunek ryy/rne Wyuosi kilka tysicey, gdyd Tye jes mala rerystaneja przyrostows algeza E-B spolaryzowanego w kieranku przewodzenia (7 rondziat 3 wiadomo, 4e rezystancja prayrostowa zlneza p-n wynosi py/T, exyli praykladowo w tempe- raturze pokojowe} pray pradzie emitera Zz = 1 mA, rye = 25 Q), ry, mad jest bardzo duéa rezystanejq prayrostow, zigeza B.C spolaryzowanego w kierunku zaporowyim (w przypadku idealnego Zrédla pradowego rozystancja ry bylaby nieskonczenie wielka, w rzeezywistosei jest ragdu kilkuset kilooméw). j ‘Tranzystor jest rzeczywiscie ,,clementem transformujaeym rezystanoje” i wzmacniaczem movy. Rospatrzymy teraz nieco doktadniejszy model zjawisk zachodzqeych w tranzystorz0 zgod- nie rys. 5.12. Uwzglednimy tu dodatkowo moiliwos¢ rekombinacji elektronéw a) a > ae 0 ) y de Ie npn aE i. x hey prn-p fg Rys. 5.12 Dokladniejsza ilustranja zjawisi zachodzqoych w tranzystoruo 2 uwaglednioniom prada spowodowanego rekombinavja nosnikow w ‘8) obraz, strumicni noSnikéw; b) schema: tyceny rozplyw pradéw w tranzystorze np-n i pnp rs 2 dziurami w obszarze bazy. Jednym % podstawowyeh zulodeh wprowadzanyeh’ w analizie tranzystore. jest zasada, obojetnosei elektryeznej eatego obszaru baxy.. Stad wynika, Ze liezby elektronéw i dziur nadmiarowych w bazie sq sobie rowne,’ Jereli na przyklad z emitera w pewnej chwili wplywa do bazy 100 elektronéw, to ladunck ujemny, jaki tworz te eloktrony, przyciaga « najblizszego sasiedztwa’ 100 dziur, Niedomiar tych stu dziur ,,w najblizszym sasiedztwie” jest uzupel niany przea prayplyw daiur z nastepnych obszavéw bazy, aé ostatecanie wplywa, 100 daiur x obwodu zewnetranego przez elektrode bazy (jest to oezywikcie jedno- znacane z usunigeiom 100 elektrondw x warstwy bazy do obwodu zewngtrznego, gay’ w obwodzio zewnetranym plynie tylko prad elektronowy). Caly proces réw: nowazenia sig ladunk6w nosnikow nadmiorowych praebiega w ezasie 1 = 10°! 110-43 5, eayli — praktycanie biorae — jest to proces natychmiastowy. Dla- tego moina twierdzid, ze zawszo istnioje réwnowagn ladunku elektrondw t daiur nadmiarowyeh w obszarze bazy. Skorzystajmy teraz z zasady obojgtnosci olektryeznej bazy w celu wyjasnienia rozplywe pradéw, pracdstawionogo na rys. 5.12. Saybkosé strumienia elektronéw wply jacych % omitera do bazy niceh prayktadowo wynosi 100 elektronéw na sel ‘a enybkosé rekombinagji par elektron-dziura niech bedzie 1 para ne selcun W piorwszej sckundzio z omitera wptywa do bazy 100 elektronéw i 2 uwagim nasade obojetnosei clektryesnoj bazy w tym samym czasie przez elektrodg bi wyplywa 100 clektronéw do obwodu zewnetrznego, co oznacza inaczej, te obseara bay wplywa 100 dziur, W ten sposdb w chwili whaczenia tranzyst prad hazy jest réwny pradowi emitera. Jest to stan nieustalony, ktory bedziéwowe zasady dzialania tranzystora bipolarnego — 253 i oméwiony w dalszej ezesei rozdzialu. Obeonie interosuje nas stan ustalony, ktory ie -w rozpatrywanym przykdadzie oznacza, 0 w jednej sekundzio wplywa do bazy . 100 elektrondw % emitera, wyplywa 99 elektronéw do kolektora, a jeden rokom- . binuje z daiura. Oznaeza to ubytek ladunku jodnoj dziury, ktora musi byé dos- tarezona do bazy % obwodu zewngtrznego. Jotem w stanie ustalonym liezba elektronéw odbieranych w jednosteo ezasu przoz kolek- tor jest mniejsza niz liesba clektronéw wstraykiwanych do bazy 2 omitera, a wico prad kolektora jest mniejszy nz prad emitoru. Rédnica tych dwu pradéw jost spowodowans rekombinagjy, elektronéw x dziurami (nio wszystkio elektrony wetrayknigte 2 emitera 2dolajg dotrzeé do koloktora). A poniowaz baza musi by6 obojetna eloktrycznie, z zewnetrznego obwodu bazy wplywa stramici dziur uzupelniajgeych ,,straty” Indunku dodatniego, epowodowane rekombi- nacja. Ton steumioh noSnikéw tworay prad bay Ly. Stad moana zapisaé podsta- wowe r6wnanie pradéw w_ tranzystorze ; Tp = Intl (5.6) ‘ sluszne réwnied dia malych prayrostéw Alp = My+Alc (677) Bilans pradéw w tranzystorze wynika konsekwentnie z zasady obojehosei elektrycane] bazy i obowiqzuje zarowno dla tranzystorow n-p-n jak rownies p-n-p (rys. 5.12b), zaréwno dla stanu ustalonego jak i nieustalonego, ‘stor jest tym lepszy (tym wigksze ma wzmoenienie), im mniej nosnikéw rekombi- nuje w bazie, W dobrym tranzystorze: Je; in 5 | 60 upraszeza nicktére we0- ia ry, @ inno komplikuje,ad koncentracji nosnikéw nadmiarowych — 257 Jy = dy (522) Sind Jn vee ala) = See (6.23) = prey caym C — stala calkowanin, ktéra jest réwna np (0), a moze byé wyanacao- |) ha Z warunku n, (Wp) © 0 (na levej krawedai wnrsiwy zaporowe) zlyeza B-C ©) Gloktrony #9 silnie unoszone przez pole clektryeme istnicjaco w tej warstwie, %. dlatego koncentracja elektronéw w tym punkeie jest, praktyeznie biorge, row- * na germ), y Zatem Jr / C=n,(0) = — Ds Ws (5.24) Bad vse) = Eh Fa (6.28) Ib (5.26) nate) = m0)( Z toj raleinosei wynika, #0 w praypadku istnienia tylko skindowej prada dy- 4 1 fusji rozklad koncentraoji nosnikéw nadmiarowyeh w bazie jest liniowy, Koncen- © tracje clektrondw dla wapélrzednej 2 = 0 moana wyznacryé xe statystyki Bolte manna Ue er N40) Pg my teraz rozklady koneentragji noguikéw nadmiarowych w basie tranzystora . dla praypadku transportn tylko unoszeniowego (ideslizacja tranzystora dryfto- weg) i tylko dyfuzyjnego (tranzystor % jednorodny bazq’— bezdryftowy) — = ry. 5.17. © My(0) = %y0(0) exp (6.27) /re Oye Pegg 7g Bezdryfiony Rys. 5.17 Poréwnanio wyidealizowanych rockladéw Ioneen- fraoji nognikéw nadmiarowyeh w bazie tranzysto- réw dryftowego i berdryftowego pray jodnakowyeh wartoSeiach pradu emitraTranzystor bipolarny _ Pray jednakowym pradzie JJ, x Ayla) =H (1 _ (5.28) HO NT a) ‘ dla x Me Oas¢ = 4% Oaesre (5.29) Prry jeduakowyeh wartoseiach mp (0), ozyli agodnie x (5.27) — pray jednakowym. napieciu Upg d Iricryge = WT alass (6.30) Stad wynika wainy wniosck, 20 w poréwnywainych tranzystorach bezdryftowym i deyf towym (o jednakowych koneentraojach domieszok w emiterae i w bazio dla wspok raednej # = 0), przy jednakowyoh napigciach Upp, prad emitera jest rary wiekszy w tranzystorze dryftowym. Jeieli chodzi o tranayetor % jednorodna bazq (bezdryftowy), to otreymany rozldad.1y(2) # duia dokladnosciy odpowiada rzeczywistej sytuacji. Liniowa zaleinosé n,(e) ulege tylko nieznacmej modyfikacji pray uwzglednieniu zjawiska rokombinagji nosnikow w basie (rys, 5.18). N Z rekombinacig “Sy Rye. G18. x, Wplyw rekombinacji w baziv na ksztalt roziladu n(x) Wy w tranzystorze headryttowym Rozklad (2) = const, otrzymany dla uproszczonego modolu tranzystora dryftowego, jest natomiast nico gorszym przyblizeniem rzeceywistosei. Przede wszystkim nalezy zauwaiyé, 20 w reeorywistosei m,(Iy) ¥ 0, gdyz na krawedi warstwy zaporowe} zlycza, B.C nosniki sy ,,wymiatane’’ do kolektora przez, silne pole eleke | tryezno, istniejace w toj warstwie. Jeseli n,(W,) © 0, to zapowne w exesei hazy praylegajqco} do kolektora istnieje pewien gradient Koncentraeji noknikow, a wigo w tej ozeSei bazy istotne znaczenie ma prad dyfuzji. Dlatego dokladniojsry pracbieg rozkladu koneontracji noSnikbw nudmiatowyeh w bazie tranzystora dayftowego otrzymuje sig rozwiazujae rownanie pradu (5.14) w ogélnej postaci zawierajgce} zaréwno skladowg unoszenia jak i dyfugji. Praypadek traeci (unoszenie i dyluzja), Réwnanio (5.14) praepisane w postaci dy thy =@ pray exym: pat Prkoncentracji nosnikow nadmiarowych — 259 = Ta ~ gD, y= ma rozwigaanie ogélue (mozna jo znaleZ6 w kaédym poradniku matematyki) ye) = eP® [2 em -n49| Po wyznaerenin stalej calkowania @ na podstawie warunku y(W,) — 0 oraz zamianic zmiennych posilkowych na zmienne pierwotne otrzyrauje sie ny (e) © Malo ool at 8 5.31 qhan One 631) i) 74 (0) Rys. 5.19) koncontragji noénikow i pradéw w bazie transystora dryftowego pray uwzgledaieniu skladowej unoszenin i dy fuz|i_ (Jy — pmad unoszeniu, Jy — prad dy- oF r fuzji) iysunku 5.19 praedstawiono wykresy %,() obliczone na podstawie tej zalednosei dla typowych wartosei wspGlezynnika y, tj. 7 = 4: 8. Na tym samym rysunku wy- krelono réwnick przebieg calkowitego pradu clektronéw w bazie i jogo dyvie skia- dowe dla q = 8. Praedstawione wykrosy potwierdzaja slusmmosé mlozenia, ie prud unoszenia przewata zdecydowanie nad pradem dyfuzji. Tylko w niewiel- kim obsaarae bazy sqsiadujgeym % kolektorem prad dytuaji odgrywa. istotng role. iajge (5.81) moina uSeiSlié zaleinosei (5.28 do 5.30): * -(- 7) 5.28: wel, (a) fam ny, (0) , (5.298) F = (5,308) "ane Woe lay 300 Widaé, ze przyblizone zaleznosei (5.28) do (5.30) 1 dosé dokladne dla duzyeh wartogei wspélezynnika 7 (y > 3).Pranzystor bipolarny — 26 Wspélezynnik wzmocnienia pradowego oy Znajge rorplyw pradéw w tranaystorze (rys. 5.14) mokna okreslié zaleing wspéleynnika wzmoonicnia pradowego ay od parametréw muterialo i punktu pracy, Z definicji = te ayn ie Podziclmy liemik i mianownik tego wyrazonia praoz Ing (Ine jest pradem elekts néw na pooatku bazy, tm. na prawoj krawedai warstwy zaporowej zlaona By Je Lar dy = SS 5.34 " Dae Te ( Wprowadzamy dwa wspélezynniki charaktoryzujyce wlaseiwoSei wewngtrane} strukta tranzystora: te = Inu —~ wepdlozynnik sprawnosei wstrzykiwania emitera, okrestaj jake oagS¢ calkowitogo pradu omitera stanowi strumiei nosnikéw wstrzyliw do obszaru bazy; ay = Zoflyx — wspdlozynnik transportu (nazywany réwniez wspélozynnikie rekombinaoji w bazie), okroslajacy, jaka ozeSé strumienia elektrondw wstrzyk wanyeh do bozy jest odbierana przez kolektor. Zatem By = Ketty (6.34 Na rysunkn 5.20 praedstawiono rozplyw pradéw identyozny jak na rys. 5.14, leon 2 zglednioniom wprowadzonych wspélezynnik6w. Od jakich parametrow materi lowych zalezq wspdlozynniki a, a5? E a c Rys. 5.20 Rozplyw pradéw w tranzystorze (strzatki wskazuja konwencjonalny kierunck preoply ‘praviu, ozyli 89 2godno 2 Kieruntciom strumionia daiur, » prraciwne do kierunku strumi oloktronéw)ilezynnik wemoenienia pradowego — 261 Wepotozynnik sprawnosgei watrzykiwania emitera Lag. Fas = a (5.34 Te Tye Tye tT oes) Rozpisalismy prad emitera w postaci sumy pradu dyfuxji olektronéw I,_ i dziur Ip oraz pradu rekombinacji nosnikéw ow warstwie zaporowej zlyera emiter- -baxa Tren podstawie teorii zlacza p-n (rozdz. 3) oraz uwagledniajge awigack (5.300) otraymuje sig zaleinoSei na trey skladowe pradn omitera: (5.35) (5.36) (637) pray caym: Nyx — koncentracja donoréw w emiterze na krawgdai warstwy zapo- rowej aigeza B-B; Ng — koncentracja akeeptordw w bazie na krawedzi stwy zaporowe} algeza E-B; W, — szerokosé emitera; prayjeto, ze We jest anacenie mniejsve niz droga dyfuzji dziur w emiterzo; Wra — szerokosé warstwy, zaporowej zhicza H-B; 7 — cans zyein noSnikéw. w (6.34) lieznik i minnownik przez Iyp oraz uwzgledniajge (5.35) do (5.87) obrzy- muje sie 1 1¥K4E (38) ptzy exym: ot (6.380) 1 NagWaWey 1—on* ( a) — Use 5.38b) 7 OPN op, (6.38b) wane wyrazenia majq dosé rozwlekla posta, sy jednak wystarczajaco przejrzyste, by mofna byto na ich podstawie wyciagnad bardzo istotne wnioski natury ogél- nej. Przede wsaystkim nalezy stwierdzié, 40 jest potadane, by wspdlezynnik %- mial wartosé jak najblizszq 1 (aawaze 7, <1), ten. jest pozadane spelnienie werunku (K-+L)<€ 1, Skiadnik 2, mvigrany 2 pradem rekombinaoji w warstwie zaporowej zioza E-B, ma istotne maczenie w prrypadku male] koncentraoji nofnikéw samoisinych n;, ezyli naleay go uwzgledniad w tranzystorze kxzemo- wym, leer jest do pominigcia w tranzystorze germanowym, Ponadto nalezy za- uwatyé, ze ten skladnik silnie zalezy od napigoia Usy, pray ozym maleje on w miare zwiekszania poziomu wetrzykiwania nognikéw (awi¢kszanie napigcia yp). Stad wynika, te wartosé wspélozynnika 2, jost eoraz wieksza w mice awigkszania napigcia Upg, ezyli w miare zwigkszanin, pradu emitera, Pray odpo- | wiednio duzym pradzie emitera skiadnik Z moina pominaé w pordwueniu ze skiudnikiom K.Lranzystor bipolarny — 2 Na wartoté sleladnika K deeydujuey wplyw ma stosunek N4y/N pp, pray ezym jost poi dane, Zeby Nan < Nye. Dlatego emiter jest bardzo silnie domieszkowany (Np, = = 10° mo), a baza w obszarze sqsindujyoym 2 z emiterem ma koneentrad domieszok kilka rzedéw wartosei mnicjazy (Nyy & 5-10? m8), ‘ Skladniki A, sq tym mniejsze, im wieksza jost: wartosé wspdtezynnika . Poniewad w ty powym przypadku koncentracja domieszck maleje wzdlui bazy (w przyblideni wykludniezo) od 5+ 10? do 5+ 102° m-3, zatem 5+ 105 “prio © 7 qain W tranzystorach % jednorodng bazy 1) = 0, a poniewat lee" =1 Y nao widaé zatem, ze brak pola whudowanego w bazie tych tranzystoréw wplywa nie korzystnie na wartoSé wspélezynnika 2. Dia, tranzystorow germanowyeh % jednorodng baz ( (5.39) Wyratenie (5.39) jest najezesoiej podawane w literaturze jako ogélnie sluszne dla tranzystor6w bipolarnych, leez trzcba pamigtaé, ze dla tranzystoréw krze- mowyeh dryftowyeh (ezyli dla wigkszosei wspélezesnych tranzystoréw bipolar. nych) sprawnosé wstrzykiwania emitora, jest okreslona bardzic) alodony galei noseig (5.38). Wspélezynunik transportu nognikéw w bazie te te a p= (5.49) Podzielmy lieznik i mianownik tego wyrazenia przez Q, — tadunek noknikéw nadmiarowych w bazie; a poniewax iloraz ladunku i prada ma wymiar ozasn, zatem wprowadémy oznaczenia: b= # (la) a naa (Ib) Stad zalednoSé (5.40) prayjmuje postaé Te. 9 y= nth (5.42) Wielkosci 4, 1, maja okreslony sens fizyezny. Gdyby nie byto rekombinacji no& nikéw w bazie, wowezas prad Lc spowodowalby w czasie t, usunigcie calegozynnik wzmoenienia pradowego — 263 ladunku Q, zmagazynowanego w bazie, Oezywideic w stanic ustalonym na miejs- co Iadunku usuwanego do kolektora wplywa taki sam ladunek « emitera i stan ~naladowania” bazy nic wlega zmianie, Zatem wielkosé t, jest to czas praclotu noéaikéw pemee bane. Wyobraémy eobfe tora inna aytunofe, Niech w bazto be- dzio powien ladunck Q, i zostaje praerwany przeplyw pradow Ic, Lp, cayli nie ma wymiany ladunku bazy 2 warstwami kolektora i omitera. Wowezas ladunek Q, maleje w funkoji ezasn wekutek rekombinacji nognikew (w stanie ustalonym przy Ic = 0, dla podtraymania staloj wartosei ladunku w bazie, Q, = const, jest konicezny przeplyw odpowiedniogo pradu rekombinacji bazy — Z,,). Wiel koS6 , jost staly czasowy tego procesu, ozyli jest to po prostu czns é kéw (przewadnie 1, = 10-*...10-? 8). W kaédym tranzystorze fy Up > Ue dla n-p~n Ogélne relaeje migdzy _potenojstami Uc < Ua < Ue ala p-n-p poszezegélayeh elektrod tranzystora zatom okreélié ogéIne rolacje migdzy potencjatami poszeacgélnych elektrod tranzystora (rys. 5.22): Uc > Un > Up dla, trangystora g-p-n (6.49a) Ug prady zbierane przez kolektor i omiter. Taki model jest nazywany transporta- teym (rys. 5.27). Nio sq to dwa réine modele, Jeez tylko dwa warianty zapisu dy Jo |= hae Rys. 6.27 Model Ebersa-Molla — wariant trans- 8 portowy Bi; “-tyeh samych zaleinosei. Réwnaniom (5.52), (5.53) dia modelu iniekoyjnego Hsy rownowaine nastepujyce réwnania dla modehi transportowego: h= 2 -t (5.57) To= ty Zt (5.58) oy przy czym: U, Ty = cyl es (o> EM ) (5.59) er [te om _ Jeieli w pierwszym przyblizeniu prayjmie sig, xe zalemosé (5.56) jost. skaszna, Yo oba arédia odniesionia Zy, J, sq okreslone identyezng churakterystyka pry. _dowo-napigciowa. Jest to istotna zalety modelu transportowego. fxs roxpatrywaliémy model uproszezony, ktérego doktadnogé mona awigksryé priex uwzglednienie nastepujacych zjawisk: = faleinos wepblezynnikow ay, a, od prydu emitera i kolektora oraz od napigé polaryzacji obu adacay; = istnienie rezystancji szeregowyeh emitera, bazy, kolektora (sq to rexystaneje ‘ adzeti i obszarow Iezgeych poza warstwami zaporowymi); = korekeja raleznoel wyMadniezych przez wprowadzenie wspétezynnika m 4 id vilr~{ va)] r fu 5.28 prredstawiono model Kbersa-Molla w wersji transportowej, w ktérym tawzgledniono wymienione ezynniki. Najwigksze znaczenie ma rezystancja roz- Proszona bazy r4,, pozostale rezystancje sq zwykle pomijalnie male. dp=ayTranzystor bipolarny Charakterystyki statyczne Najbardziej dogodny jest zestaw réwnan micszanych, gdy2 warunki ich pomiaru sq zbli: , aymtle woe weap \y In ~exp ing eR ang Rys. 5.28 ‘Model Eborsa-Molla, 0 zwigksvonej doktadnosei Stan statyozy (punkt pracy) tranzystora traktowanego juko cawérnik nieli:| niowy jest opisany ozterema wielkosciami, tj. pradem i napigciom wojSeiowyst I, U, ora pradem i napigoicm wyjéciowym I,, U2. W ogdlnym praypadicu zis: na kaidej z tych wielkosei powoduje zmiany traoch pozostalych. Zawsze istnicje moiliwoss wybora dwéch wiclkosei jako amionne niezaledne i obserwowanis) ich wplywu na dwie pozostate wiolkodei. ZaleinoSé jednej wielkosei od dwu in nych pray nickontrolowwane} wielkogei czwarte] nazywa sig rwnuniem cz nika. Latwo moéna oblicayé, ze istniejo 12 réznych rownal. Poniewai do pelnegs opisu caw6rnika wystarezaja 2 rdwnania (para rownel cawérnika), mozna jo pogrupowaé w 6 par. Znaozenie praktyomne maja 3 pary rownatt: rownania impedaneyjne Uy =i Is) . ohne) oat réwnania admitaneyjne Ty =f, Us) j 1 =i. U2) (6.83) réwnania mieszane U, = f(y, U. - rajeeo; | (6.40) done do normalaych warunkéw pracy tranzystora w ukladzio (warunki zblione do sterowania pradowego na wejécin, i sterowania napigciowogo na wyjéeiu). Dlatego rozpatrzy sie charakterystyki statyomne, okreslone na podstawie row. nai mieszanych. Przez charakterystyke statycena, romamio sig zvigzek wielkose!| zaleine} i jednej x dwa niezaleimych przy stale] wartosei drugiej wielkosei nic: zaleine} traktowanej jako parametr. Na podstawie réwnai (5.63) modna olae lis eatery rodsiny charakterystyk statyoznyoh :a nieliniowa stalyczna Staion Uy = SU u, co furctae wapiecinwe Us SUS) cnc pracjisiove pradove 12 JU .wcm eee Ty = Us, osoms a kombinacja jeduej z dwn pierwszych charakterystyk (wejéeiowoj lub zwrotne]) i jednoj z dw ostatnich. (praojéciowej lub wyjéeiowoj) jest wystarozajgon do wy- maczenia dwu pozostalyeh charakterystyk. Diutego w katalogach sq najereoio} podawane tylko charul:torystyki wyjSeiowe i wejseiowe. dit kaddego x trzech ukladow wiaezenia tranzystora wielkosei J,, I, Uz, Uz omacaaja i i zupelnie rééne prady i napigeia (na przyklad J, jest pradem emitera w ukladaie WB, » pradem buzy w ulladzie WE). Naletaloby zatem rozpatreyé charakte- rystyki statyezne oddaiclnie dla kaédej konfiguracji. Zrobimy to dla konfigu- raoji WBi WE. Konfiguraeje WC mozna pomingé, jezoli wemie sie pod uwage mikome réinice (szezegéInie w obrazie graficznym) migdzy prydami emitera i kolektora, Interesuje nas gléwnie praca tranzystora w zalesie normalnym, ystyki statycene w ukladzie WB 5721 Zgoinic z ukladom whaezenia tranzystora: Ay Tp Lpale 0, = Use U, = Ucg Interesuja nas zatem nastepujace rodziny charaktorystyk: {Ven = fLe)uce — wejsciowa Ten = (les Veo) | Use = fWenr, — mvroina Te = fLz)ucy — przejsciowa Te = Sle, Ven) { 1, = fens, — wyiseiowa Wiadomo, ze zlyoxe W-B jest. polaryzowane w kierunku przewodzenia (Ug, do- datnie), a zlyoxe B-C w kierunku zaporowym (Uc, ujemne). fatkie extery rodziny charakterystyk przedstawiono na rys, 5.29. Charakterystyki maja, sons ogdlny, chociaz dla lepszej orientacji wyskalowano osie pradéw i napieé Ww wartoseiach typowych dla tranzystoréw mate} mocy. ikaktorystyki wejéciowo Postaé analityezng zaleznosei Ure (ruc, motna Jatwo obrzymaé na podsta- wie rownania (5.52). Jest to zaleinosé logarytmiczna, gdyz w przyblizenia Ip ~ ~ exp Zit exp Ue by wyeksponowaé niewielki obszar charakterystyk pray poezatku ukladu wspélrzed- nych, to okazaloby sig, #e eharakterystyki nie praechodza dokdadnie przez zero Ppirrndy polprewodnikows...TLranzystor bipolarny ~ matt matle —— Wyliciowe ese A Mie =4 mA Preoiciowe ig ob EE ma Swrotne 98 GB Hes Rys. 6.29 Cztery rodziny charakierysvyk statyecnych w ukladzie WB. (dla Ugg =0 prad Ip >0 prey Ueg <0). Jost to xjawisko drugorzedn pominigte na wykresie, ktére jednakée wynika wprost 2 réwnania (6, Moima je rownie w prosty spossb wyjasnié jakoSciowo, jezeli rozpatrzy sig wplyw rerystancji rozproszonej bazy ry. Ne tysunku 5.30 wykazano, w jaki Bys. 5.80 Tlustraoja_wyjadniajaca wplyw skoriozons) reaystancji obszaru hazy (reaystanoj proszono} baxy ray) na prad emi Um =0 pelanpaant Usp nea charakterystyk Ugy (Is) ils rozayeh wartosei parameter Up 8 spowodawane zjawiskiem modulacji efektywnej szerokosci baxy, nazywix nym ezesto zjawiskiem Harlyego”. To zjawisko znacanie silniej praojawia sig 9 J.M, Early: Effects of space-charge layor widening in junction transistors, Proc, IRE 1962, Vol. 40, pp. 1401—1406.nieliniowa statyczna — 275 w tranzystorze x jednorodng baza nid w tranzystorze dryftowym, dlatego wyjas- imy je najpierw na przykladsie tego pierwszego tranzystora, Na rysunku 5.31a przedstawiono rozklady koncentracji nosnikéw nadmiarowyeh w bazie teazy- fora bendeyftowego dla dwn réinych wartosei napigeia baza-kolektor, tj. De ty ae Rys. 6.31 Woplyw modulaoji efekiywne} szerokosei bury (zjawiska Rarly’eo) na praeg tranzystora bendeyftowego: a) umiany pradu Te pray Ure ~ const; b) zmiany napigeia Ura pray Ln = = const i Ugp, pray ozym |U¢p| > |Uggl. Rozktady koncentraeji elektronéw w bazie, omaczone na trys. 5.314 cyframi I, 2, wykreslono przy zalozeniu, ie Ugy = const, 0 omacza stalosé koncentraeji elektronéw na poozatku bazy. Na koten hazy (na krawedzi warstwy zaporowej ztacza baza-kolektor) koneentracja elektronéw jest réwna zeru (silne ,,.wymiatanic” elektronéw). Poniewa sxerokosé warstwy zaporowoj zlyeza B-C zmionia sig w funkoji napigcia Up, zmienia sig rownied efektywna szerokosé bazy. Powoduje to oczywiscie zmiany gradientu koneen- tracji nosnikéw, a wigo smienia sig prad emitera, ktéry jest pradem dyfuzji pro- porojonalnym do gradientu koncentraeji nognikéw. Zgodnie x rys. 5.3la warost napigeia [Ucq] powoduje zmniejszenie efektywne] szerokosei bazy, practo waraste koncentracji clektronéw (przy stalym napigciu Ugg), ozyli warasta prad emitera. deaeli zatem rodzing charakterystyk wejéciowych (rys. 5.20) |Tranzystor bipolarny — 2 Uogélniajge powyzsze rozwazania mogna stwierdzié, Ze zjawisko modulacji_efekty Charakterystyki wyjSciowe przctnio sig linig stalego napigeia (Ug, = const), to wigkszym nupieciom |U, eda odpowiadaly wieksze wartosei pradu Jp. Moina by tez uezynié odwrotni 4). przevigé rodzine charakterystyk weiéciowyeh linia stalego pradu (J, = con ‘Wéwezas naledaloby udowodnié, #e wigkszym wartosciom napievia [Ua odps windaja mniejsxe wartoSei napigcia Up,, Na rysunku 5.31b wykazano, Ze t jost w istocie, Interpretacja zjawiska jest identyozna jak na rys. 5.31a, Zmi Big tylko joden warunck braegowy, a mianowieie zamiast Uge = const, 60 0 cza ny (0) = const, jest Ip = const, co ormacza 4 = const, exyli stale nach Jenie rozkladu koncentraoji eloktronéw w bazie. Widad, Ze napigoie Ug maleje w miare wzrostu wartosel napigeia |Ucal. szerokosei hazy powoduje zmiany wielkosei wejéciowych (Z_, Uge) wekutek ain ny napigcia wyiciowego (Ug), pray ezym to oddzinlywanic zwrotne jest zwviy zano 7 dyfuzyjnym charakterem transportu nognikéw w bazie. Stud wynika wn sek, 2 w wyidealizowanym tranzyetorze dryftowym. (transport nosuikéw w be zie tylko pod wptywem unoszonia) nie ma oddziatywania zwrotnego, ezyli chi: rakterystyki wejéciowe nie zaleza od napigoin Uy. W raecaywistym tranzy storze dryftowym istnieje niewiclka ckladowa prudu dyfuzji obok dominuj skladowoj pradu unoszenia (chodzi o relaojg miedzy tymi dwiema skladowy: pradu na poczatku bazy, tan. dla 2 = 0), dlatego powne oddziatywanie zwr obsorwuje sig rownie# iw tych trangystorach. Jost ono jednak okolo rzad wat tosei slabsze nit w tranzystorach beadryftowych, co Jatwo moze zrozum poréwnujgo rozklady koncentracji na rys. 5.31, b (tranzystor beadryftow, ina rys, 5.82a, b (tranzystor dryftowy). ty ) ty eee 7 AN BE Se 3 a 7 ¢ fe 2 Ld l. a LE wij! ij _—— We Rys, 5.32 Wolyw modulacji efeictywnej szorokosei go: a) amiany pradu Ip pray Urn dia «= 0); b) zmiany napigeia Use prey Tr = const: (nieznaozna ymiona wartosci ns (\)) Postaé analityozna zalezosci Te(U cp), motna otrzymadé na podstawie rown (5.63). Poniowad parametrem jest prad emitera, dogodnie jest zatem posluiy sig zalo#nosein (5.55). Jekeli I,” > Ics, to w zakrosio normalnym (Veg <0) pre Tc, praktyemie biorgo, nie zalezy od napicoia Up i jest liniowo zaledny od prada Ty (jeteli xy = const) Ip = ayy.— 27 ©, deugi, ezyli prad I¢ maleje w miare wzrostu Ucp > 0. Taki prrebieg charakte- co FSty ki Ze(Uew)iz wyjakniaja pogldowo rys. 5.332, b a) N | c I Uca=0 g Je = c 1c=0 yt ew Rys, 6.33 Tustracje objagniajqee zjawiska pray Uce = 0 (a) oraz Te = 0 (b) 1 5.33a preedstawiono sytuacje dla Uy = 0, tj. dla ewareia kolektora x baa. Nofniki wstrzykiwane x emitera do bazy moga byé odbierane praes kolektor, gay mimo braku zowngtrmnego napigoia Ucy istnieje napigcie dyfuzyjne yp Ww warstwic zaporowoj zigeza B-C, ezyli jest pole elektryeane .,wymiatajace” elektrony x bazy do kolektora. Dlatogo prad I # 0. unku 5.33b preedstawiono sytuacje dla Z, = 0. W tym praypadku slaexe O-B jest polaryzowane w kierunku przewodzenia, pray czym warstwa kolektorowa, ‘spelnia jednoczosnie funkeje kolektora (odbiera eze8é nosnikéw wstraykiwanyeh. z emitora do bazy) i emitera (wetraykuje nosniki do bazy). Prad I- = 0, gdy lieaby nofnik6w przcchodzgeych przez warstwe zaporowa hora B-C w obu kiorankach sq jednakowo. Aby byt spelniony warunek obojetnosei elektryezne} bazy, prady omitera i bazy musza, byé prey tym jednakowe. niejszych Tozwazaniach charakterystyk wyjéciowych okazuje sig, Ze charakte- rystyka Tp(Uep) nie jest idealnie piaska w zakresio normalnym, lees ma niewiel- Kkie nachylenie dodatnic. Ozmacza to, ze w miarg zwigkszania napigcia |Uca! prad Ie nieznacmie warasta. Jest to spowodowane modulacja efektywnej sze- rokosei bazy. W miare warostu [Ucy| efoktywna szerokosé hazy maleje, a im ciofisaa jest baza, tym mniej nosnik6w nadmiurowych w nicj rekombinuje. Zwwigksza sig zatem wartosé wepélezynnika transportu. a, a wigo warasta ay, cayli pray staloj wartosei pradu J, zwigksza sig nieznaeznie prad Zc.Tranzystor bipolarny ~ Charaktorystyki pruejsciowe i Faleinosé Io(Le)igy jes olreslona analityeznie rownaniem (5.55). Pray Uca piorwszy edlom tego wyrazenia jest pomijalnie maly, zatem Zc = f(T) jost 2 hoseig liniowg o nachylenin zy. W dokdadniejszych rozwaianiach naleay uwzgl ning niewiolkg nieliniowosé spowodowang zinianami wspélezynnika ay w funk pradu emitera (rys, 5.2la). Tnterpretacja wplywa parametra Ueg na nachyle prostoj Ic = awl, jest oparta na zjawisku modulacji efektywne} szerokosol bug P nie roii sig od wyZe] przedstawionego wyjaénicnia nachylenia charaktoryst To(Uen)- Charakterystyki zwrotne Na podstawie uproszezonego modelu tranzystora waleinos Upp (Uep)r_ pow byé lini prosts rownolegl do osi Ucg (brak wplywu napigoia Ucp ne Ug Wiadomo jednak, ze modulagja ofektywnej szerokosei bazy jest prayonyng p nego odduialywania zwrotnego. Zmniojszanie sie napigeia px w miare watostl Ucn pray stalym pradvie Ip wyjaéniono jué na rys. 5.81a, Charablerystyki statyeene w ulladaie WE 513 Agodnio z ukdadem whyerenia tranzystora: Ly =I I, =Ic 4 Uy = Une : Uz = Vex =tyA a 4g= 30 2A Rys. 5.34 Catory roduiny charaktorystyk: statyeznych w ukindzie WEnieliniowa statycuna — 279 » Interesnja nas zatem rodziny charakterystyk: User = fil, — wojéei Vee =fUn, Wes) (oz a Hpse = wollte = Sl, — przejsei tently Veo [1 Pe = pezefeciwa Weaaystkic oztery rodziny charakterystyk praedstawiono na rys. 5.34, ie Uce polaryzuje oba zigeza E-B i B-C, dlatego nie moina w tym preypadku za- chowaé dotychozas stosowanego sposobu znakowania napieé. (Dotychezas preyj- - mowaliimy, Ze napigcie polarymujqce zlgeze w kierunku przewodzenia jest do- datnie, a w kierunku zaporowym — ujemne). Przyjmijmy w tym praypadku iste zaki potencjalow bary (Up,) i kolektora (Uc,) wagledem poten- ojatu emitera. Dla tranzystora n-p-n pracujacego w zakresie normalnym oba na- pigcia ea dodatnic w tej konwencji. Charakterystyki statyezne moina obliezaé z réwnati (5.52), (6.58), (6.54), (5.55) uwzgledniajgo, Ze [eal = Weel Weal = [Con—Unel (6.85) 1 podstawia sig: _— Ugp, ze znakiem dodatnim, gdyi zlyeze W-B jest polaryzowane w kiorunkn praewodzenia ; — Ucg ze makiern ujernnym, jeieli |Ucg| > [Use| (wowezas zhuoze B-C jest pola- xyzowane w kierunku zaporowym i tranzystor pracuje w zakrosio normalnym); ‘= Ucp 20 znakiem dodatnim, jezeli [Ucx| <|Upe| (vowezus zlgeze B-O jest pola ryzowane w kierunku przewodzenia i tranzystor pracuje w zakresie nasyoenia). ‘takterystyki wejsciowe ~ Kaleinosé Upe(Zp)ucy moina maleté analityomio odejmujgo (6.54) od (6.55). ». Poniewas te l—oy ‘ » ‘watem, zaldadajac ay = const, moina stwierdzié, # charakterystyka. wejéoiowa . wukladzie WE ma taki sam przebiog logarytmicuny jak w ukladzie WB (prady - In, Ip 89 liniowo zaleie). charakterystyki wejéciowej w funkeji napigoia Uc, sq spowodowane modulacje + efektywnej szerokosei baay. W miarg wzrostu Ucg (prawie cate napigcie Ue » polaryzuje zaporowo zlgeze C-B, a tylko niowielka jogo exes odktada sig na zie #-B w kierunku pracwodzenia) maleje efcktywna serokosé bazy. Jezeli przyjmie . signa prayklad, 2¢ poziom wstezykiwania nosnikow z emitera do bazy jest staly © (Un = const), to pray cietiszej bazie mnioj nosnikéw rekombinuje, eayli prad Jy maleje, Taki kierunek amin churaktorystyk Uge(Ig) pray romych wartos- ciach Uee reprezentuja dwie kraywe praedstawione na rys. 6.34. Gdyby wyekspo- -mowaé niewielli pocaytkowy obszar charakterystyk, to okazaloby sig, 26 pray | Ucg > 0 charakterystyki nie praechodza doktadnio praoz poozatck ukladu wspél- , a mianowieie pray Zy = 0, Uyx > 0. Modna to wyjadnié w ten spos6b,